JP2004146775A - 半導体ウェハ用cmp設備 - Google Patents
半導体ウェハ用cmp設備 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004146775A JP2004146775A JP2003130402A JP2003130402A JP2004146775A JP 2004146775 A JP2004146775 A JP 2004146775A JP 2003130402 A JP2003130402 A JP 2003130402A JP 2003130402 A JP2003130402 A JP 2003130402A JP 2004146775 A JP2004146775 A JP 2004146775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing pad
- cleaning liquid
- slurry
- wafer
- high speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 108
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 29
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 13
- 239000003517 fume Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】ポリシングパッド14を備えて高速回転するテーブル12と、ポリシングパッド14表面にスラリを均一に供給するスラリ供給ノズル16と、ポリシングパッド14上に残存するスラリ及び異物質を除去するために洗浄液を供給する洗浄液供給部と、装着したウェハをポリシングパッド14に近接させて高速回転させるヘッド部20と、装着したコンディショナー26をポリシングパッド14に対し近接させて高速回転させ、ポリシングパッド14の表面が平坦になるように切削するコンディショニング部24と、各構成部の駆動を制御する制御部とを備える半導体素子製造用CMP設備において、洗浄液供給部はポリシングパッド14を含んだ各構成部位に対し洗浄液を噴霧して供給する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ用CMP設備に係るものであって、詳しくは半導体ウェハの表面を平坦化させるためのポリシング工程において用いられたスラリが、ヒューム(fume)形態でコンディショナー及びヘッド部を含んだ各構成部の表面に蒸着されることを防止できる半導体ウェハ用CMP設備に係るものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に半導体素子は、ウェハ上に写真、食刻、拡散、化学気相蒸着、イオン注入及び金属蒸着などの工程を選択的且つ反復的に行うことにより作られる。ウェハは、半導体素子として製造されるまでに、その表面に回路パターンを形成するのが容易になるように、平坦化とエッチバックなどのためのCMP (chemical −mechanical polishing)工程を経る。
【0003】
前記CMP工程は、高速回転するポリシングパッドの表面にスラリを均一に分布するように供給し、このようなポリシングパッドの表面に平坦化が要求されるウェハの表面を近接させて配置し、スラリによる化学的な作用と高速回転による物理的な力とでウェハの対象表面を加工することによりなされる。
【0004】
例えば図3及び図4に示すように、CMP設備10には、上面にポリシングパッド14を具備した高速回転するテーブル12が設置され、前記テーブル12の上部にはポリシングパッド14の中心部位にスラリを供給するスラリ供給ノズル16と、ポリシング工程が終了した時点においてポリシングパッド14の表面に残存するスラリを除去するために洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル18とが取り付けられる。
【0005】
前記スラリ供給ノズル16と洗浄液供給ノズル18を通じて供給されたスラリ又は洗浄液は、テーブル12の高速回転によりポリシングパッド14の中心位置から漸次縁部に移動し、ポリシングパッド14の縁部から離脱する。
上述の過程で、ポリシングパッド14の回転速度が一定水準を維持する状態でスラリ又は洗浄液のうちいずれか一つの供給を一定水準に継続して行うと、これらスラリ又は洗浄液はポリシングパッド14の全面に対し均一な水準に分布する。
【0006】
一方、前記テーブル12の一側には、ウェハWを装着して平坦面を要するウェハWの表面を前記ポリシングパッド14の表面に対向して近接させて配置するヘッド部20が取り付けられる。
ウェハWは、ヘッド部20のヘッド22に装着された状態で高速回転し、おおよそ図5の点線で表示されたヘッド領域範囲20aに移送されると同時にヘッド22の昇降駆動によりポリシングパッド14に近接し又は加圧されてポリシングされる。
【0007】
又、前記テーブル12の他側には、ポリシングパッド14がウェハWの表面を均一に平坦化させるようにポリシングパッド14の表面を切削するコンディショニング部24が設置される。前記コンディショニング部24にはポリシングパッド14表面を切削するための切削刃をもつコンディショナー26が装着される。前記コンディショナー26は、ポリシングパッド14に近接して対向する又はその方向への所定加圧力を提供する状態で高速回転し、おおよそ図5の点線で表示されたコンディショニング領域範囲24aに移動することにより、高速回転するポリシングパッド14を平坦に形成する。
【0008】
次に、このような構成における各構成の駆動関係について説明する。ポリシングパッド14を備えたテーブル12が、印加される制御信号に従い高速回転する。このとき、前記スラリ供給ノズル16は高速回転するポリシングパッド14の回転中心部位に対し所定量の供給水準を維持し、継続的にスラリを供給する。これにより、ポリシングパッド14の全面に対しスラリは均一な分布状態をなす。
【0009】
このような状態で前記ヘッド部20は、ヘッド22底面に装着されたウェハWの全面が、高速回転するポリシングパッド14の表面に近接する程度が均一になるようにするか、又は所定の力で接触が維持されるように加圧する状態で、ウェハWを前記ヘッド領域範囲20aで往復移動させる。
