JP2001284315A - 基板処理方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板の処理面内での処理を均一にし、エッチン
グ処理、洗浄処理等の処理精度を向上させる。 【解決手段】ウエハＷを保持するスピンチャック１と、
ウエハＷを保持したスピンチャック１を回転させる電動
モータ３と、ウエハＷに第１薬液を供給する第１薬液供
給ノズル４と、スピンチャック１に保持されたウエハＷ
に第２薬液を供給する第２薬液供給ノズル５と、電動モ
ータ３を制御してウエハＷを第１回転数で回転させつ
つ、ウエハＷに第１薬液を供給し、ウエハＷへの薬液の
供給を停止させた状態で、電動モータ３を制御してウエ
ハＷを第１回転数より高速の第２回転数で回転させ、電
動モータ３を制御してウエハＷを第２回転数より低速の
第３回転数で回転させつつ、ウエハＷに第２薬液を供給
させる制御部１２と、を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶用ガラス基板等の基板に薬液、純水等の処理液を供給
して、基板に対して洗浄処理、エッチング処理等の所定
の処理を行う基板処理方法及び基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、基板の一種であるウエハの洗浄
工程においては、スピンチャックにウエハを保持して回
転させながら、所定の薬液供給時間の間フッ酸等の薬液
を薬液供給ノズルからウエハの回転中心付近に供給して
薬液処理を行い、それに続いて所定の純水供給時間の間
純水を純水供給ノズルからウエハの回転中心付近に供給
して、ウエハに残留している薬液を洗い落とす純水処理
を行う洗浄処理が実施されている。

【０００３】従来は、この一連の洗浄工程の処理を薬液
供給時間から純水供給時間への切り換えのタイミングで
その一部を重複させて薬液と純水との両方をウエハに供
給するように実施している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
処理方法では、薬液と純水の両方がウエハに重複して供
給されている間、供給方向の違う２液がぶつかるため、
液の跳ね返りが多くなり、基板処理装置の天井等の構造
物に液が付着し易くなる。このように構造物に付着した
液はウエハへの液ダレやボタ落ちの原因となり、処理前
や処理中のウエハに液が落ちてしまうと、処理が不均一
になるし、処理を終えたウエハに液が落ちてしまうと処
理の仕上がり精度が悪くなるという問題を引き起こす。
さらに、結晶化する薬液を用いている場合には、構造物
に付着して結晶化した薬液が剥がれてパーティクルを発
生させ、ウエハの汚染を招くこともある。

【０００５】また、薬液と純水の両方がウエハの供給さ
れている間、ウエハ上で薬液と純水とが混じり合うが、
ウエハ上に広がる薬液及び純水の混合割合が場所によっ
て不均一になり、ウエハ上での純水等の濃度にバラツキ
が生じ、ウエハの処理面内での処理の不均一を招くこと
になる。

【０００６】本発明は、このような事情を鑑みてなされ
たものであって、基板の処理面内での処理を均一にし、
エッチング処理、洗浄処理等の処理精度を向上させる基
板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、請求項1に記載の基板処理方法は、基板に所定
の処理を行う基板処理方法において、基板を第１回転数
で回転させつつ、基板に第１処理液を供給する第１処理
工程と、基板に処理液を供給しない状態で、基板を第１
回転数より高速の第２回転数で回転させる第２処理工程
と、基板を第２回転数より低速の第３回転数で回転させ
つつ、基板に第１処理液とは異なる第２処理液を供給す
る第３処理工程と、を有することを特徴とするものであ
る。

【０００８】なお、ここでいう基板に対する「所定の処
理」には、基板に対する洗浄処理、エッチング処理が含
まれる。

【０００９】また、請求項２に記載の基板処理方法は、
請求項１に記載の基板処理方法において、第１処理液
が、フッ酸を含む処理液であり、第２処理液が、アンモ
ニアを含む処理液であることを特徴とするものである。

