JP5379732B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、処理液又は処理ガスを用いて基板を処理する基板処理装置に関する。

半導体デバイスの製造プロセスやフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）の製造プロセスにおいては、被処理基板（以下「基板」又は「ウェハ」という。）である半導体ウェハやガラス基板に処理液又は処理ガスを供給して処理を行う基板処理プロセスが多用されている。

このような基板処理プロセスの一つとして、基板の裏面又は周縁部に処理液を供給し、供給した処理液により、基板の裏面又は周縁部に基板処理を行う基板処理プロセスがある。

例えば、半導体デバイス等の製造プロセスにおいては、基板の表面に各種薄膜を形成するために成膜工程が行われることがある。成膜工程では、基板の表面のみならず基板の裏面又は周縁部にも薄膜が成膜されることがある。基板の裏面又は周縁部に形成された薄膜は、その後の製造工程の中で、例えば熱処理等の際に基板に反りを発生させる要因ともなるため、除去することが好ましい。そのため、基板の裏面又は周縁部に処理液を供給し、供給された処理液により、基板の裏面又は周縁部をエッチング処理する基板処理プロセスを行うことがある。

このような基板処理プロセスを行う基板処理装置として、基板の下面に処理液を供給することにより、基板の下面及び周縁部に対して基板処理を行う基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１に示す例では、基板処理装置は、支持部、回転駆動部、基板昇降部材、ガス噴射・吸引部及び処理液供給部を有している。支持部は、基板が所定の処理位置にある状態で基板を下方から支持する支持プレートと、支持プレートの下方に連結される回転体を有する。回転駆動部は、鉛直方向に延びる軸を中心として支持部を回転させる。基板昇降部材は、支持部の回転体の内部に昇降可能に設けられており、その上面には、基板の受け渡しを行うリフトピンが設けられている。ガス噴射・吸引部は、略水平方向に延びる略円盤形状のベース部材（トッププレート）と、ベース部材を上方から支持する支持アームと、支持アームの基端に設けられた昇降部材とを有する。トッププレートは、下降した状態で、処理位置にある基板を上方から覆う。処理液供給部は、基板昇降部材の内部に設けられる処理液供給管を有しており、処理液供給管の上端は、支持プレートの上方に載置される基板の下方領域において、上方に向けて開口している。

特開２００９−１４７１４６号公報

ところが、上記したような基板を処理する基板処理装置においては、次のような問題がある。

特許文献１に示すような基板処理装置における通常の基板処理では、トッププレートを上昇させ、次に、基板昇降部材を処理位置から上方の位置に上昇させ、基板処理装置の内部又は外部に設けられた搬送機構から基板昇降部材に基板を受け渡す。次に、基板昇降部材を下降させ、受け渡された基板を処理位置で支持部に受け渡すことによって、基板を搬入する。基板が搬入された後、トッププレートを下降させ、基板に処理液を供給して処理を行う。処理が終了した後、搬入時と逆の順番で動作させ、基板を支持部から基板昇降部材を介して搬送機構に受け渡す。上記した通常の動作では、例えばインターロック等によって、トッププレートが下降した状態での基板昇降部材の昇降動作が規制されているため、基板昇降部材はトッププレートと接触することはない。

しかし、基板処理装置のメンテナンス作業を行うときなど、基板昇降部材の昇降動作が規制されていないときは、トッププレートが下降した状態で基板昇降部材を上方の位置に上昇させること等によって、基板昇降部材のリフトピンがトッププレートの下面に接触し、リフトピンが破損するおそれがある。

また、基板昇降部材の昇降動作が規制されていないときに、基板昇降部材のリフトピンがトッププレートの下面に接触し、リフトピンが破損するおそれがあるのは、処理液に代え処理ガスを供給して基板処理を行う基板処理装置でも同様である。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板昇降部材の昇降動作が規制されていないときに、トッププレートが下降した状態で基板昇降部材を上方の位置に上昇させても、リフトピンが破損することを防止できる基板処理装置を提供する。

上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる手段を講じたことを特徴とするものである。

本発明の一実施例によれば、所定の処理位置に配置されている基板を処理する基板処理装置において、基板を前記処理位置と前記処理位置よりも上方の位置との間で昇降可能に設けられている基板昇降部材と、前記基板の処理時において前記処理位置で前記基板を保持する保持部材と、前記基板昇降部材から上方に突出して設けられており、昇降させる前記基板が載置される載置部と、前記処理位置に配置されている前記基板の上方に昇降可能に設けられており、下降している状態で前記基板を上方から覆う天板部と、前記天板部に設けられ、前記基板昇降部材が前記天板部に接触するときに、前記載置部と前記天板部との接触を防止する接触防止部とを有し、前記基板昇降部材は、前記保持部材よりも基板の中心側の領域に配置され、前記保持部材とは独立して前記処理位置から上方の位置へと上昇可能であり、前記接触防止部は、前記天板部の下面であって前記中心側の領域に対向する領域に設けられ、前記天板部が下降して前記基板を上方から覆っているときに前記保持部材よりも上方の位置にある、ことを特徴とする、基板処理装置が提供される。

本発明によれば、基板昇降部材の昇降動作が規制されていないときに、トッププレートが下降した状態で基板昇降部材を上方の位置に上昇させても、リフトピンが破損することを防止できる。

実施の形態に係る液処理システムの概略構成を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ線に沿った正面側の断面図である。 図１のＢ−Ｂ線に沿った側面側の断面図である。 実施の形態に係る液処理ユニットの構成を示す概略断面図である。 実施の形態に係る液処理ユニットの回転カップの斜視図である。 実施の形態に係る液処理ユニットの基板昇降部材近傍を拡大した断面斜視図である。 実施の形態に係る液処理ユニットのトッププレートを斜め下方から見た断面斜視図である。 実施の形態に係る液処理ユニットにおいて、トッププレート及び基板昇降部材が下降した状態でトッププレート及び基板昇降部材近傍を拡大した断面図である。 実施の形態に係る液処理ユニットにおいて、トッププレートが下降した状態で、基板昇降部材が上昇したときのトッププレート及び基板昇降部材近傍を拡大した断面図である。 実施の形態の第１の変形例に係る液処理ユニットにおいて、トッププレートが下降した状態で、基板昇降部材が上昇したときのトッププレート及び基板昇降部材近傍を拡大した断面図である。 実施の形態の第２の変形例に係る液処理ユニットにおいて、トッププレートが下降した状態で、基板昇降部材が上昇したときのトッププレート及び基板昇降部材近傍を拡大した断面図である。 実施の形態の第３の変形例に係る液処理ユニットにおいて、トッププレートが下降した状態で、基板昇降部材が上昇したときのトッププレート及び基板昇降部材近傍を拡大した断面図である。

次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。ここでは、本発明を半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」と記す。）の裏面洗浄を行う基板処理装置に適用した場合について示す。
（実施の形態）
始めに、図１から図３を参照し、実施の形態に係る液処理ユニットを搭載する液処理システムの概略構成について説明する。