【0010】
その結果ウェハWは、その対象表面がヘッド22及びヘッド部20によりポリシングパッド14又はポリシングパッド14上に分布したスラリと接触して化学的な作用をうけ、さらに接触及び回転による物理的な力をうけ、ポリシングされる。
一方ポリシングパッド14は、継続的な工程進行過程でウェハWとの接触によりその表面が不均一な状態をなす。
【0011】
これに対し前記コンディショニング部24はコンディショナー26をポリシングパッド14に所定圧力及び位置で接触させた状態で高速回転させると共に、コンディショニング領域範囲24aに移動させ、ポリシングパッド14の全面を所定厚さに切削して平坦な状態に形成する。
このような過程でウェハWに対するポリシング工程が終了するか、又はポリシングパッド14に対するコンディショニング工程が終了すると、ポリシングパッド14の表面には以前に供給されたスラリと切削されたポリシングパッド14の粒子などが無分別に残存する。これは以後に継続されるポリシングの過程でウェハWの傷を誘発するのみならず、平坦化を不均一にするなどの工程不良を惹起する。
【0012】
そこで、ポリシング工程の終了時点、又はポリシングパッド14の表面に残存する各種異物質の除去を要する時点で洗浄工程を行う。このような洗浄工程は、高速回転するポリシングパッド14の中心部位に対し洗浄液供給ノズル18を通じて洗浄液を供給することからなる。即ち、高速回転するポリシングパッド14の回転中心部位に供給される洗浄液はポリシングパッド14の高速回転に起因する遠心力を受けて漸次外向きに流動する。このとき、ポリシングパッド14に残存するスラリ及び各種異物質は継続的な洗浄液の流動圧によりポリシングパッド14上面の外側に押され、ポリシングパッド14の縁部から除去されてその洗浄がなされる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、このような工程進行過程においてスラリ及び各種異物質は、ただ単純にポリシングパッド14の高速回転による遠心力で外側に流動するだけではなく、ポリシングパッド14、ヘッド22及びコンディショナ26の高速回転と相互間の接触とによる影響でポリシングパッド14の表面からヒューム形態で飛び上がり、各構成部位を含んだ工程がなされるチャンバC内の全域に亘って無分別に蒸着される。
【0014】
このように蒸着されるスラリ及び各種異物質は、時間が経過するほどその蒸着程度が甚だしくなると共に固化し易くなり、固化したスラリ及び各種異物質は以後のポリシング過程でポリシングパッド14に落ちた場合にウェハWの損傷を招来する。
【0015】
又、上述のようにヒューム形態で飛び上がって蒸着されるスラリ及び各種異物質が、ウェハWをローディング/アンローディングさせるプッシャ部(pusher part)においてウェハWの存在有無を確認するセンサ(図面の単純化のために図示を省略する)のセンシング部を覆うと、センサの誤動作を誘発し、ウェハ間又はウェハと他の構成部位との衝突を惹起して、ウェハWを損傷又は破損させる可能性がある。
【0016】
そして、各構成部位に蒸着されて固化したスラリ及び各種異物質によって発生する問題を事前に予防するためには、各構成部位を含んだCMP設備10に対する洗浄作業が一定周期で要求される。その洗浄作業には多くの時間が必要とされるという問題があり、この洗浄作業の過程で、固化したスラリ及び各種の異物質は粉塵形態をなして作業者の健康を傷める危険性があり、各設備を汚染させるなどの問題があった。
【0017】
そこで、本発明の目的は、ポリシング工程において各構成部位にヒューム形態で飛び上がって各構成部位に蒸着されるスラリ及び各種異物質の固化を防止し、各構成部の駆動とこれらの駆動に従うポリシング工程とが正常になされるようにし、ウェハの損傷及び破損を防止することができる半導体ウェハ用CMP設備を提供することにある。
【0018】
又本発明の目的は、洗浄作業の周期を延長し、その作業が容易になされるようにすると共に作業時間を短縮し、スラリ及び各種異物質による粉塵発生を抑制して作業者が衛生的な作業を行い得る半導体ウェハ用CMP設備を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため、本発明の半導体ウェハ用CMP設備は、ポリシングパッドを備えて高速回転するテーブルと、前記ポリシングパッドの表面にスラリを均一に分布するように供給するスラリ供給部と、前記ポリシングパッド上に残存するスラリ及び異物質を除去するために洗浄液を供給する洗浄液供給部と、装着されたウェハを前記ポリシングパッドに近接させて高速回転させるヘッド部と、装着されたコンディショナーを前記ポリシングパッドに対し近接させて高速回転させることにより、前記ポリシングパッドの表面が平坦になるように切削するコンディショニング部と、各構成部の駆動を制御する制御部とを備える半導体素子製造用CMP設備において、前記洗浄液供給部は前記ポリシングパッドを含んだ各構成部位に対し洗浄液を噴霧して供給する構成からなることを特徴とする。
【0020】
又、前記洗浄液供給部は、上記の各構成部に近接する位置まで延長された洗浄液供給ラインと、前記洗浄液供給ラインの端部に設置されて前記各構成部位に対し洗浄液を噴霧して供給する噴射ノズルと、前記洗浄液供給ライン上に設置されて前記噴射ノズルを通じた洗浄液の噴射圧力を制御するレギュレーターとからなる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を用いて説明する。
図1は、本発明の一実施例による半導体ウェハ用CMP設備の構成及びこれら構成の駆動関係を説明するために概略的に示した斜視図である。図2は、図1に示した各構成の設置関係を示した側面図である。図1及び図2において従来と同一な部分に対し同一な符号を付けた。その従来と同一な部分に従う詳しい説明は省略する。
【0022】
本実施例による半導体ウェハ用CMP設備の構成には、図1に示すように、上面にポリシングパッド14を備えて高速回転するテーブル12があり、前記テーブル12の上部にはポリシングパッド14の中心部位にスラリを供給するスラリ供給部としてのスラリ供給ノズル16が設置される。
【0023】