【００１０】また、請求項３に記載の基板処理方法は、
請求項１に記載の基板処理方法において、第１処理液
は、フッ酸を含む処理液であり、第２処理液は、純水で
あることを特徴とする基板処理方法。

【００１１】また、請求項４に記載の基板処理方法は、
基板に所定の処理を行う基板処理方法において、基板を
第１回転数で回転させつつ、基板に処理液を供給する第
１処理工程と、基板に処理液を供給しない状態で、基板
を第１回転数より高速の第２回転数で回転させる第２処
理工程と、基板を第２回転数より低速の第３回転数で回
転させつつ、基板に処理液を供給する第３処理工程と、
を有することを特徴とするものである。

【００１２】また、請求項５に記載の基板処理装置は、
基板に所定の処理を行う基板処理装置において、基板を
保持する保持手段と、基板を保持した保持手段を回転さ
せる駆動手段と、前記保持手段に保持された基板に第１
処理液を供給する第１供給手段と、前記保持手段に保持
された基板に第２処理液を供給する第２供給手段と、前
記駆動手段を制御して基板を第１回転数で回転させつ
つ、前記第１供給手段を制御して基板に第１処理液を供
給し、前記第１供給手段からの基板への第１処理液の供
給を停止させた状態で、前記駆動手段を制御して基板を
第１回転数より高速の第２回転数で回転させ、前記駆動
手段を制御して、基板を第２回転数より低速の第３回転
数で回転させつつ、前記第２供給手段を制御して基板に
第２処理液を供給させる制御手段と、を有することを特
徴とするものである。

【００１３】なお、ここでいう「基板の保持」には、基
板の端部を複数の保持部材での保持、基板の裏面への吸
着保持、基板の裏面への支持部材での支持が考えられ
る。また、基板に第１処理液を供給する第１供給手段と
基板に第２処理液を供給する第２供給手段については１
つの供給手段で兼用してもよい。

【００１４】また、請求項６に記載の基板処理装置は、
請求項５に記載の基板処理装置において、第１処理液
が、フッ酸を含む処理液であり、第２処理液が、アンモ
ニアを含む処理液であることを特徴とするものである。

【００１５】また、請求項７に記載の基板処理装置は、
請求項５に記載の基板処理装置において、第１処理液
が、フッ酸を含む処理液であり、第２処理液が、純水で
あることを特徴とするものである。

【００１６】また、請求項８に記載の基板処理装置は、
請求項５乃至請求項７に記載の基板処理装置において、
前記制御手段が、前記第１供給手段による第１処理液の
供給及び供給停止を制御する第１供給手段用制御手段
と、前記第２供給手段による第２処理液の供給及び供給
停止を制御する第２供給手段用制御手段とを有すること
を特徴とするものである。

【００１７】また、請求項９に記載の基板処理装置は、
基板に所定の処理を行う基板処理装置において、基板を
保持する保持手段と、基板を保持した保持手段を回転さ
せる駆動手段と、前記保持手段に保持された基板に処理
液を供給する供給手段と、前記駆動手段を制御して基板
を第１回転数で回転させつつ、前記供給手段を制御して
基板に処理液を供給し、前記供給手段からの基板への処
理液の供給を停止させた状態で、前記駆動手段を制御し
て基板を第１回転数より高速の第２回転数で回転させ、
前記駆動手段を制御して、基板を第２回転数より低速の
第３回転数で回転させつつ、前記供給手段を制御して基
板に処理液を供給させる制御手段と、を有することを特
徴とするものである。

【００１８】なお、ここでいう「基板の保持」には、基
板の端部を複数の保持部材での保持、基板の裏面への吸
着保持、基板の裏面への支持部材での支持が考えられ
る。

【００１９】また、請求項１０に記載の基板処理装置
は、請求項９に記載の基板処理装置において、前記制御
手段が、前記供給手段による処理液の供給及び供給停止
を制御する供給手段用制御手段を有することを特徴とす
るものである。

