JPH10260522A - フォトマスクの洗浄方法及びフォトマスクの洗浄装置 - Google Patents
フォトマスクの洗浄方法及びフォトマスクの洗浄装置Info
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- JPH10260522A JPH10260522A JP6622597A JP6622597A JPH10260522A JP H10260522 A JPH10260522 A JP H10260522A JP 6622597 A JP6622597 A JP 6622597A JP 6622597 A JP6622597 A JP 6622597A JP H10260522 A JPH10260522 A JP H10260522A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】フォトリソ加工の露光工程に用いるフォトマス
クを、熟練を要さず、かつ確実に洗浄することができる
フォトマスク洗浄方法およびフォトマスク洗浄装置を提
供する。 【解決手段】フォトリソ加工時に使用するフォトマスク
の洗浄方法において、該フォトマスクに対して処理液の
塗布を行い、該フォトマスクと接触した処理液を該フォ
トマスクを回転させることによって排除し、乾燥させる
ことを特徴とするフォトマスクの洗浄方法。
クを、熟練を要さず、かつ確実に洗浄することができる
フォトマスク洗浄方法およびフォトマスク洗浄装置を提
供する。 【解決手段】フォトリソ加工時に使用するフォトマスク
の洗浄方法において、該フォトマスクに対して処理液の
塗布を行い、該フォトマスクと接触した処理液を該フォ
トマスクを回転させることによって排除し、乾燥させる
ことを特徴とするフォトマスクの洗浄方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣＤ用カラーフ
ィルタ、半導体等のフォトリソ加工における露光工程で
用いるフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置に関す
る。
ィルタ、半導体等のフォトリソ加工における露光工程で
用いるフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤ用カラーフィルタ、半導体等の製
造プロセスでは微細加工を行うためにフォトリソ加工を
行っている。このうち露光工程ではフォトマスクを介し
て紫外線照射を行い、所定のパターンを形成させている
が、フォトマスクと基板間の距離を非常に近接させる必
要があり、たとえばカラーフィルタの場合、５０〜３０
０μｍの距離に近接させている。
造プロセスでは微細加工を行うためにフォトリソ加工を
行っている。このうち露光工程ではフォトマスクを介し
て紫外線照射を行い、所定のパターンを形成させている
が、フォトマスクと基板間の距離を非常に近接させる必
要があり、たとえばカラーフィルタの場合、５０〜３０
０μｍの距離に近接させている。
【０００３】そのため、フォトマスクには基板が持ち込
む異物やレジスト等が非常に付着しやすく、フォトマス
クを洗浄することが必須となる。
む異物やレジスト等が非常に付着しやすく、フォトマス
クを洗浄することが必須となる。
【０００４】フォトマスクはその性質から非常に清浄度
を高くする必要があるが、反面、近年の基板の大判化に
伴ってフォトマスクが大判化になってきており、フォト
マスク全面を異物の付着、再汚染させることなく洗浄す
ることは難しくなってきている。
を高くする必要があるが、反面、近年の基板の大判化に
伴ってフォトマスクが大判化になってきており、フォト
マスク全面を異物の付着、再汚染させることなく洗浄す
ることは難しくなってきている。
【０００５】今までのフォトマスクの洗浄方法は、はじ
めにＮａＯＨ、アセトン、純水等の薬液をしみこませた
柔らかい布等を用いて、人が異物を拭き取り、この状態
でフォトマスクを使用していた。しかしこの方法は、人
手によって作業を行うため、洗浄状態にバラツキが見ら
れた。また目視検査では判別できない塵や汚れが存在し
ても、露光時に欠点となることがあるため、フォトマス
ク上の異物が除去できたかどうかは実際に露光を行う必
要があった。さらにフォトマスクの取り扱いは熟練を要
し、フォトマスク自体に傷を付けることもしばしば起こ
った。
めにＮａＯＨ、アセトン、純水等の薬液をしみこませた
柔らかい布等を用いて、人が異物を拭き取り、この状態
でフォトマスクを使用していた。しかしこの方法は、人
手によって作業を行うため、洗浄状態にバラツキが見ら
れた。また目視検査では判別できない塵や汚れが存在し
ても、露光時に欠点となることがあるため、フォトマス
ク上の異物が除去できたかどうかは実際に露光を行う必
要があった。さらにフォトマスクの取り扱いは熟練を要
し、フォトマスク自体に傷を付けることもしばしば起こ
