KR20100059363A - 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100059363A
KR20100059363A KR1020080118109A KR20080118109A KR20100059363A KR 20100059363 A KR20100059363 A KR 20100059363A KR 1020080118109 A KR1020080118109 A KR 1020080118109A KR 20080118109 A KR20080118109 A KR 20080118109A KR 20100059363 A KR20100059363 A KR 20100059363A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
spin head
magnetic
chemical liquid
driving
Prior art date
Application number
KR1020080118109A
Other languages
English (en)
Inventor
이택엽
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020080118109A priority Critical patent/KR20100059363A/ko
Publication of KR20100059363A publication Critical patent/KR20100059363A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 개시한 것으로서, 기판이 놓이는 스핀 헤드를 자력을 이용해서 지지하여, 스핀 헤드로부터 스핀 헤드를 구동시키는 구동 부재로 전달되는 하중을 저감시키는 것을 특징으로 가진다.
Figure P1020080118109
스핀 헤드, 구동 부재, 베어링, 하중 저감, 자기부재

Description

기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 방법{SUBSTRATE SUPPORTING UNIT, AND SUBSTRATE TREATING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정 진행을 위해 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과, 이를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 디바이스는 기판상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정들이 요구된다.
이들 공정은 스핀 타입의 매엽 방식으로 진행될 수 있으며, 스핀 타입의 방식은 스핀 헤드의 상면에 기판을 지지하는 핀 부재들이 설치되고, 스핀 헤드가 회전함에 따라 핀 부재들에 의해 지지된 기판이 회전하는 구성을 가진다.
본 발명은 스핀 헤드로부터 구동 부재로 전달되는 하중을 저감시킬 수 있는 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 지지 유닛은 기판이 놓이는 스핀 헤드; 상기 스핀 헤드를 구동시키는 구동 부재; 및 상기 스핀 헤드로부터 상기 구동 부재로 전달되는 하중을 저감시키기 위한 하중 저감 부재를 포함하되, 상기 하중 저감 부재는 상기 스핀 헤드에 설치되는 제 1 자기 부재; 및 상기 제 1 자기 부재의 아래에 배치되며, 상기 제 1 자기 부재와의 사이에 반발력이 작용하도록 자극이 배열된 제 2 자기 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 지지 유닛에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 자기 부재의 오염이 방지되도록 상기 제 1 및 제 2 자기 부재를 감싸는 보호 부재들을 더 포함할 수 있다.
상기 구동 부재는 상기 스핀 헤드에 결합되는 구동 축; 상기 구동 축에 구동력을 제공하는 구동기; 및 상기 구동기를 지지하는 프레임을 포함하며, 상기 제 2 자기 부재는 상기 프레임에 설치될 수 있다.
상기 구동기는 상기 구동 축을 회전시키는 모터일 수 있다.
상기 제 1 자기 부재는 상기 스핀 헤드의 하면에 설치될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 자기 부재는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 자기 부재는 영구 자석으로 구비될 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 방법은 기판이 놓이는 스핀 헤드로부터 상기 스핀 헤드를 구동시키는 구동 부재로 전달되는 하중이 저감되도록 상기 스핀 헤드를 자력을 이용해서 지지하고, 상기 스핀 헤드의 회전에 의해 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판을 처리하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 방법은 상기 스핀 헤드 및 그 하부에 설치된 자기 부재들 간의 반발력으로 상기 스핀 헤드를 지지하여 상기 구동 부재로 전달되는 하중을 저감시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 스핀 헤드로부터 구동 부재로 전달되는 하중을 저감시킬 수 있다.
그리고 본 발명에 의하면, 하중 전달 부재의 약액에 의한 손상을 방지할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의 해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
본 실시 예에서는 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 매엽 방식으로 기판을 회전시키면서 공정을 진행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.
도 1은 매엽식 기판 세정 설비의 레이아웃을 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 설비는 로딩/언로딩부(1), 캐리어 이송부(2), 캐리어 테이블(3), 기판 이송부(4), 그리고 세정 처리부(5)를 포함한다.
