KR20190042186A - 포토 마스크 세정 장치 및 포토 마스크 세정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토 마스크 세정 방법을 제공한다. 본 발명의 포토 마스크 세정 방법은 포토 마스크가 정지된 상태에서 포토 마스크의 전면에 약액을 웨팅(wetting)하는 전처리 단계; 및 상기 포토 마스크가 회전되는 상태에서 상기 포토 마스크의 패턴면 영역으로 약액을 공급하는 세정처리 단계를 포함할 수 있다.

Description

포토 마스크 세정 장치 및 포토 마스크 세정 방법{APPARATUS AND METHOD FOR WASHING MASK}
본 발명은 포토 마스크의 세정 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 약액을 공급하여 포토 마스크를 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
포토마스크(photomask)는 석영이나 유리 기판 위에 반도체의 미세 회로를 형상화한 것으로서, 예를 들면 투명한 석영 기판의 상층에 도포된 크롬 박막을 이용하여 반도체 집적회로와 LCD 패턴을 실제 크기의 1~5배로 식각한 것이다. 포토마스크의 미세 패턴은 포토리소그래피 공정을 통해 기판 위에 형성된다. 포토리소그래피 공정은, 포토레지스트를 기판 위에 균일하게 도포하고, 스테퍼와 같은 노광장비를 이용하여 포토마스크 상의 패턴을 축소 투영 노광시킨 후, 현상 과정을 거쳐 2차원의 포토레지스트 패턴을 형성하기까지의 전 과정을 말한다.
포토마스크는 여러 가지 요건으로부터 기인된 오염을 제거하기 위하여 세정공정을 진행하고 있다. 포토 마스크 세정 공정은 마스크의 중심이나 중심에 가까운 부분에서 약액(SPM;Sulfuric Peroxide Mixture)을 분사하면서 마스크를 회전시켜 마스크 전면에 약액을 도포하고 도포된 약액이 기반상의 오염물을 제거하게 된다. 이 때 마스크에 약액이 토출되는 순간 토출되는 부분에서 정전기가 발생하여 아킹에 의한 패턴(Pattern) 손상이 발생 할 수 있다.
좀 더 구체적으로 설명하, 약액 분사구 주변은 마스크상에서 약액이 빠르게 흐르게 되어 정전기가 발생한다. 마스크의 구조 상 발생한 정전기는 금속 패턴에 갖히게 되는데 이렇게 누적된 정전기에 의한 아킹(Arcing)이 발생 할 경우 금속 패턴이 손상을 입게 된다. 도 10에서와 같이 이러한 아킹은 약액이 최초 분사되는 지점(도 10의 중앙 붉은 원)에 주로 발생하게 되며 아킹에 의해 변형된 금속 패턴은 노광 공정의 불량을 야기한다.
본 발명의 일 과제는, 세정 공정시 아킹에 의한 금속 패턴의 손상을 방지할 수 있는 포토 마스크 세정 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 포토 마스크가 정지된 상태에서 포토 마스크의 전면에 약액을 웨팅(wetting)하는 전처리 단계; 및 상기 포토 마스크가 회전되는 상태에서 상기 포토 마스크의 패턴면 영역으로 약액을 공급하는 세정처리 단계를 포함하는 포토 마스크 세정 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 전처리 단계에서 약액의 최초 분사 위치는 상기 포토 마스크의 비패턴면일 수 있.
또한, 상기 전처리 단계는 상기 포토 마스크의 비패턴 영역으로 노즐을 이동시키는 단계; 및 상기 비패턴 영역에 위치한 상기 노즐에서 약액을 토출하는 단계를 포함하되; 상기 비패턴 영역에서의 약액 토출은 상기 포토 마스크 전면이 약액으로 웨팅될 때까지 이루어질 수 있다.
또한, 상기 세정 처리 단계는 상기 노즐을 상기 비패턴 영역으로부터 상기 패턴 영역의 중앙으로 이동시키는 단계; 및 상기 패턴 영역의 중앙으로 이동한 상기 노즐에서 약액을 토출하는 단계는 포함할 수 있다.