った。
【０００６】スピン方式の基板の処理装置が、特開平７
−６６０９９号公報、特開平５−１５４４３０号公報に
提案されており、これをフォトマスクの洗浄装置に適用
することは可能である。スピン方式では、フォトマスク
を回転させながら薬液を塗布するため、薬液の使用量は
ディップ方式に比べて少量で済むという利点がある。フ
ォトマスクは一様に乾燥させることが必要となるが、ス
ピン方式の場合、高速回転させることでこれを満たすこ
とができる。しかしフォトマスクを高速回転させると、
上昇気流を伴った随伴流が発生し、洗浄容器内に残った
使用後の薬液がこの随伴流によってミストを形成し、こ
のミストが随伴流に乗ってフォトマスクを再汚染させる
という問題点がある。
−６６０９９号公報、特開平５−１５４４３０号公報に
提案されており、これをフォトマスクの洗浄装置に適用
することは可能である。スピン方式では、フォトマスク
を回転させながら薬液を塗布するため、薬液の使用量は
ディップ方式に比べて少量で済むという利点がある。フ
ォトマスクは一様に乾燥させることが必要となるが、ス
ピン方式の場合、高速回転させることでこれを満たすこ
とができる。しかしフォトマスクを高速回転させると、
上昇気流を伴った随伴流が発生し、洗浄容器内に残った
使用後の薬液がこの随伴流によってミストを形成し、こ
のミストが随伴流に乗ってフォトマスクを再汚染させる
という問題点がある。
【０００７】このミストによる再汚染はガラス基板等で
は問題にならないレベルであるが、フォトマスクの場
合、再汚染部分で光の通過に変化が起こるため問題とな
る。
は問題にならないレベルであるが、フォトマスクの場
合、再汚染部分で光の通過に変化が起こるため問題とな
る。
【０００８】そのためスピン方式でフォトマスクを洗浄
する場合、洗浄容器内に薬液を残さないようにすること
が必須となる。
する場合、洗浄容器内に薬液を残さないようにすること
が必須となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の問題点を解決するべくなされたもので、フォトリソ
加工の露光工程に用いるフォトマスクを、熟練を要さ
ず、かつ確実に洗浄することができるフォトマスク洗浄
方法およびフォトマスク洗浄装置を提供することを目的
とする。
術の問題点を解決するべくなされたもので、フォトリソ
加工の露光工程に用いるフォトマスクを、熟練を要さ
ず、かつ確実に洗浄することができるフォトマスク洗浄
方法およびフォトマスク洗浄装置を提供することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明のフォトマスクの洗浄方法は、フォトリソ加工
時に使用するフォトマスクの洗浄方法において、該フォ
トマスクに対して処理液の塗布を行い、該フォトマスク
と接触した処理液を該フォトマスクを回転させることに
よって排除し、乾燥させることを特徴とする。
の本発明のフォトマスクの洗浄方法は、フォトリソ加工
時に使用するフォトマスクの洗浄方法において、該フォ
トマスクに対して処理液の塗布を行い、該フォトマスク
と接触した処理液を該フォトマスクを回転させることに
よって排除し、乾燥させることを特徴とする。
【００１１】また、前記目的を達成するための本発明の
フォトマスクの洗浄装置は、処理槽内に、フォトマスク
を回転自在に支持する回転部材と、該回転部材に支持さ
れたフオトマスクに処理液を吐出する処理液吐出ノズル
とを設けるとともに、前記回転部材の回転により飛散す
る処理液を排出する排水口を設けたことを特徴とする。
フォトマスクの洗浄装置は、処理槽内に、フォトマスク
を回転自在に支持する回転部材と、該回転部材に支持さ
れたフオトマスクに処理液を吐出する処理液吐出ノズル
とを設けるとともに、前記回転部材の回転により飛散す
る処理液を排出する排水口を設けたことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面に示す実施例に基づい
て本発明をさらに詳細に説明する。
て本発明をさらに詳細に説明する。
【００１３】図１は、本発明洗浄装置の一例を示す側面
図であり、図２は、図１の上面図である。
図であり、図２は、図１の上面図である。
【００１４】図１に示すように、１は処理槽であり、該
処理槽内１にフォトマスク４を載置する回転テーブル３
が回転軸２に回転可能に支持されている。処理槽１の上
部は開放系となっており、装置周辺はダウンフローの雰
囲気となっている。処理槽１の底部はフォトマスク回転
中心が最も高く、外周部に向かうほど低くなるような構
造となっている。これによって、処理液が外周部へ集ま
りやすくなるようにしてある。
処理槽内１にフォトマスク４を載置する回転テーブル３
が回転軸２に回転可能に支持されている。処理槽１の上
部は開放系となっており、装置周辺はダウンフローの雰
囲気となっている。処理槽１の底部はフォトマスク回転
