JP6441198B2 - 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、処理液を用いて基板を液処理する基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。

半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、基板液処理装置を用いて半導体ウエハや液晶基板などの基板に対してエッチング液等の処理液を用いてエッチング等の処理を施す。

たとえば、特許文献１に開示された基板液処理装置では、処理槽に貯留した処理液（エッチング液：リン酸水溶液）に基板を浸漬させて、基板の表面に形成したシリコン窒化膜をエッチングする処理を行う。

この基板液処理装置では、処理液としてリン酸を純水で所定の濃度に希釈したリン酸水溶液を用いている。そして、基板液処理装置では、リン酸水溶液を所定の濃度とする際に、リン酸を純水で希釈したリン酸水溶液を所定の温度で加熱して沸騰させ、リン酸水溶液の濃度をその温度（沸点）における濃度となるようにしている。

このように処理槽に貯留した処理液（エッチング液：リン酸水溶液）に複数枚の基板を浸漬させて基板の表面に形成したシリコン窒化膜をエッチングする処理を行うと、複数枚の基板の間でエッチング量の差が発生し、その差が問題となることが考えられる。

特開２０１３−９３４７８号公報

本発明では、処理槽に貯留した処理液に複数枚の基板を浸漬させ、複数枚の基板を均一にエッチングする技術を提供することを目的とする。

そこで、本発明では、基板液処理装置において、複数の基板を配列させた状態で処理液に浸漬させて処理する液処理部と、前記処理液を供給する処理液供給部と、処理液の濃度を調節するための濃度調節液を供給する濃度調節液供給部と、を備え、濃度調節液供給部は、配列させた複数の基板のうちの少なくとも１つの対向する基板間に配置された濃度調節液供給ノズルから流量調節器で調節された流量の濃度調節液を供給し、複数の基板間に前記濃度調節液供給ノズルが配置され、各濃度調節液供給ノズルに前記流量調節器を接続し、各々の前記流量調節器で調節された流量の前記濃度調節液を前記濃度調節液供給ノズルから供給することにした。

また、本発明では、基板液処理方法において、複数の基板を配列させた状態で処理液に浸漬させて処理し、複数の基板の処理中に配列させた複数の基板のうち少なくとも１つの対向する基板間に処理液の濃度を調節するための濃度調節液を供給する際に、複数の基板間に配置された各濃度調節液供給ノズルに接続した各々の流量調節器で調節された流量の前記濃度調節液を前記濃度調節液供給ノズルから供給することにした。

また、本発明では、複数の基板を配列させた状態で処理液に浸漬させて処理する液処理部と、処理液を供給する処理液供給部と、処理液を希釈するための濃度調節液を供給する濃度調節液供給部と、を有する基板液処理装置を用いて基板液処理方法を実行させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、液処理部で前記処理液を用いて複数枚の基板を処理し、複数の基板の処理中に配列させた複数の基板のうちの少なくとも１つの対向する基板間に処理液の濃度を調節するための濃度調節液を供給する際に、複数の基板間に配置された各濃度調節液供給ノズルに接続した各々の流量調節器で調節された流量の前記濃度調節液を前記濃度調節液供給ノズルから供給することにした。

本発明によれば、処理槽に貯留した処理液に複数枚の基板を浸漬させ、複数枚の基板を均一に液処理することができる。

基板液処理装置を示す平面説明図。 エッチング処理装置を示す説明図。 図２のエッチング処理装置を示す平面説明図。 エッチング処理装置の他の例を示す平面説明図。 エッチング処理装置の他の例を示す平面説明図。 エッチング処理装置の他の例を示す説明図。

以下に、本発明に係る基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。

図１に示すように、基板液処理装置１は、キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６、制御部７を有する。

キャリア搬入出部２は、複数枚（たとえば、25枚）の基板（シリコンウエハ）８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入及び搬出を行う。

このキャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ10と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構11と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック12,13と、キャリア９を載置するキャリア載置台14とが設けられている。ここで、キャリアストック12は、製品となる基板８をロット処理部６で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック13は、製品となる基板８をロット処理部６で処理した後に一時的に保管する。

そして、キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ10に搬入されたキャリア９をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック12やキャリア載置台14に搬送する。また、キャリア搬入出部２は、キャリア載置台14に載置されたキャリア９をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック13やキャリアステージ10に搬送する。キャリアステージ10に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。

ロット形成部３は、１又は複数のキャリア９に収容された基板８を組合せて同時に処理される複数枚（たとえば、50枚）の基板８からなるロットを形成する。なお、ロットを形成するときは、基板８の表面にパターンが形成されている面を互いに対向するようにロットを形成してもよく、また、基板８の表面にパターンが形成されている面がすべて一方を向くようにロットを形成してもよい。

このロット形成部３には、複数枚の基板８を搬送する基板搬送機構15が設けられている。なお、基板搬送機構15は、基板８の搬送途中で基板８の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。

そして、ロット形成部３は、キャリア載置台14に載置されたキャリア９から基板搬送機構15を用いて基板８をロット載置部４に搬送し、ロットを形成する基板８をロット載置部４に載置する。また、ロット形成部３は、ロット載置部４に載置されたロットを基板搬送機構15でキャリア載置台14に載置されたキャリア９へ搬送する。なお、基板搬送機構15は、複数枚の基板８を支持するための基板支持部として、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）の基板８を支持する処理前基板支持部と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）の基板８を支持する処理後基板支持部の２種類を有している。これにより、処理前の基板８等に付着したパーティクル等が処理後の基板８等に転着するのを防止する。

ロット載置部４は、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットをロット載置台16で一時的に載置（待機）する。

このロット載置部４には、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台17と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台18とが設けられている。搬入側ロット載置台17及び搬出側ロット載置台18には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて載置される。

そして、ロット載置部４では、ロット形成部３で形成したロットが搬入側ロット載置台17に載置され、そのロットがロット搬送部５を介してロット処理部６に搬入される。また、ロット載置部４では、ロット処理部６からロット搬送部５を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台18に載置され、そのロットがロット形成部３に搬送される。

ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。

このロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構19が設けられている。ロット搬送機構19は、ロット載置部４とロット処理部６に沿わせて配置したレール20と、複数枚の基板８を保持しながらレール20に沿って移動する移動体21とで構成する。移動体21には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を保持する基板保持体22が進退自在に設けられている。

そして、ロット搬送部５は、搬入側ロット載置台17に載置されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットをロット処理部６に受渡す。また、ロット搬送部５は、ロット処理部６で処理されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台18に受渡す。さらに、ロット搬送部５は、ロット搬送機構19を用いてロット処理部６の内部においてロットの搬送を行う。

ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を１ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。

このロット処理部６には、基板８の乾燥処理を行う乾燥処理装置23と、基板保持体22の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置24と、基板８の洗浄処理を行う洗浄処理装置25と、基板８のエッチング処理を行う２台のエッチング処理装置26とが並べて設けられている。

乾燥処理装置23は、処理槽27に基板昇降機構28を昇降自在に設けている。処理槽27には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構28には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置23は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構28で受取り、基板昇降機構28でそのロットを昇降させることで、処理槽27に供給した乾燥用の処理ガスで基板８の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置23は、基板昇降機構28からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。

基板保持体洗浄処理装置24は、処理槽29に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構19の基板保持体22に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体22の洗浄処理を行う。

洗浄処理装置25は、洗浄用の処理槽30とリンス用の処理槽31とを有し、各処理槽30，31に基板昇降機構32,33を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽30には、洗浄用の処理液（ＳＣ−１等）が貯留される。リンス用の処理槽31には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。

エッチング処理装置26は、エッチング用の処理槽34とリンス用の処理槽35とを有し、各処理槽34,35に基板昇降機構36，37を昇降自在に設けている。エッチング用の処理槽34には、エッチング用の処理液（リン酸水溶液）が貯留される。リンス用の処理槽35には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。

