JP2001319915A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に第１の液処理を施し、かつ、少なくとも金属イオンを含む第１の処理液を収容可能に構成された第１の液処理装置と、
前記第１の液処理装置により液処理を施された被処理基板に対し、第２の液処理を施す第２の液処理装置と、
多段に配置された前記第１の液処理装置及び前記第２の液処理装置に隣接し、かつアクセス可能に配設された第１の搬送手段と、
少なくとも前記第２の液処理装置にアクセス可能に構成された第２の搬送手段と、を備え、
前記第２の液処理装置により液処理が施された被処理基板は、前記第２の搬送手段によってのみ前記第２の液処理装置外へ搬出されることを特徴とする液処理システム。
【請求項２】
前記第１の液処理は、前記被処理基板のメッキ処理であり、前記第２の液処理は、前記第１の液処理装置によりメッキ処理された被処理基板に対する洗浄処理であることを特徴とする請求項１記載の液処理システム。
【請求項３】
前記第１の液処理装置で液処理された後の前記被処理基板に加熱処理を施す加熱装置を更に具備することを特徴とする請求項１又は２記載の液処理システム。
【請求項４】
前記第１の搬送手段は、前記第１の液処理装置から前記被処理基板を搬出して前記第２の液処理装置に搬入することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液処理システム。
【請求項５】
請求項１ないし４の何れか１項に記載の液処理システムであって、前記第１の液処理装置が、前記第２の液処理装置の下側に配設されていることを特徴とする液処理システム。
【請求項６】
請求項１ないし５の何れか１項に記載の液処理システムであって、前記第１の搬送手段が、前記第１の液処理装置から搬出された前記被処理基板を上下反転させて前記第２の液処理装置へ搬入する反転機能を更に具備することを特徴とする液処理システム。
【請求項７】
請求項１ないし６の何れか１項に記載の液処理システムであって、前記第１の液処理装置で液処理される前又は後に、前記被処理基板に第３の液処理を施す第３の液処理装置を更に具備することを特徴とする液処理システム。
【請求項８】
前記加熱装置は、前記第１の液処理装置の上側に配設されたことを特徴とする請求項３記載の液処理システム。
【請求項９】
請求項１ないし８の何れか１項に記載の液処理システムにおいて、前記システム内を、システム外の圧力より低い圧力にするための排気手段を更に具備することを特徴とする液処理システム。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の液処理システムであって、前記液処理システム内の温度を制御する温度制御手段を更に具備することを特徴とする液処理システム。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の液処理システムであって、前記第１の液処理装置内に、清浄化された気体を供給する気体供給手段を更に具備することを特徴とする液処理システム。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の液処理システムであって、前記第１の液処理装置が、その内部雰囲気を略気密な状態に維持可能に構成された箱体を有していることを特徴とする液処理システム。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の液処理システムであって、前記第１の液処理装置が、前記第１の液処理装置を収容した空間内の温度を制御する温度制御手段を具備することを特徴とする液処理システム。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の液処理システムであって、前記第１の液処理装置、及び、前記第２の液処理装置が、それぞれ独立した着脱可能なユニットを形成していることを特徴とする液処理システム。
【請求項１５】
前記第１の搬送手段は、前記第１の液処理装置及び前記第３の液処理装置のいずれか一方から前記被処理基板を搬出し、いずれか他方に搬入することを特徴とする請求項７に記載の液処理システム。
【請求項１６】
前記第１の液処理及び前記第３の液処理は、メッキ処理であることを特徴とする請求項７記載の液処理システム。

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエハ等の被処理基板の液処理に係り、更に詳細には複数の液処理装置を用いる液処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体ウエハ等の被処理基板の表面に金属層を形成する方法として、スパッタリング方法などの気相で行なう方法やメッキ方法などの液相で行なう液処理方法が知られているが、より高い解像度が得られる点で液層で行なうメッキ方法が多用されている。メッキ方法により金属層を形成する場合、メッキ液を収容したメッキ液槽を用意してこの中に被処理基板を浸漬してメッキ処理を行なうため、メッキ液槽が必須となる。
【０００３】
ところで、半導体ウエハ上に形成する半導体素子の構造が複雑化するのに伴い、組成の異なる複数のメッキ液を用いるようになってきており、使用するメッキ液槽の数が増大している。また、半導体の製造コストを低減化するには一度に多数のウエハＷを処理する必要があるため、メッキ液槽の数が必然的に増大する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、多数のメッキ液槽を並べるには広い面積の作業空間を必要とするため、装置の占有面積が増大し、製造コストの増大を招くという問題がある。また、解放された処理室にメッキ液槽を配設すると、メッキ液槽からメッキ液を含んだミストが拡散し、処理室全体を汚染してメッキ層の品質が低下するという問題がある。更に、大きな処理室に多数のメッキ液槽を配設すると個々のメッキ液槽の状態を管理することが困難となり、得られる金属層の品質が低下するという問題がある。また、組成の異なるメッキ液槽を隣接配置すると、一のメッキ液槽から他のメッキ液槽にメッキ液が混入する虞れがあるため、狭い面積で異なる種類のメッキ液槽を配設できないという問題がある。
【０００５】