中心が最も高く、外周部に向かうほど低くなるような構
造となっている。これによって、処理液が外周部へ集ま
りやすくなるようにしてある。
【００１５】フォトマスク４は、露光時に基板と向き合
う面が上側になるように、回転テーブル上に載置するこ
とが好ましい。また、フォトマスク４を載置する回転テ
ーブル３はできるだけ細身化している方が好ましい。回
転テーブル３を細身化することによりフォトマスク４の
裏面洗浄が行いやすくなり、処理液の裏まわり等に対し
て洗浄が行いやすくなる。図の実施例では、回転テーブ
ル３は４本の板状の羽根が十字状のプロペラ型に形成さ
れた構造となっている。
う面が上側になるように、回転テーブル上に載置するこ
とが好ましい。また、フォトマスク４を載置する回転テ
ーブル３はできるだけ細身化している方が好ましい。回
転テーブル３を細身化することによりフォトマスク４の
裏面洗浄が行いやすくなり、処理液の裏まわり等に対し
て洗浄が行いやすくなる。図の実施例では、回転テーブ
ル３は４本の板状の羽根が十字状のプロペラ型に形成さ
れた構造となっている。
【００１６】また回転テーブル３にはフォトマスク４を
把持するチャツク（図示せず）が設けられている。この
チャックはフォトマスク４に傷が付いたり、Ｃｒがはが
れたりしないように、フォトマスクの有効紫外線照射領
域外につけることが好ましい。またチャックの材質とし
ては、テフロン等の耐薬品性がある比較的柔らかい樹脂
を用いるのが好適である。
把持するチャツク（図示せず）が設けられている。この
チャックはフォトマスク４に傷が付いたり、Ｃｒがはが
れたりしないように、フォトマスクの有効紫外線照射領
域外につけることが好ましい。またチャックの材質とし
ては、テフロン等の耐薬品性がある比較的柔らかい樹脂
を用いるのが好適である。
【００１７】５はフォトマスク４の上方に設けられたフ
ォトマスク４に上方から処理液を吐出する処理液吐出ノ
ズルであり、６はフォトマスク４の下方に設けられたフ
ォトマスク４に下方から処理液を吐出する処理液吐出ノ
ズルである。
ォトマスク４に上方から処理液を吐出する処理液吐出ノ
ズルであり、６はフォトマスク４の下方に設けられたフ
ォトマスク４に下方から処理液を吐出する処理液吐出ノ
ズルである。
【００１８】フォトマスクを洗浄するために用いる処理
液としては、非イオン系、アニオン系あるいはカチオン
系の界面活性剤や、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＴＭＡＨ等のア
ルカリ水溶液、純水等が挙げられるが、被洗浄物によっ
て処理液を適宜選択する必要がある。
液としては、非イオン系、アニオン系あるいはカチオン
系の界面活性剤や、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＴＭＡＨ等のア
ルカリ水溶液、純水等が挙げられるが、被洗浄物によっ
て処理液を適宜選択する必要がある。
【００１９】処理液の散布はフォトマスク４を回転テー
ブル３に載置して回転させながら行うが、フォトマスク
４の下面には回転チャック等があるために水洗の際に完
全に処理液を除去することが困難であり、よって処理液
の散布はマスク上面からのみで行う方がよい。フォトマ
スク４のもう一方の面についても処理液を用いて洗浄す
る時は、フォトマスクを反転させて同様の洗浄を繰り返
せばよい。
ブル３に載置して回転させながら行うが、フォトマスク
４の下面には回転チャック等があるために水洗の際に完
全に処理液を除去することが困難であり、よって処理液
の散布はマスク上面からのみで行う方がよい。フォトマ
スク４のもう一方の面についても処理液を用いて洗浄す
る時は、フォトマスクを反転させて同様の洗浄を繰り返
せばよい。
【００２０】フォトマスク４に処理液を散布するとき
は、フォトマスクをゆっくりと回転させながら塗布する
ことが望ましい。フォトマスクの回転数としては、好ま
しくは２００ｒｐｍ以下、より好ましくは１００ｒｐｍ
以下である。フォトマスクを回転させることによって、
常にフォトマスクに接触する処理液が新しくなり、かつ
ゆっくりと回転させることで処理液が飛散し、ミスト飛
沫になりにくくなる。
は、フォトマスクをゆっくりと回転させながら塗布する
ことが望ましい。フォトマスクの回転数としては、好ま
しくは２００ｒｐｍ以下、より好ましくは１００ｒｐｍ
以下である。フォトマスクを回転させることによって、
常にフォトマスクに接触する処理液が新しくなり、かつ
ゆっくりと回転させることで処理液が飛散し、ミスト飛
沫になりにくくなる。
【００２１】処理液の吐出方法について、ノズルを複数
個設置することで、処理液の当たる領域が増し、またよ
り大量の処理液がフォトマスクに接触するので洗浄効果
が高くなる。これは水洗によるすすぎの際に特に有効で
ある。すすぎが十分でないと、マスク上に残った処理液
残査が再析出し、露光時に不良となる。フォトマスクが
