JP5310693B2 - 液処理装置 - Google Patents
液処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5310693B2 JP5310693B2 JP2010227739A JP2010227739A JP5310693B2 JP 5310693 B2 JP5310693 B2 JP 5310693B2 JP 2010227739 A JP2010227739 A JP 2010227739A JP 2010227739 A JP2010227739 A JP 2010227739A JP 5310693 B2 JP5310693 B2 JP 5310693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- substrate
- processed
- liquid
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 125
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 55
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 157
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 75
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 241001149900 Fusconaia subrotunda Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
回転している被処理基板の上面には処理液を供給せず、下面に処理液を供給する処理液供給部と、を備えた液処理装置において、
前記回転基体は、前記被処理基板周縁を囲む囲み部材を備え、
この囲み部材は、前記被処理基板と当該囲み部材との隙間に進入した処理液を毛管作用により外方側に引き出して、被処理基板の上面側への処理液の回り込みを抑えるための複数のガイド溝部を、前記囲み部材の下面側に形成し、前記複数のガイド溝部は、各々内縁側から外方に向かって伸びると共に前記囲み部材の周方向に沿って互いに間隔をおいて配列されたことを特徴とする。
(a) 前記回転基体には、被処理基板の周縁部を各々下面側から支持するように当該被処理基板の周方向に沿って互いに間隔をおいて複数個の支持部が設けられていること。
(b) 前記複数個の支持部は、前記囲み部材に設けられたこと。
(c)前記各ガイド溝部は、囲み部材の周方向に沿った幅の寸法が0.1mm〜5mmに形成されていること。
(d) 隣り合う前記各ガイド溝部同士の間隔が0.5mm〜10mmであること。
回転している被処理基板の下面に処理液を供給する処理液供給部と、を備えた液処理装置において、
前記回転基体は、前記被処理基板の周縁部の周方向に沿って互いに間隔をおいて設けられ、下面側から前記被処理基板を支持する複数個の支持部と、
前記被処理基板から振り切られた処理液を下面にてガイドするために、前記被処理基板周縁を囲むように設けられた囲み部材と、を備え、
隣り合う前記支持部と支持部との距離が0.5mm〜10mmであることを特徴とする。
(e) 前記各支持部の前記被処理基板を支持する支持面における被処理基板の周方向に沿った幅の寸法が0.1mm〜3mmであること。
(f) 前記支持部材は、前記囲み部材に設けられ、この囲み部材には、当該囲み部材の下面側にて各々内縁側から外方に向かって伸びると共に周方向に沿って配列された複数のガイド溝部が設けられていること。
(g)前記被処理基板の中央部上方に、ガス供給部を備えていること。
はじめに、本実施の形態に係る液処理装置1の構成について図1〜図4を参照しながら説明する。図1の縦断側面図に示すように、液処理装置1は、ウエハWを回転自在に支持する支持基体の一部をなすウエハ支持部2と、ウエハ支持部2に支持されたウエハWの周囲を囲むように設けられ、ウエハWから飛散した薬液等を受け止めて排出機構側へ向けて案内する内カップ41並びに外カップ42と、ウエハ支持部2に支持されたウエハWの上面に対向するように配置され、ウエハWとの間に、外部から供給された窒素ガスや清浄空気などのガスを通流させるための空間を形成するトップカバー5と、を筐体11内に配置した構造となっている。
ガイド板21は、周縁部上面側の角を落としてテーパー状の傾斜面を形成した円盤形状の部材として構成され、当該傾斜面が形成されている周縁部の下面側は下方側へ向けて突出している。
ここで外カップ42は例えば筐体11の底面に固定されている。
ウエハWの搬入時において液処理装置1はトップカバー5を上方側に退避させ、ウエハWの受け渡し位置までリフター24を上昇させる。このとき筐体11内には上方側から下方側へ向かう清浄空気のダウンフローが形成されている。しかる後、筐体11のシャッター12を開き、トップカバー5と支持ピン242との間の高さ位置に、ウエハWを支持した外部のウエハ搬送機構のピックを進入させる。次いで当該ピックを降下させることによりピックと支持ピン242とを交差させて、ウエハWをリフター24に受け渡し、しかる後ピックを筐体11内から退出させる。
そして搬入時とは反対の動作で外部のウエハ搬送機構にウエハWを受け渡し、液処理装置1による液処理を終える。
ここで第2の実施の形態に係る液処理装置1において、ウエハ支持部2、各カップ41、42、トップカバー5やその昇降機構、筐体11や気流導入部14等の構成や動作は図1、図5を用いて説明したものと同様なので再度の説明を省略する。また、図8〜図11の各図において、第1の実施の形態にて説明した液処理装置1と共通の構成要素には、図1〜図7に示したものと同じ符号を付してある。
HF溶液による液処理を終えた後のDIWによるリンス洗浄やその後の乾燥並びにウエハWの搬出工程の動作については第1の実施の形態の液処理装置1と同様なので説明を省略する。
また、除去する膜や処理液の種類はこの例に限られるものではなく希HClなど他の腐食性の薬液によりCu膜など他の膜を除去してもよい。また、処理液の種類もウエハWの下面に形成された膜の除去など、腐食性の薬液を用いる場合に限られず、例えばDIWを用いたリンス洗浄を行う液処理装置において、上述の各実施の形態に係る手法により回り込みを防止してもよい。
第2の実施の形態に係る液処理装置1を用い、囲み部材3に設けられた支持部31の個数を変えて液処理を行い、回転するウエハWの上面側へ薬液が回り込んだ範囲を計測した。ウエハWとしては酸化膜の形成されたシリコンウエハを用い、当該酸化膜を49wt%のHF溶液で除去し、ウエハWの上面側の酸化膜が除去された範囲を観察した。また、後述する実施例におけるウエハWの回転数及び、供給される薬液の流量は、比較例におけるウエハWの回転数及び、供給される薬液の流量と同じである。
(実施例)
