JPH08236486A - 半導体ウェーハの面取り方法およびその装置 - Google Patents

半導体ウェーハの面取り方法およびその装置

Info

Publication number
JPH08236486A
JPH08236486A JP6470095A JP6470095A JPH08236486A JP H08236486 A JPH08236486 A JP H08236486A JP 6470095 A JP6470095 A JP 6470095A JP 6470095 A JP6470095 A JP 6470095A JP H08236486 A JPH08236486 A JP H08236486A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamfering
semiconductor wafer
wheel
load
abnormality
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6470095A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Matsumoto
昌幸 松本
Kiyomasa Ota
清正 太田
Yoshiki Kitamura
芳樹 北村
Kazunari Takaishi
和成 高石
Kenichi Hirayama
賢一 平山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Silicon Corp, Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority to JP6470095A priority Critical patent/JPH08236486A/ja
Publication of JPH08236486A publication Critical patent/JPH08236486A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェーハの面取りでの安定した高収率を確保
すると同時に、切削条件の最適値を検出する。 【構成】 モータ14で駆動されて回転する面取りホイ
ール12を半導体ウェーハの外縁部に摺接させ、面取り
する。この間のモータ14の負荷を電流計17・電圧計
18で連続して測定し、制御装置16でその測定値のパ
ターンを検出する。さらに、制御装置16では、このパ
ターンを正常時と比較して面取り異常を検出し、対応し
た処理を行う。例えば面取りホイール12に異常がある
場合、ホイールの砥石面の自動ドレスを行う。ウェーハ
にチッピングが発生すると、ダイヤモンド砥石面の自動
ドレスと材料ロットのチェックを行う。ホイール回転数
の変動時は、モータ14の回転動作系をチェックする。
ウェーハの回転速度の変動時は、その回転速度をチェッ
クする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウェーハの面取
り方法およびその装置、詳しくは面取り装置の不調や材
料ウェーハの異常による面取り不良を予測し・防止する
ための半導体ウェーハの面取り技術に関する。
【0002】
【従来の技術】CZ法によるシリコン単結晶製造工程を
経てシリコン単結晶インゴットが作製される。このシリ
コン単結晶インゴットはウェーハ製造プロセスに移さ
れ、このプロセスでウェーハが作製される。すなわち、
育成されたインゴットは、抵抗率・結晶性の検査、ブロ
ック切断、外径研削、オリエンテーションフラット加
工、ウェーハ切断(スライシング)などが順次施され
る。スライシング後、ウェーハはその外縁部が面取り処
理(ベベリング)される。以降の取り扱いでのウェーハ
のカケ・チップ・クラウン発生などを防ぐためである。
【0003】この面取り工程にあって、従来は、例えば
ダイヤモンド砥石を使用してウェーハの外縁部を研削し
ていた。この場合、単に砥石またはウェーハの位置・回
転数を制御するのみであった。また、面取り不良の監視
は特別には行っておらず、例えば抜き取り、目視による
検査を行うのみであった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このため、研削に際し
て異常があっても、その場で認識することが出来ず、チ
ッピングやカケ等の不良を生む結果となっていた。さら
に、後工程に移行するまでこれらの異常に気付くことが
困難であり、面取り作業へのフィードバックが遅れ、多
くの不良を生み出していた。したがって、面取り不良の
救済が遅れ、後工程に大きな負担をかけていた。
【0005】
【発明の目的】そこで、本発明者らは、上記課題を解決
