KR20070102076A - 매엽식 기판 세정 방법 - Google Patents

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KR20070102076A
KR20070102076A KR1020060033736A KR20060033736A KR20070102076A KR 20070102076 A KR20070102076 A KR 20070102076A KR 1020060033736 A KR1020060033736 A KR 1020060033736A KR 20060033736 A KR20060033736 A KR 20060033736A KR 20070102076 A KR20070102076 A KR 20070102076A
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Abstract

본 발명은 반도체 기판 세정 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 매엽식 기판 세정 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 매엽식 세정 방법은, 기판상에 1차 세정액을 분사한 후 상기 세정액이 기판 표면에 잔류하는 감광액 및 오염물질과 반응하여 성질이 변화되면, 2차 세정액을 기판 표면에 공급하여, 상기 2차 세정액이 상기 1차 세정액을 표면장력에 의해 밀어내어 제거한다. 본 발명에 따르면, 기판 표면에 강하게 흡착되어 있는 감광액 및 파티클과 같은 오염물질을 효과적으로 제거할 수 있어 기판의 세정 효율을 향상시킨다.
세정, 클리닝, 매엽식 기판 세정, 매엽식 기판 처리, 기판 세정 장치, 기판 세정 방법,

Description

매엽식 기판 세정 방법{METHOD OF CLEANING A SUBSTRATE IN A SINGLE WAFER TYPE}
도 1은 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법이 적용되는 매엽식 기판 세정 장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법을 도시한 순서도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 매엽식 기판 세정 장치
110 : 용기
120 : 지지부재
130 : 유체 공급부재
140 : 유체 공급부재 구동부
150 : 유체 공급원
160 : 제어부
본 발명은 반도체 기판 세정 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 매엽식 기판 세정 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 장치는 증착, 포토리소그래피, 식각, 화학적 기계적 연마, 세정, 건조 등과 같은 단위 공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다. 이러한 단위 공정들 중에서 세정 공정은 각각의 단위 공정들을 수행하는 동안 반도체 기판 표면에 부착되는 이물질 또는 불필요한 막을 제거하는 공정으로, 최근 반도체 기판상에 형성되는 패턴이 미세화되고, 패턴의 종횡비(aspect ratio)가 커짐에 따라 점차 중요도가 높아지고 있다.
상기 세정 공정을 수행하는 장치는 다수의 반도체 기판을 동시에 세정하는 배치식 세정 장치와 낱장 단위로 반도체 기판을 세정하는 매엽식 세정 장치로 구분된다. 배치식 세정 장치는 반도체 기판을 세정하기 위한 세정액이 수용된 세정조에 다수의 반도체 기판을 침지시켜 한번에 다수의 반도체 기판을 세정한다. 매엽식 세정 장치는 반도체 기판을 지지하기 위한 척과 반도체 기판의 전면 또는 이면에 세정액을 공급하기 위한 노즐들을 포함한다.
일반적인 매엽식 세정 장치는 세정 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내부에서 회전가능도록 설치되는 지지부재, 공정시 상기 지지부재에 안착된 기판으로 처리액을 분사하는 노즐부를 가진다. 상술한 매엽식 세정 장치는 공정이 개시되면, 지지부재에 기판을 안착시킨 후 기판을 회전시키면서 세 정액, 린스액 등의 처리액을 기판 표면으로 분사함으로써 기판에 잔류하는 처리액 및 기타 오염물질(이하 '잔류물질'이라 한다)을 제거한다.
그러나, 상술한 세정 방법은 기판 표면의 잔류물질을 완전히 제거하지 못한다. 예컨대, 매엽식 세정 방법 중 황산 또는 질산으로 기판 표면에 잔류하는 감광액 및 파티클과 같은 미세 오염물질을 제거하는 경우에 있어서, 기판 표면에 강하게 흡착된 처리액 및 파티클과 같은 미세 오염물질들은 기판으로부터 완전히 제거되지 못하고 일부가 기판에 잔류하는 문제점이 있다.