回転しているのでノズルを必ずしも揺動させる必要はな
いが、フォトマスク全面に処理液が当たるようにノズル
の吐出方向を考慮することが大切である。
個設置することで、処理液の当たる領域が増し、またよ
り大量の処理液がフォトマスクに接触するので洗浄効果
が高くなる。これは水洗によるすすぎの際に特に有効で
ある。すすぎが十分でないと、マスク上に残った処理液
残査が再析出し、露光時に不良となる。フォトマスクが
回転しているのでノズルを必ずしも揺動させる必要はな
いが、フォトマスク全面に処理液が当たるようにノズル
の吐出方向を考慮することが大切である。
【００２２】処理液による洗浄後、水洗によってすすぎ
を行うが、このときは前記した処理液吐出ノズル５，６
を用いて、上下両面から水洗を行うことが好ましい。下
面からの水洗を行うことによって、裏周りした処理液を
除去することができるからである。
を行うが、このときは前記した処理液吐出ノズル５，６
を用いて、上下両面から水洗を行うことが好ましい。下
面からの水洗を行うことによって、裏周りした処理液を
除去することができるからである。
【００２３】水洗後、フォトマスクを高速回転させるこ
とによってフォトマスク上の水分を振り切り乾燥させ
る。フォトマスクの回転数は、好ましくは１０００ｒｐ
ｍ〜２０００ｒｐｍ、より好ましくは１０００〜１２０
０ｒｐｍである。あらかじめ２００ｒｐｍ程度の回転数
で大半の水滴を除去した後、１０００〜１２００ｒｐｍ
まで回転数を上げてフォトマスクを乾燥させても良い。
とによってフォトマスク上の水分を振り切り乾燥させ
る。フォトマスクの回転数は、好ましくは１０００ｒｐ
ｍ〜２０００ｒｐｍ、より好ましくは１０００〜１２０
０ｒｐｍである。あらかじめ２００ｒｐｍ程度の回転数
で大半の水滴を除去した後、１０００〜１２００ｒｐｍ
まで回転数を上げてフォトマスクを乾燥させても良い。
【００２４】また乾燥させるための所要時間は、好まし
くは６０〜３００ｓｅｃ、より好ましくは９０〜１５０
ｓｅｃである。フォトマスクを高速回転させることによ
って水滴を除去するのでフォトマスク上の水滴を完全に
除去でき、かつフォトマスクをミスト飛沫によって再汚
染しないようにできるだけ短い乾燥時間であることが望
ましい。
くは６０〜３００ｓｅｃ、より好ましくは９０〜１５０
ｓｅｃである。フォトマスクを高速回転させることによ
って水滴を除去するのでフォトマスク上の水滴を完全に
除去でき、かつフォトマスクをミスト飛沫によって再汚
染しないようにできるだけ短い乾燥時間であることが望
ましい。
【００２５】フォトマスクを高速回転させると、処理槽
内に回転方向および上昇方向の空気の流れ、つまり随伴
流が発生するが、この随伴流が発生すると同時に処理槽
底部に残っている処理液がミスト飛沫となって上昇し、
フォトマスクに付着し再汚染する。
内に回転方向および上昇方向の空気の流れ、つまり随伴
流が発生するが、この随伴流が発生すると同時に処理槽
底部に残っている処理液がミスト飛沫となって上昇し、
フォトマスクに付着し再汚染する。
【００２６】そこで処理槽底部の排水を強制的に行い、
ミスト飛沫の形成を防ぐことが重要である。
ミスト飛沫の形成を防ぐことが重要である。
【００２７】本発明においては、前記したように、処理
槽１の底部のフォトマスクの回転軸２部分を最も高く
し、外周部に向かうに従って底部を低くするようなテー
パーをつけ、外周部に排気口兼排水口８を設置する。こ
の排気口兼排水口８は、排気と排水とを同一配管で行
い、また排気を強制的に行うことで排水が促進される。
強制的に排気を行うため方法としては、処理槽１の上部
を開放系にすることや、配管中に局所排気用ブロアーを
設置すること等が挙げられる。
槽１の底部のフォトマスクの回転軸２部分を最も高く
し、外周部に向かうに従って底部を低くするようなテー
パーをつけ、外周部に排気口兼排水口８を設置する。こ
の排気口兼排水口８は、排気と排水とを同一配管で行
い、また排気を強制的に行うことで排水が促進される。
強制的に排気を行うため方法としては、処理槽１の上部
を開放系にすることや、配管中に局所排気用ブロアーを
設置すること等が挙げられる。
【００２８】さらにフォトマスクを回転させるときに発
生する随伴流を排気口兼排水口８に導入しやすくするた
めに、該排気口兼排水口８のフォトマスク４の回転方向
の下流側端部に、フォトマスク４の回転方向の上流側に
向かって傾斜して壁状に立てられた導入板１０を設置す
ることが有効である。図３は、導入板を備えた排気口兼
排水口の一例を示す斜視図である。
生する随伴流を排気口兼排水口８に導入しやすくするた
めに、該排気口兼排水口８のフォトマスク４の回転方向
の下流側端部に、フォトマスク４の回転方向の上流側に
向かって傾斜して壁状に立てられた導入板１０を設置す
ることが有効である。図３は、導入板を備えた排気口兼
排水口の一例を示す斜視図である。