すべく検討を重ねた結果、シリコンウェーハの面取り工
程で使用される面取りホイールの駆動モータの負荷電流
−電圧特性値を検出・監視することにより、ウェーハの
面取り・切削状況を把握することとした。この結果、面
取りでの安定した高収率を確保すると同時に、切削条件
の最適値を検出することができる。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載した発明
は、面取りホイールを駆動回転させながら、この面取り
ホイールを半導体ウェーハの外縁部に摺接させることに
より、半導体ウェーハの外縁部の面取りを行う半導体ウ
ェーハの面取り方法において、半導体ウェーハの面取り
時、上記面取りホイールの回転負荷を連続的に測定し、
この測定データに基づいて面取りの異常を検出する半導
体ウェーハの面取り方法である。
【0007】請求項2に記載した発明は、上記面取りホ
イールの回転負荷の測定は、面取りホイールを駆動回転
するモータの負荷電流値および/または負荷電圧値を連
続的に採取して行う請求項1に記載の半導体ウェーハの
面取り方法である。
【0008】請求項3に記載した発明は、上記面取り異
常の検出を、モータの負荷電流値または負荷電圧値の変
化に基づいて行う請求項2に記載の半導体ウェーハの面
取り方法である。
【0009】請求項4に記載した発明は、上記検出した
面取り異常を除去する請求項1、請求項2または請求項
3のいづれか1項に記載の半導体ウェーハの面取り方法
である。
【0010】請求項5に記載した発明は、半導体ウェー
ハの外縁部に摺接する面取りホイールと、この面取りホ
イールの回転負荷を測定する負荷測定手段と、この測定
した回転負荷に基づいて面取り異常の発生を検出する異
常検出手段とを備えた半導体ウェーハの面取り装置であ
る。
【0011】請求項6に記載した発明は、上記半導体ウ
ェーハの面取り装置は上記面取りホイールを駆動回転す
るモータを備え、上記負荷測定手段ではこのモータの負
荷電流値および/または負荷電圧値を測定するととも
に、上記異常検出手段は測定した負荷電流値および/ま
たは負荷電圧値に基づいて面取り異常の発生を検出する
請求項5に記載の半導体ウェーハの面取り装置である。
【0012】請求項7に記載した発明は、上記異常検出
手段は負荷電流値または負荷電圧値の変化に基づいて面
取り異常の発生を検出する請求項6に記載の半導体ウェ
ーハの面取り装置である。
【0013】請求項8に記載した発明は、上記半導体ウ
ェーハの面取り装置であって、面取り異常を除去する除
去手段を備えた請求項5、請求項6または請求項7のい
づれか1項に記載の半導体ウェーハの面取り装置であ
る。
【0014】
【作用】請求項1に記載した発明では、面取りホイール
を駆動回転させながら、この面取りホイールを半導体ウ
ェーハの外縁部に摺接させる。この半導体ウェーハの面
取り時、面取りホイールの回転負荷を連続的に測定し、
この測定データに基づいて面取りの異常を検出する。例
えば面取り工程にあっても、外周研削、上面研削、下面
研削の順に加工を進めるが、このときの回転負荷には一
定のパターンが生じる。このパターンを比較することに
より面取りの異常を検出することとなる。
【0015】請求項2に記載した発明では、面取りホイ
ールの回転負荷として、面取りホイールを駆動回転する
モータの負荷電流値および/または負荷電圧値を用い
る。すなわち、面取り工程においてこれらのモータの負
荷を連続的に採取する。これらの値に基づいて面取りの
異常を検出するものである。
【0016】請求項3に記載した発明では、面取り工程
にて連続して採取したモータの負荷電流値または負荷電
圧値の変化に基づいて面取り異常の検出を行う。例えば
正常時の負荷電流値の変化と、採取したそれとを比較す
るものである。
【0017】請求項4に記載した発明では、上記のよう
にして検出した面取りの異常を除去する。例えば面取り
ホイールに異常がある場合、ウェーハにチッピングが発
生した場合、ホイール回転数が変動した場合、ワークの
回転速度が変動した場合などのそれぞれについて適切な
対応を行う。すなわち、例えば面取りホイールのダイヤ
モンド面の自動ドレス、ホイールのダイヤモンド面の自
動ドレスと材料ロットのチェック、モータの回転動作系
のチェック、ワークの回転数のチェックである。
【0018】請求項5に記載した発明では、面取りホイ
ールを半導体ウェーハの外縁部に摺接させて面取りを行
う。この面取り時、この面取りホイールの回転負荷を測
定し、測定した回転負荷に基づいて面取り異常の発生を
検出する。
【0019】請求項6に記載した発明に係る半導体ウェ
ーハの面取り装置では、面取りホイールをモータで駆動
回転して面取りを行う。そして、このモータに印加する