【００２０】さらに、請求項１１に記載の基板処理装置
は、請求項５乃至請求項１０のいずれかに記載の基板処
理装置において、前記制御手段が、前記駆動手段による
基板の回転数を制御する回転数制御手段を有することを
特徴するものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】＜第１の実施の形態＞以下、図面
を参照しつつ本発明に係る基板処理装置の第１の実施の
形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施の
形態の基板処理装置の要部構成を示す正面図である。以
下では、基板の一種であるウエハにフッ酸を含む第１薬
液を供給して第１薬液処理を行い、それに続いてウエハ
にアンモニアを含む第２薬液を供給して第２薬液処理を
行う洗浄処理を例に説明する。なお、第１薬液は、本発
明の第１処理液に相当し、第２薬液は、第２処理液に相
当する。

【００２２】ウエハＷは保持手段としての真空吸着式の
スピンチャック１に水平姿勢に保持されている。スピン
チャック１は、回転軸２を介して電動モータ３と伝導連
結されており、電動モータ３を駆動することで、スピン
チャック１とともにスピンチャック１に保持されたウエ
ハＷが鉛直方向の軸芯Ｊ周りで回転される。

【００２３】スピンチャック１に保持されたウエハＷの
上方には、斜め上方からウエハＷの上面（通常は表面）
の回転中心付近に第１薬液を供給する第１薬液供給ノズ
ル４と斜め上方からウエハＷの上面（通常は表面）の回
転中心付近に第２薬液を供給する第２薬液供給ノズル５
とが配置されている。第１薬液供給ノズル４は、第１薬
液のウエハＷへの供給とその停止とを切り換える第１開
閉弁６が設けられた配管７を介して第１薬液供給源８に
連通接続されている。一方、第２薬液供給ノズル５は、
第２薬液のウエハＷへの供給とその停止とを切り換える
第２開閉弁９が設けられた配管１０を介して第２薬液供
給源１１に連通接続されている。

【００２４】図２は、第１の実施の形態の制御系の構成
を示すブロック図である。スピンチャック１によるウエ
ハＷの保持及びその解除の制御は、制御部１２で行われ
る。また、制御部１２は、電動モータ３の回転数を制御
する電動モータ制御部１２０と、開閉弁６の開閉動作を
制御する第１開閉弁制御部１２１と、開閉弁９の開閉動
作を制御する第２開閉弁制御部１２２とを備えている。
なお、電動モータ制御部１２０は、本発明の回転数制御
手段に相当し、第１開閉弁制御部１２１は、第１供給手
段用制御手段に相当し、第２開閉弁制御部１２２は、第
２供給手段用制御手段に相当する。

【００２５】次に、図３に基づいて第１の実施の形態の
基板処理装置の処理動作について説明する。図３は、電
動モータの回転数の制御、第１開閉弁及び第２開閉弁の
開閉制御を示すタイムチャートである。

【００２６】この基板処理装置においては、まず、制御
部１２内の電動モータ制御部１２０の制御により電動モ
ータ３の回転を開始させ、ウエハＷの回転数を１００ｒ
ｐｍ〜６００ｒｐｍにする。このとき、第１開閉弁６及
び第２開閉弁９は、いずれも「閉」状態である。

【００２７】次に、ウエハＷの回転数を１００ｒｐｍ〜
６００ｒｐｍにした状態で、第１開閉弁制御部１２１の
制御により第１開閉弁６を「閉」から「開」へ切り換え
る。これにより、ウエハＷが第１回転数で回転された状
態で、第１薬液供給ノズル４から第１薬液がウエハＷの
中央部に供給されウエハＷの第１薬液処理が行われる。
なお、このときの回転数１００ｒｐｍ〜６００ｒｐｍ
が、第１回転数に相当する。

【００２８】所定の時間第１薬液処理が行われると、電
動モータ制御部１２０の制御によりウエハＷの回転数を
１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍに高速にする。なお、
このときの回転数１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍが第
２回転数に相当する。それと同時に、第１開閉弁制御部
１２１の制御により第１開閉弁６を「開」から「閉」へ
切り換える。

