JP2003188244A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の処理むらを防止することができる基板
処理装置及び基板処理方法を提供する。 【解決手段】 複数の保持部材８０によって基板Ｗの周
縁を保持し，基板Ｗを回転させて処理する基板処理装置
において，前記保持部材８０は，前記基板Ｗの回転する
方向ＣＷ，ＣＣＷに応じて，基板Ｗ周縁の異なる箇所に
当接することとした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，例えば半導体ウェ
ハやＬＣＤ基板用ガラス等の基板を処理する基板処理装
置及び基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）
に対して処理液を供給し，現像，塗布，洗浄等の処理を
行う処理システムが使用されている。かような処理シス
テムに備えられる枚葉式の基板処理装置は，ウェハを略
水平に保持し，ノズル等から供給する処理液によって所
定の処理を施すものである。また，この装置には，ウェ
ハを保持すると共に水平面内で回転させることができる
スピンチャックが備えられ，これによりウェハを回転保
持し，処理面上に供給された処理液を遠心力により処理
面全体に拡散させる。また，ノズルをベベル部（ウェハ
表面の周辺部）に向かって処理液を吐出する位置に固定
すると，ウェハを回転させることにより，ウェハの外周
縁に沿ってベベル部のみに処理液を供給することが可能
である。かかる場合，ウェハの処理面にスピンチャック
の保持部材が接触した状態で処理すると，処理後のウェ
ハに保持部材の跡が残留するので，処理面ではないウェ
ハの周縁に対して保持部材を当接させるようにしてい
る。例えば，ウェハの周囲において中心角が１２０°と
なるよう，スピンチャックに３つの保持部材を設け，そ
れら３つの保持部材をウェハの外周面に当接させて圧力
を加えることにより，ウェハを周縁から保持するように
していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
基板処理装置においては，処理中に保持部材がウェハに
当接する位置を交替させないので，その当接箇所に処理
むらが発生する問題があった。例えばウェハの洗浄処理
においては，ウェハの周縁やベベル部（ウェハ表面の周
辺部）を効果的に洗浄できない問題があった。

【０００４】従って，本発明の目的は，ウェハの処理む
らを防止することができる基板処理装置及び基板処理方
法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明によれば，複数の保持部材によって基板の周
縁を保持し，基板を回転させて処理する基板処理装置で
あって，前記保持部材は，前記基板の回転する方向に応
じて，基板周縁の異なる箇所に当接することを特徴とす
る基板処理装置が提供される。かかる基板処理装置にあ
っては，例えば，基板の正回転（時計方向回転）時には
逆回転（反時計方向回転）時に保持部材が当接する箇所
へ処理液を供給し，逆回転時には正回転時に保持部材が
当接する箇所へ処理液を供給することができる。従っ
て，処理むらを防止することができる。

【０００６】また，前記保持部材は，前記保持部材は，
第１の保持部と第２の保持部を備え，前記基板の回転方
向を切り替えることによって，前記第１の保持部が基板
の周縁に当接した状態と，前記第２の保持部が基板の周
縁に当接した状態とを切り替えることが好ましい。この
場合，例えば正回転方向に回転させながら基板を洗浄処
理するとき，第１の保持部に基板から流れた汚染物質が
付着しても，逆回転時には第２の保持部によって保持す
るので，汚染物質が基板に再付着することを防止するこ
とができる。

【０００７】さらに，前記第１の保持部及び／又は第２
の保持部は，互いに対向し基板の中心に向かって互いに
離れる方向に傾斜する一対の斜面を有し，前記一対の斜
面に基板の角部をそれぞれ当接させて基板を保持するこ
とが好ましい。この場合，基板を確実に保持し，かつ基
板と保持部材との接触面積が最小となり，より効果的に
処理むらを防止する。また，例えば基板の洗浄処理によ
り押し流された汚染物質が保持部材へ付着しても，その
汚染物質が基板に再付着することを抑制する。

【０００８】前記保持部材を回転自在に支持する回転支
持軸を備え，前記保持部材の重心は回転支持軸上にない
ことが好ましい。さらに，前記回転支持軸に羽根を取り
付け，前記羽根に加わる風圧を利用して前記保持部材を
基板に押し付けることが好ましい。この場合，基板を正
回転方向に回転させるときは，羽根に対して逆回転方向
側に向かう風圧による抵抗が生じ，回転支持軸を逆回転
方向側に回転させるので，保持部材が回転支持軸を中心
として逆回転方向側に回転する。従って，回転支持軸に
対して逆回転方向側に備えた第１の保持部を基板の周縁
に当接させる。逆回転方向に回転するときは，羽根に対
して正回転方向側に向かう風圧による抵抗が生じ，回転
支持軸を正回転方向側に回転させるので，保持部材が回
転支持軸を中心として正回転方向側に回転する。従っ
て，回転支持軸に対して正回転方向側に備えた第２の保
持部を基板の周縁に当接させる。この場合，保持部材が
当接する箇所を簡単な機構によって変化させることがで
き，保持部材の機構の信頼性向上とコスト低減を図るこ
とが可能である。

【０００９】前記複数の保持部材を囲むリング状の外周
部材を備えても良い。この場合，回転によって基板周辺
の雰囲気に気流が発生することを抑制することができ
る。

【００１０】前記基板の裏面を支持する複数の支持ピン
を備えても良い。この場合，回転停止時に基板を裏面か
ら安定して支持することができる。

【００１１】また，本発明によれば，基板の周縁を複数
の箇所において保持し，基板を任意の回転方向に回転さ
せて処理し，次いで，基板の周縁を前記複数の箇所と異
なる複数の箇所において保持し，基板を前記任意の回転
方向と異なる回転方向に回転させて処理することを特徴
とする，基板処理方法が提供される。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態を，基板の一例としてウェハの表面を洗浄する基板処
理装置としての基板洗浄ユニットに基づいて説明する。
図１は，本実施の形態にかかる基板洗浄ユニット１２，
１３，１４，１５を組み込んだ洗浄処理システム１の平
面図である。図２は，その側面図である。この洗浄処理
システム１は，ウェハＷに洗浄処理及び洗浄処理後の熱
的処理を施す洗浄処理部２と，洗浄処理部２に対してウ
ェハＷを搬入出する搬入出部３から構成されている。

【００１３】搬入出部３は，複数枚，例えば２５枚のウ
ェハＷが所定の間隔で略水平に収容可能な容器（キャリ
アＣ）を載置するための載置台６が設けられたイン・ア
ウトポート４と，載置台６に載置されたキャリアＣと洗
浄処理部２との間でウェハの受け渡しを行うウェハ搬送
装置７が備えられたウェハ搬送部５と，から構成されて
いる。

