JP2008068338A - 研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法 - Google Patents
研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008068338A JP2008068338A JP2006247311A JP2006247311A JP2008068338A JP 2008068338 A JP2008068338 A JP 2008068338A JP 2006247311 A JP2006247311 A JP 2006247311A JP 2006247311 A JP2006247311 A JP 2006247311A JP 2008068338 A JP2008068338 A JP 2008068338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- temperature
- wafer
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】研磨パッドの交換時期を適切に把握することができる研磨装置を提供すること。
【解決手段】CMP装置は、研磨パッド13が貼り付けられた、回転する定盤11と、ウェーハWを前記研磨パッド13に押圧して、当該ウェーハWの表面を研磨する研磨ヘッド20と、前記ウェーハWの研磨工程における前記研磨パッド13の表面温度を検出する赤外線式温度計50と、前記赤外線式温度計50によって検出される前記研磨パッド13の表面温度に基づき、前記ウェーハWを研磨することで前記研磨パッド13に蓄積される積算蓄積温度Anを算出する制御装置80と、前記制御装置80によって算出された前記積算蓄積温度Anに基づき、前記研磨パッド13の交換時期を報知する報知装置70とを備える。
【選択図】 図1
【解決手段】CMP装置は、研磨パッド13が貼り付けられた、回転する定盤11と、ウェーハWを前記研磨パッド13に押圧して、当該ウェーハWの表面を研磨する研磨ヘッド20と、前記ウェーハWの研磨工程における前記研磨パッド13の表面温度を検出する赤外線式温度計50と、前記赤外線式温度計50によって検出される前記研磨パッド13の表面温度に基づき、前記ウェーハWを研磨することで前記研磨パッド13に蓄積される積算蓄積温度Anを算出する制御装置80と、前記制御装置80によって算出された前記積算蓄積温度Anに基づき、前記研磨パッド13の交換時期を報知する報知装置70とを備える。
【選択図】 図1
Description
本発明は、化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing;以下「CMP」とする)によってウェーハなどの研磨対象を研磨する研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法に関する。
近年、半導体装置の製造において、フォトの露光マージンを確保するために、CMPによってウェーハなどの半導体装置の表面を平坦化することが必須となってきている。
CMPで使用されるCMP装置は、研磨パッドが貼り付けられたテーブルと、ウェーハを研磨パッドに押圧する研磨ヘッドと、研磨パッドにスラリを供給するスラリ供給ノズルなどを備える。
ウェーハの研磨では、先ずテーブルが所定方向に回転され、その表面に貼り付けられた研磨パッドに対して、スラリ供給ノズルからスラリが供給される。そして、供給されたスラリが遠心力によって研磨パッドの全体に広がったら、研磨ヘッドによってウェーハが研磨パッドに押圧され、ウェーハの表面研磨が開始される。
ところで、研磨パッドは、長期にわたり使用されると、特性が劣化して、ウェーハに欠陥が発生することが知られている。したがって、従来のCMP装置では、所定期間ごとに研磨パッドの貼り換えが行われていた。
従来から存在する研磨パッドの品質管理法としては、研磨パッドの粘弾性を動的に測定して、その測定結果に基づき、研磨パッドの交換時期を見極める品質管理法が開示されている(例えば、特許文献1を参照。)。
特開2004−228265号公報
ところで、近年のデバイスの製造工程では、300mmウェーハの量産に伴い、致命的な問題が発生している。すなわち、300mmウェーハの研磨枚数が200枚を超えたあたりから、ウェーハにマイクロスクラッチなどの欠陥が増加してしまい、製品の歩留まりが大きく低下する、という問題である。
図10はマイクロスクラッチが発生した層間絶縁膜の平面図、図11はマイクロスクラッチが発生した層間絶縁膜の図10中F11−F11における断面図である。多数のコンタクトが形成されるトランジスタ上の層間絶縁膜にマイクロスクラッチが発生すると、マイクロスクラッチの内部にタングステンなどのコンタクト材料が侵入してしまい、図10、図11に示すように、コンタクト間におけるショートの原因となる。したがって、これまでの300mmウェーハの量産では、製品歩留まりの低下を見越して、早々と研磨パッドを交換する必要があった。
実際、検査装置を使用して0.12(μm)以上のマイクロスクラッチを検査したところ、研磨パッドが交換された直後は、ウェーハ1枚あたり10個程度であったのに対して、300mmウェーハの研磨枚数が200枚を超えると、ウェーハ1枚あたり100個以上、多いと500〜600個程度も発見された。
本発明は、研磨パッドの交換時期を適切に把握することができる研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法を提供する。
本発明における研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法は、以下のように構成されている。
(1)研磨装置は、研磨パッドが貼り付けられた、回転するテーブルと、研磨対象を前記研磨パッドに押圧して、当該研磨対象の表面を研磨する研磨ヘッドと、前記研磨対象の研磨工程における前記研磨パッドの温度を検出する検出装置と、前記検出装置によって検出される前記研磨パッドの温度に基づき、前記研磨対象を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する算出装置と、前記算出装置によって算出された前記温度情報に基づき、前記研磨パッドの交換時期を報知する報知装置とを備える。
(2)研磨方法は、研磨対象を研磨パッドに押圧して、当該研磨対象の表面を研磨する工程と、前記研磨対象の研磨工程における前記研磨パッドの温度を検出する工程と、前記研磨パッドの温度に基づき、前記研磨対象を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する工程と、前記研磨パッドに蓄積された前記温度情報に基づき、前記研磨パッドを交換する工程とを備える。
(3)半導体装置の製造方法は、基板に形成された膜を研磨パッドに押圧して、当該膜の表面を研磨する研磨工程を含んだ半導体装置の製造方法において、前記研磨工程は、前記膜の前記研磨工程における前記研磨パッドの温度を検出する工程と、前記研磨パッドの温度に基づき、前記膜を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する工程と、前記研磨パッドに蓄積された温度情報に基づき、前記研磨パッドを交換する工程とを備える。