前記スラリ供給ノズル16を通じてポリシングパッド14の回転中心部位に供給されたスラリは、テーブル12の高速回転によりポリシングパッド14の中心位置から漸次縁部へ移動し、ポリシングパッド14の縁部から離脱する。このような過程でスラリが一定水準に供給されると、これらのスラリはポリシングパッド14の全面に対し均一な分布状態を継続的に維持する。
【0024】
一方、前記テーブル12の一側には、ウェハWを装着して平坦面の求められるウェハWの表面を前記ポリシングパッド14の表面に近接させて配置し、図5の点線で表示したヘッド領域範囲20aに移動させるヘッド部20が設置される。ウェハWは、ヘッド部20のヘッド22に装着された状態で高速回転し、ヘッド22の昇降駆動によりポリシングパッド14に対し近接して配置されるか又は加圧されることによりポリシングされる。
【0025】
又、前記テーブル12の他側には、ポリシングパッド14がウェハWの表面を均一に平坦化させ得るようにポリシングパッド14の表面を切削するコンディショニング部24が設置される。
前記コンディショニング部24にはポリシングパッド14表面を切削するための切削刃をもつコンディショナ26が設置される。前記コンディショナ26は、ポリシングパッド14に近接して対向する、又はその方向への所定加圧力を受ける状態で高速回転し、おおよそ図5の点線で表示されたコンディショニング領域範囲24aに移動することにより、高速回転するポリシングパッド14を平坦に形成する。
【0026】
一方、上述のように、高速回転するポリシングパッド14へのスラリの継続的な供給によりウェハWに対するポリシング作業がなされ、又前記コンディショニング部24によるコンディショニング作業がなされることにより、ポリシングパッド14とその周りの各構成部にはヒューム形態のスラリ及び各種異物質が蒸着される。
【0027】
これに対し前記テーブル12の一側部位には少なくとも一つ以上の洗浄液供給ライン32がテーブル12及び各構成部位に近接して対応するように延設され、これらの洗浄液供給ライン32上には対向する部位、即ちポリシングパッド14又はこれを含んだ各構成部位に対し洗浄液を噴霧して噴射供給する噴射ノズル34が具備される。
【0028】
又、前記各洗浄液供給ライン32上には、制御部(図面の単純化のために図示を省略する)に印加される制御信号に従い噴射ノズル34を通じて供給される洗浄液の噴射圧力を調節するためのレギュレーター36と制御バルブ(図面の単純化のために図示を省略する)を備える。
【0029】
このような構成から各構成の駆動関係を説明する。ポリシングパッド14が具備されたテーブル12は制御部から印加される制御信号に従い高速回転する。このとき、上記のスラリ供給ノズル16が、高速回転するポリシングパッド14の回転中心部位に対し所定量水準のスラリを継続して供給することにより、スラリがポリシングパッド14の全面に対し均一に分布した状態になる。
【0030】
これに対しヘッド部20は、ヘッド22底面に装着されたウェハWを、高速回転するポリシングパッド14の表面に近接させて配置した状態で前記ヘッド領域範囲20aで往復移動させる。前記ヘッド22は制御部から印加される制御信号に従い、表面張力又は真空圧で吸着固定するウェハWをポリシングパッド14に対し近接させて配置するか又は所定圧力で接触するように加圧する状態で、高速回転する。
【0031】
即ち、スラリが分布したポリシングパッド14の高速回転、前記ポリシングパッドの表面に対するヘッド領域範囲20aへのウェハWの移動及びヘッド22による加圧力と高速回転によりポリシング工程が実施される。
以後、上記の工程を終えたウェハWはポリシングパッド14から離隔される。ポリシングパッド14は、継続的な工程進行過程でウェハWとの接触などによりその表面が不均一な状態となる。
【0032】
これに対し前記コンディショニング部24は、コンディショナ26をポリシングパッド14に対応して配置した状態で高速回転させると同時にコンディショナ26をコンディショニング領域範囲24aに移動させることにより、ポリシングパッド14の全面を所定厚さに切削して再び平坦な状態に形成する。
【0033】
上述の過程でウェハWに対するポリシング工程が終了するか、又はポリシングパッド14に対するコンディショニング工程が終了すると、ポリシングパッド14の表面と各構成部位の表面には、それ以前に供給されたスラリ又は切削されたポリシングパッド14の粒子を含んだ各種の異物質が残存する。
【0034】
このように残存する各種の異物質は、以後のポリシング過程でウェハWの対象表面が不均一に形成されることを招来するだけでなく、これらが固化した状態でポリシングパッド14の表面に残存するか、又は各構成部位からポリシングパッド14の表面に落ちた状態で存在する場合には、ウェハWの対象表面に傷を誘発するなどの工程不良を惹起する。
【0035】
従って、ポリシング工程の終了時点、又はポリシングパッド14の表面に残存する各種異物質を除去するための洗浄を要する時点で洗浄工程がなされる。このような洗浄工程は、高速回転するポリシングパッド14の全面だけでなくヘッド部20とコンディショニング部24を含んだ各構成の全領域部位に対し洗浄液供給部32,34,36から洗浄液を噴射供給することからなされる。
【0036】
このような洗浄液の噴射供給は、ポリシングパッド14上に残存するスラリ及び各種異物質の固化を防止すると共にその位置でのスラリ及び各種異物質の流動性を増大させて、遠心力が作用するポリシングパッド14の表面からスラリ及び各種異物質が離脱することが容易になる状態をなす。
【0037】
又、洗浄液の噴射供給は、各構成部位に蒸着されるスラリ及び各種異物質に対しても固化を防止し、やはりその流動性を増大させて各構成部位の表面から滑るような自然な離脱がなされるようにする。
そして、上記の各構成部位から除去された異物質が固化しない液状として存在することにより、異物質が前記ポリシングパッド14の表面に落ちても、以後の工程がなされるウェハWの表面の損傷が防止される。
【0038】
特に、従来技術の問題点として指摘されていたように、ウェハWのローディング及びアンローディング部位においてウェハWの存在有無を確認するセンシング手段(図面の単純化のために図示を省略する)のセンシング部位に対し、スラリがヒューム形態で飛び上がって蒸着がなされる場合でも、その程度が深化する前に噴射供給される洗浄液によってスラリが希釈されて流動し除去されることにより、ウェハWの存在有無を確認するセンシングの正確性が維持されて誤動作の危険が回避される。
