JP5372836B2 - 液処理方法、その液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び液処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、処理液を用いて処理する液処理方法、その液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び液処理装置に関する。

半導体デバイスの製造プロセスやフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）の製造プロセスにおいては、被処理基板（以下「基板」又は「ウェハ」という。）である半導体ウェハやガラス基板に処理液を供給して液処理を行う液処理プロセスが多用されている。

このような液処理プロセスの一つとして、基板の裏面又は周縁部に処理液を供給し、供給した処理液により、基板の裏面又は周縁部に液処理を行う液処理プロセスがある。

例えば、半導体デバイス等の製造プロセスにおいては、基板の表面に各種薄膜を形成するために成膜工程が行われることがある。成膜工程では、基板の表面のみならず基板の裏面又は周縁部にも薄膜が成膜されることがある。基板の裏面又は周縁部に形成された薄膜は、その後の製造工程の中で、例えば熱処理等の際に基板に反りを発生させる要因ともなるため、除去することが好ましい。そのため、基板の裏面又は周縁部に処理液を供給し、供給された処理液により、基板の裏面又は周縁部をエッチング処理する液処理プロセスを行うことがある。

このような液処理プロセスを行う液処理装置として、基板の下面に処理液を供給することにより、基板の下面に対して液処理を行う液処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１に示す例では、液処理装置は、基板保持手段（載置部材）、基板回転手段及び処理液供給部を有している。基板保持手段は、基板を水平姿勢で支持した状態で保持する。基板回転手段は、基板保持手段に保持された基板を鉛直方向の軸芯周りで回転させる。処理液供給部は、処理液供給管を介し、基板保持手段に保持され、基板回転手段により回転される基板の下面に処理液を供給する。

特開２００２−９３８９１号公報

ところが、上記した、基板の下面に処理液により処理を行う液処理方法においては、次のような問題がある。

処理液により基板の下面に処理を行うために、基板は、下面の例えば外周縁端の数箇所が、基板保持手段に設けられた載置部材に載置されることがある。すると、基板の下面であって載置部材に載置されている部分には、処理液が供給されない。そのため、載置部材に載置されている部分は、未処理部分となってしまう。未処理部分をなくすためには、別の受け渡し手段によりいったん載置部材から持ち上げて、載置部材に対する基板の相対角度位置を変更してから再度載置部材に載置する必要がある。従って、載置部材に載置したまま未処理部分をなくすことは困難である。

特許文献１に示す例では、載置部材が基板を摺動自在に保持しており、処理液の供給等によって基板を載置部材に対して滑らせることは可能である。しかし、特許文献１に示す例では、基板を処理液により処理する際に具体的にどのような手順で滑らせると効果的に未処理部分をなくすことができるか開示されていない。特に、処理液を供給しながら基板を滑らせた場合、処理液のミストが発生し、発生したミストが、基板の上面側に回り込んだり、パーティクルとして基板に再付着したりするという問題がある。

また、基板保持手段が、基板が載置される載置部材である場合のみならず、基板を上下から挟持する等の各種の方法で支持する支持部である場合にも、同様の問題がある。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理するときに、基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる液処理方法及び液処理装置を提供する。

上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。

本発明の一実施例によれば、処理液により基板の下面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、前記基板を下方より支持する支持部に支持されている前記基板を、前記支持部に対する前記基板の相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理する第１の処理工程と、前記第１の処理工程の後、処理液の供給を停止した状態で、前記下面から処理液を除去する除去工程と、前記除去工程の後、前記相対角度位置が変わらないように前記支持部とともに前記基板を回転させることによって、有限の低い回転数まで減速又は停止させる減速工程と、前記減速工程の後、前記支持部を回転させる回転部の回転数を、前記基板を前記支持部に対して周方向に相対回転させるのに必要な所定の回転加速度で加速させることによって、前記相対角度位置を変更する位置変更工程と、前記位置変更工程の後、前記支持部に支持されている前記基板を、前記相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理する第２の処理工程とを有する、液処理方法が提供される。

本発明の一実施例によれば、処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、回転可能に設けられ、前記基板を下方より支持する支持部と、前記支持部を回転させる回転部と、前記支持部に支持されている前記基板の下面に処理液を供給する処理液供給部と、前記支持部に支持されている前記基板を、前記回転部により、前記支持部に対する前記基板の相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に前記処理液供給部により処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理し、前記下面を処理した後、処理液の供給を停止した状態で、前記下面から処理液を除去し、次に前記相対角度位置が変わらないように前記基板を前記支持部とともに回転させることによって、有限の低い回転数まで減速又は停止させ、次いで前記支持部を前記基板が前記支持部に対して周方向に相対回転させるのに必要な所定の回転加速度で加速させることによって、前記相対角度位置を変更し、前記相対角度位置を変更した後、前記支持部に支持されている前記基板を、前記回転部により、前記相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に前記処理液供給部により処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理する制御部とを有する、液処理装置が提供される。

本発明によれば、基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理するときに、基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる。

実施の形態に係る液処理システムの概略構成を示す平面図である。 実施の形態に係る液処理ユニットの構成を示す概略断面図である。 実施の形態に係る液処理ユニットの回転カップの斜視図である。 囲い部材の支持ピンの周辺を拡大して示す一部断面を含む斜視図である。 実施の形態に係る液処理方法の各工程における囲い部材の回転数を示すグラフである。 実施の形態の第１の変形例に係る液処理方法の各工程における囲い部材の回転数を示すグラフである。 実施の形態の第２の変形例に係る液処理方法の各工程における囲い部材の回転数を示すグラフである。 実施の形態の第３の変形例に係る液処理方法の各工程における囲い部材７０の回転数を示すグラフである。

次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。ここでは、本発明を半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」と記す。）の裏面洗浄を行う液処理装置に適用した場合について示す。
（実施の形態）
始めに、図１を参照し、実施の形態に係る液処理ユニットを搭載する液処理システムの概略構成について説明する。

なお、液処理ユニットは、本発明における液処理装置に相当する。

図１は本発明の実施の形態に係る液処理システム１０の概略構成を示す平面図である。

この液処理システム１０は、複数のウェハＷを収容するウェハキャリアＣが載置され、ウェハＷの搬入・搬出を行う搬入出ステーション（基板搬入出部）１と、ウェハＷに洗浄処理を施すための処理ステーション（液処理部）２とを備えている。搬入出ステーション（基板搬入出部）１及び処理ステーション（液処理部）２は、隣接して設けられている。