本発明は上記従来の問題を解決するためになされたものである。即ち本発明は、面積効率が高く、製品としての半導体装置の製造コストを低減できる液処理システム、及び液処理システムを提供することを目的とする。また本発明は、液処理システムや各液処理装置の雰囲気を個別に制御できる液処理システム及び液処理方法を提供することを目的とする。更に本発明は、保守管理を容易に行なうことのできる液処理システム及び液処理方法を提供することを目的とする。また、本発明は、異なる種類の処理液を使う液処理装置を高密度に配置、高効率の処理が可能な液処理システム、及び液処理システムを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の態様に係る液処理システムは、被処理基板に第１の液処理を施し、かつ、少なくとも金属イオンを含む第１の処理液を収容可能に構成された第１の液処理装置と、第１の液処理装置により液処理を施された被処理基板に対し、第２の液処理を施す第２の液処理装置と、多段に配置された第１の液処理装置及び第２の液処理装置に隣接し、かつアクセス可能に配設された第１の搬送手段と、少なくとも第２の液処理装置にアクセス可能に構成された第２の搬送手段と、を備え、第２の液処理装置により液処理が施された被処理基板は、第２の搬送手段によってのみ第２の液処理装置外へ搬出されることを特徴とする。請求項１の液処理システムでは、前記第１の液処理装置と前記第２の液処理装置とを多段に配設したので、液処理システムにおけるフットプリントを小さく抑えることができる。また、第２の液処理装置により液処理が施された被処理基板は第２の搬送手段によってのみ第２の液処理装置外へ搬出される構成を採用しているので、第２の液処理装置での処理が完了した被処理基板に前記第１の搬送手段が触れて被処理基板が汚れることが防止される。
【０００７】
本発明の第２の態様に係る液処理システムは、第１の液処理は、被処理基板のメッキ処理であり、第２の液処理は、第１の液処理装置によりメッキ処理された被処理基板に対する洗浄処理であることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第３の態様に係る液処理システムは、第１の液処理装置で液処理された後の被処理基板に加熱処理を施す加熱装置を更に具備することを特徴とする。第３の態様に係る液処理システムでは、第１の液処理装置で液処理された後の被処理基板に加熱処理を施す加熱装置を更に具備しているので、例えば被処理基板上に形成した銅メッキ層を改質するアニーリング処理などの加熱処理を施すことができる。同じく第４の態様に係る液処理システムは、第１の搬送手段は、第１の液処理装置から被処理基板を搬出して第２の液処理装置に搬入することを特徴とする。
【０００９】
本発明の第５の態様に係る液処理システムは、第１の液処理装置が、前記第２の液処理装置の下側に配設されていることを特徴とする。
【００１０】
第５の態様に係る液処理システムでは、第１の液処理装置が第２の液処理装置の下側に配設されているので、例えば、第１の液処理装置としてメッキ処理装置を配設し、第２の液処理装置として洗浄装置を配設することにより、第２の液処理装置側が第１の液処理装置の雰囲気により汚染されることが防止される。
【００１１】
本発明の第６の態様に係る液処理システムは、第１の搬送手段が、第１の液処理装置から搬出された被処理基板を上下反転させて第２の液処理装置へ搬入する反転機能を更に具備することを特徴とする。第６の態様に係る液処理システムでは、第１の搬送手段が、被処理基板を反転させる機能を具備しているので、第１の液処理装置から第２の液処理装置へと速やかに被処理基板を搬送することができる。
【００１２】
本発明の第７の態様に係る液処理システムは、第１の液処理装置で液処理される前又は後に、被処理基板に第３の液処理を施す第３の液処理装置を更に具備することを特徴とする。第７の態様に係る液処理システムでは、第３の液処理を施す第３の液処理装置を更に具備しているので、第１の液処理装置や第２の液処理装置の他に、種類の異なる第３の液処理を施すことが出来る。
【００１３】
本発明の第８の態様に係る液処理システムは、加熱装置が、第１の液処理装置の上側に配設されたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の第９の態様に係る液処理システムは、システム内をシステム外の圧力より低い圧力にするための排気手段を更に具備することを特徴とする。第９の態様に係る液処理システムでは、システム内をシステム外の圧力より低い圧力にするための排気手段を更に具備しているので、液処理システム内から液処理システム外へ汚染された空気が流れ出ることが防がれ、システム外へ汚染が拡散するのを防止することができる。
【００１５】
本発明の第１０の態様に係る液処理システムは、液処理システム内の温度を制御する温度制御手段を更に具備することを特徴とする。第１０の態様に係る液処理システムでは、液処理システム内の温度を制御する温度制御手段を更に具備しているので、システム内の温度上昇を抑えることができ、それにより処理液のミストの発生を防止することができる。
【００１６】
本発明の第１１の態様に係る液処理システムは、第１の液処理装置内に、清浄化された気体を供給する第２の気体供給手段を更に具備することを特徴とする。第１１の態様に係る液処理システムでは、第１の液処理装置内に、清浄化された気体を供給する第２の気体供給手段を更に具備しているので、第１の液処理装置内を常に清浄な雰囲気に保つことが出来る。
【００１７】
本発明の第１２の態様に係る液処理システムは、第１の液処理装置が、その内部雰囲気を略気密な状態に維持可能に構成された箱体を有していることを特徴とする。第１２の態様に係る液処理システムでは、第１の液処理装置が、その内部雰囲気を略気密な状態に維持可能に構成された箱体を有しているので、第１の液処理装置の外部雰囲気を汚染することが防止できる。
【００１８】
本発明の第１３の態様に係る液処理システムは、第１の液処理装置が、第１の液処理装置を収容した空間内の温度を制御する温度制御手段を具備することを特徴とする。第１３の態様に係る液処理システムでは、第１の液処理装置が、第１の液処理装置を収容した空間内の温度を制御する温度制御手段を具備しているので、ミストの発生を防止することができる。
【００１９】
本発明の第１４の態様に係る液処理システムは、第１の液処理装置、及び、第２の液処理装置が、それぞれ独立した着脱可能なユニットを形成していることを特徴とする。第１４の態様に係る液処理システムでは、第１の液処理装置、及び、第２の液処理装置が、液処理システムに対して着脱可能に配設されているので、保守管理がし易く、保守管理の効率が向上する。また、第１の液処理装置、及び、第２の液処理装置がそれぞれ独立したユニットを形成しているので、一つのユニットの処理能力が低下して取り替える必要が生じたときにも他のユニットで処理を進めることができる。
【００２０】
本発明の第１５の態様に係る液処理システムは、第１の搬送手段が、第１の液処理装置及び第３の液処理装置のいずれか一方から被処理基板を搬出し、いずれか他方に搬入することを特徴とする。
【００２１】
本発明の第１６の態様に係る液処理システムは、第１の液処理及び第３の液処理が、メッキ処理であることを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
（第一の実施の形態）以下、本発明の第一の実施の形態に係る銅メッキ用のメッキ処理システムについて説明する。図１は本実施形態に係るメッキ処理システムの斜視図であり、図２は同メッキ処理システムの平面図であり、図３は同メッキ処理システムの正面図であり、図４は同メッキ処理システムの側面図である。