【0039】
即ち、洗浄液の噴射供給によりスラリ及び各種異物質が除去され、ウェハW及び各構成の駆動が正常になされるような環境が継続して維持されるのである。
さらに、ポリシングパッド14を含んだ各構成部位に蒸着されるスラリ及び各種異物質が固化するのを防止することにより、以後の洗浄作業過程において、作業者の人体に危険を与えるスラリ及び各種異物質の粉塵発生が防止される。
【0040】
上述では具体的な実施例に対してのみ詳しく説明したが、本発明の技術的思想の範囲内で変形及び変更できるのは本発明の属する分野の当業者には明白なもので、そのような変形及び変更は本発明の特許請求範囲に属するといえる。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、各構成部位に対し洗浄液が噴霧形態で噴射供給されることにより、ポリシング工程を行う過程において各構成部位にヒューム形態で飛び上がって蒸着されるスラリ及び各種異物質の固化が防止され、スラリ及び各種異物質が液状として流動して自然に除去されることにより、設備の全体的な洗浄周期が延長され、各構成部の駆動が正常になされるだけでなく、ウェハの損傷なしにポリシング工程の正常な実施が継続してなされるという効果がある。
又、各構成部に対する別途の洗浄作業が要求されず、それに伴う作業の煩雑さと作業時間が低減され、洗浄作業でのスラリの粉塵発生が防止されて、作業者の人体に対する衛生的な環境をなし得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による半導体ウェハ用CMP設備の構成及びこれら構成の駆動関係を概略的に示す斜視図である。
【図2】本発明の一実施例による半導体ウェハ用CMP設備の各構成の設置関係を示す側面図である。
【図3】従来のCMP設備の構成及びこれら構成の駆動関係を概略的に示す斜視図である。
【図4】従来のCMP設備の各構成の設置関係を示す側面図である。
【図5】従来のCMP設備のコンディショナとヘッドの駆動領域を示す平面図である。
【符号の説明】
10 CMP設備
12 テーブル
14 ポリシングパッド
16 スラリ供給ノズル
18 洗浄液供給ノズル
20 ヘッド部
22 ヘッド
24 コンディショニング部
26 コンディショナ
32 洗浄液供給ライン
34 噴射ノズル
36 レギュレーター
Claims (2)
- ポリシングパッドを備えて高速回転するテーブルと、
前記ポリシングパッドの表面にスラリを均一に分布するように供給するスラリ供給部と、
前記ポリシングパッド上に残存するスラリ及び異物質を除去するために洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
装着されたウェハを前記ポリシングパッドに近接させて高速回転させるヘッド部と、
装着されたコンディショナーを前記ポリシングパッドに対し近接させて高速回転させ、前記ポリシングパッドの表面が平坦になるように切削するコンディショニング部と、
各構成部の駆動を制御する制御部とを備える半導体素子製造用CMP設備において、
前記洗浄液供給部は前記ポリシングパッドを含んだ各構成部に対し洗浄液を噴霧して供給する構成からなることを特徴とする半導体ウェハ用CMP設備。 - 前記洗浄液供給部は、前記各構成部に近接する位置まで延長された洗浄液供給ラインと、前記洗浄液供給ラインの端部に設置されて前記各構成部に対し洗浄液を噴霧して供給する噴射ノズルと、前記洗浄液供給ライン上に設置されて前記噴射ノズルを通じた洗浄液の噴射圧力を制御するレギュレーターとからなることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ用CMP設備。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0064457A KR100500517B1 (ko) | 2002-10-22 | 2002-10-22 | 반도체 웨이퍼용 cmp 설비 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004146775A true JP2004146775A (ja) | 2004-05-20 |
Family
ID=32171503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003130402A Pending JP2004146775A (ja) | 2002-10-22 | 2003-05-08 | 半導体ウェハ用cmp設備 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6899609B2 (ja) |
JP (1) | JP2004146775A (ja) |
KR (1) | KR100500517B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104029130A (zh) * | 2014-06-06 | 2014-09-10 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种智能抛光液供给循环装置 |
JP2016097465A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | 株式会社荏原製作所 | 研磨面洗浄装置、研磨装置、および研磨面洗浄装置の製造方法 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004223665A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Sony Corp | 電解研磨装置および研磨方法 |
US20050113006A1 (en) * | 2003-11-21 | 2005-05-26 | Wang Michael S. | Chemical mechanical polishing apparatus and method to minimize slurry accumulation and scratch excursions |