또한, 상기 전처리 단계는 포토 마스크의 비패턴 영역으로 노즐을 이동시키는 단계; 및 상기 비패턴 영역에 위치한 상기 노즐에서 약액을 토출하는 단계를 포함하되; 상기 노즐은 상기 비패턴 영역에서 상기 패턴 영역의 중앙으로 이동하면서 약액을 토출할 수 있다.
또한, 상기 약액은 황산과 과산화물의 혼합액을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 포토 마스크를 지지하는 지지판과; 상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기와; 상기 지지판에 놓인 포토 마스크 상으로 약액을 분사하는 노즐과; 상기 노즐을 구동하는 노즐 구동기와; 그리고 상기 지지판 구동기 및 상기 노즐 구동기를 제어하는 제어기를 포함하되; 상기 제어기는 세정 공정 진행시 상기 노즐이 정지된 상태의 포토 마스크의 비패턴 영역 상에서 공급을 시작하도록 상기 노즐 구동기를 제어하는 포토 마스크 세정 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 제어기는 상기 노즐로부터 분사되는 약액에 의해 포토 마스크 전면이 웨팅된 후에는 상기 노즐을 포토 마스트의 패턴 영역 중앙으로 이동시켜 약액 분사가 이루어지도록 상기 노즐 구동기를 제어할 수 있다.
또한, 상기 제어기는 상기 노즐이 상기 패턴 영역 중앙에서 약액을 분사할 때부터 포토 마스크가 회전되도록 상기 지지판 구동기를 제어할 수 있다.
또한, 상기 제어기는 상기 노즐로부터 분사되는 약액에 의해 포토 마스크 전면이 웨팅되도록 포토 마스크의 비패턴 영역에서 패턴 영역으로 이동되도록 상기 노즐 구동기를 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 약액 토출을 패턴이 없는 비패턴 영역에서 포토 마스크가 정지한 채 시작함으로써 아킹을 방지할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 마스크를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크 세정 설비를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 포토 마스크 세정 설비의 1층 레이아웃을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 포토 마스크 세정 설비의 2층 레이아웃을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 마스크 건조 장치를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 마스크 건조 장치를 보여주는 측면도이다.
도 7은 포토 마스크 세정 방법을 간략히 설명하기 위한 플로우챠트이다.
도 8a 내지 도 8d는 포토 마스크 상에서의 약액 토출 과정을 단계적으로 보여주는 도면들이다.
도 9는 본 발명에 따른 포토 마스크 세정 공정에서 아킹 데미지가 없는 상태를 보여주는 도면이다.
도 10은 종래 포토 마스크 세정 공정에서 발생되는 아킹 데미지를 보여주는 도면이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 마스크 세정 장치는 광학적 패턴이 손상되지 않도록 마스크를 세정한다.
도 1은 마스크(500)의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 마스크(500)의 중앙에는 패턴 영역(520)이 존재한다. 비패턴 영역(540)은 패턴 영역(520)을 감싸도록 마스크(500)의 가장자리에 존재한다. 도시하지 않았지만, 패턴 영역(520)과 비패턴 영역(540) 사이에는 글루가 위치될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크 세정 설비를 보여주는 구성도이다. 도 3 및 도 4는 도 2에 도시된 포토 마스크 세정 설비의 1층과 2층의 레이아웃을 보여주는 도면들이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 마스크 세정 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 X방향(12) 이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 X방향(12)과 수직한 방향으로 Y방향(14)이라 하고, X방향(12)과 Y방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 Z방향(16)이라 한다.
로드 포트(120)에는 마스크(500)가 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 Y방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 캐리어(18)에는 마스크(500)의 가장자리를 지지하도록 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 Z방향(16)으로 복수 개가 제공되고, 마스크(500)는 Z방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다.
