JP7198698B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
また、上記の構成によれば、処理部において発生する熱は下降気流により下方に流れる。それにより、第1の貯留部に貯留される処理液が処理部で発生する熱の影響を受けることが抑制される。
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的ブロック図である。図1に示すように、基板処理装置100は、クリーンルームCL内で露光装置500に隣接して設けられ、装置本体部200および薬液キャビネット300を備える。装置本体部200および薬液キャビネット300は互いに別体として設けられる。
図2は、図1の第1および第2の温度調整部260,310の構成の一例を示す図である。図2では、図1の配管p1,p2,p3が太い実線で示される。また、図2では、図1の装置本体部200と薬液キャビネット300との境界部分が一点鎖線で示される。
図3は図1の基板処理装置100に示される各構成要素のレイアウトの一例を示す模式的平面図であり、図4は図3の基板処理装置100の模式的側面図である。図3に示すように、基板処理装置100は露光装置500とともにクリーンルームCL内に設けられる。現像液供給源1は、クリーンルームCLの外部に配置される。
上記の基板処理装置100においては、現像液供給源1から供給される現像液が、配管p3、バッファタンクBT2および複数の配管p2を通して複数のバッファタンクBT1に貯留される。また、各バッファタンクBT1に貯留された現像液が、配管p1を通して現像ユニットSDに供給され、基板Wに現像処理が行われる。
(1)上記実施の形態においては、現像ユニットSDに供給される現像液の温度が第1および第2の温度調整部260,310により調整されるが、本発明はこれに限定されない。第1および第2の温度調整部260,310は、現像液以外の処理液の温度を調整してもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態では、現像ユニットSDが処理部の例であり、現像液供給源1、リンス液供給源12、配管p1~p3,p31~p33、バッファタンクBT1,BT2,BT11,BT12が処理液供給系の例であり、第1の温度調整部260および第2の温度調整部310が調整部の例である。
[7]参考形態
(1)本参考形態に係る基板処理装置は、処理液を用いて基板に所定の処理を行う処理部と、処理部に処理液を供給する処理液供給系と、処理液供給系において処理液の温度を調整する調整部とを備え、処理液供給系は、処理液を貯留する第1の貯留部と、第1の貯留部から処理部に至る第1の処理液流路と、処理液供給源から供給される処理液を第1の貯留部に供給する第2の処理液流路とを含み、調整部は、所定の処理を行うために設定された設定温度に一致するかまたは近づくように、第1の貯留部に貯留された処理液の温度を調整する第1の温度調整装置と、設定温度に一致するかまたは近づくように、第2の処理液流路のうち少なくとも一部を流れる処理液の温度を調整する第2の温度調整装置とを含む。
その基板処理装置においては、処理液供給源から供給される処理液が第2の処理液流路を通して第1の貯留部に貯留される。第2の処理液流路のうち少なくとも一部においては、その内部を流れる処理液の温度が設定温度に一致するかまたは近づくように調整される。また、第1の貯留部に貯留された処理液が第1の処理液流路を通して処理部に供給される。第1の貯留部においては、その内部に貯留された処理液の温度が設定温度に一致するかまたは近づくように調整される。処理部においては、処理液を用いて基板に所定の処理が行われる。
上記の構成によれば、処理液供給源から処理部に至る処理液供給経路において、第1および第2の温度調整装置により段階的に処理液の温度調整が行われる。それにより、第1および第2の温度調整装置のうちいずれか一方のみが用いられる場合に比べて、処理液の温度調整能力が向上する。また、第1および第2の温度調整装置を個別に制御することにより、段階的な処理液の温度調整をより適切に行うことが可能である。これにより、基板処理装置の周囲の温度等に起因して処理液の温度が設定された温度からずれることを抑制することができる。
これらの結果、スループットを向上させつつ処理液の温度に起因する基板処理のばらつきの増大を抑制することが可能になる。
(2)第1の温度調整装置は、設定温度に一致するかまたは近づくように、第1の処理液流路のうち少なくとも一部を流れる処理液の温度をさらに調整してもよい。
この場合、第1の処理液流路のうち少なくとも一部を流れる処理液の温度が設定温度に一致するかまたは近づく。それにより、処理液の温度が設定温度からずれることに起因する基板処理のばらつきの増大がさらに抑制される。