【００１４】ウェハＷはキャリアＣの一側面を通して搬
入出され，キャリアＣの側面には開閉可能な蓋体が設け
られている。また，ウェハＷを所定間隔で保持するため
の棚板が内壁に設けられており，ウェハＷを収容する２
５個のスロットが形成されている。ウェハＷは表面（半
導体デバイスを形成する面）が上面（ウェハＷを水平に
保持した場合に上側となっている面）となっている状態
で各スロットに１枚ずつ収容される。

【００１５】イン・アウトポート４の載置台６上には，
例えば，３個のキャリアを水平面のＹ方向に並べて所定
位置に載置することができるようになっている。キャリ
アＣは蓋体が設けられた側面をイン・アウトポート４と
ウェハ搬送部５との境界壁８側に向けて載置される。境
界壁８においてキャリアＣの載置場所に対応する位置に
は窓部９が形成されており，窓部９のウェハ搬送部５側
には，窓部９をシャッター等により開閉する窓部開閉機
構１０が設けられている。

【００１６】この窓部開閉機構１０は，キャリアＣに設
けられた蓋体もまた開閉可能であり，窓部９の開閉と同
時にキャリアＣの蓋体も開閉する。窓部９を開口してキ
ャリアＣのウェハ搬入出口とウェハ搬送部５とを連通さ
せると，ウェハ搬送部５に配設されたウエハ搬送装置７
のキャリアＣへのアクセスが可能となり，ウェハＷの搬
送を行うことが可能な状態となる。

【００１７】ウェハ搬送部５に配設されたウエハ搬送装
置７は，Ｙ方向とＺ方向に移動可能であり，かつ，Ｘ―
Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されている。ま
た，ウェハ搬送装置７は，ウェハＷを把持する取出収納
アーム１１を有し，この取出収納アーム１１はＸ方向に
スライド自在となっている。こうして，ウェハ搬送装置
７は，載置台６に載置された全てのキャリアＣの任意の
高さのスロットにアクセスし，また，洗浄処理部２に配
設された上下２台のウェハ受け渡しユニット１６，１７
にアクセスして，イン・アウトポート４側から洗浄処理
部２側へ，逆に洗浄処理部２側からイン・アウトポート
４側へウェハＷを搬送することができるようになってい
る。

【００１８】洗浄処理部２は，主ウェハ搬送装置１８
と，ウェハ搬送部５との間でウェハＷの受け渡しを行う
ためにウェハＷを一時的に載置するウェハ受け渡しユニ
ット１６，１７と，本実施の形態にかかる４台の基板洗
浄ユニット１２，１３，１４，１５と，洗浄処理後のウ
ェハＷを加熱処理する３台の加熱ユニット及び加熱され
たウェハＷを冷却する冷却ユニットからなる加熱・冷却
部１９とを備えている。主ウェハ搬送装置１８は，ウェ
ハ受け渡しユニット１６，１７，基板洗浄ユニット１
２，１３，１４，１５，加熱・冷却部１９の全てのユニ
ットにアクセス可能に配設されている。

【００１９】また，洗浄処理部２は，洗浄処理システム
１全体を稼働させるための電源である電装ユニット２３
と，洗浄処理システム１内に配設された各種装置及び洗
浄処理システム１全体の動作制御を行う機械制御ユニッ
ト２４と，基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５に
送液する所定の処理液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット２５
とが配設されている。電装ユニット２３は図示しない主
電源と接続される。洗浄処理部２の天井部には，各ユニ
ット及び主ウェハ搬送装置１８に，清浄な空気をダウン
フローするためのファンフィルターユニット（ＦＦＵ）
２６が配設されている。

【００２０】電装ユニット２３と薬液貯蔵ユニット２５
と機械制御ユニット２４を洗浄処理部２の外側に設置す
ることによって，又は外部に引き出すことによって，こ
の面（Ｙ方向）からウェハ受け渡しユニット１６，主ウ
ェハ搬送装置１８，加熱・冷却部１９のメンテナンスを
容易に行うことが可能である。

【００２１】ウェハ受け渡しユニット１６，１７は，い
ずれもウェハ搬送部５との間でウェハＷの受け渡しを行
うためにウェハＷを一時的に載置するものであり，これ
らウェハ受け渡しユニット１６，１７は上下２段に積み
重ねられて配置されている。例えば，下段のウェハ受け
渡しユニット１７は，イン・アウトポート４側から洗浄
処理部２側へ搬送するウェハＷを載置するために用い，
上段のウェハ受け渡しユニット１６は，洗浄処理部２側
からイン・アウトポート４側へ搬送するウェハＷを載置
するために用いることができる。

【００２２】ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２６
からのダウンフローの一部は，ウェハ受け渡しユニット
１６，１７と，その上部の空間を通ってウェハ搬送部５
に向けて流出する構造となっている。これにより，ウェ
ハ搬送部５から洗浄処理部２へのパーティクル等の侵入
が防止され，洗浄処理部２の清浄度が保持されるように
なっている。

【００２３】主ウェハ搬送装置１８は，図示しないモー
タの回転駆動力によって回転可能な筒状支持体３０と，
筒状支持体３０の内側に沿ってＺ方向に昇降自在に設け
られたウェハ搬送体３１とを有している。ウェハ搬送体
３１は，筒状支持体３０の回転に伴って一体的に回転さ
れるようになっており，それぞれ独立して進退移動する
ことが可能な多段に配置された３本の搬送アーム３４，
３５，３６を備えている。

【００２４】加熱・冷却部１９においては，ウェハＷの
強制冷却を行う冷却ユニットが一台配設され，その上に
ウェハＷの強制加熱と自然冷却を行う加熱ユニットが３
台積み重ねられて配設されている。なお，ウェハ受け渡
しユニット１６の上部の空間に加熱・冷却部１９を設け
ることも可能である。この場合には，図１に示す加熱・
冷却部１９の位置をその他のユーティリティ空間として
利用することができる。

【００２５】基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５
は，図２に示すように，上下２段で各段に２台ずつ配設
されている。図１に示すように，基板洗浄ユニット１
２，１３と基板洗浄ユニット１４，１５とは，その境界
をなしている壁面４１に対して対称な構造を有している
が，対称であることを除けば，各基板洗浄ユニット１
２，１３，１４，１５は概ね同様の構成を備えている。
そこで，基板洗浄ユニット１２を例として，その構造に
ついて詳細に以下に説明することとする。