これら洗浄処理装置25とエッチング処理装置26は、同様の構成となっている。エッチング処理装置26について説明すると、基板昇降機構36,37には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構36で受取り、基板昇降機構36でそのロットを昇降させることでロットを処理槽34のエッチング用の処理液に浸漬させて基板８のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構36からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。また、エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構37で受取り、基板昇降機構37でそのロットを昇降させることでロットを処理槽35のリンス用の処理液に浸漬させて基板８のリンス処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構37からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。

制御部７は、基板液処理装置１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御する。

この制御部７は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体38を備える。記憶媒体38には、基板液処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部７は、記憶媒体38に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体38に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体38にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体38としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

このエッチング処理装置26では、所定濃度の薬剤（リン酸）の水溶液を処理液（エッチング液）として用いて基板８を液処理（エッチング処理）する。

エッチング処理装置26は、図２および図３に示すように、所定濃度のリン酸水溶液からなる処理液を貯留するとともに基板８を処理するための液処理部39と、液処理部39に処理液を供給するための処理液供給部40と、処理液を希釈する純水を供給するための純水供給部41と、液処理部39の下方から処理液の濃度を調節する濃度調節液を供給するための調節液供給部70と、液処理部39に貯留された処理液を循環させるための処理液循環部42と、液処理部39から処理液を排出する処理液排出部43とを有する。

液処理部39は、上部を開放させた処理槽34の上部周囲に上部を開放させた外槽44を形成し、処理槽34と外槽44に処理液を貯留する。処理槽34では、基板８を基板昇降機構36によって浸漬させることで液処理するための処理液を貯留する。外槽44では、処理槽34からオーバーフローした処理液を貯留するとともに、処理液循環部42によって処理槽34に処理液を供給する。なお、基板昇降機構36では、複数の基板８が垂直に起立した姿勢で水平方向に間隔をあけて配列させた状態で保持される。

処理液供給部40は、液処理部39に処理液とは異なる濃度（処理液よりも低い濃度）の薬剤（リン酸）の水溶液を供給する。この処理液供給部40は、所定濃度及び所定温度のリン酸水溶液を供給するための水溶液供給源45を液処理部39の外槽44に流量調節器46を介して接続する。流量調節器46は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御及び流量制御される。

純水供給部41は、処理液の加熱（沸騰）によって蒸発した水分を補給するための純水を供給する。この純水供給部41は、所定温度の純水を供給するための純水供給源47を液処理部39の外槽44に流量調節器48を介して接続する。流量調節器48は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御及び流量制御される。

濃度調節液供給部70は、処理液の濃度を調節して基板８のエッチング量を調整するための濃度調節液を供給する。ここで、濃度調節液としては、純水からなる濃度調節液もしくは、処理液を含み純水で希釈された処理液とは異なる濃度の濃度調節液を用いることができる。この濃度調節液供給部70は、濃度調節液を供給するための濃度調節液供給源74を液処理部39の処理槽34の底部に配置された濃度調節液供給ノズル71に流量調節器73を介して接続される。なお、濃度調節液供給ノズル71は、水平方向に間隔をあけて配列された複数の基板８のうちの少なくとも１つの対向する基板間に配置される。流量調節器73は、制御部７に接続されており、制御部７で個別に開閉制御及び流量制御される。

濃度調節液供給ノズル71は、基板８の配列方向と直交する水平方向（基板８の面方向）に延びる筒形状を有している。そして、その周面に穿設された複数の吐出口72から、基板昇降機構36に保持された基板８に向かって濃度調節液を吐出するように構成されている。

