JP6858036B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

この発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、または、フォトマスク用ガラス基板などの基板を処理液により処理する基板処理装置に関するものである。
従来より、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、または、フォトマスク用ガラス基板などの基板の製造工程において、純水、または、薬液などの処理液に基板を浸漬することによって基板を処理する浸漬型の基板処理装置が知られている。
浸漬型の基板処理装置は、基板の処理に用いる処理液を貯留するための処理槽を備える。そして、処理槽の中で、基板の洗浄処理などが行われる。
処理槽では、基板に対し均一な処理を行うために、処理槽内の処理液の濃度が制御される。その際、処理槽内の処理液の濃度を測定する方法として、処理液の濃度と処理液の比重との間に相関関係があることに着目して、処理液の比重を測定する方法がある（たとえば、特許文献１を参照）。
特開２００６−２３７２２８号公報
処理液の比重を測定する場合、処理液の比重と所定の深さにおける処理液の圧力との間に相関関係があることに着目して、所定の深さにおける処理液の圧力を測定する。この際、圧力を測定しようとする処理液の液面が不安定であると、処理液の圧力を高い精度で測定することが困難となる。
基板を処理する処理槽内の液面の位置は、基板の処理に用いられる処理液の流入および流出によって変動する。そのため、処理液の圧力を高い精度で測定することが困難であった。
また、処理槽内に貯留された処理液中のパーティクルを除去するために処理槽内に気泡を供給する場合には、液面の変動は大きなものとなり、処理液の圧力を高い精度で測定することがより困難であった。
この発明は、以上に記載されたような問題を解決するためになされたものであり、基板の処理に用いる処理液の圧力を高い精度で測定するための技術を提供することを目的とするものである。
本願明細書に開示される技術の第１の態様は、基板を処理するための処理液を貯留する第１の槽と、前記第１の槽の上部から溢れ出た前記処理液を、前記第１の槽の下部へ帰還させる第１の経路と、前記第１の経路から分岐する第２の経路と、前記第２の経路から流入した前記処理液を貯留する測定槽と、前記測定槽の上部から前記処理液が溢れ出ている状態で、前記測定槽内の所定の深さにおいて前記処理液の圧力を測定する圧力測定部とを備え、前記第２の経路における前記処理液の流量は、前記第１の経路を通って前記第１の槽に帰還する前記処理液の流量よりも小さい。
本願明細書に開示される技術の第２の態様は、基板を処理するための処理液を貯留する第１の槽と、前記第１の槽の上部から溢れ出た前記処理液を、前記第１の槽の下部へ帰還させる第１の経路と、前記第１の経路から分岐する第２の経路と、前記第２の経路から流入した前記処理液を貯留する測定槽と、前記測定槽の上部から前記処理液が溢れ出ている状態で、前記測定槽内の所定の深さにおいて前記処理液の圧力を測定する圧力測定部とを備え、前記測定槽は、前記第２の経路から前記処理液が流入する第１の領域と、前記第１の領域の上部から溢れ出た前記処理液が流入する第２の領域とを備え、前記圧力測定部は、前記第２の領域の上部から前記処理液が溢れ出ている状態で、前記第２の領域において前記処理液の圧力を測定する。
本願明細書に開示される技術の第３の態様は、基板を処理するための処理液を貯留する第１の槽と、前記第１の槽の上部から溢れ出た前記処理液を、前記第１の槽の下部へ帰還させる第１の経路と、前記第１の経路から分岐する第２の経路と、前記第２の経路から流入した前記処理液を貯留する測定槽と、前記測定槽の上部から前記処理液が溢れ出ている状態で、前記測定槽内の所定の深さにおいて前記処理液の圧力を測定する圧力測定部とを備え、前記第１の槽の上部から溢れ出た前記処理液が流入する第２の槽をさらに備え、前記第１の経路は、前記第２の槽に流入した前記処理液を、前記第１の槽の下部へ帰還させ、前記測定槽は、前記第２の槽内に配置され、前記測定槽の上部から溢れ出た前記処理液は、前記第２の槽に流入する。