【００２３】
図１〜図４に示したように、このメッキ処理システム１はウエハＷを出し入れしたり運搬するキャリアステーション２とウエハＷに実際に処理を施すプロセスステーション３とから構成されている。キャリアステーション２はウエハＷを収容する載置台２１と載置台２１上に載置されたキャリアカセットＣにアクセスしてその中に収容されたウエハＷを取り出したり、処理が完了したウエハＷを収容したりする第２の搬送手段としてのサブアーム２２とから構成されている。キャリアカセットＣ内には複数枚、例えば２５枚のウエハＷを等間隔毎に水平に保った状態で垂直方向に収容されるようになっている。
【００２４】
載置台２１上には図中Ｘ方向に例えば４個のキャリアカセットＣが配設されている。サブアーム２２は図中Ｘ方向に配設されたレール上を移動するとともに鉛直方向（Ｚ方向）即ち図中紙面に垂直な方向に昇降可能かつ水平面内で回転可能な構造を備えており、載置台２１上に載置されたキャリアカセットＣ内にアクセスして未処理のウエハＷをキャリアカセットＣから取り出したり、処理が完了したウエハＷをキャリアカセットＣ内に収納するようになっている。またこのサブアーム２２は後述するプロセスステーション３との間でも、処理前後のウエハＷを受け渡しするようになっている。
【００２５】
プロセスステーション３は図１〜図４に示すように直方体又は立方体の箱型の外観を備えており、その周囲全体は耐腐食性の材料、例えば樹脂や表面を樹脂でコーティングした金属板などでできたハウジング３１で覆われている。プロセスステーション３の内部は図１及び図４に示すように略立方形或いは直方形の箱型の構成となっており、内部には処理空間Ｓが形成されている。
【００２６】
処理空間Ｓは図１及び図４に示したように直方体型の処理室であり、処理空間Ｓの底部には底板３３が取り付けられている。処理空間Ｓには、複数の処理ユニット、例えば４基のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４が例えば処理空間室Ｓ内の、次に説明するメインアーム３５の周囲にそれぞれ配設されている。
【００２７】
図１及び図２に示すように底板３３のほぼ中央にはウエハを搬送するための第１の搬送手段としてのメインアーム３５が配設されている。このメインアーム３５は昇降可能かつ水平面内で回転可能になっており、更に略水平面内で伸縮可能な上下二本のウエハ保持部材を備えており、これらのウエハ保持部材を伸縮させることによりメインアーム３５の周囲に配設された処理ユニットに対して処理前後のウエハＷを出し入れできるようになっている。またメインアーム３５は垂直方向に移動して上側の処理ユニットへも出入りできるようになっており、下段側の処理ユニットから上段側の処理ユニットへウエハＷを運んだり、その逆に上側の処理ユニットから下段側の処理ユニットへウエハＷを運ぶこともできるようになっている。更にこのメインアーム３５は保持したウエハＷを上下反転させる機能を備えており、一の処理ユニットから他の処理ユニットへウエハＷを搬送する間にウエハＷを上下反転できる構造を備えている。なおこのウエハＷを反転できる機能はメインアーム３５に必須の機能ではない。
【００２８】
上段側には他の処理ユニット、例えば第２の液処理装置としての洗浄処理ユニット（ＳＲＤ）７０が例えば２基キャリアステーションに近い側、即ち前記メッキ処理ユニットＭ１，Ｍ２の上側にそれぞれ配設されている。このように複数の処理ユニットが上下方向に多段配置されているので、液処理システムの面積効率を向上させることが出来る。
【００２９】
プロセスステーション３のハウジング３１のうち、キャリアステーション２に対面する位置に配設されたハウジング３１ａには、図３に示すように３つの開閉可能な開口部Ｇ１〜Ｇ３が配設されている。これらのうちＧ１は下段側に配設されたメッキ処理ユニットＭ１とＭ２との間に配設された中継載置台３６の位置に対応する開口部であり、キャリアカセットＣからサブアーム２２が取り出した未処理のウエハＷをプロセスステーション３内に搬入する際に用いられる。搬入の際には開口部Ｇ１が開かれ、未処理ウエハＷを保持したサブアーム２２が処理空間Ｓ内にウエハ保持部材を伸ばしてアクセスし、中継載置台３６上にウエハＷを置く。この中継載置台３６にメインアーム３５がアクセスし、中継載置台３６上に載置されたウエハＷを保持してメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４などの処理ユニット内まで運ぶ。残りの開口部Ｇ２及びＧ３は処理空間Ｓのキャリアステーション２に近い側に配設されたＳＲＤに対応する位置に配設されており、これらの開口部Ｇ２、Ｇ３を介してサブアームが処理空間Ｓ内にアクセスし、上段側に配設されたＳＲＤに直接アクセスして処理が完了したウエハＷを受け取ることができるようになっている。そのためＳＲＤで洗浄されたウエハＷが汚れたメインアームに触れて汚染されることが防止される。
【００３０】
また、処理空間Ｓ内には図４中上から下向きのエアフローが形成されており、システム外から供給された清浄なエアが処理空間Ｓの上部から供給され、洗浄処理ユニット、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４に向けて流下し、処理空間Ｓの底部から排気されてシステム外に排出されるようになっている。このように処理空間Ｓ内を上から下に清浄な空気を流すことにより、下段側のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４から上段側の洗浄装置の方には空気が流れないようになっている。そのため、常に洗浄処理ユニット側は清浄な雰囲気に保たれている。
【００３１】
更に、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４や洗浄処理ユニット等の各処理ユニット内はシステムの処理空間Ｓよりも陰圧に維持されており、空気の流れは処理空間Ｓ側から各処理ユニット内に向って流れ、各処理ユニットからシステム外に排気される。そのため、処理ユニット側から処理空間Ｓ側に汚れが拡散するのが防止される。
【００３２】
図５はメッキ処理ユニットＭ１の垂直断面図である。図５に示すように、このメッキ処理ユニットＭ１では、ユニット全体が密閉構造のハウジング４１で覆われている。このハウジング４１も樹脂等の耐腐食性の材料で構成されている。ハウジング４１の内側は概ね上下二段に分かれた構造になっており、排気路を内蔵したセパレータ４２により、セパレータ４２の上側に位置する第１の処理部Ａと、セパレータ４２の下側に位置する第２の処理部Ｂとに仕切り分けられている。そのため、第２の処理部Ｂ側から上側の第１の処理部Ａ側に汚れが拡散するのが防止される。
【００３３】