なお、液処理ユニットは、本発明における基板処理装置に相当する。

図１は本発明の実施の形態に係る液処理システム１０の概略構成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った正面側の断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線に沿った側面側の断面図である。

この液処理システム１０は、複数のウェハＷを収容するウェハキャリアＣが載置され、ウェハＷの搬入・搬出を行う搬入出ステーション（基板搬入出部）１と、ウェハＷに洗浄処理を施すための処理ステーション（液処理部）２とを備えている。搬入出ステーション（基板搬入出部）１及び処理ステーション（液処理部）２は、隣接して設けられている。

搬入出ステーション１は、キャリア載置部１１、搬送部１２、受け渡し部１３及び筐体１４を有している。キャリア載置部１１は、複数のウェハＷを水平状態で収容するウェハキャリアＣを載置する。搬送部１２は、ウェハＷの搬送を行う。受け渡し部１３は、ウェハＷの受け渡しを行う。筐体１４は、搬送部１２および受け渡し部１３を収容する。

キャリア載置部１１は４個のウェハキャリアＣが載置可能である。載置されたウェハキャリアＣは筐体１４の垂直壁部１２ａに密着された状態とされ、大気に触れることなくその中のウェハＷが搬送部１２に搬入可能となっている。

筐体１４は、搬送部１２と受け渡し部１３とを垂直に仕切る仕切り部材１４ａを有している。搬送部１２は、搬送機構１５と、その上方に設けられた清浄空気のダウンフローを供給するファン・フィルター・ユニット（ＦＦＵ）１６とを有している。搬送機構１５は、ウェハＷを保持するウェハ保持アーム１５ａ、及びウェハ保持アーム１５ａを前後に移動させる機構を有している。また搬送機構１５は、ウェハキャリアＣの配列方向であるＸ方向に延在する水平ガイド１７（図１参照）に沿って移動させる機構、垂直方向に設けられた垂直ガイド１８（図２参照）に沿って移動させる機構、水平面内で回転させる機構を有している。この搬送機構１５により、ウェハキャリアＣと受け渡し部１３との間でウェハＷが搬送される。

受け渡し部１３は、受け渡しステージ１９と、その上に設けられたウェハＷを載置可能な載置部を複数備えた受け渡し棚２０とを有している。受け渡し部１３は、この受け渡し棚２０を介して処理ステーション２との間でウェハＷの受け渡しが行われるようになっている。

図３に示すように、処理ステーション２は、直方体状をなす筐体２１を有している。処理ステーション２は、筐体２１内には、その中央上部にウェハキャリアＣの配列方向であるＸ方向に直交するＹ方向に沿って延びる搬送路を構成する搬送室２１ａと、搬送室２１ａの両側に設けられた２つのユニット室２１ｂ、２１ｃとを有している。ユニット室２１ｂ、２１ｃにはそれぞれ搬送室２１ａに沿って６個ずつ合計１２個の液処理ユニット２２が水平に配列されている。

筐体２１内のユニット室２１ｂ、２１ｃの下には、それぞれ各液処理ユニット２２の駆動系を収容した駆動エリア２１ｄ、２１ｅが設けられている。また、駆動エリア２１ｄ、２１ｅの下には、それぞれ配管を収容した配管ボックス２１ｆ、２１ｇが設けられている。また、配管ボックス２１ｆ、２１ｇの下には、それぞれ処理液貯留部としての薬液供給ユニット２１ｈ、２１ｉが設けられている。一方、搬送室２１ａの下方には、排気のための排気空間２１ｊが設けられている。

搬送室２１ａの上方には、ファン・フィルター・ユニット（ＦＦＵ）２３が設けられ、搬送室２１ａに清浄空気のダウンフローを供給するようになっている。搬送室２１ａの内部には搬送機構２４が設けられている。搬送機構２４は、ウェハＷを保持するウェハ保持アーム２４ａ、及びウェハ保持アーム２４ａを前後に移動させる機構を有している。また、搬送機構２４は、搬送室２１ａに設けられた水平ガイド２５（図１参照）に沿ってＹ方向に移動させる機構、垂直方向に設けられた垂直ガイド２６（図３参照）に沿って移動させる機構、水平面内で回転させる機構を有している。この搬送機構２４により、各液処理ユニット２２に対するウェハＷの搬入出を行うようになっている。

なお、受け渡しステージ１９はキャリア載置部１１よりも高い位置に設けられ、液処理ユニット２２は受け渡しステージ１９よりも高い位置に設けられている。

配管ボックス２１ｆ、２１ｇには、処理液配管群３０、排液配管群３１および排気配管群３２が水平に配置されている。処理液配管群３０は、例えば、アンモニア水と過酸化水素を混合して形成されたアンモニア過水ＳＣ１を供給するＳＣ１配管３０ａ、希フッ酸（ＤＨＦ）を供給するＤＨＦ配管３０ｂ、純水を供給する純水配管３０ｃを有している。また、排液配管群３１は、例えば、排液を排出するための排液配管３１ａ、排液を回収するための回収配管３１ｂを有している。さらに排気配管群３２は、例えば、酸を排気するための酸排気配管３２ａ、アルカリを排気するためのアルカリ排気配管３２ｂを有している。

薬液供給ユニット２１ｈは、搬入出ステーション１側に設けられた、例えばアンモニア過水ＳＣ１を貯留する第１薬液タンク４１とそれに隣接する第１回収タンク４２とを有している。

図２に示すように、第１薬液タンク４１には、薬液を送出するための送出管４３と、薬液を返戻するための返戻管４４が接続されている。送出管４３は、配管ボックス２１ｆ内に水平に配置された処理液配管群３０のＳＣ１配管３０ａの一端側に接続されている。また、返戻管４４は、ＳＣ１配管３０ａの他端側に接続されている。

第１薬液タンク４１の上部には薬液供給配管５１が接続されており、この薬液供給配管５１には混合器５２が接続されている。混合器５２には、純水配管５３、アンモニア配管５４および過酸化水素配管５５が接続されており、混合器５２にて純水とアンモニアと過酸化水素が混合されてアンモニア過水ＳＣ１が第１薬液タンク４１に供給されるようになっている。純水配管５３には液体フローコントローラ（ＬＦＣ）５６ａおよびバルブ５６ｂが設けられている。アンモニア配管５４には液体フローコントローラ（ＬＦＣ）５７ａおよびバルブ５７ｂが設けられている。過酸化水素配管５５には液体フローコントローラ（ＬＦＣ）５８ａおよびバルブ５８ｂが設けられている。

また、薬液供給ユニット２１ｈには、排液配管群３１の回収配管３１ｂに接続され、処理済みの薬液を回収するための第１回収タンク４２が設けられている。第１回収タンク４２と第１薬液タンク４１は、接続配管４６で接続され、回収された薬液を清浄化処理した後、第１薬液タンク４１に戻すことが可能となっている。