本願明細書に開示される技術の第４の態様は、第２の態様または第３の態様に関連し、前記第２の経路における前記処理液の流量は、前記第１の経路を通って前記第１の槽に帰還する前記処理液の流量よりも小さい。
本願明細書に開示される技術の第５の態様は、第１の態様から第４の態様のうちのいずれか１つに関連し、前記第１の槽内に気泡を供給する気泡供給部をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第６の態様は、第１の態様から第５の態様のうちのいずれか１つに関連し、前記第１の経路に配置され、かつ、前記第１の経路から前記第１の槽に帰還する前記処理液に熱を加える第１の加熱部をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第７の態様は、第１の態様から第６の態様のうちのいずれか１つに関連し、前記第２の経路に配置され、かつ、前記第２の経路における前記処理液に熱を加える第２の加熱部をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第８の態様は、第１の態様から第７の態様のうちのいずれか１つに関連し、前記測定槽の底部に少なくとも１つの穴が形成される。
本願明細書に開示される技術の第１の態様によれば、測定槽において、第２の経路から流入する処理液を上部からオーバーフローさせることによって、当該処理液の液面の変動を抑制することができる。したがって、測定槽において液面が安定した状態である処理液の圧力を圧力測定部によって測定することとなるため、処理液の圧力を高い精度で測定することができる。
本願明細書に開示される技術に関する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
実施の形態に関する、基板処理装置の構成を概略的に例示する図である。 実施の形態に関する、測定槽およびその周辺の構成を例示する図である。 実施の形態に関する、基板処理装置の動作を例示するフローチャートである。
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の方向とは関係しないものである。
また、以下に記載される説明において、「第１の」、または、「第２の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。
＜実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板処理装置について説明する。
＜基板処理装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する基板処理装置の構成を概略的に例示する図である。図１においては、基板１２は紙面に垂直に配置され、同様に配置された基板１２が、図１におけるｘ軸方向に複数並べられる。
図１に例示されるように、基板処理装置は、処理槽１４と、外槽１６と、気泡供給部１８と、循環経路２０と、分岐経路２２と、測定槽２４と、圧力測定部２６と、制御部２８とを備える。
基板１２は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、または、フォトマスク用ガラス基板などの基板である。基板１２は、リフター３６に保持される。リフター３６はリフターヘッド３６Ａと、保持板３６Ｂと、リフターヘッド３６Ａと保持板３６Ｂとの間に配置される保持棒３６Ｃとを備える。保持棒３６Ｃには複数の保持溝（ここでは、図示しない）が形成され、複数の基板１２は、当該保持溝に起立姿勢で保持される。
リフター３６は、サーボモータ、または、タイミングベルトなどを有するリフター駆動部（ここでは、図示しない）に接続される。リフター駆動部を動作させることによって、リフター３６は昇降移動する、すなわち、図１におけるｚ軸方向に移動する。そうすることによって、基板１２は、処理槽１４内の処理位置と、処理槽１４の上方における引き上げ位置との間を移動することができる。処理槽１４内において基板１２を処理する際には、リフター３６を降下させることによって、基板１２を処理槽１４内の処理位置に位置させる。ある基板の処理と次の基板の処理との間の時間には、リフター３６を上昇させることによって、基板１２を処理槽１４の上方における引き上げ位置に位置させる。