(1)研磨装置は、研磨パッドが貼り付けられた、回転するテーブルと、研磨対象を前記研磨パッドに押圧して、当該研磨対象の表面を研磨する研磨ヘッドと、前記研磨対象の研磨工程における前記研磨パッドの温度を検出する検出装置と、前記検出装置によって検出される前記研磨パッドの温度に基づき、前記研磨対象を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する算出装置と、前記算出装置によって算出された前記温度情報に基づき、前記研磨パッドの交換時期を報知する報知装置とを備える。
(2)研磨方法は、研磨対象を研磨パッドに押圧して、当該研磨対象の表面を研磨する工程と、前記研磨対象の研磨工程における前記研磨パッドの温度を検出する工程と、前記研磨パッドの温度に基づき、前記研磨対象を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する工程と、前記研磨パッドに蓄積された前記温度情報に基づき、前記研磨パッドを交換する工程とを備える。
(3)半導体装置の製造方法は、基板に形成された膜を研磨パッドに押圧して、当該膜の表面を研磨する研磨工程を含んだ半導体装置の製造方法において、前記研磨工程は、前記膜の前記研磨工程における前記研磨パッドの温度を検出する工程と、前記研磨パッドの温度に基づき、前記膜を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する工程と、前記研磨パッドに蓄積された温度情報に基づき、前記研磨パッドを交換する工程とを備える。
本発明によれば、研磨パッドの交換時期を適切に把握することができる。
以下、図1−図9を参照しながら、本発明の一実施形態について説明する。
(CMP装置の構成)
図1は本発明の一実施形態にかかるCMP装置の断面図、図2は同実施形態にかかるCMP装置の平面図である。図1、図2に示すように、本実施形態にかかるCMP装置は、研磨テーブル10と、研磨ヘッド20と、駆動装置30と、スラリ供給ノズル40と、赤外線式温度計(検出装置)50と、目立て装置60と、報知装置70と、制御装置(算出装置)80と、記憶装置90とを備える。
(CMP装置の構成)
図1は本発明の一実施形態にかかるCMP装置の断面図、図2は同実施形態にかかるCMP装置の平面図である。図1、図2に示すように、本実施形態にかかるCMP装置は、研磨テーブル10と、研磨ヘッド20と、駆動装置30と、スラリ供給ノズル40と、赤外線式温度計(検出装置)50と、目立て装置60と、報知装置70と、制御装置(算出装置)80と、記憶装置90とを備える。
研磨テーブル10は、主として、定盤(テーブル)11と被駆動軸12とで構成される。定盤11の上面には研磨パッド13が配設されている。研磨パッド13は、定盤11に対して両面テープ(図示しない)などによって着脱可能に貼り付けられている。研磨パッド13の表面には、全体にわたり同心円状の複数の溝(図示しない)が形成されている。溝は、研磨パッド13に凹凸を形成して、研磨パッド13の表面に研磨機能を与えるものである。研磨パッド13の素材は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、熱硬化性の発砲ポリウレタンが使用されている。また、研磨パッド13に形成される溝の形状についても、まったく限定されるものではない。例えば、格子状であっても構わない。被駆動軸12は、定盤11の下面中心に連結されている。
駆動装置30は、制御装置80からの指示に基づき、被駆動軸12を所定方向に回転させる。これにより、研磨テーブル10の定盤11に貼り付けられた研磨パッド13は、被駆動軸12と共に所定方向に回転することになる。
研磨ヘッド20は、主として、キャリア21とリテーナリング22とで構成される。キャリア21は、駆動装置(図示しない)によって水平方向および上下方向に駆動される。さらに、キャリア21は、駆動装置によって所定方向に回転される。リテーナリング22は、キャリア21の下面における周縁部分に、キャリア21と同軸に固定されていて、その内側にはウェーハ(半導体装置)Wを保持するためのスペースが形成されている。従って、キャリア21が研磨テーブル10の上方に配置されると、リテーナリング22の内側に保持されたウェーハWは、研磨テーブル10の研磨パッド13と対向することとなる。
スラリ供給ノズル40は、研磨パッド13の上方に配置されていて、必要に応じて研磨パッド13の上面にスラリLを供給する。スラリ供給ノズル40から吐出されたスラリLは、研磨テーブル10の遠心力によって研磨パッド13の全体に広がる。スラリLの種類は、特に限定されるものではないが、例えばシリカを含むアルカリ性溶液が使用される。
赤外線式温度計50は、研磨テーブル10の上方に配置されていて、制御装置80からの指示に基づき、研磨パッド13における規定位置P、すなわち研磨ヘッド20の近傍であって、かつ、研磨ヘッド20に対して研磨テーブル10の回転方向の下流となる位置の表面温度を検出する。
なお、本実施形態では、赤外線式温度計50が研磨ヘッド20と別体となっているが、研磨ヘッド20に固定されていても良い。赤外線式温度計50が研磨ヘッド20に固定されていれば、研磨パッド13が大きく揺動しても、温度検出をする位置が研磨パッド13における規定位置Pからずれることがない。さらに、本実施形態では、研磨パッド13の表面温度を検出するために、赤外線式温度計50が使用されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
目立て装置60は、主として、装置本体61と目立て部材62とで構成される。装置本体61は、目立て部材62を水平方向および上下方向に駆動して、目立て部材62の下面部分を研磨パッド13に押し付ける。目立て部材62は、円盤状に形成されていて、その下面部分には、ダイヤモンド製の目立て材(図示しない)が配設されている。したがって、研磨パッド13に形成された溝が磨耗によって浅くなっても、装置本体61によって目立て部材62が研磨パッド13に押し付けられ、研磨パッド13の上面に再び深い溝が復元される。
報知装置70は、制御装置80からの指示に従って、研磨パッド13の交換サインを作業者に報知する。交換サインの報知形態としては、特に限定されるものではないが、モニタ表示やアラームなどが考えられる。
制御装置80は、CMP装置に含まれる複数の構成要素を制御している。ここでは、制御装置80が制御している複数の構成要素のうち、いくつかのものだけを説明する。例えば、制御装置80は、ウェーハWの研磨が開始されると同時に、赤外線式温度計50に研磨パッド13の表面温度の検出を開始させる。また、制御装置80は、赤外線式温度計50によって検出された研磨パッド13の表面温度が50℃を超えている期間だけ、検出された研磨パッド13の表面温度を時間積分して、ウェーハW1枚あたり研磨パッド13に蓄積される蓄積温度(後述する)を算出する。さらに、制御装置80は、ウェーハW1枚あたり研磨パッド13に蓄積される蓄積温度を積算して、供給される複数枚のウェーハWを研磨することで研磨パッド13に蓄積される積算蓄積温度(後述する)を算出する。また、制御装置80は、研磨パッド13の積算蓄積温度と、事前に設定された積算限界温度(後述する)とを比較して、積算蓄積温度が積算限界温度を超えた時点で、報知装置70に研磨パッド13の交換サインを報知させる。