【００２９】そして、所定の時間、ウエハＷの表面に何
も処理液を供給せずに、第２回転数でウエハＷを回転さ
せる。これにより、第１薬液がウエハＷから振り切られ
る。

【００３０】次に、電動モータ制御部１２０の制御によ
りウエハＷの回転数を１００ｒｐｍ〜６００ｒｐｍに低
速にする。なお、このときの１００ｒｐｍ〜６００ｒｐ
ｍが第３回転数に相当する。それと同時に、第２開閉弁
制御部１２２の制御により第２開閉弁９を「閉」から
「開」へ切り換える。これにより、ウエハＷが第３回転
数に回転された状態で、第２薬液供給ノズル５から第２
薬液がウエハＷの中央部に供給されウエハＷの第２薬液
処理が行われる。

【００３１】所定の時間第２薬液処理が行われると、電
動モータ制御部１２０の制御によりウエハＷの回転数を
１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍに高速にする。それと
同時に、第２開閉弁制御部１２２の制御により第２開閉
弁９を「開」から「閉」へ切り換えて、ウエハＷを回転
させてウエハＷの表面の乾燥を行う。これにより、一連
の基板処理装置の処理動作が終了する。

【００３２】なお、この第１の実施の形態では、回転数
について第１回転数、第２回転数、及び第３回転数の切
り換えを瞬時に行ったが、図３の２点鎖線のように徐々
に回転数を増加させたり、減少させるようにしてもよ
い。

【００３３】また、この第１の実施の形態では、フッ酸
を含む第１薬液による第１薬液処理、アンモニアを含む
第２薬液による第２薬液処理を例に挙げたが、第２薬液
処理を純水による純水処理にしてもよい。

【００３４】また、この第１の実施の形態では、第１薬
液を供給する第１薬液供給ノズル４と第２薬液を供給す
る第２薬液供給ノズル５を別々に設けたが、１つの薬液
供給ノズルにて、２種類以上の薬液を供給してもよい。

【００３５】さらに、この第１の実施の形態では、第１
薬液、第２薬液ともウエハＷの表面に供給する構成であ
ったが、ウエハＷの裏面に薬液を供給するような構成で
もよい。

【００３６】＜第２の実施の形態＞以下、図面を参照し
つつ本発明に係る基板処理装置の第２の実施の形態につ
いて説明する。図４は、本発明の第２の実施の形態の基
板処理装置の要部構成を示す正面図である。以下では、
基板の一種であるウエハにフッ酸を含む薬液を供給して
第１薬液処理を行い、それに続いて同じ薬液を供給して
第２薬液処理を行う洗浄処理を例に説明する。なお、薬
液が、本発明の処理液に相当する。

【００３７】ウエハＷは保持手段としての真空吸着式の
スピンチャック１０１に水平姿勢に保持されている。ス
ピンチャック１０１は、回転軸１０２を介して電動モー
タ１０３と伝導連結されており、電動モータ１０３を駆
動することで、スピンチャック１０１とともにスピンチ
ャック１０１に保持されたウエハＷが鉛直方向の軸芯Ｊ
周りで回転される。

【００３８】スピンチャック１０１に保持されたウエハ
Ｗの上方には、斜め上方からウエハＷの上面（通常は表
面）の回転中心付近に薬液を供給する薬液供給ノズル１
０４が配置されている。薬液供給ノズル１０４は、薬液
のウエハＷへの供給とその停止とを切り換える開閉弁１
０６が設けられた配管１０７を介して薬液供給源１０８
に連通接続されている。

【００３９】図５は、第２の実施の形態の制御系の構成
を示すブロック図である。スピンチャック１０１による
ウエハＷの保持及びその解除の制御は、制御部１１２で
行われる。また、制御部１１２は、電動モータ１０３の
回転数を制御する電動モータ制御部１３０と、開閉弁１
０６の開閉動作を制御する開閉弁制御部１３１とを備え
ている。なお、電動モータ制御部１３０は、本発明の回
転数制御手段に相当し、開閉弁制御部１３１は、供給手
段用制御手段に相当する。