処理槽１４は、基板１２を処理するための処理液３０が貯留される容器である。処理槽１４に貯留された処理液３０に基板１２が浸されることによって、基板１２の洗浄処理などが行われる。処理液３０は、たとえば、純水、または、エッチング液である燐酸などである。純水は、純水供給源５０からバルブ５２の開閉によって供給される。燐酸は、燐酸供給源３２からバルブ３４の開閉によって供給される。
処理槽１４の底部には、処理液吐出口１４Ａが設けられる。処理液吐出口１４Ａは、循環経路２０を流れる処理液３０を、処理槽１４内に吐出する。
外槽１６は、処理槽１４を囲んで設けられる。図１に例示されるように、外槽１６は、処理槽１４の上部に設けられる辺と、処理槽１４の上部から下部まで含む範囲に設けられる辺とを有する。
処理槽１４に対して供給される処理液３０は、処理槽１４の上部から溢れ出る、すなわち、オーバーフローする。そして、当該処理液３０は、処理槽１４を囲む外槽１６に流入する。
気泡供給部１８は、処理槽１４内のパーティクルを除去するための気泡１８Ａ、たとえば、直径５０μｍ以下の微小気泡であるマイクロバブルを発生させる装置である。気泡供給部１８の気泡は、気体供給源４０からバルブ３８の開閉によって供給される。なお、気泡供給部１８は、備えられなくてもよい。
循環経路２０は、処理槽１４の上部からオーバーフローし、さらに、外槽１６に流入した処理液３０を、再び処理槽１４の下部の処理液吐出口１４Ａに帰還させる経路である。循環経路２０は、一端が外槽１６のたとえば底部に接続され、他端が処理槽１４の処理液吐出口１４Ａに接続され、かつ、処理液３０を流す配管によって形成される経路である。
図１に例示されるように、循環経路２０には、処理液３０を流すためのポンプ４２と、循環経路２０から処理槽１４に帰還する処理液３０を加熱するためのヒーター４４と、循環経路２０を流れる処理液３０におけるパーティクルを除去するためのフィルター４６とが配置される。なお、循環経路２０におけるポンプ４２、ヒーター４４、および、フィルター４６の配置位置は、図１に例示される場合に限られるものではない。
分岐経路２２は、分岐点２２Ａにおいて循環経路２０から分岐し、かつ、外槽１６における測定槽２４に処理液３０を流す経路である。分岐経路２２は、一端が循環経路２０の分岐点２２Ａに接続され、他端が測定槽２４の内部に導かれ、かつ、処理液３０を流す配管によって形成される経路である。分岐経路２２における処理液３０の流量は、循環経路２０を通って処理槽１４に帰還する処理液３０の流量よりも小さいことが望ましい。たとえば、循環経路２０における処理液３０の流量が３０Ｌである場合に、分岐経路２２における処理液３０の流量が１Ｌであることが望ましい。
なお、分岐点２２Ａの位置は、図１に例示される箇所に限られるものではない。すなわち、分岐点２２Ａの位置は、循環経路２０における、ポンプ４２の下流で、かつ、ヒーター４４の上流に限られるものではない。
図１に例示されるように、分岐経路２２には、分岐経路２２における処理液３０を加熱するためのヒーター４８が配置されていてもよい。
測定槽２４は、分岐経路２２から流入した処理液３０を貯留する。測定槽２４は、外槽１６内に配置される。測定槽２４の上端は、外槽１６における処理液３０の液面よりも上方、すなわち、図１におけるｚ軸方向の正方向に位置する。測定槽２４は、当該処理液３０を測定槽２４の上部からオーバーフローさせ、外槽１６に流入させる。図１に例示される場合では、測定槽２４は外槽１６内に配置されるが、測定槽２４の配置位置は当該箇所に限られるものではない。すなわち、測定槽２４の配置位置は、分岐経路２２から処理液３０が流入する箇所でありさえすればよい。
圧力測定部２６は、測定槽２４内に配置され、測定槽２４に貯留された処理液３０の所定の深さにおける圧力を測定する。詳細は後述する。