【００２９】ただし、省スペース化および排水効率の点
から、排水口８をフォトマスクを回転させたときの最外
周部から完全に外に出すことが困難であり、その結果、
導入板１０がフォトマスク４の回転直下に存在すること
となる。導入板１０がフォトマスク直下に存在すると、
フォトマスクの回転によって発生する随伴流が乱流状態
となるので、ミスト飛沫の発生を助長したり、フォトマ
スクの振動が大きくなったり、またフォトマスクの回転
安定性を損なうことになる。
から、排水口８をフォトマスクを回転させたときの最外
周部から完全に外に出すことが困難であり、その結果、
導入板１０がフォトマスク４の回転直下に存在すること
となる。導入板１０がフォトマスク直下に存在すると、
フォトマスクの回転によって発生する随伴流が乱流状態
となるので、ミスト飛沫の発生を助長したり、フォトマ
スクの振動が大きくなったり、またフォトマスクの回転
安定性を損なうことになる。
【００３０】そこで、フォトマスクの回転範囲の直下に
ある導入板１０部分に切り欠き９を設けることが有効と
なる。その結果、随伴流が乱流状態にならないので前記
のような問題点は解決され、さらに排水効率を挙げるこ
とも可能となる。切り欠き部は随伴流を乱流状態にさせ
ない程度に浅くした方が排水効果が高い。図４は、フォ
トマスクと導入板部分に設けた切り欠きとの位置関係を
示す側面図である。
ある導入板１０部分に切り欠き９を設けることが有効と
なる。その結果、随伴流が乱流状態にならないので前記
のような問題点は解決され、さらに排水効率を挙げるこ
とも可能となる。切り欠き部は随伴流を乱流状態にさせ
ない程度に浅くした方が排水効果が高い。図４は、フォ
トマスクと導入板部分に設けた切り欠きとの位置関係を
示す側面図である。
【００３１】本発明のフォトマスク洗浄方法及び装置
は、フォトマスクを回転させることによって常に新しい
処理液がフォトマスクに接触するので洗浄効果が高く、
さらに処理槽底部に溜まる廃処理液を積極的に排水する
ことで、フォトマスクを高速回転させて乾燥を行っても
ミスト飛沫が発生せず、フォトマスクを再汚染させるこ
となく洗浄できることを特徴としている。
は、フォトマスクを回転させることによって常に新しい
処理液がフォトマスクに接触するので洗浄効果が高く、
さらに処理槽底部に溜まる廃処理液を積極的に排水する
ことで、フォトマスクを高速回転させて乾燥を行っても
ミスト飛沫が発生せず、フォトマスクを再汚染させるこ
となく洗浄できることを特徴としている。
【００３２】
【実施例】以下、好ましい実施態様を用いて本発明を更
に詳しく説明するが、用いた実施様態によって本発明の
効力は何ら制限されるものではない。
に詳しく説明するが、用いた実施様態によって本発明の
効力は何ら制限されるものではない。
【００３３】実施例１ 図１に示す装置を用い、排気口兼排水口８は処理槽１の
底部の外周部に４カ所設置し、その構造は１００×１５
０ｍｍの長方形とした。また導入板２は１５０×５０ｍ
ｍで処理槽１の底部に対して５０度の角度とした。
底部の外周部に４カ所設置し、その構造は１００×１５
０ｍｍの長方形とした。また導入板２は１５０×５０ｍ
ｍで処理槽１の底部に対して５０度の角度とした。
【００３４】フォトマスクはカラーフィルタの製造に使
用しているもので、主に付着する異物はレジストであ
る。よって洗浄に用いた処理液は現像液としても用いら
れることがあるＴＭＡＨを使用した。
用しているもので、主に付着する異物はレジストであ
る。よって洗浄に用いた処理液は現像液としても用いら
れることがあるＴＭＡＨを使用した。
【００３５】フォトマスク上に異物が存在すると遮光さ
れるため、例えばポジ型レジストを用いた場合、その部
分だけレジストが現像されず黒欠陥になる。よって黒欠
陥が発生したときに、マスクを洗浄する必要が生じる。
れるため、例えばポジ型レジストを用いた場合、その部
分だけレジストが現像されず黒欠陥になる。よって黒欠
陥が発生したときに、マスクを洗浄する必要が生じる。
【００３６】まず、回転テーブル３にフォトマスク４を
露光時に基板と向かいあう面を上にして設置した。回転
テーブル３は５ｍｍの高さを持ったスペーサ７を有し、
回転テーブル３とフォトマスク４との間に間隙を設け
た。フォトマスク４の大きさは６００×７００×５ｍｍ
ｔ、材質は石英ガラスであった。
露光時に基板と向かいあう面を上にして設置した。回転
テーブル３は５ｍｍの高さを持ったスペーサ７を有し、
回転テーブル３とフォトマスク４との間に間隙を設け
た。フォトマスク４の大きさは６００×７００×５ｍｍ
ｔ、材質は石英ガラスであった。
【００３７】図のように、導入板２に切り欠き部９を設
置し、フォトマスク４を回転させたときの回転中心から
のフォトマスク４の最外周半径は４６０ｍｍであるの
で、この円内に入っている導入板の部分を切り欠き部９
にした。切り欠き部分にある導入板の長さをＬ＝１０ｍ
ｍとした。