US7258599B2 (en) * | 2005-09-15 | 2007-08-21 | Fujitsu Limited | Polishing machine, workpiece supporting table pad, polishing method and manufacturing method of semiconductor device |
JP2012148376A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
US9011207B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-21 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder |
US9039488B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-05-26 | Wayne O. Duescher | Pin driven flexible chamber abrading workholder |
US9199354B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-12-01 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder |
US8998678B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Spider arm driven flexible chamber abrading workholder |
US8845394B2 (en) | 2012-10-29 | 2014-09-30 | Wayne O. Duescher | Bellows driven air floatation abrading workholder |
US9604339B2 (en) | 2012-10-29 | 2017-03-28 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder |
US8998677B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Bellows driven floatation-type abrading workholder |
US9233452B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-01-12 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder |
US20140323017A1 (en) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus using energized fluids to clean chemical mechanical planarization polishing pads |
US9687960B2 (en) * | 2014-10-24 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad cleaning systems employing fluid outlets oriented to direct fluid under spray bodies and towards inlet ports, and related methods |
US10350728B2 (en) | 2014-12-12 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | System and process for in situ byproduct removal and platen cooling during CMP |
KR200477667Y1 (ko) * | 2015-01-27 | 2015-07-09 | 전용준 | 바텀 플레이트를 구비한 cmp 장비 |
US10926378B2 (en) | 2017-07-08 | 2021-02-23 | Wayne O. Duescher | Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet |
JP2020031181A (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理装置を制御する方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体 |
US11691241B1 (en) * | 2019-08-05 | 2023-07-04 | Keltech Engineering, Inc. | Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier |
CN112338795A (zh) * | 2019-12-02 | 2021-02-09 | 深圳市安达工业设计有限公司 | 一种便于清理的化学机械抛光设备的抛光方法 |
KR20220013832A (ko) | 2020-07-27 | 2022-02-04 | 제이에이치테크놀러지 주식회사 | 화학적 기계 연마 장비의 헤드용 슬러리 세정 구조 |
US11724355B2 (en) | 2020-09-30 | 2023-08-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate polish edge uniformity control with secondary fluid dispense |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04196425A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Sigma Merutetsuku Kk | 薬液処理装置 |
JPH1074686A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Sigma Merutetsuku Kk | 薬液処理方法、および、装置 |
WO2002013242A2 (en) * | 2000-08-07 | 2002-02-14 | Ekc Technology, Inc. | Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus |
JP2002510875A (ja) * | 1998-04-08 | 2002-04-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ケミカルメカニカルポリシングにおいてスラリーを除去する装置および方法 |
JP2002219645A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-08-06 | Nikon Corp | 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法並びにこの製造方法によって製造された半導体デバイス |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6595831B1 (en) * | 1996-05-16 | 2003-07-22 | Ebara Corporation | Method for polishing workpieces using fixed abrasives |
US5725417A (en) * | 1996-11-05 | 1998-03-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for conditioning polishing pads used in mechanical and chemical-mechanical planarization of substrates |
KR19980040764A (ko) * | 1996-11-29 | 1998-08-17 | 김광호 | 반도체 케미컬탱크의 세정장치 |
JP3399772B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2003-04-21 | 株式会社藤森技術研究所 | 半導体製造装置の洗浄装置 |
JPH11104947A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-20 | Toshiro Doi | 研磨パッドのドレッシング装置 |
JP3371775B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 研磨方法 |
US6206760B1 (en) * | 1999-01-28 | 2001-03-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for preventing particle contamination in a polishing machine |
KR100546288B1 (ko) * | 1999-04-10 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 폴리싱 장치 |
KR100304706B1 (ko) | 1999-06-16 | 2001-11-01 | 윤종용 | 화학기계적 연마장치 및 연마 헤드 내부의 오염 물질 세척방법 |
US6405399B1 (en) | 1999-06-25 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing |
KR100420446B1 (ko) * | 2001-03-31 | 2004-03-03 | (주)케이.씨.텍 | 유체를 분사하는 장치 |
-
2002
- 2002-10-22 KR KR10-2002-0064457A patent/KR100500517B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-05-08 JP JP2003130402A patent/JP2004146775A/ja active Pending
- 2003-09-05 US US10/655,305 patent/US6899609B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04196425A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Sigma Merutetsuku Kk | 薬液処理装置 |
JPH1074686A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Sigma Merutetsuku Kk | 薬液処理方法、および、装置 |
JP2002510875A (ja) * | 1998-04-08 | 2002-04-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ケミカルメカニカルポリシングにおいてスラリーを除去する装置および方法 |
WO2002013242A2 (en) * | 2000-08-07 | 2002-02-14 | Ekc Technology, Inc. | Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus |
JP2002219645A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-08-06 | Nikon Corp | 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法並びにこの製造方法によって製造された半導体デバイス |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104029130A (zh) * | 2014-06-06 | 2014-09-10 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种智能抛光液供给循环装置 |