一方、薬液供給ユニット２１ｉは、搬入出ステーション１側に設けられた、例えば希フッ酸（ＤＨＦ）を貯留する第２薬液タンク４７（図３参照）とそれに隣接する第２回収タンク（図示せず）とを有している。そして、第２薬液タンク４７のＤＨＦも、第１薬液タンク４１からのＳＣ１と同様にして、配管ボックス２１ｆ、２１ｇ内のＤＨＦ配管３０ｂ等とにより循環供給可能となっている。また、第２回収タンクへのＤＨＦの回収は、配管４８（図２参照）を通って第１回収タンク４２へのＳＣ１の回収と同様に行われる。

なお、これら薬液洗浄以外に、純水によるリンスおよび乾燥が行われるが、その際には、純水は図示しない純水供給源から純水配管３０ｃを通って供給される。

配管ボックス２１ｆ、２１ｇに設けられた排液配管群３１のうち、排液配管３１ａにはドレイン配管４９が接続されている。排液配管３１ａからの排液は、ドレイン配管４９を通ってドレインとして床下の工場配管に廃棄される。

次に、図４から図８を参照し、本実施の形態に係る液処理システムに搭載された液処理ユニットである基板処理装置について説明する。図４は、本実施の形態に係る液処理ユニット２２の構成を示す概略断面図である。図５は、本実施の形態に係る液処理ユニット２２の回転カップ７１の斜視図である。図６は、本実施の形態に係る液処理ユニット２２の基板昇降部材９０近傍を拡大した断面斜視図である。図７は、本実施の形態に係る液処理ユニット２２のトッププレート１１０を斜め下方から見た断面斜視図である。図８は、本実施の形態に係る液処理ユニット２２において、トッププレート１１０及び基板昇降部材９０が下降した状態でトッププレート１１０及び基板昇降部材９０近傍を拡大した断面図である。

液処理ユニット２２は、図４に示すように、回転プレート６０、囲い部材７０、回転カップ７１、回転駆動部８０、基板昇降部材９０、処理液供給機構９３、乾燥ガス供給機構９５、排気・排液部（カップ）１００、トッププレート１１０、昇降機構１２０、不活性ガス供給機構１２３、及び接触防止部１３０を有する。

なお、トッププレート１１０は、本発明における天板部に相当する。

回転プレート６０は、図４及び図５に示すように、ベースプレート６１及び回転軸６２を有する。ベースプレート６１は、水平に設けられ、中央に円形の孔６１ａを有する。回転軸６２は、ベースプレート６１から下方に向かって延在するように設けられており、中心に孔６２ａが設けられた円筒状の形状を有する。

囲い部材７０は、図４及び図５に示すように、ウェハＷの周縁外方にウェハＷの周縁部を全周に亘り囲繞するように設けられている。囲い部材７０は、ウェハＷを処理した処理液を排液カップ１０１へと導く。また、囲い部材７０は、支持ピン７２を有する。支持ピン７２は、囲い部材７０の下端から周縁内方に突出して設けられている。支持ピン７２は、ウェハＷの周縁部の下面を支持する。また、図５に示すように、支持ピン７２は、ウェハＷの周方向に沿って、略等間隔に複数設けられている。

なお、ウェハＷが支持ピン７２に支持される位置は、ウェハＷに処理液を供給し、供給された処理液によりウェハＷを処理する所定の処理位置である。また、支持ピン７２は、本発明における保持部材に相当する。

回転カップ７１は、ウェハＷの下面側に供給され、回転するウェハＷから外周側へ飛散する処理液が、跳ね返されて再びウェハＷに戻ることを防止するためのものである。また、回転するウェハＷから外周側へ飛散する処理液が、ウェハＷの上面側に回り込まないようにするためのものでもある。

図４に示すように、ベースプレート６１、囲い部材７０及び回転カップ７１は、それぞれを貫通するように形成された孔７３に締結部材７４を嵌め込むことにより、締結されている。これにより、ベースプレート６１、囲い部材７０及び回転カップ７１は、一体として回転可能に設けられている。

回転駆動部８０は、プーリ８１、駆動ベルト８２及びモータ８３を有する。プーリ８１は、回転軸６２の下方側における周縁外方に配置されている。駆動ベルト８２は、プーリ８１に巻きかけられている。モータ８３は、駆動ベルト８２に連結されており、駆動ベルト８２に回転駆動力を伝達することによって、プーリ８１を介して回転軸６２を回転させる。すなわち、回転駆動部８０は、回転軸６２を回転させることによって、ベースプレート６１、囲い部材７０及び回転カップ７１を回転させる。なお、回転軸６２の周縁外方にはベアリング６３が配置されている。

図４から図６に示すように、基板昇降部材９０は、ベースプレート６１の孔６１ａ及び回転軸６２の孔６２ａ内に昇降可能に設けられており、リフトピンプレート９１及びリフト軸９２を有する。リフト軸９２は、リフトピンプレート９１から下方に延在している。リフトピンプレート９１は、上面９１ａの周縁に複数例えば３本のリフトピン９１ｂを有している。リフト軸９２の下端にはシリンダ機構９２ａが接続されており、シリンダ機構９２ａによって基板昇降部材９０を昇降させることにより、ウェハＷを昇降させてウェハＷのローディング及びアンローディングが行われる。また、リフトピンプレート９１及びリフト軸９２は、中心に、処理液供給管９４及びガス供給管９６が設けられている。

なお、リフトピン９１ｂは、本発明における載置部に相当する。また、リフトピン９１ｂに代え、リフトピンプレート９１から上方に突出して設けられている突起形状の各種部材を用いることができる。

また、図４に実線で示すように、基板昇降部材９０とトッププレート１１０とがともに下降している状態では、トッププレート１１０の下面は、排気・排液部（カップ）１００の上面よりも下方に位置している。また、図４に点線で示すように、基板昇降部材９０とトッププレート１１０とがともに上昇している状態では、基板昇降部材９０の上端は、排気・排液部（カップ）１００の上面よりも上方であって、ウェハＷを受け渡しする受け渡し位置にある。従って、後述するように、基板昇降部材９０の昇降動作が規制されていないときは、トッププレート１１０が下降した状態で基板昇降部材９０を上方の位置に上昇させた場合、基板昇降部材９０がトッププレート１１０に接触する。

処理液供給機構９３は、処理液供給管９４を有する。前述したように、処理液供給管９４は、リフトピンプレート９１及びリフト軸９２の内部に、上下方向に延在するように、設けられている。処理液供給管９４は、処理液配管群３０の各配管から供給された処理液をウェハＷの下面側まで導く。処理液供給管９４は、リフトピンプレート９１の上面９１ａに形成された処理液供給口９４ａと連通している。