또한, 상술한 세정 방법은 기판상에 잔류물질이 허용치 이하로 떨어질 때까지 계속적으로 세정액을 분사하는 것이므로, 세정 시간이 길고 세정액의 사용량이 증가한다는 문제점을 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 세정 효율을 향상시킨 매엽식 세정 방법을 제공함에 있다. 특히, 본 발명의 목적은 황산 또는 질산과 같은 비중 및 밀도값이 높은 세정액을 사용하여 기판을 세정하는 경우에, 기판 표면에 잔류하는 처리액 및 기타 오염물질들의 제거 효율을 향상시킨 매엽식 세정 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 세정 시간을 단축시킬 수 있는 매엽식 세정 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 세정액의 사용량을 줄일 수 있는 매엽식 세정 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 매엽식 세정 방법은 (a) 회전되는 기판의 전면에 세정액이 균일하게 도포되도록 1차적으로 세정액을 분사하는 단계 및 (b) 기판상의 잔류물질과 반응하여 성질이 변화된 상기 세정액을 제거하도록, 기판을 정지한 상태에서 기판의 중심영역으로 상기 세정액을 2차적으로 분사하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 매엽식 기판 세정 방법은 (d)린스액을 상기 기판표면에 분사하여 기판상에 잔류물질을 린스하는 단계 및 (e) 기판을 건조하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 세정액은 황산(H2SO4) 또는 질산(HNO3)이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 (b)단계와 상기(d)단계 사이에는 (c)상기 2차적으로 분사된 세정액이 기판의 중심영역으로부터 가장자리 영역으로 퍼지면서 상기 1차적으로 분사된 세정액을 밀어내어 제거시키는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 (c)단계는 표면 장력에 의해 상기 2차적으로 분사된 세정액이 상기 1차적으로 분사된 세정액을 밀어낸다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 (c)단계와 상기 (d)단계 사이에는 기판 가장자리 영역에 잔류하는 물질을 제거하도록 기판을 회전시키는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 (c)단계와 상기 (d)단계 사이에는 기판 가 장자리 영역에 잔류하는 물질을 제거하도록 기판을 회전시키는 단계를 더 포함한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 기판상에 1차 세정액을 분사한 후 상기 세정액이 기판 표면에 잔류하는 감광액 및 오염물질과 반응하여 성질이 변화하면, 2차 세정액을 기판 표면에 공급하여, 상기 2차 세정액이 상기 1차 세정액을 표면장력에 의해 밀어내어 제거하되, 상기 1차 세정액과 상기 2차 세정액은 동일하다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법이 적용되는 매엽식 기판 세정 장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 장치(100)는 용기(110), 지지부재(120), 유체 공급부재(130), 유체 공급부재 구동부(140), 유체 공급원(150), 그리고 제어부(160)를 포함한다.
용기(110)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 용기(110)는 상부가 개방되고, 개방된 상부는 용기(110) 내부의 유체가 외부로 튀어나가는 것을 방지하도록 개방된 상부가 내측으로 연장되어 용기(110)의 내부 지름보다 점차 작아지도록 형성된다. 또한, 용기(110) 하부측에는 공정에 사용된 유체들이 용기(110) 외부로 배출되는 배출라인(112)이 형성된다. 여기서, 상기 기판 처리 공정은 기판을 세정액으로 세정하는 공정, 기판을 린스액으로 린스하는 공정, 그리고 기판을 건조하는 공정을 포함한다.
지지부재(120)는 공정 진행시 기판을 안착시켜 지지한다. 지지부재(120)는 원판 형상의 상부면이 형성되며, 하부측에는 모터(124)에 의해 회전가능한 회전축(122)을 갖는다. 지지부재(120)는 용기(110) 내에 위치되며, 회전축(122)은 용기(110)의 저면 중앙을 관통하도록 제공된다. 여기서, 지지부재(120)에는 기판 고정부재(미도시됨)가 구비되어 지지부재(120)에 기판 안착시 기판을 지지부재(120)의 상부면에 고정하도록 한다.
상기 기판 고정부재는 기판의 고정을 진공으로 흡착하여 고정시킨다. 즉, 지지부재(120) 내부에는 지지부재(120)의 상부면까지 연장되는 적어도 하나의 진공라인(미도시됨)이 형성되며, 상기 진공라인은 지지부재(120)에 기판이 안착되면, 공기를 흡입하여 기판이 지지부재(120)의 상부면에 흡착되도록 하는 것이다. 지지부재(120)의 기판 고정 방식 및 방법은 다양한 방식이 적용될 수 있다.
