TWI644345B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI644345B
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Abstract

一種基板處理裝置及基板處理方法，係在基板之被處理面形成有包含金屬成分及感光性材料的阻劑膜之後，藉由邊緣曝光部來對基板之周緣部照射光。藉此，能使基板之周緣部上的阻劑膜之部分曝光。接著，藉由顯影液噴嘴來對基板之周緣部供給顯影液，藉此進行被曝光後的阻劑膜之部分的顯影處理。藉此，能除去基板之周緣部上所形成的阻劑膜之部分。之後，基板被搬運至曝光裝置。在曝光裝置中對基板進行曝光處理，藉此在阻劑膜形成有曝光圖案，接著在顯影處理單元中對曝光處理後之基板供給顯影液，藉此進行阻劑膜之顯影處理。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種對基板進行處理的基板處理裝置及基板處理方法。
在製造半導體裝置等的微影製程(lithography process)中，係藉由在基板上供給阻劑液(resist solution)等的塗布液而形成塗布膜。例如，能藉由旋轉夾盤(spin chuck)使基板一邊保持於水平一邊旋轉。在此狀態下，藉由從阻劑噴嘴(resist nozzle)對基板之上表面的大致中央部吐出阻劑液，就能在基板之上表面整體形成阻劑膜作為塗布膜。在此，當在基板之周緣部存在有阻劑膜時，就會在用以搬運基板的搬運機構夾持基板之周緣部時，使阻劑膜之一部分剝離並成為微粒子(particle)。於是，能藉由從邊緣沖洗噴嘴(edge rinse nozzle)對基板之周緣部吐出有機溶劑來溶解基板之周緣部的阻劑膜。藉此，能除去基板之周緣部的阻劑膜(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開平6-124887號公報。
近年來，為了形成更微細的圖案(pattern)，已有研究應用含有金屬成分的塗布膜(以下，稱為含金屬塗布膜)之技術。然而，藉由發明人之實驗，可明白即便是在藉由對形成於基板上的含金屬塗布膜之周緣部吐出有機溶劑來除去基板之周緣部的塗布膜的情況下，含有金屬成分的塗布膜成分仍無法被除去而會殘留於基板之周緣部上。為此，基板處理裝置以及鄰接的曝光裝置就會因殘留於基板之周緣部的金屬成分而汙染。
本發明之目的係在於提供一種能夠防止因殘留於基板之周緣部的金屬成分所引起的金屬汙染之發生的基板處理裝置及基板處理方法。
(1)本發明之一態樣的基板處理裝置，係以與對基板進行曝光處理的曝光裝置鄰接的方式所配置，具備：膜形成單元(unit)，用以將包含金屬成分及感光性材料的含金屬感光性膜形成於基板之被處理面；邊緣(edge)曝光部，用以對含金屬感光性膜形成後的基板之周緣部照射光；邊緣顯影處理部，其對基板之周緣部供給顯影液，藉此進行已藉由邊緣曝光部而照射光的含金屬感光性膜之部分的顯影處理；搬運機構，用以將進行了藉由邊緣顯影處理部所為的顯影處理後之基板搬運至曝光裝置；以及顯影處理單元，其對曝光裝置中的曝光處理後之基板供給顯影液，藉此進行含金屬感光性膜之顯影處理。
以下，將藉由邊緣曝光處理部所為的含金屬感光性膜之曝光處理稱為邊緣曝光處理，將藉由邊緣顯影處理部所為的含金屬感光性膜之顯影處理稱為邊緣顯影處理。
在該基板處理裝置中，係在基板之被處理面形成有含 金屬感光性膜之後，對基板之周緣部照射光。藉此，能使基板之周緣部上的含金屬感光性膜之部分曝光，作為邊緣曝光處理。接著，對基板之周緣部供給顯影液，藉此進行被曝光後的含金屬感光性膜之部分的顯影處理，作為邊緣顯影處理。之後，基板被搬運至曝光裝置。在曝光裝置中對基板進行曝光處理，藉此在含金屬感光性膜形成有曝光圖案，接著在顯影處理單元中對曝光處理後之基板供給顯影液，藉此進行含金屬感光性膜之顯影處理。
如此，能在基板上形成有含金屬感光性膜之後且在基板被搬運至曝光裝置之前，對基板之周緣部上的含金屬感光性膜之部分進行邊緣曝光處理及邊緣顯影處理。藉此，可以從基板之周緣部適當地除去含金屬感光性膜。因此，能防止基板之周緣部中的金屬成分之殘留，且能充分地防止在基板處理裝置及曝光裝置上發生金屬汙染。
(2)膜形成單元，亦可包含：旋轉保持部，用以保持基板並旋轉；以及液體供給部，用以對藉由旋轉保持部而旋轉的基板之被處理面供給含金屬感光性膜用之塗布液；邊緣曝光部，亦可以在藉由液體供給部所為的塗布液之供給後對藉由旋轉保持部而旋轉的基板之周緣部照射光的方式所構成。
在此情況下，能一邊藉由共通之旋轉保持部使基板旋轉，一邊藉由液體供給部對基板之被處理面供給含金屬感光性膜用之塗布液，且藉由邊緣曝光部對基板之周緣部上的含金屬感光性膜之部分照射光。藉此，可以在共通之空間(space)進行含金屬感光性膜之形成及邊緣曝光處理。因此，可以抑制裝置成本之增大及基板處理裝置之大型化。
(3)膜形成單元，亦可更進一步包含：第一除去液供給部，用以在藉由液體供給部所為的塗布液之供給後對藉由旋轉保持部而旋轉的基板之周緣部供給使塗布液溶解的第一除去液。
在此情況下，能藉由對基板之周緣部供給第一除去液，而從基板之周緣部更充分地除去含金屬感光性膜。從而，能更充分地防止在基板之周緣部殘留金屬成分。
(4)邊緣顯影處理部，亦可以在藉由邊緣曝光部所為的光照射後對藉由旋轉保持部而旋轉的基板之周緣部吐出顯影液的方式所構成。在此情況下，除了含金屬感光性膜之形成及邊緣曝光處理，還可以在共通之空間進行邊緣顯影處理。藉此，可以更進一步抑制裝置成本之增大及基板處理裝置之大型化。又，在含金屬感光性膜之形成後，不用從旋轉保持部搬運基板，就可以除去基板之周緣部上的含金屬感光性膜之部分。因此，能防止基板搬運時的金屬成分之擴散，且能更充分地防止金屬汙染之發生。
(5)基板處理裝置亦可更進一步具備：加熱部，其以在藉由邊緣曝光部所為的光照射後且在藉由邊緣顯影處理部所為的顯影處理前將藉由旋轉保持部而旋轉的基板之周緣部予以加熱的方式所構成。
在此情況下，藉由加熱邊緣曝光處理後的基板之周緣部就可以促進藉由邊緣曝光處理而產生的生成物(酸)之催化作用，且提高含金屬感光性膜對顯影液之溶解性。藉此，能夠減低邊緣曝光處理之光照射量，且可以改善邊緣曝光處理之產能(throughput)。
(6)邊緣顯影處理部，亦可設置於顯影處理單元。在此情況下，可以在共通之顯影處理單元中，分別進行含金屬 感光性膜之邊緣顯影處理及普通之顯影處理。藉此，可以抑制裝置成本之增大及基板處理裝置之大型化。
(7)邊緣顯影處理部及顯影處理單元，亦可具有能夠吐出顯影液的共通之顯影液噴嘴。在此情況下，可以使用共通之顯影處理噴嘴來分別進行邊緣顯影處理及普通之顯影處理。藉此，能夠更進一步削減裝置成本。
(8)基板處理裝置，亦可更進一步具備：熱處理單元，用以對藉由邊緣曝光部所為的光照射後，且藉由邊緣顯影處理部所為的顯影處理前之基板進行加熱處理。在此情況下，可以在熱處理單元中，同時進行藉由曝光裝置所為之曝光處理前的基板之加熱處理、以及邊緣曝光處理後的基板之周緣部的加熱處理。藉此，可以縮短基板之處理時間。
(9)基板處理裝置亦可更進一步具備：第二除去液供給部，用以在藉由邊緣顯影處理部所為的顯影處理後對基板之周緣部供給使金屬成分溶解的第二除去液。在此情況下，可以更充分地防止在基板之周緣部上殘留金屬成分。
(10)依照本發明之另一態樣的基板處理方法係具備：藉由膜形成單元來將包含金屬成分及感光性材料的含金屬感光性膜形成於基板之被處理面的步驟(step)；藉由邊緣曝光部來對含金屬感光性膜形成後的基板之周緣部照射光的步驟；藉由邊緣顯影處理部來對基板之周緣部供給顯影液，藉此進行已藉由邊緣曝光部而照射光的含金屬感光性膜之部分的顯影處理的步驟；將藉由邊緣顯影處理部所為的顯影處理後之基板搬運至曝光裝置的步驟；以及在顯影處理單元中對曝光裝置中的曝光處理後之基板供給顯影液，藉此進行含金屬感光性膜之顯影處理的步驟。
依據該基板處理方法，能在基板之被處理面形成有含 金屬感光性膜之後，對基板之周緣部照射光。藉此，能使基板之周緣部上的含金屬感光性膜之部分曝光。接著，能對基板之周緣部供給顯影液，藉此進行被曝光後的含金屬感光性膜之部分的顯影處理。之後，基板被搬運至曝光裝置。在曝光裝置中對基板進行曝光處理，藉此在含金屬感光性膜形成有曝光圖案，接著在顯影處理單元中對曝光處理後之基板供給顯影液，藉此能進行含金屬感光性膜之顯影處理。
如此，能在基板上形成有含金屬感光性膜之後，且在基板被搬運至曝光裝置之前，對基板之周緣部上的含金屬感光性膜之部分進行曝光處理及顯影處理。藉此，可以從基板之周緣部適當地除去含金屬感光性膜。因此，能防止基板之周緣部中的金屬成分之殘留，且能充分地防止在基板處理裝置及曝光裝置發生金屬汙染。
(11)形成含金屬感光性膜的步驟，亦可包含：對藉由旋轉保持部而旋轉的基板之被處理面藉由液體供給部來供給含金屬感光性膜用之塗布液的步驟；對基板之周緣部照射光的步驟，亦可包含：在藉由液體供給部所為的塗布液之供給後對藉由旋轉保持部而旋轉的基板之周緣部藉由邊緣曝光部來照射光的作業。
在此情況下，能一邊藉由共通之旋轉保持部使基板旋轉，一邊藉由液體供給部對基板之被處理面供給含金屬感光性膜用之塗布液，且藉由邊緣曝光部對基板之周緣部上的含金屬感光性膜之部分照射光。藉此，可以在共通之空間進行含金屬感光性膜之形成及邊緣曝光處理。因此，可以抑制裝置成本之增大及基板處理裝置之大型化。
依據本發明，可以防止因殘留於基板之周緣部的金屬成分所引起的金屬汙染之發生。
1‧‧‧馬達
2‧‧‧旋轉軸
3、25、35‧‧‧旋轉夾盤
4、27、37‧‧‧杯體
5‧‧‧排液部
6‧‧‧排氣部
7‧‧‧背面洗淨噴嘴
8‧‧‧周緣部洗淨噴嘴
9‧‧‧氣體供給部
10‧‧‧氣液供給噴嘴
10a‧‧‧液體噴嘴
10b‧‧‧氣體噴嘴
11‧‧‧分度器區塊
12‧‧‧第一處理區塊
13‧‧‧第二處理區塊
14‧‧‧介面區塊
14A‧‧‧洗淨乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
20‧‧‧待機部
21至24‧‧‧塗布處理室
25a‧‧‧驅動裝置
28‧‧‧塗布液噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬運機構
31至34‧‧‧顯影處理室
38‧‧‧狹縫噴嘴
39‧‧‧移動機構
41‧‧‧邊緣曝光部
42‧‧‧加熱部
43‧‧‧顯影液噴嘴
44‧‧‧邊緣沖洗噴嘴
46‧‧‧冷卻氣體供給部
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧載具載置部
112、122、132、163‧‧‧搬運部
113‧‧‧載具
114‧‧‧主控制器
115、127、128、137、138、141、142、146‧‧‧搬運機構
121‧‧‧塗布處理部
123、133‧‧‧熱處理部
125、135‧‧‧上層搬運室
126、136‧‧‧下層搬運室
129a‧‧‧阻劑膜用塗布處理單元
129b‧‧‧反射防止膜用塗布處理單元
131‧‧‧顯影處理部
139‧‧‧顯影處理單元
161、162‧‧‧洗淨乾燥處理部
301、303‧‧‧上層熱處理部
302、304‧‧‧下層熱處理部
311、312、313‧‧‧導軌
314‧‧‧移動構件
315‧‧‧旋轉構件
RSS‧‧‧洗淨乾燥處理單元
CP‧‧‧冷卻單元
H1至H3‧‧‧機械手
LC1、LC2‧‧‧局部控制器
MR‧‧‧金屬除去單元
PAHP‧‧‧密接強化處理單元
PASS1至PASS9‧‧‧基板載置部
P-BF1、P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
PHP‧‧‧熱處理單元
W‧‧‧基板
圖1係本發明之第一實施形態的基板處理裝置之示意俯視圖。
圖2係顯示圖1的塗布處理部、顯影處理部及洗淨乾燥處理部之內部構成的示意側視圖。
圖3係顯示阻劑膜用塗布處理單元之構成的示意俯視圖。
圖4係顯示阻劑膜用塗布處理單元之一部分構成的示意側視圖。
圖5係顯示阻劑膜用塗布處理單元之另一構成例的示意圖。
圖6係顯示圖1的熱處理部及洗淨乾燥處理部之內部構成的示意側視圖。
圖7係用以說明金屬除去單元之構成的示意圖。
圖8係顯示金屬除去單元之另一構成的示意圖。
圖9係顯示搬運部之內部構成的示意側視圖。
圖10係顯示搬運機構的立體圖。
圖11係用以說明第二實施形態中的阻劑膜用塗布處理單元之構成的示意圖。
圖12係顯示冷卻氣體供給部之一例的示意圖。
以下，使用圖式就本發明之實施形態的基板處理裝置及基板處理方法加以說明。再者，在以下之說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器(plasma display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟 (magneto optical disk)用基板或光罩(photomask)用基板等。又，在本實施形態中所用的基板係至少一部分具有圓形之外周部。例如，除了定位用之凹槽(notch)以外的外周部具有圓形。
[1]第一實施形態
(1)基板處理裝置
圖1係本發明之第一實施形態的基板處理裝置之示意俯視圖。在圖1及圖2以後之預定的圖中係為了明確位置關係而附記顯示相互地正交之X方向、Y方向及Z方向的箭頭。X方向及Y方向係在水平面內相互地正交，Z方向係相當於鉛直方向。
如圖1所示，基板處理裝置100係具備：分度器區塊(indexer block)11、第一處理區塊12、第二處理區塊13、洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。藉由洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B而構成介面區塊(interface block)14。以與搬入搬出區塊14B鄰接的方式配置有曝光裝置15。在本實施例中，曝光裝置15係藉由具有例如13nm以上14nm以下之波長的EUV(Extreme Ultra Violet；超紫外線)而對基板W進行曝光處理。以下，將藉由曝光裝置15所為的基板W之曝光處理稱為普通曝光處理。
如圖1所示，分度器區塊11係包含複數個載具(carrier)載置部111及搬運部112。在各載具載置部111係載置有多層收納複數個基板W載具113。在搬運部112係設置有主控制器(main controller)114及搬運機構115。主控制器114係控制基板處理裝置100之各種的構成要素。搬運機構115係一邊保持基板W一邊搬運該基板W。
第一處理區塊12係包含塗布處理部121、搬運部122及熱處理部123。塗布處理部121及熱處理部123係以隔著搬運部122而對向的方式所設置。在搬運部122與分度器區塊11之間係設置有可供基板W載置的基板載置部PASS1至PASS4(參照圖9)。在搬運部122係設置有用以搬運基板W的搬運機構127、128(參照圖9)。
第二處理區塊13係包含顯影處理部131、搬運部132及熱處理部133。顯影處理部131及熱處理部133係以隔著搬運部132而對向的方式所設置。在搬運部132與搬運部122之間係設置有可供基板W載置的基板載置部PASS5至PASS8(參照圖9)。在搬運部132係設置有用以搬運基板W的搬運機構137、138(參照圖9)。
洗淨乾燥處理區塊14A係包含洗淨乾燥處理部161、162及搬運部163。洗淨乾燥處理部161、162係以隔著搬運部163而對向的方式所設置。在搬運部163係設置有搬運機構141、142。在搬運部163與搬運部132之間係設置有載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(參照圖9)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2係構成為能夠收容複數個基板W。
又，在搬運機構141、142之間，以與搬入搬出區塊14B鄰接的方式設置有基板載置部PASS9及後述的載置兼冷卻部P-CP(參照圖9)。載置兼冷卻部P-CP係具備用以冷卻基板W的功能(例如，冷卻板(cooling plate))。在載置兼冷卻部P-CP中，基板W會被冷卻至適於曝光處理的溫度。在搬入搬出區塊14B係設置有搬運機構146。搬運機構146係進行基板W對曝光裝置15之搬入及搬出。
(2)塗布處理部、顯影處理部及洗淨乾燥處理部
圖2係顯示圖1的塗布處理部121、顯影處理部131 及洗淨乾燥處理部161之內部構成的示意側視圖。如圖2所示，在塗布處理部121係階層式地設置有塗布處理室21、22、23、24。在塗布處理室21、23係設置有用以在基板W上形成阻劑膜的阻劑膜用塗布處理單元129a。在塗布處理室22、24係設置有用以在基板W上形成反射防止膜的反射防止膜用塗布處理單元129b。在顯影處理部131係階層式地設置有顯影處理室31至34。在各顯影處理室31至34係設置有顯影處理單元139。
圖3係顯示阻劑膜用塗布處理單元129a之構成的示意俯視圖。圖4係顯示阻劑膜用塗布處理單元129a之一部分構成的示意側視圖。如圖3所示，阻劑膜用塗布處理單元129a係具備待機部20、複數個旋轉夾盤25、複數個杯體(cup)27、複數個塗布液噴嘴28、噴嘴搬運機構29、複數個邊緣曝光部41及複數個顯影液噴嘴43。在本實施形態中，係在阻劑膜用塗布處理單元129a設置有二個旋轉夾盤25。對應各旋轉夾盤25而設置有杯體27、邊緣曝光部41及顯影液噴嘴43。又，如圖4所示，阻劑膜用塗布處理單元129a係對應各旋轉夾盤25而設置有加熱部42。在圖4中係僅顯示與一個旋轉夾盤25有關連的部分。
各旋轉夾盤25係在已保持基板W的狀態下，藉由電動馬達等所構成的驅動裝置25a(圖4)而被旋轉驅動。杯體27係以包圍旋轉夾盤25之周圍的方式所設置。在待機時，圖3之各塗布液噴嘴28係插入待機部20。在各塗布液噴嘴28係從未圖示的塗布液貯存部供給有包含後述之金屬成分及感光性材料的阻劑膜用之塗布液(以下，稱為阻劑液)。在本實施形態中係使用正性色調顯影(positive-tone development)用的阻劑液。
複數個塗布液噴嘴28中之其中任一個的塗布液噴嘴28係藉由噴嘴搬運機構29而被移動至基板W之上方。藉由一邊使旋轉夾盤25旋轉一邊使阻劑液從塗布液噴嘴28吐出，就能在旋轉的基板W上塗布阻劑液。藉此，能在基板W之被處理面形成阻劑膜。在此，所謂被處理面係指可供電路圖案等之各種圖案形成的基板W之面。
在阻劑液中，係含有以較高之精度進行基板處理用的金屬分子或金屬氧化物等的金屬成分作為組成物。在實施例中，係以在阻劑液中含有例如Sn(錫；tin)、HfO2(氧化鉿；hafnium oxide)或ZrO2(二氧化鋯；zirconium dioxide)，作為金屬成分。
邊緣曝光部41，例如是由光纖(optical fiber)所構成，用以對藉由旋轉夾盤25所保持的基板W之被處理面之周緣部照射曝光處理用的光(以下，稱為曝光光(exposure light))。曝光光，例如是紫外線。在此，所謂基板W之周緣部係指沿著基板W之外周部的一定寬度之區域。
在基板W上形成有阻劑膜之後，以基板W已藉由旋轉夾盤25而旋轉的狀態，藉由邊緣曝光部41對基板W之被處理面的周緣部照射曝光光。藉此，就能進行基板W之周緣部上的阻劑膜之部分的曝光處理(以下，稱為邊緣曝光處理)。
如圖4所示，加熱部42係設置於藉由旋轉夾盤25所保持的基板W之周緣部的下方。加熱部42，例如是由光纖所構成，用以對藉由旋轉夾盤25所保持的基板之周緣部照射加熱處理用的光(以下，稱為加熱光)。加熱光，例如是紅外線。
在上述邊緣曝光處理之後，以基板W已藉由旋轉夾盤 25而旋轉的狀態，藉由加熱部42對基板W之周緣部照射加熱光。藉此，就能對基板W之周緣部上的阻劑膜之部分進行曝光後的加熱處理(以下，稱為邊緣加熱處理)。藉由邊緣加熱處理就會促進藉由邊緣曝光處理時之光化學反應而產生的生成物(酸)之催化作用，且可以提高阻劑膜對顯影液的溶解性。藉此，能夠減低邊緣曝光處理之光照射量，且可以提高邊緣曝光處理之產能。
顯影液噴嘴43係以朝向藉由旋轉夾盤25所保持的基板W之被處理面之周緣部的方式所配置。在顯影液噴嘴43係從未圖示的顯影液貯存部供給有顯影液。作為正性色調顯影處理用之顯影液係可以使用鹼性(alkaline)水溶液。鹼性水溶液，例如是含有TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide；氫氧化四甲基銨)或KOH(potassium hydroxide；氫氧化鉀)。
在上述邊緣曝光處理後，以基板W已藉由旋轉夾盤25而旋轉的狀態，從顯影液噴嘴43對基板W之被處理面的周緣部供給顯影液。藉此，就能進行基板W之周緣部上所形成的阻劑膜之部分的顯影處理(以下，稱為邊緣顯影處理)。具體而言，在邊緣曝光處理中被曝光，且藉由邊緣加熱處理而被加熱後的阻劑膜之周緣部的部分能藉由顯影液所溶解並被除去。
如此，在阻劑膜用塗布處理單元129a中係在基板W上形成有阻劑膜之後，依順序地進行邊緣曝光處理、邊緣加熱處理及邊緣顯影處理。藉此，能除去基板W之周緣部上所形成的阻劑膜之部分。
亦可更進一步設置有在邊緣顯影處理後對基板W之周緣部供給沖洗液(例如，純水)的沖洗液噴嘴。在此情況 下，藉由沖洗液噴嘴對基板W之周緣部供給沖洗液就可以將顯影液以及藉由該顯影液所溶解後的阻劑膜之殘渣從基板W之周緣部沖洗掉。
圖5係顯示阻劑膜用塗布處理單元129a之另一構成例的示意圖。針對圖5之例，說明與圖3及圖4之例的不同點。圖5之阻劑膜用塗布處理單元129a係更進一步具備邊緣沖洗噴嘴44。
邊緣沖洗噴嘴44係以朝向藉由旋轉夾盤25所保持的基板W之被處理面之周緣部的方式所配置。邊緣沖洗噴嘴44係設置成能夠吐出有機性之除去液(以下，稱為有機除去液)。有機除去液，例如是含有稀釋劑(thinner)、醋酸丁酯(butyl acetate)、PGMEA(propyleneglycol monomethyl ether acetate；丙二醇甲醚醋酸酯)、或PGME(propyleneglycol monomethyl ether；丙二醇甲醚)等的有機溶劑。
在圖5之阻劑膜用塗布處理單元129a中，係在基板W上形成有阻劑膜之後，且在進行上述邊緣曝光處理之前，一邊藉由旋轉夾盤25使基板W旋轉，一邊從邊緣沖洗噴嘴44對基板W之被處理面的周緣部供給有機除去液。藉此，基板W之周緣部上的阻劑膜之大部分就能被溶解並除去。之後，依順序進行上述的邊緣曝光處理、邊緣加熱處理及邊緣顯影處理。藉此，即便是在有機除去液之供給後阻劑膜之殘渣附著於基板W之周緣部上，仍可以藉由其之後的邊緣曝光處理、邊緣加熱處理及邊緣顯影處理來除去阻劑膜之殘渣。
除了邊緣沖洗噴嘴44，亦可設置有能夠對基板W之背面吐出有機除去液的背面沖洗噴嘴(back rinse nozzle)。在此，所謂背面係指與基板W之被處理面成相反側的面。在 此情況下，即便在基板W之背面附著有阻劑液，仍可以藉由從背面沖洗噴嘴所吐出的有機除去液將阻劑液從基板W之背面除去。又，顯影液噴嘴43亦能夠選擇性地吐出顯影液以及有機除去液。在此情況下，由於不需要邊緣沖洗噴嘴44，因此能夠達成阻劑膜用塗布處理單元129a之省空間化。
設置於圖2之塗布處理室22、24的反射防止膜用塗布處理單元129b，係除了不具有邊緣曝光部41、加熱部42及顯影液噴嘴43以外，其餘具有與圖3及圖4之阻劑膜用塗布處理單元129a、或圖5之阻劑膜用塗布處理單元129a同樣的構成。在反射防止膜用塗布處理單元129b之塗布液噴嘴28，係供給有反射防止膜用之塗布液，且藉由使該塗布液供給至基板W上就能在基板W之被處理面形成有反射防止膜。再者，在反射防止膜用塗布處理單元129b中被供給至基板W的塗布液，亦可含有金屬成分。在此情況下能使用與阻劑液中所含有的金屬成分同樣的金屬成分。
如圖2所示，顯影處理單元139係與阻劑膜用塗布處理單元129a同樣，具備複數個旋轉夾盤35及複數個杯體37。又，如圖1所示，顯影處理單元139係具備用以吐出顯影液的二個狹縫噴嘴(slit nozzle)38、以及使該等的狹縫噴嘴38沿著X方向移動的移動機構39。
在顯影處理單元139中，係藉由未圖示的驅動裝置來使旋轉夾盤35旋轉。藉此，能使基板W旋轉。在此狀態下，一邊使狹縫噴嘴38移動一邊對各基板W供給顯影液。藉此，能進行基板W之顯影處理。顯影處理單元139中的顯影處理，係對藉由圖1之曝光裝置15所為的普通曝光處理後之基板W進行。以下，將普通曝光處理後在顯影處理 單元139中所進行的顯影處理稱為普通顯影處理。
在洗淨乾燥處理部161係設置有複數個(在本實施例中為三個)洗淨乾燥處理單元BSS。在各洗淨乾燥處理單元BSS中，係使用有機溶劑或純水來進行普通曝光處理前的基板W之周緣部及背面之洗淨以及乾燥處理。
(3)熱處理部
圖6係顯示圖1的熱處理部123、133及洗淨乾燥處理部162之內部構成的示意側視圖。如圖6所示，熱處理部123係具有設置於上方的上層熱處理部301以及設置於下方的下層熱處理部302。在上層熱處理部301及下層熱處理部302，係設置有複數個熱處理單元PHP、複數個密接強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。
在熱處理部123之最上層係設置有局部控制器(local controller)LC1。局部控制器LC1係基於來自圖1之主控制器114的指令，而控制塗布處理部121、搬運部122及熱處理部123之動作。
在熱處理單元PHP中，係進行基板W之加熱處理及冷卻處理。在密接強化處理單元PAHP中，係進行用以改善基板W與反射防止膜之密接性的密接強化處理。具體而言，在密接強化處理單元PAHP中，係對基板W塗布HMDS(hexamethyldisilazane；六甲基二矽氮烷)等的密接強化劑，並且對基板W進行加熱處理。在冷卻單元CP中，係進行基板W之冷卻處理。
熱處理部133係具有設置於上方的上層熱處理部303及設置於下方的下層熱處理部304。在上層熱處理部303及下層熱處理部304係設置有冷卻單元CP及複數個熱處理單元PHP。