공정 처리 모듈(20)은 상부 처리 모듈(40)과 하부 처리 모듈(30)을 갖는다. 상부 처리 모듈(40)과 하부 처리 모듈(30)은 각각, 이송 하우징(240), 버퍼 유닛(220), 그리고 공정 하우징(260)를 가진다. 이송 하우징(240)는 그 길이 방향이 X방향(12)과 평행하게 배치된다. Y방향(14)을 따라 이송 하우징(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정 하우징(260)들이 배치된다. 이송 하우징 (240)의 일측 및 타측에서 공정 하우징(260)들은 이송 하우징(240)를 기준으로 서로 간에 대칭이 되도록 제공된다. 이송 하우징(240)의 일측에는 복수 개의 공정 하우징(260)들이 제공된다. 공정 하우징(260)들 중 일부는 이송 하우징(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 하우징(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 하우징(240)의 일측에는 공정 하우징(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 X방향 (12)을 따라 일렬로 제공된 공정 하우징(260)의 수이고, B는 Y방향(14)을 따라 일렬로 제공된 공정 하우징(260)의 수이다. 이송 하우징 (240)의 일측에 공정 하우징(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 하우징(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 하우징(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수 있다. 상술한 바와 달리, 공정 하우징(260)는 이송 하우징(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정 하우징(260)는 이송 하우징(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 하우징(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 공정 하우징(260)와 캐리어(18) 간에 마스크가 반송되기 전에 마스크(500)가 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 상부 버퍼(70)와 하부 버퍼(60)를 가진다. 상부 버퍼(70)는 하부 버퍼(60)의 상부에 위치된다. 상부 버퍼(70)는 상부 처리 모듈(40)과 대응되는 높이에 배치된다. 하부 버퍼(60)는 하부 처리 모듈(30)과 대응되는 높이에 배치된다. 상부 버퍼(70)와 하부 버퍼(60) 각각은 그 내부에 마스크(500)가 놓이는 슬롯이 제공되며, 슬롯들은 서로 간에 Z방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 하우징(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 마스크(500)를 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 Y방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 Y방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스 암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 Z방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 이는 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스 암(144c)들은 Z방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스 암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 마스크(500)를 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 마스크(500)를 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 마스크(500)를 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 마스크(500)로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 마스크(500)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 하우징(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 하우징(260) 간에, 그리고 공정 하우징(260)들 간에 마스크(500)를 반송한다. 이송 하우징(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제 X방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 이는 가이드 레일(242)상에서 X방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인 암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 Z방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인 암(244c)들은 Z방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 하우징(260) 내에는 마스크(500)에 대해 세정 공정을 수행하는 마스크 세정 장치가 제공된다. 마스크 세정 장치는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 하우징(260) 내의 마스크 세정 장치는 동일한 구조를 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 하부 처리 모듈(40)은 습식 세정 공정을 수행하는 챔버와 냉각 공정을 수행하는 챔버를 포함할 수 있다. 상부 처리 모듈(30)은 건식 및 기능수 세정 공정을 수행하는 챔버와 가열 공정을 수행하는 챔버를 포함할 수 있다.
이하, 마스크 세정 장치는 상술한 습식 세정 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 케미컬을 이용하여 마스크(500)를 세정하는 마스크 세정 장치의 일 예를 설명한다.
도 5는 도 4에 도시된 마스크 세정 장치(1000)를 보여주는 평면도이다. 도 6은 도 5의 마스크 세정 장치(1000)를 보여주는 측면도이다.
마스크 세정 장치(1000)는 아킹에 의한 금속 패턴의 손상 업서이 마스크를 세정한다.
도 5를 참조하면, 마스크 세정 장치(1000)는 하우징(1100), 용기(1200), 지지부재(1300), 패턴 세정 유닛(1400), 그리고 제어기(1600)를 포함한다.
하우징(1100)은 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 하우징(1100)의 상벽에는 팬필터유닛(미도시됨)이 설치된다. 팬필터유닛은 하우징(1100) 내부 공간에서, 아래로 향하는 수직기류를 발생시킨다.
용기(1200)는 하우징(1100) 내에 배치된다. 용기(1200)는 공정에 사용된 케미컬 및 공정시 발생된 흄(fume)이 외부로 튀거나 유출되는 것을 방지한다. 용기(1200)는 내부에 상부가 개방되고 마스크(500)가 처리되는 공간을 가진다.