로딩/언로딩부(1)는 기판들이 수용된 캐리어(C)가 놓이는 인/아웃 포트(1-1)를 가진다. 로딩/언로딩부(1)에 인접하게 캐리어 이송부(2)가 배치되고, 캐리어 이송부(2)의 타 측 중앙부에는 기판 이송부(4)가 배치된다. 기판 이송부(4)는 캐리어 이송부(2)에 수직한 방향으로 형성된 이송 로봇(4-3) 이동용 통로(4-1)를 가진다. 통로(4-1)의 내측에는 통로(4-1)의 길이 방향을 따라 이송 가이드(4-2)가 설치되고, 이송 로봇(4-3)이 이송 가이드(4-2)에 의해 안내되어 통로(4-1)의 길이 방향을 따라 이동한다. 통로(4-1)의 양측에는 캐리어 테이블(3)과 세정 처리부(5)가 각각 배치된다. 세정 처리부(5)는 기판 이송부(4)의 통로(410) 양측에 나란하게 배치된 복수 개의 공정 챔버들(5a,5b,5c,5d)을 가진다. 기판 이송부(4), 캐리어 테이블(3) 및 세정 처리부(5)는 상층과 하층의 복층 구조로 배치될 수 있으며, 캐리어 이송부(2) 또한 복층 구조의 캐리어 테이블(3)에 대응하도록 복층 구조를 가질 수 있다. 그리고, 캐리어 이송부(2), 캐리어 테이블(3), 기판 이송부(4) 및 세정 처리부(5)의 상부에는 청정 공기를 공급하는 팬 필터 유닛(Fan Filter Unit)(미도시)이 각각 제공될 수 있다.
기판을 수용하는 캐리어(C)로는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 캐리어(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)에 의해 로딩/언로딩부(1)의 인/아웃 포트(1-1) 상에 놓인다. 로딩/언로딩부(1)의 인/아웃 포트(1-1)에 놓인 캐리어(C)는 캐리어 이송부(2)에 의해 캐리어 테이블(3)로 이송된다. 기판 이송부(4)의 이송 로봇(4-3)은 캐리어 테이블(3)에 놓인 캐리어(C)로부터 세정 처리될 기판을 세정 처리부(5)의 공정 챔버들(5a,5b,5c,5d)로 이송하고, 공정 챔버들(5a,5b,5c,5d)에서는 기판의 세정 처리 공정이 진행된다. 세정 처리부(5)에서 세정 처리된 기판은 이송 로봇(4-3)에 의해 캐리어 테이블(3) 상의 캐리어(C)로 이송되며, 세정 처리된 기판들을 수용하는 캐리어(C)는 캐리어 이송부(2)에 의해 로딩/언로딩부(1)의 인/아웃 포트(1-1)에 놓인다.
도 2는 도 1의 공정 챔버의 내부 구성을 보여주는 사시도이다. 도 2를 참조 하면, 공정 챔버의 내부에는 기판 지지 유닛(10), 바울(20) 및 기판 세정 수단(30,40,50)이 구비된다. 기판 지지 유닛(10)은 기판의 세정 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 회전될 수 있다. 기판 지지 유닛(10)의 외측에는 공정에 사용된 약액들을 분리하여 회수하기 위한 바울(20)이 설치된다. 바울(20)의 둘레에는 기판을 세정하기 위한 기판 세정 수단(30,40,50)이 배치된다.
기판 세정 수단(30,40,50)은 기판으로 약액을 공급하는 제 1 처리 유체 공급 부재(30), 기판으로 린스액 또는 건조 가스를 공급하는 제 2 처리 유체 공급 부재(40) 및 초음파 세정 부재(50)를 포함한다.
제 1 처리 유체 공급 부재(30)는 스캔 방식으로 직선 왕복 운동하며 기판상에 약액을 공급한다. 기판의 세정 공정에 사용되는 약액으로는 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나가 사용될 수 있다. 제 1 처리 유체 공급 부재(30)는 적어도 하나 이상의 약액 공급 노즐(32)을 가지며, 기판 처리에 사용되는 약액의 종류에 따라 선택된 어느 하나의 약액 공급 노즐(32)을 이용하여 기판상에 약액을 공급한다. 약액 공급 노즐(32)은 이동 로드(34)와 픽업(Pick-up) 부재(36)의 구동에 의해 취사 선택된다. 수직 방향으로 설치된 이동 로드(34)는 구동부(미도시)에 의해 스캔 방향을 따라 직선 왕복 운동할 수 있으며, 또한 상하 방향으로도 운동이 가능하다. 이동 로 드(34)의 상하 이동에 의해 이동 로드(34)의 상단에 수평 방향으로 연결된 픽업 부재(36)가 상하 이동하고, 픽업 부재(36)는 선택된 어느 하나의 약액 공급 노즐(32)을 픽업한다. 픽업 부재(36)에 약액 공급 노즐(32)이 픽업된 상태에서 이동 로드(34)가 스캔 방향을 따라 이동하고, 약액 공급 노즐(32)은 기판상으로 약액을 공급한다. 이때, 기판 지지 유닛(10)의 회전에 의해 기판 지지 유닛(10)에 놓인 기판이 회전된다.