유체 공급부재(130)는 기판의 세정, 린스, 그리고 건조를 위한 소정의 유체를 공급한다. 유체 공급부재(130)는 노즐부(132) 및 제 1 내지 제 3 분사구(134a, 134b, 134c)를 포함한다. 노즐부(132)는 후술할 유체 공급원(150)으로부터 소정의 유체를 공급받아 제 1 내지 제 3 분사구(134a, 134b, 134c)로 공급받은 유체를 배출시킨다. 제 1 내지 제 3 분사구(134a, 134b, 134c)는 노즐부(132)의 하부면에 일렬로 배치된다. 여기서, 제 1 분사구(134a)는 세정액이 배출되고, 제 2 분사구(134b)는 린스액이 배출되며, 제 3 분사구(134c)는 건조가스가 배출된다. 여기서, 본 발명의 일 실시예로서, 상기 세정액은 황산 또는 질산이고, 상기 건조가스는 질소가스 등의 불활성 가스이다.
본 발명의 실시예에 따른 유체 공급부재(130)는 복수의 분사구(134a, 134b, 134c)가 하나의 노즐부(132)에 결합된 구조를 가지는 것을 예로 들어 설명하였으나, 유체 공급부재(130)는 공정에 사용되는 세정액, 린스액, 그리고 건조가스를 공급하기 위한 것으로, 그 구조는 다양하게 변형 및 변경될 수 있다. 예컨대, 유체 공급부재는 세정액을 공급하는 노즐, 린스액을 공급하는 노즐, 그리고 건조가스를 공급하는 노즐이 각각 독립적으로 구비될 수 있다.
유체 공급부재 구동부(140)는 이동 아암(142), 지지축(144), 그리고 구동모터(146)를 포함한다. 이동 아암(142)은 일단이 유체 공급부재(130)와 연결되고, 타단은 용기(110) 외부 일측에 설치되는 지지축(144)과 연결된다. 이동 아암(142)은 유체 공급부재(130)의 직선 및 회전 운동을 위해 구동 모터(146)와 연결되는 지지축(144)과 유기적으로 움직이도록 제작된다.
지지축(144)은 일단이 이동 아암(142)과 연결되고, 타단이 구동모터(146)와 연결된다. 지지축(144)은 구동모터(146)의 작동에 의해 동작하여 이동 아암(142)을 이동시킨다. 지지축(144)과 이동 아암(142)은 구동 모터(146)에 의해 서로 유기적으로 동작하여 유체 공급부재(130)를 직선 및 회전 운동시킨다.
유체 공급원(150)은 세정액 공급원(152), 린스액 공급원(154), 그리고 건조가스 공급원(156)을 포함한다. 세정액 공급원(152)은 세정액을 저장하며, 공정시 제 1 분사구(134a)로 세정액을 공급한다. 같은 방식으로 린스액 공급원(154) 및 건조가스 공급원(156)은 각각 제 2 분사구(134b) 및 제 3 분사구(134c)로 린스액 및 건조가스를 공급한다.
제어부(160)는 지지부재(120)의 모터(124) 및 유체 공급부재 이동부(140)의 구동모터(146)와 연결된다. 그리하여, 제어부(160)는 기판의 세정 공정 수행시, 지지부재(120)의 회전 및 상하 운동을 제어하고, 유체 공급부재 이동부(140)를 동작하여 유체 공급부재(130)의 작동을 제어한다.
이하, 상술한 구성을 가지는 매엽식 기판 세정 장치(100)의 세정 방법을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성에 대한 참조번호를 동일하게 병기하며, 그 구성에 대한 상세한 설명은 생략하겠다.
도 2는 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법을 도시한 순서도이고, 도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 2 및 도 3a를 참조하면, 매엽식 세정 장치(100)의 공정이 개시되면, 매엽식 세정장치(100) 외부에 구비된 기판이송장치(미도시됨)은 기판을 지지부재(120)에 로딩(loading)시킨다. 여기서, 로딩된 기판의 처리면에는 감광액(photo-resist)과 같은 처리액 및 기타 파티클(P)과 같은 오염물질들(이하, '잔류물질'이라 함)이 잔류하고 있으며, 매엽식 세정 장치(100)는 이러한 잔류물질들을 제거하는 세정공정을 수행한다. 지지부재(120)에 기판이 안착되면, 제어부(160)는 지지부재(120)를 기설정된 공정속도로 회전시킨다. 이때, 상기 공정속도는 대략 400rpm일 수 있다.
