JP2007266235A - 研磨装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】終点検知モニタの膜厚検出精度を向上させて、被研磨面がより最適な状態となった時に、研磨を終了させることができるようにする。
【解決手段】トップリング3で保持した基板2の表面を、研磨テーブル1の表面を覆う研磨パッド4に摺接させて研磨する研磨装置において、研磨テーブル1及び研磨パッド4に該研磨テーブル1及び研磨パッド4を貫通して延びるセンサ孔30を設け、センサ孔30の内部に終点検知モニタ40のセンサ36を該センサ36のセンサヘッド34が研磨中の基板2に近接するように配置した。
【選択図】図1
【解決手段】トップリング3で保持した基板2の表面を、研磨テーブル1の表面を覆う研磨パッド4に摺接させて研磨する研磨装置において、研磨テーブル1及び研磨パッド4に該研磨テーブル1及び研磨パッド4を貫通して延びるセンサ孔30を設け、センサ孔30の内部に終点検知モニタ40のセンサ36を該センサ36のセンサヘッド34が研磨中の基板2に近接するように配置した。
【選択図】図1
Description
本発明は、研磨装置に関し、特に研磨の終点を検知する終点検知モニタを備え、半導体ウェーハ等の基板の表面に成膜した銅(Cu)、タングステン(W)、酸化膜またはバリヤ膜等の導電性膜を研磨するのに使用される研磨装置に関する。
近年、半導体ウェーハ等の基板上に回路を形成するための配線材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐性が高い銅(Cu)を用いる動きが顕著になっている。この種の銅配線は、基板の表面に設けた微細な配線用凹部の内部に銅を埋込むことによって一般に形成される。この銅配線を形成する方法としては、CVD、スパッタリング及びめっきといった手法があるが、いずれにしても、基板のほぼ全表面に銅膜を成膜して、化学機械的研磨(CMP)により配線用凹部の内部以外の不要な銅膜を研磨するようにしている。
この不要の銅膜をCMPにより研磨する場合、不要の銅膜が所定の量だけ研磨されたことを検知したり、完全に研磨されたことを検知したりする必要がある。このため、例えば、渦電流式終点検知モニタ等の終点検知モニタで研磨の終点を研磨中に検知することが広く行われている。
図4は、渦電流式終点検知モニタを備えた研磨装置の一例を示す。この研磨装置は、研磨テーブル1と、半導体ウェーハ等の基板2を保持しつつ研磨テーブル1に向けて押圧するトップリング3を具備している。研磨テーブル1は、モータ7に連結されており、その軸心回わりに回転する。また、研磨テーブル1の上面には、研磨パッド4が貼設されている。
トップリング3は、モータ(図示せず)に連結されるとともに、昇降シリンダ(図示せず)に連結されている。これによって、トップリング3は、矢印で示すように昇降して、基板2を研磨パッド4に対して任意の圧力で押圧し、その軸心回わりに回転する。トップリング3はトップリングシャフト8に連結されており、その下面にポリウレタン等の弾性マットや圧力室を形成する弾性膜9を備えている。トップリング3の下部外周部には、基板2の外れ止めを行うガイドリング6が設けられている。研磨テーブル1の上方には、研磨テーブル1に貼設された研磨パッド4上に研磨液Qを供給する研磨液供給ノズル5が配置されている。
これにより、基板2をトップリング3の下面の弾性マットや圧力室を形成する弾性膜9の下部に保持し、研磨テーブル1上の研磨パッド4に、基板2をトップリング3によって押圧するとともに、研磨テーブル1及びトップリング3を回転させ、研磨パッド4と基板2を相対運動させて基板2の表面を研磨する。このとき、研磨液供給ノズル5から研磨パッド4上に研磨液Qを供給する。研磨液Qは、例えば銅膜を研磨する場合は、酸化剤にアルミナやシリカといった微粒子からなる砥粒を懸濁したものを用い、銅表面を化学反応で酸化させながら、砥粒による機械的研磨作用との複合作用によって基板の表面の銅膜を研磨する。
研磨テーブル1の内部には、センサコイルに高周波電流を流して基板2の被研磨面に渦電流を生じさせる渦電流センサ10が埋め込まれている。渦電流センサ10の配線14は、研磨テーブル1及び研磨テーブル支持軸1a内を通り、研磨テーブル支持軸1aの軸端に設けられたロータリコネクタ11を経由してコントローラ12に接続されている。コントローラ12は表示装置13に接続されている。これによって、渦電流式終点検知モニタ20が構成されている。ロータリコネクタ11の代わりにスリップリングを用いることができる。