セパレータ４２の中央には貫通孔６５が設けられており、この貫通孔６５を介して後述するドライバ４８に保持されたウエハＷが第１の処理部Ａと第２の処理部Ｂとの間を行き来できるようになっている。処理部Ａと処理部Ｂとの境界にあたる部分のハウジングには開口部とこの開口部を開閉するゲートバルブ６６が設けられている。このゲートバルブ６６を閉じるとメッキ処理ユニットＭ１内はその外側の処理空間Ｓとは隔絶された空間となるので、メッキ処理ユニットＭ１から外側の処理空間Ｓ内への汚れの拡散が防止される。
【００３４】
またメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４はそれぞれ別個独立に運転することができ、処理システムに対してそれぞれが着脱可能に構成されている。そのため、一つのメッキ処理ユニットについての保守管理時など運転できない場合には、他のメッキ処理ユニットを代替使用することができ、保守管理が容易に行なえる。
【００３５】
第１の処理部ＡにはウエハＷを略水平に保持して回転させる基板保持機構としてのドライバ４８が配設されている。このドライバ４８はウエハＷを保持する保持部４９と、この保持部４９ごとウエハＷを略水平面内で回転させるモータ５０とから構成されており、モータ５０の外套容器にはドライバ４８を支持する支持梁５１が取りつけられている。支持梁５１の端はハウジング４１の内壁に対してガイドレール５２を介して昇降可能に取り付けられている。支持梁５１は更にシリンダ５３を介してハウジング４１に取りつけられており、このシリンダ５３及びモータ５０を駆動することによりドライバ４８の位置を上下できるようになっている。
【００３６】
具体的には図５に示したように、ドライバ４８の位置はウエハＷを搬出入するための搬送位置（Ｉ）と、ウエハＷ下面側の被処理面を洗浄する洗浄位置（ＩＩ）後述するスピンドライを行なうためのスピンドライ位置（ＩＩＩ）、及びウエハＷをメッキ液に浸漬した状態でメッキを行なうメッキ位置（ＩＶ）の主に４つの異なる高さの間で上下動させる。なお、ドライバ４８の内部にはウエハＷだけを昇降させる昇降機構（図示省略）が配設されており、この昇降機構を作動させることにより、ドライバ４８の高さを変えずにウエハＷの高さだけをドライバ４８内部で変えることができる。この昇降機構はウエハＷ下面外周縁部で接触して電圧を印加するカソードコンタクト（図示省略）と呼ばれる接点とウエハＷとを接離させるときに作動させるものであり、例えばカソードコンタクトを洗浄する際にウエハＷを上昇させて接点表面を露出させ、ノズルから噴射された水により洗浄しやすくする。
【００３７】
第２の処理部Ｂには例えば硫酸銅などの、銅メッキ用のメッキ液を収容するメッキバス５４が配設されている。メッキバス５４は二重構造になっており、内槽５４ａの外側に外槽５４ｂが略同軸的に配設されている。メッキバス５４は前述したドライバ４８の真下に配設されており、メッキ液で内槽５４ａを満たしたときにメッキ液の液面がメッキ位置（ＩＶ）で停止させたドライバ４８に保持されたウエハＷよりもメッキ液液面の方が高くなる高さに内槽５４ａが固定されている。
【００３８】
内槽５４ａの内部にはメッキ液を底部側から上面に向けて噴出させる噴出管５５が内槽５４ａの底部略中心から内槽５４ａの深さ方向略中間付近まで伸びており、噴出管５５の周囲には電解メッキ処理時にアノードとして機能する電極５６が配設されている。
【００３９】
噴出管５５の端部外周と内槽５４ａとの間には隔膜５７が配設されており、電解メッキ時に電極５６から混入する異物がメッキ液液面に浮上してメッキの障害になるのを防止している。内槽５４ａ底部の中心から偏心した位置にはメッキ液を循環させるための循環配管５８，５９が配設されており、図示しないポンプによりメッキ液を循環させ、循環配管５９で吸い込んだメッキ液を循環配管５８から供給するようになっている。
【００４０】
外槽５４ｂは内槽５４ａの外壁面との間にメッキ液の流れる流路６２を形成している。更に外槽５４ｂの底部には流路６２に流れ込んだメッキ液を内槽５４ａ内に戻すための配管６１が接続されている。この配管６１は前記噴出管５５とポンプ６０を介して繋がっており、このポンプ６０を作動させることにより内槽５４ａから溢れ出して流路６２、配管６１に流れ込んだメッキ液を再び内槽５４ａ内に戻すと共にウエハＷ下面側の被処理面に向けて噴出できるようになっている。
【００４１】
第１の処理部Ａにはクリーンルームのように清浄な空気の流れを循環させる機構が配設されている。即ち、ハウジング４１の最上部には第１の処理部Ａに向けて空気を下向きに流すための空気吹出口４３が配設されており、この空気吹出口４３には空気を供給するための空気供給配管４４が接続されている。空気供給配管４４の空気移動方法上流側は前記セパレータ４２内の最上部側に埋設された空気路４５と繋がっている。セパレータ４２の上面には空気を取り込むための空気取込口４６が形成されており、第１の処理部Ａを流下してきた空気を取り込むようになっている。また空気供給配管４４の途中には空気を移動させるためのファン（図示省略）やコンプレッサ４７が配設されており、空気取込口４６で取り込んだ空気を空気供給配管４４を経由して空気吹出口４３に送る。空気吹出口４３には空気中の埃や塵などを除去するためのフィルタ４７が配設されており、空気吹出口４３からセパレータ４２の空気取り込み口４６に向けて第１の処理部Ａ内を下向きに流れる清浄な空気のダウンフローを形成している。このように内部で空気を清浄化し、この清浄化された空気を図中下向きに流すことで処理部Ａ内を清浄な雰囲気に保っている。
【００４２】
一方、セパレータ４２の下方には第２の処理部が形成されている。この第２の処理部Ｂは前記第１の処理部Ａとは別個独立に形成された空間であり、第１の処理部Ａを流れる空気が第２の処理部Ｂに流れ込んだり、第２の処理部Ｂの空気が第１の処理部Ａに流れ込むことはない。このように処理部Ｂ側から処理部Ａ側に空気が流れないようにすることで処理部Ａ内を清浄雰囲気に保っている。
【００４３】
セパレータ４２の下側には排気口６４が配設されている。この排気口６４は図示しない排気系に繋がれており、第２の処理部Ｂの空気中に飛散したメッキ液の微粒子等をこの排気口６４で吸い込んで排気とともにメッキ処理システム外へ排出する。このように処理部Ｂの空気中に含まれる微粒子をメッキ処理システム外へ排出することによりメッキ処理ユニット内やメッキ処理システム内を清浄な雰囲気に維持している。
【００４４】
セパレータ４２のうち、ドライバ４８が出入りする貫通口６５の内壁下部には複数の洗浄ノズル１６２，１６２，…が配設されており、洗浄位置で停止したウエハＷの下面に向けて例えば純水を噴出して洗浄するようになっている。なお、この貫通口６５の部分に水平方向のエアカーテンを形成することも可能である。例えば、セパレータ４２の一方から清浄な空気を平面状に吹き出す一方、吹出口の反対側に吸気口を設けてメッキバス５４の上部を通過してきた空気を吸引しシステム外へ排気する方法などが挙げられる。このように処理部Ａと処理部Ｂとの境界にエアカーテンを形成することにより、メッキバス５４からのメッキ液を含んだミストが処理部Ａ側に拡散するのを防止することができる。