制御部２８は、リフター駆動部、バルブ３４、バルブ５２、バルブ３８、ポンプ４２、ヒーター４４、および、ヒーター４８などと電気的に接続されることによって、これらの動作を制御する。また、制御部２８は、圧力測定部２６の測定結果を受信する。
制御部２８は、たとえば、内部または外部の記憶媒体に記憶されたプログラムを実行する、中央演算処理装置（ＣＰＵ）、マイクロプロセッサ、マイクロコンピュ―タ、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）である。なお、制御部２８の機能は、たとえば、複数の処理回路が連携することによって実現されてもよい。
＜測定槽の構成について＞
図２は、本実施の形態に関する測定槽およびその周辺の構成を例示する図である。
図２に例示されるように測定槽２４は、分岐経路２２から流入した処理液３０を貯留する領域２４Ａと、領域２４Ａの上部から溢れ出た処理液３０を貯留する領域２４Ｂとを備える。そして、圧力測定部２６は、領域２４Ｂの所定の深さにおいて、領域２４Ｂに貯留された処理液３０の圧力を測定する。
分岐経路２２から測定槽２４に流入する処理液３０は、まず、領域２４Ａに貯留される。そして、矢印３０Ａに例示されるように、領域２４Ａに貯留された処理液３０は、領域２４Ａの上部からオーバーフローする。
さらに、領域２４Ａの上部からオーバーフローした処理液３０は、領域２４Ｂに貯留される。そして、矢印３０Ｂに例示されるように、領域２４Ｂに貯留された処理液３０は、領域２４Ｂの上部からオーバーフローして、外槽１６に流入する。なお、外槽１６には、矢印３０Ｃに例示されるように、処理槽１４からも処理液３０が流入する。
測定槽２４の底部に、穴２４Ｃおよび穴２４Ｄが形成されていてもよい。測定槽２４の底部に穴が形成されることによって、測定槽２４を外槽１６から取り出す際に、測定槽２４内に処理液３０が残存することを抑制することができる。ただし、穴２４Ｃおよび穴２４Ｄが形成される場合には、測定槽２４内の処理液３０がこれらの穴から外槽１６へ流れ出るため、測定槽２４の上部から処理液３０が継続してオーバーフローするように、分岐経路２２から測定槽２４に流入する処理液３０の流量を調整する必要がある。当該調整動作は、たとえば、制御部２８が行う。なお、測定槽２４の底部における穴は形成されていなくてもよいし、また、穴が形成される場合であっても、図２に例示される形状および数に限られるものではない。
圧力測定部２６は、領域２４Ｂに貯留された処理液３０の所定の深さにおける圧力を測定する。ここで、たとえば処理液が燐酸溶液である場合、燐酸の濃度と燐酸の比重との間には相関関係がある。さらに、燐酸の比重と燐酸の所定の深さにおける圧力との間にも相関関係がある。したがって、これらの相関関係に基づけば、圧力測定部２６によって、領域２４Ｂに貯留された処理液３０の液面から所定の深さにおける圧力を測定することによって、たとえば燐酸溶液の濃度を測定することができる。
圧力測定部２６は、供給管２６Ａに接続される。供給管２６Ａは、領域２４Ｂに貯留された処理液３０に浸され、かつ、供給管２６Ａの下端が、領域２４Ｂにおける処理液３０の液面から所定の深さに達する。また、供給管２６Ａには、レギュレーター２６Ｂによって一定量のガス、たとえば、窒素ガスが供給される。
定常状態においては、供給管２６Ａの下端から放出される窒素ガスの放出圧力は、領域２４Ｂにおける処理液３０の液面から所定の深さにおける圧力とほぼ等しいものとみなすことができる。圧力測定部２６は、供給管２６Ａ内の上記窒素ガスの圧力を測定する。そして、圧力測定部２６は、測定された窒素ガスの圧力に応じて、０Ｖ以上、かつ、２．５Ｖ以下の電圧値を出力する。
処理液３０の液面から所定の深さにおける圧力に基づいて、処理液３０の濃度を測定する場合には、圧力測定部２６から出力された電圧を、あらかじめ記憶媒体などに記憶された圧力と比重との相関関係を記述するデータ、および、比重と濃度との相関関係を記述するデータを参照しつつ、処理液３０の濃度を算出する。
＜基板処理装置の動作について＞
