KR100858578B1 - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 396
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 357
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 161
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 118
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 34
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 90
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 72
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 25
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 230000029142 excretion Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- IDOWTHOLJBTAFI-UHFFFAOYSA-N phenmedipham Chemical compound COC(=O)NC1=CC=CC(OC(=O)NC=2C=C(C)C=CC=2)=C1 IDOWTHOLJBTAFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Abstract
Description
Claims (15)
- 액체에 젖은 기판표면을 건조하는 기판처리장치에 있어서,상기 기판표면에 대향하는 대향면을 가지고, 이 대향면이 상기 기판표면으로부터 이간배치됨과 함께 이 대향면과 상기 기판표면 사이에 끼인 간극공간에 상기 액체가 채워져서 액밀층이 형성된 상태에서, 상기 기판에 대하여 소정의 이동방향으로 상대이동이 가능한 근접부재와,상기 근접부재를 상기 기판에 대하여 상기 이동방향으로 상대이동하게 하는 구동수단과,상기 액체에 용해되어서 표면장력을 저하하게 하는 용제성분을 필수적으로 포함하는 용제가스를 상기 이동방향에 있어서의 상기 액밀층의 상류측 단부를 향하여 공급하는 용제가스공급수단과,상기 이동방향에 있어서의 상기 액밀층의 상류측 단부보다 하류측인 상기 기판표면 전체에 패들 형상의 액체층을 형성하는 액체층 형성수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 액체층 형성수단은, 상기 기판표면에 대하여 상기 액체를 사용한 소정의 습식처리를 실행함과 함께, 이 습식처리의 실행 후에 상기 기판표면의 전면에 상기 패들 형상의 액체층을 형성하는 습식처리수단을 가지고,상기 기판표면의 전면에 상기 패들 형상의 액체층이 형성된 후에, 상기 근접부재의 상기 대향면이 상기 기판표면으로부터 이간배치되어서 상기 간극공간에 상기 액밀층이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제2항에 있어서,상기 액체가 린스액이며, 상기 습식처리수단은, 상기 습식처리로서 린스처리를 실행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 액체층 형성수단은, 상기 근접부재의 상기 대향면이 상기 기판표면으로부터 이간배치되어서 상기 간극공간에 상기 액밀층이 형성되기 전에, 상기 기판표면을 향하여 상기 액체를 공급하여 상기 기판표면의 전면에 상기 패들 형상의 액체층을 형성하는 제1액체공급수단을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제4항에 있어서,상기 제1액체공급수단은, 상기 기판표면을 향하여 상기 액체를 토출하는 제1 노즐을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 근접부재의 상대이동 중에 상기 이동방향에 있어서의 상기 액밀층 상류측 단부보다 하류측인 상기 기판표면을 향하여 상기 액체를 공급하는 제2액체공급수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제6항에 있어서,상기 제2액체공급수단은, 상기 근접부재의 대향면을 제외한 비대향면을 향하여 상기 액체를 토출하는 제2노즐을 가지고,상기 근접부재는, 상기 제2노즐로부터 상기 비대향면에 토출된 상기 액체를 상기 비대향면에 따라, 상기 대향면을 규정하는 변부 중 상기 이동방향의 상류측에 위치하는 상류변부를 향하여 안내하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제7항에 있어서,상기 근접부재는, 상기 제2노즐로부터 상기 비대향면에 토출된 상기 액체를 상기 비대향면에 따라, 상기 대향면을 규정하는 변부 중 상기 상류변부와 함께 상 기 이동방향의 하류측에 위치하는 하류변부를 향하여 안내하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제7항에 있어서,상기 근접부재는, 상기 비대향면으로서 상기 상류변부와 접속됨과 함께 이 접속위치로부터 상기 이동방향의 상류측을 향하면서 상기 기판표면으로부터 멀어지는 방향으로 연설된 연설면을 더 가지고, 상기 제2노즐로부터 토출된 상기 액체를 상기 연설면을 개재하여 상기 상류변부를 향하여 안내하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제9항에 있어서,상기 근접부재의 상류측 단부에서는, 상기 대향면과 상기 연설면이 예각을 이루고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제9항에 있어서,상기 근접부재는, 상기 연설면과 대향하여 상기 액체를 상기 상류변부를 향하여 안내하는 안내면을 더 가지고, 