【００４５】
また、このメッキ処理ユニットＭ１内には温度調節装置や湿度調節装置を配設することも可能である。その場合にはメッキ処理ユニットＭ１内を所定の温度や湿度を維持するように制御されるので、メッキ液などのミストの発生を防止することができ、メッキ処理ユニットＭ１内の空気が汚染されるのを防止している。
【００４６】
図６及び図７は本実施形態に係る洗浄処理ユニット（ＳＲＤ）７０の構造を模式的に示した垂直断面図である。この洗浄処理ユニット７０では略直方体の箱型ハウジング７１内に固定カップ７２が配設され、この固定カップ７２の内側に回転カップ７３とリフタ７４とが配設された構造を備えている。ハウジング７１には前記メインアーム３５に面する開口部７５と前記サブアーム２２側に面する開口部７７とが配設されており、それぞれの開口部７５、７７を開閉するためのゲートバルブ７６、７８がそれぞれ配設されている。これらのゲートバルブを閉じることにより洗浄処理ユニット７０は処理空間Ｓから遮断され、洗浄処理ユニット７０内部からその外側の処理空間Ｓに汚れた空気が拡散しないようになっている。
【００４７】
また、この洗浄処理ユニット７０内には圧力をその外側よりも陰圧に保つ圧力制御装置や、温度や湿度を制御する装置などを配設してもよい。内部の圧力を処理空間Ｓより陰圧に保つことにより、洗浄処理ユニット７０からその外側に汚染が拡散するのが防止される。また、温度や湿度を制御することにより汚染源を含んだミストの発生が防止される。
【００４８】
回転カップ７３はウエハＷを保持して回転するようになっており、保持されたウエハＷの上下各面に洗浄液を供給することでウエハＷを洗浄する。回転カップ７３の側壁は図６の小円中に示したようにチャック部材９２が傾くようになっており、回転カップ７３静止時には小円Ａに示したように先端部９２ａがウエハＷ外周縁から離間してウエハＷを着脱可能に載置し、回転カップ７３の回転時には、小円Ｂに示したように遠心力で先端部９２ａがウエハＷの外周縁を半径方向内向きに押圧してしっかりと固定する。
【００４９】
また回転カップ７３の上方にはエッジリムーバ１０１が回転カップ７３の回転軸１００を中心とする円の半径方向に水平移動するようになっており、エッジリムーバ１０１に挟持されたウエハＷの外周縁部を洗浄する。即ち、図７に示したように、ウエハＷの外周縁を洗浄する際には、リフタ７４で持ち上げたウエハＷにエッジリムーバ１０１，１０１，…が近接してウエハＷ外周縁を挟み込み、内側に配設された配管１０３からフッ酸化水を供給する一方、別の配管１０４で吸引することによりウエハＷ外周縁を洗浄する。
【００５０】
図８および図９は、本実施形態に係るアニーリングユニットの構成を示す平面図および断面図である。なお、図８では、図解のために水平遮蔽板１１２を省略してある。このアニーリングユニットの処理室１１０は両側壁１１１と水平遮蔽板１１２とで形成され、処理室１１０の正面側（メインアーム３５側）および背面側はそれぞれ開口部１１０Ａ，１１０Ｂとなっている。遮蔽板１１２の中心部には円形の開口１１３が形成され、この開口１１３内には円盤状のサセプタ１２０が設けられる。
【００５１】
サセプタ１２０には例えば３つの貫通孔１２１が設けられ、各貫通孔１２１内には支持ピン１２２が遊嵌状態で挿通されており、ウエハＷのローディング・アンローディング時には各支持ピン１２２がサセプタ１２０の表面より上に突出または上昇してメインアーム３５の保持部材３５ａとの間でウエハＷの受け渡しを行うようになっている。サセプタ１２０の外周囲には、円周方向にたとえば２°間隔で多数の通気孔１２４を形成したリング状の帯板からなるシャッタ１２６が設けられている。このシャッタ１２６は、通常はサセプタ１２０より下の位置に退避しているが、アニーリングなどの熱処理時には図９に示すようにサセプタ１２０の上面よりも高い位置まで上昇して、サセプタ１２０とカバー体１２８との間にリング状の側壁を形成し、図示しない気体供給系より送り込まれるダウンフローの空気や窒素ガス等の不活性ガスを通気孔１２４より周方向で均等に流入させるようになっている。
【００５２】
カバー体１２８の中心部には熱処理時にウエハＷ表面から発生するガスを排出するための排気口１２８ａが設けられ、この排気口１２８ａに排気管１３０が接続されている。この排気管１３０は、装置正面側（メインアーム３５側）のダクト（図示省略）に通じている。遮蔽板１１２の下には、遮蔽板１１２、両側壁１１１および底板１１４によって機械室１１５が形成されており、室内にはサセプタ支持板１１６、シャッタアーム１１７、支持ピンアーム１１８、シャッタアーム昇降駆動用シリンダ１１９、支持ピンアーム昇降駆動用シリンダ１２５が設けられている。
【００５３】
図８に示すように、ウエハＷの外周縁部が載るべきサセプタ１２０の表面位置に複数個たとえば４個のウエハＷ案内支持突起部１３１が設けられている。サセプタ１２０内部にはニクロム線等の電熱ヒータ（図示省略）が設けられており、この電熱ヒータを加熱することによりサセプタ１２０を所定温度に維持するようになっている。
【００５４】
図１０はメッキ処理システム全体のフローを示すフローチャートである。図１０に示すように、電源を投入してこのメッキ処理システムを立ち上げ、載置台２１上に未処理のウエハＷが１ロット、例えば２５枚収容されたキャリアカセットＣを図示しない搬送用ロボットを使って載置すると、サブアーム２２は未処理ウエハＷがセットされたことを認識してキャリアカセットＣの前まで移動し、ウエハ保持部２２ａをキャリアカセットＣ内に差し込んで中に収容されている未処理のウエハＷを取り出し、このウエハＷをプロセスステーション内にある中継載置台３６上に一旦載置する。なお、載置台２１の近傍にアライメント調整装置（図示省略）を配設し、このアライメント調整装置でウエハＷの向き（アライメント）を調整してからサブアーム２２や中継載置台３６上にウエハＷが搬送されるようにしてもよい。
【００５５】
中継載置台３６上に未処理ウエハＷが載置されると、メインアーム３５がウエハＷの載置を認識して作動を開始し、中継載置台３６のところまでアクセスして未処理ウエハＷを受け取る。未処理ウエハＷを受け取ったメインアーム３５は今度は処理空間Ｓの下段側に配設されたメッキ処理ユニット、例えばメッキ処理ユニットＭ１にアクセスしてこのメッキ処理ユニットＭ１内へ未処理のウエハＷを搬入する。
【００５６】
以下、メッキ処理ユニットＭ１内での処理のフローについては図１１及び図１３〜図２４に沿って説明する。図１１はメッキ処理ユニットＭ１内で行なわれるメッキ処理のフローを図示したフローチャートであり、図１２〜図２３はメッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【００５７】