지지부재(1300)는 용기(1200) 내에 위치된다. 지지부재(1300)는 공정 처리시 마스크(500)를 지지한다. 지지부재(1300)는 지지판(1320), 척킹 핀(1340), 지지축(1360), 그리고 지지판 구동기(1380)를 포함한다.
지지판(1320)은 대체로 원형으로 제공된다. 지지판(1320)은 마스크(500)보다 큰 직경을 가진다. 지지판(1320)은 마스크(500)를 지지한다. 케미컬이 공급되는 동안, 마스크(500)는 상부를 향하도록 지지판(1320)에 지지된다. 지지판(1320)의 상면에는 척킹 핀(1340)들이 제공된다. 척킹 핀(1340)들은 지지판(1320) 상면으로부터 상부로 돌출된다. 척킹 핀(1340)들은 지지판(1320)이 회전될 때, 원심력에 의해 마스크(500)가 지지판(1320)으로부터 측방향으로 이탈되는 것을 방지한다. 마스크(500)가 지지판(1320) 상의 정위치에 놓일 때, 마스크(500)의 각각의 모서리에는 2개의 척킹 핀(1340)들이 제공된다. 따라서 척킹 핀(1340)은 전체적으로 8개가 제공된다. 공정 진행시 척킹 핀(1340)들은 마스크(500)의 4 모서리를 지지하여 마스크(500)가 정위치로부터 이탈되는 것을 방지한다. 지지판(1320)의 하부 중앙에는 지지축(1360)이 연결된다. 지지축(1360)은 지지판(1320)을 지지한다. 지지축(1360)은 지지판(1320)의 중심축과 대응되게 제공된다. 지지축(1360)의 하단에는 지지판 구동기(1380)가 연결된다. 지지판 구동기(1380)는 지지판(1320)을 회전시킨다. 지지축(1360)은 지지판 구동기(1380)의 회전력을 지지판(1320)에 전달한다. 지지판 구동기(1380)는 제어기(1600)에 의해 제어된다. 지지판 구동기(1380)는 모터를 포함할 수 있다.
승강 유닛(미도시)은 용기(1200)에 대한 지지판(1320)의 상대 높이가 조절되도록 용기(1200)를 상하 방향으로 이동시킨다. 승강 유닛은 마스크(500)가 지지판(1320)에 로딩되거나, 지지판(1320)으로부터 언로딩될 때 지지판(1320)이 용기(1200)의 상부로 돌출되도록 용기(1200)를 하강시킨다.
패턴 세정 유닛(1400)은 용기(1200)의 일측에 배치된다. 패턴 세정 유닛(1400)은 마스크(500)의 상면으로 케미컬을 공급하여 마스크(500) 표면의 오염을 제거한다. 패턴 세정 유닛(1400)은 노즐 어셈블리(1410), 노즐 암(1420), 암 지지축(1360), 노즐 구동기(1440) 그리고 케미컬 공급부(1450)를 포함한다.
노즐 구동기(1440)는 제어기(1600)에 의해 제어될 수 있다.
일 예로, 케미컬 공급부에서 공급되는 케미컬은 황산과 과산화물의 혼합액(SPM;Surfuric Peroxide Mixture)을 포함할 수 있다.
도 7은 포토 마스크 세정 방법을 간략히 설명하기 위한 플로우챠트이고, 도 8a 내지 도 8d는 포토 마스크 상에서의 약액 토출 과정을 단계적으로 보여주는 도면들이며, 도 9는 본 발명에 따른 포토 마스크 세정 공정에서 아킹 데미지가 없는 상태를 보여주는 도면이다.
도 4 내지 도 8d을 참조하면, 본 발명에서의 포토 마스크 세정 방법은 약액 토출을 패턴이 없는 비패턴 영역(540)에서 포토 마스크(500)를 정지한 상태로 시작하여 에킹(Arcing)을 방지하고(도 9 참조), 정지한 상태로 포토 마스크(500) 전면이 약액으로 도포되었을 때 노즐(1410)을 패턴 영역(520)의 중심으로 이동시킨 후 포토 마스크(500)를 회전하면서 약액을 분사한다는데 그 특징이 있다.