記憶装置90は、ウェーハW1枚を研磨するごとに、制御装置80によって算出された、当該ウェーハ1枚あたり研磨パッド13に蓄積される蓄積温度を記憶する。さらに、記憶装置90は、事前に設定された積算限界温度(℃sec)を記憶している。
(基本原理)
ここで、本実施形態における300mmウェーハの研磨における基本原理について、発明者が行った実験結果を参照しながら説明する。
(基本原理)
ここで、本実施形態における300mmウェーハの研磨における基本原理について、発明者が行った実験結果を参照しながら説明する。
発明者は、従来から存在するCMP装置で300mmウェーハを実際に研磨して、研磨条件と研磨結果との関係について検討してみた。ここでは、2種類の研磨条件1、2と、
それぞれの研磨結果について紹介する。
それぞれの研磨結果について紹介する。
先ず、研磨条件1から説明する。図3は同実施形態にかかる研磨条件1の下での300
mmウェーハの研磨枚数と製品歩留まりとの関係を示すグラフである。なお、図3において、横軸は研磨枚数を示し、縦軸は製品歩留まりを示している。図3を見ると、ウェーハの研磨枚数が200枚を超えたあたりから、製品歩留まりが急激に低下していることがわかる。なお、ウェーハ1枚あたりの研磨時間は75秒であった。
mmウェーハの研磨枚数と製品歩留まりとの関係を示すグラフである。なお、図3において、横軸は研磨枚数を示し、縦軸は製品歩留まりを示している。図3を見ると、ウェーハの研磨枚数が200枚を超えたあたりから、製品歩留まりが急激に低下していることがわかる。なお、ウェーハ1枚あたりの研磨時間は75秒であった。
研磨条件1は、以下のとおりである。
研磨圧力:280g重/cm2 、
研磨ヘッドの回転数:98回転/分、
研磨テーブルの回転数:110回転/分、
スラリの供給量:0.2リットル/分、
スラリのタイプ:Cabot社製SS25を純水で1:1に希釈したもの。
研磨ヘッドの回転数:98回転/分、
研磨テーブルの回転数:110回転/分、
スラリの供給量:0.2リットル/分、
スラリのタイプ:Cabot社製SS25を純水で1:1に希釈したもの。
次に、研磨条件2について説明する。図4は同実施形態にかかる研磨条件2の下での3
00mmウェーハの研磨枚数と製品歩留まりとの関係を示すグラフである。なお、図4において、横軸と縦軸とが示すものは、図3のものと同じである。図4を見ると、ウェーハWの研磨枚数が増加しても、製品歩留まりが全く低下しないことがわかる。なお、ウェーハ1枚あたりの研磨時間は100秒であった。
00mmウェーハの研磨枚数と製品歩留まりとの関係を示すグラフである。なお、図4において、横軸と縦軸とが示すものは、図3のものと同じである。図4を見ると、ウェーハWの研磨枚数が増加しても、製品歩留まりが全く低下しないことがわかる。なお、ウェーハ1枚あたりの研磨時間は100秒であった。
研磨条件2は、以下のとおりである。
研磨圧力:280g重/cm2 、
研磨ヘッドの回転数:60回転/分、
研磨テーブルの回転数:65回転/分、
スラリの供給量:0.2リットル/分、
スラリのタイプ:Cabot社製SS25を純水で1:1に希釈したもの。
研磨ヘッドの回転数:60回転/分、
研磨テーブルの回転数:65回転/分、
スラリの供給量:0.2リットル/分、
スラリのタイプ:Cabot社製SS25を純水で1:1に希釈したもの。
ここで、研磨条件1、2を比較して頂きたい。研磨ヘッドや研磨テーブルの回転数のほ
かは、研磨条件がまったく同じであることがわかる。このことから、300mmウェーハの研磨において、研磨枚数が増加したときに製品歩留まりに差異が生じるのは、研磨ヘッドや研磨テーブルの回転数の違いに原因があることが明らかとなった。そこで、発明者は、研磨ヘッドや研磨テーブルの回転数が研磨パッドに与える影響について検討して、以下の考えに到達した。
かは、研磨条件がまったく同じであることがわかる。このことから、300mmウェーハの研磨において、研磨枚数が増加したときに製品歩留まりに差異が生じるのは、研磨ヘッドや研磨テーブルの回転数の違いに原因があることが明らかとなった。そこで、発明者は、研磨ヘッドや研磨テーブルの回転数が研磨パッドに与える影響について検討して、以下の考えに到達した。
すなわち、研磨ヘッドや研磨テーブルの回転数の増加は、研磨ヘッドとウェーハとの摩擦を促し、研磨パッドの温度を上昇させて、研磨パッドを熱的に劣化させる。これが、製品歩留まりを低下させる、という考えである。
このことは、ウェーハのサイズが200mmから300mmに拡大したことで製品歩留まりが低下したことからも、正当性が高いといえる。すなわち、ウェーハのサイズが拡大すれば、研磨ヘッドの回転数が同じであっても、ウェーハの周縁付近における速度は大きくなる。その結果、研磨パッドは、強く摩擦され、研磨パッドの温度が上昇し、熱的に劣化する。これが、製品歩留まりの低下を招いた、ということである。
これを踏まえ、発明者は、研磨条件1、2の下で300mmウェーハを研磨しながら、
研磨パッドの表面温度を測定した。研磨パッドの表面温度の測定装置としては、赤外線式温度計を使用した。赤外線式温度計は、ウェーハとの接触状態から開放された直後の研磨パッドの表面温度を測定するために、研磨ヘッドの近傍であって、かつ、研磨パッドを基準として研磨テーブルの回転方向の下流となる位置にセットした。
研磨パッドの表面温度を測定した。研磨パッドの表面温度の測定装置としては、赤外線式温度計を使用した。赤外線式温度計は、ウェーハとの接触状態から開放された直後の研磨パッドの表面温度を測定するために、研磨ヘッドの近傍であって、かつ、研磨パッドを基準として研磨テーブルの回転方向の下流となる位置にセットした。
図5は同実施形態にかかる300mmウェーハの研磨時間と研磨パッドの表面温度との関係を示すグラフである。図5において、温度カーブ1は、研磨条件1の下で測定された
ウェーハ1枚分の温度変化であって、温度カーブ2は、研磨条件2の下で測定されたウェ
ーハ1枚分の温度変化である。なお、1枚のウェーハの研磨が終了すると、研磨パッドの上面には純水が供給され、研磨パッドの表面温度は、常温、例えば23℃まで低下することになる。
ウェーハ1枚分の温度変化であって、温度カーブ2は、研磨条件2の下で測定されたウェ
ーハ1枚分の温度変化である。なお、1枚のウェーハの研磨が終了すると、研磨パッドの上面には純水が供給され、研磨パッドの表面温度は、常温、例えば23℃まで低下することになる。
図5を見ると、研磨条件1の下では、ウェーハの研磨を開始してから30秒経過した時
点で、研磨パッドの表面温度が60℃近くまで達しているが、研磨条件2の下では、研磨
開始から100秒経過しても、研磨パッドの表面温度は、45℃にも達していないことがわかる。しかも、研磨条件2の下では、図4に示すように、ウェーハの研磨枚数が増加し
ても製品歩留まりが低下しない。以上のことから、研磨パッドの表面温度が特定の温度以上になると、研磨パッドが熱的に劣化して、製品歩留まりが低下する、と考えられる。本実施形態では、特定の温度として「50℃」を採用した。