JP2016097465A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | 株式会社荏原製作所 | 研磨面洗浄装置、研磨装置、および研磨面洗浄装置の製造方法 |
KR20160060555A (ko) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마면 세정 장치, 연마 장치 및 연마면 세정 장치의 제조 방법 |
TWI664055B (zh) * | 2014-11-20 | 2019-07-01 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 研磨面洗淨裝置、研磨裝置、及研磨面洗淨裝置之製造方法 |
US10661411B2 (en) | 2014-11-20 | 2020-05-26 | Ebara Corporation | Apparatus for cleaning a polishing surface, polishing apparatus, and method of manufacturing an apparatus for cleaning a polishing surface |
KR102211328B1 (ko) | 2014-11-20 | 2021-02-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마면 세정 장치, 연마 장치 및 연마면 세정 장치의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040035344A (ko) | 2004-04-29 |
KR100500517B1 (ko) | 2005-07-12 |
US6899609B2 (en) | 2005-05-31 |
US20040087257A1 (en) | 2004-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004146775A (ja) | 半導体ウェハ用cmp設備 | |
KR100328607B1 (ko) | 결합식슬러리분배기와세척아암및이장치의작동방법 | |
TWI572447B (zh) | 硏磨墊之修整裝置 | |
US7708622B2 (en) | Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces | |
US9375825B2 (en) | Polishing pad conditioning system including suction | |
JP4829631B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び研磨装置 | |
US6506098B1 (en) | Self-cleaning slurry arm on a CMP tool | |
JPWO2003071592A1 (ja) | ポリッシング方法および装置 | |
JPH11347917A (ja) | ポリッシング装置 | |
WO2015061741A1 (en) | Systems, methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate buff pre-cleaning | |
KR20000025767A (ko) | 반도체장치 제조용 씨엠피설비 | |
US6769959B2 (en) | Method and system for slurry usage reduction in chemical mechanical polishing | |
JP5505383B2 (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
KR102435926B1 (ko) | 웨이퍼의 연마 장치 및 방법 | |
JP2019209410A (ja) | 研磨装置、及び研磨装置のための洗浄方法 | |
US20220359219A1 (en) | Chemical Mechanical Polishing With Die-Based Modification | |
KR100523623B1 (ko) | Cmp 장비의 다이아몬드 디스크의 클리닝 드레서 | |
JP2009248258A (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法 | |
KR20190072746A (ko) | 웨이퍼 폴리싱 장치 | |
KR100517176B1 (ko) | 화학기계적 연마장치의 로터리 트랜스포터 | |
KR20090013469A (ko) | 씨엠피의 슬러리 분사 장치 | |
WO2003095145A1 (en) | Cleaning head | |
JP2013144359A (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法 | |
KR20040003478A (ko) | 반도체 연마장치의 연마액 공급 암 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090306 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090608 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090611 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091203 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100303 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100308 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100402 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101028 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110329 |