JPH1074686A - 薬液処理方法、および、装置 - Google Patents
薬液処理方法、および、装置Info
- Publication number
- JPH1074686A JPH1074686A JP24707296A JP24707296A JPH1074686A JP H1074686 A JPH1074686 A JP H1074686A JP 24707296 A JP24707296 A JP 24707296A JP 24707296 A JP24707296 A JP 24707296A JP H1074686 A JPH1074686 A JP H1074686A
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- Japan
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- stage
- chamber
- photomask
- shaft unit
- nozzle
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体等の基板に、薬液の結晶やゴミを付着
させない、また、液だれによる基板汚染をしない品質の
高い薬液処理方法と装置を提供することである。また、
厚みの異なる基板に対してノズルを増やすことなく最適
処理条件を設定する方法と装置を提供することである。 【構成】 ステージを上昇して前記チャンバの上端で被
処理基板の受け渡しを行うこと、前記ステージを下降し
て薬液処理、洗浄、乾燥を行うこと、薬液処理位置より
高い位置で乾燥を行うことを特徴とする。また、被処理
基板を水平に載置するステージと前記ステージに連結し
た回転手段と処理を行うチャンバと薬液ノズルと前記ス
テージを前記チャンバの上端まで駆動するステージ駆動
手段とからなることを特徴とする。
させない、また、液だれによる基板汚染をしない品質の
高い薬液処理方法と装置を提供することである。また、
厚みの異なる基板に対してノズルを増やすことなく最適
処理条件を設定する方法と装置を提供することである。 【構成】 ステージを上昇して前記チャンバの上端で被
処理基板の受け渡しを行うこと、前記ステージを下降し
て薬液処理、洗浄、乾燥を行うこと、薬液処理位置より
高い位置で乾燥を行うことを特徴とする。また、被処理
基板を水平に載置するステージと前記ステージに連結し
た回転手段と処理を行うチャンバと薬液ノズルと前記ス
テージを前記チャンバの上端まで駆動するステージ駆動
手段とからなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハ、液晶パネ
ル基板、および、半導体用ホトマスクの薬液処理方法、
および、装置に関する。
ル基板、および、半導体用ホトマスクの薬液処理方法、
および、装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体用ホトマスクを例にとり説明す
る。最新の半導体用のホトマスクは１５２ｍｍ正方で厚
み６．３ｍｍのガラス基板に約１０００オングストロー
ムのクロム膜をスパッタし、その上にレジストを塗布し
て描画装置でパターンを描画した後、レジストの現像処
理、クロム膜のエッチング処理、レジスト剥離を順次行
って完成する。
る。最新の半導体用のホトマスクは１５２ｍｍ正方で厚
み６．３ｍｍのガラス基板に約１０００オングストロー
ムのクロム膜をスパッタし、その上にレジストを塗布し
て描画装置でパターンを描画した後、レジストの現像処
理、クロム膜のエッチング処理、レジスト剥離を順次行
って完成する。
【０００３】レジストの現像処理を例にとり本発明を説
明する。従来の現像装置を図３に示す。露光後のホトマ
スク１をチャンバ２のゲート３を開いてステージ４に水
平に載置する。モータ５によりステージ４を低速に回転
しながら現像液をノズル６からスプレして露光部のレジ
ストを選択的に除去した後、純水をノズル７からスプレ
して洗浄する。最後にステージ４を高速回転して乾燥を
行う。
明する。従来の現像装置を図３に示す。露光後のホトマ
スク１をチャンバ２のゲート３を開いてステージ４に水
平に載置する。モータ５によりステージ４を低速に回転
しながら現像液をノズル６からスプレして露光部のレジ
ストを選択的に除去した後、純水をノズル７からスプレ
して洗浄する。最後にステージ４を高速回転して乾燥を
行う。
【０００４】しかし、この従来の現像装置では、ノズル
６から現像液をスプレした時、チャンバ２の内壁に現像
液が付着する。付着した現像液は結晶化して洗浄、また
は、乾燥の工程で飛散してホトマスク１に再付着して欠
陥の原因になるという欠点がある。
６から現像液をスプレした時、チャンバ２の内壁に現像
液が付着する。付着した現像液は結晶化して洗浄、また
は、乾燥の工程で飛散してホトマスク１に再付着して欠
陥の原因になるという欠点がある。
【０００５】また、ゲート３を開にしてホトマスク１の
出し入れを行う時、チャンバ２の内壁から現像液や純水
が液ダレしてホトマスク１の上に落ち汚染されるという
欠点がある。
出し入れを行う時、チャンバ２の内壁から現像液や純水
