JP5223886B2 - 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
この基板保持部を鉛直軸周りに回転させるための回転駆動部と、
回転している被処理基板の下面に薬液を供給する薬液供給部と、
被処理基板から薬液を除去するために、被処理基板の前記薬液が供給される面にリンス液を供給するリンス液供給部と、
前記基板保持部を第1の回転速度で回転させながら被処理基板に薬液を供給し、前記被処理基板の周端面を介して上面側へ薬液を回り込ませる第1のステップと、被処理基板への薬液の供給を停止し、かつ基板保持部を前記第1の回転速度より速い第2の回転速度で回転させて被処理基板から薬液を振り切る第2のステップと、次いで、基板保持部を第1の回転速度よりも低速の第3の回転速度で回転させた状態で、被処理基板にリンス液を供給し、前記被処理基板の周端面を介して上面側へリンス液を回り込ませる第3のステップと、を実行するように制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。
(a)前記第1の回転速度よりも低速の第3の回転速度は、前記第1の回転速度に対して毎分200回転低くなるまでの範囲の回転速度であること。
(b)被処理基板にリンス液の供給を開始するタイミングは、前記基板保持部が第2の回転速度で回転しているときであり、前記被処理基板の下面全体にリンス液を行き渡らせた後、リンス液を供給しながら前記基板保持部を第3の回転速度にすること。
(c)前記第3のステップには、基板保持部を第3の回転速度で回転させる前に、当該基板保持部を前記第2の回転速度より速い第4の回転速度で回転させた状態でリンス液を供給する期間が含まれていること。
(d)前記制御部は、前記第3のステップにて、被処理基板に供給するリンス液の量を増やすこと。
(e)前記制御部は、前記第2の回転速度が第1の回転速度よりも毎分50回転以上、500回転以下の範囲で速くなるように制御すること。
さらには、被処理基板は円形のウエハに限定されるものではなく、例えば角型基板であってもよい。
HF処理後にスピンオフ工程を設け、ウエハWの回転速度を第1の回転速度から第2の回転速度に上昇させてリンス処理を行う本実施の形態の液処理と、従来の液処理との間でディフェクト(欠陥)の発生数を比較する実験を行った。
(実施例)
図1に示した液処理装置1を用いて、図5に示した工程にてウエハWの下面を処理した。評価対象のウエハWには薄膜は形成されておらず、液処理を行った処理前後で、ウエハWの被処理面に付着している直径12μm以上のサイズのディフェクト数の差をカウントすることにより薬液の除去効果を評価した。薬液にはHF溶液、リンス液にはDIWを用い、各々0.6リットル/分の流量で供給した。薬液処理を開始してからリンス処理を終えるまでの液処理の時間は合計85秒である。リンス処理によりHF溶液が十分に除去されていない場合には、HF溶液によりウエハWがエッチングされてディフェクトが発生するため、このディフェクトの数をカウントすることによりリンス処理の効果を評価することができる。
(比較例)
図9に示した工程にて液処理を行った他は、実験に使用した液処理装置1、処理液(薬液としてHF溶液、リンス液としてDIW)及び処理液の供給流量は(実施例)と同様である。図9に示すように(比較例)では、薬液処理を行った後、スピンオフの工程を設けず、第1の回転速度のままリンス処理を40秒間行っている。薬液処理を開始してからリンス処理を終えるまでの液処理の時間は合計100秒である。
(実施例)及び(比較例)において、直径12μm以上のサイズのディフェクトが発生した位置をウエハWにプロットした結果を図10に示す。図10(a)は(実施例)の結果を示し、図10(b)は(比較例)の結果を示している。
1、1a 液処理装置
21 筐体
3 ウエハ保持部
31 ガイド板
4 カップ体
41 液受け空間
5 天板部
51 突起部
6 制御部
Claims (13)
- 被処理基板を水平に保持するための基板保持部と、
この基板保持部を鉛直軸周りに回転させるための回転駆動部と、
回転している被処理基板の下面に薬液を供給する薬液供給部と、
被処理基板から薬液を除去するために、被処理基板の前記薬液が供給される面にリンス液を供給するリンス液供給部と、