中継載置台３６から未処理のウエハＷを受け取ったメインアーム３５はメッキ処理ユニットＭ１にアクセスする。即ち、メッキ処理ユニットＭ１ではゲートバルブ６６が開かれ、未処理ウエハＷを保持したままメインアーム３５が第１の処理部Ａに進入して図１２に示すように前記搬送位置（Ｉ）で待機しているドライバ４８に未処理のウエハＷを引き渡す（ステップ２（１））。なお、このときメッキバス５４は一杯になるまでメッキ液で満たしておく。このときメッキ処理ユニットＭ１内は処理空間Ｓよりも陰圧に維持されているので、ゲートバルブ６６が開かれても空気は処理空間Ｓ側からメッキ処理ユニットＭ１内に向って流れ、メッキ処理ユニットＭ１からメッキ液を含んだミストが処理空間Ｓ側に流れ出て汚染が拡散されることはない。
【００５８】
未処理のウエハＷをドライバ４８の保持部４９にセットし終えたら、ゲートバルブ６６を閉じ、シリンダ５３を駆動して図１３に示すようにドライバ４８をメッキ位置（ＩＶ）まで下降させる（ステップ２（２））。この下降操作により保持部４９に保持されたウエハＷ下面側の被処理面はメッキバス５４内のメッキ液液面と接触するが、この液面と接触する際に空気の泡がウエハＷ表面に形成され易い。
【００５９】
空気の泡がウエハＷ表面に付着したままでメッキ処理を行なうとウエハＷ表面に形成されるメッキ層が不均一になるので、図１４に示したように、ウエハＷをメッキ液液面に接触させた状態でドライバ４８のモータ５０を作動させてウエハＷを略水平面内で回転させることによりウエハＷ表面の泡抜きを行なう（ステップ２（３））。
【００６０】
泡抜きを十分行なったら同じ高さを維持しながらモータ５０の回転速度を下げ、ウエハＷとメッキバス５４内のアノード５６との間に電圧を印加してメッキを開始する（ステップ２（４））。
【００６１】
所定時間経過して十分な厚さのメッキ層がウエハＷ上に形成されたら、電圧の印加を停止してメッキ層の形成を停止し、バルブＶ１を開くと共に汲み出しポンプ６７を作動させてメッキ液をタンク６８内に戻し、図１５に示すようにメッキバス５４内の液面を下降させる（ステップ２（５））。
【００６２】
ホルダを上昇させてウエハＷをスピンドライ位置（ＩＩＩ）まで移動させる。この状態でモータ５０を作動させてウエハＷを水平面内で回転させ、スピンドライを実行する（ステップ２（６））。
【００６３】
スピンドライによりメッキ液がウエハＷから大方取り除かれたら、図１６に示すように、ドライバ４８を前記した洗浄位置（ＩＩ）まで上昇させる（ステップ２（７））。
【００６４】
次に図１７に示すように、この状態でモータ５０を駆動してウエハＷを回転させながらノズル１６２，１６２，…から純水をウエハＷ下面に向けて噴出してウエハＷ下面を洗浄する（ステップ２（８））。
【００６５】
ウエハＷ下面の洗浄が終了したら、図１８に示すように、ドライバ４８の高さはそのまま保ち、図示しない昇降機構によりドライバ４８内のウエハＷだけを僅かに上昇させてノズル１６２，１６２から噴出する純水がちょうどウエハＷ下面と保持部との接点であり、電気的に接続するカソードコンタクト（図示省略）に当たる高さまで上昇させる。この状態でノズル１６２，１６２，…から純水を噴出させて前記カソードコンタクト表面を洗浄する（ステップ２（９））。
【００６６】
カソードコンタクトの洗浄が完了したら図１９に示すように再びウエハＷが電気接点と当接する高さまで下降させ（図２０、ステップ２（１０））、図２１に示すようにモータ５０を作動させてスピンドライを行なって水分を取り除く（ステップ２（１１））。
【００６７】
スピンドライが完了したら、図２２に示すようにドライバ４８を搬送位置（Ｉ）まで上昇させ（ステップ２（１２））、図２３に示したように、この位置で維持しながらゲートバルブ６６を開いてメインアーム３５を進入させ、メッキ処理ユニットＭ１での処理が完了したウエハＷを搬出する（ステップ２（１３））。前記泡抜き時やメッキ時、メッキ液にウエハＷを接離させるとき、或いはスピンドライ時、洗浄時等にメッキ液がメッキバス５４外に飛散するが、このメッキバス５４の配設された処理部Ｂ内の空気は処理時間中常に排気されているので、メッキバス５４から飛散したメッキ液は空気とともに排気され、処理部Ｂ内にメッキ液のミストが充満したり、処理部Ｂから処理部Ａや処理空間Ｓ側にメッキ液を含んだミストが拡散することはない。
【００６８】
なお、上記最後のスピンドライではウエハＷを完全に乾燥させず、幾分水分が残る程度で止めておき、メッキ処理ユニットＭ１からの搬出時もウエハＷ表面が幾分水分で濡れた状態で搬送する。こうすることによりウエハＷが乾燥してウエハＷ表面にパーティクルが発生するのが防止される。
【００６９】
メッキ処理ユニットＭ１でのメッキ処理工程が完了したら、後続の処理を行なう処理ユニットへウエハＷを搬送する。例えば前記メッキ処理ユニットＭ１とは組成の異なるメッキ液を用いる他のメッキ処理ユニットＭ２〜Ｍ４で更に別のメッキ処理を行なう場合には当該メッキ処理ユニットＭ２〜Ｍ４内へ搬入して前記と同様にして追加の後続のメッキ処理を行なう。
【００７０】
メッキ処理ユニットＭ１から後続の他の処理ユニット、例えばメッキ処理ユニットＭ２〜Ｍ４や、第２の処理装置としての洗浄処理ユニット等へ搬送する間に、必要に応じてウエハＷをメインアーム３５で保持したまま上下反転させる。例えばメッキ処理ユニットＭ１でウエハＷの下面側にメッキ層を形成した後、洗浄処理ユニットでメッキ層を形成した面を上側にして洗浄する場合等である。このようにウエハＷの搬送時にメインアーム３５上でウエハＷを上下反転できるので、処理の工程に無駄がなく、速やかにウエハＷの搬送と上下反転とを同時に行なうことができる。
【００７１】
一連のメッキ処理工程が完了したら、最後のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４内へメインアーム３５がアクセスしてメッキ処理の完了したウエハＷを取り出す。しかる後にメインアーム３５はウエハＷを保持したままその保持部３５ａを処理空間Ｓの上部へ移動させ、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４の上段側に配設されている洗浄処理ユニット７０内に搬入する。
【００７２】
このとき、処理空間Ｓ内には図中上方から下方に向けてクリーンエアが流下するダウンフローが形成されているので、下段側のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４の方から上段側の洗浄処理ユニット７０側へ空気が流れることはない。そのため、処理空間Ｓ内の洗浄処理ユニット７０近傍の雰囲気は常にメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４近傍の雰囲気より清浄に保たれる。
【００７３】
以下、第２の処理装置としての洗浄処理ユニット７０内で行なう洗浄処理について説明する。図２４は洗浄処理ユニット７０内で行なう洗浄処理のフローを示したフローチャート（フローチャート３）である。