処理液循環部42は、処理槽34の内部において基板昇降機構36で保持された基板８よりも下方に処理液供給ノズル49を配置し、液処理部39の外槽44の底部と処理液供給ノズル49との間に循環流路50を形成する。循環流路50には、ポンプ51、フィルタ52、ヒータ53が順に設けられている。ポンプ51及びヒータ53は、制御部７に接続されており、制御部７で駆動制御される。そして、処理液循環部42は、ポンプ51を駆動させることで外槽44から処理槽34に処理液を循環させる。その際に、ヒータ53で処理液を所定温度に加熱する。

処理液供給ノズル49は、複数枚の基板８の配列方向に延びる筒形状を有している。そして、その周面に穿設された複数の吐出口81から、基板昇降機構36に保持された基板８に向かって処理液を吐出するように構成されている。なお、処理液供給ノズル49は、濃度調節液供給ノズル71よりも上方に配置される。このように、濃度調節液供給ノズル71を処理液供給ノズル49の下方に配置することで、処理液供給ノズル49の吐出口81から吐出された処理液の流れを濃度調節液供給ノズル71によって乱さないようにしている。

また、処理液循環部42は、循環流路50の途中（ヒータ53よりも下流側）と外槽44との間に濃度計測流路54を形成する。濃度計測流路54には、上流側開閉弁55、濃度センサ56（濃度計測部）、下流側開閉弁57が順に設けられている。上流側開閉弁55と濃度センサ56との間には、濃度センサ56を洗浄するための洗浄流体（ここでは、常温の純水）を供給する洗浄流体供給部58が接続されている。この洗浄流体供給部58は、洗浄流体を供給するための洗浄流体供給源59を上流側開閉弁55と濃度センサ56との間に供給開閉弁60を介して接続する。また、濃度センサ56と下流側開閉弁57との間には、洗浄流体を排出する洗浄流体排出部61が接続されている。この洗浄流体排出部61は、濃度センサ56と下流側開閉弁57との間に外部の排液管と連通する排出流路62を接続し、排出流路62に排出開閉弁63を設けている。上流側開閉弁55、下流側開閉弁57、供給開閉弁60、及び排出開閉弁63は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御される。また、濃度センサ56は、制御部７に接続されており、制御部７からの指示で濃度計測流路54を流れる処理液の濃度を計測して制御部７に通知する。なお、洗浄流体排出部61は、主に洗浄流体を排出するが、濃度計測流路54に滞留する処理液も排出する。

処理液排出部43は、液処理部39の処理槽34の底部に外部の排液管と連通する排液流路64を接続し、排液流路64に開閉弁65を設けている。開閉弁65は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御される。

基板液処理装置１は、以上に説明したように構成しており、記憶媒体38に記憶された基板液処理プログラム等に従って制御部７で各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御することで、基板８を処理する。

この基板液処理装置１で基板８をエッチング処理する場合には、エッチング処理装置26の処理液供給部40によって所定濃度及び所定温度のリン酸水溶液を液処理部39に供給し、処理液循環部42によって所定濃度及び所定温度になるように加熱して処理液を生成し、処理液を液処理部39に貯留する。その際に、加熱によって水分が蒸発して処理液の濃度が増加するため、加熱によって蒸発する水分の量に相応する量の純水を純水供給部41によって液処理部39に供給して、処理液を純水で希釈する。そして、所定濃度及び所定温度の処理液が貯留された処理槽34に基板昇降機構36によって基板８を浸漬させることで、処理液で基板８をエッチング処理（液処理）する。

この液処理中において、基板液処理装置１は、処理液供給部40、純水供給部41、濃度調節液供給部70を制御部７で制御することで、処理液を所定濃度及び所定温度に維持する。

まず、制御部７は、ポンプ51を駆動させて処理液を循環流路50で循環させるとともに、ヒータ53を駆動させて処理液の温度を所定温度に維持させて、基板８の液処理を開始する。