点で、研磨パッドの表面温度が60℃近くまで達しているが、研磨条件2の下では、研磨
開始から100秒経過しても、研磨パッドの表面温度は、45℃にも達していないことがわかる。しかも、研磨条件2の下では、図4に示すように、ウェーハの研磨枚数が増加し
ても製品歩留まりが低下しない。以上のことから、研磨パッドの表面温度が特定の温度以上になると、研磨パッドが熱的に劣化して、製品歩留まりが低下する、と考えられる。本実施形態では、特定の温度として「50℃」を採用した。
図6は同実施形態にかかる300mmウェーハを研磨条件1と研磨条件2とで1ロット
ずつ交互に研磨したときの研磨枚数と製品歩留まりとの関係を示すグラフである。なお、1ロットは、ウェーハ25枚である。
ずつ交互に研磨したときの研磨枚数と製品歩留まりとの関係を示すグラフである。なお、1ロットは、ウェーハ25枚である。
図6を見ると、ウェーハの研磨枚数が400枚のあたりから製品歩留まりの低下がはじまることがわかる。すなわち、研磨条件1の下での研磨枚数と、研磨条件2の下での研磨
枚数がそれぞれ200枚に到達したあたりから、製品歩留まりの低下が始まることがわかる。
枚数がそれぞれ200枚に到達したあたりから、製品歩留まりの低下が始まることがわかる。
このことから、研磨条件2の下での研磨枚数は製品歩留まりに何ら影響を与えないこと
が確認された。すなわち、研磨パッドの表面温度が50℃以上になる研磨条件1の下での
研磨枚数だけが製品歩留まりに影響を与えることが明らかとなった。
が確認された。すなわち、研磨パッドの表面温度が50℃以上になる研磨条件1の下での
研磨枚数だけが製品歩留まりに影響を与えることが明らかとなった。
そこで、研磨パッドの表面温度が50℃以上となっている期間に限定して研磨パッドの表面温度を時間積分し、その積分結果と製品歩留まりとを比較した。
図7は同実施形態にかかる研磨条件1の下で300mmウェーハを研磨したときの研磨
時間と研磨パッドの表面温度との関係を示すグラフである。すなわち、図7における温度カーブは、図5における温度カーブ1に等しい。
時間と研磨パッドの表面温度との関係を示すグラフである。すなわち、図7における温度カーブは、図5における温度カーブ1に等しい。
本実施形態では、研磨パッドの表面温度を時間積分するために、図7における温度カーブを数式で表現することにした。近似方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、最小二乗法を利用して温度カーブを5次で近似すると、
Y=(2×10-8)X5 −(6×10-6)X4 +(8×10-4)X3 −(5.5×10-2)X2 +1.96X+25.3
が得られる。以下、この数式を[数1]とする。
Y=(2×10-8)X5 −(6×10-6)X4 +(8×10-4)X3 −(5.5×10-2)X2 +1.96X+25.3
が得られる。以下、この数式を[数1]とする。
[式1]において、Yは、研磨パッドの表面温度であって、Xは、研磨時間である。なお、温度カーブと[数1]との相関関係の程度を表す相関係数R2は、R2=0.9992である。これにより、[式1]が図7に示す温度カーブに非常に良く近似されていることがわかる。
次に、[式1]を時間積分すると、
Z=(2×10-8/6)X6 −(6×10-6/5)X5 +(8×10-4/4)X4 −(5.5×10-2/3)X3 +(1.96/2)X2 +25.3X
が得られる。以下、この数式を[数2]とする。
Z=(2×10-8/6)X6 −(6×10-6/5)X5 +(8×10-4/4)X4 −(5.5×10-2/3)X3 +(1.96/2)X2 +25.3X
が得られる。以下、この数式を[数2]とする。
[式2]において、Zは、研磨パッドの表面温度の時間積分である。従って、[式2]に実際の研磨時間を代入すれば、研磨パッドの表面温度の時間積分が具体的に求められる。
ところで、本実施形態では、研磨パッドの表面温度が50℃以上となる期間に着目している。そのため、先ず[式2]に研磨が完了する研磨時間75(sec)を代入して、ウェーハの研磨が開始してから完了するまでの時間積分I1を算出した。次に、[式2]に研磨パッドの表面温度が50℃に到達する研磨時間35(sec)を代入して、ウェーハの研磨が開始してから研磨パッドの表面温度が50℃に到達するまでの時間積分I2を算出した。そして最後に、時間積分I1から時間積分I2を差し引いて、研磨パッドの表面温度が50℃以上となっている期間の時間積分I3を算出した。その結果、得られた時間積分I3は、2186(℃sec)であった。
さらに、研磨条件2の下での研磨結果から、50℃未満の領域は特に影響が無いものと
考え、得られた時間積分I3、すなわち2186から、50度未満の時間積分I4、すなわち50×(75−35)=2000(℃sec)を差し引いて、50℃以上の領域だけを抽出した。こうして得られた時間積分I5は、186(℃sec)である。なお、時間積分I5は、図7における斜線領域に相当している。
考え、得られた時間積分I3、すなわち2186から、50度未満の時間積分I4、すなわち50×(75−35)=2000(℃sec)を差し引いて、50℃以上の領域だけを抽出した。こうして得られた時間積分I5は、186(℃sec)である。なお、時間積分I5は、図7における斜線領域に相当している。
つまり、以上の計算によって得られた186(℃sec)は、研磨条件1の下で300
mmウェーハを研磨したときに、ウェーハ1枚あたり研磨パッドに蓄積される温度影響である、と言い換えることができる。以下、ウェーハ1枚あたり研磨パッドに蓄積される温度影響を「蓄積温度(℃sec)」と呼ぶこととする。なお、「蓄積温度(℃sec)」は、本願発明における研磨別温度情報に相当するものである。
mmウェーハを研磨したときに、ウェーハ1枚あたり研磨パッドに蓄積される温度影響である、と言い換えることができる。以下、ウェーハ1枚あたり研磨パッドに蓄積される温度影響を「蓄積温度(℃sec)」と呼ぶこととする。なお、「蓄積温度(℃sec)」は、本願発明における研磨別温度情報に相当するものである。
ところで、研磨条件1の下では、図3に示すように、ウェーハの研磨枚数が200枚あ
たりから製品歩留まりの低下がはじまる。このことから、発明者は、研磨パッドに蓄積される蓄積温度の積算が186(℃)×200(枚)=37200(℃sec)に到達すると、製品歩留まりの低下がはじまる、と考えた。以下、研磨パッドに蓄積される蓄積温度の積算を「積算蓄積温度(℃sec)」と呼ぶこととする。
たりから製品歩留まりの低下がはじまる。このことから、発明者は、研磨パッドに蓄積される蓄積温度の積算が186(℃)×200(枚)=37200(℃sec)に到達すると、製品歩留まりの低下がはじまる、と考えた。以下、研磨パッドに蓄積される蓄積温度の積算を「積算蓄積温度(℃sec)」と呼ぶこととする。
以上の検討結果を踏まえ、発明者は、ウェーハの研磨が1枚ずつ終了するたびに、研磨パッドに蓄積される蓄積温度(℃sec)を積算してゆき、積算蓄積温度が37200(℃sec)を超えた時点で、研磨パッドを交換することにした。