【００７４】
メッキ処理が完了したウエハＷを保持したメインアーム３５の保持部３５ａが洗浄処理ユニット７０のメインアーム３５に近い方のゲートバルブ７６に接近すると、ゲートバルブ７６が開かれ、ハウジング７１の開口部７５が現れる。この開口部７５を介してメインアーム３５が洗浄処理ユニット７０内に進入し、ウエハＷをリフタ７４のリフト板９３の真上の位置まで進む。この状態でリフタ７４が作動してリフト板９３が上昇すると、メインアーム３５の保持部３５ａからウエハＷをリフト板９３が受け取る（ステップ３（１））。この状態でメインアーム３５が保持部３５ａを引き込むと、メインアーム３５から洗浄処理ユニット７０へのウエハＷの搬入が完了する。ウエハＷの搬入の際、ゲートバルブ７６が開かれるが、洗浄処理ユニット７０内はその外側の処理空間Ｓよりも陰圧に保たれているので、洗浄処理ユニット７０内から処理空間Ｓ側に空気が流れ出て処理空間Ｓ側に汚れが拡散することはない。
【００７５】
メインアーム３５が洗浄処理ユニット７０外へ退去すると、リフト板９３が更に上昇して前記エッジリムーバ１０１の上側部材１０３と下側部材１０４との間の高さにウエハＷを維持する（ステップ３（２））。
【００７６】
この状態でエッジリムーバ１０１がウエハＷの半径方向に移動してウエハＷの中心に接近する（ステップ３（３））。
【００７７】
エッジリムーバ１０１がウエハＷの外周縁部を挟み込む位置まで近接したら、エッジリムーバ１０１は停止し、下側部材１０４に斜め方向外側に向けて埋設された配管から洗浄液を噴出すると同時に上側部材１０３に埋設された配管で吸引する。この状態でリフタ７４を回転するとウエハＷの端縁部のみに洗浄液が供給されて、いわゆるエッジ洗浄が行なわれる（ステップ３（４））。このエッジ洗浄の様子を模式的に描いた垂直断面図が図７である。
【００７８】
エッジ洗浄が完了したら一旦リフタ７４の回転を止め、エッジリムーバ１０１をウエハＷの半径方向外側に移動させてウエハＷから離間させる（ステップ３（５））。
【００７９】
次にリフタ７４を最下部まで下降させ、回転カップ７３の中に収容する（ステップ３（６））。
【００８０】
このリフタ７４を下降させる際にリフタ７４上に載置されたウエハＷは回転カップ７３の上部開口部９１先端の段差部に係止して保持される（ステップ３（７））。但し、前述したように、回転カップ７３の側壁部分に複数配置されたチャック部材９２は、回転カップ前の状態では図６の小円Ａに示したように、略鉛直状態に保たれているので、ウエハＷの外周縁を押圧するような動きはしていない。そのため、回転カップ７３上に保持されたウエハＷは端に載置されているのみあり、リフタ７４により鉛直方向上向きの力が作用すれば容易に持ち上げられる状態である。
【００８１】
次にウエハＷごと回転カップを回転させながらウエハＷ上部に配設されたシャワーノズル（図示省略）から純水を供給してウエハＷ上面を純水洗浄する（ステップ３（８））。このとき、回転カップ７３の回転によりチャック部材９２は図６の小円Ｂに示したように上部が内側に傾くので、このチャック部材９２先端によりウエハＷは半径方向内向きの押圧力を受けるため、ウエハＷは回転カップ７３にしっかりと固定される。
【００８２】
ウエハＷ上面の純水洗浄が完了したら、シャワーノズルからの水噴射を停止し、しかる後にリフタ７４内に洗浄液を供給する。この洗浄液はリフタ７４の内部を通り、リフト板９３上面の貫通孔９３ａ，９３ａ，…を通ってウエハＷの下面側に供給され、この洗浄液によりウエハＷ下面側の薬液洗浄が行なわれる（ステップ３（９））。
【００８３】
ウエハＷ下面の薬液洗浄が完了したら、リフタ７４への洗浄液の供給を停止し、この状態で回転カップ７３を高速回転させて洗浄液や水分を除去する、いわゆるスピンドライを行なう（ステップ３（１０））。
【００８４】
スピンドライが完了したら、回転カップ７３の回転を停止し、リフタ７４を上昇させて洗浄の完了したウエハＷを搬送位置まで持ち上げる（ステップ３（１１））。
【００８５】
ここで、上記洗浄作業で洗浄処理ユニット７０内では洗浄水や洗浄液が飛散するが、洗浄処理ユニット７０内は常にシステム外へ排気されているので、飛散した洗浄水や洗浄液は空気とともにシステム外へ排出され、洗浄処理ユニット７０内が飛散した洗浄水や洗浄液のミストで充満することはなく、これらのミストが洗浄処理ユニット７０の外側の処理空間Ｓに拡散することも防止される。
【００８６】
この状態でハウジング７１のメインアーム３５側のゲートバルブ７６を開ける。ゲートバルブ７６を開けて開口部７５が現れた後、メインアーム３５を洗浄処理ユニット７０内に進入させ、メインアーム３５の保持部３５ａをウエハＷを持ち上げたリフト板９３の下側まで伸長させる。しかる後にリフタ７４を下降させるとウエハＷがリフト板９３からメインアーム３５側に引き渡される。次いでウエハＷを保持したままのメインアーム３５を洗浄処理ユニット７０から退去させることによりウエハＷの搬出が行なわれる（ステップ３（１２））。
【００８７】
洗浄処理ユニット７０による洗浄処理が完了したら、後続の処理、例えば第３の処理としてのアニーリング処理を行なう。このアニーリング処理はいわゆる熱盤上にウエハＷを所定時間載置することにより行う。現実には図８及び図９に示したような、第３の処理装置としての熱処理ユニットのサセプタ１２０上に所定時間ウエハＷを載置することにより行なう。即ち、ウエハＷを載置する際にはサセプタ１２０の真上にウエハＷを保持したメインアーム３５の保持部３５ａを伸長させた状態でリフトピン１２２を上昇させることによりメインアーム３５側から熱処理ユニット側へ受け渡し、熱処理側からメインアーム３５側へウエハＷを引き渡すには前記の逆の手順で受け渡しを行なう。
【００８８】
アニーリングが完了したら、再びメインアーム３５が処理後のウエハＷを受け取り、中継載置部３６を経由して、或いは洗浄処理ユニット７０内を経由してメインアーム３５からサブアーム２２へ引き渡される。サブアーム２２に引き渡された処理後のウエハＷは前記と逆の径路を通ってキャリアカセットＣ内に収容され、一連の処理が完了する。
【００８９】
以上説明したように、本実施形態に係るメッキ処理ユニットでは、プロセスステーションを多段に配設し、処理空間の垂直方向に複数の処理ユニットを配設したので、小さい占有面積で様々な処理を行なうことが可能となり、面積効率の高いメッキ処理システムを提供することができる。また、処理空間Ｓにおいて各メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４を閉じたハウジング４１内に収容し、それぞれ独立したエアフローにて隔絶された雰囲気に保たれているので、各メッキ処理ユニット間で処理雰囲気が互いに干渉することがない。そのため、狭い処理室内に多数のメッキ処理ユニットを配設できるのでシステムの面積効率を高くすることができる。
【００９０】