도 3b를 참조하면, 유체 공급부재(130)는 회전되는 기판(W) 표면에 1차적으로 세정액(C1)을 분사한다(S110). 1차적으로 분사된 세정액은 기판 표면에 잔류하는 잔류물질, 즉, 처리액(미도시됨) 및 기타 오염물질(P)과 화학적으로 반응하여 그 성질이 변화된다. 성질이 변화된 세정액(C1)은 회전되는 기판의 원심력에 의해 기판 표면으로부터 제거됨으로써, 잔류물질과 함께 제거된다.
이때, 세정액은 기판 처리면 전반에 걸쳐 균일하게 분사되는 것이 바람직하다. 이는 기판 처리면 중 일부에만 세정액을 분사하면, 기판의 일부가 과도하게 세정되는 등의 문제점이 발생되어 기판 처리면의 세정이 균일하게 이루어지지 않기 때문이다. 또한, 세정액은 황산(H2SO4)을 고농도로 포함하는 용액 또는 질산(HNO3)을 고농도로 포함하는 용액과 같은 비중, 밀도, 그리고 점도가 상대적으로 높은 세정액이 사용되는 것이 유리하다. 이는 비중, 밀도, 그리고 점도가 높은 세정액일수록 회전되는 기판상에서 퍼져나가는 속도가 작으므로, 기판상에 잔류하는 처리액 및 오염물질과 반응하는 시간을 증가하여 보다 효율적인 세정이 가능하기 때문이다. 그러나, 황산 및 질산의 농도는 공정 조건에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
또한, 스텝(S110)에서는 세정액(C1)의 분사량이 기판 전면에 균일하게 도포될 수 있는 정도로 분사하는 것이 바람직하다. 종래에는 회전되는 잔류물질이 허용치 이하로 떨어질 때까지 기판의 처리면으로 세정액을 지속적으로 분사하였다. 그 러나, 이러한 방식은 세정액의 사용량이 크고, 세정 시간이 증가되는 단점이 있었다. 따라서, 본 발명은 이를 해결하기 위해, 스텝(S110)에서 세정액(C1)이 기판 전면에 균일하게 도포될 수 있는 정도로만 공급한다. 또한, 세정액(C1)의 분사량은 기판상에 잔류물질과 충분히 반응할 수 있는 정도로 공급하여야 한다.
스텝(S110)이 완료되면, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제어부(160)는 지지부재(120)의 회전을 중지하고, 유체 공급부재(120)는 기판의 중심영역을 향해 2차적으로 일정량의 세정액(C2)을 분사한다(S120).
스텝(S120)이 완료되면, 세정액(C2)을 공급을 중단한다. 세정액(C2)은 도 3d에 도시된 바와 같이, 기판의 중심영역으로부터 가장자리영역으로 퍼져나가면서 스텝(S110)에서 분사되어 성질이 변화된 세정액(C1)을 표면 장력에 의해 기판의 가장자리 영역을 향해 밀어낸다(S130). 이때, 1차 세정액(C1)은 잔류물질과 화학적으로 반응되어 있으므로, 기판 표면의 잔류물질 또한 동시에 제거된다. 따라서, 2차 세정액(C2)에 의해 1차 세정액(C1)이 밀려나면서 기판 표면에 강하게 흡착되어 있는 잔류물질, 특히 파티클(P)과 같은 미세 오염입자들이 기판으로부터 제거된다.
본 실시예에서는 스텝(S120) 및 스텝(S130)이 지지부재(120)의 회전이 정지된 상태에서 이루어지는 방식을 예로 들어 설명하였다. 즉, 2차적으로 분사된 세정액(C2)은 지지부재(120)의 회전으로 인한 원심력에 의해 퍼져나가면서 세정액(C1)을 밀어내는 것이 아니고, 세정액(C2)이 스텝(S110)의 1차 세정액(C1)을 표면장력에 의해 자연적으로 밀어내는 것이다. 그러나, 본 발명의 다른 실시예로서, 스텝(S120) 및 스텝(S130)은 기판(W)을 저속으로 회전시켜 세정액(C2)이 세정액(C1) 을 원심력에 의해 밀어내도록 할 수 있다.