前記基板保持部を第1の回転速度で回転させながら被処理基板に薬液を供給し、前記被処理基板の周端面を介して上面側へ薬液を回り込ませる第1のステップと、被処理基板への薬液の供給を停止し、かつ基板保持部を前記第1の回転速度より速い第2の回転速度で回転させて被処理基板から薬液を振り切る第2のステップと、次いで、基板保持部を第1の回転速度よりも低速の第3の回転速度で回転させた状態で、被処理基板にリンス液を供給し、前記被処理基板の周端面を介して上面側へリンス液を回り込ませる第3のステップと、を実行するように制御する制御部と、を備えたことを特徴とする液処理装置。 - 前記第1の回転速度よりも低速の第3の回転速度は、前記第1の回転速度に対して毎分200回転低くなるまでの範囲の回転速度であることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
- 被処理基板にリンス液の供給を開始するタイミングは、前記基板保持部が第2の回転速度で回転しているときであり、前記被処理基板の下面全体にリンス液を行き渡らせた後、リンス液を供給しながら前記基板保持部を第3の回転速度にすることを特徴とする請求項1または2に記載の液処理装置。
- 前記第3のステップには、基板保持部を第3の回転速度で回転させる前に、当該基板保持部を前記第2の回転速度より速い第4の回転速度で回転させた状態でリンス液を供給する期間が含まれていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の液処理装置。
- 前記制御部は、前記第3のステップにて、被処理基板に供給するリンス液の量を増やすことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の液処理装置。
- 前記制御部は、前記第2の回転速度が第1の回転速度よりも毎分50回転以上、500回転以下の範囲で速くなるように制御することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の液処理装置。
- 被処理基板を水平に保持し、この被処理基板を鉛直軸周りに第1の回転速度で回転させながら、その下面に薬液を供給し、前記被処理基板の周端面を介して上面側へ薬液を回り込ませる工程と、
薬液の供給を停止し、かつ被処理基板を第1の回転速度より速い第2の回転速度で回転させて薬液を振り切る工程と、
次いで、被処理基板を第1の回転速度よりも低速の第3の回転速度で回転させた状態で、当該被処理基板の下面にリンス液を供給し、前記被処理基板の周端面を介して上面側へリンス液を回り込ませる工程と、を含むことを特徴とする液処理方法。 - 前記第1の回転速度よりも低速の第3の回転速度は、前記第1の回転速度に対して毎分200回転低くなるまでの範囲の回転速度であることを特徴とする請求項7に記載の液処理方法。
- 被処理基板にリンス液の供給を開始するタイミングは、被処理基板が第2の回転速度で回転しているときであり、前記被処理基板の下面全体にリンス液を行き渡らせた後、リンス液を供給しながら前記基板保持部を第3の回転速度にすることを特徴とする請求項7または8に記載の液処理方法。
- 前記被処理基板にリンス液を供給する工程には、被処理基板を前記第3の回転速度で回転させる前に、当該被処理基板を前記第2の回転速度より速い第4の回転速度で回転させた状態でリンス液を供給する期間が含まれていることを特徴とする請求項7ないし9のいずれか一つに記載の液処理方法。
- 前記被処理基板にリンス液を供給する工程にて、被処理基板に供給するリンス液の量を増やすことを特徴とする請求項7ないし10のいずれか一つに記載の液処理方法。
- 前記第2の回転速度は、第1の回転速度よりも毎分50回転以上、500回転以下の範囲で速いことを特徴とする請求項7ないし11のいずれか一つに記載の液処理方法。
- 水平に保持された被処理基板を鉛直軸周りに回転させ、薬液を供給して液処理を行った後、前記被処理基板の薬液が供給された面にリンス液を供給して薬液を除去する液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項7ないし12のいずれか一つに記載された液処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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