搬入出ステーション１は、キャリア載置部１１、搬送部１２、受け渡し部１３及び筐体１４を有している。キャリア載置部１１は、複数のウェハＷを水平状態で収容するウェハキャリアＣを載置する。搬送部１２は、ウェハＷの搬送を行う。受け渡し部１３は、ウェハＷの受け渡しを行う。筐体１４は、搬送部１２および受け渡し部１３を収容する。

キャリア載置部１１は４個のウェハキャリアＣが載置可能である。載置されたウェハキャリアＣは筐体１４に密着された状態とされ、大気に触れることなくその中のウェハＷが搬送部１２に搬入可能となっている。

筐体１４は、搬送部１２と受け渡し部１３とを垂直に仕切る仕切り部材１４ａを有している。搬送部１２は、搬送機構１５を有している。搬送機構１５は、ウェハＷを保持するウェハ保持アーム１５ａ、及びウェハ保持アーム１５ａを前後に移動させる機構を有している。また搬送機構１５は、ウェハキャリアＣの配列方向であるＸ方向に延在する水平ガイド１７に沿って移動させる機構、垂直方向に沿って移動させる機構、水平面内で回転させる機構を有している。この搬送機構１５により、ウェハキャリアＣと受け渡し部１３との間でウェハＷが搬送される。

受け渡し部１３は、受け渡しステージ１９と、その上に設けられたウェハＷを載置可能な載置部を複数備えた受け渡し棚２０とを有している。受け渡し部１３は、この受け渡し棚２０を介して処理ステーション２との間でウェハＷの受け渡しが行われるようになっている。

処理ステーション２は、直方体状をなす筐体２１を有している。処理ステーション２は、筐体２１内には、その中央上部にウェハキャリアＣの配列方向であるＸ方向に直交するＹ方向に沿って延びる搬送路を構成する搬送室２１ａと、搬送室２１ａの両側に設けられた２つのユニット室２１ｂ、２１ｃとを有している。ユニット室２１ｂ、２１ｃにはそれぞれ搬送室２１ａに沿って６個ずつ合計１２個の液処理ユニット２２が水平に配列されている。

搬送室２１ａの内部には搬送機構２４が設けられている。搬送機構２４は、ウェハＷを保持するウェハ保持アーム２４ａ、及びウェハ保持アーム２４ａを前後に移動させる機構を有している。また、搬送機構２４は、搬送室２１ａに設けられた水平ガイド２５に沿ってＹ方向に移動させる機構、垂直方向に沿って移動させる機構、水平面内で回転させる機構を有している。この搬送機構２４により、各液処理ユニット２２に対するウェハＷの搬入出を行うようになっている。

次に、図２から図４を参照し、本実施の形態に係る液処理システム１０に搭載された液処理ユニット２２である液処理装置について説明する。図２は、本実施の形態に係る液処理ユニット２２の構成を示す概略断面図である。図３は、本実施の形態に係る液処理ユニット２２の回転カップ７１の斜視図である。図４は、囲い部材７０の支持ピン７２の周辺を拡大して示す一部断面を含む斜視図である。

液処理ユニット２２は、図２に示すように、回転プレート６０、囲い部材７０、回転カップ７１、回転駆動部８０、基板昇降部材９０、処理液供給機構９３、排気・排液部（カップ）１００、トッププレート１１０、昇降機構１２０及び不活性ガス供給機構１２３を有する。

なお、回転駆動部８０は、本発明における回転部に相当する。また、処理液供給機構９３は、本発明における処理液供給部に相当する。

回転プレート６０は、図２及び図３に示すように、ベースプレート６１及び回転軸６２を有する。ベースプレート６１は、水平に設けられ、中央に円形の孔６１ａを有する。回転軸６２は、ベースプレート６１から下方に向かって延在するように設けられており、中心に孔６２ａが設けられた円筒状の形状を有する。

囲い部材７０は、図２から図４に示すように、ウェハＷの周縁外方にウェハＷの周縁部を全周に亘り囲繞するように設けられている。また、囲い部材７０は、回転可能に設けられており、ウェハＷを下方から支持するものである。囲い部材７０は、図２に示すように、ウェハＷを処理した処理液を排液カップ１０１へと導く。また、囲い部材７０は、支持ピン７２を有する。支持ピン７２は、囲い部材７０の下端から周縁内方に突出して設けられている。支持ピン７２は、ウェハＷの周縁部が載置されるものである。そして、支持ピン７２は、支持ピン７２にウェハＷの周縁部が載置されることによって、ウェハＷの周縁部を下方より支持するものである。また、図３に示すように、支持ピン７２は、ウェハＷの周方向に沿って、略等間隔に複数設けられている。

なお、囲い部材７０及び支持ピン７２は、本発明における支持部に相当する。

回転カップ７１は、ウェハＷの下面側に供給され、回転するウェハＷから外周側へ飛散する処理液が、跳ね返されて再びウェハＷに戻ることを防止するためのものである。また、回転するウェハＷから外周側へ飛散する処理液が、ウェハＷの上面側に回り込まないようにするためのものでもある。

図４に示すように、ベースプレート６１、囲い部材７０及び回転カップ７１は、それぞれを貫通するように形成された孔７３に締結部材７４を嵌め込むことにより、締結されている。これにより、ベースプレート６１、囲い部材７０及び回転カップ７１は、一体として回転可能に設けられている。

回転駆動部８０は、プーリ８１、駆動ベルト８２及びモータ８３を有する。プーリ８１は、回転軸６２の下方側における周縁外方に配置されている。駆動ベルト８２は、プーリ８１に巻きかけられている。モータ８３は、駆動ベルト８２に連結されており、駆動ベルト８２に回転駆動力を伝達することによって、プーリ８１を介して回転軸６２を回転させる。すなわち、回転駆動部８０は、回転軸６２を回転させることによって、ベースプレート６１、囲い部材７０及び回転カップ７１を回転させる。なお、回転軸６２の周縁外方にはベアリング６３が配置されている。

基板昇降部材９０は、ベースプレート６１の孔６１ａ及び回転軸６２の孔６２ａ内に昇降可能に設けられており、リフトピンプレート９１及びリフト軸９２を有する。リフトピンプレート９１は、周縁に複数例えば３本のリフトピン９１ａを有している。リフト軸９２は、リフトピンプレート９１から下方に延在している。リフトピンプレート９１及びリフト軸９２は、中心に処理液供給管９４が設けられている。また、リフト軸９２の下端にはシリンダ機構９２ａが接続されており、このシリンダ機構９２ａによって基板昇降部材９０を昇降させることにより、ウェハＷを昇降させてウェハＷのローディングおよびアンローディングが行われる。