乾燥ガス供給機構９５は、乾燥ガス供給管９６を有する。前述したように、乾燥ガス供給管９６は、リフトピンプレート９１及びリフト軸９２の内部に、上下方向に延在するように、設けられている。乾燥ガス供給管９６は、乾燥ガス供給源９７から供給され、ウェハＷを乾燥させるための不活性ガス等の乾燥ガスをウェハＷの下面側に吹き付ける。乾燥ガス供給管９６は、リフトピンプレート９１の上面９１ａに形成された乾燥ガス供給口９６ａと連通している。乾燥ガス供給口９６ａは、図５及び図６に示すように、リフトピンプレート９１の上面９１ａから、上方に突出するように設けられた乾燥ガス供給ノズル９６ｂであってもよい。乾燥ガス供給ノズル９６ｂは、円板形状を有しており、支持ピン７２に支持されているウェハＷの周方向に沿って乾燥ガスを供給できるように、周側面に吐出口９６ｃが形成されている。また、乾燥ガス供給ノズル９６ｂは、リフトピンプレート９１の上面９１ａの中央に設けられていてもよい。

排気・排液部（カップ）１００は、排液カップ１０１、排液管１０２、排気カップ１０３及び排気管１０４を有する。また、排気・排液部（カップ）１００は、上面に開口１０５が設けられている。排気・排液部（カップ）１００は、主に回転プレート６０と回転カップ７１に囲繞された空間から排出される気体および液体を回収するためのものである。

排液カップ１０１は、回転カップ７１によって導かれた処理液を受ける。排液管１０２は、排液カップ１０１の底部の最外側部分に接続されており、排液カップ１０１によって受けられた処理液を排液配管群３１のいずれかの配管を通して排出する。排気カップ１０３は、排液カップ１０１の外方又は下方において、排液カップ１０１と連通するように設けられている。図４では、排気カップ１０３が排液カップ１０１の周縁内方及び下方において、排液カップ１０１と連通するように設けられている例を示す。排気管１０４は、排気カップ１０３の底部の最外側部分に接続されており、排気カップ１０３内の窒素ガスなどの気体を排気配管群３２のいずれかの配管を通して排気する。

トッププレート１１０は、昇降可能であって、下降した状態で排気・排液部（カップ）１００の上面に設けられた開口１０５を塞ぐように設けられている。また、トッププレート１１０は、排気・排液部（カップ）１００の上面に設けられた開口１０５を塞ぐときに、支持ピン７２に支持されているウェハＷを上方から覆うように設けられている。また、前述したように、ウェハＷが支持ピン７２に支持されている位置は、ウェハＷに処理液を供給し、供給された処理液によりウェハＷを処理する所定の処理位置である。従って、トッププレート１１０は、ウェハＷが所定の処理位置に配置されたウェハＷを上方から覆うように設けられている。

トッププレート１１０は、囲い部材７０の支持ピン７２に支持されているウェハＷの周縁部と対向する領域１１１に、トッププレート１１０の下面１１２から下方に突出して設けられた隙間形成部材１１３を有していてもよい。隙間形成部材１１３は、ウェハＷの周縁部との間に隙間Ｄ１を形成するものである。

トッププレート１１０に隙間形成部材１１３が形成されていると、囲い部材７０の支持ピン７２に支持されているウェハＷの周縁部とトッププレート１１０との隙間Ｄ１は、ウェハＷの中心部とトッププレート１１０との距離Ｄ０よりも小さくなる。

なお、トッププレート１１０には、後述する接触防止部１３０が設けられている。

昇降機構１２０は、アーム１２１、昇降駆動部１２２を有する。昇降駆動部１２２は、排気・排液部（カップ）１００の外方に設けられており、上下に移動できるようになっている。アーム１２１は、トッププレート１１０と昇降駆動部１２２とを接続するように設けられている。すなわち、昇降機構１２０は、アーム１２１を介して昇降駆動部１２２によりトッププレート１１０を昇降させる。

不活性ガス供給機構１２３は、不活性ガス供給管１２４及び不活性ガス供給源１２５を有する。不活性ガス供給機構１２３は、ウェハＷの上面側に窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給するためのものである。不活性ガス供給管１２４は、トッププレート１１０及びアーム１２１の内部に延在するように設けられている。不活性ガス供給管１２４の一端は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源１２５に連結されている。不活性ガス供給管１２４は、トッププレート１１０の下面１１２の中心部に不活性ガス供給口１２４ａを構成している。

図４に示すように、アーム１２１はトッププレート１１０の上面の略中心で接続していてもよい。これにより、不活性ガス供給口１２４ａがトッププレート１１０の下面１１２の中心部に形成されることになるため、不活性ガスをトッププレート１１０の中心から下方に供給することができ、ウェハＷに供給される不活性ガスの流量を周方向に沿って均一にすることができる。

次に、図４、図７及び図８を参照し、接触防止部１３０について説明する。

図７に示すように、接触防止部１３０は、凸部１３１及び凹部１３２を有する。凸部１３１及び凹部１３２は、トッププレート１１０の下面１１２に形成されている。すなわち、接触防止部１３０は、トッププレート１１０に設けられている。

前述したように、本実施の形態では、基板昇降部材９０は、リフトピンプレート９１の上面９１ａに、リフトピンプレート９１の上面９１ａから突出して設けられた乾燥ガス供給ノズル９６ｂを含んでいる。そこで、図８に示すように、凸部１３１は、トッププレート１１０の下面１１２であって、リフトピン９１ｂと対向するか、あるいは乾燥ガス供給ノズル９６ｂと対向する領域以外の領域に形成されている。凸部１３１は、トッププレート１１０の下面１１２から下方に突出するように設けられている。そして、凸部１３１は、基板昇降部材９０がトッププレート１１０に接触するときに、リフトピンプレート９１の、リフトピン９１ｂ以外の部分であって、且つ、乾燥ガス供給ノズル９６ｂ以外の部分に接触するように、設けられている。

乾燥ガス供給ノズル９６ｂがリフトピンプレート９１の上面９１ａから突出して形成されている。そのため、凸部１３１が、トッププレート１１０の下面１１２であってリフトピン９１ｂと対向する領域以外の領域に形成されていてもよい。また、凸部１３１の下面１３１ａであって乾燥ガス供給ノズル９６ｂに対向する領域、すなわち中央の領域に、凸部１３１の下面１３１ａから上方に窪んだ窪み部１３１ｂが形成されていてもよい。このとき、後述するように、窪み部１３１ｂの底面１３１ｃの高さは、乾燥ガス供給ノズル９６ｂと接触しないような高さに設けられていればよく、トッププレート１１０の下面１１２と高さと異なる高さであってもよい。

なお、乾燥ガス供給ノズル９６ｂに代え、処理液を供給する処理液供給ノズルがリフトピンプレート９１の上面９１ａから上方に突出して設けられていてもよい。その場合には、凸部１３１は、トッププレート１１０の下面１１２であってリフトピン９１ｂと対向するか、あるいは処理液供給ノズルと対向する領域以外の領域に形成されている。そして、凸部１３１は、基板昇降部材９０がトッププレート１１０に接触するときに、リフトピンプレート９１の、リフトピン９１ｂ以外の部分であって、且つ、処理液供給ノズル以外の部分に接触するように、設けられている。