【００４０】次に、図６に基づいて第２の実施の形態の
基板処理装置の処理動作について説明する。図６は、電
動モータの回転数の制御及び開閉弁の開閉制御を示すタ
イムチャートである。

【００４１】この基板処理装置においては、まず制御部
１１２内の電動モータ制御部１３０の制御により電動モ
ータ１０３の回転を開始させ、ウエハＷの回転数を１０
０ｒｐｍ〜６００ｒｐｍにする。このとき、開閉弁１０
６は、「閉」状態である。

【００４２】次に、ウエハＷの回転数を１００ｒｐｍ〜
６００ｒｐｍにした状態で、開閉弁制御部１３１の制御
により開閉弁１０６を「閉」から「開」へ切り換える。
これにより、ウエハＷが第１回転数に回転された状態
で、薬液供給ノズル１０４から薬液がウエハＷの中央部
に供給されウエハＷの第１薬液処理が行われる。なお、
このときの回転数１００ｒｐｍ〜６００ｒｐｍが、第１
回転数に相当する。

【００４３】所定の時間第１薬液処理が行われると、電
動モータ制御部１２０の制御によりウエハＷの回転数を
１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍに高速にする。なお、
このときの回転数１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍが第
２回転数に相当する。それと同時に、開閉弁制御部１３
１の制御により開閉弁１０６を「開」から「閉」へ切り
換える。

【００４４】そして、所定の時間、ウエハＷの表面に何
も処理液を供給せずに、第２回転数でウエハＷを回転さ
せる。これにより、薬液がウエハＷから振り切られる。

【００４５】次に、電動モータ制御部１３０の制御によ
りウエハＷの回転数を１００ｒｐｍ〜６００ｒｐｍに低
速にする。なお、このときの回転数１００ｒｐｍ〜６０
０ｒｐｍが第３回転数に相当する。それと同時に、開閉
弁制御部１３０の制御により開閉弁１０６を「閉」から
「開」へ切り換える。これにより、ウエハＷが第３回転
数に回転された状態で、薬液供給ノズル１０４から薬液
がウエハＷの中央部に供給されウエハＷの第２薬液処理
が行われる。

【００４６】所定の時間第２薬液処理が行われると、電
動モータ制御部１３０の制御によりウエハＷの回転数を
１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍに高速にする。それと
同時に、開閉弁制御部１３０の制御により開閉弁１０６
を「開」から「閉」へ切り換える。その後、ウエハＷの
回転させてウエハＷの表面の乾燥を行う。これにより、
一連の基板処理装置の処理動作が終了する。

【００４７】なお、この第２の実施の形態では、回転数
について、第１回転数、第２回転数、及び第３回転数の
切り換えを瞬時に行ったが、図６の２点鎖線のように徐
々に回転数を増加させたり、減少させるようにしてもよ
い。

【００４８】さらに、この第２の実施の形態では、薬液
をウエハＷの表面に供給する構成であったが、ウエハＷ
の裏面に薬液を供給するような構成でもよい。

【００４９】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る基板処理方法によれば、第１処理工程における第１処
理液の供給時と第３処理工程における第２処理液の供給
時の間に、基板に処理液を供給しない状態で、基板を回
転させる第２処理工程を設けているので、第２処理液で
の基板の処理時に第１処理液の影響を受けなくなり、基
板の洗浄処理、エッチング処理等の処理精度を向上でき
るという効果がある。特に、基板に処理液を供給しない
状態での基板の第２回転数が、第１処理液の供給時の基
板の第１回転数や第２処理液の供給時の基板の第３回転
数より高速であるので、第２処理工程時に第１処理液が
確実に振り切られ、その結果、第２処理液での基板の処
理時に第１処理液の影響をほとんど受けなくなるという
効果がある。

【００５０】また、本発明に係る基板処理方法によれ
ば、第１処理工程における処理液の供給時と第３処理工
程における処理液の供給時の間に、基板に処理液を供給
しない状態で、基板を回転させる第２処理工程を設けて
いるので、第３処理工程における処理液での基板の処理
時に第１処理工程における処理液の影響を受けなくな
り、基板の洗浄処理、エッチング処理等の処理精度を向
上できるという効果がある。特に、基板に処理液を供給
しない状態での基板の第２回転数が、第１処理工程時の
基板の第１回転数や第３処理工程時の基板の第３回転数
より高速であるので、第２処理工程時に第１処理工程時
に供給された処理液が確実に振り切られ、その結果、第
３処理工程における処理液での基板の処理時に第１処理
工程における処理液の影響をほとんど受けなるという効
果がある。

【００５１】また、本発明に係る基板処理装置によれ
ば、第１供給手段からの第１処理液の供給時と第２供給
手段からの第２処理液の供給時の間に、制御手段は、基
板に処理液を供給しない状態で、基板を回転させている
ので、第２処理液での基板の処理時に第１処理液の影響
を受けなくなり、基板の洗浄処理、エッチング処理等の
処理精度を向上できるという効果がある。特に、制御手
段は、基板に処理液を供給しない状態での基板の第２回
転数が、第１処理液の供給時の基板の第１回転数や第２
処理液の供給時の基板の第３回転数より高速にしている
ので、第２回転数での基板の回転により、第１処理液が
確実に振り切られ、その結果、第２処理液での基板の処
理時に第１処理液の影響をほとんど受けなくなるという
効果がある。

【００５２】さらに、本発明に係る基板処理装置によれ
ば、１回目の供給手段から処理液の供給時と２回目の供
給手段からの処理液の供給時の間に、制御手段は、基板
に処理液を供給しない状態で、基板を回転させているの
で、２回目の供給手段から供給される処理液での基板の
処理時に２回目の供給手段からの供給される処理液の影
響を受けなくなり、基板の洗浄処理、エッチング処理等
の処理精度を向上できるという効果がある。特に、制御
手段は、基板に処理液を供給しない状態での基板の第２
回転数が、１回目の処理液の供給時の基板の第１回転数
や２回目の処理液の供給時の基板の第３回転数より高速
であるので、第２回転数での基板の回転により、処理液
が確実に振り切られ、その結果、２回目に供給した処理
液での基板の処理時に、１回目に供給した処理液の影響
をほとんど受けなるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の基板処理装置の要
部構成を示す正面図である。

【図２】第１の実施の形態の制御系の構成を示すブロッ
ク図である。

【図３】電動モータの回転数の制御、第１開閉弁及び第
２開閉弁の開閉制御を示すタイムチャートである。

【図４】本発明の第２の実施の形態の基板処理装置の要
部構成を示す正面図である。

【図５】第２の実施の形態の制御系の構成を示すブロッ
ク図である。

【図６】電動モータの回転数の制御及び開閉弁の開閉制
御を示すタイムチャートである。

【符号の説明】

１ スピンチャック ３ 電動モータ ４ 第１薬液供給ノズル ５ 第２薬液供給ノズル ６ 第１開閉弁 ７ 配管 ８ 第１薬液供給源 ９ 第２開閉弁 １０ 配管 １１ 第１薬液供給源 １２ 制御部 １２０ 電動モータ制御部 １２１ 第１開閉弁制御部 １２２ 第２開閉弁制御部 １０１ スピンチャック １０３ 電動モータ １０４ 薬液供給ノズル １０６ 第１開閉弁 １０７ 配管 １０８ 薬液供給源 １１２ 制御部 １３０ 電動モータ制御部 １３１ 開閉弁制御部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB34 AB42 BB05 BB93 BB96 CB12 CC01 CC13 CD43 5F043 BB27 DD30 EE08 EE27 GG10