処理液供給機構９３は、処理液供給管９４を有する。前述したように、処理液供給管９４は、リフトピンプレート９１およびリフト軸９２の内部（中空空間内）に、上下方向に延在するように、設けられている。処理液供給管９４は、処理液配管群９７の各配管から供給された処理液をウェハＷの下面側まで導く。すなわち、処理液供給機構９３は、ウェハＷの下面に処理液を供給する。処理液供給管９４は、リフトピンプレート９１の上面に形成された処理液供給口９４ａと連通している。

排気・排液部（カップ）１００は、排液カップ１０１、排液管１０２、排気カップ１０３及び排気管１０４を有する。また、排気・排液部（カップ）１００は、上面に開口１０５が設けられている。排気・排液部（カップ）１００は、主に回転プレート６０と回転カップ７１に囲繞された空間から排出される気体および液体を回収するためのものである。

排液カップ１０１は、回転カップ７１によって導かれた処理液を受ける。排液管１０２は、排液カップ１０１の底部の最外側部分に接続されており、排液カップ１０１によって受けられた処理液を図示しない排液配管群のいずれかの配管を通して排出する。排気カップ１０３は、排液カップ１０１の外方又は下方において、排液カップ１０１と連通するように設けられている。図２では、排気カップ１０３が排液カップ１０１の周縁内方及び下方において、排液カップ１０１と連通するように設けられている例を示す。排気管１０４は、排気カップ１０３の底部の最外側部分に接続されており、排気カップ１０３内の窒素ガスなどの気体を図示しない排気配管群のいずれかの配管を通して排気する。

トッププレート１１０は、昇降可能であって、下降した状態で排気・排液部（カップ）１００の上面に設けられた開口１０５を塞ぐように設けられている。また、トッププレート１１０は、排気・排液部（カップ）１００の上面に設けられた開口１０５を塞ぐときに、支持ピン７２に支持されているウェハＷを上方から覆うように設けられている。

トッププレート１１０は、囲い部材７０の支持ピン７２に支持されているウェハＷの周縁部と対向する領域１１１に、トッププレート１１０の下面１１２から下方に突出して設けられた隙間形成部材１１３を有する。隙間形成部材１１３は、ウェハＷの周縁部との間に隙間Ｄ１を形成する。

トッププレート１１０に隙間形成部材１１３が形成されていると、囲い部材７０の支持ピン７２に支持されているウェハＷの周縁部とトッププレート１１０との隙間Ｄ１は、ウェハＷの中心部とトッププレート１１０との距離Ｄ０よりも小さくなる。

昇降機構１２０は、アーム１２１、昇降駆動部１２２を有する。昇降駆動部１２２は、排気・排液部（カップ）１００の外方に設けられており、上下に移動できるようになっている。アーム１２１は、トッププレート１１０と昇降駆動部１２２とを接続するように設けられている。すなわち、昇降機構１２０は、アーム１２１を介して昇降駆動部１２２によりトッププレート１１０を昇降させる。

不活性ガス供給機構１２３は、不活性ガス供給管１２４及び不活性ガス供給源１２５を有する。不活性ガス供給機構１２３は、ウェハＷの上面側に窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給するためのものである。不活性ガス供給管１２４は、トッププレート１１０及びアーム１２１の内部に延在するように設けられている。不活性ガス供給管１２４の一端は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源１２５に連結されている。不活性ガス供給管１２４は、トッププレート１１０の下面１１２の中心部に不活性ガス供給口１２４ａを構成している。

図２に示すように、アーム１２１はトッププレート１１０の上面の略中心で接続していてもよい。これにより、不活性ガス供給口１２４ａがトッププレート１１０の下面１１２の中心部に形成されることになるため、不活性ガスをトッププレート１１０の中心から下方に供給することができ、ウェハＷに供給される不活性ガスの流量を周方向に沿って均一にすることができる。

また、液処理システム１０は、図２に示すように、制御部２００を有する。制御部２００は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ２０１を有しており、液処理システム１０の各構成部がこのプロセスコントローラ２０１に接続されて制御される構成となっている。また、プロセスコントローラ２０１には、工程管理者が液処理システム１０の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、液処理システム１０の各構成部の可動状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース２０２が接続されている。さらに、プロセスコントローラ２０１には、液処理システム１０で実行される各種処理をプロセスコントローラ２０１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて液処理システム１０の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわちレシピが格納された記憶部２０３が接続されている。レシピは記憶部２０３の中の記憶媒体（記録媒体）に記憶されている。記憶媒体（記録媒体）は、ハードディスクや半導体メモリであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。

そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース２０２からの指示等にて任意のレシピを記憶部２０３から呼び出してプロセスコントローラ２０１に実行させることで、プロセスコントローラ２０１の制御下で、液処理システム１０での所望の処理が行われる。

次に、図５を参照し、上記した制御部２００により液処理ユニット２２を用いて行われる液処理方法及びその作用について説明する。図５は、本実施の形態に係る液処理方法の各工程における囲い部材７０の回転数を示すグラフである。

本実施の形態に係る液処理方法は、図５に示すように、第１の処理工程（ステップＳ１１）、除去工程（ステップＳ１２）、減速工程（ステップＳ１３）、位置変更工程（ステップＳ１４）、第２の処理工程（ステップＳ１５）、回転停止工程（ステップＳ１６）を有する。

第１の処理工程（ステップＳ１１）を行う前に、まず、搬入出ステーション１のキャリア載置部１１に載置されたウェハキャリアＣから搬送機構１５のウェハ保持アーム１５ａにより１枚のウェハＷを取り出し、受け渡しステージ１９上の受け渡し棚２０の載置部に載置する。この動作を連続的に行う。受け渡し棚２０の載置部に載置されたウェハＷは、処理ステーション２の搬送機構２４のウェハ保持アーム２４ａにより順次搬送され、いずれかの液処理ユニット２２に搬入される。

ウェハＷが液処理ユニット２２に搬入されるとき、トッププレート１１０は、昇降機構１２０により、上昇させられている。そして、液処理ユニット２２に搬入されたウェハＷは、シリンダ機構９２ａにより受け渡し位置（上方位置）に位置づけられたリフトピンプレート９１のリフトピン９１ａ上に載置される。

次に、シリンダ機構９２ａによって、リフトピンプレート９１が下方に移動させられてウェハ処理位置に位置づけられる。リフトピンプレート９１が下方に移動させられている間に、囲い部材７０に設けられた支持ピン７２によって、ウェハＷの下面が支持される。すなわち、リフトピン９１ａから支持ピン７２に、ウェハＷが受け渡される。支持ピン７２は、ウェハＷを下方より支持する。