【００２６】図３は，基板洗浄ユニット１２の平面図で
ある。基板洗浄ユニット１２のユニットチャンバー４５
内には，ウェハＷを収納する密閉構造のアウターチャン
バー４６と，薬液アーム格納部４７と，リンス乾燥アー
ム格納部４８とを備えている。ユニットチャンバー４５
には開口５０が形成され，開口５０を図示しない開閉機
構によって開閉するユニットチャンバー用メカシャッタ
ー５１が設けられており，例えば搬送アーム３４によっ
て基板洗浄ユニット１２に対して開口５０からウェハＷ
が搬入出される際には，このユニットチャンバー用メカ
シャッター５１が開くようになっている。ユニットチャ
ンバー用メカシャッター５１はユニットチャンバー４５
の内部から開口５０を開閉するようになっており，ユニ
ットチャンバー４５内が陽圧になったような場合でも，
ユニットチャンバー４５内部の雰囲気が外部に漏れ出な
い。

【００２７】アウターチャンバー４６には開口５２が形
成され，開口５２を図示しないシリンダ駆動機構によっ
て開閉するアウターチャンバー用メカシャッター５３が
設けられており，例えば搬送アーム３４によってアウタ
ーチャンバー４６に対して開口５２からウェハＷが搬入
出される際には，このアウターチャンバー用メカシャッ
ター５３が開くようになっている。アウターチャンバー
用メカシャッター５３は，ユニットチャンバー用メカシ
ャッター５１と共通の開閉機構によって開閉するように
しても良い。アウターチャンバー用メカシャッター５３
はアウターチャンバー４６の内部から開口５２を開閉す
るようになっており，アウターチャンバー４６内が陽圧
になったような場合でも，アウターチャンバー４６内部
の雰囲気が外部に漏れ出ない。また，薬液アーム格納部
４７には開口５４が形成され，開口５４を図示しない駆
動機構によって開閉する薬液アーム格納部用シャッター
５５が設けられている。薬液アーム格納部４７をアウタ
ーチャンバー４６と雰囲気隔離するときは，この薬液ア
ーム格納部用シャッター５５を閉じる。リンス乾燥アー
ム格納部４８には開口５６が形成され，開口５６を図示
しない駆動機構によって開閉するリンス乾燥アーム格納
部用シャッター５７が設けられている。リンス乾燥アー
ム格納部４８をアウターチャンバー４６と雰囲気隔離す
るときは，このリンス乾燥アーム格納部用シャッター５
７を閉じる。

【００２８】薬液アーム格納部４７内には，薬液，Ｎ
２，ＩＰＡ，純水を吐出可能な薬液供給系アーム６０が
格納されている。薬液供給系アーム６０は，アウターチ
ャンバー４６内に収納されて，後述のスピンチャック７
１で保持されたウェハＷの少なくとも中心から周縁部ま
でをスキャン可能である。薬液供給系アーム６０は，処
理時以外は薬液アーム格納部４７にて待避する。薬液ア
ーム格納部４７は常時薬液雰囲気となるため，耐食性の
部品が使用されている。この薬液供給系アーム６０は，
薬液供給ノズル６１とリンスノズル６２を備え，薬液供
給ノズル６１は薬液とＮ２を吐出し，リンスノズル６２
はＩＰＡと純水を吐出する。なお，第２の薬液を吐出可
能な薬液供給ノズルを適宜備えても良い。

【００２９】リンス乾燥アーム格納部４８内には，Ｎ
２，ＩＰＡ，純水を吐出可能なリンス乾燥アーム６３が
格納されている。リンス乾燥アーム６３は，アウターチ
ャンバー４６内に収納されて，後述のスピンチャック７
１で保持されたウェハＷの少なくとも中心から周縁部ま
でをスキャン可能である。リンス乾燥アーム６３は，処
理時以外はリンス乾燥アーム格納部４８にて待避する。
リンス乾燥アーム格納部４８は，薬液雰囲気ではない
が，耐食性の部品を使用しても良い。このリンス乾燥ア
ーム６３は，Ｎ２供給ノズル６４とリンスノズル６５を
備え，Ｎ２供給ノズル６４はＮ２を吐出し，リンスノズ
ル６５はＩＰＡと純水を吐出する。

【００３０】薬液アーム格納部４７には薬液供給系アー
ム洗浄装置６６が備えられ，薬液供給系アーム６０を洗
浄することができる。また，リンス乾燥アーム格納部４
８にはリンス乾燥アーム洗浄装置６７が備えられ，リン
ス乾燥アーム６３を洗浄することができる。

【００３１】図４に示すように，アウターチャンバー４
６内には，ウェハＷを収納するインナーカップ７０と，
このインナーカップ７０内で，例えばウェハＷ表面を上
面にして，ウェハＷを回転自在に保持するスピンチャッ
ク７１と，スピンチャック７１により支持されたウェハ
Ｗ上面（ウェハＷ表面）に対して相対的に移動するトッ
ププレート７２を備えている。アウターチャンバー４６
には，スピンチャック７１により支持されたウェハＷが
位置する高さに傾斜部７３が形成され，ウェハＷは傾斜
部７３に包囲されるようになっている。また，アウター
チャンバー用メカシャッター５３の上部は傾斜部７３の
一部となっている。スピンチャック７１に対してウェハ
Ｗを授受させる際には，アウターチャンバー用メカシャ
ッター５３を開き，ウェハＷを水平に移動させる。

【００３２】スピンチャック７１は，ウェハＷの裏面を
支持するための３つの支持ピン７９と，ウェハＷを保持
する３つの保持部材８０と，支持ピン７９及び保持部材
８０を支持するチャック本体８１と，このチャック本体
８１の底部に接続されたチャック回転軸８２と，３つの
保持部材８０を囲むリング状のチャック外周部材８３を
備える。

【００３３】３つの支持ピン７９は，ウェハＷの裏面に
当接するようにチャック本体８１の上面に設置され，図
３に示すように，ウェハＷの裏面において中心角が１２
０°となるように３箇所に配置されており，スピンチャ
ック７１が静止しているときにウェハＷの裏面を安定さ
せて支持する。３つの保持部材８０は，ウェハＷの周縁
に当接するようにチャック本体８１の上面に設置され，
図３に示すように，ウェハＷの周囲において中心角が１
２０°となるように３箇所に配置されており，それら３
つの保持部材８０により，ウェハＷを周縁から保持でき
るようになっている。スピンチャック７１が回転してい
るときは，ウェハＷの周縁部を保持部材８０によって保
持する。チャック回転軸８２の外周面には，ベルト９１
が巻回されており，ベルト９１をモータ９２によって周
動させることにより，スピンチャック７１全体が回転す
るようになっている。モータ９２は，スピンチャック７
１を正回転方向ＣＷ（スピンチャック７１上方からみて
時計方向：Ｃｌｏｃｋ ｗｉｓｅ）と逆回転方向ＣＣＷ
（スピンチャック７１上方からみて反時計方向：Ｃｏｕ
ｎｔｅｒ ｃｌｏｃｋ ｗｉｓｅ）に回転させることが
できる。チャック外周部材８３は，３つの保持部材８０
が内側に配置されるようにチャック本体８１の上面に固
定されており，スピンチャック７１が回転するときに保
持部材８０によって発生する気流を抑制する効果があ
る。

