JP7037459B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態の半導体製造装置の構造を模式的に示す断面図である。
図5は、第2実施形態の半導体製造装置の構造を模式的に示す断面図である。
図6は、第3実施形態の半導体製造装置の構造を模式的に示す断面図である。
図7は、第4実施形態の半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図である。
2:第2ウェハ、2a:第2半導体ウェハ、2b:第2膜、2c:第2パッド、
3:保護リング、3a:第1部分、3b:第2部分、
11:バキュームチャック、12:エッチング液タンク、
13:エッチング液ポンプ、14:多連ノズル、14a:エッチング液ノズル、
14b:リンス液ノズル、14c:ガスノズル、14d:厚みモニタ、
15:ウェハ収容部、15a:包囲壁、15b:排水部、15c:排気部、
16:保護液ノズル、17:ガスノズル、18:制御部、
21:円弧部、22:凸部、23:凸部、31:円弧部、32:凸部、33:凸部、
41a~41d:ロード部、42:インタフェース部、43:第1アーム、
44:反転部、45:バッファ部、46:搬送レール、47:第2アーム、
48a~48d:リング着脱部、49a~49d:ウェット処理部
Claims (11)
- 互いに貼り合わされた第1基板と第2基板とを含む被加工基板に、環状の形状を有する環状部材を、前記第1基板を包囲するように装着する装着部と、
前記環状部材が装着された前記被加工基板を保持する保持部と、
前記保持部により保持された前記被加工基板の前記第2基板に第1流体を供給する第1流体供給部と、
を備える半導体製造装置。 - 互いに貼り合わされた第1基板と第2基板とを含む被加工基板を保持する保持部と、
前記保持部により保持された前記被加工基板の前記第2基板に第1流体を供給する第1流体供給部と、
前記第1基板と前記第2基板との境界に第2流体を供給する第2流体供給部と、
を備える半導体製造装置。 - 前記保持部は、前記第1および第2基板が横向きになるように前記被加工基板を保持する、請求項1または2に記載の半導体製造装置。
- 前記保持部は、前記第1および第2基板のうちの前記第1基板のみに接触するように前記被加工基板を保持する、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
- 前記第1流体は、前記第2基板をエッチングするエッチング液である、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
- 前記第1流体供給部は、前記第2基板に前記第1流体を吐出する複数のノズルを含む、請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
- 前記第1流体供給部は、前記第2基板に含まれる半導体基板の厚みを検出する検出部を備え、前記検出部により検出された前記厚みに基づいて前記半導体基板に前記第1流体を供給し、前記半導体基板の少なくとも一部を前記第1流体により除去する、請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
- 前記第1基板と前記第2基板との境界に、前記第1流体による前記第1基板の除去を抑制する第2流体を供給する第2流体供給部をさらに備える、請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記第1基板が下部に位置し、前記第2基板が上部に位置するように前記被加工基板を受け取り、前記第1基板が上部に位置し、前記第2基板が下部に位置するように前記被加工基板の向きを反転させ、反転させた前記被加工基板を前記装着部に提供する反転部をさらに備える、請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記半導体製造装置内の空間を、前記装着部、保持部、および前記第1流体供給部を有する第1空間と、前記半導体製造装置に対する前記被加工基板の出入口が設けられた第2空間とに分離するバッファ部をさらに備える、請求項1に記載の半導体製造装置。
- 互いに貼り合わされた第1基板と第2基板とを含む被加工基板に、環状の形状を有する環状部材を、前記第1基板を包囲するように装着し、
前記環状部材が装着された前記被加工基板を保持し、
保持された前記被加工基板の前記第2基板に第1流体を供給する、
ことを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018169035A JP7037459B2 (ja) | 2018-09-10 | 2018-09-10 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
TW107144484A TWI714925B (zh) | 2018-09-10 | 2018-12-11 | 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法 |
CN201811552546.2A CN110890289B (zh) | 2018-09-10 | 2018-12-19 | 半导体制造装置及半导体装置的制造方法 |
US16/275,118 US11276586B2 (en) | 2018-09-10 | 2019-02-13 | Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
US17/532,074 US20220084846A1 (en) | 2018-09-10 | 2021-11-22 | Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018169035A JP7037459B2 (ja) | 2018-09-10 | 2018-09-10 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020043208A JP2020043208A (ja) | 2020-03-19 |
JP7037459B2 true JP7037459B2 (ja) | 2022-03-16 |
Family
ID=69719701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018169035A Active JP7037459B2 (ja) | 2018-09-10 | 2018-09-10 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11276586B2 (ja) |
JP (1) | JP7037459B2 (ja) |
CN (1) | CN110890289B (ja) |
TW (1) | TWI714925B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI714925B (zh) | 2021-01-01 |
TW202011488A (zh) | 2020-03-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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