(研磨作業の流れ)
次に、図1、図8を参照しながら、本実施形態における300mmウェーハの研磨作業の流れについて説明する。図8は同実施形態にかかる300mmウェーハの研磨作業の流れ図である。なお、本実施形態では、研磨対象として、ウェーハに作り込まれたトランジスタ上の層間絶縁膜を想定している。層間絶縁膜の材料としては、例えばSiO2 などが採用される。
(研磨作業の流れ)
次に、図1、図8を参照しながら、本実施形態における300mmウェーハの研磨作業の流れについて説明する。図8は同実施形態にかかる300mmウェーハの研磨作業の流れ図である。なお、本実施形態では、研磨対象として、ウェーハに作り込まれたトランジスタ上の層間絶縁膜を想定している。層間絶縁膜の材料としては、例えばSiO2 などが採用される。
300mmウェーハの研磨工程が開始されると、先ず、未研磨の複数枚の300mmウェーハから1枚目のウェーハがピックアップされ、研磨ヘッド20のリテーナリング22の内側にセットされる。
これとは別に、駆動装置30によって研磨テーブル10が所定方向に回転され、研磨パッド13の上面にスラリ供給ノズル40から所定分量のスラリLが供給される。なお、研磨パッド13は、貼り付けられたばかりの未使用のものである。
次に、300mmウェーハWを保持した研磨ヘッド20は、駆動装置(図示しない)によって所定方向に高速回転され、研磨パッド13の上方に搬送されたのち、ゆっくりと下降する。すると、リテーナリング22に保持されているウェーハWは、研磨パッド13の表面に所定圧力で押圧され、ウェーハの表面研磨が開始される。
ウェーハWが研磨パッド13の表面に接触すると、赤外線式温度計50は、制御装置80からの指示に従って、研磨パッド13の表面温度の検出を開始する(ステップS1)。なお、赤外線式温度計50が検出するのは、前述したとおり、研磨パッド13の規定位置P、すなわち研磨ヘッド20の近傍であって、かつ、研磨ヘッド20を基準として研磨テーブル10の下流となる位置である。すなわち、赤外線式温度計50は、ウェーハWとの接触状態が開放された直後の研磨パッド13の表面温度を検出している。なお、ウェーハWの研磨が進んでゆくと、ウェーハWと研磨パッド13との摩擦によって、研磨パッド13の表面温度は上昇することになる。
赤外線式温度計50によって検出された研磨パッド13の表面温度は、リアルタイムで制御装置80に送られる。そして、1枚目のウェーハWの研磨が終了した時点で、制御装置80に含まれる処理部(図示しない)によって、研磨パッド13の表面温度の温度カーブの近似式が作成される(ステップS2)。そして、作成された温度カーブの近似式を利用して、研磨パッド13の表面温度が時間積分される(ステップS3)。ここでの積分時間は、前述のとおり、研磨パッド13の表面温度が50℃以上である期間だけで良い。これにより、1枚目のウェーハWの研磨によって研磨パッド13に蓄積された蓄積温度a1(℃sec)が算出される。
1枚目のウェーハWの研磨によって研磨パッド13に蓄積された蓄積温度a1(℃sec)は、記憶装置90に記憶されるとともに、積算蓄積温度A1とみなされる。なお、研磨が終了した1枚目のウェーハWは、速やかに研磨ヘッド20から取り外され、事前に定められた箇所に搬送される。
次に、研磨パッド13に蓄積された積算蓄積温度A1は、事前に設定された積算限界温度(℃sec)と比較される(ステップS4)。そして、積算蓄積温度A1(℃sec)が積算限界温度(℃sec)を超えていなければ(ステップS4のNo)、研磨ヘッド20のリテーナリング22の内側に2枚目の300mmウェーハWが供給され、次のウェーハWの研磨が開始される。
2枚目のウェーハWは、1枚目のウェーハWと同じ要領で研磨され、そのうえで、蓄積温度a2(℃sec)が算出される。従って、ここでは説明を割愛することとする。
2枚目のウェーハWの研磨によって研磨パッド13に蓄積された蓄積温度a2(℃sec)は、記憶装置90に記憶されるとともに、1枚目のウェーハWの研磨によって研磨パッド13に蓄積された積算蓄積温度A1(℃sec)に積算される。従って、2枚目のウェーハWの研磨が終了すると、1枚目のウェーハWの研磨による蓄積温度a1(℃sec)と、2枚目のウェーハWの研磨による蓄積温度a2(℃sec)との積算である積算蓄積温度A2(℃sec)が算出される。すなわち、2枚目のウェーハWの研磨が終了した時点では、トータルで積算蓄積温度A2(℃sec)が研磨パッド13に蓄積されたことになる。
次に、研磨パッド13に蓄積された積算蓄積温度A2(℃sec)は、事前に設定された積算限界温度(℃sec)と比較される(ステップS4)。そして、積算蓄積温度A2(℃sec)が積算限界温度(℃sec)を超えていなければ(ステップS4のNo)、研磨ヘッド20のリテーナリング22の内側に3枚目の300mmウェーハWが供給され、次のウェーハWの研磨が開始される。
このように、本実施形態における300mmウェーハWの研磨工程では、以上のような手続きが繰り返される。すなわち、n枚目のウェーハWの研磨が終了すると、1枚目〜n枚目のウェーハWの研磨によって研磨パッド13に蓄積された蓄積温度a1〜an(℃sec)の積算である積算蓄積温度An(℃sec)が算出される。
これまでは、積算蓄積温度(℃sec)が積算限界温度(℃sec)を超えていない場合について説明してきたが、300mmウェーハWの研磨では、前述のように、ウェーハ1枚ごとに確実に研磨パッド13に蓄積温度(℃sec)が蓄積される。従って、ウェーハWの研磨枚数が増加していくと、いずれは、積算蓄積温度(℃sec)が積算限界温度(℃sec)を超えることになる。
例えば、n+1枚目のウェーハWの研磨が終了した時点での積算蓄積温度An+1(℃sec)が積算限界温度(℃sec)を超えていたら(ステップS4のYes)、研磨パッド13の劣化が進んだものと判断され、報知装置70によってアラームなどが鳴らされる。そして、アラームが鳴ったら、作業者は、研磨パッド13の交換を行う(ステップS5)。
(本実施形態による作用)
本実施形態では、研磨パッド13に蓄積した積算蓄積温度(℃sec)が積算限界温度(℃sec)を超えた時点で、研磨パッド13が新しいものと交換される。そのため、温度蓄積によって劣化した研磨パッド13が使用されないから、ウェーハWにマイクロスクラッチなどの欠陥が発生しにくくなり、結果として、製品歩留まりの低下を防止できる。
(本実施形態による作用)
本実施形態では、研磨パッド13に蓄積した積算蓄積温度(℃sec)が積算限界温度(℃sec)を超えた時点で、研磨パッド13が新しいものと交換される。そのため、温度蓄積によって劣化した研磨パッド13が使用されないから、ウェーハWにマイクロスクラッチなどの欠陥が発生しにくくなり、結果として、製品歩留まりの低下を防止できる。
本実施形態では、研磨パッド13に蓄積された積算蓄積温度(℃sec)が積算限界温度(℃sec)を超えると、報知装置70によってアラームが鳴らされる。そのため、作業者は、研磨パッド13の交換作業を確実に行うことができる。
さらに、赤外線式温度計50を追加するだけであるため、従来から存在するCMP装置にも、簡単に導入することが可能である。