また、各メッキ処理ユニット間が隔絶された雰囲気に保たれるので、組成の異なるメッキ液を収容したメッキバスを使用するメッキ処理ユニットを隣接配置することができるため、様々なメッキ処理を狭い空間で行うことができる。更に、各メッキ処理ユニット内では、ユニット内を上下二つの処理部に大きく分け、メッキバスが配設される第２の処理部Ｂは下側に配設し、その上側の第一の処理部Ａには搬送用の開口部を設け、クリーンなエアフローを循環させることにより処理部Ａは清浄な雰囲気に保ち、この清浄な雰囲気でウエハＷの搬出入をするようにした。一方、メッキ液の飛散し易い環境はセパレータ４２の下側の第２の処理部Ｂに閉じ込め、第１の処理部Ａとは別個のエアフローを循環させる構成としたので、第１の処理部Ａから第２の処理部Ｂに汚れた粒子などが混入する虞れがない。
【００９１】
なお、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば上記実施形態ではウエハＷの一面にのみメッキ処理を施す構成としたが、複数の異なる液処理槽を配設しておき、反転させながら処理し、ウエハＷの表面と裏面とで異なる処理を施すようにすることもできる。また、上記第１の処理部Ａには微粒子を除去するフィルタを配設しただけの構造としたが、更に酸、有機物、アルカリイオンを除去するケミカルフィルタを配設したり又は併設したものであってもよい。
【００９２】
更に、上記各処理ユニットの搬出入口付近には更に窒素ガス等によるエアカーテンを形成してもよい。また、第１の処理室Ａや第２の処理室Ｂ内を循環させるエアフローのエアは温度や湿度を制御したエアフローであってもよい。更に、上記メインアーム３５は搬送途中でウエハＷの上下面を反転させる機能を備えたものであってもよい。また、上記実施形態では、処理空間Ｓの上段側には第２の処理装置としての洗浄処理ユニットの他に第３の処理装置としてのアニーリングユニットを配設した場合について説明したが、アニーリングユニット以外の処理ユニット、例えばメッキ処理前のウエハＷの表面処理を行なう前処理ユニットやメッキ処理後のウエハＷを処理する後処理ユニットを第３の処理装置として配設してもよい。
【００９３】
更に、上記実施形態ではウエハＷを例にして説明したが、本発明はＬＣＤ用ガラス基板用のメッキ処理システムとしても適用できる。また、上記実施形態ではメッキ処理ユニットを下段側に配設した構造としたが、液相での処理を施す処理ユニットであれば、メッキ処理ユニット以外の処理ユニットも使用できることはいうまでもない。
【００９４】
（第２の実施形態）以下、本発明の第２の実施形態に係るメッキ処理システムについて説明する。なお、本実施形態に係るメッキ処理システムのうち、前記第１の実施形態と重複する内容については説明を省略する。本実施形態に係るメッキ処理システムでは、処理空間の上段側には洗浄処理ユニット７０のみが配設された構造とし、洗浄処理が完了したウエハＷの搬出は、サブアーム２２が直接洗浄処理ユニット７０内にアクセスしてウエハＷを搬出する構成とした。
【００９５】
このような構成にすることにより、洗浄処理が完了して清浄になった処理後のウエハＷを再び汚れ易い処理空間Ｓの下段側を経由することなくサブアーム２２へと引き渡されるので、搬出の際に処理後のウエハＷに汚れが付着する心配がない、という特有の効果が得られる。
【００９６】
【発明の効果】本発明の液処理システムでは、前記第１の液処理装置と前記第２の液処理装置とを多段に配設したので、面積効率が向上し、半導体製造設備内での液処理装置の占有面積が小さくなり、半導体の製造コストを低減化することができる。また、システム内や液処理ユニット内の雰囲気を制御することにより液処理雰囲気の汚染が防止でき、不良率の低下により半導体製品の歩留まりが向上する。更に、保守管理が容易であるため、保守点検時における装置の停止時間を可及的に短縮化でき、スループットが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るメッキ処理システムの斜視図である。
【図２】本発明に係るメッキ処理システムの平面図である。
【図３】本発明に係るメッキ処理システムの正面図である。
【図４】本発明に係るメッキ処理システムの正面図である。
【図５】本発明に係るメッキ処理ユニットの垂直断面図である。
【図６】本発明に係る洗浄処理ユニット（ＳＲＤ）の垂直断面図である。
【図７】本発明に係る洗浄処理ユニット（ＳＲＤ）の垂直断面図である。
【図８】本発明に係るアニーリングユニットの平面図である。
【図９】本発明に係るアニーリングユニットの垂直断面図である。
【図１０】本発明に係るメッキ処理システム全体のフローを示すフローチャートである。
【図１１】メッキ処理ユニット内で行なわれるメッキ処理のフローを示したフローチャートである。
【図１２】メッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【図１３】メッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【図１４】メッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【図１５】メッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【図１６】メッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【図１７】メッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【図１８】メッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【図１９】メッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【図２０】メッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【図２１】メッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【図２２】メッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【図２３】メッキ処理の各工程を模式的に示した図である。
【図２４】洗浄処理ユニット内で行なう洗浄処理のフローを示したフローチャートである。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ（被処理基板）、
Ｓ…処理空間、
Ｍ１〜Ｍ４…メッキ処理ユニット（第１の液処理装置）、
７０…洗浄処理ユニット（第２の液処理装置）、
３５…メインアーム（第１の搬送手段）、
２２…サブアーム（第２の搬送手段）、
２１…載置台、
Ｇ２，Ｇ３…ゲートバルブ、
７３…回転カップ、
９２…チャック部材、
７４…リフタ、
１０１…エッジリムーバ、
４７…フィルタ。