置し、フォトマスク４を回転させたときの回転中心から
のフォトマスク４の最外周半径は４６０ｍｍであるの
で、この円内に入っている導入板の部分を切り欠き部９
にした。切り欠き部分にある導入板の長さをＬ＝１０ｍ
ｍとした。
【００３８】フォトマスク４を５０ｒｐｍで回転させ、
フォトマスク４の上側１００ｍｍの位置に存在する処理
液吐出ノズル５からＴＭＡＨを１．５ｌ／ｍｉｎで３０
秒間散布した後、すぐに純水を２．０ｌ／ｍｉｎの流量
でフォトマスク４の上側１００ｍｍの位置にある処理液
吐出ノズル５から吐出した。同時に、１．５ｌ／ｍｉｎ
の流量でフォトマスク４の下側にある処理液吐出ノズル
６から純水を散布し、フォトマスク裏面に回ったＴＭＡ
Ｈの除去を行った。純水の塗布は５０ｒｐｍで６０秒
間、１００ｒｐｍの流量で３０秒間行った。その後２０
ｒｐｍで３０秒間前記と同じ流量の純水を塗布を行っ
た。この結果、純水がフォトマスク４の上面を完全に覆
っている状態を形成していた。
フォトマスク４の上側１００ｍｍの位置に存在する処理
液吐出ノズル５からＴＭＡＨを１．５ｌ／ｍｉｎで３０
秒間散布した後、すぐに純水を２．０ｌ／ｍｉｎの流量
でフォトマスク４の上側１００ｍｍの位置にある処理液
吐出ノズル５から吐出した。同時に、１．５ｌ／ｍｉｎ
の流量でフォトマスク４の下側にある処理液吐出ノズル
６から純水を散布し、フォトマスク裏面に回ったＴＭＡ
Ｈの除去を行った。純水の塗布は５０ｒｐｍで６０秒
間、１００ｒｐｍの流量で３０秒間行った。その後２０
ｒｐｍで３０秒間前記と同じ流量の純水を塗布を行っ
た。この結果、純水がフォトマスク４の上面を完全に覆
っている状態を形成していた。
【００３９】純水によるＴＭＡＨのすすぎ後、２００ｒ
ｐｍにて１０秒間フォトマスク４を回転させてフォトマ
スク４に付着している大半の純水を除去し、その後１２
００ｒｐｍにて１２０秒間フォトマスク４を回転させて
フォトマスク４に付着している純水を完全に除去した。
フォトマスク４の乾燥工程では回転中央にドライエアを
３０Ｎｌ／ｍｉｎで噴射し、フォトマスク中央にある純
水を除去しやすいようにした。
ｐｍにて１０秒間フォトマスク４を回転させてフォトマ
スク４に付着している大半の純水を除去し、その後１２
００ｒｐｍにて１２０秒間フォトマスク４を回転させて
フォトマスク４に付着している純水を完全に除去した。
フォトマスク４の乾燥工程では回転中央にドライエアを
３０Ｎｌ／ｍｉｎで噴射し、フォトマスク中央にある純
水を除去しやすいようにした。
【００４０】同様の操作を、フォトマスク４の反対の面
についても行った。
についても行った。
【００４１】実施例２ 導入板２の切り欠き部９の長さをＬ＝３０ｍｍとして、
実施例１と同様の条件でフォトマスクの洗浄を行った。
実施例１と同様の条件でフォトマスクの洗浄を行った。
【００４２】それぞれの条件で洗浄したフォトマスクが
清浄な状態になっているかどうかの確認を以下の方法で
行った。
清浄な状態になっているかどうかの確認を以下の方法で
行った。
【００４３】フォトマスク洗浄後、キャノン製露光機Ｐ
ＬＡ−５０１Ｆを用いて２００ｍＪ、２００μｍの条件
でガラス基板に露光を行った。ガラス基板としては、５
５０×６５０ｍｍの無アルカリガラスで、ブラックペー
ストを塗布してオーブン内で１３５℃、２０分間セミキ
ュアし、さらにポジ型レジスト（Shipley “Microposi
t” RC-100 30cp）をスピナーで塗布し、９０℃、３分
間ベークしたものを用いた。
ＬＡ−５０１Ｆを用いて２００ｍＪ、２００μｍの条件
でガラス基板に露光を行った。ガラス基板としては、５
５０×６５０ｍｍの無アルカリガラスで、ブラックペー
ストを塗布してオーブン内で１３５℃、２０分間セミキ
ュアし、さらにポジ型レジスト（Shipley “Microposi
t” RC-100 30cp）をスピナーで塗布し、９０℃、３分
間ベークしたものを用いた。
【００４４】実施例３ 導入板２に切り欠き部９を設けず、つまりＬ= ５０とし
て、実施例１と同様の条件でフォトマスクの洗浄を行っ
た。
て、実施例１と同様の条件でフォトマスクの洗浄を行っ
た。
【００４５】実施例４ 導入板２を排気口兼排水口８に設けず、実施例１と同様
の条件でフォトマスクの洗浄を行った。
の条件でフォトマスクの洗浄を行った。
【００４６】それぞれの条件で洗浄したフォトマスクが
清浄な状態になっているかどうかの確認を以下の方法で
行った。
清浄な状態になっているかどうかの確認を以下の方法で
行った。
【００４７】フォトマスク洗浄後、キャノン製露光機Ｐ
ＬＡ−５０１Ｆを用いて２００ｍＪ、２００μｍの条件
でガラス基板に露光を行った。ガラス基板としては、５
５０×６５０ｍｍの無アルカリガラスで、ブラックペー
ストを塗布してオーブン内で１３５℃、２０分間セミキ
ュアし、さらにポジ型レジスト（Shipley “Microposi
t” RC-100 30cp）をスピナーで塗布し、９０℃、３分