液処理開始後の所定のタイミングで制御部７は、処理液の濃度を濃度センサ56で計測する。液処理時と同様にポンプ51を駆動させて処理液を循環流路50で循環させるとともに、ヒータ53を駆動させて処理液の温度を所定温度に維持させる。さらに、上流側開閉弁55と下流側開閉弁57とを開放した状態にして、循環流路50を流れる処理液の一部を濃度計測流路54に流し、濃度センサ56で処理液の濃度を計測する。なお、濃度計測後には、上流側開閉弁55と下流側開閉弁57とを閉塞した状態に戻して、全ての処理液を循環流路50で循環させる。

次に本実施形態の作用、すなわち基板液処理装置および基板処理方法について図２〜図６により説明する。なお、図中の(1)〜(50)は、処理槽34の内部における基板８の位置を示す。

予め実験によりこの液処理中において、たとえば処理槽34内の50枚の基板のうち一端側から１枚目と２枚目の基板８のシリコン窒化膜のエッチング量が、49枚目と50枚目の基板８のシリコン窒化膜のエッチング量と比較し、所定量だけエッチング量が少ないという結果が得られた。この場合について以下に説明する。

本発明者は、処理液を濃度調節液で希釈し、濃度の低い処理液を直接基板８に接触させるとシリコン窒化膜のエッチングを促進することができることを見出した。本発明は本知見に基づくものである。

予め実験によりシリコン窒化膜のエッチング量を49枚目と50枚目の基板８のエッチング量に近い、もしくは、同等のエッチング量を得るために必要な濃度調節液の供給量および供給時間を算出する。

本実施形態では、１枚目と２枚目の基板８の下方に設けられた濃度調節液供給ノズル71から予め実験で算出された供給量および供給時間に従い流量調節器73で流量制御しながら基板８に向けて濃度調節液を供給する。

１枚目と２枚目の基板８表面のシリコン窒化膜に接触する処理液の濃度が低くなりシリコン窒化膜のエッチングが促進される。そして、シリコン窒化膜のエッチング量を49枚目と50枚目の基板８のエッチング量に近い、もしくは、同等のエッチング量を得ることができ、複数枚の基板８を均一にエッチングすることができる。

その後、制御部７は、内蔵するタイマで基板８を処理液に浸漬させた時間を計測し、所定時間以上経過している場合には基板８の液処理を終了する。

上記実施形態では、複数枚の基板８の間に１つの濃度調節液供給ノズル71を配置し、各濃度調節液供給ノズル71に各流量調節器73を接続して濃度調節液を流量制御して供給するようにしたが、これに限ることはなく、たとえば、図４に示すように、基板８間に基板８の配列方向に直交し水平方向（基板８の面方向）に濃度調節液供給ノズル71を複数（たとえば２つ）並べて配置し、左右各々の濃度調節液供給ノズル71に流量調節器73を接続して濃度調節液を流量制御して供給するようにしてもよい。これにより、基板８表面の左右のエッチング量を左右各々で部分的に調整することができる。

また、上記実施形態では、複数枚の基板８の間に濃度調節液供給ノズル71を配置し、各濃度調節液供給ノズル71に各流量調節器73を接続して濃度調節液を流量制御して供給するようにしたが、これに限ることはなく、たとえば、図５に示すように、一端側から所定本数の濃度調節液供給ノズル71に対し、１つの流量調節器73を接続して濃度調節液を流量制御して供給してもよい。これにより、複数の基板８をブロック単位でエッチング量を調整することができる。

また、上記実施形態では、濃度調節液として希釈液を供給するようにしたが、これに限ることはなく、たとえば、濃度調節液供給源74から供給される濃度調節液が、処理液と希釈液を含み処理槽34内に貯留された処理液と異なる濃度の液であってもよい。なお、この濃度調節液の濃度は予め実験で求められた濃度に設定される。また、たとえば、図６に示すように、処理液循環部42の循環流路50の途中から分岐し、流量調節器75を介し濃度調節液供給ノズル71と流量調節器73との間に接続され、予め実験で得られた濃度の濃度調節液となるように流量調節器73と流量調節器75により流量制御し濃度調節液供給ノズル71から濃度調節液を供給するようにしてもよい。なお、複数の濃度調節液供給ノズル71毎に同様の構成とし、複数の濃度調節液供給ノズル71から個別に所定濃度の濃度調節液を供給することができることはいうまでもない。これにより、複数枚の基板８のエッチング量をより細かく調整することができる。

なお、上記実施形態では、複数の基板８間のすべてに濃度調節液供給ノズル71を配置するようにしたが、これに限ることはなく、予め実験で得られた知見から濃度調節液供給ノズル71の本数および配置は、複数枚の基板８のエッチングが均一になるように最適化することができる。また、上記実施形態では、処理液としてエッチング液を用いて基板８をエッチング処理する場合について説明したが、これに限ることはなく、処理液として洗浄液を用いて基板８を洗浄処理する場合などの液処理にも本発明を適用することができる。また、濃度調節液としては、処理液の濃度を調節できればよく、処理液の濃度を増減させる場合や処理液の濃度を低下させる場合や処理液の濃度を増加させる場合が有り得る。

１ 基板液処理装置
７ 制御部
８ 基板
38 液処理部
39 処理液供給部
40 純水供給部
54 濃度センサ（濃度計測部）
70 濃度調節液供給部
71 濃度調節液供給ノズル
73 流量調節器

Claims (7)

1. 複数の基板を配列させた状態で処理液に浸漬させて処理する液処理部と、
   前記処理液を供給する処理液供給部と、
   前記処理液の濃度を調節するための濃度調節液を供給する濃度調節液供給部と、
   を備え、
   前記濃度調節液供給部は、前記配列させた複数の基板のうちの少なくとも１つの対向する基板間に配置された濃度調節液供給ノズルから流量調節器で調節された流量の前記濃度調節液を供給し、
   複数の基板間に前記濃度調節液供給ノズルが配置され、各濃度調節液供給ノズルに前記流量調節器を接続し、各々の前記流量調節器で調節された流量の前記濃度調節液を前記濃度調節液供給ノズルから供給することを特徴とする基板液処理装置。
2. 前記濃度調節液は、前記処理液を含み、前記処理液とは異なる濃度であることを特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。
3. 前記濃度調節液供給ノズルは、前記複数の基板の配列方向に直交し水平方向に延びる筒形状を有し、前記筒形状の周面に穿設された吐出口を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板液処理装置。
4. 前記濃度調節液供給部は、前記複数の基板の配列方向に直交し水平方向に２つ以上の前記濃度調節液供給ノズルが並べて配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の基板液処理装置。
5. 複数の基板を配列させた状態で処理液に浸漬させて処理し、前記複数の基板の処理中に前記配列させた複数の基板のうち少なくとも１つの対向する基板間に前記処理液の濃度を調節するための濃度調節液を供給する際に、複数の基板間に配置された各濃度調節液供給ノズルに接続した各々の流量調節器で調節された流量の前記濃度調節液を前記濃度調節液供給ノズルから供給することを特徴とする基板液処理方法。
6. 前記濃度調節液は、前記処理液を含み、前記処理液とは異なる濃度であることを特徴とする請求項５に記載の基板液処理方法。
7. 複数の基板を配列させた状態で処理液に浸漬させて処理する液処理部と、
   前記処理液を供給する処理液供給部と、
   前記処理液を希釈するための濃度調節液を供給する濃度調節液供給部と、
   を有する基板液処理装置を用いて基板液処理方法を実行させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
   前記液処理部で前記処理液を用いて前記複数枚の基板を処理し、前記複数の基板の処理中に前記配列させた複数の基板のうちの少なくとも１つの対向する基板間に前記処理液の濃度を調節するための濃度調節液を供給する際に、複数の基板間に配置された各濃度調節液供給ノズルに接続した各々の流量調節器で調節された流量の前記濃度調節液を前記濃度調節液供給ノズルから供給することを特徴とする基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
   

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