【００３４】ウェハＷを保持する３つの保持部材８０
は，それぞれ図５及び図６に示す構成となっている。当
接保持体９５は，当接保持体支持棒９６の上部に接続さ
れ，当接保持体支持棒９６の下部は回動体１００に接続
されている。回動体１００は保持部材回転支持軸１０１
によって，チャック本体８１上面に支持され，保持部材
回転支持軸１０１を中心として回転自在とされている。
保持部材回転支持軸１０１は，チャック本体８１の上面
において回動体１００を保持し，チャック本体８１の内
部を貫通し，チャック本体８１の下面より下側において
羽根１０２を支持する。このように，各保持部材８０
は，当接保持体９５，当接保持体支持棒９６，回動体１
００，保持部材回転支持軸１０１，羽根１０２から構成
されている。また，保持部材８０は，保持部材回転支持
軸１０１によって，チャック本体８１の上部において保
持部材回転支持軸１０１を中心として回転自在に支持さ
れている。従って，当接保持体９５，保持部材回転支持
軸１０１，羽根１０２が一体的に回転するようになって
いる。

【００３５】保持部材８０は，正回転方向ＣＷに回転す
るウェハＷの周縁に当接する第１の保持部１０６と，逆
回転方向ＣＣＷに回転するウェハＷの周縁に当接する第
２の保持部１０７を当接保持体９５に備えている。第１
の保持部１０６は保持部材回転支持軸１０１に対して逆
回転方向ＣＣＷ側に設けられ，第２の保持部１０７は保
持部材回転支持軸１０１に対して正回転方向ＣＷ側に設
けられている。スピンチャック７１を正回転方向ＣＷに
回転させると，羽根１０２が受ける風圧により，羽根１
０２を逆回転方向ＣＣＷに移動させる力が働くので，保
持部材回転支持軸１０１が逆回転方向ＣＣＷ側に向かっ
て回動し，図７に示すように，第１の保持部１０６がウ
ェハＷの周縁における逆回転方向ＣＣＷ側の箇所に当接
する。各第２の保持部１０７はウェハＷの周縁から離れ
ている。これにより，ウェハＷは３つの保持部材８０に
よって３つの方向から圧力が加えられるので，周縁にて
保持されるようになっている。また，スピンチャック７
１を逆回転方向ＣＣＷに回転させると，羽根１０２が受
ける風圧により，羽根１０２を正回転方向ＣＷに移動さ
せる力が働くので，保持部材回転支持軸１０１が正回転
方向ＣＷ側に向かって回動し，図７に示すように，第２
の保持部１０７がウェハＷの周縁における正回転方向Ｃ
Ｗ側の箇所に当接する。各第１の保持部１０８はウェハ
Ｗの周縁から離れる。このように，羽根１０２に加わる
風圧を利用して３つの保持部材８０をウェハＷの周縁に
押し付け，ウェハＷを周縁にて保持するようになってい
る。

【００３６】ウェハＷ及びスピンチャック７１が正回転
方向ＣＷへ回転する時には，第１の保持部１０６によっ
てウェハＷを保持し，第２の保持部１０７はウェハＷの
周縁から離れているので，第２の保持部１０７によって
当接される箇所に処理液を供給することができる。ウェ
ハＷ及びスピンチャック７１が逆回転方向ＣＣＷへ回転
する時には，第２の保持部１０７によってウェハＷを保
持し，第１の保持部１０６はウェハＷの周縁から離れて
いるので，第１の保持部１０６によって当接される箇所
に処理液を供給することができる。従って，ウェハＷ周
縁において第１の保持部１０６が当接する箇所も，第２
の保持部１０７が当接する箇所も処理するので，ウェハ
Ｗに処理むらが発生しない。また，ウェハＷ及びスピン
チャック７１の回転の方向を切り替えることにより，ウ
ェハＷが第１の保持部１０６に保持される状態と，第２
の保持部１０７に保持される状態を切り替えるようにな
っている。このように，ウェハＷの保持部材８０により
保持される箇所の切り替えを行う機構に，磁石などを利
用した複雑な機構を用いず，簡単な機構を用いるので，
保持部材８０の機構について信頼性の向上とコストの低
減を図ることが可能である。また，例えば処理液を供給
してウェハＷ表面の汚染物質を除去する処理を行う場
合，正回転方向ＣＷに回転させながら処理し，第１の保
持部にウェハＷから押し流した汚染物質が付着しても，
その後，逆回転方向ＣＣＷに回転する時には第２の保持
部によって保持するので，汚染物質がウェハＷに再付着
することを防止することができる。

【００３７】また，各保持部材８０は，保持部材回転支
持軸１０１に対して偏心となっている重心１０４を有し
ている。第１の保持部１０６は重心１０４に対して逆回
転方向ＣＣＷ側に設けられ，第２の保持部は重心１０４
に対して正回転方向ＣＷ側に設けられている。スピンチ
ャック７１を正回転方向ＣＷに加速して回転させると，
重心１０４を逆回転方向ＣＣＷに移動させる力が働く。
重心１０４は保持部材回転支持軸１０１上にないので，
スピンチャック７１が正回転方向ＣＷに回転を開始する
と，重心１０４が逆回転方向ＣＣＷに移動し，保持部材
回転支持軸１０１が逆回転方向ＣＣＷ側に向かって回動
し，図７に示すように，各第２の保持部１０７はウェハ
Ｗの周縁から離れ，各第１の保持部１０６がウェハＷの
周縁の逆回転方向ＣＣＷ側に当接する。また，スピンチ
ャック７１を逆回転方向ＣＣＷに加速して回転させる
と，重心１０４を正回転方向ＣＷに移動させる力が働
く。スピンチャック７１が逆回転方向ＣＣＷに回転を開
始すると，保持部材回転支持軸１０１上にない重心１０
４が正回転方向ＣＷに移動し，保持部材回転支持軸１０
１が正回転方向ＣＷ側に向かって回動し，図７に示すよ
うに，各第１の保持部１０８はウェハＷの周縁から離
れ，各第２の保持部１０７がウェハＷの周縁の正回転方
向ＣＷ側に当接する。このように，保持部材８０の重心
１０４が保持部材回転支持軸１０１上にないため，スピ
ンチャック７１が回転を開始すると共に，各第１の保持
部１０６及び各第２の保持部１０７が移動するので，ス
ピンチャック７１は回転を開始した直後にウェハＷを回
転保持することができる。