間ベークしたものを用いた。
ＬＡ−５０１Ｆを用いて２００ｍＪ、２００μｍの条件
でガラス基板に露光を行った。ガラス基板としては、５
５０×６５０ｍｍの無アルカリガラスで、ブラックペー
ストを塗布してオーブン内で１３５℃、２０分間セミキ
ュアし、さらにポジ型レジスト（Shipley “Microposi
t” RC-100 30cp）をスピナーで塗布し、９０℃、３分
間ベークしたものを用いた。
【００４８】露光後、ＴＭＡＨを２重量％含んだ２５℃
の水溶液を現像液として、基板を６０秒間現像液にディ
ップさせてポジ型レジストの現像とブラックペーストの
エッチングを行った。
の水溶液を現像液として、基板を６０秒間現像液にディ
ップさせてポジ型レジストの現像とブラックペーストの
エッチングを行った。
【００４９】現像残りの確認を行った。基板による評価
をｎ＝３で行い、同一部分に同じ形状の現像残りが存在
した場合、フォトマスク上に異物が存在しているとし
た。
をｎ＝３で行い、同一部分に同じ形状の現像残りが存在
した場合、フォトマスク上に異物が存在しているとし
た。
【００５０】実施例１〜４の結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】 上記の結果、導入板に切り欠き部を設けることでフォト
マスク上を再汚染させることなく洗浄を行うことができ
た。また切り欠き部を設けることでフォトマスクを回転
させる時に発生する振動を抑えることができた。
マスク上を再汚染させることなく洗浄を行うことができ
た。また切り欠き部を設けることでフォトマスクを回転
させる時に発生する振動を抑えることができた。
【００５２】
【発明の効果】本発明のフォトマスク洗浄装置は、フォ
トマスクを回転させながら洗浄処理を行い、その後高速
回転によって乾燥させるが、装置上部を開放系とし、ま
た処理槽底部にある排気口兼排水口に導入板を設置する
ことで、排気効率を高め、さらに導入板に切り欠き部を
設けることでフォトマスクの回転によって生じる気流が
乱気流になることを防止し、その結果、処理槽底部等か
ら発生するミスト飛沫の形成を抑制し、ミスト飛沫によ
ってフォトマスクの再汚染を防止することが可能となっ
た。
トマスクを回転させながら洗浄処理を行い、その後高速
回転によって乾燥させるが、装置上部を開放系とし、ま
た処理槽底部にある排気口兼排水口に導入板を設置する
ことで、排気効率を高め、さらに導入板に切り欠き部を
設けることでフォトマスクの回転によって生じる気流が
乱気流になることを防止し、その結果、処理槽底部等か
ら発生するミスト飛沫の形成を抑制し、ミスト飛沫によ
ってフォトマスクの再汚染を防止することが可能となっ
た。
【図１】本発明洗浄装置の一例を示す側面図である。
【図２】図１の上面図である。
【図３】導入板を備えた排気口兼排水口の一例を示す斜
視図である。
視図である。
【図４】フォトマスクと導入板部分に設けた切り欠きと
の位置関係を示す側面図である。
の位置関係を示す側面図である。
１：処理槽 ２：回転テーブル回転軸 ３：回転テーブル ４：フォトマスク ５：上側処理液吐出ノズル ６：下側処理液吐出ノズル ７：スペーサ ８：排気口兼排水口 ９：切り欠き部 １０：導入板 １１：フォトマスクの回転方向
Claims (7)
- 【請求項１】フォトリソ加工時に使用するフォトマスク
の洗浄方法において、該フォトマスクに対して処理液の
塗布を行い、該フォトマスクと接触した処理液を該フォ
トマスクを回転させることによって排除し、乾燥させる
ことを特徴とするフォトマスクの洗浄方法。 - 【請求項２】処理槽内に、フォトマスクを回転自在に支
持する回転部材と、該回転部材に支持されたフオトマス
クに処理液を吐出する処理液吐出ノズルとを設けるとと
もに、前記回転部材の回転により飛散する処理液を排出
する排水口を設けたことを特徴とするフォトマスクの洗
浄装置。 - 【請求項３】前記処理槽の上方を開放系にし、かつ前記
処理槽の底部はフォトマスク回転中心部分が高くされ、
該処理槽の外側に向かって低くされる構造となし、該処
理槽の比較的外側部に処理液の排気口兼排水口を設置し
たことを特徴とする請求項２に記載のフォトマスクの洗
浄装置。 - 【請求項４】前記排気口兼排水口が、強制排気および／
または排水を行うものであることを特徴とする請求項３
に記載のフォトマスクの洗浄装置。 - 【請求項５】前記排気口兼排水口近傍にマスクの回転に
よって生じる気流を導入する導入板を設けたことを特徴
とする請求項３または４に記載のフォトマスクの洗浄装
置。 - 【請求項６】前記導入板に、マスクの回転によって生じ
る気流を制御する切り欠きを設けたことを特徴とする請
求項５に記載のフォトマスクの洗浄装置。 - 【請求項７】フォトマスクの回転中心からフォトマスク
の最大半径内に存在する前記導入板の部分に切り欠き部
を設けたことを特徴とする請求項５または６に記載のフ