제 2 처리 유체 공급 부재(40)는 붐 스윙 방식으로 회전 운동하며 기판상에 린스액 또는 건조 가스를 공급한다. 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있고, 건조 가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA:Isopropyl alcohol gas)가 사용될 수 있다. 제 2 처리 유체 공급 부재(40)는 수직하게 배치되며 기판 지지 유닛(10)을 향해 린스액 또는 건조 가스를 공급하는 노즐(42)을 가진다. 노즐(42)은 노즐 지지대(44)의 일단에 연결되고, 노즐 지지대(44)는 노즐(42)과 직각을 유지하도록 수평 방향으로 배치된다. 노즐 지지대(44)의 타 단에는 노즐 지지대(44)와 직각을 유지하도록 수직 방향으로 배치되며, 공정 진행시 또는 공정 전후에 노즐(42)을 이동시키는 이동 로드(46)가 결합된다. 그리고, 이동 로드(46)는 구동부(미도시)에 연결된다. 구동부(미도시)는 노즐(42)을 회전시키기 위한 모터일 수 있으며, 선택적으로 노즐(42)을 상하 방향으로 직선 이동시키기 위한 어셈블리일 수도 있다.
초음파 세정 부재(50)는 기판(W)상에 공급되는 약액에 초음파 진동을 인가하는 진동자(52)를 가진다. 진동자(52)는 수평 방향으로 배치된 지지대(54)의 일단에 연결된다. 지지대(54)의 타 단에는 지지대(54)와 직각을 유지하도록 수직 방향으로 배치되며, 공정 진행시 또는 공정 전후에 진동자(52)를 이동시키는 이동 로드(56)가 결합된다. 그리고, 이동 로드(56)는 구동부(미도시)에 연결된다. 구동부(미도시)는 진동자(52)를 회전시키기 위한 모터일 수 있으며, 선택적으로 진동자(52)를 상하 방향으로 직선 이동시키기 위한 어셈블리일 수도 있다. 기판상에 공급된 약액은 기판상의 오염 물질을 식각 또는 박리시키며, 이때 제 1 처리 유체 공급 부재(30)를 이용하여 약액에 초음파 진동을 인가한다. 약액에 인가된 초음파 진동은 약액과 기판(W)상의 오염 물질의 화학 반응을 촉진시켜 기판(W)상의 오염 물질의 제거 효율을 향상시킨다.
도 3은 도 2의 기판 지지 유닛(10)과 바울(20)의 구성 및 약액 공급 배관 계통을 보여주는 측단면도이고, 도 4는 도 3의 스핀 헤드의 평면도이다. 그리고 도 5는 도 3의 제 1 및 제 2 자기 부재의 측단면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 지지 유닛(10)은 용기(20)의 내부 공간에 배치된다. 기판 지지 유닛(10)은 스핀 헤드(110)를 가진다. 스핀 헤드(110)의 상면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재들(112a,112b)이 결합된다. 지지 핀들(112a)은 기판(W)의 하면을 지지하고, 척킹 핀들(112b)은 기판(W)의 측면을 지지한다.
스핀 헤드(110)는 구동 부재(120)에 의해 회전된다. 구동 부재(120)는 스핀 헤드(110)의 하면에 결합되는 구동 축(122)과, 구동 축(122)에 구동력을 제공하는 구동기(124)를 포함한다. 구동기(124)는 구동 축(122)에 회전력을 제공하는 모터일 수 있으며, 선택적으로 구동 축(122)을 상하 방향으로 직선 이동시키는 구동력을 제공할 수도 있다. 구동 축(122)은 베어링(125)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 구동기(124)는 프레임(126)에 의해 지지된다.
스핀 헤드(110)가 구동 부재(120)에 회전될 때, 스핀 헤드(110)로부터 구동 축(122)으로 하중이 전달되고, 구동 축(122)으로 전달된 하중에 의해 구동 축(122)을 회전 가능하게 지지하는 베어링(125)의 수명이 단축될 수 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 스핀 헤드(110)로부터 구동 부재(120)로 전달되는 하중을 저감시키기 위한 하중 저감 부재(130)를 구비한다. 하중 저감 부재(130)는 제 1 자기 부재(131)와 제 2 자기 부재(133)를 가진다. 제 1 및 제 2 자기 부재(131,133)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있으며, 제 1 및 제 2 자기 부재(131,133)는 영구 자석으로 구비될 수 있다.