その後、昇降機構１２０によって、トッププレート１１０を、排気・排液部（カップ）１００の上面に設けられた開口１０５を塞ぐように、下降させる。

次に、第１の処理工程（ステップＳ１１）を行う。第１の処理工程（ステップＳ１１）では、囲い部材７０を回転させる回転数を、第１の回転加速度Ａ１で第１の回転数Ｖ１まで加速させる。そして、ウェハＷを、囲い部材７０の支持ピン７２に対するウェハＷの相対角度位置が変わらないように、囲い部材７０とともに第１の回転数Ｖ１で回転させ、回転するウェハＷの下面に処理液を供給する。そして、供給された処理液によりウェハＷの下面を処理する。

回転駆動部８０により回転軸６２が回転駆動されることによって、ベースプレート６１、囲い部材７０及び回転カップ７１が回転する。具体的には、回転軸６２が、モータ８３から駆動ベルト８２を介してプーリ８１に駆動力が付与されることによって、回転駆動される。この結果、囲い部材７０に設けられた支持ピン７２に支持されているウェハＷが回転する。

ウェハＷが、囲い部材７０の支持ピン７２に対して周方向に滑る、すなわち相対回転し始めるときの回転加速度を、回転加速度Ａ０とする。第１の処理工程（ステップＳ１１）では、ウェハＷを、囲い部材７０の支持ピン７２に対して周方向に滑らせないように、すなわち囲い部材７０の支持ピン７２に対する相対角度位置が変わらないように、囲い部材７０とともに回転させながら工程を行う。そのため、第１の回転加速度Ａ１は、回転加速度Ａ０よりも小さい。

囲い部材７０の支持ピン７２の材質や形状等を調整することによって、回転加速度Ａ０の値を自在に調整することができるが、回転加速度Ａ０を例えば４００ｒｐｍ／ｓとすることができる。そして、第１の回転加速度Ａ１を例えば３００ｒｐｍ／ｓとすることができる。また、第１の回転数Ｖ１を例えば１０００ｒｐｍとすることができる。

なお、本実施の形態及び以下の変形例では、回転加速度とは、符号の正負を無視し、絶対値を意味する。すなわち、例えば第１の回転加速度Ａ１が回転加速度Ａ０以上であるとは、第１の回転加速度Ａ１の絶対値が、回転加速度Ａ０の絶対値以上であることを意味する。

このとき、ウェハＷの下面には、処理液供給機構９３の処理液供給管９４を介して処理液が供給される。そして、ウェハＷの下面に供給された処理液は、図２に示すように、ウェハＷが回転することによって発生する遠心力によって周縁外方に向かって移動される。このときの処理液としては、例えば、アンモニア過水ＳＣ１、希フッ酸（ＤＨＦ）のいずれかまたは両方を用いる。

ウェハＷの上面には、図２に示すように、トッププレート１１０の下面１１２の中心部に設けられた不活性ガス供給口１２４ａから窒素ガス等の不活性ガスが供給される。供給された不活性ガスは、ウェハＷの上面を経た後、ウェハＷとトッププレート１１０の隙間形成部材１１３との間の隙間Ｄ１を通って、囲い部材７０の上方から周縁外方、更に下方へと回り込み、排気・排液部（カップ）１００の排気カップ１０３から排気管１０４へと流れる。この不活性ガスの気流によって、ウェハＷの周縁部に達した処理液が、ウェハＷと囲い部材７０との間又は囲い部材７０と回転カップ７１との間から、ウェハＷの上面側に回り込むことを防止することができる。

また、本実施の形態では、隙間形成部材１１３が、隙間形成部材１１３とウェハＷの周縁部との間の隙間Ｄ１がウェハＷの周方向に沿って一定となるように設けられている。従って、ウェハＷの上面側を流れる不活性ガスの流れをウェハＷの周方向に沿って均一にすることができる。そのため、ウェハＷの周縁部の下面に達した処理液が、ウェハＷと囲い部材７０との間又は囲い部材７０と回転カップ７１との間から、ウェハＷの上面側に回り込むことをより確実に防止することができる。

次に、除去工程（ステップＳ１２）を行う。除去工程（ステップＳ１２）では、処理液の供給を停止した状態で、囲い部材７０の支持ピン７２に対するウェハＷの相対角度位置が変わらないように、囲い部材７０とともにウェハＷを回転させ、処理液を振り切り乾燥することによって、ウェハＷの下面から処理液を除去する。

なお、本実施の形態では、除去工程を、第１の処理工程の後、位置変更工程の前に行う例について説明する。しかし、除去工程は、実施の形態の第２の変形例で後述するように、第１の処理工程の後であり、かつ、位置変更工程の後であって、第２の処理工程の前に行うものであってもよい。したがって、除去工程は、第１の処理工程と第２の処理工程との間で行うものであってもよい。

処理液供給機構９３の処理液供給管９４を介して供給されていた処理液の供給を停止する。また、引き続き回転駆動部８０により回転軸６２が回転駆動されることによって、ベースプレート６１、囲い部材７０及び回転カップ７１が回転される。そして、ウェハＷの下面に残っている処理液は、ウェハＷが回転することによって発生する遠心力によって周縁外方に向かって移動されるため、振り切り乾燥される。

また、除去工程（ステップＳ１２）における回転数は、処理液を振り切り乾燥するのに必要な回転数であればよく、限定されないが、例えば第１の処理工程（ステップＳ１１）と同じ第１の回転数Ｖ１とすることができる。

次に、減速工程（ステップＳ１３）を行う。減速工程（ステップＳ１３）では、囲い部材７０を回転させる回転数を、第１の回転加速度Ａ１で減速させる。

減速工程（ステップＳ１３）は、その後位置変更工程（ステップＳ１４）及び第２の処理工程（ステップＳ１５）を行うために、いったん囲い部材７０を回転させる回転数を減速させる。減速工程（ステップＳ１３）でも、ウェハＷを、囲い部材７０の支持ピン７２に対して周方向に滑らせないように、すなわち囲い部材７０の支持ピン７２に対する相対角度位置が変わらないように、囲い部材７０とともに回転させながら工程を行う。そのため、減速工程（ステップＳ１３）において減速するときの回転加速度は、回転加速度Ａ０よりも小さい例えば第１の回転加速度Ａ１とすることができる。また、減速工程（ステップＳ１３）において減速させるときの回転加速度は、回転加速度Ａ０よりも小さければよく、第１の回転加速度Ａ１と異なる値であってもよい。更に、囲い部材７０の回転数は、０ｒｐｍまで減速させて回転を停止してもよく、回転を停止させず有限の低い回転数まで減速させるだけでもよい。