(3)基板処理装置は、処理液供給源から供給される処理液を貯留する第2の貯留部をさらに備え、第2の処理液流路は、第2の貯留部と第1の貯留部とをつなぐように設けられ、第2の温度調整装置は、設定温度に一致するかまたは近づくように、第2の貯留部に貯留された処理液の温度をさらに調整してもよい。
この場合、第2の貯留部に貯留される処理液の温度が設定温度に一致するかまたは近づく。それにより、処理液の温度が設定温度からずれることに起因する基板処理のばらつきの増大がさらに抑制される。
(4)基板処理装置は、処理部および第1の貯留部を含む主本体部と、主本体部とは別体として配置され、第2の貯留部を含む副本体部とを備えてもよい。
この場合、第1および第2の貯留部において独立して処理液の温度を調整することができる。したがって、処理部に供給される処理液の温度を適切に調整することができる。
(5)主本体部と副本体部とは互いに離間するように設けられ、第2の処理液流路の少なくとも一部は、主本体部と副本体部との間の部分を含んでもよい。
この場合、第2の処理液流路のうち主本体部と副本体部との間に位置する部分を流れる処理液の温度が調整される。それにより、第2の処理液流路を流れる処理液が主本体部および副本体部の外部の温度の影響を受けることが抑制される。
(6)主本体部は、下降気流が形成された空間内に設けられ、第1の貯留部は、処理部よりも上方に設けられてもよい。
この場合、処理部において発生する熱は下降気流により下方に流れる。それにより、第1の貯留部に貯留される処理液が処理部で発生する熱の影響を受けることが抑制される。
(7)基板処理装置は、主本体部を収容する第1の収容室と、副本体部を収容する第2の収容室とをさらに備えてもよい。
この場合、第2の処理液流路が長くなる場合でも、第2の処理液流路のうち少なくとも一部を流れる処理液の温度が調整される。したがって、レイアウトの自由度が確保されつつ、基板処理のばらつきの増大が抑制される。
(8)所定の処理は現像処理を含み、処理部は、処理液として現像液を基板に供給する現像装置を含んでもよい。
この場合、より高い精度で基板に現像処理が行われる。
Claims (7)
- 処理液を用いて基板に所定の処理を行う処理部と、
前記処理部に処理液を供給する処理液供給系と、
前記処理液供給系において処理液の温度を調整する調整部とを備え、
前記処理液供給系は、
処理液を貯留する第1の貯留部と、
前記第1の貯留部から前記処理部に至る第1の処理液流路と、
処理液供給源から供給される処理液を前記第1の貯留部に供給する第2の処理液流路とを含み、
前記調整部は、
前記所定の処理を行うために設定された設定温度に一致するかまたは近づくように、前記第1の貯留部に貯留された処理液の温度を調整する第1の温度調整装置と、
前記設定温度に一致するかまたは近づくように、前記第2の処理液流路のうち少なくとも一部を流れる処理液の温度を調整する第2の温度調整装置とを含み、
前記処理部および前記第1の貯留部は、下降気流が形成された空間内で、前記第1の貯留部が前記処理部の上方に位置するように設けられる、基板処理装置。 - 前記第1の温度調整装置は、前記設定温度に一致するかまたは近づくように、前記第1の処理液流路のうち少なくとも一部を流れる処理液の温度をさらに調整する、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給源から供給される処理液を貯留する第2の貯留部をさらに備え、
前記第2の処理液流路は、前記第2の貯留部と前記第1の貯留部とをつなぐように設けられ、
前記第2の温度調整装置は、前記設定温度に一致するかまたは近づくように、前記第2の貯留部に貯留された処理液の温度をさらに調整する、請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記処理部および前記第1の貯留部を含む主本体部と、
前記主本体部とは別体として配置され、前記第2の貯留部を含む副本体部とを備える、請求項3記載の基板処理装置。 - 前記主本体部と前記副本体部とは互いに離間するように設けられ、
前記第2の処理液流路の少なくとも一部は、前記主本体部と前記副本体部との間の部分を含む、請求項4記載の基板処理装置。 - 前記主本体部を収容する第1の収容室と、
前記副本体部を収容する第2の収容室とをさらに備える、請求項4または5記載の基板処理装置。 - 前記所定の処理は現像処理を含み、
前記処理部は、前記処理液として現像液を基板に供給する現像装置を含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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