【００３８】図８に示すように，第１の保持部及び第２
の保持部は，互いに対向する上斜面１１０と下斜面１１
１を備えている。上斜面１１０と下斜面１１１は，ウェ
ハＷの中心に向かって互いに離れる方向に傾斜してお
り，ウェハＷの上面と周縁面によって形成される上方の
角部を上斜面１１０に当接させ，ウェハＷの下面と周縁
面によって形成される下方の角部を下斜面１１１に当接
させるようになっている。この場合，ウェハＷの周縁を
上斜面１１０と下斜面１１１の間に挟んで確実に保持す
る。また，斜面にウェハＷの角部を当接させるので，ウ
ェハＷの周縁と第１の保持部及び第２の保持部との接触
面積が最小となり，より効果的に処理むらを防止する。
また，ウェハＷの洗浄処理中に，押し流された汚染物質
が第１の保持部又は第２の保持部へ付着しても，その汚
染物質がウェハＷに再付着することを抑制する。さら
に，ウェハＷの周縁と第１の保持部及び第２の保持部と
の接触によるパーティクルの発生を抑制する。

【００３９】図４に示すように，トッププレート７２
は，トッププレート回転軸１２０の下端に接続されてお
り，水平板１２１に設置された回転軸モータ１２２によ
って回転する。トッププレート回転軸１２０は，水平板
１２１の下面に回転自在に支持され，この水平板１２１
は，アウターチャンバー４６上部に固着されたエアシリ
ンダー等からなる回転軸昇降機構１２３により鉛直方向
に昇降する。従って，トッププレート７２は，回転軸昇
降機構１２３の稼動により，スピンチャック７１により
支持されたウェハＷ上面から離れて待機している状態
（退避位置）と，スピンチャック７１により支持された
ウェハＷ上面に対して処理を施している状態（処理位
置）とに上下に移動自在である。また，トッププレート
７２には，例えば純水やＮ２等の乾燥ガスを供給する上
面供給路１２５が，トッププレート回転軸１２０内を貫
通して設けられている。アウターチャンバー４６上部に
は，トッププレート７２上面とアウターチャンバー４６
内部との間にＮ２を吐出するＮ２供給手段１２６が備え
られている。

【００４０】インナーカップ７０は，下降してスピンチ
ャック７１をインナーカップ７０の上端よりも上方に突
出させてウェハＷを授受させる状態と，上昇してスピン
チャック７１及びウェハＷを包囲し，ウェハＷ両面に供
給した処理液等が周囲に飛び散ることを防止する状態と
に上下に移動自在である。インナーカップ７０の底部に
は，インナーカップ７０内の液滴を排液する図示しない
インナーカップ排出管が接続されている。インナーカッ
プ７０を図４に示した位置に下降させてスピンチャック
７１に対してウェハＷを授受させる場合，トッププレー
ト７２を退避位置に位置させておく。そうすれば，トッ
ププレート７２とウェハＷの上面との間に，十分な隙間
が形成され，スピンチャック７１に対するウェハＷの授
受が円滑に行われるようになっている。

【００４１】インナーカップ７０が下降すると，スピン
チャック７１及びこれに保持されたウェハＷがインナー
カップ７０の上端よりも上方に突出した状態となる。こ
の場合は，アウターチャンバー４６内の液滴は，インナ
ーカップ７０の外側を下降し，アウターチャンバー４６
内の液滴を排液する図示しないアウターチャンバー排出
管によって排液されるようになる。一方，インナーカッ
プ７０が上昇すると，インナーカップ７０がスピンチャ
ック７１及びウェハＷを包囲して，ウェハＷ両面に供給
した処理液等が周囲に飛び散ることを防止する状態とな
る。この場合は，インナーカップ７０上部がアウターチ
ャンバー４６の内壁に近接し，インナーカップ７０内の
液滴はインナーカップ排出管によって排液されるように
なる。

【００４２】なお，洗浄処理システム１に備えられた他
の基板洗浄ユニット１３，１４，１５も，基板洗浄ユニ
ット１２と同様の構成を有し，処理液によりウェハＷを
洗浄することができる。

【００４３】さて，この洗浄処理システム１において，
先ず図示しない搬送ロボットにより未だ洗浄されていな
いウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣがイ
ン・アウトポート４に載置される。そして，このイン・
アウトポート４に載置されたキャリアＣから取出収納ア
ーム１１によって一枚ずつウェハＷが取り出され，取出
収納アーム１１から主ウェハ搬送装置１８にウェハＷが
受け渡される。そして，例えば搬送アーム３４によって
ウェハＷは各基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５
に適宜搬入され，ウェハＷに付着しているパーティクル
などの汚染物質が洗浄，除去される。こうして所定の洗
浄処理が終了したウェハＷは，再び主ウェハ搬送装置１
８によって各基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５
から適宜搬出され，取出収納アーム１１に受け渡され
て，再びキャリアＣに収納される。

【００４４】ここで，代表して基板洗浄ユニット１２で
の洗浄について説明する。図４に示すように，先ず基板
洗浄ユニット１２のユニットチャンバー用メカシャッタ
ー５１が開き，また，アウターチャンバー４６のアウタ
ーチャンバー用メカシャッター５３が開く。そして，ウ
ェハＷを保持した搬送アーム３４を装置内に進入させ
る。このとき，各保持部材８０は，図９（ａ）に示すよ
うに，支持ピン７９上に載置されるウェハＷに接触しな
い待機位置に静止している。また，インナーカップ７０
は下降してチャック本体７５を上方に相対的に突出させ
る。トッププレート７２は予め上昇して退避位置に位置
している。また，薬液アーム格納部用シャッター５５と
リンス乾燥アーム格納部用シャッター５７は閉じてい
る。

【００４５】主ウェハ搬送装置１８は，搬送アーム３４
を移動させてスピンチャック７１の支持ピン７９の上に
ウェハＷを載置し，スピンチャック７１は，半導体デバ
イスが形成されるウェハＷ表面を上面にしてウェハＷを
支持する。ウェハＷをスピンチャック７１に受け渡した
後，搬送アーム３４はアウターチャンバー４６及びユニ
ットチャンバー用メカシャッター５１の内部から退出
し，退出後，基板洗浄ユニット１２のユニットチャンバ
ー用メカシャッター５１とアウターチャンバー４６のア
ウターチャンバー用メカシャッター５３が閉じられる。
また，インナーカップ７０は上昇し，３つの保持部材８
０，チャック本体８１及びウェハＷを囲んだ状態とな
る。