次に、位置変更工程（ステップＳ１４）を行う。位置変更工程（ステップＳ１４）では、囲い部材７０を回転させる回転数を変更することによって、ウェハＷを囲い部材７０に対して周方向に滑らせる、すなわち相対回転させるのに必要な第２の回転加速度Ａ２で加速させることによって、相対角度位置を変更する。

なお、第２の回転加速度Ａ２は、本発明における所定の回転加速度に相当する。また、囲い部材７０を回転させる回転数を変更することは、囲い部材７０を回転させる回転駆動部８０の回転数を変更することを意味する。

位置変更工程（ステップＳ１４）では、前述した回転加速度Ａ０以上の第２の回転加速度Ａ２で、囲い部材７０の回転数を、次の第２の処理工程（ステップＳ１５）を行う回転数である第２の回転数Ｖ２まで加速する。第２の回転加速度Ａ２が回転加速度Ａ０以上であるため、ウェハＷが囲い部材７０の支持ピン７２に対して滑り始める、すなわち相対回転し始める。具体的には、ウェハＷの囲い部材７０に対する相対角度位置が、回転方向と逆方向にずれるように、滑り始める。すると、支持ピン７２に対するウェハＷの相対角度位置が、第１の処理工程（ステップＳ１１）において支持ピン７２と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が、支持ピン７２と当接しなくなる相対角度位置までずらされる。

位置変更工程（ステップＳ１４）においてウェハＷが支持ピン７２上を滑る、すなわち相対回転するとき、ウェハＷに処理液が残留していると、残留している処理液が支持ピン７２とウェハＷとの間で摺動することによってミストが発生しやすい。また、ウェハＷが支持ピン７２上を滑る、すなわち相対回転することによって、ウェハＷの下面側で発生したミストは、ウェハＷの上面側に回り込みやすい。

しかしながら、本実施の形態では、除去工程（ステップＳ１２）を行うことによってウェハＷの下面から処理液を除去した後、位置変更工程（ステップＳ１４）を行う。従って、ウェハＷが支持ピン７２上を摺動するときに、処理液のミストの発生を防止することができる。

前述したように、回転加速度Ａ０を例えば４００ｒｐｍ／ｓとすると、第２の回転加速度Ａ２を例えば４００ｒｐｍ／ｓとすることができる。第２の回転加速度Ａ２を４００ｒｐｍ／ｓとするときは、相対角度位置のずれを例えば５°とすることができる。１つの支持ピン７２の周方向の角度幅は、例えば１°とすることができる。従って、相対角度位置のずれを５°とするときは、位置変更工程（ステップＳ１４）により、第１の処理工程（ステップＳ１１）におけるウェハＷの未処理部分が支持ピン７２と当接しない相対角度位置までウェハＷを滑らせる、すなわち相対回転させることができる。また、第２の回転数Ｖ２を例えば第１の回転数Ｖ１と同じ１０００ｒｐｍとすることができる。

次に、第２の処理工程（ステップＳ１５）を行う。第２の処理工程（ステップＳ１５）では、囲い部材７０の支持ピン７２に対するウェハＷの相対角度位置が変わらないように、囲い部材７０とともに第２の回転数Ｖ２で回転するウェハＷの下面に処理液を供給する。

第１の処理工程（ステップＳ１１）と同様に、回転駆動部８０により回転軸６２が回転駆動されることによって、ウェハＷを下方より支持する囲い部材７０が回転され、囲い部材７０に設けられた支持ピン７２に支持されているウェハＷが、支持ピン７２に対するウェハＷの相対角度位置が変わらないように、回転する。また、第１の処理工程（ステップＳ１１）と同様に、ウェハＷの下面には、処理液供給管９４を介して処理液が供給される。また、第１の処理工程（ステップＳ１１）と同様に、ウェハＷの上面には、トッププレート１１０の下面１１２の中心部に設けられた不活性ガス供給口１２４ａから窒素ガス等の不活性ガスが供給される。また、第１の処理工程（ステップＳ１１）と同様に、隙間形成部材１１３により、ウェハＷの周縁部の下面に達した処理液が、ウェハＷと囲い部材７０との間又は囲い部材７０と回転カップ７１との間から、ウェハＷの上面側に回り込むことをより確実に防止することができる。

一方、第２の処理工程（ステップＳ１５）では、第１の処理工程（ステップＳ１１）において支持ピン７２と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が支持ピン７２と当接しなくなる相対角度位置までずらされている。そして、その未処理部分は、第２の処理工程（ステップＳ１５）において処理液と接触するため、処理液により処理される。そのため、支持ピン７２に起因するウェハＷの未処理部分をなくすことができる。

次に、回転停止工程（ステップＳ１６）を行う。回転停止工程（ステップＳ１６）では、囲い部材７０の回転を停止する。

回転駆動部８０による回転軸６２の回転駆動を停止することによって、囲い部材７０の回転を停止し、ウェハＷの回転を停止する。また、処理液供給機構９３の処理液供給管９４を介してのウェハＷへの処理液の供給も停止する。

なお、第１の処理工程（ステップＳ１１）と同様に、第２の処理工程（ステップＳ１５）の後、回転停止工程（ステップＳ１６）の前に、除去工程（ステップＳ１２）のように、囲い部材７０とともにウェハＷを回転し、処理液を振り切り乾燥することによって、ウェハＷの下面から処理液を除去する工程を行ってもよい。

そして、次に、図示しない純水配管から処理液供給機構９３の処理液供給管９４を介してウェハＷに純水を供給して純水リンスを行う。

なお、回転停止工程（ステップＳ１６）を行わず、ウェハＷを回転させたまま、純水リンスを連続して行ってもよい。

次に、回転駆動部８０によって回転軸６２が高速回転される。この結果、支持ピン７２上のウェハＷが高速回転され、処理液が振り切り乾燥される。その後、回転駆動部８０のモータ８３が停止され、支持ピン７２上のウェハＷの回転も停止される。

次に、昇降機構１２０によって、トッププレート１１０がウェハＷの受け渡し位置よりも上方位置に位置づけられる。その後、シリンダ機構９２ａによって、リフトピンプレート９１が上方位置に移動させられて、ウェハＷが受け渡し位置（上方位置）に上昇する。

次に、搬送機構２４のウェハ保持アーム２４ａによって、リフトピンプレート９１上からウェハＷが搬出される。このようにして、一枚のウェハＷの処理が終了する。

このようにして搬出されたウェハＷは、搬送機構２４のウェハ保持アーム２４ａにより液処理ユニット２２から搬出され、受け渡しステージ１９の受け渡し棚２０に載置され、受け渡し棚２０から搬送機構１５のウェハ保持アーム１５ａによりウェハキャリアＣに戻される。