また、図８に示すように、凹部１３２は、トッププレート１１０の下面１１２であってリフトピン９１ｂと対向する領域に形成されている。凹部１３２は、トッププレート１１０の下面１１２から上方に窪むように設けられている。そして、凹部１３２は、基板昇降部材９０がトッププレート１１０に接触するときに、トッププレート１１０の凸部１３１がリフトピンプレート９１のリフトピン９１ｂ以外の部分に接触するように、設けられている。

図８に示す例では、リフトピンプレート９１の上面９１ａからのリフトピン９１ｂの高さをＨＡとする。また、リフトピンプレート９１の上面９１ａからの乾燥ガス供給ノズル９６ｂの高さをＨＢとする。ただし、リフトピン９１ｂにウェハＷが載置されているときにウェハＷと乾燥ガス供給ノズル９６ｂとが接触しないようにするため、ＨＢ＜ＨＡの関係が満たされている。また、トッププレート１１０の下面１１２からの凸部１３１の高さをＨ１とする。そして、トッププレート１１０の下面１１２からの凹部１３２の深さをＨ２とする。このとき、ＨＢ＜Ｈ１＜ＨＡ＜Ｈ１＋Ｈ２の関係が満たされるように、Ｈ１及びＨ２を決定すればよい。

また、前述したように、凸部１３１が、トッププレート１１０の下面１１２であってリフトピン９１ｂと対向する領域以外の領域に形成されていてもよい。そして、凸部１３１の下面１３１ａであって乾燥ガス供給ノズル９６ｂに対向する領域に、凸部１３１の下面１３１ａから上方に窪んだ窪み部１３１ｂが形成されていてもよい。このときは、窪み部１３１ｂの深さをＨ３とすると、Ｈ３＞ＨＢが満たされるように、Ｈ３を決定すればよい。図８に、窪み部１３１ｂが形成される場合における底面１３１ｃの位置を点線Ｉで示す。

また、液処理システム１０は、図４に示すように、制御部２００を有する。制御部２００は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ２０１を有しており、液処理システム１０の各構成部がこのプロセスコントローラ２０１に接続されて制御される構成となっている。また、プロセスコントローラ２０１には、工程管理者が液処理システム１０の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、液処理システム１０の各構成部の可動状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース２０２が接続されている。さらに、プロセスコントローラ２０１には、液処理システム１０で実行される各種処理をプロセスコントローラ２０１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて液処理システム１０の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわちレシピが格納された記憶部２０３が接続されている。レシピは記憶部２０３の中の記憶媒体（記録媒体）に記憶されている。記憶媒体（記録媒体）は、ハードディスクや半導体メモリであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。

そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース２０２からの指示等にて任意のレシピを記憶部２０３から呼び出してプロセスコントローラ２０１に実行させることで、プロセスコントローラ２０１の制御下で、液処理システム１０での所望の処理が行われる。

次に、上記した液処理ユニット２２を用いた基板処理プロセスについて説明する。

まず、搬入出ステーション１のキャリア載置部１１に載置されたウェハキャリアＣから搬送機構１５のウェハ保持アーム１５ａにより１枚のウェハＷを取り出し、受け渡しステージ１９上の受け渡し棚２０の載置部に載置する。この動作を連続的に行う。受け渡し棚２０の載置部に載置されたウェハＷは、処理ステーション２の搬送機構２４のウェハ保持アーム２４ａにより順次搬送され、いずれかの液処理ユニット２２に搬入される。

ウェハＷが液処理ユニット２２に搬入されるとき、トッププレート１１０は、昇降機構１２０により、上昇させられている（図４の点線で示される位置）。そして、液処理ユニット２２に搬入されたウェハＷは、シリンダ機構９２ａにより受け渡し位置（上方位置）に位置づけられたリフトピンプレート９１のリフトピン９１ｂ上に載置される（図４の点線で示される位置）。

次に、シリンダ機構９２ａによって、リフトピンプレート９１が下方に移動させられてウェハ処理位置に位置づけられる。リフトピンプレート９１が下方に移動させられている間に、囲い部材７０に設けられた支持ピン７２によって、ウェハＷの下面が支持される。

次に、回転駆動部８０により回転軸６２が回転駆動されることによって、ベースプレート６１および回転カップ７１が回転される。具体的には、回転軸６２が、モータ８３から駆動ベルト８２を介してプーリ８１に駆動力が付与されることによって、回転駆動される。この結果、囲い部材７０に設けられた支持ピン７２上のウェハＷが回転する。

このとき、ウェハＷの下面には、処理液配管群３０のいずれかの配管から処理液供給機構９３の処理液供給管９４を介して処理液が供給される。そして、ウェハＷの下面に供給された処理液は、図４に示すように、ウェハＷが回転することによって発生する遠心力によって周縁外方に向かって移動される。このときの処理液としては、前述したように、例えば、ＳＣ１、ＤＨＦのいずれかまたは両方を用いる。

他方、ウェハのＷの上面には、図４に示すように、トッププレート１１０の下面１１２の中央に設けられた不活性ガス供給口１２４ａから窒素ガス等の不活性ガスが供給される。供給された不活性ガスは、ウェハＷの上面を経た後、ウェハＷとトッププレート１１０の隙間形成部材１１３との隙間Ｄ１を通って、囲い部材７０の上方から周縁外方、更に下方へと回り込み、排気・排液部（カップ）１００の排気カップ１０３から排気管１０４へと流れる。この不活性ガスの気流によって、ウェハＷの周縁部に達した処理液が、ウェハＷと囲い部材７０との間又は囲い部材７０と回転カップ７１との間から、ウェハＷの上面側に回り込むことを防止することができる。

上述のような処理液による基板処理プロセスが終了すると、処理液配管群３０のいずれかの配管から処理液供給機構９３の処理液供給管９４を介してのウェハＷへの処理液の供給が停止される。そして、次に、処理液配管群３０の純水配管３０ｃから処理液供給機構９３の処理液供給管９４を介してウェハＷに純水を供給して純水リンスを行う。

また、上記した基板処理プロセスの際には、使用済みの処理液が排液カップ１０１から排液配管群３１に至り、酸およびアルカリは一部回収され、他は廃棄される。また、処理にともなって発生した気体成分が排気カップ１０３から排気配管群３２に至り、排気される。

次に、回転駆動部８０によって回転軸６２が高速回転される。この結果、支持ピン７２上のウェハＷが高速回転される。また、同時に、乾燥ガス供給ノズル９６ｂから乾燥ガスを吐出し、乾燥ガスをウェハＷの下面に吹きつける。これにより、ウェハＷが乾燥される。その後、回転駆動部８０のモータ８３が停止され、支持ピン７２上のウェハＷの回転も停止される。

次に、昇降機構１２０によって、トッププレート１１０がウェハＷの受け渡し位置よりも上方位置に位置づけられる（図４の点線で示される位置）。その後、シリンダ機構９２ａによって、リフトピンプレート９１が上方位置に移動させられて、ウェハＷが受け渡し位置（上方位置）に上昇する（図４の点線で示される位置）。