제 1 자기 부재(131)는 스핀 헤드(110)의 하면에 설치된다. 제 2 자기 부재(133)는 제 1 자기 부재(131)의 아래에 마주보도록 배치되며, 구동기(124)를 지지하는 프레임(126)에 설치될 수 있다. 제 1 자기 부재(131)와 제 2 자기 부재(133)는 상호 간에 자기적 반발력이 작용하도록 자극이 배열된다. 그리고, 제 1 및 제 2 자기 부재(131,133)는 약액에 의해 오염되는 것을 방지하도록 보호 부재(132,134)로 감싸질 수 있다.
스핀 헤드(110)가 구동 부재(120)에 회전될 때, 스핀 헤드(110)로부터 베어링(125)으로 하중이 전달되는데, 이때, 제 1 및 제 2 자기 부재(131,133) 간의 반발력에 의해 스핀 헤드(110)가 위쪽 방향으로 힘을 받아, 스핀 헤드(110)로부터 베 어링(125)으로 전달되는 하중이 저감될 수 있다. 이와 같은 작용에 의해 구동 축(122)을 지지하는 베어링(125)의 수명을 연장할 수 있다.
용기(20)는 내부에 상부가 개방되고 기판(W)이 처리되는 공간을 가지며, 공정에 사용된 약액들을 분리하여 회수할 수 있는 구조를 가진다. 이는 약액들의 재사용이 가능하게 한다. 용기(20)는 복수의 회수통들(220, 240, 260)을 가진다. 각각의 회수통(220, 240, 260)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 종류의 처리액을 회수한다. 본 실시 예에서 용기(20)는 3개의 회수통들을 가진다. 각각의 회수통들을 내부 회수통(220), 중간 회수통(240), 그리고 외부 회수통(260)이라 칭한다.
내부 회수통(220)은 스핀 헤드(110)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간 회수통(240)은 내부 회수통(220)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되며, 외부 회수통(260)은 중간 회수통(240)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 각각의 회수통(220, 240, 260)은 용기(20) 내에서 용기 내 공간과 통하는 유입구(227, 247, 267)를 가진다. 각각의 유입구(227, 247, 267)는 스핀 헤드(110)의 둘레에 링 형상으로 제공된다. 기판(W)으로 분사되어 공정에 사용된 약액들은 기판(W)의 회전으로 인한 원심력에 의해 유입구(227, 247, 267)를 통해 회수통(220, 240, 260)으로 유입된다. 외부 회수통(260)의 유입구(267)는 중간 회수통(240)의 유입구(247)의 수직 상부에 제공되고, 중간 회수통(240)의 유입구(247)는 내부 회수통(220)의 유입구(227)의 수직 상부에 제공된다.
내부 회수통(220)의 바닥벽에는 배출관(225)이 결합되고, 중간 회수통(240)의 바닥벽에는 배출관(245)이 결합되고, 외부 회수통(260)의 바닥벽에는 배출관(265)이 결합된다. 내부 회수통(220), 중간 회수통(240) 및 외부 회수통(260)을 통해 유입된 처리액은 배출관(225,245,265)을 통해 외부의 약액 재생을 위한 시스템으로 배출된다. 그리고 외부 회수통(260)의 바닥벽에는 배기관(263)이 결합되며, 내부 회수통(220), 중간 회수통(240) 및 외부 회수통(260)으로 유입된 가스는 배기관(263)을 통해 외부로 배기한다.
승강 유닛(280)은 용기(20)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 용기(20)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(110)에 대한 용기(20)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(280)은 브라켓(281), 이동 축(282), 그리고 구동기(283)를 가진다. 브라켓(281)은 용기(20)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(281)에는 구동기(283)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(282)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(110)에 놓이거나, 스핀 헤드(110)로부터 들어 올릴 때 스핀 헤드(110)가 용기(20)의 상부로 돌출되도록 용기(20)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(220, 240, 260)으로 유입될 수 있도록 용기(20)의 높이가 조절한다.
제 1 처리 유체 공급 부재(30)의 약액 공급 노즐(32)은 스핀 헤드(110)상에 놓인 기판의 상부 공간에서 스캔 방식으로 직선 왕복 운동하고, 기판으로 약액을 공급한다. 약액 공급 노즐(32)은 약액 공급 라인(321)에 의해 약액 공급원(322)에 연결된다. 약액 공급 라인(321)상에는 약액 공급원(322)으로부터 약액 공급 노즐(321) 방향으로 펌프(323), 필터(324) 및 밸브(325)가 순차적으로 배치된다. 밸브(325)는 컷 오프 밸브(Cut-Off Valve, 325a)와 석백 밸브(Suckback Valve, 325b)를 가진다. 약액 공급원(322)으로부터 공급되는 약액은 펌프(323)에 의해 가압되고, 가압된 약액은 필터(324)를 거쳐 컷 오프 밸브(325a) 및 석백 밸브(325b)를 통과한 후, 약액 공급 노즐(32)을 통해 기판상에 토출된다. 컷 오프 밸브(325a)는 가압된 약액의 흐름을 온/오프(On/Off)하고, 석백 밸브(325b)는 약액 토출후 약액 공급 노즐(32)의 토출구(미도시) 끝단에 존재하는 일정량의 약액을 흡입하여 후퇴시킴으로써 약액의 흘림을 방지한다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 매엽식 기판 세정 설비의 레이아웃을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버의 내부 구성을 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 기판 지지 유닛와 바울의 구성 및 약액 공급 배관 계통을 보여주는 측단면도이다.
도 4는 도 3의 스핀 헤드의 평면도이다.
도 5는 도 3의 제 1 및 제 2 자기 부재의 측단면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
110 : 스핀 헤드 120 : 구동 부재
122 : 구동 축 125 : 베어링
126 : 프레임 130 : 하중 저감 부재
131 : 제 1 자기 부재 133 : 제 2 자기 부재
132,134 : 보호 부재

Claims (9)

  1. 기판이 놓이는 스핀 헤드;
    상기 스핀 헤드를 구동시키는 구동 부재; 및
    상기 스핀 헤드로부터 상기 구동 부재로 전달되는 하중을 저감시키기 위한 하중 저감 부재를 포함하되,
    상기 하중 저감 부재는,
    상기 스핀 헤드에 설치되는 제 1 자기 부재; 및
    상기 제 1 자기 부재의 아래에 배치되며, 상기 제 1 자기 부재와의 사이에 반발력이 작용하도록 자극이 배열된 제 2 자기 부재
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 자기 부재의 오염이 방지되도록 상기 제 1 및 제 2 자기 부재를 감싸는 보호 부재들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 구동 부재는,
    상기 스핀 헤드에 결합되는 구동 축;
    상기 구동 축에 구동력을 제공하는 구동기; 및
    상기 구동기를 지지하는 프레임을 포함하며,
    상기 제 2 자기 부재는 상기 프레임에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 구동기는 상기 구동 축을 회전시키는 모터인 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 자기 부재는 상기 스핀 헤드의 하면에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 자기 부재는 환형의 링 형상으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 자기 부재는 영구 자석으로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  8. 기판이 놓이는 스핀 헤드로부터 상기 스핀 헤드를 구동시키는 구동 부재로 전달되는 하중이 저감되도록 상기 스핀 헤드를 자력을 이용해서 지지하고,
    상기 스핀 헤드의 회전에 의해 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판을 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 스핀 헤드 및 그 하부에 설치된 자기 부재들 간의 반발력으로 상기 스핀 헤드를 지지하여 상기 구동 부재로 전달되는 하중을 저감시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
KR1020080118109A 2008-11-26 2008-11-26 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 방법 KR20100059363A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080118109A KR20100059363A (ko) 2008-11-26 2008-11-26 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080118109A KR20100059363A (ko) 2008-11-26 2008-11-26 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100059363A true KR20100059363A (ko) 2010-06-04

Family

ID=42360687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080118109A KR20100059363A (ko) 2008-11-26 2008-11-26 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100059363A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100953010B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100949283B1 (ko) 액처리장치 및 액처리방법
KR100841498B1 (ko) 매엽식 기판세정장치
US8268087B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
KR100850698B1 (ko) 기판 세정 장치, 기판 세정 방법, 기판 처리 시스템, 및기록 매체
KR20020062703A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2002353181A (ja) 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
KR102297377B1 (ko) 기판 처리 장치
CN112235927B (zh) 一种晶圆去静电和清洗装置
KR20120023296A (ko) 기판처리장치
KR101080865B1 (ko) 기판 처리 방법
KR101909475B1 (ko) 기판 처리 장치
CN212696256U (zh) 一种晶圆去静电和清洗装置
KR101018016B1 (ko) 기판 지지 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
KR20140071312A (ko) 기판 처리 장치
KR20100059363A (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR102375437B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20130015610A (ko) 기판 처리 장치
KR102096944B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102030038B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101329301B1 (ko) 기판 처리 장치
CN112439737A (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR102347973B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102193031B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR20120077516A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application