本実施の形態では、除去工程（ステップＳ１２）において、処理液を振り切り乾燥する例について説明した。しかしながら、これに限ることなく、例えば、ウェハＷを回転させず、ウェハＷの下面側から乾燥ガスを供給して、ウェハＷの下面に供給された処理液を除去してもよい。

また、本実施の形態では、囲い部材７０に設けられている支持ピン７２にウェハＷの周縁部が載置されることによって、ウェハＷが支持される例について説明した。しかしながら、これに限ることなく、例えば、囲い部材７０の下端から周縁内方に突出して設けられた支持ピン７２にウェハＷの周縁部よりも中心側の任意の部分の下面が載置されることによって、ウェハＷが支持されてもよい。
（実施の形態の第１の変形例）
次に、図６を参照し、本発明の実施の形態の第１の変形例に係る液処理方法について説明する。図６は、本変形例に係る液処理方法の各工程における囲い部材７０の回転数を示すグラフである。

本変形例に係る液処理方法は、第１の処理工程の後、減速する際にウェハＷの囲い部材７０に対するウェハＷの相対角度位置を変更する点で、実施の形態に係る液処理方法と相違する。

本変形例でも、図１を用いて説明した実施の形態に係る液処理システム１０を用いることができる。また、本変形例でも、図２から図４を用いて説明した実施の形態に係る液処理ユニット２２を用いることができる。

また、本変形例に係る液処理方法は、図６に示すように、第１の処理工程（ステップＳ２１）、除去工程（ステップＳ２２）、位置変更工程（ステップＳ２３）、第２の処理工程（ステップＳ２４）、回転停止工程（ステップＳ２５）を有する。

第１の処理工程（ステップＳ２１）及び除去工程（ステップＳ２２）は、それぞれ実施の形態における第１の処理工程（ステップＳ１１）及び除去工程（ステップＳ１２）と同様である。

一方、本変形例では、除去工程（ステップＳ２２）の後、位置変更工程（ステップＳ２３）を行う。位置変更工程（ステップＳ２３）では、ウェハＷを囲い部材７０の支持ピン７２に対して周方向に滑らせる、すなわち相対回転させるのに必要な第２の回転加速度Ａ２で、囲い部材７０を回転させる回転数を減速させる。すると、ウェハＷが囲い部材７０の支持ピン７２に対して滑り始める。具体的には、ウェハＷの囲い部材７０に対する相対角度位置が、回転方向と同じ方向にずれるように、滑り始める、すなわち相対回転する。すると、支持ピン７２に対するウェハＷの相対角度位置が、第１の処理工程（ステップＳ２１）において支持ピン７２と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が、支持ピン７２と当接しなくなる相対角度位置までずらされる。

なお、第２の回転加速度Ａ２は、本発明における所定の回転加速度に相当する。

位置変更工程（ステップＳ２３）においてウェハＷが支持ピン７２上を滑るとき、すなわち相対回転するとき、ウェハＷに処理液が残留していると、残留している処理液が支持ピン７２とウェハＷとの間で摺動することによってミストが発生しやすい。また、ウェハＷが支持ピン７２上を滑る、すなわち相対回転することによって、ウェハＷの下面側で発生したミストは、ウェハＷの上面側に回り込みやすい。しかし、本変形例では、除去工程（ステップＳ２２）を行うことによってウェハＷの下面から処理液を除去した後、位置変更工程（ステップＳ２３）を行う。従って、ウェハＷが支持ピン７２上を滑る、すなわち相対回転するときに、処理液のミストの発生を防止することができる。

また、本変形例でも、実施の形態と同様に、第２の回転加速度Ａ２を例えば４００ｒｐｍ／ｓとすることができ、相対角度位置のずれを例えば５°とすることができる。囲い部材７０の回転数は、０ｒｐｍまで減速させて回転を停止させてもよく、回転を停止させず有限の低い回転数まで減速させるだけでもよい。

次に、第２の処理工程（ステップＳ２４）を行う。第２の処理工程（ステップＳ２４）では、囲い部材７０を回転させる回転数を、第１の回転加速度Ａ１で第２の回転数Ｖ２まで加速させる。そして、ウェハＷを、囲い部材７０の支持ピン７２に対するウェハＷの相対角度位置が変わらないように、囲い部材７０とともに第２の回転数Ｖ２で回転させ、回転するウェハＷの下面に処理液を供給する。

第２の処理工程（ステップＳ２４）でウェハＷを加速するときは、ウェハＷを囲い部材７０の支持ピン７２に対して周方向に滑らせない、すなわち相対回転させないようにして工程を行う。そのため、第２の処理工程（ステップＳ２４）において加速させるときの回転加速度は、ウェハＷを囲い部材７０の支持ピン７２に対して周方向に滑らせる、すなわち相対回転させるのに必要な回転加速度であり、実施の形態で説明した回転加速度Ａ０よりも小さい例えば第１の回転加速度Ａ１とすることができる。また、第２の処理工程（ステップＳ２４）において加速させるときの回転加速度は、回転加速度Ａ０よりも小さければよく、第１の回転加速度Ａ１と異なる値であってもよい。

また、第２の処理工程（ステップＳ２４）で囲い部材７０とともに第２の回転数Ｖ２で回転するウェハＷの下面に処理液を供給するときは、実施の形態における第２の処理工程（ステップＳ１５）と同様にすることができる。

次に、回転停止工程（ステップＳ２５）を行う。回転停止工程（ステップＳ２５）は、実施の形態における回転停止工程（ステップＳ１６）と同様である。

本変形例でも、第２の処理工程（ステップＳ２４）では、第１の処理工程（ステップＳ２１）において支持ピン７２と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が支持ピン７２と当接しなくなる相対角度位置までずらされている。そのため、支持ピン７２に起因するウェハＷの未処理部分をなくすことができる。

本変形例でも、囲い部材７０の下端から周縁内方に突出して設けられた支持ピン７２にウェハＷの周縁部よりも中心側の任意の部分の下面が載置されることによって、ウェハＷが支持されてもよい。
（実施の形態の第２の変形例）
次に、図７を参照し、本発明の実施の形態の第２の変形例に係る液処理方法について説明する。図７は、本変形例に係る液処理方法の各工程における囲い部材７０の回転数を示すグラフである。

本変形例に係る液処理方法は、除去工程の終了する前に位置変更工程を行う点で、実施の形態に係る液処理方法と相違する。

本変形例でも、図１を用いて説明した実施の形態に係る液処理システム１０を用いることができる。また、本変形例でも、図２から図４を用いて説明した実施の形態に係る液処理ユニット２２を用いることができる。

