JP2006066891A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006066891A JP2006066891A JP2005200309A JP2005200309A JP2006066891A JP 2006066891 A JP2006066891 A JP 2006066891A JP 2005200309 A JP2005200309 A JP 2005200309A JP 2005200309 A JP2005200309 A JP 2005200309A JP 2006066891 A JP2006066891 A JP 2006066891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- substrate
- time
- main surface
- load
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】 半導体基板13の周縁部を研磨するための基板処理方法であって、基板13の周縁部の主面に研磨機構20の研磨面を接触・加圧させ、基板13をモータ12により回転させることにより主面を研磨しながら、主面の研磨状態をモニタすることにより該主面の研磨終点を検出し、研磨終点が検出されたら、主面の研磨を終了すると共に、該研磨終了時点で決まる主面の研磨時間に基づいて、次に研磨すべき主面以外の面に対する研磨時間を設定し、設定された研磨時間に応じて主面以外の面を研磨する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に使用した基板処理装置を示す概略構成図である。
本発明の第2実施形態は、モータの負荷信号から研磨異常の検知と研磨終点の補正を行う方法である。基板処理装置としては、第1の実施形態と同様に前記図1に示す構造のものを用いた。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。本実施形態では、研磨面に砥粒を固着させた研磨テープを用いたが、研磨面に不織布を用いて研磨するようにしてもよい。この場合、基板表面に純水の代わりに研磨剤を供給すればよい。研磨剤には薬液と遊離砥粒とが含まれ、薬液は基板の分子の結合を弱くする働きを有する。砥粒は不織布に半固定され、基板と不織布との相対運動により基板の分子が削り取られる。また、研磨テープに薬液を含浸させることも可能であり、薬液と研磨テープとを併用することも可能である。上述した実施形態では、基板周辺部の1箇所に研磨機構を設けて研磨するようにしたが、基板周辺部の複数箇所に研磨機構を設けて研磨するようにしてもよい。この場合も、回転駆動モータの負荷をモニタすることにより研磨終点の検出が可能である。
12 モータ
13 半導体基板
14 演算部
15 ノズル
20 研磨機構
21 研磨テープ
22 研磨ヘッド
31 Si基板
32 SiN膜
33 端面(主面)
34 上側斜面
35 下側斜面
41 研磨ヘッドが非接触の状態の時の負荷
42 研磨ヘッドが接触の状態の時の負荷
43 単位時間当たりの平均負荷
50 温度センサ
Claims (9)
- 半導体基板の周縁部を研磨するための基板処理方法であって、
前記基板の周縁部の主面に研磨機構の研磨面を接触・加圧させ、前記基板をモータにより回転させることによって前記主面を研磨する工程と、
前記主面の研磨状態をモニタすることにより該主面の研磨終点を検出する工程と、
前記研磨終点が検出されたら、前記主面の研磨を終了すると共に、該研磨終了時点で決まる前記主面の研磨時間に基づいて、次に研磨すべき前記主面以外の面に対する研磨時間を設定する工程と、
前記設定された研磨時間に応じて前記主面以外の面を研磨する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記主面は、前記基板の表面方向と略直交する基板周縁部の端面であり、前記主面以外の面は、前記基板周縁部で前記端面に隣接する上側斜面及び下側斜面であることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記主面の研磨終点を検出する工程として、前記モータの負荷をモニタし、単位時間当たりの平均負荷が所定値以上変化する点に基づいて研磨終点を検出することを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理方法。
- 平均負荷が所定値以上変化した点から所定時間が経過した点を前記主面の研磨終点時間とすることを特徴とする請求項3記載の基板処理方法。
- 半導体基板の周縁部を研磨するための基板処理方法であって、
前記基板の周縁部に研磨機構の研磨面を接触・加圧させ、前記基板をモータにより回転させることによって前記周縁部を研磨する工程と、
前記モータの負荷を連続的に又は断続的にモニタし、前記モータの単位時間当たりの平均負荷に対する負荷変動量を計測する工程と、
予め設定したしきい値と前記計測値とを比較し、前記計測値がしきい値を超えた場合に研磨異常として検知する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 半導体基板の周縁部を研磨するための基板処理方法であって、
前記基板の周縁部に研磨機構の研磨面を接触・加圧させ、前記基板をモータにより回転させることによって前記周縁部を研磨する工程と、
前記モータの負荷を連続的に又は断続的にモニタし、前記モータの単位時間当たりの平均負荷及び該平均負荷に対する負荷変動量を計測する工程と、
前記平均負荷が所定値以上変化する負荷変化点を検出する工程と、
前記負荷変化点と前記負荷変動量に基づいて、前記基板周縁部の研磨終点時間を決定する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記負荷変化点から所定時間が経過した点を研磨終点時間とし、前記所定時間を前記負荷変動量に比例して変動させることを特徴とする請求項6記載の基板処理方法。
- 半導体基板の周縁部を研磨するための基板処理装置であって、
前記基板を回転させるモータと、
前記基板の周縁部の主面に研磨面を接触・加圧させて該主面を研磨する研磨機構と、
前記周縁部の研磨時間を演算する演算部とを備え、
前記演算部は、
前記主面の研磨状態をモニタすることにより前記主面の研磨終点を検出し、
前記主面の研磨に要した研磨時間を演算し、
前記主面の研磨時間に基づいて、次に研磨すべき前記主面以外の面に対する研磨時間を設定するように構成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記研磨機構は、前記研磨面を有する研磨テープと、前記研磨テープを基板周縁部に対して押圧する研磨ヘッドとを有することを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005200309A JP2006066891A (ja) | 2004-07-26 | 2005-07-08 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004217572 | 2004-07-26 | ||
JP2005200309A JP2006066891A (ja) | 2004-07-26 | 2005-07-08 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006066891A true JP2006066891A (ja) | 2006-03-09 |
Family
ID=36113031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005200309A Pending JP2006066891A (ja) | 2004-07-26 | 2005-07-08 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006066891A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009004765A (ja) * | 2007-05-21 | 2009-01-08 | Applied Materials Inc | 基板研磨のためにローリングバッキングパッドを使用する方法及び装置 |
JP2009532210A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の縁部を研摩するための方法及び装置 |
US7621799B2 (en) | 2006-08-08 | 2009-11-24 | Sony Corporation | Polishing method and polishing device |
US9248543B2 (en) | 2012-09-24 | 2016-02-02 | Ebara Corporation | Method of detecting abnormality in polishing of a substrate and polishing apparatus |
JP2018039069A (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法、研磨装置、およびプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2018114559A (ja) * | 2017-01-16 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63185574A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-01 | Kyushu Denshi Kinzoku Kk | 半導体ウエハの研磨制御装置 |
JPH08236486A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 半導体ウェーハの面取り方法およびその装置 |
JPH10312981A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-11-24 | Nec Corp | 金属膜の研磨方法及びその研磨装置 |
JP2001351889A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板研磨方法 |
JP2004103825A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 半導体ウエハエッジ研磨装置及び方法 |
-
2005
- 2005-07-08 JP JP2005200309A patent/JP2006066891A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63185574A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-01 | Kyushu Denshi Kinzoku Kk | 半導体ウエハの研磨制御装置 |
JPH07100297B2 (ja) * | 1987-01-27 | 1995-11-01 | 九州電子金属株式会社 | 半導体ウエハの研磨制御装置 |
JPH08236486A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 半導体ウェーハの面取り方法およびその装置 |
JPH10312981A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-11-24 | Nec Corp | 金属膜の研磨方法及びその研磨装置 |
JP2001351889A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板研磨方法 |
JP2004103825A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 半導体ウエハエッジ研磨装置及び方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009532210A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の縁部を研摩するための方法及び装置 |
US7621799B2 (en) | 2006-08-08 | 2009-11-24 | Sony Corporation | Polishing method and polishing device |
JP2009004765A (ja) * | 2007-05-21 | 2009-01-08 | Applied Materials Inc | 基板研磨のためにローリングバッキングパッドを使用する方法及び装置 |
US9248543B2 (en) | 2012-09-24 | 2016-02-02 | Ebara Corporation | Method of detecting abnormality in polishing of a substrate and polishing apparatus |
US9782869B2 (en) | 2012-09-24 | 2017-10-10 | Ebara Corporation | Apparatus for detecting abnormality in polishing of a substrate |
US10343252B2 (en) | 2012-09-24 | 2019-07-09 | Ebara Corporation | Polishing apparatus for detecting abnormality in polishing of a substrate |
JP2018039069A (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法、研磨装置、およびプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2018114559A (ja) * | 2017-01-16 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7070479B2 (en) | Arrangement and method for conditioning a polishing pad | |
US7258600B1 (en) | Vacuum-assisted pad conditioning system | |
JP3949941B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および研磨装置 | |
TWI511839B (zh) | 用於經改良的研磨墊外形之閉迴路控制 | |
US10160088B2 (en) | Advanced polishing system | |
US20100255757A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
US7261832B2 (en) | Methods and apparatuses for monitoring and controlling mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies | |
US8065031B2 (en) | Polishing end point detection method utilizing torque change and device thereof | |
US6464824B1 (en) | Methods and apparatuses for monitoring and controlling mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies | |
JP2006066891A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2018134710A5 (ja) | ||
JP2017148931A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
US10875143B2 (en) | Apparatus and methods for chemical mechanical polishing | |
JP2009028856A (ja) | トルク変化を利用した研磨終端時点検知方法及びその装置 | |
JP2008068338A (ja) | 研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法 | |
JP5691843B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および化学機械研磨装置 | |
JP2004106123A (ja) | 研磨方法、cmp装置及び膜厚測定装置 | |
CN110732943A (zh) | 用于对基板的周缘部进行研磨的研磨装置及研磨方法 | |
JP2001260001A (ja) | 半導体装置の平坦化方法及びその装置 | |
JP2001009700A (ja) | ポリシング装置の研磨布寿命検出方法およびその装置 | |
JP2003188132A (ja) | 研磨レシピ決定方法 | |
US6932674B2 (en) | Method of determining the endpoint of a planarization process | |
JP2005057100A (ja) | 半導体基板の研磨方法及び研磨装置 | |
TW202335792A (zh) | 研磨裝置及研磨方法 | |
Daventure et al. | CmP Evaluation of Reusable Polishing Pad using Auxiliary Plate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101111 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110531 |