JP2008159872A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Wの表面周縁部TRおよび該表面周縁部TRに連なる基板Wの周端面を基板Wの端部として、供給位置P31に位置決めされた第1ノズル3からオゾン水を回転する基板Wの端部に供給して該基板端部に酸化膜を形成しつつ、第2ノズル4を供給位置P41に位置決めされた第2ノズル4からフッ酸を回転する基板Wの端部に供給して酸化膜を除去する。これにより、基板端部の各部に対して酸化膜形成と酸化膜除去とが交互に実行される。このため、基板端部に付着する不要物が酸化膜とともに効率良く基板端部から除去される。
【選択図】図1
Description
図1はこの発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の略円形基板Wの表面周縁部TRおよび該表面周縁部に連なる基板Wの周端面EF(基板Wの端部)に対して洗浄処理を施す装置である。具体的には、基板Wの端部に対して酸化膜の形成および該酸化膜の除去処理を施して基板端部に存在する不要物を除去した後、基板端部および裏面Wbに対してリンス処理および乾燥処理を施す装置である。なお、この実施形態では、基板表面Wfとはデバイスパターンが形成されるパターン形成面をいう。
図10はこの発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。また、図11は図10の基板処理装置における基板端部へのオゾン水およびフッ酸の供給方法を説明するための図である。この第2実施形態にかかる基板処理装置が第1実施形態と大きく相違する点は、オゾン水を基板Wの裏面側から供給している点と、オゾン水による酸化膜形成工程後に、オゾン水の供給を停止させた状態でフッ酸による酸化膜除去工程を実行している点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第1実施形態と同様であるため、ここでは相違点を中心に説明する。
図13はこの発明にかかる基板処理装置の第3実施形態を示す図である。この第3実施形態にかかる基板処理装置が第2実施形態と大きく相違する点は、オゾン水による酸化膜形成工程とフッ酸による酸化膜除去工程とを並行して実行している点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第2実施形態と同様であるため、ここでは相違点を中心に説明する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記第1実施形態では、平面視で回転中心A0から第1ノズル3の供給位置に延びる方向と回転中心A0から第2ノズル4の供給位置に延びる方向とが形成する角度を180°に設定しているが、当該角度はこれに限定されず、基板端部にオゾン水が滞留する時間および基板端部にフッ酸が滞留する時間を考慮しながら90°、120°など180°以外の角度に設定してもよい。
2…下面処理ノズル(裏面側ノズル)
3…第1ノズル
4…第2ノズル(表面側ノズル)
5…遮断部材(押圧機構)
5A,5B…ノズル挿入孔
13…チャック回転機構(回転手段)
15…スピンベース(ベース部材)
19…ガス供給ユニット(ガス供給部、押圧機構)
33…第1ノズル移動機構
43…第2ノズル移動機構(表面側ノズル移動機構)
501…遮断部材の下面(基板対向面)
502…ガス噴出口
EF…(基板の)周端面
F1〜F6…支持ピン(支持部)
OF…酸化膜
P31…供給位置(第1供給位置)
P32…待機位置(第1待機位置)
P41…供給位置(第2供給位置、対向位置)
P42…待機位置(第2待機位置)
S1〜S6…支持ピン(支持部)
SP…間隙空間
TR…表面周縁部
W…基板
Wb…基板裏面
Wf…基板表面
Claims (13)
- 基板の表面周縁部および該表面周縁部に連なる前記基板の周端面を前記基板の端部として該基板端部に対して洗浄処理を施す基板処理装置において、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板を回転させる回転手段と、
前記基板の表面側の第1供給位置に位置決めされ、前記基板端部に液体状の酸化剤を供給して前記基板端部に酸化膜を形成する第1ノズルと、
前記基板の表面側でかつ前記第1供給位置と異なる第2供給位置に位置決めされ、前記基板端部にフッ酸を供給して前記基板端部から前記酸化膜を除去する第2ノズルと
を備え、
前記回転手段により回転される前記基板の端部に対して前記第1ノズルから前記液体状の酸化剤を供給しつつ前記第2ノズルからフッ酸を供給することを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板保持手段は、回転自在に設けられたベース部材と、前記基板の裏面に当接して該基板を前記ベース部材から離間させて支持する複数の支持部と、前記基板表面にガスを供給することで前記基板を前記支持部に押圧させて前記ベース部材に保持させる押圧機構とを有する請求項1記載の基板処理装置。
- 前記押圧機構は、ガス噴出口が設けられた基板対向面を有し、該基板対向面が前記基板表面に近接しながら対向配置された遮断部材と、前記ガス噴出口からガスを噴出させることで前記基板対向面と前記基板表面との間に形成される間隙空間にガスを供給するガス供給部とを備え、前記間隙空間に供給されたガスによって前記基板を前記支持部に押圧させる請求項2記載の基板処理装置。
- 前記第1供給位置と前記基板から離れた第1待機位置とに前記第1ノズルを移動させる第1ノズル移動機構と、
前記第2供給位置と前記基板から離れた第2待機位置とに前記第2ノズルを移動させる第2ノズル移動機構と
をさらに備え、
前記遮断部材は、前記基板の表面周縁部に対向する位置に前記第1および第2ノズルがそれぞれ挿入可能な上下方向に貫通する複数のノズル挿入孔を有し、