また、本変形例に係る液処理方法は、図７に示すように、第１の処理工程（ステップＳ３１）、位置変更工程（ステップＳ３２）、除去工程（ステップＳ３３）、第２の処理工程（ステップＳ３４）、回転停止工程（ステップＳ３５）を有する。

第１の処理工程（ステップＳ３１）は、実施の形態における第１の処理工程（ステップＳ１１）と同様である。

一方、本変形例では、第１の処理工程（ステップＳ３１）の後、処理液の供給を停止した状態で、位置変更工程（ステップＳ３２）を行う。位置変更工程（ステップＳ３２）では、ウェハＷを囲い部材７０の支持ピン７２に対して周方向に滑らせる、すなわち相対回転させるのに必要な第２の回転加速度Ａ２で、囲い部材７０を回転させる回転数を所定の振り切り回転数ＶＲまで加速させる。すると、ウェハＷが囲い部材７０の支持ピン７２に対して滑り始める、すなわち相対回転し始める。具体的には、ウェハＷの囲い部材７０に対する相対角度位置が、回転方向と逆方向にずれるように、滑り始める。すると、支持ピン７２に対するウェハＷの相対角度位置が、第１の処理工程（ステップＳ３１）において支持ピン７２と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が、支持ピン７２と当接しなくなる相対角度位置までずらされる。

なお、第２の回転加速度Ａ２は、本発明における所定の回転加速度に相当する。

引続いて、除去工程（ステップＳ３３）を行う。除去工程（ステップＳ３３）では、囲い部材７０の支持ピン７２に対するウェハＷの相対角度位置が変わらないように、囲い部材７０とともにウェハＷを所定の振り切り回転数ＶＲで回転させ、処理液を振り切り乾燥することによって、ウェハＷの下面から処理液を除去する。

また、本変形例では、処理液の供給を停止した状態で、ウェハＷを回転させながら、位置変更工程（ステップＳ３２）及び除去工程（ステップＳ３３）を連続して行う。そして、位置変更工程（ステップＳ３２）が開始されると同時に、ウェハＷからの処理液の振り切り乾燥も開始される。従って、第１の処理工程（ステップＳ３１）の後、除去工程（ステップＳ３３）が開始され、除去工程（ステップＳ３３）が開始される際に、除去工程（ステップＳ３３）とともに位置変更工程（ステップＳ３２）が行われる、とみなすこともできる。

位置変更工程（ステップＳ３２）においてウェハＷが支持ピン７２上を滑るとき、すなわち相対回転するとき、ウェハＷに処理液が残留していると、残留している処理液が支持ピン７２とウェハＷとの間で摺動することによってミストが発生しやすい。また、ウェハＷが支持ピン７２上を滑る、すなわち相対回転することによって、ウェハＷの下面側で発生したミストは、ウェハＷの上面側に回り込みやすい。しかし、本変形例では、除去工程（ステップＳ３３）を開始することによってウェハＷの下面からの処理液の除去を開始し、処理液の除去を開始する際に位置変更工程（ステップＳ３２）を行う。従って、従来の液処理方法と比較して、ウェハＷが支持ピン７２上を滑る、すなわち相対回転するときに、処理液のミストの発生を防止することができる。

次に、第２の処理工程（ステップＳ３４）を行う。第２の処理工程（ステップＳ３４）では、囲い部材７０を回転させる回転数を、第１の回転加速度Ａ１で第２の回転数Ｖ２まで減速させる。そして、ウェハＷを、囲い部材７０の支持ピン７２に対するウェハＷの相対角度位置が変わらないように、囲い部材７０とともに第２の回転数Ｖ２で回転させ、回転するウェハＷの下面に処理液を供給する。

第２の処理工程（ステップＳ３４）でウェハＷを減速させるときは、ウェハＷを囲い部材７０の支持ピン７２に対して周方向に滑らせない、すなわち相対回転させないようにして工程を行う。そのため、第２の処理工程（ステップＳ３４）において減速させるときの回転加速度は、ウェハＷを囲い部材７０の支持ピン７２に対して周方向に滑らせる、すなわち相対回転させるのに必要な回転加速度であり、実施の形態で説明した回転加速度Ａ０よりも小さい例えば第１の回転加速度Ａ１とすることができる。また、第２の処理工程（ステップＳ３４）において減速させるときの回転加速度は、回転加速度Ａ０よりも小さければよく、第１の回転加速度Ａ１と異なる値であってもよい。

また、第２の処理工程（ステップＳ３４）で囲い部材７０とともに第２の回転数Ｖ２で回転するウェハＷの下面に処理液を供給するときは、実施の形態における第２の処理工程（ステップＳ１５）と同様にすることができる。

なお、本変形例では、振り切り回転数ＶＲが第１の回転数Ｖ１よりも大きい例について説明した。しかし、しかしながら、これに限ることなく、例えば、振り切り回転数ＶＲが第１の回転数Ｖ１よりも小さくてもよい。このときは、位置変更工程（ステップＳ３２）では、回転加速度Ａ０以上の第２の回転加速度Ａ２で、囲い部材７０を回転させる回転数を所定の振り切り回転数ＶＲまで減速させる。そして、第２の処理工程（ステップＳ３４）では、囲い部材７０を回転させる回転数を、第１の回転加速度Ａ１で第２の回転数Ｖ２まで加速させる。そして、ウェハＷを、囲い部材７０の支持ピン７２に対するウェハＷの相対角度位置が変わらないように、囲い部材７０とともに第２の回転数Ｖ２で回転させ、回転するウェハＷの下面に処理液を供給する。

次に、回転停止工程（ステップＳ３５）を行う。回転停止工程（ステップＳ３５）は、実施の形態における回転停止工程（ステップＳ１６）と同様である。

本変形例でも、第２の処理工程（ステップＳ３４）では、第１の処理工程（ステップＳ３１）において支持ピン７２と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が支持ピン７２と当接しなくなる相対角度位置までずらされている。そのため、支持ピン７２に起因するウェハＷの未処理部分をなくすことができる。

本変形例でも、囲い部材７０の下端から周縁内方に突出して設けられた支持ピン７２にウェハＷの周縁部よりも中心側の任意の部分の下面が載置されることによって、ウェハＷが支持されてもよい。
（実施の形態の第３の変形例）
次に、図８を参照し、本発明の実施の形態の第３の変形例に係る液処理方法について説明する。図８は、本変形例に係る液処理方法の各工程における囲い部材７０の回転数を示すグラフである。

