JP2009033038A - Cmp装置及びcmpによるウェハー研磨方法 - Google Patents
Cmp装置及びcmpによるウェハー研磨方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】ドレッサー17を用いて研磨パッド13のドレッシングが行われる。次に、ドレッシング後の研磨パッド13の厚みを測定する。この厚み測定は、パッドプローブ16を用いて行うことができ、測定結果は研磨制御部19に入力される。次に、研磨制御部19は、データテーブル19bを参照して、研磨パッド13の厚みに対応する閾値を決定する。さらに、こうして求められた閾値を登録する。その後、この閾値を用いて研磨対象のウェハー11を研磨する。
【選択図】図1
Description
12 研磨ヘッド
12a ガイドリング
13 研磨パッド
14 回転定盤
15 スラリー供給部
16 パッドプローブ
17 ドレッサー
18 渦電流センサー
19 研磨制御部
19a メモリ
19b データテーブル
19c 閾値
100 CMP装置
Claims (7)
- 研磨パッドと、
前記研磨パッドを介してウェハー上の研磨対象膜の膜厚を測定する膜厚センサーと、
前記研磨パッドの厚みを測定する研磨パッド厚み測定部と、
前記研磨パッドのドレッシングを行うドレッサーと、
前記膜厚センサーの出力値が閾値を超えたことに応答して研磨条件を切り替える研磨制御部とを備え、
前記研磨制御部は、前記研磨パッドのドレッシングが行われたとき、ドレッシング後の研磨パッドの厚みに応じた閾値を記憶する記憶部を備えることを特徴とするCMP装置。 - 前記記憶部は、前記研磨対象膜の膜厚を一定とした場合における研磨パッドの厚みと膜厚センサーの出力値との関係を示す変換情報をさらに記憶しており、
前記研磨制御部は、前記変換情報を参照して、ドレッシング後の研磨パッドの厚みに応じた膜厚センサーの出力値を求め、当該出力値を前記閾値として登録することを特徴とする請求項1に記載のCMP装置。 - 前記研磨パッド厚み測定部がパッドプローブであることを特徴とする請求項1又は2に記載のCMP装置。
- 前記膜厚センサーが渦電流センサーであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のCMP装置。
- 前記研磨対象膜が金属膜又は金属化合物膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のCMP装置。
- 研磨パッドをドレッシングする研磨パッドドレッシングステップ、
ドレッシング後の研磨パッドの厚みに基づいて補正された所定の閾値を登録する閾値登録ステップ、
研磨対象のウェハーをセットし、膜厚センサーで研磨対象膜の膜厚を監視しながら高速研磨を行う高速研磨ステップ、
前記膜厚センサーの出力が前記閾値に達したとき前記高速研磨から低速研磨に切り替える研磨条件切替ステップ、及び
研磨終点まで前記ウェハーの低速研磨を行う低速研磨ステップを備えることを特徴とするCMPによるウェハー研磨方法。 - 前記閾値登録ステップは、
前記研磨対象膜の膜厚を一定とした場合における研磨パッドの厚みと膜厚センサーの出力値との関係を示す変換情報を参照して、ドレッシング後の研磨パッドの厚みに応じた膜厚センサーの出力値を求めるステップ、及び
当該出力値を前記閾値として登録するステップを含むことを特徴とする請求項6に記載のCMPによるウェハー研磨方法。
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