次に、搬送機構２４のウェハ保持アーム２４ａによって、リフトピンプレート９１上からウェハＷが搬出される。このようにして、一枚のウェハＷの処理が終了する。

このようにして搬出されたウェハＷは、搬送機構２４のウェハ保持アーム２４ａにより液処理ユニット２２から搬出され、受け渡しステージ１９の受け渡し棚２０に載置され、受け渡し棚２０から搬送機構１５のウェハ保持アーム１５ａによりウェハキャリアＣに戻される。

次に、図８及び図９を参照し、基板昇降部材９０の昇降動作が規制されていないときに、トッププレート１１０が下降した状態で基板昇降部材９０を上方の位置に上昇させても、リフトピン９１ｂを破損させることを防止できる作用について、説明する。図９は、本実施の形態に係る液処理ユニット２２において、トッププレート１１０が下降した状態で、基板昇降部材９０が上昇したときのトッププレート１１０及び基板昇降部材９０近傍を拡大した断面図である。

上記した通常の基板処理プロセスの動作では、例えばインターロック等によって、トッププレート１１０が下降した状態での基板昇降部材９０の昇降動作が規制されているため、基板昇降部材９０はトッププレート１１０と接触することはない。

一方、液処理システム１０又は液処理ユニット２２のメンテナンス作業を行うときなど、基板昇降部材９０の昇降動作が規制されていないときは、トッププレート１１０が下降した状態で基板昇降部材９０を上方の位置に上昇させる動作が行われることがある。

本実施の形態では、前述したように、ＨＢ＜Ｈ１＜ＨＡ＜Ｈ１＋Ｈ２の関係が満たされている。従って、トッププレート１１０が下降した状態で、基板昇降部材９０をウェハＷの搬送機構２４との受け渡し位置まで上昇させるとき（基板昇降部材９０がトッププレート１１０に接触するとき）、図９に示すように、トッププレート１１０の凸部１３１が、リフトピンプレート９１のリフトピン９１ｂ以外の部分であって、且つ、乾燥ガス供給ノズル９６ｂ以外の部分に接触する。しかし、リフトピン９１ｂの上端と、トッププレート１１０の凹部１３２の底面１３２ａとは接触しない。また、乾燥ガス供給ノズル９６ｂの上端と、トッププレート１１０の下面１１２とは接触しない。凸部１３１がリフトピンプレート９１に接触するとき、リフトピン９１ｂの上端とトッププレート１１０の凹部１３２の底面１３２ａとの間には、なお、Ｈ１＋Ｈ２−ＨＡ（＞０）の隙間があるからである。また、乾燥ガス供給ノズル９６ｂの上端とトッププレート１１０の下面１１２との間には、なお、Ｈ１−ＨＢ（＞０）の隙間があるからである。

また、図９の点線Ｉで底面１３１ｃの位置が示されるように、深さＨ３を有する窪み部１３１ｂが形成されているときも、トッププレート１１０の凸部１３１の窪み部１３１ｂ以外の部分が、リフトピンプレート９１の乾燥ガス供給ノズル９６ｂ以外の部分に接触する。しかし、乾燥ガス供給ノズル９６ｂの上端と、窪み部１３１ｂの底面１３１ｃとは接触しない。乾燥ガス供給ノズル９６ｂの上端と窪み部１３１ｂの底面１３１ｃとの間には、なお、Ｈ３−ＨＢ（＞０）の隙間があるからである。

このように、本実施の形態によれば、トッププレート１１０の下面１１２であって、リフトピン９１ｂと対向するか、あるいは乾燥ガス供給ノズル９６ｂ（若しくは処理液供給ノズル）と対向する領域以外の領域に凸部１３１が形成され、トッププレート１１０の下面１１２であってリフトピン９１ｂと対向する領域に凹部１３２が形成されている。これにより、基板昇降部材９０がトッププレート１１０に近づいたとしても、トッププレート１１０の凸部１３１がリフトピンプレート９１に接触することによって、リフトピン９１ｂとトッププレート１１０との接触を防止できる。従って、基板昇降部材９０の昇降動作が規制されていないときに、トッププレート１１０が下降した状態で基板昇降部材９０を上方の位置に上昇させても、リフトピン９１ｂを破損させることを防止できる。

なお、本実施の形態では、本発明における基板処理装置を、ウェハＷに処理液を供給し、供給された処理液によりウェハＷを処理する液処理ユニットに適用した例について説明した。しかし、本発明における基板処理装置は、ウェハＷに、処理液に代え例えばオゾンガス等の処理ガスを供給し、供給された処理ガスによりウェハＷを処理する基板処理ユニットにも適用可能である。このとき、基板処理ユニットは、処理液供給機構９３に代え、図４を用いて説明した乾燥ガス供給機構９５と同様の構成を有し、乾燥ガスの代わりに処理ガスを供給する処理ガス供給機構を備えるようにすればよい。
（実施の形態の第１の変形例）
次に、図１０を参照し、本発明の実施の形態の第１の変形例に係る液処理ユニットについて説明する。図１０は、本変形例に係る液処理ユニットにおいて、トッププレート１１０ａが下降した状態で、基板昇降部材９０が上昇したときのトッププレート１１０ａ及び基板昇降部材９０近傍を拡大した断面図である。

なお、以下の説明では、実施の形態で図９を用いて説明した部分と同一の部分については、図１０においても同一の符号を付し、説明を省略する（以下の変形例でも同様）。

本変形例に係る液処理ユニットは、トッププレート１１０ａの下面１１２に凹部が形成されておらず、接触防止部１３０ａが凹部を含まない点で、実施の形態に係る液処理ユニット２２と相違する。

本変形例でも、図１から図３を用いて説明した実施の形態に係る液処理システム１０を用いることができる。また、本変形例に係る液処理ユニットも、後述するトッププレート１１０ａの下面１１２に凹部が形成されていない点を除き、図４を用いて説明した実施の形態に係る液処理ユニット２２と同様である。

一方、本変形例では、図１０に示すように、接触防止部１３０ａは、凹部を有しておらず、凸部１３１を有している。また、基板昇降部材９０は、リフトピンプレート９１の上面９１ａに、リフトピンプレート９１の上面９１ａから突出して設けられた乾燥ガス供給ノズル９６ｂを含んでいる。そこで、図１０に示すように、凸部１３１は、トッププレート１１０ａの下面１１２であって、リフトピン９１ｂと対向するか、あるいは乾燥ガス供給ノズル９６ｂと対向する領域以外の領域に形成されている。凸部１３１は、トッププレート１１０ａの下面１１２から下方に突出するように設けられている。そして、凸部１３１は、基板昇降部材９０がトッププレート１１０ａに接触するときに、リフトピンプレート９１の、リフトピン９１ｂ以外の部分であって、且つ、乾燥ガス供給ノズル９６ｂ以外の部分に接触するように、設けられている。また、乾燥ガス供給ノズル９６ｂに代え、処理液供給ノズルがリフトピンプレート９１の上面９１ａから上方に突出して設けられていてもよい。