상기 제2노즐로부터 토출된 상기 액체로 상기 연설면과 상기 안내면과의 사이를 액밀상태로 채우면서 상기 상류변부를 향하여 상기 액체를 안내하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항 기재의 기판처리장치에 있어서,상기 용제가스공급수단은, 상기 이동방향에 있어서 상기 액밀층 상류측에 위치하는 상류측 분위기를 둘러싸는 커버부재를 가지고, 상기 상류측 분위기에 상기 용제가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항 기재의 기판처리장치에 있어서,상기 근접부재는, 상기 대향면의 상기 이동방향의 상류측에 상기 기판표면에 대향하면서 이간배치됨과 함께, 가스토출구가 개구된 상류측 대향부위를 더 가지고,상기 용제가스 공급수단은, 상기 가스토출구로부터 상기 용제가스를 상기 액밀층의 상기 이동방향의 상류측을 향하여 토출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항 기재의 기판처리장치에 있어서,상기 근접부재가 석영으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 액체에 젖은 기판표면을 건조하는 기판처리방법에 있어서,상기 기판표면에 대향하는 대향면을 가지는 근접부재를, 상기 기판표면에서 상기 대향면이 이간하도록 배치함으로써, 상기 대향면과 상기 기판표면 사이에 끼인 간극공간에 상기 액체를 채워서 액밀층을 형성하는 공정과,상기 액밀층이 형성된 상태를 유지하면서 상기 근접부재를 상기 기판에 대하여 소정의 이동방향으로 상대이동하게 하는 공정과,상기 액체에 용해되어서 표면장력을 저하하게 하는 용제성분을 필수적으로 포함하는 용제가스를 상기 이동방향에 있어서의 상기 액밀층 상류측 단부를 향하여 공급하는 공정과,상기 이동방향에 있어서의 상기 액밀층의 상류측 단부보다 하류측인 상기 기판표면 전체에 패들 형상의 액체층을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2006-00095041 | 2006-03-30 | ||
JP2006095041A JP4641964B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070098509A KR20070098509A (ko) | 2007-10-05 |
KR100858578B1 true KR100858578B1 (ko) | 2008-09-17 |
Family
ID=38557067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070022071A KR100858578B1 (ko) | 2006-03-30 | 2007-03-06 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8857449B2 (ko) |
JP (1) | JP4641964B2 (ko) |
KR (1) | KR100858578B1 (ko) |
CN (1) | CN100505156C (ko) |
TW (1) | TW200737321A (ko) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101255048B1 (ko) * | 2005-04-01 | 2013-04-16 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 하나 이상의 처리 유체를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는데 이용되는 장치용 배리어 구조 및 노즐 장치 |
JP4889331B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN101484974B (zh) | 2006-07-07 | 2013-11-06 | Fsi国际公司 | 用于处理微电子工件的设备和方法以及遮挡结构 |
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-
2006
- 2006-03-30 JP JP2006095041A patent/JP4641964B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-13 TW TW096105187A patent/TW200737321A/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-03-06 KR KR1020070022071A patent/KR100858578B1/ko active IP Right Grant
- 2007-03-21 CN CNB2007100878482A patent/CN100505156C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-21 US US11/689,073 patent/US8857449B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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---|---|
TWI346976B (ko) | 2011-08-11 |
KR20070098509A (ko) | 2007-10-05 |
CN100505156C (zh) | 2009-06-24 |
US20070227566A1 (en) | 2007-10-04 |
JP2007273575A (ja) | 2007-10-18 |
CN101047110A (zh) | 2007-10-03 |
TW200737321A (en) | 2007-10-01 |
US8857449B2 (en) | 2014-10-14 |
JP4641964B2 (ja) | 2011-03-02 |
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