일 예로, 포토 마스크 세정 방법은 전처리 단계(S100)와 세정 처리 단계(S200)를 포함할 수 있다.
전처리 단계(S100)는 포토 마스크(500)가 정지된 상태에서 포토 마스크(500)의 전면에 약액을 웨팅(wetting)한다. 전처리 단계(S100)에서 약액은 포토 마스크(500)의 비패턴 영역(540)으로 공급된다. 전처리 단계(S100)는 포토 마스크(500)의 비패턴 영역(540)으로 노즐(1410)을 이동시키는 단계(S110) 및 비패턴 영역(540)에 위치한 노즐(1410)에서 약액을 토출하는 단계(S120)를 포함하며, 비패턴 영역(540)에서의 약액 토출은 포토 마스크(500) 전면이 약액으로 웨팅될 때까지 진행된다. 이러한 약액 토출 과정은 제어기(1600)가 노즐 구동기(1440)를 제어함으로써 제공된다.
세정 처리 단계(S200)는 포토 마스크(500)가 회전되는 상태에서 포토 마스크(500)의 패턴 영역(520)으로 약액을 공급한다. 세정 처리 단계(S200)는 노즐(1410)을 비패턴 영역(540)으로부터 패턴 영역(520)의 중앙으로 이동시키는 단계(S210) 및 패턴 영역(520)의 중앙으로 이동한 노즐(1410)에서 약액을 토출하는 단계(S220)는 포함할 수 있다. 세정 처리 단계에서 지지판 구동기(1380)는 제어기(1600)에 의해 제어된다.
비패턴 영역(540)에서 약액을 분사 할 때 패턴 영역(520) 전체에 약액이 도포되도록 하기 위해서 기판을 회전하지 않아야 하며 포토 마스크(50)) 전면에 약액이 도포되었을 때부터 회전을 시작하면서 약액을 지속적으로 공급한다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 마스크 세정 방법은 포토 마스크(500)의 가장자리에 해당되는 비패턴 영역(540)에서 약액을 분사하여 패턴 영역에 ㅇ아아킹이 발생하지 않은 상태로 천천히 포토 마스크(500)의 전면에 약액을 웨팅한 후에 기판을 회전하면서 약액을 공급함으로써 아킹에 의한 금속 패턴의 손상을 방지 할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1000 : 마스크 세정 장치 1200 : 용기
1300 : 지지부재 1320 : 지지판
1410 : 노즐 1440 : 노즐 구동기
1600 : 제어기

Claims (10)

  1. 포토 마스크 세정 방법에 있어서:
    포토 마스크가 정지된 상태에서 포토 마스크의 전면에 약액을 웨팅(wetting)하는 전처리 단계; 및
    상기 포토 마스크가 회전되는 상태에서 상기 포토 마스크의 패턴면 영역으로 약액을 공급하는 세정처리 단계를 포함하는 포토 마스크 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전처리 단계에서 약액은 상기 포토 마스크의 비패턴면으로 공급하는 포토 마스크 세정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전처리 단계는
    상기 포토 마스크의 비패턴 영역으로 노즐을 이동시키는 단계; 및
    상기 비패턴 영역에 위치한 상기 노즐에서 약액을 토출하는 단계를 포함하되;
    상기 비패턴 영역에서의 약액 토출은 상기 포토 마스크 전면이 약액으로 웨팅될 때까지 이루어지는 포토 마스크 세정 방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 세정 처리 단계는
    상기 노즐을 상기 비패턴 영역으로부터 상기 패턴 영역의 중앙으로 이동시키는 단계; 및
    상기 패턴 영역의 중앙으로 이동한 상기 노즐에서 약액을 토출하는 단계는 포함하는 포토 마스크 세정 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전처리 단계는
    포토 마스크의 비패턴 영역으로 노즐을 이동시키는 단계; 및
    상기 비패턴 영역에 위치한 상기 노즐에서 약액을 토출하는 단계를 포함하되;
    상기 노즐은 상기 비패턴 영역에서 상기 패턴 영역의 중앙으로 이동하면서 약액을 토출하는 포토 마스크 세정 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 약액은
    황산과 과산화물의 혼합액을 포함하는 포토 마스크 세정 방법.