この渦電流式終点検知モニタ20によれば、基板2に形成されて研磨される銅膜等の導電性膜の膜厚の変化を、渦電流を介して渦電流センサ10で検出し、渦電流センサ10の信号をモニタして、不要の銅膜等の導電成膜が所定の量だけ研磨されたり、不要な銅膜等の導電性膜が基板から完全に除去されたときの周波数変化により研磨の終点を検出することができる。
従来の一般的な渦電流式終点検知モニタの渦電流センサにおけるスポット径は、約20mm以上であり、図5に示すように、1点当りの検出モニタ領域M1が一般に広く、広範囲の領域を平均化した残膜結果しか得られなかった。このため、残膜有無の検出精度およびプロファイルコントロールの精度に限界があり、特に、図5に示すように、研磨後の基板のエッジ部E1における膜厚のばらつきに対応できなかった。これは、基板上に成膜した銅膜等の導電成膜を研磨する際、基板のエッジ部は境界領域となって、ここに成膜される膜の膜厚が他の場所に成膜される膜の膜厚に比べて変化し易いためである。また、基板の一部に残った、6mm幅以下の残膜の検出が一般に困難で、基板上への膜の成膜状態、あるいは膜の研磨条件の変動などにより、本来研磨すべき膜が基板の一部に残ってしまうことがあった。
なお、渦電流センサにおけるスポット径が広いのは、センサコイル径が大きいためである。これを解決するため、渦電流センサのセンサコイル径を小さくし、膜厚の検出モニタ領域を小さくすることが考えられる。しかし、渦電流センサで膜厚が検出できる該渦電流センサから膜までの距離は、センサコイル径と相関関係があるため、センサコイル径を小さくすると、渦電流センサと基板との間には研磨パッドが存在することから、渦電流が基板まで到達せず、膜厚が検出できなくなる。
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、終点検知モニタの膜厚検出精度を向上させて、被研磨面がより最適な状態となった時に、研磨を終了させることができるようにした研磨装置を提供することを目的とする。
請求項1に記載の発明は、トップリングで保持した基板の表面を、研磨テーブルの表面を覆う研磨パッドの研磨面に摺接させて研磨する研磨装置において、前記研磨テーブル及び前記研磨パッドに該研磨テーブル及び研磨パッドを貫通して延びるセンサ孔を設け、前記センサ孔の内部に終点検知モニタのセンサを該センサのセンサヘッドが研磨中の基板に近接するように配置したことを特徴とする研磨装置である。
これにより、研磨パッドの影響を軽減しつつ、センサヘッドを研磨中の基板により近づけることで、センサヘッドとして、センサコイル径が小さくスポット径が小さい小型のものを使用しても、基板に成膜した研磨中に膜の膜厚を検出できるようにすることができる。このように、小型でスポット径の小さなセンサヘッドを有するセンサを使用することで、終点検知モニタの膜厚検出精度を向上させることができる。この場合、センサ孔は研磨パッドの上面に開口するが、このセンサ孔の孔径を、研磨後における膜表面のプロフィールに影響を与えないように設定し、センサヘッドとして、このセンサ孔の孔径より小型のものを使用して、センサヘッドで膜厚が検出可能な距離までセンサヘッドを基板に近づけるようにすることが好ましい。
請求項2に記載の発明は、前記センサを、前記センサ孔の内部に該センサ孔に沿って移動自在に配置したことを特徴とする請求項1記載の研磨装置である。
センサヘッドの出力は、センサヘッドと基板との距離によって変動し、研磨パッドは、使用前の状態において厚さのばらつきを持っている。このため、研磨パッドの厚さを研磨パッド毎に測定し、研磨パッドの厚さに合わせて、センサをセンサ孔に沿って移動させることで、センサを最適な位置にセットすることができる。
センサヘッドの出力は、センサヘッドと基板との距離によって変動し、研磨パッドは、使用前の状態において厚さのばらつきを持っている。このため、研磨パッドの厚さを研磨パッド毎に測定し、研磨パッドの厚さに合わせて、センサをセンサ孔に沿って移動させることで、センサを最適な位置にセットすることができる。
請求項3に記載の発明は、前記研磨パッドの厚さを測定するパッド厚測定部を更に有することを特徴とする請求項2記載の研磨装置である。
研磨パッドは、研磨パッドのドレッシングと共に薄くなる場合があり、このように、研磨パッドが薄くなると、センサヘッドと基板との距離が変動する。このため、研磨パッドの厚さを定期的に測定し、その情報をフィードバックして、センサヘッドと基板との距離が常に一定となるようにセンサの位置を調整することで、センサヘッドの出力と残膜との相関関係を向上させることができる。
研磨パッドは、研磨パッドのドレッシングと共に薄くなる場合があり、このように、研磨パッドが薄くなると、センサヘッドと基板との距離が変動する。このため、研磨パッドの厚さを定期的に測定し、その情報をフィードバックして、センサヘッドと基板との距離が常に一定となるようにセンサの位置を調整することで、センサヘッドの出力と残膜との相関関係を向上させることができる。
請求項4に記載の発明は、前記終点検知モニタは、渦電流式またはマイクロ波エリプソ式であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の研磨装置である。
本発明によれば、センサヘッドを基板に近接させて配置し、センサヘッドとしてスポット径が小さな小型なものを使用することで、終点検知モニタの膜厚検出精度を向上させることができる。したがって、この終点検知モニタを備えることで、被研磨面がより最適な状態となった時に、研磨を終了させることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1及び図2は、終点検知モニタとして渦電流式終点検知モニタを使用した、本発明の実施の形態の研磨装置を示す。なお、図4に示す従来例と同一または相当する部材には、同一の符号を伏して、重複した説明を省略する。
図1及び図2に示すように、研磨テーブル1及び研磨パッド4には、研磨テーブル1を上下に貫通するテーブル孔1bと研磨パッド4を上下に貫通するパッド孔4aからなるセンサ孔30が互いに連続して設けられている。そして、このセンサ孔30の内部に、スリーブ32と該スリーブ32の内部に固着したセンサヘッド34を有する渦電流センサ36が、センサヘッド34の上部がスリーブ32から突出した状態で、昇降機構38を介して昇降自在に配置されている。そして、この渦電流センサ36の配線14は、研磨テーブル支持軸1aの軸端に設けられたロータリコネクタ11を経由してコントローラ12に接続されている。コントローラ12は表示装置13に接続されている。これによって、渦電流式終点検知モニタ40が構成されている。
ここに、パッド孔4aの孔径は、研磨後における膜表面のプロフィールに影響を与えない最小値に設定されている。そして、センサヘッド34として、例えばスポット径が1mmとなるようなセンサコイルを有する小型で円柱状のものが使用され、センサヘッド34は、この上端がパッド孔4aの内部に位置して、研磨時の基板2の表面(被研磨面)に近接するように配置されている。更に、この例では、スリーブ32として、その外径がパッド孔4aの孔径より小径のものを使用し、更に、テーブル孔1bの内径は、スリーブ32の外径より僅かに大きく、スリーブ32がテーブル孔1bの内部を摺動可能な大きさに設定されている。
このように、渦電流センサ36のセンサヘッド34の上端をパッド孔4a内に位置させて、センサヘッド34が研磨時の基板2の表面(被研磨面)に近接するように渦電流センサ36を配置することで、センサヘッド34として、センサコイル径が小さくスポット径が小さい小型のものを使用することができる。このように、小型でスポット径の小さなセンサヘッド34を有する渦電流センサ36を使用することで、渦電流式終点検知モニタ40の膜厚検出精度を向上させることができる。
つまり、この例にあっては、研磨パッド4の上面に開口するパッド孔4aの孔径を、研磨後における膜表面のプロフィールに影響を与えないように設定し、センサヘッド34として、このパッド孔4aの孔径より小型のものを使用して、センサヘッド34で膜厚が検出可能な距離までセンサヘッド34を基板2に近づけるようにしている。センサヘッド34と基板2との間隔は、研磨時に研磨パッド4がその弾性で変形しても、センサヘッド34が基板2に接触しない大きさになっている。パッド孔4aの孔径も同様に、研磨時に研磨パッド4がその弾性で変形しても、センサヘッド34が研磨パッド4に接触しない大きさになっている。
