JP6434367B2 - 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
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- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
Description
7 制御部
8 基板
38 液処理部
39 エッチング液供給部
Claims (10)
- 基板の表面に形成した被膜をエッチング液で液処理する液処理部と、
前記液処理部にエッチング液を供給するエッチング液供給部と、
前記エッチング液供給部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記被膜に対するエッチングレートが低い状態のエッチング液を前記エッチング液供給部から前記液処理部に供給して前記液処理部で前記基板をエッチング処理し、その後、前記被膜に対するエッチングレートが高い状態のエッチング液を前記エッチング液供給部から前記液処理部に供給して前記液処理部で前記基板をエッチング処理するように制御するとともに、
前記被膜に対するエッチングレートが所定状態のエッチング液で前記基板をエッチング処理する時間及びエッチング量を基準処理時間及び基準エッチング量とし、
前記基準状態のエッチング液よりもエッチングレートが低い状態のエッチング液を前記エッチング液供給部から前記液処理部に供給して前記液処理部で前記基板をエッチング処理する時間及びエッチング量を第1処理時間及び第1エッチング量とし、
前記基準状態のエッチング液よりもエッチングレートが高い状態のエッチング液を前記エッチング液供給部から前記液処理部に供給して前記液処理部で前記基板をエッチング処理する時間及びエッチング量を第2処理時間及び第2エッチング量とし、
前記第1処理時間と前記第2処理時間との合計が前記基準処理時間となり、前記第1エッチング量と前記第2エッチング量との合計が前記基準エッチング量となるように制御することを特徴とする基板液処理装置。 - 前記制御部は、前記エッチング液供給部から前記液処理部に供給するエッチング液の温度又は濃度を変化させることで前記被膜に対するエッチングレートの状態を変化させるように制御することを特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。
- 前記被膜は、シリコン酸化膜の表面に形成されたシリコン窒化膜であり、前記エッチング液は、リン酸水溶液であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板液処理装置。
- 基板の表面に形成した被膜をエッチング液で液処理する液処理部と、
前記液処理部にエッチング液を供給するエッチング液供給部と、
前記エッチング液供給部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記被膜に対するエッチングレートが低い状態のエッチング液を前記エッチング液供給部から前記液処理部に供給して前記液処理部で前記基板をエッチング処理し、その後、前記被膜に対するエッチングレートが高い状態のエッチング液を前記エッチング液供給部から前記液処理部に供給して前記液処理部で前記基板をエッチング処理するように制御し、
前記被膜は、シリコン酸化膜の表面に形成されたシリコン窒化膜であり、前記エッチング液は、リン酸水溶液であり、
前記制御部は、前記リン酸水溶液中のシリコン濃度が、前記リン酸水溶液によって前記シリコン酸化膜がエッチングされる量が抑制される濃度になるまで、エッチングレートが低い状態のリン酸水溶液でエッチング処理し、その後、エッチングレートが高い状態のリン酸水溶液でエッチング処理するように制御することを特徴とする基板液処理装置。 - 基板の表面に形成した被膜に対するエッチングレートが低い状態のエッチング液で前記基板をエッチング処理し、その後、前記被膜に対するエッチングレートが高い状態のエッチング液で前記基板をエッチング処理し、
前記被膜に対するエッチングレートが所定状態のエッチング液で前記基板をエッチング処理する時間及びエッチング量を基準処理時間及び基準エッチング量とし、
前記基準状態のエッチング液よりもエッチングレートが低い状態のエッチング液で前記基板をエッチング処理する時間及びエッチング量を第1処理時間及び第1エッチング量とし、
前記基準状態のエッチング液よりもエッチングレートが高い状態のエッチング液で前記基板をエッチング処理する時間及びエッチング量を第2処理時間及び第2エッチング量とし、
前記第1処理時間と前記第2処理時間との合計が前記基準処理時間となり、前記第1エッチング量と前記第2エッチング量との合計が前記基準エッチング量となるように前記基板をエッチング処理することを特徴とする基板液処理方法。 - 前記エッチング液の温度又は濃度を変化させることで前記被膜に対するエッチングレートの状態を変化させることを特徴とする請求項5に記載の基板液処理方法。
- 前記被膜は、シリコン酸化膜の表面に形成されたシリコン窒化膜であり、前記エッチング液は、リン酸水溶液であることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の基板液処理方法。
- 基板の表面に形成した被膜に対するエッチングレートが低い状態のエッチング液で前記基板をエッチング処理し、その後、前記被膜に対するエッチングレートが高い状態のエッチング液で前記基板をエッチング処理し、
前記被膜は、シリコン酸化膜の表面に形成されたシリコン窒化膜であり、前記エッチング液は、リン酸水溶液であり、
前記リン酸水溶液中のシリコン濃度が、前記リン酸水溶液によって前記シリコン酸化膜がエッチングされる量が抑制される濃度になるまで、エッチングレートが低い状態のリン酸水溶液でエッチング処理し、その後、エッチングレートが高い状態のリン酸水溶液でエッチング処理することを特徴とする基板液処理方法。 - 基板の表面に形成した被膜をエッチング液で液処理する液処理部と、前記液処理部にエッチング液を供給するエッチング液供給部とを有する基板液処理装置を用いて基板液処理方法を実行させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
前記被膜に対するエッチングレートが低い状態のエッチング液を前記エッチング液供給部から前記液処理部に供給して前記液処理部で前記基板をエッチング処理させ、その後、前記被膜に対するエッチングレートが高い状態のエッチング液を前記エッチング液供給部から前記液処理部に供給して前記液処理部で前記基板をエッチング処理させるとともに、
前記被膜に対するエッチングレートが所定状態のエッチング液で前記基板をエッチング処理する時間及びエッチング量を基準処理時間及び基準エッチング量とし、
前記基準状態のエッチング液よりもエッチングレートが低い状態のエッチング液で前記基板をエッチング処理する時間及びエッチング量を第1処理時間及び第1エッチング量とし、
前記基準状態のエッチング液よりもエッチングレートが高い状態のエッチング液で前記基板をエッチング処理する時間及びエッチング量を第2処理時間及び第2エッチング量とし、
前記第1処理時間と前記第2処理時間との合計が前記基準処理時間となり、前記第1エッチング量と前記第2エッチング量との合計が前記基準エッチング量となるように前記基板をエッチング処理させることを特徴とする基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 - 基板の表面に形成した被膜をエッチング液で液処理する液処理部と、前記液処理部にエッチング液を供給するエッチング液供給部とを有する基板液処理装置を用いて基板液処理方法を実行させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
前記被膜に対するエッチングレートが低い状態のエッチング液を前記エッチング液供給部から前記液処理部に供給して前記液処理部で前記基板をエッチング処理させ、その後、前記被膜に対するエッチングレートが高い状態のエッチング液を前記エッチング液供給部から前記液処理部に供給して前記液処理部で前記基板をエッチング処理させるとともに、
前記被膜は、シリコン酸化膜の表面に形成されたシリコン窒化膜であり、前記エッチング液は、リン酸水溶液であり、
前記リン酸水溶液中のシリコン濃度が、前記リン酸水溶液によって前記シリコン酸化膜がエッチングされる量が抑制される濃度になるまで、エッチングレートが低い状態のリン酸水溶液でエッチング処理し、その後、エッチングレートが高い状態のリン酸水溶液でエッチング処理させることを特徴とする基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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