図１０に示す例でも、リフトピンプレート９１の上面９１ａからのリフトピン９１ｂの高さをＨＡとする。また、リフトピンプレート９１の上面９１ａからの乾燥ガス供給ノズル９６ｂの高さをＨＢとする。ただし、リフトピン９１ｂにウェハＷが載置されているときにウェハＷと乾燥ガス供給ノズル９６ｂとが接触しないようにするために、ＨＢ＜ＨＡの関係が満たされる。また、トッププレート１１０ａの下面１１２からの凸部１３１の高さをＨ１とする。このとき、Ｈ１＞ＨＡ（＞ＨＢ）の関係が満たされるように、Ｈ１を決定すればよい。

上記した関係が満たされていると、トッププレート１１０ａが下降した状態で、基板昇降部材９０をウェハＷの搬送機構２４との受け渡し位置まで上昇させるとき（基板昇降部材９０がトッププレート１１０ａに接触するとき）、図１０に示すように、トッププレート１１０ａの凸部１３１が、リフトピンプレート９１のリフトピン９１ｂ以外の部分であって乾燥ガス供給ノズル９６ｂ以外の部分に接触する。しかし、リフトピン９１ｂの上端と、トッププレート１１０ａの下面１１２とは接触しない。また、乾燥ガス供給ノズル９６ｂの上端と、トッププレート１１０ａの下面１１２とは接触しない。凸部１３１がリフトピンプレート９１に接触するとき、リフトピン９１ｂの上端とトッププレート１１０ａの下面１１２との間には、なお、Ｈ１−ＨＡ（＞０）の隙間があるからである。また、乾燥ガス供給ノズル９６ｂの上端とトッププレート１１０ａの下面１１２との間には、なお、Ｈ１−ＨＢ（＞０）の隙間があるからである。

このように、本変形例によれば、トッププレート１１０ａの下面１１２であって、リフトピン９１ｂと対向するか、あるいは乾燥ガス供給ノズル９６ｂ（若しくは処理液供給ノズル）と対向する領域以外の領域に凸部１３１が形成されている。これにより、基板昇降部材９０がトッププレート１１０ａに近づいたとしても、トッププレート１１０ａの凸部１３１がリフトピンプレート９１に接触することによって、リフトピン９１ｂとトッププレート１１０ａとの接触を防止できる。従って、基板昇降部材９０の昇降動作が規制されていないときに、トッププレート１１０ａが下降した状態で基板昇降部材９０を上方の位置に上昇させても、リフトピン９１ｂを破損させることを防止できる。

なお、本変形例では、本発明における基板処理装置を、ウェハＷに処理液を供給し、供給された処理液によりウェハＷを処理する液処理ユニットに適用した例について説明した。しかし、本発明における基板処理装置は、ウェハＷに、処理液に代え例えばオゾンガス等の処理ガスを供給し、供給された処理ガスによりウェハＷを処理する基板処理ユニットにも適用可能である。
（実施の形態の第２の変形例）
次に、図１１を参照し、本発明の実施の形態の第２の変形例に係る液処理ユニットについて説明する。図１１は、本変形例に係る液処理ユニットにおいて、トッププレート１１０ｂが下降した状態で、基板昇降部材９０が上昇したときのトッププレート１１０ｂ及び基板昇降部材９０近傍を拡大した断面図である。

本変形例に係る液処理ユニットは、乾燥ガス供給ノズルがリフトピンプレート９１の上面９１ａから突出して形成されていない点で、実施の形態に係る液処理ユニット２２と相違する。

本変形例でも、図１から図３を用いて説明した実施の形態に係る液処理システム１０を用いることができる。また、本変形例に係る液処理ユニットも、乾燥ガス供給ノズルがリフトピンプレート９１の上面９１ａから突出して形成されていない点を除き、図４を用いて説明した実施の形態に係る液処理ユニット２２と同様である。

一方、本変形例では、図１１に示すように、接触防止部１３０ｂは、凸部１３１及び凹部１３２を有している。また、基板昇降部材９０は、リフトピンプレート９１の上面９１ａに、リフトピンプレート９１の上面９１ａから突出して設けられた乾燥ガス供給ノズルを含んでいない。そこで、図１１に示すように、凸部１３１は、トッププレート１１０ｂの下面１１２であってリフトピン９１ｂと対向する領域以外の領域に形成されている。凸部１３１は、トッププレート１１０ｂの下面１１２から下方に突出するように設けられている。そして、凸部１３１は、基板昇降部材９０がトッププレート１１０ｂに接触するときに、リフトピンプレート９１のリフトピン９１ｂ以外の部分に接触するように、設けられている。

図１１に示す例でも、リフトピンプレート９１の上面９１ａからのリフトピン９１ｂの高さをＨＡとする。また、トッププレート１１０ｂの下面１１２からの凸部１３１の高さをＨ１とする。そして、トッププレート１１０ｂの下面１１２からの凹部１３２の深さをＨ２とする。このとき、Ｈ１＜ＨＡ＜Ｈ１＋Ｈ２の関係が満たされるように、Ｈ１及びＨ２を決定すればよい。

上記した関係が満たされていると、トッププレート１１０ｂが下降した状態で、基板昇降部材９０をウェハＷの搬送機構２４との受け渡し位置まで上昇させるとき（基板昇降部材９０がトッププレート１１０ｂに接触するとき）、図１１に示すように、トッププレート１１０ｂの凸部１３１が、リフトピンプレート９１のリフトピン９１ｂ以外の部分に接触する。しかし、リフトピン９１ｂの上端と、トッププレート１１０ｂの凹部１３２の底面１３２ａとは接触しない。凸部１３１がリフトピンプレート９１に接触するとき、リフトピン９１ｂの上端とトッププレート１１０ｂの凹部１３２の底面１３２ａとの間には、なお、Ｈ１＋Ｈ２−ＨＡ（＞０）の隙間があるからである。

このように、本変形例によれば、トッププレート１１０ｂの下面１１２であってリフトピン９１ｂと対向する領域以外の領域に凸部１３１が形成され、トッププレート１１０ｂの下面１１２であってリフトピン９１ｂと対向する領域に凹部１３２が形成されている。これにより、基板昇降部材９０がトッププレート１１０ｂに近づいたとしても、トッププレート１１０ｂの凸部１３１がリフトピンプレート９１に接触することによって、リフトピン９１ｂとトッププレート１１０ｂとの接触を防止できる。従って、基板昇降部材９０の昇降動作が規制されていないときに、トッププレート１１０ｂが下降した状態で基板昇降部材９０を上方の位置に上昇させても、リフトピン９１ｂを破損させることを防止できる。