このセンサヘッド34は、耐薬品性を有する材料で一体に覆われており、これによって、センサヘッド34が研磨パッド4上に供給される研磨液Qに接触しても、センサヘッド34が研磨液Qの影響を受けて変質しないようになっている。また、パッド孔4aの内部に残留した研磨液Qは、例えばアトマイザにより除去されて、パッド孔4aの内部に研磨液が残留したり、固着したりすることはない。更に、研磨テーブル1の少なくともテーブル孔1bを有する部位及びスリーブ32は、テーブル孔1bの内部をスリーブ32が摺動しても、発塵しない材料で構成されている。
センサヘッド34の出力は、センサヘッド34と基板2との距離によって変動し、研磨パッド4は、使用前の状態において厚さのばらつきを持っている。このため、研磨パッド4の厚さを研磨パッド4毎に測定し、研磨パッド4の厚さに合わせて、渦電流センサ36を、昇降機構38を介してセンサ孔30に沿って移動(昇降)させることで、センサヘッド34と基板2とが最適な位置関係となるようにセットすることができる。
更に、この例では、研磨パッド4の厚さを測定するパッド厚測定部42が備えられ、このパッド厚測定部42からの出力信号は、昇降機構制御ユニット44に入力され、この昇降機構制御ユニット44からの出力は、ロータリコネクタ11を経由して昇降機構38に入力され、この入力信号で昇降機構38が制御されるようになっている。研磨パッド4は、研磨パッド4のドレッシングと共に薄くなる場合があり、研磨パッド4が薄くなると、センサヘッド34と基板2との距離が変動して、センサヘッド34の出力が変動する。このため、研磨パッド4の厚さをパッド厚測定部42で定期的に測定し、その情報をフィードバックして、渦電流センサ36の位置をセンサヘッド34と基板2との距離が常に一定となるように、昇降機構38を介して調整することで、センサヘッド34の出力と残膜との相関関係を向上させることができる。
この例にあっては、基板2をトップリング3の下面の弾性マットや圧力室を形成する弾性膜9の下部に保持し、研磨テーブル1上の研磨パッド4に、基板2をトップリング3によって押圧するとともに、研磨テーブル1及びトップリング3を回転させ、研磨パッド4と基板2を相対運動させて、基板2の表面の、例えば銅膜等の導電性膜を研磨する。このとき、研磨液供給ノズル5から研磨パッド4上に研磨液Qを供給する。研磨液Qは、例えば銅膜を研磨する場合は、酸化剤にアルミナやシリカといった微粒子からなる砥粒を懸濁したものを用い、銅表面を化学反応で酸化させながら、砥粒による機械的研磨作用との複合作用によって基板の表面の銅膜を研磨する。
この研磨時に、センサヘッド34のセンサコイルに高周波電流を流して基板2の被研磨面に渦電流を生じさせて、基板2に形成されて研磨される銅膜等の導電性膜の膜厚の変化を渦電流を介してセンサヘッド34で検出し、センサヘッド34の信号をモニタして、不要な銅膜等の導電性膜が所定の量だけ研磨されて、被研磨面が平坦化したり、不要な銅膜等の導電性膜が基板から完全に除去されたりした時の周波数変化により研磨の終点を検出する。
この例の渦電流センサ36のセンサヘッド34におけるスポット径は、例えば約1mmで、従来の一般的な渦電流センサおけるスポット径20mmの1/20以下である。このため、図3に示すように、1点当りの検出モニタ領域M2が狭くなって、残膜有無の検出精度およびプロファイルコントロールの精度が向上する。これによって、特に、研磨後の基板のエッジ部E2における膜厚のばらつきを少なくすることができる。また、基板の一部に残った、6mm幅以下の残膜の検出が可能となり、これによって、基板上への膜の成膜状態、あるいは膜の研磨条件の変動などにより、本来研磨すべき膜が基板の一部に残ってしまうことを防止することができる。
そして、例えば所定枚数の基板2に対する研磨を行った後に、研磨パッド4の厚さをパッド厚測定部42で定期的に測定し、その情報をフィードバックして、渦電流センサ36の位置を、昇降機構38を介して、センサヘッド34と基板2との距離が常に一定となるように調整する。
以上により、基板2上の微小領域の残膜測定が可能になり、基板2とセンサヘッド34との間の距離のばらつきの影響を受けない、安定した出力結果が得られるようになり、この渦電流式終点検知モニタ40を用いることで、残膜検出精度を向上させて、残膜管理精度を向上させることができる。つまり、被研磨面がより最適な状態となった時に、研磨を終了させることができる。
以上により、基板2上の微小領域の残膜測定が可能になり、基板2とセンサヘッド34との間の距離のばらつきの影響を受けない、安定した出力結果が得られるようになり、この渦電流式終点検知モニタ40を用いることで、残膜検出精度を向上させて、残膜管理精度を向上させることができる。つまり、被研磨面がより最適な状態となった時に、研磨を終了させることができる。
なお、上記の例では、終点検知モニタとして、渦電流式終点検知モニタに適用した例を示しているが、センサヘッドとして、基板に向けてマイクロ波を投光する投光素子と、基板から反射するマイクロ波を受光する受光素子とを備えたマイクロ波エリプソ式の終点検出モニタに適用することもできる。これによっても、研摩プロセスに影響を与えない程度で研摩パットにパッド孔(センサ孔)を開け、センサヘッドを研磨中の基板に近接させた位置に配置することで、センサヘッドとして、小型のものを使用して、基板表面の残膜に対する膜厚検出精度を向上させることができる。
1 研磨テーブル
1b テーブル孔
2 基板
3 トップリング
4 研磨パッド
4a パッド孔
5 研磨液供給ノズル
12 コントローラ
13 表示装置
30 センサ孔
32 スリーブ
34 センサヘッド
36 渦電流センサ
38 昇降機構
40 渦電流式終点検知モニタ
42 パッド厚測定部
44 昇降機構制御ユニット
1b テーブル孔
2 基板
3 トップリング
4 研磨パッド
4a パッド孔
5 研磨液供給ノズル
12 コントローラ
13 表示装置
30 センサ孔
32 スリーブ
34 センサヘッド
36 渦電流センサ
38 昇降機構
40 渦電流式終点検知モニタ
42 パッド厚測定部
44 昇降機構制御ユニット
Claims (4)
- トップリングで保持した基板の表面を、研磨テーブルの表面を覆う研磨パッドに摺接させて研磨する研磨装置において、
前記研磨テーブル及び前記研磨パッドに該研磨テーブル及び研磨パッドを貫通して延びるセンサ孔を設け、
前記センサ孔の内部に終点検知モニタのセンサを該センサのセンサヘッドが研磨中の基板に近接するように配置したことを特徴とする研磨装置。 - 前記センサを、前記センサ孔の内部に該センサ孔に沿って移動自在に配置したことを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
- 前記研磨パッドの厚さを測定するパッド厚測定部を更に有することを特徴とする請求項2記載の研磨装置。
- 前記終点検知モニタは、渦電流式またはマイクロ波エリプソ式であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006088276A JP2007266235A (ja) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006088276A JP2007266235A (ja) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | 研磨装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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KR101592211B1 (ko) * | 2014-03-03 | 2016-02-05 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 시스템의 웨이퍼 막두께 모니터링 장치 |
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-
2006
- 2006-03-28 JP JP2006088276A patent/JP2007266235A/ja not_active Withdrawn
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