電流値および/または電圧値を測定し、測定値に基づい
て面取り異常の発生を検出する。面取りの異常とは、例
えば面取りホイールに異常がある場合、ウェーハにチッ
ピングが発生した場合、ホイール回転数が変動した場
合、ワークの回転速度が変動した場合などである。
【0020】請求項7に記載した発明では、このモータ
への負荷電流値または負荷電圧値の変化に基づいて面取
り異常の発生を検出する。
【0021】請求項8に記載した発明では、以上のよう
にして検出した面取り異常を除去する。面取り異常の内
容に対応した処理を行うものである。例えば面取りホイ
ールのダイヤモンド面の自動ドレス、ホイールのダイヤ
モンド面の自動ドレスと材料ロットのチェック、モータ
の回転動作系のチェック、ワークの回転数のチェックな
どである。これにより面取り異常を除去する。
【0022】
【実施例】以下、図を用いてこの発明の実施例を説明す
る。図1は、一実施例に係る面取り装置の概略構成を示
すシステム概要図である。図2〜図6はこの面取り装置
で採取したスピンドルモータからの負荷電流−電圧特性
値を示すグラフである。図7はこの面取り装置で連続運
転したときの収率を示したグラフである。
【0023】図1に示すように、この装置はウェーハを
切削位置に供給する供給機構11を有している。切削位
置ではウェーハは回転自在に支持されており、このウェ
ーハの外縁部を切削可能に面取りホイール12が設けら
れている。面取りホイール12はスピンドル13を中心
にして所定速度で駆動・回転される。面取りホイール1
2は公知のものが用いられており、例えばその外周部に
断面略コの字形状のダイヤモンド砥石を有している。
【0024】面取りホイール12を駆動するモータ14
の出力軸はタイミングベルト15でスピンドル13に連
係・接続されており、制御装置16からの指令信号に基
づいて制御・駆動されている。また、このモータ14に
は、その負荷電流・負荷電圧を検出するための電流計1
7・電圧計18が付設されている。これらの電流計17
・電圧計18の測定値は制御装置16に入力されてい
る。制御装置16は、例えばCPU・ROM・RAM・
I/Oなどを有して構成されている。
【0025】制御装置16は、面取りホイール12に近
接して設けられたドレス機構19の制御、および、モー
タ14の制御、さらに、ウェーハの回転機構の制御を行
う。すなわち、制御装置16は入力されたデータ(電流
値、電圧値)に基づいて面取りの異常を検出すると、例
えばドレス機構19を駆動して面取りホイール12のド
レッシングを行わせる。これにより面取り異常を解消す
るものである。
【0026】上記面取り装置においては、連続して供給
されるウェーハについて面取り加工を施しており、その
際、モータ14の負荷電流値・負荷電圧値を制御装置1
6では測定している。これにより、負荷電流値の経時的
変化を示す様々なパターンデータを得た。図2は、面取
りが正常に行われた場合のパターンデータを示してい
る。すなわち、ウェーハについてのオリエンテーション
フラットの加工からその外周の研削、次いでその上面研
削、さらにはその下面研削と、順次面取り加工が施され
ていくが、これらの加工工程の進捗状況に応じてモータ
14の負荷電流値も経時的に変化しているのである。
【0027】そして、一定条件の下で多数のウェーハの
面取り加工を行った際のデータに基づいて面取り異常時
の負荷電流値のパターンを解析した結果、以下の対応を
得た。すなわち、図3に示すパターンデータは面取りホ
イール12に異常がある場合を、図4に示すそれはウェ
ーハにチッピングが発生した場合を、図5に示すデータ
はホイール回転数が変動した場合を、図6に示すデータ
はウェーハ(ワーク)の回転速度が変動した場合に生じ
る変化を、それぞれ示している。
【0028】したがって、それぞれのパターンデータに
対する対処方法は、以下の如くになる。すなわち、面取
りホイール12に異常がある場合は、面取りホイール1
2のダイヤモンド砥粒面の自動ドレスを行う。これは制
御装置16によりドレス機構19を駆動して行う。ま
た、ウェーハにチッピングが発生した場合は、面取りホ
イール12のダイヤモンド砥粒面の自動ドレスととも
に、材料ロットのチェックを行う。また、面取りホイー
ル12の回転数が変動した場合は、スピンドル13の回
転動作系のチェックを行う。例えばタイミングベルト1
5、スピンドル13、芯ブレ、振動調査等を行う。さら
には、ウェーハ(ワーク)の回転速度が変動した場合
は、ウェーハの回転機構のチェック等を行う。なお、制
御装置16によって、これらのチェックなどが必要なこ
とを例えばモニタに表示するようにしてもよい。
【0029】換言すると、上記図2に示すパターンデー
タに基づいて面取りでの条件を制御することにより、面
取りの異常の発生を可能な限り抑止することができる。
そして、このようなデータに基づいて面取り装置を連続
運転したときの収率を図7に示した。この図から明らか
なように、この装置によれば、従来の面取りプロセスよ
りも安定した運転が可能である。
【0030】
【発明の効果】この発明によれば、面取り異常の発生を
未然に防止することができ、面取りでの安定した高収率
を確保することができる。同時に、面取りでの切削条件
の最適値を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例に係る面取り装置を示す概
略図である。
【図2】この発明の一実施例に係る負荷電流値の経時変
化を示すグラフである。
【図3】この発明の一実施例に係る面取り異常を示すグ
ラフである。
【図4】この発明の一実施例に係る面取り異常を示すグ
ラフである。
【図5】この発明の一実施例に係る面取り異常を示すグ
ラフである。
【図6】この発明の一実施例に係る面取り異常を示すグ
ラフである。
【図7】この発明の一実施例に係る面取り装置での面取
りの収率を示すグラフである。
【符号の説明】
12 面取りホイール 14 モータ 16 制御装置 17 電流計 18 電圧計 19 ドレス機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北村 芳樹 東京都千代田区大手町1丁目5番1号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 高石 和成 東京都千代田区大手町1丁目5番1号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 平山 賢一 東京都千代田区大手町1丁目5番1号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 面取りホイールを駆動回転させながら、
    この面取りホイールを半導体ウェーハの外縁部に摺接さ
    せることにより、半導体ウェーハの外縁部の面取りを行
    う半導体ウェーハの面取り方法において、 半導体ウェーハの面取り時、上記面取りホイールの回転
    負荷を連続的に測定し、 この測定データに基づいて面取りの異常を検出する半導
    体ウェーハの面取り方法。
  2. 【請求項2】 上記面取りホイールの回転負荷の測定
    は、面取りホイールを駆動回転するモータの負荷電流値
    および/または負荷電圧値を連続的に採取して行う請求
    項1に記載の半導体ウェーハの面取り方法。
  3. 【請求項3】 上記面取り異常の検出を、モータの負荷
    電流値または負荷電圧値の変化に基づいて行う請求項2
    に記載の半導体ウェーハの面取り方法。
  4. 【請求項4】 上記検出した面取り異常を除去する請求
    項1、請求項2または請求項3のいづれか1項に記載の
    半導体ウェーハの面取り方法。
  5. 【請求項5】 半導体ウェーハの外縁部に摺接する面取
    りホイールと、 この面取りホイールの回転負荷を測定する負荷測定手段
    と、 この測定した回転負荷に基づいて面取り異常の発生を検
    出する異常検出手段とを備えた半導体ウェーハの面取り
    装置。
  6. 【請求項6】 上記半導体ウェーハの面取り装置は上記
    面取りホイールを駆動回転するモータを備え、 上記負荷測定手段ではこのモータの負荷電流値および/
    または負荷電圧値を測定するとともに、上記異常検出手
    段は測定した負荷電流値および/または負荷電圧値に基
    づいて面取り異常の発生を検出する請求項5に記載の半
    導体ウェーハの面取り装置。
  7. 【請求項7】 上記異常検出手段は負荷電流値または負
    荷電圧値の変化に基づいて面取り異常の発生を検出する
    請求項6に記載の半導体ウェーハの面取り装置。
  8. 【請求項8】 上記半導体ウェーハの面取り装置であっ
    て、面取り異常を除去する除去手段を備えた請求項5、
    請求項6または請求項7のいづれか1項に記載の半導体
    ウェーハの面取り装置。
JP6470095A 1995-02-27 1995-02-27 半導体ウェーハの面取り方法およびその装置 Pending JPH08236486A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6470095A JPH08236486A (ja) 1995-02-27 1995-02-27 半導体ウェーハの面取り方法およびその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6470095A JPH08236486A (ja) 1995-02-27 1995-02-27 半導体ウェーハの面取り方法およびその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08236486A true JPH08236486A (ja) 1996-09-13

Family

ID=13265693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6470095A Pending JPH08236486A (ja) 1995-02-27 1995-02-27 半導体ウェーハの面取り方法およびその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08236486A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066891A (ja) * 2004-07-26 2006-03-09 Toshiba Corp 基板処理方法および基板処理装置
CN112129244A (zh) * 2020-09-21 2020-12-25 北京石晶光电科技股份有限公司 一种晶片倒角检测方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066891A (ja) * 2004-07-26 2006-03-09 Toshiba Corp 基板処理方法および基板処理装置
CN112129244A (zh) * 2020-09-21 2020-12-25 北京石晶光电科技股份有限公司 一种晶片倒角检测方法
CN112129244B (zh) * 2020-09-21 2022-05-06 北京石晶光电科技股份有限公司 一种晶片倒角检测方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8065031B2 (en) Polishing end point detection method utilizing torque change and device thereof
EP1126949A1 (en) Monitoring system for dicing saws
JP2009028856A (ja) トルク変化を利用した研磨終端時点検知方法及びその装置
US20040092209A1 (en) Apparatus for and method of wafer grinding
JPH08236486A (ja) 半導体ウェーハの面取り方法およびその装置
JPH09174383A (ja) 回転工具の異常検出方法および装置
JP6632132B2 (ja) 単結晶SiC基板の物性判別方法および単結晶SiC基板の製造方法
JPH0929630A (ja) 表面研削方法
US6198294B1 (en) In-situ backgrind wafer thickness monitor
JP4576503B2 (ja) 平面研削方法
JP3305732B2 (ja) 平面研削盤の制御方法
JPH11221760A (ja) 被加工材の割れ発生予知方法及びこれを利用したウエハの加工方法並びに研削盤
JPH08300347A (ja) 半導体単結晶棒のスライシング方法およびその装置
JP2004058185A (ja) 円筒研削方法及び装置
US20030109194A1 (en) Technique for noise reduction in a torque-based chemical-mechanical polishing endpoint detection system
JPH11198034A (ja) 研削加工方法及び研削盤
JP3401975B2 (ja) ダイシング方法
Beckage et al. Improved metal CMP endpoint control by monitoring carrier speed controller output or pad temperature
JPS59232749A (ja) ドリル加工監視装置
JPH06169013A (ja) ダイシング装置及びダイシング装置における切削制御方法
JP2000024919A (ja) ウエハの加工方法及び研削盤
JP3745536B2 (ja) 両頭平面研削装置
JP2565032Y2 (ja) 研削盤のドレスインターバル制御装置
JPS629867A (ja) 研削装置
JPH07241841A (ja) ダイシング装置及びダイシング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20011128