次に、図１から図３を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を説明する。特に、測定槽２４における圧力測定部２６からの測定結果に応じて、制御部２８が処理槽１４内の処理液３０の濃度制御を行う場合を説明する。ここで、図３は、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を例示するフローチャートである。
まず、図１に例示されるように、リフター３６が降下することによって、基板１２が処理槽１４内の処理位置に位置する。そして、処理槽１４に貯留された処理液３０に基板１２が浸されることによって、基板１２の洗浄処理などが行われる。また、処理槽１４内のパーティクルを除去するため、気泡供給部１８によって、処理槽１４内に気泡１８Ａが供給される。一方で、処理槽１４への純水および燐酸の供給によって、処理槽１４から処理液３０がオーバーフローする。そして、処理槽１４からオーバーフローした処理液３０は、外槽１６に流入する。
次に、外槽１６に貯留された処理液３０は、循環経路２０に流入する。そして、循環経路２０に流入した処理液３０の一部が、分岐点２２Ａから分岐経路２２に流入する（図３に例示されるステップＳＴ１０１）。
分岐点２２Ａの下流において循環経路２０に流れる処理液３０は、ヒーター４４によって温度調整され、かつ、フィルター４６によって処理液３０内のパーティクルを除去される。ここで、ヒーター４４の温度制御は、制御部２８によって行われる。
分岐点２２Ａの下流において循環経路２０に流れる処理液３０の温度は、ヒーター４４で温度調整されることによって、処理槽１４内の処理液３０の温度に近づく。また、分岐点２２Ａの下流において循環経路２０に流れる処理液３０内のパーティクルがフィルター４６によって除去されるため、処理槽１４内への当該パーティクルの混入を抑制することができる。
そして、分岐点２２Ａの下流において循環経路２０に流れる処理液３０は、処理液吐出口１４Ａから処理槽１４内に吐出される。
一方で、分岐点２２Ａの下流において分岐経路２２に流れる処理液３０は、ヒーター４８によって温度調整された後、測定槽２４に流入する（図３に例示されるステップＳＴ１０２）。ここで、ヒーター４８の温度制御は、制御部２８によって行われる。
分岐点２２Ａの下流において分岐経路２２に流れる処理液３０は、ヒーター４８で温度調整されることによって、測定槽２４内に流入される際の処理液３０の温度を、処理槽１４内の処理液３０の温度に近づけることができる。そうすることによって、測定槽２４内の処理液３０に対し、処理槽１４内の処理液３０と同等の条件下における圧力測定、比重測定、さらには、濃度測定を行うことができる。
測定槽２４においては、図２に例示されるように、まず、処理液３０は領域２４Ａに流入する。そして、処理液３０は、領域２４Ａの上部からオーバーフローして、領域２４Ｂに流入する。さらに、処理液３０は、領域２４Ｂの上部からオーバーフローして、外槽１６に流入する（図３に例示されるステップＳＴ１０３）。外槽１６に貯留された処理液３０は、循環経路２０に流入する。
ここで、領域２４Ｂ内の所定の深さには、圧力測定部２６に接続された供給管２６Ａの下端が位置する。このとき、レギュレーター２６Ｂによって供給管２６Ａに一定量のガスが供給されて定常状態となることによって、供給管２６Ａの下端から放出される窒素ガスの放出圧力は、領域２４Ｂにおける処理液３０の液面から所定の深さにおける圧力とほぼ等しいものとみなすことができる。圧力測定部２６は、領域２４Ｂの上部からオーバーフローすることによって液面が安定した状態である処理液３０に浸された、供給管２６Ａ内のガスの圧力を測定し、当該圧力に応じて電圧値を出力する（図３に例示されるステップＳＴ１０４）。
圧力測定部２６から出力される電圧値は、図１に例示されるように、制御部２８に受信される。制御部２８は、当該電圧値に基づいて処理液３０の濃度を算出する（図３に例示されるステップＳＴ１０５）。そして、制御部２８は、当該濃度の値に基づいて、たとえば、バルブ３４、および、バルブ５２の開閉時間を調整する（図３に例示されるステップＳＴ１０６）。そうすることによって、制御部２８は、処理槽１４内の処理液３０の濃度制御を行う。
＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果を例示する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、第１の槽と、第１の経路と、第２の経路と、測定槽２４と、圧力測定部２６とを備える。第１の槽は、基板１２を処理するための処理液３０を貯留する。第１の経路は、第１の槽の上部から溢れ出た処理液３０を、第１の槽の下部へ帰還させる。第２の経路は、第１の経路から分岐する。測定槽２４は、第２の経路から流入した処理液３０を貯留する。圧力測定部２６は、測定槽２４の上部から処理液３０が溢れ出ている状態で、測定槽２４内の所定の深さにおいて処理液３０の圧力を測定する。ここで、第１の槽は、たとえば、処理槽１４に対応するものである。また、第１の経路は、たとえば、循環経路２０に対応するものである。また、第２の経路は、たとえば、分岐経路２２に対応するものである。
このような構成によれば、測定槽２４において、分岐経路２２から流入する処理液３０を上部からオーバーフローさせることによって、当該処理液３０の液面の変動を抑制することができる。したがって、測定槽２４において液面が安定した状態である処理液３０の圧力を圧力測定部２６によって測定することとなるため、処理液３０の圧力を高い精度で測定することができる。
なお、これらの構成以外の本願明細書に例示される他の構成については適宜省略することができる。すなわち、少なくともこれらの構成を備えていれば、以上に記載された効果を生じさせることができる。
しかしながら、本願明細書に例示される他の構成のうちの少なくとも１つを以上に記載された構成に適宜追加した場合、すなわち、以上に記載された構成としては記載されなかった本願明細書に例示される他の構成を以上に記載された構成に追加した場合でも、同様に以上に記載された効果を生じさせることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、分岐経路２２における処理液３０の流量は、循環経路２０を通って処理槽１４に帰還する処理液３０の流量よりも小さい。このような構成によれば、循環経路２０における処理液３０よりも流量が少ない分岐経路２２における処理液３０を用いて圧力測定を行うことによって、圧力測定部２６による処理液３０の圧力測定の精度を高めることができる。すなわち、測定槽２４では、分岐経路２２から流入する処理液３０を上部からオーバーフローさせることによって、当該処理液３０の液面の変動を抑制しているが、分岐経路２２から流入する処理液３０の流量が少ない場合には測定槽２４の上部からオーバーフローする処理液３０の流量も減少するため、液面の変動はより少なくなる。したがって、圧力測定部２６による処理液３０の圧力測定の精度を高めることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、測定槽２４は、第１の領域と、第２の領域とを備える。第１の領域は、分岐経路２２から処理液３０が流入する。第２の領域は、第１の領域から溢れ出た処理液３０が流入する。そして、圧力測定部２６は、第２の領域の上部から処理液３０が溢れ出ている状態で、第２の領域において処理液３０の圧力を測定する。ここで、第１の領域は、たとえば、領域２４Ａに対応するものである。また、第２の領域は、たとえば、領域２４Ｂに対応するものである。このような構成によれば、分岐経路２２から処理液３０が流入する領域２４Ａとは別の、領域２４Ａからオーバーフローした処理液３０が貯留される領域２４Ｂにおいて、圧力測定部２６による処理液３０の圧力測定が行われる。ここで、領域２４Ｂにおける処理液３０の液面は、分岐経路２２から流入する処理液３０が測定槽２４の底部で跳ね返る流れによる変動がないため、領域２４Ａにおける処理液３０の液面に比べて変動が小さい。したがって、圧力測定部２６によって処理液３０の圧力を高い精度で測定することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、処理槽１４の上部から溢れ出た処理液３０が流入する第２の槽を備える。