前記第1ノズル移動機構は前記複数のノズル挿入孔のひとつに前記第1ノズルを挿入して前記第1供給位置への前記第1ノズルの位置決めを行う一方、前記第2ノズル移動機構は前記複数のノズル挿入孔の残りのひとつに前記第2ノズルを挿入して前記第2供給位置への前記第2ノズルの位置決めを行う請求項3記載の基板処理装置。 - 基板の表面周縁部および該表面周縁部に連なる前記基板の周端面を前記基板の端部として該基板端部に対して洗浄処理を施す基板処理装置において、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板を回転させる回転手段と、
前記回転手段により回転される前記基板の裏面に液体状の酸化剤を供給して該液体状の酸化剤を前記基板端部の全周に回り込ませて前記基板端部に酸化膜を形成する裏面側ノズルと、
前記基板の表面側から前記基板端部にフッ酸を局部的に供給して前記基板端部から前記酸化膜を除去する表面側ノズルと
を備え、
前記回転手段により回転される前記基板の端部に対して前記裏面側ノズルから前記液体状の酸化剤を供給するのを停止した後、前記回転手段により回転される前記基板の端部に対して前記表面側ノズルからフッ酸を供給することを特徴とする基板処理装置。 - 前記裏面側ノズルからの前記液体状の酸化剤の供給と前記表面側ノズルからのフッ酸の供給とが交互に複数回繰り返し実行される請求項5記載の基板処理装置。
- 基板の表面周縁部および該表面周縁部に連なる前記基板の周端面を前記基板の端部として該基板端部に対して洗浄処理を施す基板処理装置において、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板を回転させる回転手段と、
前記回転手段により回転される前記基板の裏面に液体状の酸化剤を供給して該液体状の酸化剤を前記基板端部の全周に回り込ませて前記基板端部に酸化膜を形成する裏面側ノズルと、
前記基板の表面側から前記基板端部にフッ酸を局部的に供給して前記基板端部から前記酸化膜を除去する表面側ノズルと
を備え、
前記回転手段により回転される前記基板の端部に対して前記裏面側ノズルから前記液体状の酸化剤を供給しつつ前記表面側ノズルからフッ酸を供給することを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板保持手段は、回転自在に設けられたベース部材と、前記基板の裏面に当接して該基板を前記ベース部材から離間させて支持する複数の支持部と、前記基板表面にガスを供給することで前記基板を前記支持部に押圧させて前記ベース部材に保持させる押圧機構とを有する請求項5ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記押圧機構は、ガス噴出口が設けられた基板対向面を有し、該基板対向面が前記基板表面に近接しながら対向配置された遮断部材と、前記ガス噴出口からガスを噴出させることで前記基板対向面と前記基板表面との間に形成される間隙空間にガスを供給するガス供給部とを備え、前記間隙空間に供給されたガスによって前記基板を前記支持部に押圧させる請求項8記載の基板処理装置。
- 前記遮断部材が、前記基板の表面周縁部と対向する位置に前記表面側ノズルが挿入可能な上下方向に貫通するノズル挿入孔を有する請求項9記載の基板処理装置であって、
前記表面側ノズルを前記ノズル挿入孔に挿入させて前記基板の表面周縁部に対向する対向位置と、前記遮断部材から離れた待機位置とに前記表面側ノズルを移動させる表面側ノズル移動機構をさらに備え、
前記対向位置に位置決めされた前記表面側ノズルから前記基板端部にフッ酸を供給する基板処理装置。 - 基板の表面周縁部および該表面周縁部に連なる前記基板の周端面を前記基板の端部として前記基板の表面側の第1供給位置に位置決めされた第1ノズルから回転する前記基板の端部に液体状の酸化剤を供給して前記基板端部に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記酸化膜形成工程と並行して実行され、前記基板の表面側でかつ前記第1供給位置と異なる第2供給位置に位置決めされた第2ノズルから回転する前記基板の端部にフッ酸を供給して前記基板端部から前記酸化膜を除去する酸化膜除去工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 基板の表面周縁部および該表面周縁部に連なる前記基板の周端面を前記基板の端部として回転する前記基板の裏面に液体状の酸化剤を供給して該液体状の酸化剤を前記基板端部の全周に回り込ませて前記基板端部に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記酸化膜形成工程後に、前記液体状の酸化剤の供給を停止させた状態で前記基板の表面側から前記基板端部にフッ酸を局部的に供給して前記基板端部から前記酸化膜を除去する酸化膜除去工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 基板の表面周縁部および該表面周縁部に連なる前記基板の周端面を前記基板の端部として回転する前記基板の裏面に液体状の酸化剤を供給して該液体状の酸化剤を前記基板端部の全周に回り込ませて前記基板端部に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記酸化膜形成工程と並行して実行され、前記基板の表面側から前記基板端部にフッ酸を局部的に供給して前記基板端部から前記酸化膜を除去する酸化膜除去工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
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