  7. 포토 마스크를 지지하는 지지판과;
    상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기와;
    상기 지지판에 놓인 포토 마스크 상으로 약액을 분사하는 노즐과;
    상기 노즐을 구동하는 노즐 구동기와; 그리고
    상기 지지판 구동기 및 상기 노즐 구동기를 제어하는 제어기를 포함하되;
    상기 제어기는 세정 공정 진행시 상기 노즐이 정지된 상태의 포토 마스크의 비패턴 영역 상에서 공급을 시작하도록 상기 노즐 구동기를 제어하는 포토 마스크 세정 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어기는
    상기 노즐로부터 분사되는 약액에 의해 포토 마스크 전면이 웨팅된 후에는 상기 노즐을 포토 마스트의 패턴 영역 중앙으로 이동시켜 약액 분사가 이루어지도록 상기 노즐 구동기를 제어하는 포토 마스크 세정 장치.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제어기는
    상기 노즐이 상기 패턴 영역 중앙에서 약액을 분사할 때부터 포토 마스크가 회전되도록 상기 지지판 구동기를 제어하는 포토 마스크 세정 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어기는
    상기 노즐로부터 분사되는 약액에 의해 포토 마스크 전면이 웨팅되도록 포토 마스크의 비패턴 영역에서 패턴 영역으로 이동되도록 상기 노즐 구동기를 제어하는 포토 마스크 세정 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102162260B1 (ko) * 2018-10-22 2020-10-06 세메스 주식회사 가이드 핀 및 이를 구비하는 포토 마스크 지지 유닛과 포토 마스크 세정 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10260522A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Toray Ind Inc フォトマスクの洗浄方法及びフォトマスクの洗浄装置
KR20090019688A (ko) * 2007-08-21 2009-02-25 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판세정장치 및 기판세정방법
KR20100053485A (ko) * 2007-08-16 2010-05-20 아사히 가라스 가부시키가이샤 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
KR101757820B1 (ko) * 2016-07-11 2017-07-17 세메스 주식회사 포토 마스크 처리 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US709A (en) * 1838-04-25 Gate fob flumes of watekr-wheels
JPS522B2 (ko) * 1971-11-12 1977-01-05
KR200144262Y1 (ko) 1996-12-04 1999-06-15 강용환 피봇힌지
US7524771B2 (en) * 2002-10-29 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
US20060257751A1 (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Karin Eggers Photo mask and method to form a self-assembled monolayer and an inorganic ultra thin film on the photo mask
KR20070102076A (ko) 2006-04-13 2007-10-18 세메스 주식회사 매엽식 기판 세정 방법
KR100828120B1 (ko) 2007-06-22 2008-05-08 세메스 주식회사 기판 세정 방법
KR101044409B1 (ko) 2009-05-27 2011-06-27 세메스 주식회사 기판 세정 방법
JP5666183B2 (ja) 2010-07-20 2015-02-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR101450965B1 (ko) 2011-09-29 2014-10-15 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US9355835B2 (en) 2012-06-29 2016-05-31 Semes Co., Ltd. Method and apparatus for processing substrate
JP6265702B2 (ja) 2012-12-06 2018-01-24 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP6304592B2 (ja) 2014-03-25 2018-04-04 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US9570285B2 (en) 2015-04-17 2017-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning composition and methods thereof
US20170207079A1 (en) 2016-01-15 2017-07-20 United Microelectronics Corp. Substrate cleaning method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10260522A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Toray Ind Inc フォトマスクの洗浄方法及びフォトマスクの洗浄装置
KR20100053485A (ko) * 2007-08-16 2010-05-20 아사히 가라스 가부시키가이샤 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
KR20090019688A (ko) * 2007-08-21 2009-02-25 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판세정장치 및 기판세정방법
KR101757820B1 (ko) * 2016-07-11 2017-07-17 세메스 주식회사 포토 마스크 처리 장치

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