幅寸法T1=1.0mmの支持部31をウエハWの中心から見て1°間隔で360個配置した。隣り合う支持部31と支持部31との距離はD2’=1.6mmである。
(比較例)
幅寸法T1=1.0mmの支持部31をウエハWの中心から見て30°間隔で12個配置した。隣り合う支持部31と支持部31との距離はD2’=77.5mmである。
(実施例)に係る実験の結果を図12(a)、図12(b)に示し、(比較例)に係る実験の結果を図13(a)、図13(b)に示す。これらの図は、ウエハWの周縁部において、HF溶液によりシリコン酸化膜がエッチングされた深さをエッチング深さの範囲毎にカラー表示した図をグレースケールに変換したものである。各図の横座標はウエハWの周方向の位置を示し、縦座標はウエハWの径方向の位置を示している。縦座標については、座標の上方側がウエハWの外周側に相当している。
1 液処理装置
2 ウエハ支持部
21 ガイド板
3 囲み部材
31 支持部
32 ガイド溝部
5 トップカバー
61 制御部
Claims (9)
- 被処理基板を水平に支持した状態で回転させるための回転基体と、
回転している被処理基板の上面には処理液を供給せず、下面に処理液を供給する処理液供給部と、を備えた液処理装置において、
前記回転基体は、前記被処理基板周縁を囲む囲み部材を備え、
この囲み部材は、前記被処理基板と当該囲み部材との隙間に進入した処理液を毛管作用により外方側に引き出して、被処理基板の上面側への処理液の回り込みを抑えるための複数のガイド溝部を、前記囲み部材の下面側に形成し、前記複数のガイド溝部は、各々内縁側から外方に向かって伸びると共に前記囲み部材の周方向に沿って互いに間隔をおいて配列されたことを特徴とする液処理装置。 - 前記回転基体には、被処理基板の周縁部を各々下面側から支持するように当該被処理基板の周方向に沿って互いに間隔をおいて複数個の支持部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
- 前記複数個の支持部は、前記囲み部材に設けられたことを特徴とする請求項2に記載の液処理装置。
- 前記各ガイド溝部は、囲み部材の周方向に沿った幅の寸法が0.1mm〜5mmに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
- 隣り合う前記各ガイド溝部同士の間隔が0.5mm〜10mmであることを特徴とする請求項1または4に記載の液処理装置。
- 被処理基板を水平に支持した状態で回転させるための回転基体と、
回転している被処理基板の下面に処理液を供給する処理液供給部と、を備えた液処理装置において、
前記回転基体は、前記被処理基板の周縁部の周方向に沿って互いに間隔をおいて設けられ、下面側から前記被処理基板を支持する複数個の支持部と、
前記被処理基板から振り切られた処理液を下面にてガイドするために、前記被処理基板周縁を囲むように設けられた囲み部材と、を備え、
隣り合う前記支持部と支持部との距離が0.5mm〜10mmであることを特徴とする液処理装置。 - 前記各支持部の前記被処理基板を支持する支持面における被処理基板の周方向に沿った幅の寸法が0.1mm〜3mmであることを特徴とする請求項6に記載の液処理装置。
- 前記支持部材は、前記囲み部材に設けられ、この囲み部材には、当該囲み部材の下面側にて各々内縁側から外方に向かって伸びると共に周方向に沿って配列された複数のガイド溝部が設けられていることを特徴とする請求項6に記載の液処理装置。
- 前記被処理基板の中央部上方に、ガス供給部を備えていることを特徴とする請求項1または6に記載の液処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010227739A JP5310693B2 (ja) | 2010-10-07 | 2010-10-07 | 液処理装置 |
TW100129586A TWI500076B (zh) | 2010-10-07 | 2011-08-18 | 液體處理裝置 |
KR20110082674A KR101507487B1 (ko) | 2010-10-07 | 2011-08-19 | 액처리 장치 |
US13/238,241 US8741099B2 (en) | 2010-10-07 | 2011-09-21 | Liquid processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010227739A JP5310693B2 (ja) | 2010-10-07 | 2010-10-07 | 液処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012084607A JP2012084607A (ja) | 2012-04-26 |
JP2012084607A5 JP2012084607A5 (ja) | 2012-09-06 |
JP5310693B2 true JP5310693B2 (ja) | 2013-10-09 |
Family
ID=45924212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010227739A Expired - Fee Related JP5310693B2 (ja) | 2010-10-07 | 2010-10-07 | 液処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8741099B2 (ja) |
JP (1) | JP5310693B2 (ja) |
KR (1) | KR101507487B1 (ja) |
TW (1) | TWI500076B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5310693B2 (ja) * | 2010-10-07 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP6033595B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2016-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置における距離測定方法 |
JP2018101719A (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 株式会社ディスコ | 排水機構 |
JP6885753B2 (ja) * | 2017-03-08 | 2021-06-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7037459B2 (ja) * | 2018-09-10 | 2022-03-16 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