【００４６】次に，スピンチャック７１が正回転方向Ｃ
Ｗに回転を開始すると，図９（ｂ）に示すように，３つ
の保持部材８０がそれぞれの保持部材回転支持軸１０１
を中心として逆回転方向ＣＣＷ側に回動し，それぞれの
第１の保持部１０６がウェハＷの周縁に当接する。これ
によりウェハＷの周縁が３方向から保持され，ウェハＷ
がスピンチャック７１本体と共に正回転方向ＣＷに回転
する。所定の回転速度に達したら，スピンチャック７１
の回転を等速回転とする。このとき，羽根１０２は気流
の抵抗を受けて逆回転方向ＣＣＷ側に押されているの
で，スピンチャック７１の回転が等速回転となっても，
保持部材８０は第１の保持部１０６を逆回転方向ＣＣＷ
側に当接させた状態を保つ。従って，ウェハＷをスピン
チャック７１本体と共に正回転方向ＣＷに回転させるこ
とができる。

【００４７】一方，薬液アーム格納部用シャッター５５
が開き，薬液供給系アーム６０が正回転方向ＣＷに回転
するウェハＷの上方に回動する。薬液供給系アーム６０
は，スピンチャック７１で保持されたウェハＷの少なく
とも中心から周縁部までをスキャンし，温度調整器によ
り所定温度に温調された薬液を供給する。そして，ウェ
ハＷ上面に薬液を液盛りして薬液の液膜を均一に形成す
る。

【００４８】ウェハＷ上面に薬液の液膜が形成される
と，薬液供給系アーム６０は薬液アーム格納部４７内に
移動し，薬液アーム格納部用シャッター５５が閉じる。
トッププレート７２は，ウェハＷ上面に形成された薬液
の液膜に接触しない位置であって，このウェハＷ上面に
対して近接した位置まで移動する。ウェハＷ上面に対し
て近接した位置まで移動したトッププレート７２とウェ
ハＷ上面に形成された薬液の液膜の間に隙間が形成され
る。また，トッププレート７２と薬液の液膜を接触させ
ても良い。この場合，トッププレート７２とウェハＷ上
面との間に薬液の液膜を確実に形成することができる。
こうしてウェハＷ上面の薬液処理を行う。

【００４９】薬液処理中は，ウェハＷ及びスピンチャッ
ク７１を静止させる。なお，薬液の種類によっては，ウ
ェハＷ及びスピンチャック７１を回転させても良い。こ
の場合，ウェハＷの回転により薬液の液膜内に液流が発
生し，この液流により，薬液の液膜内の淀みを防止する
と共に洗浄効率が向上する。例えば，薬液の液膜の形状
が崩れない程度の比較的低速の回転速度（例えば１０〜
３０ｒｐｍ程度）でウェハＷ及びスピンチャック７１を
回転させる。このとき，例えば所定時間若しくは所定回
転数，ウェハＷを正回転方向ＣＷに回転させた後，スピ
ンチャック７１を逆回転方向ＣＣＷに回転させ，ウェハ
Ｗを逆回転方向ＣＣＷに回転させても良い。この場合，
各保持部材８０は，図９（ｂ）に示すように，ウェハＷ
に第１の保持部１０６を当接させてウェハＷを保持する
位置と，図９（ｃ）に示すように，ウェハＷに第２の保
持部１０７を当接させてウェハＷを保持する位置とに移
動を繰り返すので，ウェハＷの第１の保持部１０６が当
接する箇所にも，第２の保持部１０７が当接する箇所に
も薬液を供給し，周縁を全て薬液処理することができ
る。また，例えば所定時間若しくは所定回転数，ウェハ
Ｗを正回転方向ＣＷに回転させた後，スピンチャック７
１の回転稼働を所定時間停止させてウェハＷを静止さ
せ，その後にウェハＷを逆回転方向ＣＣＷに回転させて
も良い。この場合，各保持部材８０は，図９（ａ）に示
すように，ウェハＷに当接しない待機位置と，図９
（ｂ）に示すように，ウェハＷに第１の保持部１０６を
当接させてウェハＷを保持する位置と，図９（ｃ）に示
すように，ウェハＷに第２の保持部１０７を当接させて
ウェハＷを保持する位置とに移動を繰り返すので，ウェ
ハＷの第１の保持部１０６が当接する箇所にも，第２の
保持部１０７が当接する箇所にも薬液を供給し，周縁を
全て薬液処理することができる。また，このようにウェ
ハＷの回転と回転停止を繰り返すと，薬液をウェハＷ上
面全体に容易に拡散させることができる。

【００５０】薬液処理中，トッププレート７２は，ウェ
ハＷ上面の薬液液膜の形状が崩れそうになった場合等
に，新液を供給して薬液の液膜の形状を適宜修復し，ウ
ェハＷ上面の薬液処理は，薬液供給系アーム６０から既
に供給された薬液により行い，液膜形成後は新液の供給
を控えて薬液の消費量を節約する。また，ウェハＷを間
欠的に回転させて薬液の液膜の液滴をウェハＷ上面の周
縁から滴り落とす一方で，トッププレート７２から薬液
を継続的に供給するようにしても良い。

【００５１】薬液処理中は，アウターチャンバー４６上
部に備えられたＮ２供給手段１２６より，トッププレー
ト７２の上部にＮ２を供給し，ダウンフローを形成す
る。トッププレート７２上面とアウターチャンバー４６
の間の空間をＮ２によって満たされるので，薬液の液膜
から蒸発してトッププレート７２の周囲から上昇する薬
液雰囲気が，トッププレート７２の上部の空間に回り込
まない。従って，薬液処理後，アウターチャンバー４６
内の上部に薬液が残留することを防ぐことができる。ま
た，ウェハＷの表面にウォーターマークができにくい効
果がある。

【００５２】ウェハＷの薬液処理が終了すると，トップ
プレート７２は回転しながら上昇する。即ち，回転させ
ることによりトッププレート７２に付着した薬液を振り
落とす。液滴はインナーカップ排出管へ排液される。ま
た，スピンチャック７１を例えば正回転方向ＣＷに２０
００ｒｐｍにて５秒間回転させる。スピンチャック７１
が正回転方向ＣＷに回転を開始すると，保持部材８０が
回転の方向と逆向きの慣性力を受けて逆回転方向ＣＣＷ
側へ移動し，図９（ｂ）に示すように，各第１の保持部
１０６がウェハＷの周縁に当接し，ウェハＷの周縁が３
方向から保持され，ウェハＷがスピンチャック７１本体
と共に正回転方向ＣＷに回転する。各第２の保持部１０
７はウェハＷの周縁から離れている。そして，ウェハＷ
に液盛りされた薬液が振り落とされて，インナーカップ
排出管へ排液される。薬液の液滴はインナーカップ排出
管によって排液された後，図示しない薬液循環手段によ
って回収，再利用される。これにより，省薬液が達成さ
れる。