なお、本変形例では、本発明における基板処理装置を、ウェハＷに処理液を供給し、供給された処理液によりウェハＷを処理する液処理ユニットに適用した例について説明した。しかし、本発明における基板処理装置は、ウェハＷに、処理液に代え例えばオゾンガス等の処理ガスを供給し、供給された処理ガスによりウェハＷを処理する基板処理ユニットにも適用可能である。
（実施の形態の第３の変形例）
次に、図１２を参照し、本発明の実施の形態の第３の変形例に係る液処理ユニットについて説明する。図１２は、本変形例に係る液処理ユニットにおいて、トッププレート１１０ｃが下降した状態で、基板昇降部材９０が上昇したときのトッププレート１１０ｃ及び基板昇降部材９０近傍を拡大した断面図である。

本変形例に係る液処理ユニットは、トッププレート１１０ｃの下面１１２に凸部が形成されておらず、接触防止部１３０ｃが凸部を含まない点で、実施の形態に係る液処理ユニット２２と相違する。

本変形例でも、図１から図３を用いて説明した実施の形態に係る液処理システム１０を用いることができる。また、本変形例に係る液処理ユニットも、後述するトッププレート１１０ｃの下面１１２に凸部が形成されていない点を除き、図４を用いて説明した実施の形態に係る液処理ユニット２２と同様である。

一方、本変形例では、図１２に示すように、接触防止部１３０ｃは、凸部を有しておらず、凹部１３２を有している。また、基板昇降部材９０は、リフトピンプレート９１の上面９１ａに、リフトピンプレート９１の上面９１ａから突出して設けられた乾燥ガス供給ノズルを含んでいない。そこで、図１２に示すように、凹部１３２は、トッププレート１１０ｃの下面１１２であってリフトピン９１ｂと対向する領域に形成されている。凹部１３２は、トッププレート１１０ｃの下面１１２から上方に窪むように設けられている。そして、凹部１３２は、基板昇降部材９０がトッププレート１１０ｃに接触するときに、トッププレート１１０ｃの凹部１３２以外の部分、すなわちトッププレート１１０ｃの下面１１２が、リフトピンプレート９１のリフトピン９１ｂ以外の部分に接触するように、設けられている。

図１２に示す例でも、リフトピンプレート９１の上面９１ａからのリフトピン９１ｂの高さをＨＡとする。そして、トッププレート１１０ｃの下面１１２からの凹部１３２の深さをＨ２とする。このとき、Ｈ２＞ＨＡの関係が満たされるように、Ｈ２を決定すればよい。

上記した関係が満たされていると、トッププレート１１０ｃが下降した状態で、基板昇降部材９０をウェハＷの搬送機構２４との受け渡し位置まで上昇させるとき（基板昇降部材９０がトッププレート１１０ｃに接触するとき）、図１２に示すように、トッププレート１１０ｃの下面１１２が、リフトピンプレート９１のリフトピン９１ｂ以外の部分に接触する。しかし、リフトピン９１ｂの上端と、トッププレート１１０ｃの凹部１３２の底面１３２ａとは接触しない。トッププレート１１０ｃの下面１１２がリフトピンプレート９１に接触するとき、リフトピン９１ｂの上端とトッププレート１１０ｃの凹部１３２の底面１３２ａとの間には、なお、Ｈ２−ＨＡ（＞０）の隙間があるからである。

このように、本変形例によれば、トッププレート１１０ｃの下面１１２であってリフトピン９１ｂと対向する領域に凹部１３２が形成されている。これにより、基板昇降部材９０がトッププレート１１０ｃに近づいたとしても、トッププレート１１０ｃの凹部１３２以外の部分がリフトピンプレート９１に接触することによって、リフトピン９１ｂとトッププレート１１０ｃとの接触を防止できる。従って、基板昇降部材９０の昇降動作が規制されていないときに、トッププレート１１０ｃが下降した状態で基板昇降部材９０を上方の位置に上昇させても、リフトピン９１ｂを破損させることを防止できる。

なお、本変形例では、本発明における基板処理装置を、ウェハＷに処理液を供給し、供給された処理液によりウェハＷを処理する液処理ユニットに適用した例について説明した。しかし、本発明における基板処理装置は、ウェハＷに、処理液に代え例えばオゾンガス等の処理ガスを供給し、供給された処理ガスによりウェハＷを処理する基板処理ユニットにも適用可能である。

以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 液処理システム
２２ 液処理ユニット
９０ 基板昇降部材
９１ｂ リフトピン（載置部）
１１０ トッププレート（天板部）
１３０ 接触防止部

Claims (5)

1. 所定の処理位置に配置されている基板を処理する基板処理装置において、
   基板を前記処理位置と前記処理位置よりも上方の位置との間で昇降可能に設けられている基板昇降部材と、
   前記基板の処理時において前記処理位置で前記基板を保持する保持部材と、
   前記基板昇降部材から上方に突出して設けられており、昇降させる前記基板が載置される載置部と、
   前記処理位置に配置されている前記基板の上方に昇降可能に設けられており、下降している状態で前記基板を上方から覆う天板部と、
   前記天板部に設けられ、前記基板昇降部材が前記天板部に接触するときに、前記載置部と前記天板部との接触を防止する接触防止部と
   を有し、
   前記基板昇降部材は、前記保持部材よりも基板の中心側の領域に配置され、前記保持部材とは独立して前記処理位置から上方の位置へと上昇可能であり、
   前記接触防止部は、前記天板部の下面であって前記中心側の領域に対向する領域に設けられ、前記天板部が下降して前記基板を上方から覆っているときに前記保持部材よりも上方の位置にある、
   ことを特徴とする、基板処理装置。
2. 前記接触防止部は、
   前記天板部の下面であって前記載置部と対向する領域に形成されている凹部を含み、
   前記基板昇降部材が前記天板部に接触するときに、前記天板部の前記凹部以外の部分が前記基板昇降部材に接触することによって、前記載置部と前記天板部との接触を防止する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記接触防止部は、
   前記天板部の下面であって前記載置部と対向する領域以外の領域に形成されている凸部を含み、
   前記基板昇降部材が前記天板部に接触するときに、前記凸部が前記基板昇降部材に接触することによって、前記載置部と前記天板部との接触を防止する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記基板昇降部材は、前記基板昇降部材の上面に設けられた、処理液又はガスを供給する供給ノズルを含み、
   前記接触防止部は、
   前記天板部の下面であって、前記載置部と対向するか、あるいは前記供給ノズルと対向する領域以外の領域に形成されている凸部を含み、
   前記基板昇降部材が前記天板部に接触するときに、前記凸部が前記基板昇降部材に接触することによって、前記載置部と前記天板部との接触を防止する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
5. 前記基板昇降部材は、前記基板昇降部材の上面に設けられた、処理液又はガスを供給する供給ノズルを含み、
   前記接触防止部は、前記天板部の下面であって前記載置部と対向する領域以外の領域に形成されている凸部を含み、
   前記凸部は、前記凸部の下面であって前記供給ノズルと対向する領域に形成されている窪み部を含み、
   前記接触防止部は、前記基板昇降部材が前記天板部に接触するときに、前記凸部の前記窪み部以外の部分が前記基板昇降部材に接触することによって、前記載置部と前記天板部との接触を防止する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
   

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