KR102406942B1 (ko) * | 2019-09-16 | 2022-06-10 | 에이피시스템 주식회사 | 엣지 링 및 이를 포함하는 열처리 장치 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09270413A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体ウエーハの乾燥装置 |
JP4043455B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2008-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
WO2007080707A1 (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Tokyo Electron Limited | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体 |
TW200802579A (en) * | 2006-04-18 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus |
JP4920643B2 (ja) * | 2008-07-09 | 2012-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP5355951B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP5310693B2 (ja) * | 2010-10-07 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
-
2010
- 2010-10-07 JP JP2010227739A patent/JP5310693B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-08-18 TW TW100129586A patent/TWI500076B/zh active
- 2011-08-19 KR KR20110082674A patent/KR101507487B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-21 US US13/238,241 patent/US8741099B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI500076B (zh) | 2015-09-11 |
US20120085493A1 (en) | 2012-04-12 |
US8741099B2 (en) | 2014-06-03 |
KR20120036257A (ko) | 2012-04-17 |
KR101507487B1 (ko) | 2015-04-06 |
JP2012084607A (ja) | 2012-04-26 |
TW201232635A (en) | 2012-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5544985B2 (ja) | 液処理装置 | |
JP5310693B2 (ja) | 液処理装置 | |
JP5472169B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 | |
JP5223886B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 | |
JP5312923B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7064905B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7170578B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2005119748A1 (ja) | 基板洗浄方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
JP2009218563A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
JP2012084607A5 (ja) | ||
JP2023090738A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP5747842B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 | |
JP7386700B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP4679479B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5372836B2 (ja) | 液処理方法、その液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び液処理装置 | |
JP2008159872A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6184890B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 | |
JP5883470B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 | |
KR100846690B1 (ko) | 기판 세정 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체 | |
JP5379732B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2017191849A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120720 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120720 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130604 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130617 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5310693 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |