KR102030038B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102030038B1
KR102030038B1 KR1020120091462A KR20120091462A KR102030038B1 KR 102030038 B1 KR102030038 B1 KR 102030038B1 KR 1020120091462 A KR1020120091462 A KR 1020120091462A KR 20120091462 A KR20120091462 A KR 20120091462A KR 102030038 B1 KR102030038 B1 KR 102030038B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
substrate
space
arm
partition member
Prior art date
Application number
KR1020120091462A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140025651A (ko
Inventor
이택엽
오래택
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020120091462A priority Critical patent/KR102030038B1/ko
Publication of KR20140025651A publication Critical patent/KR20140025651A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102030038B1 publication Critical patent/KR102030038B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간과 환경 공간을 가지는 챔버; 처리 공간에 배치되며, 상부가 개방된 처리 용기; 처리 용기 내에 배치되고, 기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지 부재; 기판으로 처리 유체를 공급하는 노즐, 노즐을 지지하는 아암, 그리고 챔버 내에서 처리 용기의 외측인 환경 공간에 배치되며 아암을 이동시키는 지지축을 가지는 노즐 유닛; 및 환경 공간과 처리 공간을 구획하는, 그리고 아암이 통과되는 개구를 가지는 격벽 부재를 포함하되, 아암이 환경 공간에 위치될 때 아암의 일측이 상기 개구를 차단하도록 제공된다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for Processing Substrate}
본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판으로 약액을 분사하여 기판 표면을 세정하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.
일반적인 기판 세정 처리 장치는 노즐 암 구조물이 처리 용기 외부에서 대기하면서 팬필터유닛(FFU)으로부터 분사되는 에어와 충돌(간섭)하면서 난류가 발생하고, 공정 과정중에 노즐 암에 흡착된 오염원들이 이 난류를 타고 공정 영역으로 유입되면서 공정 불량을 야기시킨다.
본 발명의 실시예들은 처리 용기 내측으로 흡입되는 기류를 주변 기류와 분리시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예들은 노즐 암에 의한 난류 발생을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 처리 공간과 환경 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에 배치되며, 상부가 개방된 처리 용기; 상기 처리 용기 내에 배치되고, 기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지 부재; 상기 기판으로 처리 유체를 공급하는 노즐, 상기 노즐을 지지하는 아암, 그리고 상기 챔버 내에서 상기 처리 용기의 외측인 상기 환경 공간에 배치되며 상기 아암을 이동시키는 지지축을 가지는 노즐 유닛; 및 상기 환경 공간과 상기 처리 공간을 구획하는, 그리고 상기 아암이 통과되는 개구를 가지는 격벽 부재를 포함하되,상기 아암이 상기 환경 공간에 위치될 때 상기 아암의 일측이 상기 개구를 차단하도록 제공되는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 격벽 부재는 상기 처리 용기와 동심원을 이루는 원통 형상을 가지며, 상기 아암의 일측은 상기 개구와 대응되는 형상을 가질 수 있다.
본 발명에 의하면, 기류의 흐름성이 좋아져 배기가 원활해지고 오염원의 역흡착이 방지될 수 있다.
도 1은 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
도 4는 도 3에 표시된 격벽 부재와 노즐 유닛들을 보여주는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 한편, 이하에서는 웨이퍼를 기판의 일례로 설명하나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않는다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다.
인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다.
4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.
인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다.
버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다.
메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치되며, 각 기판 처리 장치(1)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 기판 처리 장치(1)로 이송하거나, 각 기판 처리 장치(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다.
이동 통로(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(1)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.
기판 처리 장치(1)는 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 서로 마주하게 배치된다. 기판 처리 시스템(1000)은 상하층으로 된 다수개의 기판 처리 장치(1)를 구비하나, 기판 처리 장치(1)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 기판 처리 장치(1)는 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 기판 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다.
아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
본 실시예에서는 매엽식 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 챔버(800), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 노즐 유닛(300) 및 격벽 부재(500)를 포함한다.
챔버(800)는 수평 격벽(814)에 의해 상부 공간인 공정 영역(816)과 하부 공간인 유지보수 영역(818)으로 구획된다. 또한, 공정 영역(816)은 격벽 부재(500)에 의해 중앙의 처리 공간(A)과, 처리 공간(A)을 둘러싸는 환경 공간(B)으로 구획된다. 처리 용기(100)는 중앙의 처리 공간(A)에 위치되며, 격벽 부재(500)에 의해 둘러싸여 진다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 노즐 유닛(300)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(818)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다.
챔버(800)의 상부벽에는 팬필터유닛(810)이 설치된다. 팬필터유닛(810)은 챔버(800) 내부(처리 공간)에 수직기류를 발생시킨다.
팬필터유닛(810)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버(800) 내부의 처리 공간으로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(810)을 통과하여 챔버의 처리공간으로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다.
처리 용기(100)는 격벽 부재(500)에 의해 제공되는 처리 공간(A)에 위치된다. 처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 내부 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 내부 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판을 회전시킨다.
처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간과, 상부공간과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다.
환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다.
구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.
제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다.
제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.
제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.
한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)과 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다.
상세하게 도시하지 않았지만, 승강 유닛(600)은 브라켓, 이동 축, 그리고 구동기를 가진다. 브라켓은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓에는 구동기에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.
이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.
기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.
스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다.
제1배기부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 흡입덕트에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 제1배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인배기라인과 연결된다.
도시하지 않았지만, 처리 용기(100)의 상단에는 고정 노즐들이 설치될 수 있다. 고정 노즐은 스핀헤드(210)에 놓여진 기판(W)으로 처리유체를 분사한다. 고정 노즐은 기판의 처리 위치에 따라 분사 각도 조절이 가능하다.
도 4는 격벽 부재와 노즐 유닛을 보여주는 도면이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 격벽 부재(500)는 챔버(800)의 공정 영역에 설치된다. 격벽 부재(500)는 원통 형상으로 처리 용기(100)를 둘러싸도록 제공된다. 격벽 부재(500)는 처리 용기(100)와 동심원을 이루도록 배치된다. 격벽 부재(500)는 하단이 챔버의 수평 격벽(814)을 통해 유지보수 영역(818) 내에 위치되고, 상단이 챔버의 상부벽에 고정된다. 격벽 부재(500)의 상단은 팬필터유닛과 직접 연결되어 원기둥 형상을 가지게 되어 처리 공간의 난류 형성을 최소화한다.
격벽 부재(500)는 노즐 유닛(300)의 아암(330)이 통과하는 개구(510)와, 기판 출입을 위한 출입구(520)를 갖는다. 개구(510)는 아암(330)이 환경 공간에서 대기할 때 아암(330)의 일측에 의해 차단된다. 격벽 부재(500)는 기판에 대한 처리가 이루어지는 처리 공간(A)과, 대기상태의 노즐 유닛(500)의 아암(330)이 위치되는 환경 공간(B)을 분리하기 위한 것이다. 격벽 부재(500)의 하단에는 제2배기 부재(700)가 연결된다. 제2배기부재(700)는 처리 용기(100)와 격벽 부재(500) 사이에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 즉, 제2배기부재(700)는 팬필터유닛(810)으로부터 제공되는 수직기류 중에 처리 용기(100)로 유입되지 못한 기류의 배기를 담당하게 된다.
노즐 유닛(300)은 스윙 이동을 통해 기판의 중심 상부로 이동되어 기판상에 세정 또는 식각하기 위한 처리유체를 공급한다.
노즐 유닛(300)은 지지축(310), 구동부(320), 아암(330) 그리고 아암(330)의 단부에 설치되는 노즐(340)을 포함한다.
지지축(310)은 그 길이 방향이 수직한 방향으로 제공되며, 지지축(310)의 하단은 구동부(320)와 결합된다. 구동부(320)는 아암이(330)이 스윙 이동되도록 지지축(310)을 회전시킨다. 일 예로, 구동부(320)는 모터, 벨트, 풀리를 가지는 어셈블리에 의해 제공될 수 있다.
아암(330)은 지지축(310)에 결합된다. 아암(330)은 격벽 부재(500)의 외측인 환경 공간에 위치된다. 아암(330)의 단부에는 노즐(340)이 설치되며, 아암(330)은 구동부(320)에 의해 지지축(310)을 중심축으로 기판 중심에서 가장자리까지 스윙 이동된다. 아암(330)은 격벽 부재(500)의 내측면(501)과 동일한 곡면을 갖도록 제공된다. 아암(330)은 처리 공간(A)으로 진입하였을 때 난류 발생을 최소화할 수 있는 단면 형상을 갖는다. 일 예로, 아암(330)의 단면 형상은 격벽 부재(500)의 내측면(501) 일부를 구성하기 위해 일면(332)은 평면이고 반대면(334)은 유선형으로 형성될 수 있다. 아암(330)의 평평한 일면(332)은 아암(330)이 대기위치(원점)에 있을 때 격벽 부재(500)의 내측면(501)과 동일 선상에 위치되어 격벽 부재(500)의 개구(510)를 차단한다.
기판 처리 공정에 사용되는 처리유체는 불산(HF), 황산(H3SO4), 과산화수소(H2O2), 질소가스, 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 오존수, 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있고, 건조 가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA:Isopropyl alcohol gas)가 사용될 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 처리 용기
200 : 기판 지지부재
300 : 노즐 유닛
500 : 격벽 부재

Claims (9)

  1. 기판 처리 장치에 있어서:
    내부에 처리 공간과 환경 공간을 가지는 챔버;
    상기 처리 공간에 배치되며, 상부가 개방된 처리 용기;
    상기 처리 용기 내에 배치되고, 기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지 부재;
    상기 기판으로 처리 유체를 공급하는 노즐, 상기 노즐을 지지하는 아암, 그리고 상기 챔버 내에서 상기 처리 용기의 외측인 상기 환경 공간에 배치되며 상기 아암을 상기 환경 공간에서 상기 처리 공간으로 이동시키는 지지축을 가지는 노즐 유닛; 및
    상기 환경 공간과 상기 처리 공간을 구획하는, 그리고 상기 아암이 이동할 때 상기 아암이 통과되는 개구를 가지는 격벽 부재를 포함하며,
    상기 노즐 유닛은 상기 처리 공간으로 상기 아암이 진입하였을 때, 상기 개구가 오픈되고, 상기 아암이 상기 환경 공간에서 대기할 때 상기 아암의 일측이 상기 개구를 차단하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 격벽 부재는 상기 처리 용기를 둘러싸도록 제공되며, 상기 처리 용기와 동심원을 이루는 원통 형상을 갖는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 아암의 일측은 상기 개구와 대응되는 형상을 가지는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 아암은
    상기 격벽 부재의 내측면 일부를 구성하기 위해 일면은 평면이고, 반대면은 유선형으로 형성된 단면 형상을 갖는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 아암의 평평한 일면은 상기 아암이 상기 환경 공간에서 대기할 때 상기 격벽 부재의 내측면과 동일 선상에 위치되는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버의 상부벽에 설치되고 상기 처리 공간에 수직 기류를 발생시키는 팬필터 유닛을 더 포함하고,
    상기 격벽부재는 상단이 상기 팬필터 유닛과 직접 연결되도록 상기 챔버의 상부벽에 고정되는 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 격벽 부재의 하단에는 상기 처리 용기와 상기 격벽 부재 사이에 배기압력을 제공하기 위한 제2배기부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 공간은 기판에 대한 처리가 이루어지는 공간이고, 상기 환경 공간은 대기상태의 노즐 유닛의 아암이 위치되는 공간인 기판 처리 장치.
KR1020120091462A 2012-08-21 2012-08-21 기판 처리 장치 KR102030038B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120091462A KR102030038B1 (ko) 2012-08-21 2012-08-21 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120091462A KR102030038B1 (ko) 2012-08-21 2012-08-21 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140025651A KR20140025651A (ko) 2014-03-05
KR102030038B1 true KR102030038B1 (ko) 2019-10-10

Family

ID=50640599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120091462A KR102030038B1 (ko) 2012-08-21 2012-08-21 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102030038B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102616130B1 (ko) * 2020-12-29 2023-12-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102571523B1 (ko) * 2021-09-10 2023-08-29 (주)디바이스이엔지 배기구조를 포함하는 기판 처리장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100531629B1 (ko) 2000-08-11 2005-11-29 동경 엘렉트론 주식회사 기판의 처리장치 및 처리방법
KR100753696B1 (ko) 2002-03-26 2007-08-30 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 고속 로터리 밸브

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8501025B2 (en) * 2010-03-31 2013-08-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
KR20120009712A (ko) * 2010-07-20 2012-02-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100531629B1 (ko) 2000-08-11 2005-11-29 동경 엘렉트론 주식회사 기판의 처리장치 및 처리방법
KR100753696B1 (ko) 2002-03-26 2007-08-30 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 고속 로터리 밸브

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140025651A (ko) 2014-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101579507B1 (ko) 기판 처리 장치
US9355835B2 (en) Method and apparatus for processing substrate
KR100987795B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR101035983B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 그 장치에서의 배기 방법
KR20120015662A (ko) 기판 처리 장치
KR102546756B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101870653B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2013214744A (ja) 基板処理装置
KR20200083790A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102030038B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20140071312A (ko) 기판 처리 장치
KR101570167B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101395248B1 (ko) 노즐 유닛
KR101605713B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101010311B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR20140085726A (ko) 기판 처리 장치
KR102115173B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101329301B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101964656B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20120011978A (ko) 기판 처리 장치
KR20120009712A (ko) 기판 처리 장치
KR102291949B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법
KR102239518B1 (ko) 홈 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102096948B1 (ko) 기판 처리 설비
KR20120077515A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant