TWI770462B - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

自顯影液供給源供給之顯影液通過配管貯存於緩衝槽。於配管中之至少一部分中，以於其內部流通之顯影液之溫度與為進行顯影處理而預先設定之設定溫度一致或接近之方式進行調整。貯存於緩衝槽之顯影液通過配管供給至顯影單元。於緩衝槽中，以貯存於其內部之顯影液之溫度與設定溫度一致或接近之方式進行調整。於顯影單元中，使用所供給之顯影液對基板進行顯影處理。

Description

基板處理裝置

本發明係關於一種對基板進行特定處理之基板處理裝置。

先前以來，為了對用於液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等各種基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。

基板處理裝置包括例如對基板進行顯影處理之顯影裝置。於顯影處理中，向基板上之曝光處理後之抗蝕膜供給顯影液。藉由顯影處理而於基板上形成之抗蝕膜之圖案之線寬依存於顯影液之溫度而變化。因此，為了防止圖案之線寬之差異之增大，提出有將供給至基板之顯影液之溫度調整為預先設定之設定溫度之顯影裝置。

例如，於專利文獻1所記載之顯影裝置中，自顯影液供給源向顯影液緩衝槽供給顯影液。貯存於顯影液緩衝槽之顯影液通過顯影液配管供給至顯影液噴出嘴。此時，於顯影液配管中流通之顯影液之溫度係藉由在以包圍顯影液配管之方式設置之恆溫水配管中流通之恆溫水而調整。

[專利文獻1]日本專利特開2000-182926號公報

[發明所欲解決之問題]

於顯影處理中，對1塊基板供給相對多量之顯影液。因此，若提高顯影處理之處理量，則於顯影裝置中每單位時間應使用之顯影液之消耗量增加。於該情形時，必須迅速調整自顯影液緩衝槽向顯影液噴出嘴供給之顯影液之溫度。然而，於專利文獻1所記載之顯影裝置中，未必可獲得對於所要求之顯影液之消耗量而言充分之溫度調整能力。

尤其是貯存於顯影液緩衝槽之顯影液之溫度依存於自顯影液之供給源至顯影液緩衝槽的顯影液之路徑之周圍之溫度。因此，若因季節變化等導致顯影液之路徑周圍之溫度較大地偏離設定溫度，則難以進行顯影液之溫度調整。

本發明之目的在於提供一種可提高處理量且抑制因處理液之溫度所引起的基板處理之差異增大之基板處理裝置。 [解決問題之技術手段]

(1)本發明之一態樣之基板處理裝置具備：處理部，其使用處理液對基板進行特定處理；處理液供給系統，其向處理部供給處理液；調整部，其於處理液供給系統中對處理液之溫度進行調整；處理液供給系統包括：第1貯存部，其貯存處理液；第1處理液流路，其自第1貯存部至處理部；及第2處理液流路，其將自處理液供給源供給之處理液供給至第1貯存部；且調整部包括：第1溫度調整裝置，其以與為進行特定處理而設定之設定溫度一致或接近之方式，對貯存於第1貯存部之處理液之溫度進行調整；及第2溫度調整裝置，其以與設定溫度一致或接近之方式，對在第2處理液流路中之至少一部分流通之處理液之溫度進行調整。

於該基板處理裝置中，自處理液供給源供給之處理液通過第2處理液流路貯存於第1貯存部。於第2處理液流路中之至少一部分中，在其內部流通之處理液之溫度係以與設定溫度一致或接近之方式調整。又，貯存於第1貯存部之處理液通過第1處理液流路供給至處理部。於第1貯存部中，貯存於其內部之處理液之溫度係以與設定溫度一致或接近之方式調整。於處理部中，使用處理液對基板進行特定處理。

根據上述構成，於自處理液供給源至處理部之處理液供給路徑中，藉由第1及第2溫度調整裝置階段性地進行處理液之溫度調整。藉此，與僅使用第1及第2溫度調整裝置中之任一者之情形相比，處理液之溫度調整能力得以提高。又，藉由獨立控制第1及第2溫度調整裝置，可更加適當地進行階段性之處理液之溫度調整。藉此，可抑制因基板處理裝置之周圍之溫度等導致處理液之溫度偏離所設定之溫度。

該等之結果是，可提高處理量且抑制因處理液之溫度所引起的基板處理之差異增大。

(2)亦可為，第1溫度調整裝置以與設定溫度一致或接近之方式，進一步對在第1處理液流路中之至少一部分流通之處理液之溫度進行調整。

於該情形時，在第1處理液流路中之至少一部分流通之處理液之溫度與設定溫度一致或接近。藉此，進一步抑制因處理液之溫度偏離設定溫度所引起之基板處理之差異增大。

(3)亦可為，基板處理裝置進而具備貯存自處理液供給源供給之處理液之第2貯存部，第2處理液流路係以將第2貯存部與第1貯存部連繫之方式設置，且第2溫度調整裝置以與設定溫度一致或接近之方式，進一步對貯存於第2貯存部之處理液之溫度進行調整。

於該情形時，貯存於第2貯存部之處理液之溫度與設定溫度一致或接近。藉此，進一步抑制因處理液之溫度偏離設定溫度所引起之基板處理之差異增大。

(4)亦可為，基板處理裝置具備：主本體部，其包括處理部及第1貯存部；及副本體部，其與主本體部分開配置，且包括第2貯存部。

於該情形時，可於第1及第2貯存部中獨立地調整處理液之溫度。因此，可適當地調整供給至處理部之處理液之溫度。

(5)亦可為，主本體部與副本體部係以相互隔開之方式設置，且第2處理液流路之至少一部分包含主本體部與副本體部之間之部分。

於該情形時，對在第2處理液流路中之位於主本體部與副本體部之間之部分流通的處理液之溫度進行調整。藉此，抑制在第2處理液流路中流通之處理液受到主本體部及副本體部之外部之溫度之影響。

(6)亦可為，主本體部設置於形成有下降氣流之空間內，且第1貯存部設置於較處理部更靠上方。

於該情形時，於處理部中所產生之熱藉由下降氣流而流至下方。藉此，抑制貯存於第1貯存部之處理液受到處理部中所產生之熱之影響。

(7)亦可為，基板處理裝置進而具備：第1收容室，其收容主本體部；及第2收容室，其收容副本體部。

於該情形時，即便於第2處理液流路變長之情形時，亦會對在第2處理液流路中之至少一部分流通之處理液之溫度進行調整。因此，確保佈局之自由度，且抑制基板處理之差異增大。

(8)亦可為，特定處理包括顯影處理，處理部包括將作為處理液之顯影液供給至基板之顯影裝置。

於該情形時，以更高之精度對基板進行顯影處理。 [發明之效果]

根據本發明，可提高處理量且抑制因處理液之溫度所引起的基板處理之差異增大。

以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態之基板處理裝置進行說明。於以下之說明中，基板係指用於液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等。

[1]基板處理裝置之構成 圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置之構成的模式性方塊圖。如圖1所示，基板處理裝置100於無塵室CL內與曝光裝置500鄰接設置，且具備裝置本體部200及藥液櫃300。裝置本體部200及藥液櫃300相互分開設置。

裝置本體部200包括控制裝置210、塗佈處理部220、顯影處理部230、複數個熱處理部240、複數個搬送部250、第1溫度調整部260及複數個緩衝槽BT1。又，藥液櫃300包括第2溫度調整部310及一緩衝槽BT2。

控制裝置210例如包括CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)及記憶體、或微電腦，控制塗佈處理部220、顯影處理部230、熱處理部240、搬送部250、第1溫度調整部260及第2溫度調整部310之動作。

裝置本體部200包括複數個搬送部250，各搬送部250具有搬送基板W之搬送機器臂。複數個搬送部250將基板W於設置於裝置本體部200之外部之其他搬送機器臂、塗佈處理部220、顯影處理部230、熱處理部240及曝光裝置500之間搬送。

塗佈處理部220包括複數個塗佈單元。各塗佈單元於未處理之基板W之一面上形成抗蝕膜(塗佈處理)。於曝光裝置500中對形成有抗蝕膜之塗佈處理後之基板W進行曝光處理。

顯影處理部230包括複數個顯影單元SD。各顯影單元SD包括旋轉夾頭91及顯影噴嘴92。旋轉夾頭91將利用曝光裝置500進行曝光處理後之基板W以水平姿勢可旋轉地保持。自設置於基板處理裝置100之外部之顯影液供給源1通過複數個配管p1、p2、p3及複數個緩衝槽BT1、BT2向顯影噴嘴92供給顯影液。顯影噴嘴92將所供給之顯影液向藉由旋轉夾頭91所保持之基板W之上表面噴出(顯影處理)。

關於該顯影處理，於基板處理裝置100中，預先設定有應供給至基板W之顯影液之溫度。該設定係藉由例如使用者操作未圖示之操作部而進行。設定內容記憶於控制裝置210。於以下之說明中，將應供給至基板W之預先設定之顯影液之溫度稱為設定溫度。於本實施形態中，關於在基板處理裝置100中進行處理之複數個基板W，設定有共通之溫度。

裝置本體部200包括複數個熱處理部240。複數個熱處理部240於利用塗佈處理部220進行塗佈處理、利用顯影處理部230進行顯影處理、及利用曝光裝置500進行曝光處理之前後進行基板W之熱處理。

再者，塗佈處理部220亦可於基板W形成抗反射膜。於該情形時，亦可於熱處理部240設置有用於進行密接強化處理之處理單元，該密接強化處理係為了提高基板W與抗反射膜之密接性。又，塗佈處理部220亦可於基板W形成用於保護形成於基板W上之抗蝕膜之抗蝕劑覆蓋膜。

關於將顯影液供給至顯影單元SD之顯影液供給系統，於圖1之例中，於顯影液供給源1與藥液櫃300之緩衝槽BT2之間設置有配管p3。配管p3使顯影液自顯影液供給源1流通至緩衝槽BT2。藉此，自顯影液供給源1流入至藥液櫃300之顯影液暫時貯存於緩衝槽BT2。

又，於藥液櫃300之緩衝槽BT2與裝置本體部200之複數個緩衝槽BT1之間設置有複數個配管p2。複數個配管p2分別使顯影液自緩衝槽BT2流通至複數個緩衝槽BT1。藉此，自藥液櫃300流入至裝置本體部200之顯影液暫時貯存於複數個緩衝槽BT1。

複數個緩衝槽BT1分別與設置於顯影處理部230之複數個顯影單元SD對應。於裝置本體部200中，於各緩衝槽BT1與對應於該緩衝槽BT1之顯影單元SD之間設置有配管p1。各配管p1使顯影液自緩衝槽BT1流通至顯影噴嘴92。

再者，於複數個緩衝槽BT1、BT2及複數個配管p1～p3中之至少一部分設置有用於控制複數個顯影噴嘴92中之顯影液之供給狀態之流體相關設備(未圖示)。

第1溫度調整部260係如圖1中虛線之箭頭所示，以與設定溫度一致或接近之方式對分別貯存於複數個緩衝槽BT1之顯影液之溫度進行調整。又，第1溫度調整部260係如圖1中虛線之箭頭及影線所示，以與設定溫度一致或接近之方式對在複數個配管p1中流通之顯影液之溫度進行調整。再者，第1溫度調整部260亦可對在各配管p1之一部分中流通之顯影液之溫度進行調整。或，第1溫度調整部260亦可不對複數個配管p1中流通之顯影液之溫度進行調整而對複數個緩衝槽BT1內之顯影液之溫度進行調整。

第2溫度調整部310係如圖1中虛線之箭頭及點圖案所示，以與設定溫度一致或接近之方式對在複數個配管p2中流通之顯影液之溫度進行調整。再者，第2溫度調整部310亦可對在各配管p2之一部分中流通之顯影液之溫度進行調整。又，第2溫度調整部310係如圖1中虛線之箭頭所示，以與設定溫度一致或接近之方式對貯存於緩衝槽BT2之顯影液之溫度進行調整。再者，第2溫度調整部310亦可不對貯存於緩衝槽BT2之顯影液之溫度進行調整而對在複數個配管p2中流通之顯影液之至少一部分之溫度進行調整。

[2]第1溫度調整部260及第2溫度調整部310之構成 圖2係表示圖1之第1及第2溫度調整部260、310之構成之一例的圖。於圖2中，以粗實線表示圖1之配管p1、p2、p3。又，於圖2中，圖1之裝置本體部200與藥液櫃300之邊界部分用單點鏈線表示。

如圖2所示，第1溫度調整部260具備包含恆溫槽c1、循環裝置c2及循環配管L1之恆溫水循環系統。於恆溫槽c1貯存有保持於例如上述設定溫度之恆溫水。又，於恆溫槽c1設置有對恆溫水之溫度進行調整之溫度調整裝置(未圖示)。循環配管L1之一端及另一端連接於恆溫槽c1。於循環配管L1設置有泵等循環裝置c2。

循環配管L1之一部分lp1係以與緩衝槽BT1之外表面之較廣之範圍接觸的方式設置。再者，循環配管L1之一部分lp1亦可以通過緩衝槽BT1之內部以代替緩衝槽BT1之外周面之方式設置。又，循環配管L1之另一部分lp2係以覆蓋配管p1之一部分之方式設置。藉此，形成將配管p1設為內管且將循環配管L1之另一部分lp2設為外管之雙重配管。於配管p1之外周面與循環配管L1之內周面之間形成有可使恆溫水流通之空間。

於上述構成中，藉由循環裝置c2動作，而如圖2中虛線之箭頭所示般使恆溫水於恆溫槽c1及循環配管L1內流通。於該情形時，貯存於緩衝槽BT1內之顯影液之溫度係藉由通過緩衝槽BT1之外表面之恆溫水以與設定溫度一致或接近之方式進行調整。又，存在於配管p1內之顯影液之溫度係藉由通過配管p1之外周面之恆溫水以與設定溫度一致或接近之方式進行調整。

第2溫度調整部310具有與第1溫度調整部260相同之構成。具體而言，第2溫度調整部310具備包含恆溫槽c11、循環裝置c12及循環配管L11之恆溫水循環系統。於恆溫槽c11貯存有保持於例如上述設定溫度之恆溫水。又，於恆溫槽c11設置有對恆溫水之溫度進行調整之溫度調整裝置(未圖示)。循環配管L11之一端及另一端連接於恆溫槽c11。於循環配管L11設置有循環裝置c12。

循環配管L11之一部分lp11以與緩衝槽BT2之外表面之較廣之範圍接觸的方式設置。又，循環配管L11之另一部分lp12係以覆蓋配管p2之一部分之方式設置。藉此，形成將配管p2設為內管且將循環配管L11之另一部分lp12設為外管之雙重配管。藉由循環裝置c12動作，而使恆溫水於恆溫槽c11及循環配管L11內流通。於該情形時，貯存於緩衝槽BT2內之顯影液之溫度係藉由通過緩衝槽BT2之外表面之恆溫水以與設定溫度一致或接近之方式進行調整。又，存在於配管p2內之顯影液之溫度係藉由通過配管p2之外周面之恆溫水以與設定溫度一致或接近之方式進行調整。

此處，第1溫度調整部260中所使用之恆溫水之溫度、與第2溫度調整部310中所使用之恆溫水之溫度可相互相同，亦可互不相同。例如，假定顯影液供給源1中之顯影液之溫度(以下，稱為顯影液初始溫度)高於設定溫度之情形。於該情形時，亦可將第1溫度調整部260中所使用之恆溫水之溫度設為設定溫度，將第2溫度調整部310中所使用之恆溫水之溫度設為顯影液初始溫度與設定溫度之間之中間溫度。於該情形時，可更加適當地進行顯影液之階段性之溫度調整。

於階段性地進行溫度調整之情形時，期望應藉由各溫度調整部調整之溫度係根據例如緩衝槽BT1、BT2之容量及複數個配管p1、p2之長度等而適當決定。

再者，於圖2之構成中，亦可於緩衝槽BT1及配管p1之一部分設置有檢測顯影液之溫度之溫度感測器。於該情形時，第1溫度調整部260亦可基於藉由溫度感測器所檢測之溫度，以在配管p1中流通之顯影液之溫度與設定溫度更加接近之方式變更恆溫水之溫度。

又，於圖2之構成中，亦可於緩衝槽BT2及配管p2之一部分設置檢測顯影液之溫度之溫度感測器。於該情形時，第2溫度調整部310亦可基於藉由溫度感測器所檢測之溫度，以在配管p2中流通之顯影液之溫度與設定溫度更加接近之方式變更恆溫水之溫度。

[3]基板處理裝置100中之複數個緩衝槽BT1之佈局 圖3係表示圖1之基板處理裝置100所示的各構成元件之佈局之一例的模式性俯視圖，圖4係圖3之基板處理裝置100之模式性側視圖。如圖3所示，基板處理裝置100與曝光裝置500一同設置於無塵室CL內。顯影液供給源1配置於無塵室CL之外部。

本例之裝置本體部200具備4個區塊B1、B2、B3、B4。區塊B1、B2、B3、B4係以依序於一方向上排列之方式設置。以與區塊B4相鄰接之方式設置有曝光裝置500。

區塊B1包括搬送部250。於區塊B1中，搬送部250作為基板W之搬入搬出部而發揮作用。區塊B2包括塗佈處理部220、熱處理部240及搬送部250。塗佈處理部220與熱處理部240係以隔著搬送部250而對向之方式設置。區塊B3包括顯影處理部230、熱處理部240、搬送部250及第1溫度調整部260(圖4)。顯影處理部230及第1溫度調整部260與熱處理部240係以隔著搬送部250而對向之方式設置。區塊B4包括搬送部250。於區塊B4中，搬送部250係作為於區塊B2、B3與曝光裝置500之間進行基板交接之交接部而發揮作用。

如圖4所示，於無塵室CL設置有藉由光柵所構成之底部FL。藉此，於無塵室CL內形成有上部室及下部室。於圖3及圖4之例中，基板處理裝置100之裝置本體部200包括第1溫度調整部260，且設置於無塵室CL內之底部FL上。即，裝置本體部200收容於上部室。另一方面，藥液櫃300包括第2溫度調整部310，且設置於無塵室CL內之底部FL之下方。即，藥液櫃300收容於下部室。

此處，設置於裝置本體部200之複數個緩衝槽BT1設置於區塊B3之上端部。於無塵室CL之內部，藉由未圖示之氣流產生裝置形成有下降氣流。因此，如上所述，於複數個緩衝槽BT1設置於較複數個顯影單元SD更靠上方之情形時，複數個緩衝槽BT1之周邊之溫度難以受到自複數個顯影單元SD產生之熱之影響。藉此，抑制貯存於複數個緩衝槽BT1之顯影液受到自複數個顯影單元SD產生之熱之影響。

於圖3及圖4所示之基板處理裝置100之例中，裝置本體部200與藥液櫃300係以相互隔開之方式設置。此處，將顯影液自藥液櫃300供給至裝置本體部200之複數個配管p2位於裝置本體部200與藥液櫃300之間。

於該情形時，期望第2溫度調整部310對存在於各配管p2中之至少位於裝置本體部200與藥液櫃300之間的部分之內部的顯影液之溫度進行調整。藉此，抑制存在於各配管p2內之顯影液受到裝置本體部200及藥液櫃300之外部即無塵室CL內之溫度之影響。

[4]效果 於上述基板處理裝置100中，自顯影液供給源1供給之顯影液通過配管p3、緩衝槽BT2及複數個配管p2貯存於複數個緩衝槽BT1。又，貯存於各緩衝槽BT1之顯影液通過配管p1供給至顯影單元SD，對基板W進行顯影處理。

此處，貯存於緩衝槽BT1之顯影液及存在於配管p1內之顯影液之溫度係藉由第1溫度調整部260以與設定溫度接近之方式進行調整。又，貯存於緩衝槽BT2之顯影液及存在於配管p2內之顯影液之溫度係藉由第2溫度調整部310以與設定溫度接近之方式進行調整。

如此，根據上述構成，於自顯影液供給源1至顯影單元SD之顯影液供給系統中，階段性地進行顯影液之溫度調整。藉此，與僅使用第1及第2溫度調整部260、310中之任一者之情形相比，顯影液之溫度調整能力得以提高。又，可藉由獨立控制第1及第2溫度調整部260、310而更加適當地進行階段性之顯影液之溫度調整。藉此，可抑制因基板處理裝置100之周圍之溫度等而使供給至基板W之顯影液之溫度偏離設定溫度。

該等之結果是，可提高處理量且抑制因顯影液之溫度所引起的顯影處理之差異增大。

本發明者為了確認上述效果，作為實施例，使用圖3及圖4之基板處理裝置100進行基於第1及第2溫度調整部260、310之顯影液之溫度調整，且對25塊基板W連續地進行顯影處理。其後，對於所有25塊基板W，測定藉由顯影處理所獲得之圖案之線寬。其結果，未確認有隨著處理塊數之增加而圖案之線寬變化(線寬變大)之傾向。其意味著抑制了基板處理之差異增大。

另一方面，作為比較例，本發明者使用圖3及圖4之基板處理裝置100進行僅基於第1溫度調整部260之顯影液之溫度調整，且對25塊基板W連續地進行顯影處理。其後，對於所有25塊基板W，測定藉由顯影處理所獲得之圖案之線寬。其結果，確認有隨著處理塊數之增加而圖案之線寬變化(線寬變大)之傾向。其意味著因連續處理基板W而基板處理之差異逐漸變大。認為圖案之線寬變化(線寬變大)之傾向係由於未充分地進行溫度調整之顯影液被供給至基板W。

[5]另一實施形態 (1)於上述實施形態中，供給至顯影單元SD之顯影液之溫度藉由第1及第2溫度調整部260、310進行調整，但本發明不限定於此。第1及第2溫度調整部260、310亦可對除了顯影液以外之處理液之溫度進行調整。

作為供給至基板W之處理液，除了顯影液以外，亦可對附隨顯影處理所使用之清洗液之溫度進行調整。圖5係表示另一實施形態之基板處理裝置100之構成之模式性方塊圖。對於圖5之基板處理裝置100，對與上述實施形態之圖1之基板處理裝置100不同之方面進行說明。

於圖5之基板處理裝置100中，除了旋轉夾頭91及顯影噴嘴92以外，各顯影單元SD包含清洗噴嘴99。自設置於基板處理裝置100之外部之清洗液供給源12通過複數個配管p31、p32、p33及複數個緩衝槽BT11、BT12向清洗噴嘴99供給清洗液。清洗液例如為純水或界面活性劑。清洗噴嘴99於即將開始顯影處理之前，將所供給之清洗液向藉由旋轉夾頭91所保持之基板W之上表面噴出。藉此，於顯影處理時，顯影液容易擴散於基板W之上表面上。又，清洗噴嘴99於顯影處理停止時，將所供給之清洗液向藉由旋轉夾頭91所保持之基板W之上表面噴出。藉此，顯影處理停止。

此處，於圖5之例中，於清洗液供給源12與藥液櫃300之緩衝槽BT12之間設置有配管p33。配管p33使清洗液自清洗液供給源12流通至緩衝槽BT12。藉此，自清洗液供給源12流入至藥液櫃300之清洗液暫時貯存於緩衝槽BT12。

又，於藥液櫃300之緩衝槽BT12與裝置本體部200之複數個緩衝槽BT11之間設置有複數個配管p32。複數個配管p32分別使清洗液自緩衝槽BT12流通至複數個緩衝槽BT11。藉此，自藥液櫃300流入至裝置本體部200之清洗液暫時貯存於複數個緩衝槽BT11。

複數個緩衝槽BT11分別與設置於顯影處理部230之複數個顯影單元SD對應。於裝置本體部200中，於各緩衝槽BT11與對應於該緩衝槽BT11之顯影單元SD之間設置有配管p31。各配管p31使顯影液自緩衝槽BT11流通至清洗噴嘴99。

再者，於複數個緩衝槽BT11、BT12及複數個配管p31～p33中之至少一部分設置有用於控制複數個清洗噴嘴99中之清洗液之供給狀態之流體相關設備(未圖示)。

本例之第1溫度調整部260係如圖5中虛線之箭頭所示，除了顯影液之溫度以外，以與顯影液之設定溫度一致或接近之方式對分別貯存於複數個緩衝槽BT11之清洗液之溫度進行調整。又，第1溫度調整部260係如圖5中虛線之箭頭及影線所示，以與顯影液之設定溫度一致或接近之方式對在複數個配管p31中流通之清洗液之溫度進行調整。

另一方面，第2溫度調整部310係如圖5中虛線之箭頭及點圖案所示，除了顯影液之溫度以外，以與顯影液之設定溫度一致或接近之方式對在複數個配管p32中流通之清洗液之溫度進行調整。又，第2溫度調整部310係如圖5中虛線之箭頭所示，以與顯影液之設定溫度一致或接近之方式對貯存於緩衝槽BT12之清洗液之溫度進行調整。

根據上述構成，於即將進行顯影處理之前及顯影處理結束時，供給至基板W之清洗液之溫度與顯影液之設定溫度一致或大致相等。藉此，抑制顯影處理開始時及結束時之基板W之溫度根據清洗液之溫度而變化。其結果是，使顯影處理開始時及結束時之基板W之處理狀態穩定化。

作為供給至基板W之處理液，除了上述例以外，亦可對用於在基板W上形成抗蝕膜、抗反射膜或抗蝕劑覆蓋膜等之塗佈液之溫度進行調整。

(2)於上述實施形態之裝置本體部200中，以分別與複數個顯影單元SD對應之方式設置有複數個緩衝槽BT1，但本發明不限定於此。於裝置本體部200中，亦可對複數個顯影單元SD設置有共通之一緩衝槽BT1。於該情形時，以自一緩衝槽BT1向複數個顯影單元SD延伸之方式設置有複數個配管p1。藉此，第1溫度調整部260對存在於緩衝槽BT1及複數個配管p1內之洗浄液之溫度進行調整。

(3)於上述實施形態之藥液櫃300中，設置有共通地用於複數個顯影單元SD之一緩衝槽BT2，但本發明不限定於此。於藥液櫃300中，亦可以分別與複數個顯影單元SD對應之方式設置有複數個緩衝槽BT2。於該情形時，以分別自複數個緩衝槽BT2向複數個緩衝槽BT1延伸之方式設置有複數個配管p2。藉此，第2溫度調整部310對存在於複數個緩衝槽BT2及複數個配管p2內之洗浄液之溫度進行調整。

(4)於上述實施形態之基板處理裝置100中，裝置本體部200與藥液櫃300分開配置，但本發明不限定於此。藥液櫃300或其內部構成亦可設置於裝置本體部200內。

(5)於圖4之例中，藥液櫃300設置於裝置本體部200之下方，但本發明不限定於此。藥液櫃300亦可設置於與裝置本體部200相同之底部FL上。

[6]技術方案之各構成元件與實施形態之各元件之對應關係 以下，對於技術方案之各構成元件與實施形態之各元件的對應之例進行說明。於上述實施形態中，顯影單元SD為處理部之例，顯影液供給源1、清洗液供給源12、配管p1～p3、p31～p33、緩衝槽BT1、BT2、BT11、BT12為處理液供給系統之例，第1溫度調整部260及第2溫度調整部310為調整部之例。

又，複數個緩衝槽BT1、BT11為第1貯存部之例，複數個配管p1、p31為第1處理液流路之例，配管p2、p32為第2處理液流路之例，第1溫度調整部260為第1溫度調整裝置之例，第2溫度調整部310為第2溫度調整裝置之例，基板處理裝置100為基板處理裝置之例。

又，緩衝槽BT2、BT12為第2貯存部之例，裝置本體部200為主本體部之例，藥液櫃300為副本體部之例，無塵室CL之上部室為第1收容室之例，無塵室CL之下部室為第2收容室之例，顯影單元SD為顯影裝置之例。

作為技術方案之各構成元件，亦可使用具有技術方案中所記載之構成或功能之其他各種元件。

1:顯影液供給源 12:清洗液供給源 91:旋轉夾頭 92:顯影噴嘴 99:清洗噴嘴 100:基板處理裝置 200:裝置本體部 210:控制裝置 220:塗佈處理部 230:顯影處理部 240:熱處理部 250:搬送部 260:第1溫度調整部 300:藥液櫃 310:第2溫度調整部 500:曝光裝置 B1:區塊 B2:區塊 B3:區塊 B4:區塊 BT1:緩衝槽 BT2:緩衝槽 BT11:緩衝槽 BT12:緩衝槽 c1:恆溫槽 c2:循環裝置 c11:恆溫槽 c12:循環裝置 CL:無塵室 FL:底部 lp1:一部分 lp2:另一部分 lp11:一部分 lp12:另一部分 L1:循環配管 L11:循環配管 p1:配管 p2:配管 p3:配管 p31:配管 p32:配管 p33:配管 SD:顯影單元 W:基板

圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置之構成的模式性方塊圖。 圖2係表示圖1之第1及第2溫度調整部之構成之一例的圖。 圖3係表示圖1之基板處理裝置所示的各構成元件之佈局之一例的模式性俯視圖。 圖4係圖3之基板處理裝置之模式性側視圖。 圖5係表示另一實施形態之基板處理裝置之構成之模式性方塊圖。

1:顯影液供給源

91:旋轉夾頭

92:顯影噴嘴

100:基板處理裝置

200:裝置本體部

210:控制裝置

220:塗佈處理部

230:顯影處理部

240:熱處理部

250:搬送部

260:第1溫度調整部

300:藥液櫃

310:第2溫度調整部

500:曝光裝置

BT1:緩衝槽

BT2:緩衝槽

CL:無塵室

p1:配管

p2:配管

p3:配管

SD:顯影單元

W:基板

Claims (9)

1. 一種基板處理裝置，其具備：處理部，其使用處理液對基板進行特定處理；處理液供給系統，其向上述處理部供給處理液；及調整部，其於上述處理液供給系統中對處理液之溫度進行調整；上述處理液供給系統包括：第1貯存部，其貯存處理液；第1處理液流路，其係自上述第1貯存部至上述處理部；及第2處理液流路，其將自處理液供給源供給之處理液供給至上述第1貯存部；上述調整部包括：第1溫度調整裝置，其以與為進行上述特定處理而設定之設定溫度一致或接近之方式，對貯存於上述第1貯存部之處理液之溫度進行調整；及第2溫度調整裝置，其以與上述設定溫度一致或接近之方式，對在上述第2處理液流路中之至少一部分流通之處理液之溫度進行調整；上述基板處理裝置具備貯存自上述處理液供給源供給之處理液之第2貯存部，上述第2處理液流路係以將上述第2貯存部與上述第1貯存部連繫之方式設置，且上述第2溫度調整裝置以與上述設定溫度一致或接近之方式，進一步對貯存於上述第2貯存部之處理液之溫度進行調整。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述第1溫度調整裝置以與上述設定溫度一致或接近之方式，進一步對在上述第1處理液流路中之至少一部分流通之處理液之溫度進行調整。
3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其具備：主本體部，其包括上述處理部及上述第1貯存部；及副本體部，其與上述主本體部分開配置，且包括上述第2貯存部。
4. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述主本體部與上述副本體部係以相互隔開之方式設置，且上述第2處理液流路之至少一部分包含上述主本體部與上述副本體部之間之部分。
5. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述主本體部設置於形成有下降氣流之空間內，且上述第1貯存部設置於較上述處理部更靠上方。
6. 如請求項4之基板處理裝置，其中上述主本體部設置於形成有下降氣流之空間內，且上述第1貯存部設置於較上述處理部更靠上方。
7. 如請求項3之基板處理裝置，其進而具備：第1收容室，其收容上述主本體部；及 第2收容室，其收容上述副本體部。
8. 如請求項4之基板處理裝置，其進而具備：第1收容室，其收容上述主本體部；及第2收容室，其收容上述副本體部。
9. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述特定處理包括顯影處理，且上述處理部包括將作為上述處理液之顯影液供給至基板之顯影裝置。

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