循環経路２０は、第２の槽に流入した処理液３０を、処理槽１４の下部へ帰還させる。測定槽２４は、第２の槽内に配置される。そして、測定槽２４の上部から溢れ出た処理液３０は、第２の槽に流入する。ここで、第２の槽は、たとえば、外槽１６に対応するものである。このような構成によれば、測定槽２４が外槽１６内に配置されるため、測定槽２４の上部から溢れ出た処理液３０は外槽１６に流入し、さらに、循環経路２０に流入する。そのため、圧力測定のために分岐経路２２に流入させた処理液３０を再び循環経路２０に戻して、処理液３０を基板１２の処理のために有効に活用することができる。また、測定槽２４が外槽１６内に配置されるため、分岐経路２２に流入させた処理液３０を循環経路２０に戻すための配管などを別途用意する必要がない。また、外槽１６のうちの、十分な深さを有する箇所に測定槽２４が配置される場合には、圧力測定の精度を高めるために必要な深さ方向の長さを十分に確保することができる。すなわち、供給管２６Ａの下端を処理液３０の液面から十分に離れた深さまで沈めて圧力測定することができる。なお、測定槽２４の上端が、外槽１６における処理液３０の液面よりも上方に位置するため、測定槽２４における処理液３０の液面に対する、外槽１６における処理液３０の液面の変動の影響を抑制することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、処理槽１４内に気泡を供給する気泡供給部１８を備える。このような構成によれば、処理槽１４内のパーティクルを除去することができる。なお、気泡供給部１８によって気泡１８Ａを処理槽１４内に供給する場合には、処理槽１４における処理液３０の液面の変動はより顕著になる。そのような場合に、たとえば、処理槽１４において処理液３０の圧力を測定すると、処理液３０の液面の変動の影響によって、測定精度が下がってしまう。一方で、上記の実施の形態における場合のように、測定槽２４における処理液３０の圧力を圧力測定部２６によって測定すれば、処理槽１４における処理液３０の液面、さらには、外槽１６における処理液３０の液面が大きく変動する場合であっても、高い精度で処理液３０の圧力を測定することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、循環経路２０に配置され、かつ、循環経路２０から処理槽１４に帰還する処理液３０に熱を加える第１の加熱部を備える。ここで、第１の加熱部は、たとえば、ヒーター４４に対応するものである。このような構成によれば、循環経路２０に流れる処理液３０の温度を、処理槽１４内の処理液３０の温度に近づけることができる。したがって、測定槽２４内の処理液３０の温度変化を抑制することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、分岐経路２２に配置され、かつ、分岐経路２２における処理液３０に熱を加える第２の加熱部を備える。ここで、第２の加熱部は、たとえば、ヒーター４８に対応するものである。このような構成によれば、測定槽２４内に流入される際の処理液３０の温度を、処理槽１４内の処理液３０の温度に近づけることができる。したがって、測定槽２４内の処理液３０に対し、処理槽１４内の処理液３０と同等の条件下における圧力測定、比重測定、さらには、濃度測定を行うことができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、測定槽２４の底部に穴２４Ｃおよび穴２４Ｄが形成される。このような構成によれば、測定槽２４を外槽１６から取り出す際に、測定槽２４内に処理液３０が残存することを抑制することができる。
＜以上に記載された実施の形態における変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
したがって、例示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。
１２ 基板
１４ 処理槽
１４Ａ 処理液吐出口
１６ 外槽
１８ 気泡供給部