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板に所定の処理を行う基板処理方法にお
   いて、 基板を第１回転数で回転させつつ、基板に第１処理液を
   供給する第１処理工程と、 基板に処理液を供給しない状態で、基板を第１回転数よ
   り高速の第２回転数で回転させる第２処理工程と、 基板を第２回転数より低速の第３回転数で回転させつ
   つ、基板に第１処理液とは異なる第２処理液を供給する
   第３処理工程と、を有することを特徴とする基板処理方
   法。
2. 【請求項２】請求項１に記載の基板処理方法において、 第１処理液は、フッ酸を含む処理液であり、第２処理液
   は、アンモニアを含む処理液であることを特徴とする基
   板処理方法。
3. 【請求項３】請求項１に記載の基板処理方法において、 第１処理液は、フッ酸を含む処理液であり、第２処理液
   は、純水であることを特徴とする基板処理方法。
4. 【請求項４】基板に所定の処理を行う基板処理方法にお
   いて、 基板を第１回転数で回転させつつ、基板に処理液を供給
   する第１処理工程と、 基板に処理液を供給しない状態で、基板を第１回転数よ
   り高速の第２回転数で回転させる第２処理工程と、 基板を第２回転数より低速の第３回転数で回転させつ
   つ、基板に処理液を供給する第３処理工程と、を有する
   ことを特徴とする基板処理方法。
5. 【請求項５】基板に所定の処理を行う基板処理装置にお
   いて、 基板を保持する保持手段と、 基板を保持した保持手段を回転させる駆動手段と、 前記保持手段に保持された基板に第１処理液を供給する
   第１供給手段と、 前記保持手段に保持された基板に第２処理液を供給する
   第２供給手段と、 前記駆動手段を制御して基板を第１回転数で回転させつ
   つ、前記第１供給手段を制御して基板に第１処理液を供
   給し、前記第１供給手段からの基板への第１処理液の供
   給を停止させた状態で、前記駆動手段を制御して基板を
   第１回転数より高速の第２回転数で回転させ、前記駆動
   手段を制御して基板を第２回転数より低速の第３回転数
   で回転させつつ、前記第２供給手段を制御して基板に第
   ２処理液を供給させる制御手段と、を有することを特徴
   とする基板処理装置。
6. 【請求項６】請求項５に記載の基板処理装置において、 第１処理液は、フッ酸を含む処理液であり、第２処理液
   は、アンモニアを含む処理液であることを特徴とする基
   板処理装置。
7. 【請求項７】請求項５に記載の基板処理装置において、 第１処理液は、フッ酸を含む処理液であり、第２処理液
   は、純水であることを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】請求項５乃至請求項７に記載の基板処理装
   置において、 前記制御手段は、前記第１供給手段による第１処理液の
   供給及び供給停止を制御する第１供給手段用制御手段
   と、前記第２供給手段による第２処理液の供給及び供給
   停止を制御する第２供給手段用制御手段とを有すること
   を特徴とする基板処理装置。
9. 【請求項９】基板に所定の処理を行う基板処理装置にお
   いて、 基板を保持する保持手段と、 基板を保持した保持手段を回転させる駆動手段と、 前記保持手段に保持された基板に処理液を供給する供給
   手段と、 前記駆動手段を制御して基板を第１回転数で回転させつ
   つ、前記供給手段を制御して基板に処理液を供給し、前
   記供給手段からの基板への処理液の供給を停止させた状
   態で、前記駆動手段を制御して基板を第１回転数より高
   速の第２回転数で回転させ、前記駆動手段を制御して基
   板を第２回転数より低速の第３回転数で回転させつつ、
   前記供給手段を制御して基板に処理液を供給させる制御
   手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】請求項９に記載の基板処理装置におい
    て、 前記制御手段は、前記供給手段による処理液の供給及び
    供給停止を制御する供給手段用制御手段を有することを
    特徴とする基板処理装置。
11. 【請求項１１】請求項５乃至請求項１０のいずれかに記
    載の基板処理装置において、 前記制御手段は、前記駆動手段による基板の回転数を制
    御する回転数制御手段を有することを特徴する基板処理
    装置。