또한, 상술한 실시예에서는 1차적으로 분사된 세정액(C1)과 2차적으로 분사된 세정액(C2)이 동일한 경우를 예로 들어 설명하였으나, 1차적으로 분사된 세정액과 2차적으로 분사된 세정액은 선택적으로 상이한 세정액을 사용할 수 있다.
스텝(S130)이 완료되면, 제어부(160)는 세정액(C2)의 공급을 중단한 후 지지부재(120)를 다시 회전시킨다(S140). 이때, 기판(W)의 회전속도는 스텝(S110)에서의 회전속도보다 빠른 것이 바람직하다. 도 3e에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)의 가장자리 영역에 잔류하는 물질들을 원심력에 의해 제거한다.
스텝(S140)이 완료되면, 제어부(160)는 세정액(C2)의 공급을 중단한 후 지지부재(120)를 다시 회전시키고, 유체 공급부재(130)는 회전되는 기판으로 린스액을 분사한다(S150). 여기서, 지지부재(120)의 회전속도는 대략 400rpm 이상이며, 린스액으로부터 오존수 및 초순수 등이 사용될 수 있다. 분사된 린스액은 기판 표면에 잔류하는 세정액을 기판 표면으로부터 제거한다.
스텝(S150)가 완료되면, 제어부(160)는 지지부재(120)의 회전속도를 증가시키고, 유체 공급부재(130)는 건조가스를 기판으로 공급한다(S160). 여기서, 지지부재(120)의 회전속도는 대략 1500rpm 이상이며, 상기 건조가스로는 질소가스 등의 불활성 가스를 사용한다.
상술한 매엽식 세정 방법은 1차적으로 분사된 세정액(C1)을 기판 표면에 잔류하는 처리액 및 오염물질과 반응시켜 성질을 변화하도록 한 후, 세정액(C2)이 성질이 변화된 세정액(C1)을 제거함으로써, 처리액과 오염물질을 동시에 제거하도록 한다.
따라서, 기판의 세정을 1차 및 2차적으로 수행하고, 기판상에 강하게 흡착된 잔류물질들을 효과적으로 제거할 수 있다. 또한, 상술한 세정 방식은 종래의 세정 방식, 예컨대, 단순히 회전되는 기판의 처리면으로 세정액을 지속적으로 분사하여 기판을 세정시키는 방식에 비하여, 세정액의 사용량을 줄일 수 있고, 세정 시간을 단축할 수 있어 효율적인 기판의 세정을 수행할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 1차 및 2차 세정액의 표면 장력을 이용하여 세정함으로써 기판 세정 효율을 향상시킨다. 특히, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 기판 표면에 강하게 흡착되어 있는 감광액 및 파티클과 같은 오염물질을 효과적으로 제거할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 기판의 세정 시간을 단축할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 세정액의 사용량을 줄일 수 있다.

Claims (6)

  1. 매엽식 기판 세정 방법에 있어서,
    (a) 회전되는 기판의 전면에 세정액이 균일하게 도포되도록 1차적으로 세정액을 분사하는 단계,
    (b) 기판상의 잔류물질과 반응하여 성질이 변화된 상기 세정액을 제거하도록, 기판을 정지한 상태에서 기판의 중심영역으로 상기 세정액을 2차적으로 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 매엽식 기판 세정 방법은,
    (d)린스액을 상기 기판표면에 분사하여 기판상에 잔류물질을 린스하는 단계, 그리고
    (e) 기판을 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 세정액은,
    황산(H2SO4)을 포함하는 용액 또는 질산(HNO3)을 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 (b)단계와 상기(d)단계 사이에는,
    (c)상기 2차적으로 분사된 세정액이 기판의 중심영역으로부터 가장자리 영역으로 퍼지면서 상기 1차적으로 분사된 세정액을 밀어내어 제거시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  5. 상기 제 4 항에 있어서,
    상기 (c)단계는,
    표면 장력에 의해 상기 2차적으로 분사된 세정액이 상기 1차적으로 분사된 세정액을 밀어내는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 (c)단계와 상기 (d)단계 사이에는,
    기판 가장자리 영역에 잔류하는 물질을 제거하도록 기판을 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
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