本実施形態において、赤外線式温度計50は、研磨パッド13の表面における規定位置P、すなわち研磨ヘッド20の近傍であって、かつ、研磨ヘッド20を基準として研磨テーブル10の回転方向の下流となる位置の表面温度を検出している。そのため、ウェーハWとの摩擦によって上昇した研磨パッド13の表面温度がほとんどリアルタイムに検出されるから、研磨パッド13に蓄積される蓄積温度(℃sec)が非常に正確に算出される。その結果、製品歩留まりが低下しはじめる直前まで研磨パッド13を利用することが可能となるから、研磨パッド13の有効利用が実現され、結果として、製造コストが低下することになる。
次に、図9を参照しながら、本実施形態の変形例について説明する。ここでは、前記実施形態と同じ構成・作用については、その説明を省略することとする。
図9は本発明の同実施形態の変形例にかかる300mmウェーハの研磨作業の流れ図である。図9に示すように、本変形例におけるウェーハの研磨工程は、前記実施形態におけるウェーハの研磨工程に含まれていたステップS2、すなわち温度カーブの近似式を作成するステップを含んでいない。このように、温度カーブの近似式を作成しなくても、制御装置80によって、研磨パッド13の表面温度から直接的に積算蓄積温度を算出しても、前記実施形態と同等の効果が得られる。
さらに、前記実施形態では、研磨パッド13の交換時期を見極めるために、研磨パッド13の表面温度の時間積分を利用していたが、例えば、研磨パッド13の表面温度が50℃以上となったウェーハWの枚数と、研磨パッド13の最高温度との乗積を利用して交換時期を見極めても良い。
すなわち、本発明では、研磨パッド13の交換時期の見極めに、研磨パッド13に蓄積される温度情報を利用することが重要であって、温度情報の種類としては、全く限定されるものではない。
また、研磨パッド13の表面温度が50℃以上となっている時間(sec)の積算を利用して交換時期を見極めても良い。
さらに、本実施形態では、ウェーハWが1枚ずつ研磨されている。しかしながら、たとえ複数枚であっても、研磨パッド13に蓄積される温度情報によって研磨パッド13の交換時期を特定することが可能である。従って、本発明は、複数の研磨ヘッド20を備えたCMP装置にも適用可能である。
なお、本実施形態では、研磨対象として、ウェーハWに作り込まれたトランジスタ上の層間絶縁膜が想定されているが、研磨パッドによって研磨されるものであれば、例えばカッパー(Cu)膜やタングステン(W)膜であっても良い。
さらに、本発明は、本実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施段階で適宜の変更・追加・削除などが可能である。例えば、本実施形態では、特定の温度として、すなわち研磨パッド13が熱的に劣化する温度の閾値として、「50(℃)」が採用されているが、研磨パッドの材質や溝の形状、ウェーハのサイズ、研磨対象の材質などに応じて適切な温度を採用する。また、本実施形態では、交換サインの報知形態として、モニタ表示やアラームなどが挙げられているが、ウェーハWの研磨停止であっても構わない。
以上の実施形態から、以下の研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法が得られる。
[付記1]
研磨パッドが貼り付けられた、回転するテーブルと、
研磨対象を前記研磨パッドに押圧して、当該研磨対象の表面を研磨する研磨ヘッドと、
前記研磨対象を研磨している最中に、前記研磨パッドの温度を検出する検出装置と、
前記検出装置によって検出される研磨パッドの温度に基づき、前記研磨対象を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する算出装置と、
前記算出装置によって算出された温度情報に基づき、前記研磨パッドの交換時期を報知する報知装置とを備えることを特徴とする記載された研磨装置。(1)
[付記2]
供給される前記研磨対象を研磨するたびに前記研磨パッドに蓄積される研磨別温度情報を記憶する記憶装置をさらに備え、
前記算出装置は、前記記憶装置に記憶された複数の前記研磨別温度情報を積算して前記温度情報とすることを特徴とする請求項1に記載された研磨装置。(2)
[付記3]
前記温度情報は、前記研磨パッドの温度が所定温度以上となっている期間における、当該研磨パッドの温度の時間積分であることを特徴とする付記1又は2に記載された研磨装置。(3)
[付記4]
前記温度情報は、前記研磨パッドの温度が所定温度以上となった研磨対象の個数と、前記研磨対象を研磨している最中の前記研磨パッドの最高温度との乗積であることを特徴とする付記1又は2に記載された研磨装置。
研磨パッドが貼り付けられた、回転するテーブルと、
研磨対象を前記研磨パッドに押圧して、当該研磨対象の表面を研磨する研磨ヘッドと、
前記研磨対象を研磨している最中に、前記研磨パッドの温度を検出する検出装置と、
前記検出装置によって検出される研磨パッドの温度に基づき、前記研磨対象を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する算出装置と、
前記算出装置によって算出された温度情報に基づき、前記研磨パッドの交換時期を報知する報知装置とを備えることを特徴とする記載された研磨装置。(1)
[付記2]
供給される前記研磨対象を研磨するたびに前記研磨パッドに蓄積される研磨別温度情報を記憶する記憶装置をさらに備え、
前記算出装置は、前記記憶装置に記憶された複数の前記研磨別温度情報を積算して前記温度情報とすることを特徴とする請求項1に記載された研磨装置。(2)
[付記3]
前記温度情報は、前記研磨パッドの温度が所定温度以上となっている期間における、当該研磨パッドの温度の時間積分であることを特徴とする付記1又は2に記載された研磨装置。(3)
[付記4]
前記温度情報は、前記研磨パッドの温度が所定温度以上となった研磨対象の個数と、前記研磨対象を研磨している最中の前記研磨パッドの最高温度との乗積であることを特徴とする付記1又は2に記載された研磨装置。
[付記5]
前記検出装置は、前記研磨パッドのうち、前記研磨ヘッドを基準として前記テーブルの回転方向の下流となる部位の温度を検出することを特徴とする付記1乃至4に記載された研磨装置。
前記検出装置は、前記研磨パッドのうち、前記研磨ヘッドを基準として前記テーブルの回転方向の下流となる部位の温度を検出することを特徴とする付記1乃至4に記載された研磨装置。
[付記6]
前記研磨パッドは、熱可塑性のポリウレタンで形成されていることを特徴とする付記1乃至5に記載された研磨装置。
前記研磨パッドは、熱可塑性のポリウレタンで形成されていることを特徴とする付記1乃至5に記載された研磨装置。
[付記7]
前記研磨対象は、半導体装置であることを特徴とする付記1乃至6に記載された研磨装置。
前記研磨対象は、半導体装置であることを特徴とする付記1乃至6に記載された研磨装置。
[付記8]
前記研磨対象は、300mm以上の直径を有するウェーハであることを特徴とする付記1乃至7に記載された研磨装置。
前記研磨対象は、300mm以上の直径を有するウェーハであることを特徴とする付記1乃至7に記載された研磨装置。
[付記9]
研磨対象を研磨パッドに摩擦して、当該研磨対象の表面を研磨する工程と、
前記研磨対象を研磨している最中に、前記研磨パッドの温度を検出する工程と、
前記研磨パッドの温度に基づき、前記研磨対象を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する工程と、
前記研磨パッドに蓄積された温度情報に基づき、前記研磨パッドを交換する工程とを備えることを特徴とする研磨方法。(4)
[付記10]
基板に形成された膜を研磨パッドに摩擦して、当該膜の表面を研磨する研磨工程を含んだ半導体装置の製造方法において、
前記研磨工程は、
前記膜を研磨している最中に、前記研磨パッドの温度を検出する工程と、
前記研磨パッドの温度に基づき、前記膜を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する工程と、
前記研磨パッドに蓄積された温度情報に基づき、前記研磨パッドを交換する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。(5)
研磨対象を研磨パッドに摩擦して、当該研磨対象の表面を研磨する工程と、
前記研磨対象を研磨している最中に、前記研磨パッドの温度を検出する工程と、
前記研磨パッドの温度に基づき、前記研磨対象を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する工程と、
前記研磨パッドに蓄積された温度情報に基づき、前記研磨パッドを交換する工程とを備えることを特徴とする研磨方法。(4)
[付記10]
基板に形成された膜を研磨パッドに摩擦して、当該膜の表面を研磨する研磨工程を含んだ半導体装置の製造方法において、
前記研磨工程は、
前記膜を研磨している最中に、前記研磨パッドの温度を検出する工程と、
前記研磨パッドの温度に基づき、前記膜を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する工程と、
前記研磨パッドに蓄積された温度情報に基づき、前記研磨パッドを交換する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。(5)
11…定盤(テーブル)、13…研磨パッド、20…研磨ヘッド、50…赤外線式温度計(検出装置)、70…報知装置、80…制御装置(算出装置)、90…記憶装置、an…蓄積温度(研磨別温度情報)、An…積算蓄積温度、P…規定位置(部位)、W…ウェーハ(研磨対象)。
Claims (5)
- 研磨パッドが貼り付けられた、回転するテーブルと、
研磨対象を前記研磨パッドに押圧して、当該研磨対象の表面を研磨する研磨ヘッドと、
前記研磨対象の研磨工程における前記研磨パッドの温度を検出する検出装置と、
前記検出装置によって検出される前記研磨パッドの温度に基づき、前記研磨対象を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する算出装置と、
前記算出装置によって算出された前記温度情報に基づき、前記研磨パッドの交換時期を報知する報知装置と、
を備えることを特徴とする記載された研磨装置。 - 供給される前記研磨対象を研磨するたびに前記研磨パッドに蓄積される研磨別温度情報を記憶する記憶装置をさらに備え、
前記算出装置は、前記記憶装置に記憶された複数の前記研磨別温度情報を積算して前記温度情報とすることを特徴とする請求項1に記載された研磨装置。 - 前記温度情報は、前記研磨パッドの温度が所定温度以上となっている期間における、当該研磨パッドの温度の時間積分であることを特徴とする請求項1又は2に記載された研磨装置。
- 研磨対象を研磨パッドに押圧して、当該研磨対象の表面を研磨する工程と、
前記研磨対象の研磨工程における前記研磨パッドの温度を検出する工程と、
前記研磨パッドの温度に基づき、前記研磨対象を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する工程と、
前記研磨パッドに蓄積された前記温度情報に基づき、前記研磨パッドを交換する工程と、
を備えることを特徴とする研磨方法。 - 基板に形成された膜を研磨パッドに押圧して、当該膜の表面を研磨する研磨工程を含んだ半導体装置の製造方法において、
前記研磨工程は、
前記膜の前記研磨工程における前記研磨パッドの温度を検出する工程と、
前記研磨パッドの温度に基づき、前記膜を研磨することで前記研磨パッドに蓄積される温度情報を算出する工程と、
前記研磨パッドに蓄積された温度情報に基づき、前記研磨パッドを交換する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006247311A JP2008068338A (ja) | 2006-09-12 | 2006-09-12 | 研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006247311A JP2008068338A (ja) | 2006-09-12 | 2006-09-12 | 研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008068338A true JP2008068338A (ja) | 2008-03-27 |
Family
ID=39290391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006247311A Withdrawn JP2008068338A (ja) | 2006-09-12 | 2006-09-12 | 研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008068338A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104191352A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-12-10 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种提高抛光垫使用寿命的单晶硅晶圆片抛光方法 |
JP2015060985A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 信越半導体株式会社 | 研磨パッドの評価方法及びウェーハの研磨方法 |
WO2016048043A1 (ko) * | 2014-09-23 | 2016-03-31 | 영창케미칼 주식회사 | 화학적 기계적 연마용 연마패드의 그루브 측정 장치 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 장치 |
KR20160072320A (ko) * | 2014-12-12 | 2016-06-23 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 |
CN107414645A (zh) * | 2017-08-01 | 2017-12-01 | 安徽省鑫林电器科技有限公司 | 一种定位精确的电视机外壳加工装置 |
WO2022015441A1 (en) * | 2020-07-14 | 2022-01-20 | Applied Materials, Inc. | Methods of detecting non-conforming substrate processing events during chemical mechanical polishing |
KR102509105B1 (ko) * | 2022-01-26 | 2023-03-10 | 케이피엑스케미칼 주식회사 | 웨이퍼의 화학 기계적 연마장치 |
-
2006
- 2006-09-12 JP JP2006247311A patent/JP2008068338A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015060985A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 信越半導体株式会社 | 研磨パッドの評価方法及びウェーハの研磨方法 |
CN104191352A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-12-10 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种提高抛光垫使用寿命的单晶硅晶圆片抛光方法 |
WO2016048043A1 (ko) * | 2014-09-23 | 2016-03-31 | 영창케미칼 주식회사 | 화학적 기계적 연마용 연마패드의 그루브 측정 장치 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 장치 |
KR20160072320A (ko) * | 2014-12-12 | 2016-06-23 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 |
KR102083607B1 (ko) * | 2014-12-12 | 2020-04-16 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 |
CN107414645A (zh) * | 2017-08-01 | 2017-12-01 | 安徽省鑫林电器科技有限公司 | 一种定位精确的电视机外壳加工装置 |
WO2022015441A1 (en) * | 2020-07-14 | 2022-01-20 | Applied Materials, Inc. | Methods of detecting non-conforming substrate processing events during chemical mechanical polishing |
US20220016739A1 (en) * | 2020-07-14 | 2022-01-20 | Applied Materials, Inc. | Methods of detecting non-conforming substrate processing events during chemical mechanical polishing |
US12036635B2 (en) * | 2020-07-14 | 2024-07-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of detecting non-conforming substrate processing events during chemical mechanical polishing |
KR102509105B1 (ko) * | 2022-01-26 | 2023-03-10 | 케이피엑스케미칼 주식회사 | 웨이퍼의 화학 기계적 연마장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9144878B2 (en) | Polishing apparatus and wear detection method | |
TWI511839B (zh) | 用於經改良的研磨墊外形之閉迴路控制 | |
US20170252889A1 (en) | Polishing apparatus | |
JP2008068338A (ja) | 研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法 | |
TWI614802B (zh) | 晶圓研磨方法及研磨裝置 | |
JPH11207572A (ja) | 研磨パッドの摩耗監視手段を組み込んだ研磨装置及びその操作方法 | |
JP2004243518A (ja) | 研摩装置 | |
JP2018015890A (ja) | 基板の表面を研磨する装置および方法 | |
US20100255757A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
TWI271264B (en) | Determination method for life/quality of polishing pad or the like, conditioning method of polishing pad, polishing device, semiconductor device and its manufacturing method | |
CN106217234A (zh) | 用于抛光衬底的系统和方法 | |
JP2006066891A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2005347568A (ja) | 基板研磨方法及び基板研磨装置 | |
KR101767059B1 (ko) | 화학 기계적 기판 연마장치 | |
US20160167191A1 (en) | Single side polishing apparatus for wafer | |
KR101342063B1 (ko) | 벨트형 연마패드 | |
JP3824345B2 (ja) | 研磨方法および研磨装置 | |
TWI528441B (zh) | 晶圓硏磨方法以及晶圓硏磨裝置 | |
JP2003019657A (ja) | ドレッシング方法及び研磨装置 | |
JP5218892B2 (ja) | 消耗材の評価方法 | |
JP2005081461A (ja) | ウェハ等の研磨方法およびその装置 | |
JP2001088008A (ja) | 研磨方法とその装置 | |
CN112207634A (zh) | 在线检测抛光垫下方气泡的方法 | |
JP2006102830A (ja) | 研磨方法 | |
KR20060072166A (ko) | 화학 기계적 연마 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080731 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090625 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20101201 |