【００５３】第１の保持部１０６によってウェハＷを保
持したスピンチャック７１を正回転方向ＣＷに回転させ
た後，逆回転方向ＣＣＷに回転させると，３つの保持部
材８０が回転の方向と逆向きの慣性力を受けて正回転方
向ＣＷ側に移動し，図９（ｃ）に示すように，各第１の
保持部１０６がウェハＷの周縁から離れ，各第２の保持
部１０７がウェハＷの周縁に当接する。これにより，ウ
ェハＷの周縁が第２の保持部１０７によって３方向から
保持され，ウェハＷがスピンチャック７１本体と共に逆
回転方向ＣＣＷに回転する。この場合，ウェハＷの周縁
において，第１の保持部１０６に当接されていた箇所の
薬液も振り落とすことができる。さらに，ウェハＷ及び
スピンチャック７１の回転の方向を繰り返して変化させ
ることにより，各保持部材８０を図９（ｂ）に示す第１
の保持部１０６を当接させる位置と，図９（ｃ）に示す
ウェハＷに第２の保持部１０７を当接させる位置とに移
動を繰り返すと良い。

【００５４】回転によるウェハＷの薬液振り落とし時，
または，その後において，さらに薬液供給系アーム６０
からウェハＷに対してＮ２ガスを供給しても良い。つま
り，薬液アーム格納部用シャッター５５を開き，薬液供
給系アーム６０をウェハＷの上方に回動させ，ウェハＷ
の少なくとも中心から周縁までをスキャンさせながら，
薬液供給系アーム６０から例えば１０秒間，Ｎ２ガスを
供給する。このようなＮ２ガスの供給によって，薬液の
液滴をウェハＷの外周に排出し，ウェハＷの表面から薬
液の液滴を取り除くことができる。薬液除去時にＮ２ガ
スを供給する時も，ウェハＷ及びスピンチャック７１の
回転の方向を変化させることにより，各保持部材８０を
図９（ｂ）に示す第１の保持部１０６を当接させる位置
と，図９（ｃ）に示すウェハＷに第２の保持部１０７を
当接させる位置とに移動を繰り返すようにして，ウェハ
Ｗの周縁全てにＮ２ガスを供給すると良い。薬液除去終
了後は，薬液供給系アーム６０を薬液アーム格納部４７
内に移動させ，薬液アーム格納部用シャッター５５を閉
じる。

【００５５】次に，リンス乾燥アーム格納部用シャッタ
ー５７が開き，リンス乾燥アーム６３がウェハＷの上方
に回動する。薬液アーム格納部用シャッター５５は閉じ
たまま薬液アーム格納部４７の密閉状態を保ち，薬液供
給系アーム６０の薬液供給ノズル６１から発生する薬液
雰囲気がウェハＷとリンス乾燥アーム６３を汚染するこ
とを防止する。リンス乾燥アーム６３は，例えば１００
０ｒｐｍにて回転しているウェハＷの少なくとも中心か
ら周縁までをスキャンしながら，例えば１秒間，ウェハ
Ｗの上面にＩＰＡを１ｌｉｔｅｒ／ｍｉｎで供給する。
スピンチャック７１が正回転方向ＣＷに回転すると，第
１の保持部１０６によってウェハＷを保持し，ＩＰＡ処
理する。その後，逆回転方向ＣＣＷに加速して逆回転方
向ＣＣＷに回転すると，第２の保持部１０７によってウ
ェハＷを保持するので，周縁の第１の保持部１０６に当
接されていた箇所を，ＩＰＡ処理することができる。こ
のように，ウェハＷ及びスピンチャック７１の回転の方
向を変化させることにより，各保持部材８０を図９
（ｂ）に示す第１の保持部１０６を当接させる位置と，
図９（ｃ）に示すウェハＷに第２の保持部１０７を当接
させる位置とに移動を繰り返すようにして，ウェハＷの
周縁全てにＩＰＡが供給されるようにする。なお，以上
のようなＩＰＡを使用した処理は，薬液処理に使用した
薬液の性質によっては省略しても良い。

【００５６】次いでリンス乾燥アーム６３はウェハＷの
上面をスキャンしながら，例えば２秒間，１ｌｉｔｅｒ
／ｍｉｎの純水を供給する。また，ウェハＷを薬液処理
するときよりも高速（例えば５００〜１０００ｒｐｍ程
度）に回転させる。高速回転しているウェハＷに純水を
供給することにより，供給した純水をウェハＷ上面全体
に均一に拡散させることができる。こうしてウェハＷを
純水によってリンス処理し，ウェハＷから薬液を洗い流
す。処理に供された純水はアウターチャンバー排出管に
よって排液される。ウェハＷに純水を供給するときも，
ウェハＷ及びスピンチャック７１の回転の方向を変化さ
せることにより，各保持部材８０を図９（ｂ）に示す第
１の保持部１０６を当接させる位置と，図９（ｃ）に示
すウェハＷに第２の保持部１０７を当接させる位置とに
移動を繰り返すようにして，ウェハＷの周縁全てに純水
が供給されるようにする。なお，以上のような純水を使
用したリンス処理は，薬液の性質によっては省略しても
良い。

【００５７】リンス処理後，ウェハＷをリンス処理する
ときよりも高速（例えば１５００ｒｐｍ程度）に回転さ
せてウェハＷをスピン乾燥させる。スピン乾燥処理時
も，ウェハＷ及びスピンチャック７１の回転の方向を変
化させることにより，各保持部材８０を図９（ｂ）に示
す第１の保持部１０６を当接させる位置と，図９（ｃ）
に示すウェハＷに第２の保持部１０７を当接させる位置
とに移動を繰り返すようにして，ウェハＷの周縁に付着
した液滴を全て振り切って乾燥させると良い。また，必
要に応じて，リンス乾燥アーム６３によりウェハＷ上面
にＮ２ガスを供給しても良い。つまり，リンス乾燥アー
ム６３をウェハＷの上方に回動させ，ウェハＷの少なく
とも中心から周縁までをスキャンさせながら，リンス乾
燥アーム６３からＮ２ガスを供給する。Ｎ２ガスを供給
する時も，ウェハＷ及びスピンチャック７１の回転の方
向を変化させることにより，各保持部材８０を図９
（ｂ）に示す第１の保持部１０６を当接させる位置と，
図９（ｃ）に示すウェハＷに第２の保持部１０７を当接
させる位置とに移動を繰り返すようにして，ウェハＷの
周縁全てにＮ２ガスを供給し，乾燥させるようにすると
良い。Ｎ２ガス供給後は，リンス乾燥アーム６３をリン
ス乾燥アーム格納部４４内に移動させ，リンス乾燥アー
ム格納部用シャッター５７を閉じる。

【００５８】その後，基板洗浄ユニット１２内からウェ
ハＷを搬出する。ユニットチャンバー用メカシャッター
５３とアウターチャンバー用メカシャッター５１が開
き，ウェハ搬送装置１８が搬送アーム３４を装置内に進
入させてウェハＷ下面を支持する。次いで，搬送アーム
３４がスピンチャック７１の支持ピン７９からウェハＷ
を離して受け取り，装置内から退出する。

【００５９】かかる基板処理装置１２によれば，スピン
チャック７１が正回転方向ＣＷに回転する時には，第１
の保持部１０６によってウェハＷを保持し，第２の保持
部１０７はウェハＷに当接しないので，第２の保持部１
０７によって当接される箇所に薬液，純水又はＮ２ガス
を供給することができる。スピンチャック７１が逆回転
方向ＣＣＷに回転する時には，第２の保持部１０７によ
ってウェハＷを保持し，第１の保持部１０８はウェハＷ
に当接しないので，第１の保持部１０８によって当接さ
れる箇所に薬液，純水又はＮ２ガスを供給することがで
きる。従って，第１の保持部１０６が当接する箇所も，
第２の保持部１０７が当接する箇所も処理するので，ウ
ェハＷに処理むらが発生しない。また，第１の保持部１
０６による保持と第２の保持部１０７による保持を切り
替えることにより，保持部材８０に付着した汚染物質が
ウェハＷに再付着することを防止することができる。

【００６０】以上，本発明の好適な実施の形態の一例を
示したが，本発明はここで説明した形態に限定されな
い。例えば，保持部材８０の数は３個に限定されず，３
個以上であれば良い。例えば，保持部材８０は中心角が
９０°となるように４箇所に配置するようにしても良
い。

【００６１】本発明は処理液が供給される基板洗浄装置
に限定されず，その他の種々の処理液などを用いて洗浄
以外の他の処理を基板に対して施すものであっても良
い。また，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣ
Ｄ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック
基板などであっても良い。

【００６２】

【発明の効果】本発明によれば，回転の切り替えによ
り，基板の周縁に保持部材が当接する箇所を切り替える
ことができるので，処理むらを防止する。保持部材に付
着した汚染物質が基板に再付着することを防止すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】洗浄システムの平面図である。

【図２】洗浄システムの側面図である。

【図３】本発明の実施の形態にかかる基板洗浄ユニット
の平面図である。

【図４】本発明の実施の形態にかかる基板洗浄ユニット
の縦断面図である。

【図５】保持部材の平面図である。

【図６】保持部材の立面図である。

【図７】ウェハに第１の保持部が当接する状態と，第２
の保持部が当接する状態を説明する説明図である。

【図８】保持部材の側面図である。

【図９】ウェハが保持部材により保持される状態を説明
する説明図である。

【符号の説明】

Ｃ キャリア ＣＷ 正回転方向 ＣＣＷ 逆回転方向 Ｗ ウェハ １ 洗浄処理システム ２ 洗浄処理部 ３ 搬入出部 １２，１３，１４，１５ 基板洗浄ユニット ３４，３５，３６ 搬送アーム ４５ ユニットチャンバー ４６ アウターチャンバー ４７ 薬液アーム格納部 ４８ リンス乾燥アーム格納部 ５１ ユニットチャンバー用メカシャッター ５３ アウターチャンバー用メカシャッター ５５ 薬液アーム格納部用シャッター ５７ リンス乾燥アーム格納部用シャッター ６０ 薬液供給系アーム ６３ リンス乾燥アーム ７０ インナーカップ ７１ スピンチャック ７９ 支持ピン ８０ 保持部材 ８１ チャック本体 ８３ チャック外周部材 ９５ 当接保持体 ９６ 当接保持体支持棒 １００ 回動体 １０１ 保持部材回転支持軸 １０２ 羽根 １０４ 重心 １０６ 第１の保持部 １０７ 第２の保持部 １１０ 上斜面 １１１ 下斜面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB23 AB34 AB42 BB82 BB92 BB93 CC01 CC13 4F035 AA01 CB04 CB13 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA12 GA47 GA48 HA24 HA26 HA33 MA04 MA23 MA24 MA26 PA30 5F046 JA04 LA02

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の保持部材によって基板の周縁を保
   持し，基板を回転させて処理する基板処理装置であっ
   て，前記保持部材は，前記基板の回転する方向に応じ
   て，基板周縁の異なる箇所に当接することを特徴とする
   基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記保持部材は，第１の保持部と第２の
   保持部を備え，前記基板の回転方向を切り替えることに
   よって，前記第１の保持部が基板の周縁に当接した状態
   と，前記第２の保持部が基板の周縁に当接した状態とを
   切り替えることを特徴とする，請求項１に記載の基板処
   理装置。
3. 【請求項３】 前記第１の保持部及び／又は第２の保持
   部は，互いに対向し基板の中心に向かって互いに離れる
   方向に傾斜する一対の斜面を有し，前記一対の斜面に基
   板の角部をそれぞれ当接させて基板を保持することを特
   徴とする，請求項２に記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記保持部材を回転自在に支持する回転
   支持軸を備え，前記保持部材の重心は回転支持軸上にな
   いことを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の
   基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記回転支持軸に羽根を取り付け，前記
   羽根に加わる風圧を利用して前記保持部材を基板に押し
   付けることを特徴とする，請求項４に記載の基板処理装
   置。
6. 【請求項６】 前記複数の保持部材を囲むリング状の外
   周部材を備えることを特徴とする，請求項１〜５のいず
   れかに記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 前記基板の裏面を支持する複数の支持ピ
   ンを備えることを特徴とする，請求項１〜６のいずれか
   に記載の基板処理装置。
8. 【請求項８】 基板の周縁を複数の箇所において保持
   し，基板を任意の回転方向に回転させて処理し，次い
   で，基板の周縁を前記複数の箇所と異なる複数の箇所に
   おいて保持し，基板を前記任意の回転方向と異なる回転
   方向に回転させて処理することを特徴とする，基板処理
   方法。