JP2007273575A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リンスノズル8からのリンス液の吐出によりリンス処理を受けた基板表面Wf全体にはリンス液が盛られた状態で付着して、いわゆるパドル状のリンス層21が形成される。そして、近接ブロック3の対向面31が基板表面Wfに対して近接配置され、対向面31と基板表面Wfとに挟まれた間隙空間に液密層23が形成された状態で近接ブロック3が移動方向(−X)に移動するとともに、液密層23の上流側端部に向けて、液体に溶解して表面張力を低下させる溶剤成分を含む溶剤ガスが供給される。
【選択図】図5
Description
図1は、この発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の部分拡大図である。詳しくは、図2(a)は基板処理装置の部分側面図であり、同図(b)はその平面図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfに付着した汚染物質を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、パターンが形成された基板表面Wfに対して薬液による薬液処理および純水やDIW(=deionized water)などのリンス液によるリンス処理を施した後、リンス処理を受けた基板Wに対して乾燥処理を行う装置である。この基板処理装置では、最終的にリンス処理を受けた基板Wには、リンス液が基板表面Wfの全体に付着した、いわゆるパドル状のリンス層21が形成されており、この状態で乾燥処理を実行する。
図7は、この発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。具体的には、同図(a)は基板処理装置の部分側面図であり、同図(b)はその平面図である。この第2実施形態にかかる基板処理装置が第1実施形態と大きく相違する点は、近接ブロック3にカバー部材58が装着されている点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第1実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
図8は、この発明にかかる基板処理装置の第3実施形態を示す図である。また、図9は図8の基板処理装置の部分拡大図である。詳しくは、図9(a)は基板処理装置の部分側面図であり、同図(b)はその平面図である。この第3実施形態にかかる基板処理装置が第1実施形態と大きく相違する点は、近接ブロック3の相対移動中に、移動方向において近接ブロック3の下流側の基板表面Wfのリンス層21に向けて液体を追加供給している点である。なお、その他の構成および動作は第1実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
図10は、この発明にかかる基板処理装置の第4実施形態を示す図である。この第4実施形態にかかる基板処理装置が第2実施形態と大きく相違する点は、近接ブロック3の相対移動中に近接ブロック3の上面34に液体を追加供給している点である。すなわち、この第4実施形態は、第3実施形態に対して、近接ブロック3にカバー部材58を装着するとともに、基板表面Wfに接液するリンス層21に直接に液体を追加供給するのに替えて、近接ブロック3の上面34に液体を追加供給する点で相違している。なお、その他の構成および動作は第2、第3実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
図11は、この発明にかかる基板処理装置の第5実施形態を示す図である。この第5実施形態にかかる基板処理装置が第4実施形態と大きく相違する点は、液体ノズル71から吐出された液体を側面32との間で液密状態に満たしながら上流辺部33に向けて導くための構成を追加している点と、溶剤ガスの滞留を防止するための構成を追加している点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第4実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
図12は、この発明にかかる基板処理装置の第6実施形態を示す図である。この第6実施形態にかかる基板処理装置が第5実施形態と大きく相違する点は、近接ブロック3を移動させながら液体ノズル71から近接ブロック3に液体を供給するのに替えて、近接ブロック3への液体の供給を近接ブロック3による基板表面Wfに対するスキャン実行前に行っている点である。なお、その他の構成および動作は第5実施形態と同様である。
図13は、この発明にかかる基板処理装置の第7実施形態である乾燥処理装置を備えた基板処理システムを示す図である。また、図14は、図13の乾燥処理装置を示す図である。これまでの実施形態では、スピンチャック1に保持された基板Wに対して薬液処理およびリンス処理などの湿式処理を施した後に、そのまま同一装置内でリンス処理済の基板に対して近接ブロック3を移動方向にスキャンさせて乾燥処理を実行するように構成していたのに対して、この実施形態では、湿式処理と乾燥処理とを分離して行うようにしている。すなわち、図13に示す基板処理システムでは、基板Wに対して薬液処理およびリンス処理を施す湿式処理装置100と、近接ブロック3が組み込まれ、基板Wを乾燥する乾燥処理装置200とを一定距離だけ離間して配置するとともに、湿式処理装置100で最終的にリンス処理を受けた基板を基板搬送装置300により乾燥処理装置200に搬送して乾燥処理を実行する。なお、第1実施形態と同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、近接ブロック3は幅方向の長さが基板Wと同一あるいはそれよりも長く延びる棒状形状を有しているが、近接ブロック3の外形形状はこれに限定されるものではなく、例えば基板Wの外周形状に対応した半リング形状を有するものを用いてもよい。また、上記実施形態では、基板Wを固定配置した状態で近接ブロック3を移動させて乾燥処理を実行しているが、基板側も同時に相対移動させるように構成してもよい。また、近接ブロック3を固定配置する一方、基板Wのみを移動させてもよい。要は、基板表面Wfから離間配置された対向面31と基板表面Wfとに挟まれた間隙空間SPにリンス液を満たして液密層23を形成した状態で、基板Wに対して近接ブロック3を移動方向に相対移動させるように構成すればよい。
Claims (15)
- 液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理装置において、
前記基板表面に対向する対向面を有し、該対向面が前記基板表面から離間配置されるとともに該対向面と前記基板表面とに挟まれた間隙空間に前記液体が満たされて液密層が形成された状態で、前記基板に対して所定の移動方向に相対移動自在な近接部材と、
前記近接部材を前記基板に対して前記移動方向に相対移動させる駆動手段と、
前記液体に溶解して表面張力を低下させる溶剤成分を必須的に含む溶剤ガスを前記移動方向における前記液密層の上流側端部に向けて供給する溶剤ガス供給手段と、
前記移動方向における前記液密層の上流側端部より下流側の前記基板表面全体にパドル状の液体層を形成する液体層形成手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記液体層形成手段は、前記基板表面に対して前記液体を用いた所定の湿式処理を実行するとともに、該湿式処理の実行後に前記基板表面の全面に前記パドル状の液体層を形成する湿式処理手段を有し、
前記基板表面の全面に前記パドル状の液体層が形成された後に、前記近接部材の前記対向面が前記基板表面から離間配置されて前記間隙空間に前記液密層が形成される請求項1記載の基板処理装置。 - 前記液体がリンス液であり、前記湿式処理手段は、前記湿式処理としてリンス処理を実行する請求項2記載の基板処理装置。
- 前記液体層形成手段は、前記近接部材の前記対向面が前記基板表面から離間配置されて前記間隙空間に前記液密層が形成される前に、前記基板表面に向けて前記液体を供給して前記基板表面の全面に前記パドル状の液体層を形成する第1液体供給手段を有する請求項1記載の基板処理装置。
- 前記第1液体供給手段は、前記基板表面に向けて前記液体を吐出する第1ノズルを有する請求項4記載の基板処理装置。
- 前記近接部材の相対移動中に前記移動方向における前記液密層の上流側端部より下流側の前記基板表面に向けて前記液体を供給する第2液体供給手段をさらに備えた請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第2液体供給手段は、前記近接部材の対向面を除く非対向面に向けて前記液体を吐出する第2ノズルを有し、
前記近接部材は、前記第2ノズルから前記非対向面に吐出された前記液体を前記非対向面に沿って、前記対向面を規定する辺部のうち前記移動方向の上流側に位置する上流辺部に向けて導く請求項6記載の基板処理装置。 - 前記近接部材は、前記第2ノズルから前記非対向面に吐出された前記液体を前記非対向面に沿って、前記対向面を規定する辺部のうち前記上流辺部とともに前記移動方向の下流側に位置する下流辺部に向けて導く請求項7記載の基板処理装置。
- 前記近接部材は、前記非対向面として前記上流辺部と接続されるとともに該接続位置から前記移動方向の上流側を臨みながら前記基板表面から離れる方向に延設された延設面をさらに有し、前記第2ノズルから吐出された前記液体を前記延設面を介して前記上流辺部に向けて導く請求項7または8記載の基板処理装置。
- 前記近接部材の上流側端部では、前記対向面と前記延設面とが鋭角をなしている請求項9記載の基板処理装置。
- 前記近接部材は、前記延設面と対向して前記液体を前記上流辺部に向けて導く案内面をさらに有し、前記第2ノズルから吐出された前記液体で前記延設面と前記案内面との間を液密状態に満たしながら前記上流辺部に向けて前記液体を導く請求項9または10記載の基板処理装置。
- 前記溶剤ガス供給手段は、前記移動方向において前記液密層の上流側に位置する上流側雰囲気を取り囲むカバー部材を有し、前記上流側雰囲気に前記溶剤ガスを供給する請求項1ないし11のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記近接部材は、前記対向面の前記移動方向の上流側に前記基板表面に対向しながら離間配置されるとともに、ガス吐出口が開口された上流側対向部位をさらに有し、
前記溶剤ガス供給手段は、前記ガス吐出口から前記溶剤ガスを前記液密層の前記移動方向の上流側に向けて吐出する請求項1ないし11のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記近接部材が石英で形成されている請求項1ないし13のいずれかに記載の基板処理装置。
- 液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理方法において、
前記基板表面に対向する対向面を有する近接部材を、前記基板表面から前記対向面が離間するように配置することによって、前記対向面と前記基板表面とに挟まれた間隙空間に前記液体を満たして液密層を形成する工程と、
前記液密層が形成された状態を維持しつつ前記近接部材を前記基板に対して所定の移動方向に相対移動させる工程と、
前記液体に溶解して表面張力を低下させる溶剤成分を必須的に含む溶剤ガスを前記移動方向における前記液密層の上流側端部に向けて供給する工程と、
前記移動方向における前記液密層の上流側端部より下流側の前記基板表面全体にパドル状の液体層を形成する工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
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