ォトマスクの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6622597A JPH10260522A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | フォトマスクの洗浄方法及びフォトマスクの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6622597A JPH10260522A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | フォトマスクの洗浄方法及びフォトマスクの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10260522A true JPH10260522A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13309692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6622597A Pending JPH10260522A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | フォトマスクの洗浄方法及びフォトマスクの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10260522A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007052300A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Pre-Tech Co Ltd | マスク基板用の洗浄装置及びそれを用いたマスク基板の洗浄方法 |
| JP2012047793A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Toho Technology Corp | フォトマスクの洗浄装置およびフォトマスクの洗浄システム |
| KR101436125B1 (ko) * | 2012-11-19 | 2014-09-01 | 구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드 | 포토마스크 세정 방법 및 그 시스템 |
| US20190113839A1 (en) * | 2017-10-16 | 2019-04-18 | Semes Co., Ltd. | Mask cleaning apparatus and method for cleaning mask |
-
1997
- 1997-03-19 JP JP6622597A patent/JPH10260522A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007052300A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Pre-Tech Co Ltd | マスク基板用の洗浄装置及びそれを用いたマスク基板の洗浄方法 |
| JP2012047793A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Toho Technology Corp | フォトマスクの洗浄装置およびフォトマスクの洗浄システム |
| KR101436125B1 (ko) * | 2012-11-19 | 2014-09-01 | 구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드 | 포토마스크 세정 방법 및 그 시스템 |
| US20190113839A1 (en) * | 2017-10-16 | 2019-04-18 | Semes Co., Ltd. | Mask cleaning apparatus and method for cleaning mask |
| CN109669322A (zh) * | 2017-10-16 | 2019-04-23 | 细美事有限公司 | 掩模清洁设备和清洁掩模的方法 |
| KR20190042186A (ko) * | 2017-10-16 | 2019-04-24 | 세메스 주식회사 | 포토 마스크 세정 장치 및 포토 마스크 세정 방법 |
| US10942446B2 (en) | 2017-10-16 | 2021-03-09 | Semes Co. Ltd. | Mask cleaning apparatus and method for cleaning mask |
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