本変形例に係る液処理方法は、除去工程を行わない点で、実施の形態に係る液処理方法と相違する。

本変形例でも、図１を用いて説明した実施の形態に係る液処理システム１０を用いることができる。また、本変形例でも、図２から図４を用いて説明した実施の形態に係る液処理ユニット２２を用いることができる。

また、本変形例に係る液処理方法は、図８に示すように、第１の処理工程（ステップＳ４１）、減速工程（ステップＳ４２）、位置変更工程（ステップＳ４３）、第２の処理工程（ステップＳ４４）、回転停止工程（ステップＳ４５）を有する。

第１の処理工程（ステップＳ４１）は、実施の形態における第１の処理工程（ステップＳ１１）と同様である。

一方、本変形例では、第１の処理工程（ステップＳ４１）の後、除去工程を行わず、減速工程（ステップＳ４２）から回転停止工程（ステップＳ４５）を行う。減速工程（ステップＳ４２）から回転停止工程（ステップＳ４５）のそれぞれは、実施の形態における減速工程（ステップＳ１３）から回転停止工程（ステップＳ１６）と同様である。また、減速工程（ステップＳ４２）は、処理液の供給を停止した状態で行われる。

本変形例では、減速工程（ステップＳ４２）及び位置変更工程（ステップＳ４３）においてウェハＷが回転する時間があり、その間にウェハＷからの処理液の振り切り乾燥も行われる。

位置変更工程（ステップＳ４３）においてウェハＷが支持ピン７２上を滑る、すなわち相対回転するとき、ウェハＷに処理液が残留していると、残留している処理液が支持ピン７２とウェハＷとの間で摺動することによってミストが発生しやすい。また、ウェハＷが支持ピン７２上を滑る、すなわち相対回転することによって、ウェハＷの下面側で発生したミストは、ウェハＷの上面側に回り込みやすい。しかし、本変形例では、減速工程（ステップＳ４２）及び位置変更工程（ステップＳ４３）とともに処理液の振り切り乾燥が行われる。従って、位置変更工程（ステップＳ４３）を開始する際に、従来の液処理方法と比較して、ウェハＷが支持ピン７２上を滑る、すなわち相対回転するときに、処理液のミストの発生を防止することができる。

本変形例でも、第２の処理工程（ステップＳ４４）では、第１の処理工程（ステップＳ４１）において支持ピン７２と当接していたために処理液と接触していなかった未処理部分が支持ピン７２と当接しなくなる相対角度位置までずらされている。そのため、支持ピン７２に起因するウェハＷの未処理部分をなくすことができる。

本変形例でも、囲い部材７０の下端から周縁内方に突出して設けられた支持ピン７２にウェハＷの周縁部よりも中心側の任意の部分の下面が載置されることによって、ウェハＷが支持されてもよい。

以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 液処理システム
２２ 液処理ユニット
７０ 囲い部材
７２ 支持ピン
８０ 回転駆動部
９３ 処理液供給機構
２００ 制御部

Claims (7)

1. 処理液により基板の下面を処理する液処理方法において、
   回転可能に設けられた、前記基板を下方より支持する支持部に支持されている前記基板を、前記支持部に対する前記基板の相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理する第１の処理工程と、
   前記第１の処理工程の後、処理液の供給を停止した状態で、前記下面から処理液を除去する除去工程と、
   前記除去工程の後、前記相対角度位置が変わらないように前記支持部とともに前記基板を回転させることによって、有限の低い回転数まで減速又は停止させる減速工程と、
   前記減速工程の後、前記支持部を回転させる回転部の回転数を、前記基板を前記支持部に対して周方向に相対回転させるのに必要な所定の回転加速度で加速させることによって、前記相対角度位置を変更する位置変更工程と、
   前記位置変更工程の後、前記支持部に支持されている前記基板を、前記相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理する第２の処理工程と
   を有する、液処理方法。
2. 前記支持部は、前記基板の周縁外方に該基板の周縁部を全周に亘り囲繞する囲い部材を備え、
   前記囲い部材は、該囲い部材の下端から周縁内方に突出した支持ピンを有し、
   前記第１の処理工程、前記減速工程及び前記第２の処理工程は、前記相対角度位置が変わらないように前記基板を回転させる場合に、前記支持ピンに対して周方向に滑らせないように前記基板を回転し、
   前記位置変更工程は、前記相対角度位置を変えるように前記基板を回転させる場合に、前記基板を前記支持ピンに対して周方向に滑らせる前記所定の回転加速度で前記基板を回転する、
   請求項１に記載の液処理方法。
3. 前記除去工程は、前記位置変更工程の前に、前記基板を、前記相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させることによって、前記下面に供給された処理液を振り切り乾燥させるものである、請求項１又は請求項２に記載の液処理方法。
4. コンピュータに請求項１から請求項３のいずれかに記載の液処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
5. 処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、
   回転可能に設けられ、前記基板を下方より支持する支持部と、
   前記支持部を回転させる回転部と、
   前記支持部に支持されている前記基板の下面に処理液を供給する処理液供給部と、
   前記支持部に支持されている前記基板を、前記回転部により、前記支持部に対する前記基板の相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に前記処理液供給部により処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理し、前記下面を処理した後、処理液の供給を停止した状態で、前記下面から処理液を除去し、次に前記相対角度位置が変わらないように前記基板を前記支持部とともに回転させることによって、有限の低い回転数まで減速又は停止させ、次いで前記支持部を前記基板が前記支持部に対して周方向に相対回転させるのに必要な所定の回転加速度で加速させることによって、前記相対角度位置を変更し、前記相対角度位置を変更した後、前記支持部に支持されている前記基板を、前記回転部により、前記相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させ、回転する前記基板の下面に前記処理液供給部により処理液を供給し、供給された処理液により前記基板の下面を処理する制御部と
   を有する、液処理装置。
6. 前記支持部は、前記基板の周縁外方に該基板の周縁部を全周に亘り囲繞する囲い部材を備え、
   前記囲い部材は、前記囲い部材の下端から周縁内方に突出した支持ピンを有し、
   前記制御部は、前記相対角度位置が変わらないように前記基板を回転させる場合に前記支持ピンに対して周方向に滑らせないように前記基板を回転し、前記相対角度位置を変えるように前記基板を回転させる場合に前記支持ピンに対して周方向に滑らせる前記所定の回転加速度で前記基板を回転する、
   請求項５に記載の液処理装置。
7. 前記制御部は、前記相対角度位置を変更する前に、前記下面から処理液を除去するものであり、処理液を除去する際に、前記基板を、前記回転部により、前記相対角度位置が変わらないように、前記支持部とともに回転させることによって、前記下面に供給された処理液を振り切り乾燥させるものである、請求項５又は請求項６に記載の液処理装置。
   

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