が液ダレしてホトマスク１の上に落ち汚染されるという
欠点がある。
【０００６】また、厚みの異なるホトマスクを処理する
時、現像液の当たり方を同一にするため、厚みに対応し
て調整した２種類、または、３種類のノズルが必要にな
るという欠点があった。
時、現像液の当たり方を同一にするため、厚みに対応し
て調整した２種類、または、３種類のノズルが必要にな
るという欠点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、乾燥
工程で薬液の結晶などが付着しない薬液処理方法と装置
を提供することである。
工程で薬液の結晶などが付着しない薬液処理方法と装置
を提供することである。
【０００８】また、本発明の目的は、基板の受け渡しの
時、基板上に液ダレしない薬液処理方法と装置を提供す
ることである。
時、基板上に液ダレしない薬液処理方法と装置を提供す
ることである。
【０００９】さらに、また、厚みの異なる基板に対して
も、ノズルを増やすことなく処理することが可能な薬液
処理方法と装置を提供することである。
も、ノズルを増やすことなく処理することが可能な薬液
処理方法と装置を提供することである。
【００１０】また、効果的にチャンバ内壁を洗浄するこ
とのできる薬液処理方法と装置を提供することである。
とのできる薬液処理方法と装置を提供することである。
【００１１】
【問題を解決するための手段】本発明は、ステージを上
昇してチャンバの上端で被処理基板の受け渡しを行うこ
と、前記ステージを下降して薬液処理、洗浄、乾燥を行
うこと、薬液処理位置より高い位置で乾燥を行うことを
特徴とする。
昇してチャンバの上端で被処理基板の受け渡しを行うこ
と、前記ステージを下降して薬液処理、洗浄、乾燥を行
うこと、薬液処理位置より高い位置で乾燥を行うことを
特徴とする。
【００１２】また、被処理基板を水平に載置するステー
ジと前記ステージに連結した回転手段と処理を行うチャ
ンバと薬液ノズルと前記ステージを前記チャンバの上端
まで駆動するステージ駆動手段とからなることを特徴と
する。
ジと前記ステージに連結した回転手段と処理を行うチャ
ンバと薬液ノズルと前記ステージを前記チャンバの上端
まで駆動するステージ駆動手段とからなることを特徴と
する。
【００１３】
【実施例】以下本発明を図面を参照して説明する。図１
は本発明の薬液処理装置の縦断面図、図２はステージの
平面図である。軸ユニット１０は、モータ１１によりガ
イドレール１２に沿ってチャンバ１３の中を上下する。
軸ユニット１０上部のステージ１４が、チャンバ１３の
上端１３ａと同位置１４ａまで上昇してホトマスク１５
をロボット（記載されず）から受け取る。
は本発明の薬液処理装置の縦断面図、図２はステージの
平面図である。軸ユニット１０は、モータ１１によりガ
イドレール１２に沿ってチャンバ１３の中を上下する。
軸ユニット１０上部のステージ１４が、チャンバ１３の
上端１３ａと同位置１４ａまで上昇してホトマスク１５
をロボット（記載されず）から受け取る。
【００１４】ホトマスク１５はその四つのコーナを８本
のピン２０で位置決めされる。
のピン２０で位置決めされる。
【００１５】ホトマスク１５を受け取った後、軸ユニッ
ト１０が位置１４ｂまで下降し、モータ１６によりステ
ージ１４を２００ｒｐｍ程度に低速回転しながらノズル
１７から現像液をスプレする。
ト１０が位置１４ｂまで下降し、モータ１６によりステ
ージ１４を２００ｒｐｍ程度に低速回転しながらノズル
１７から現像液をスプレする。
【００１６】ステージの位置１４ｂはスプレした現像液
がマスク１５のほぼ中央１５ａに当るような高さであ
る。マスクの厚みは６．３ｍｍ、３．２ｍｍなど多種類
あるが、軸ユニット１０の駆動用モータ１１にパルスモ
ータなどを使用すれば任意の高さで停止することができ
るので、最適スプレ条件を容易に選択することができ
る。
がマスク１５のほぼ中央１５ａに当るような高さであ
る。マスクの厚みは６．３ｍｍ、３．２ｍｍなど多種類
あるが、軸ユニット１０の駆動用モータ１１にパルスモ
ータなどを使用すれば任意の高さで停止することができ
るので、最適スプレ条件を容易に選択することができ
る。
【００１７】現像が終了すると軸ユニット１０をステー
ジの位置１４ｃまで上昇し、ステージ１４を低速回転し
ながらノズル１８から純水をスプレしてホトマスク１５
を洗浄する。
ジの位置１４ｃまで上昇し、ステージ１４を低速回転し
ながらノズル１８から純水をスプレしてホトマスク１５
を洗浄する。
【００１８】ステージの位置１４ｃのホトマスク１５は
現像時の高さ１４ｂより高いので、スプレによりホトマ
スク１５に当たった純水は、ステージ１４の回転による
遠心力で外周の内壁に飛びチャンバ１３の内壁を広い範
囲で円周状に洗浄し、現像時に飛散した薬液を洗い流
す。その結果、薬液、または、薬液の結晶がホトマスク
１５に再付着することを防止するという特徴がある。
現像時の高さ１４ｂより高いので、スプレによりホトマ
スク１５に当たった純水は、ステージ１４の回転による
遠心力で外周の内壁に飛びチャンバ１３の内壁を広い範
囲で円周状に洗浄し、現像時に飛散した薬液を洗い流
す。その結果、薬液、または、薬液の結晶がホトマスク