１８Ａ 気泡
２０ 循環経路
２２ 分岐経路
２２Ａ 分岐点
２４ 測定槽
２４Ａ，２４Ｂ 領域
２４Ｃ，２４Ｄ 穴
２６ 圧力測定部
２６Ａ 供給管
２６Ｂ レギュレーター
２８ 制御部
３０ 処理液
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ 矢印
３２ 燐酸供給源
３４，３８，５２ バルブ
３６ リフター
３６Ａ リフターヘッド
３６Ｂ 保持板
３６Ｃ 保持棒
４０ 気体供給源
４２ ポンプ
４４，４８ ヒーター
４６ フィルター
５０ 純水供給源

Claims (8)

  1. 基板を処理するための処理液を貯留する第１の槽と、
    前記第１の槽の上部から溢れ出た前記処理液を、前記第１の槽の下部へ帰還させる第１の経路と、
    前記第１の経路から分岐する第２の経路と、
    前記第２の経路から流入した前記処理液を貯留する測定槽と、
    前記測定槽の上部から前記処理液が溢れ出ている状態で、前記測定槽内の所定の深さにおいて前記処理液の圧力を測定する圧力測定部とを備え、
    前記第２の経路における前記処理液の流量は、前記第１の経路を通って前記第１の槽に帰還する前記処理液の流量よりも小さい、
    基板処理装置。
  2. 基板を処理するための処理液を貯留する第１の槽と、
    前記第１の槽の上部から溢れ出た前記処理液を、前記第１の槽の下部へ帰還させる第１の経路と、
    前記第１の経路から分岐する第２の経路と、
    前記第２の経路から流入した前記処理液を貯留する測定槽と、
    前記測定槽の上部から前記処理液が溢れ出ている状態で、前記測定槽内の所定の深さにおいて前記処理液の圧力を測定する圧力測定部とを備え、
    前記測定槽は、
    前記第２の経路から前記処理液が流入する第１の領域と、
    前記第１の領域の上部から溢れ出た前記処理液が流入する第２の領域とを備え、
    前記圧力測定部は、前記第２の領域の上部から前記処理液が溢れ出ている状態で、前記第２の領域において前記処理液の圧力を測定する、
    基板処理装置。
  3. 基板を処理するための処理液を貯留する第１の槽と、
    前記第１の槽の上部から溢れ出た前記処理液を、前記第１の槽の下部へ帰還させる第１の経路と、
    前記第１の経路から分岐する第２の経路と、
    前記第２の経路から流入した前記処理液を貯留する測定槽と、
    前記測定槽の上部から前記処理液が溢れ出ている状態で、前記測定槽内の所定の深さにおいて前記処理液の圧力を測定する圧力測定部とを備え、
    前記第１の槽の上部から溢れ出た前記処理液が流入する第２の槽をさらに備え、
    前記第１の経路は、前記第２の槽に流入した前記処理液を、前記第１の槽の下部へ帰還させ、
    前記測定槽は、前記第２の槽内に配置され、
    前記測定槽の上部から溢れ出た前記処理液は、前記第２の槽に流入する、
    基板処理装置。
  4. 前記第２の経路における前記処理液の流量は、前記第１の経路を通って前記第１の槽に帰還する前記処理液の流量よりも小さい、
    請求項２または３に記載の基板処理装置。
  5. 前記第１の槽内に気泡を供給する気泡供給部をさらに備える、
    請求項１から請求項４のうちのいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 前記第１の経路に配置され、かつ、前記第１の経路から前記第１の槽に帰還する前記処理液に熱を加える第１の加熱部をさらに備える、
    請求項１から請求項５のうちのいずれか１項に記載の基板処理装置。
  7. 前記第２の経路に配置され、かつ、前記第２の経路における前記処理液に熱を加える第２の加熱部をさらに備える、
    請求項１から請求項６のうちのいずれか１項に記載の基板処理装置。
  8. 前記測定槽の底部に少なくとも１つの穴が形成される、
    請求項１から請求項７のうちのいずれか１項に記載の基板処理装置。
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