在熱處理單元133之最上層係設置有局部控制器LC2。局部控制器LC2係基於來自圖1之主控制器114的指令，而控制顯影處理部131、搬運部132及熱處理部133之動作。
(4)金屬除去單元
在洗淨乾燥處理部162係設置有複數個(在實施例中為六個)金屬除去單元MR。圖7係用以說明金屬除去單元MR之構成的示意圖。如圖7所示，在金屬除去單元MR係設置有馬達1、旋轉夾盤3、杯體4、二個背面洗淨噴嘴7、周緣部洗淨噴嘴8及氣體供給部9。旋轉夾盤3係能夠繞鉛直軸旋轉地安裝於馬達1的旋轉軸2之上端。杯體4係以包圍由旋轉夾盤3所保持的基板W之周圍的方式所配置。在杯體4之下部係形成有排液部5及排氣部6。
二個背面洗淨噴嘴7係以朝向藉由旋轉夾盤3所保持的基板W之背面的方式所配置。從背面洗淨噴嘴7對基板W之背面吐出能夠溶解金屬成分的除去液(以下，稱為金屬用除去液)。周緣部洗淨噴嘴8係以轉向藉由旋轉夾盤3所保持的基板W之被處理面之周緣部的方式所配置。能從周緣部洗淨噴嘴8對基板W之被處理面之周緣部吐出金屬用除去液。
作為金屬用除去液，係可使用鹼性除去液或酸性除去液。鹼性除去液係例如含有氨(ammonia)及過氧化氫的水溶液。鹼性除去液係例如亦可為TMAH。酸性除去液，例如是含有稀氫氟酸(diluted hydrofluoric acid)的水溶液。酸性除去液，例如既可為含有硫酸及過氧化氫的水溶液，又可為含有醋酸或螯合劑(chelating agent)的水溶液。螯合劑係含有從由有機酸、有機酸的鹽、胺基酸(amino acid)、胺基 酸的衍生物、無機鹼(alkali)、無機鹼的鹽、烷基胺(alkylamine)、烷基胺的衍生物、烷醇胺(alkanolamine)及烷醇胺的衍生物所組成之群組中選出的一種或複數種。
氣體供給部9係配置於由旋轉夾盤3所保持的基板W之大致中央部的上方。從氣體供給部9對基板W之被處理面的大致中央部噴出惰性氣體、例如氮氣。在此情況下，從氣體供給部9所噴出的氣體係擴散至基板W之被處理面的大致中央部。藉此，能防止從周緣部洗淨噴嘴8所吐出的金屬用除去液附著於基板W之被處理面上所形成的阻劑膜。
如此，在金屬除去單元MR中，係能對基板W之周緣部及背面供給金屬用除去液。藉此，即便是在上述邊緣顯影處理後，在基板W之周緣部及背面殘留金屬成分仍可以使該金屬成分溶解並除去。因此，可以充分地防止在基板處理裝置100之內部及曝光裝置15之內部發生金屬成分所造成的汙染。
在複數個金屬除去單元MR中，可使用共通之金屬用除去液，或可使用不同種類的金屬用除去液。例如，亦可在六個金屬除去單元MR中之三個金屬除去單元MR所用的金屬用除去液、以及在其餘三個金屬除去單元MR所用的金屬用除去液有所不同。在此情況下，可以按照阻劑膜中所含有的金屬成分之種類，藉由所適合的金屬除去單元MR來除去附著於基板W之周緣部及背面的金屬成分。
圖8係顯示金屬除去單元MR之另一構成的示意圖。在圖8之金屬除去單元MR係設置有氣液供給噴嘴10，以取代圖7之周緣部洗淨噴嘴8及氣體供給部9。氣液供給噴嘴10係包含排列於水平方向的液體噴嘴10a及氣體噴嘴 10b。氣液供給噴嘴10係以轉向藉由旋轉夾盤3所保持的基板W之周緣部的方式所配置。在此，氣體噴嘴10b係比液體噴嘴10a更位於基板W之中心。
從液體噴嘴10a對基板W之周緣部吐出金屬用除去液。從氣體噴嘴10b對基板W之周緣部噴出惰性氣體、例如氮氣。在此情況下，氣體從氣體噴嘴10b所噴出的基板W之位置，係比金屬用除去液從液體噴嘴10a所吐出的位置更接近基板W之中心。為此，從液體噴嘴10a所吐出的金屬用除去液係能藉由從氣體噴嘴10b所噴出的氣體來妨礙其朝向基板W之中心。藉此，就能防止從液體噴嘴10a所吐出的金屬用除去液附著於基板W之被處理面上所形成的阻劑膜。
又，由於在圖7及圖8之金屬除去單元MR係搬運藉由熱處理部123而使阻劑膜硬化後的基板W，所以即便從氣體供給部9或氣體噴嘴10b對基板W吐出氣體仍不會影響阻劑膜之膜厚。此等的結果，可以在基板W之被處理面形成均一厚度的阻劑膜。
(5)搬運部
圖9係顯示搬運部122、132、163之內部構成的示意側視圖。如圖9所示，搬運部122係具有上層搬運室125及下層搬運室126。搬運部132係具有上層搬運室135及下層搬運室136。在上層搬運室125係設置有搬運機構127，在下層搬運室126係設置有搬運機構128。又，在上層搬運室135係設置有搬運機構137，在下層搬運室136係設置有搬運機構138。
塗布處理室21、22(圖2)以及上層熱處理部301(圖6)係隔著上層搬運室125而對向，塗布處理室23、24(圖2) 以及下層熱處理部302(圖6)係隔著下層搬運室126而對向。同樣地，顯影處理室31、32(圖2)以及上層熱處理部303(圖6)係隔著上層搬運室135而對向，顯影處理室33、34(圖2)以及下層熱處理部304(圖6)係隔著下層搬運室136而對向。
在搬運部112與上層搬運室125之間係設置有基板載置部PASS1、PASS2，在搬運部112與下層搬運室126之間係設置有基板載置部PASS3、PASS4。在上層搬運室125與上層搬運室135之間係設置有基板載置部PASS5、PASS6，在下層搬運室126與下層搬運室136之間係設置有基板載置部PASS7、PASS8。
在上層搬運室135與搬運部163之間係設置有載置兼緩衝部P-BF1，在下層搬運室136與搬運部163之間係設置有載置兼緩衝部P-BF2。在搬運部163中以與搬入搬出區塊14B鄰接的方式設置有基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。
載置兼緩衝部P-BF1係構成能夠進行藉由搬運機構137及搬運機構141、142(圖1)所為的基板W之搬入及搬出。載置兼緩衝部P-BF2係構成能夠進行藉由搬運機構138及搬運機構141、142(圖1)所為的基板W之搬入及搬出。又，基板載置部PASS9及載置兼冷卻部P-CP係構成能夠進行藉由搬運機構141、142(圖1)及搬運機構146所為的基板W之搬入及搬出。
在基板載置部PASS1及基板載置部PASS3係載置有從分度器區塊11朝向第一處理區塊12搬運的基板W，在基板載置部PASS2及基板載置部PASS4係載置有從第一處理區塊12朝向分度器區塊11搬運的基板W。
在基板載置部PASS5及基板載置部PASS7係載置有從第一處理區塊12朝向第二處理區塊13搬運的基板W，在基板載置部PASS6及基板載置部PASS8係載置有從第二處理區塊13朝向第一處理區塊12搬運的基板W。
在載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2係載置有從第二處理區塊13朝向洗淨乾燥處理區塊14A搬運的基板W，在載置兼冷卻部P-CP係載置有從洗淨乾燥處理區塊14A朝向搬入搬出區塊14B搬運的基板W，在基板載置部PASS9係載置有從搬入搬出區塊14B朝向洗淨乾燥處理區塊14A搬運的基板W。
其次，針對搬運機構127加以說明。圖10係顯示搬運機構127的立體圖。如圖9及圖10所示，搬運機構127係具備長條狀之導軌(guide rail)311、312。如圖9所示，導軌311係在上層搬運室125內以沿著上下方向延伸的方式固定於搬運部112側。導軌312係在上層搬運室125內以沿著上下方向延伸的方式固定於上層搬運室135側。
在導軌311與導軌312之間係設置有長條狀之導軌313。導軌313係能夠上下移動地安裝於導軌311、312。在導軌313安裝有移動構件314。移動構件314係設置成能夠沿著導軌313之長邊方向移動。
在移動構件314之上面係設置有能夠旋轉的長條狀之旋轉構件315。在旋轉構件315係安裝有用以保持基板W之外周部的機械手(hand)H1、機械手H2、機械手H3。機械手H1至機械手H3係設置成能夠沿著旋轉構件315之長邊方向移動。機械手H1係配置於比機械手H2更上方，機械手H2係配置於比機械手H3更上方。
藉由如上述的構成，搬運機構127就可以在上層搬運 室125內沿著X方向及Z方向自如地移動。又，可以使用機械手H1至H3來對塗布處理室21、22(圖2)、基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(圖9)及上層熱處理部301(圖6)進行基板W之交接。
如圖9所示，搬運機構128、137、138係具有與搬運機構127同樣的構成。又，在本實施形態中，圖1之搬運機構142係具有與搬運機構127同樣的三個機械手H1至H3。
搬運機構127、128、137、138係可以選擇性地使用機械手H1至H3。例如，可以在藉由金屬除去單元MR所為之處理前的基板W之搬運、以及藉由金屬除去單元MR所為之處理後的基板W之搬運中使用不同的機械手。又，亦能夠使用三個機械手H1至機械手H3來同時搬運複數個基板W。各搬運機構的機械手之數目並未被限定於三個，亦可為四個以上，或亦可為二個以下。
(6)基板處理
一邊參照圖1、圖2、圖6及圖9一邊說明基板處理。在分度器區塊11之載具載置部111(圖1)係載置有已收容未處理之基板W的載具113。搬運機構115係將未處理之基板W從載具113搬運至基板載置部PASS1、PASS3(圖9)。又，搬運機構115係將已載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖9)的處理完成之基板W搬運至載具113。
在第一處理區塊12中，搬運機構127(圖9)係將已載置於基板載置部PASS1的未處理之基板W依順序搬運至密接強化處理單元PAHP(圖6)、冷卻單元CP(圖6)及塗布處理室22(圖2)。其次，搬運機構127係將塗布處理室22之基板W依順序搬運至熱處理單元PHP(圖6)、冷卻單元CP(圖 6)、塗布處理室21(圖2)、熱處理單元PHP(圖6)及基板載置部PASS5(圖9)。
在此情況下，在密接強化處理單元PAHP中，對基板W進行密接強化處理之後，在冷卻單元CP中，使基板W冷卻至適於反射防止膜之形成的溫度。其次，在塗布處理室22中，藉由反射防止膜用塗布處理單元129b(圖2)在基板W上形成有反射防止膜。接著，在熱處理單元PHP中，進行基板W之熱處理之後，在冷卻單元CP中，使基板W冷卻至適於阻劑膜之形成的溫度。其次，在塗布處理室21中，藉由阻劑膜用塗布處理單元129a(圖2)，在基板W上形成有阻劑膜。之後，在熱處理單元PHP中，進行基板W之熱處理，且使該基板W載置於基板載置部PASS5。
又，搬運機構127係將已載置於基板載置部PASS6(圖9)的普通顯影處理後之基板W搬運至基板載置部PASS2(圖9)。
搬運機構128(圖9)係將已載置於基板載置部PASS3的未處理之基板W依順序搬運至密接強化處理單元PAHP(圖6)、冷卻單元CP(圖6)及塗布處理室24(圖2)。其次，搬運機構128係將塗布處理室24之基板W依順序搬運至熱處理單元PHP(圖6)、冷卻單元CP(圖6)、塗布處理室23(圖2)、熱處理單元PHP(圖6)及基板載置部PASS7(圖9)。
又，搬運機構128(圖9)係將已載置於基板載置部PASS8(圖9)的普通顯影處理後之基板W搬運至基板載置部PASS4(圖9)。塗布處理室23、24(圖2)及下層熱處理部302(圖6)中的基板W之處理內容係分別與上述塗布處理室21、22(圖2)及上層熱處理部301(圖6)中的基板W之處理內容同樣。
在第二處理區塊13中，搬運機構137(圖9)係將已載置於基板載置部PASS5的阻劑膜形成後之基板W搬運至載置兼緩衝部P-BF1(圖9)。
又，搬運機構137(圖9)係從與洗淨乾燥處理區塊14A鄰接的熱處理單元PHP(圖6)取出普通曝光處理後且熱處理後的基板W。搬運機構137係將該基板W依順序搬運至冷卻單元CP(圖6)、顯影處理室31、32(圖6)之其中任一方、熱處理單元PHP(圖6)及基板載置部PASS6(圖9)。
在此情況下，在冷卻單元CP中，使基板W冷卻至適於普通顯影處理的溫度之後，在顯影處理室31、32之其中任一方，藉由顯影處理單元139進行基板W之普通顯影處理。之後，在熱處理單元PHP中，進行基板W之熱處理，且使該基板W載置於基板載置部PASS6。
搬運機構138(圖9)係將已載置於基板載置部PASS7的阻劑膜形成後之基板W搬運至載置兼緩衝部P-BF2(圖9)。
又，搬運機構138(圖9)係從與介面區塊14鄰接的熱處理單元PHP(圖6)取出普通曝光處理後且熱處理後的基板W。搬運機構138係將該基板W依順序搬運至冷卻單元CP(圖6)、顯影處理室33、34(圖2)之其中任一方、熱處理單元PHP(圖6)及基板載置部PASS8(圖9)。顯影處理室33、34及下層熱處理部304中的基板W之處理內容，係分別與上述顯影處理室31、32及上層熱處理部303中的基板W之處理內容同樣。
在洗淨乾燥處理區塊14A中，搬運機構142(圖1)係將已載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖9)的基板W搬運至金屬除去單元MR(圖6)。又，搬運機構142係將金屬除去單元MR之基板W搬運至載置兼緩衝部P-BF1(圖9)或載 置兼緩衝部P-BF2(圖9)。搬運機構141(圖1)係將從金屬除去單元MR搬運至載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2的基板W依順序搬運至洗淨乾燥處理單元BSS圖(2)及載置兼冷卻部P-CP(圖9)。
在此情況下，在金屬除去單元MR中，進行殘留於基板W之周緣部及背面的金屬成分之除去。又，在洗淨乾燥處理單元BSS中，進行基板W之周緣部及背面的洗淨以及乾燥處理。之後，在載置兼冷卻部P-CP中使基板W冷卻至適於藉由曝光裝置15(圖1)所為的普通曝光處理之溫度。
搬運機構142(圖1)係將已載置於基板載置部PASS9(圖9)的普通曝光處理後之基板W搬運至上層熱處理部303或下層熱處理部304之熱處理單元PHP(圖6)。在此情況下，在熱處理單元PHP中進行曝光後烘烤(PEB；Post Exposure Bake)處理。
在搬入搬出區塊14B中，搬運機構146(圖1)係將已載置於載置兼冷卻部P-CP(圖6)的普通曝光處理前之基板W搬運至曝光裝置15(圖1)之基板搬入部。又，搬運機構146係從曝光裝置15之基板搬出部取出普通曝光處理後的基板W，且將該基板W搬運至基板載置部PASS9(圖9)。在曝光裝置15中，係藉由具有極短之波長的EUV對基板W進行普通曝光處理。在此情況下，由於在基板W上之阻劑膜含有金屬成分，所以藉由效率佳地進行EUV光之吸收，就可以以較高之解像度在阻劑膜形成微細的曝光圖案。再者，曝光方法並未被限定於此，亦可利用其他的方法來對基板W進行普通曝光處理。
在本實施形態中，係可以並行進行設置於上層的塗布 處理室21、22、顯影處理室31、32及上層熱處理部301、303中的基板W之處理、以及設置於下層的塗布處理室23、24、顯影處理室33、34及下層熱處理部302、304中的基板W之處理。藉此，不用增加覆蓋區(footprint)就可以提高產能。
(7)功效
在本實施形態的基板處理裝置100中，係在基板上形成有阻劑膜之後且在基板W搬運至曝光裝置15之前，進行基板W上的阻劑膜之邊緣曝光處理及邊緣顯影處理。藉此，可以從基板W之周緣部適當地除去阻劑膜。因此，能防止基板W之周緣部中的金屬成分之殘留。結果，能充分地防止因殘留於基板W之周緣部的金屬成分而在基板處理裝置100及曝光裝置15引起金屬汙染之發生。
又，在本實施形態中，係在阻劑膜用塗布處理單元129a中一邊藉由旋轉夾盤25使基板W旋轉，一邊依順序進行藉由塗布液噴嘴28所為的阻劑液之塗布、藉由邊緣曝光部41所為的邊緣曝光處理、藉由加熱部42所為的邊緣加熱處理、以及藉由顯影液噴嘴43所為的邊緣顯影處理。藉此，可以在共通之空間進行阻劑膜之形成、邊緣曝光處理、邊緣加熱處理及邊緣顯影處理。因此，可以抑制裝置成本之增大及基板處理裝置100之大型化。
[2]第二實施形態
針對本發明之第二實施形態，說明與上述第一實施形態的不同點。圖11係用以說明第二實施形態中的阻劑膜用塗布處理單元129a之構成的示意圖。圖11之阻劑膜用塗布處理單元129a與圖3之阻劑膜用塗布處理單元129a的不同點，係在於未設置有加熱部42及顯影液噴嘴43。藉 此，在圖11之阻劑膜用塗布處理單元129a中係不在邊緣曝光處理後進行邊緣加熱處理及邊緣顯影處理。
圖9之搬運機構127係與第一實施形態同樣，將塗布處理室21中的邊緣曝光處理後之基板W依順序搬運至熱處理單元PHP(圖6)及基板載置部PASS5(圖9)。又，圖9之搬運機構128係將塗布處理室23中的邊緣曝光處理後之基板W依順序搬運至熱處理單元PHP(圖6)及基板載置部PASS7(圖9)。在此情況下，在各熱處理單元PHP中，基板W之整體就會被加熱。為此，與上述邊緣加熱處理同樣，能對基板W之周緣部上的阻劑膜之部分進行加熱處理。
圖9之搬運機構137係將已載置於基板載置部PASS5的熱處理後之基板W搬運至顯影處理室31、32之其中任一個。又，圖9之搬運機構138係將已載置於基板載置部PASS7的熱處理後之基板W搬運至顯影處理室33、34之其中任一個。在顯影處理室31至34中，係對熱處理後的基板W之周緣部供給有顯影液。藉此，能進行基板W之邊緣顯影處理。在此情況下，可從圖1之狹縫噴嘴38僅對基板W之周緣部供給顯影液，或可與圖3之顯影液噴嘴43同樣各別地設置以轉向基板W之周緣部的方式所配置的噴嘴。
圖9之搬運機構137係將邊緣顯影處理後之基板W從顯影處理室31、32之其中任一個搬運至載置兼緩衝部P-BF1(圖9)。又，圖9之搬運機構138係將邊緣顯影處理後之基板W從顯影處理室33、34之其中任一個搬運至載置兼緩衝部P-BF12(圖9)。之後，與上述第一實施形態同樣，使基板W搬運至曝光裝置15(圖1)，且進行基板W之普通曝光處理。
如此，在第二實施形態中，係在熱處理單元PHP中進行基板W之加熱處理時亦加熱邊緣曝光處理後的基板W之周緣部上的阻劑膜之部分。藉此，不用各別地進行邊緣加熱處理，就可以適當地進行之後的邊緣顯影處理。因此，比起各別地進行邊緣加熱處理的情況，還可以削減基板W之處理時間。又，由於沒有必要設置圖4之加熱部42，因此能夠削減裝置成本，且不需要確保加熱部42之設置空間。
又，在本實施形態中，係在共通之顯影處理單元139中，分別進行基板W之邊緣顯影處理及普通顯影處理。藉此，由於沒有必要設置圖4之顯影液噴嘴43，因此能夠削減裝置成本，且不需要確保顯影液噴嘴43之設置空間。
[3]其他實施形態
(1)在上述實施形態中，雖然是在介面區塊14設置有對基板W之周緣部供給金屬用除去液的金屬除去單元MR，但是本發明並未被限定於此。例如，亦可在阻劑膜用塗布處理單元129a設置有能夠對基板W之周緣部吐出金屬用除去液的噴嘴。又，在能夠藉由邊緣顯影處理來充分地除去基板W之周緣部之金屬成分的情況下，亦可不設置金屬除去單元MR。
(2)在上述實施形態中，雖然是對邊緣曝光處理後且邊緣顯影處理前之基板W進行邊緣加熱處理，但是本發明並未被限定於此。藉由阻劑膜中所含的感光性材料之種類，不用在邊緣曝光處理後進行邊緣加熱處理就能夠適當地進行邊緣顯影處理。
(3)在上述實施形態中，雖然是在阻劑膜用塗布處理單元129a中對基板W進行邊緣曝光處理，但是本發明並未 被限定於此。對阻劑膜之形成後的基板W進行邊緣曝光處理的單元亦可與阻劑膜用塗布處理單元129a各別地設置。
(4)在上述實施形態中，雖然是在阻劑膜用塗布處理單元129a或顯影處理單元139中對基板W進行邊緣顯影處理，但是本發明並未被限定於此。對邊緣曝光處理後的基板W進行邊緣顯影處理的單元亦可與阻劑膜用塗布處理單元129a及顯影處理單元139各別地設置。
(5)在上述第一實施形態中，係在邊緣加熱處理時藉由加熱部42來加熱基板W之周緣部。在此情況下，當對應進行普通曝光處理的阻劑膜之部分不均一地加熱時，基板W之處理精度就會降低。於是，亦可在基板W之周緣部以外的部分設置有供給冷卻用之氣體的冷卻氣體供給部。圖12係顯示冷卻氣體供給部之一例的示意圖。在圖12之例中，係在藉由旋轉夾盤25所保持的基板W之下方設置有冷卻氣體供給部46。冷卻氣體供給部46係對藉由旋轉夾盤25所保持的基板W之背面供給冷卻用之氣體。藉此，能抑制應進行普通曝光處理的阻劑膜之部分的溫度上升，且能改善對阻劑膜之該部分的熱處理之均一性。藉此，可以提高基板W之處理精度。
(6)在上述實施形態中，雖然是在塗布處理室21至塗布處理室24設置有二個旋轉夾盤25，在顯影處理室31至顯影處理室34設置有三個旋轉夾盤35，但是本發明並未被限定於此。亦可在塗布處理室21至塗布處理室24設置有一個或三個以上的旋轉夾盤25。又，在顯影處理室31至34設置有二個以下或四個以上的旋轉夾盤35。
(7)在上述實施形態中，雖然搬運機構127、搬運機構 128、搬運機構137、搬運機構138、搬運機構141之機械手H1至H3係用以保持基板W之外周部，但是本發明並未被限定於此。搬運機構127、搬運機構128、搬運機構137、搬運機構138、搬運機構141之機械手H1至機械手H3，亦可藉由吸附基板W來保持基板W之背面。
[4]實施態樣之各構成要素與實施形態之各要素的對應關係
以下，雖然是針對實施態樣之各構成要素與實施形態之各要素的對應之例加以說明，但是本發明並未被限定於下述之例。
在上述之實施形態中，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，基板W為基板之例，曝光裝置15為曝光裝置之例，阻劑膜用塗布處理單元129a為膜形成單元之例，阻劑膜為含金屬感光性膜之例，邊緣曝光部41為邊緣曝光部之例，顯影液噴嘴43為邊緣顯影處理部之例，搬運機構146為搬運機構之例，顯影處理單元139為顯影處理單元之例。
又，旋轉夾盤25為旋轉保持部之例，塗布液噴嘴28為液體供給部之例，邊緣沖洗噴嘴44為第一除去液供給部之例，加熱部42為加熱部之例，狹縫噴嘴38為顯影液噴嘴之例，熱處理單元PHP為熱處理單元之例，周緣部洗淨噴嘴8為第二除去液供給部之例。
作為實施態樣之各構成要素，亦可使用具有實施態樣所記載之構成或功能的其他各種的要素。
(產業可利用性)
本發明係可以有效地利用於各種基板之處理。

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，係以與對基板進行曝光處理的曝光裝置鄰接的方式所配置，且該基板處理裝置具備：膜形成單元，用以將包含金屬成分及感光性材料的含金屬感光性膜形成於基板之被處理面；邊緣曝光部，用以對含金屬感光性膜形成後的基板之周緣部照射光；邊緣顯影處理部，其對基板之周緣部供給顯影液，藉此進行已藉由前述邊緣曝光部而照射光的含金屬感光性膜之部分的顯影處理；搬運機構，用以將進行了藉由前述邊緣顯影處理部所為的顯影處理後之基板搬運至前述曝光裝置；以及顯影處理單元，其對前述曝光裝置中的曝光處理後之基板供給顯影液，藉此進行含金屬感光性膜之顯影處理。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述膜形成單元係包含：旋轉保持部，用以保持基板並旋轉；以及液體供給部，用以對藉由前述旋轉保持部而旋轉的基板之前述被處理面供給含金屬感光性膜用之塗布液；前述邊緣曝光部係以在藉由前述液體供給部所為的塗布液之供給後對藉由前述旋轉保持部而旋轉的基板之周緣部照射光的方式所構成。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述膜形成單元係更進一步包含：第一除去液供給部，用以在藉由前述液體供給部所為的塗布液之供給後對藉由前述旋轉保持部而旋轉的基板之周緣部供給使前述塗布液溶解的第一除去液。
  4. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中前述邊緣顯影處理部係以在藉由前述邊緣曝光部所為的光照射後對藉由前述旋轉保持部而旋轉的基板之周緣部吐出顯影液的方式所構成。
  5. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中更進一步具備：加熱部，其以在藉由前述邊緣曝光部所為的光照射後且在藉由前述邊緣顯影處理部所為的顯影處理前將藉由前述旋轉保持部而旋轉的基板之周緣部予以加熱的方式所構成。
  6. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述邊緣顯影處理部係設置於前述顯影處理單元。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述邊緣顯影處理部及前述顯影處理單元係具有能夠吐出顯影液的共通之顯影液噴嘴。
  8. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中更進一步具備：熱處理單元，用以對藉由前述邊緣曝光部所為的光照射後且藉由前述邊緣顯影處理部所為的顯影處理前之基板進行加熱處理。
  9. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中更進一步具備：第二除去液供給部，用以在藉由前述邊緣顯影處理部所為的顯影處理後對基板之周緣部供給使金屬成分溶解的第二除去液。
  10. 一種基板處理方法，係具備：藉由膜形成單元來將包含金屬成分及感光性材料的含金屬感光性膜形成於基板之被處理面的步驟；藉由邊緣曝光部來對含金屬感光性膜形成後的基板之周緣部照射光的步驟；藉由邊緣顯影處理部來對基板之周緣部供給顯影液，藉此進行已藉由前述邊緣曝光部而照射光的含金屬感光性膜之部分的顯影處理的步驟；將進行了藉由前述邊緣顯影處理部所為的顯影處理後之基板搬運至曝光裝置的步驟；以及在顯影處理單元中對前述曝光裝置中的曝光處理後之基板供給顯影液，藉此進行含金屬感光性膜之顯影處理的步驟。
  11. 如請求項10所記載之基板處理方法，其中形成前述含金屬感光性膜的步驟係包含：對藉由旋轉保持部而旋轉的基板之前述被處理面藉由液體供給部來供給含金屬感光性膜用之塗布液的步驟；對前述基板之周緣部照射光的步驟係包含：在藉由前述液體供給部所為的塗布液之供給後對藉由前述旋轉保持部而旋轉的基板之周緣部藉由前述邊緣曝光部來照射光的作業。
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