１５に再付着することを防止するという特徴がある。
【００１９】洗浄が終了すると、軸ユニット１０をステ
ージ位置１４ｄまで上昇し、ステージ１４を１５００ｒ
ｐｍ程度に高速回転して乾燥する。乾燥時、ホトマスク
１５の高速回転で気流が乱れて、サブミクロンの結晶や
ゴミが飛散する。しかし、乾燥時の高さはステージ位置
１４より高いので、最も汚染が激しい位置での気流の乱
れがなく、薬液の結晶やゴミの飛散が少なく高品質のホ
トマスクの乾燥が可能となる。
ージ位置１４ｄまで上昇し、ステージ１４を１５００ｒ
ｐｍ程度に高速回転して乾燥する。乾燥時、ホトマスク
１５の高速回転で気流が乱れて、サブミクロンの結晶や
ゴミが飛散する。しかし、乾燥時の高さはステージ位置
１４より高いので、最も汚染が激しい位置での気流の乱
れがなく、薬液の結晶やゴミの飛散が少なく高品質のホ
トマスクの乾燥が可能となる。
【００２０】また、ステージ位置１４ｄにおけるチャン
バ１３の内径が小さいので、排気口２２からの排気によ
りホトマスク１５とチャンバ１３の間の流速が速くな
り、薬液の結晶やゴミがホトマスク１５に付着する危険
がなくなる。
バ１３の内径が小さいので、排気口２２からの排気によ
りホトマスク１５とチャンバ１３の間の流速が速くな
り、薬液の結晶やゴミがホトマスク１５に付着する危険
がなくなる。
【００２１】乾燥が終了すると軸ユニット１０をステー
ジ位置１４ａまで上昇してホトマスク１５をロボット
（記載されず）へ渡す。
ジ位置１４ａまで上昇してホトマスク１５をロボット
（記載されず）へ渡す。
【００２２】次に、軸ユニット１０を最下端まで移動し
ながらノズル１９から純水をスプレしてチャンバ１３の
内壁を洗浄することにより、チャンバ内を清浄に保つこ
とができるので、次の現像処理の品質が向上する。
ながらノズル１９から純水をスプレしてチャンバ１３の
内壁を洗浄することにより、チャンバ内を清浄に保つこ
とができるので、次の現像処理の品質が向上する。
【００２３】ノズル１９の取付角度２１は下向きに１５
度以上傾けることにより、軸ユニット１０方向へのはね
返りが少なく、また、チャンバ１３の内壁の洗浄効果も
高くなる。
度以上傾けることにより、軸ユニット１０方向へのはね
返りが少なく、また、チャンバ１３の内壁の洗浄効果も
高くなる。
【００２４】以上説明したように、チャンバ１３には図
３におけるゲート３がないので構造が単純になり、さら
に、チャンバ１３の上端１３ａでホトマスク１５の受け
渡しが行われるから液ダレによる基板汚染の危険がな
い。
３におけるゲート３がないので構造が単純になり、さら
に、チャンバ１３の上端１３ａでホトマスク１５の受け
渡しが行われるから液ダレによる基板汚染の危険がな
い。
【００２５】上記説明では、現像処理の場合について述
べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、エッ
チング処理でも、その他の薬液処理でも全く同様に実現
できる。
べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、エッ
チング処理でも、その他の薬液処理でも全く同様に実現
できる。
【００２６】また、上記説明では、被処理基板がホトマ
スクの場合について述べたが、本発明はこれに限定され
るものではなく、半導体ウェハでも、液晶パネル基板で
もゴミによる欠陥が製品歩留りに影響する基板全てにつ
いて、全く同様に実現できる。
スクの場合について述べたが、本発明はこれに限定され
るものではなく、半導体ウェハでも、液晶パネル基板で
もゴミによる欠陥が製品歩留りに影響する基板全てにつ
いて、全く同様に実現できる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は次のよう
な効果を奏するものである。半導体等の基板が結晶やゴ
ミの付着や液ダレによって汚染されることがなく、さら
に、チャンバ内壁を洗浄して品質の高い欠陥のない基板
処理を可能とする。
な効果を奏するものである。半導体等の基板が結晶やゴ
ミの付着や液ダレによって汚染されることがなく、さら
に、チャンバ内壁を洗浄して品質の高い欠陥のない基板
処理を可能とする。
【００２８】また、厚みの異なる基板に対してノズルを
増やすことなく最適処理条件を設定することを可能とす
る。
増やすことなく最適処理条件を設定することを可能とす
る。
【図１】本発明の薬液処理装置の縦断面図である。
【図２】本発明のステージの平面図である。
【図３】従来の現像装置の縦断面図である。
１…ホトマスク、２…チャンバ、３…ゲート、４…ステ
ージ、５…モータ、６…ノズル、７…ノズル、１０…軸
ユニット、１１…モータ、１２…ガイドレール、１３…
チャンバ、１３ａ…チャンバ１３の上端位置、１４…ス
テージ、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ…ステージの
位置、１５…ホトマスク、１５ａ…マスク１５の中央位
置、１６…モータ、１７…ノズル、１８…ノズル、１９
…ノズル、２０…ピン、２１…取付角度、２２…排気
口。
ージ、５…モータ、６…ノズル、７…ノズル、１０…軸
ユニット、１１…モータ、１２…ガイドレール、１３…
チャンバ、１３ａ…チャンバ１３の上端位置、１４…ス
テージ、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ…ステージの
位置、１５…ホトマスク、１５ａ…マスク１５の中央位
置、１６…モータ、１７…ノズル、１８…ノズル、１９
…ノズル、２０…ピン、２１…取付角度、２２…排気
口。
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理基板をチャンバのステージに水平
に載置して薬液処理する方法において、前記ステージを
上昇して前記チャンバの上端で被処理基板の受け渡しを
行うこと、前記ステージを下降して薬液処理、洗浄、乾
燥を行うこと、薬液処理位置より高い位置で乾燥を行う
ことを特徴とした薬液処理方法。 - 【請求項２】 被処理基板を水平に載置するステージと
前記ステージに連結した回転手段と処理を行うチャンバ
と薬液ノズルと前記ステージを前記チャンバの上端まで
駆動するステージ駆動手段とからなることを特徴とした
薬液処理装置。 - 【請求項３】 前記チャンバ上部を絞り中央部の内径よ
り小さくしたことを特徴とした請求項２記載の薬液処理
装置。 - 【請求項４】 前記ステージの軸側面に洗浄ノズルを付
加したことを特徴とした請求項２記載の薬液処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24707296A JPH1074686A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 薬液処理方法、および、装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24707296A JPH1074686A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 薬液処理方法、および、装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074686A true JPH1074686A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=17158019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24707296A Pending JPH1074686A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 薬液処理方法、および、装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1074686A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146775A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体ウェハ用ｃｍｐ設備 |
| KR20040046393A (ko) * | 2002-11-27 | 2004-06-05 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 폴리싱 장치의 슬러리 공급 장치 |
| KR101258002B1 (ko) * | 2010-03-31 | 2013-04-24 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
-
1996
- 1996-08-29 JP JP24707296A patent/JPH1074686A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146775A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体ウェハ用ｃｍｐ設備 |
| KR20040046393A (ko) * | 2002-11-27 | 2004-06-05 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 폴리싱 장치의 슬러리 공급 장치 |
| KR101258002B1 (ko) * | 2010-03-31 | 2013-04-24 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US8501025B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-08-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| US9899240B2 (en) | 2010-03-31 | 2018-02-20 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050729 |
|
| A072 | Dismissal of procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20051206 |