JP6857526B2 - 基板処理装置、および、基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置、および、基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6857526B2
JP6857526B2 JP2017060474A JP2017060474A JP6857526B2 JP 6857526 B2 JP6857526 B2 JP 6857526B2 JP 2017060474 A JP2017060474 A JP 2017060474A JP 2017060474 A JP2017060474 A JP 2017060474A JP 6857526 B2 JP6857526 B2 JP 6857526B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
concentration
tank
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017060474A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018164000A (ja
Inventor
浩二 倉崎
浩二 倉崎
建治 枝光
建治 枝光
昌治 佐藤
昌治 佐藤
武知　圭
圭 武知
剛至 松村
剛至 松村
博章 内田
博章 内田
山本　滋
滋 山本
朋宏 高橋
朋宏 高橋
浩伸 岩谷
浩伸 岩谷
真治 杉岡
真治 杉岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2017060474A priority Critical patent/JP6857526B2/ja
Priority to TW106146542A priority patent/TWI711490B/zh
Priority to KR1020180008399A priority patent/KR102086214B1/ko
Priority to US15/890,429 priority patent/US20180277454A1/en
Priority to CN201810161422.5A priority patent/CN108666235B/zh
Publication of JP2018164000A publication Critical patent/JP2018164000A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6857526B2 publication Critical patent/JP6857526B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、または、フォトマスク用ガラス基板などの基板を処理液により処理する基板処理装置、および、基板処理方法に関するものである。
従来より、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、または、フォトマスク用ガラス基板などの基板の製造工程において、純水、または、薬液などの処理液に基板を浸漬することによって基板を処理する浸漬型の基板処理装置が知られている。
浸漬型の基板処理装置は、基板の処理に用いる処理液を貯留するための処理槽を備える。そして、処理槽内において、基板の洗浄処理などが行われる。
上記の処理に際し、基板に対する処理を均一にするために、処理槽内の処理液の濃度が制御される。たとえば、特許文献１に例示されるように、一定数の基板に対する処理を終えた時点で、処理液の交換などによって処理液の濃度が調整される。そして、次の基板に対する処理が行われる。
特開２００９−２６０２５７号公報
しかしながら、基板の処理に伴う処理液の濃度変化が大きい場合、当該基板処理を終えた時点で処理液の濃度を調整する上記の方法では、処理中の処理液の濃度が一定でないことに起因して、基板に対する処理を均一にすることが難しい場合があった。
この発明は、以上に記載されたような問題を解決するためになされたものであり、基板の処理に伴う処理液の濃度変化が大きい場合であっても、基板が処理されている間の処理液の濃度を制御することができる技術を提供することを目的とするものである。
本願明細書に開示される技術の第１の態様は、少なくとも１枚の基板を処理液で処理するための処理槽と、前記処理槽において処理される前記基板の処理情報をあらかじめ取得する取得部と、前記処理情報が取り得る複数の状況と、前記処理情報の複数の状況にそれぞれ対応してあらかじめ準備された前記処理液の複数の濃度変化パターンとを記述する対応情報と、前記処理槽において所定の基板処理条件の下で基板処理を実行した場合における前記処理液の標準的な濃度推移を示す標準濃度変化パターンとを記憶する記憶部と、前記対応情報に記述された濃度変化パターンの１つを、前記取得部において取得された前記基板の前記処理情報に対応する予測濃度変化パターンとして特定する特定部と、前記処理槽において前記基板が処理されている間に、前記予測濃度変化パターンに基づき予測した前記処理液の濃度と前記標準濃度変化パターンに基づき予測した前記処理液の濃度との濃度差が所定の範囲となる時刻を特定し、当該時刻に補充液を補充して、前記処理液の濃度を前記標準濃度変化パターンに合わせるように濃度制御を行う制御部とを備える。
本願明細書に開示される技術の第２の態様は、第１の態様に関連し、前記制御部が、前記処理液の濃度が前記標準濃度変化パターンから乖離することを許容できる範囲である前記濃度差を記憶している。
本願明細書に開示される技術の第３の態様は、第１の態様または第２の態様に関連し、前記処理槽において前記基板が処理されている間に、前記処理槽に前記補充液を補充する補充部をさらに備え、前記制御部は、前記予測濃度変化パターンに基づき、前記補充部によって補充される前記補充液の量を制御することによって前記処理液の濃度制御を行う。
本願明細書に開示される技術の第４の態様は、第１の態様または第２の態様に関連し、前記基板の前記処理情報の前記複数の状況は、前記処理槽において処理される前記基板の枚数の状況に関する情報を含む。
本願明細書に開示される技術の第５の態様は、第１の態様または第２の態様に関連し、前記基板の前記処理情報の前記複数の状況は、前記処理槽において前記基板を処理する時間の状況に関する情報を含む。
本願明細書に開示される技術の第６の態様は、第１の態様または第２の態様に関連し、前記基板の前記処理情報の前記複数の状況は、前記処理槽において前記基板を処理する速度の状況に関する情報を含む。
本願明細書に開示される技術の第７の態様は、第１の態様または第２の態様に関連し、前記基板の前記処理情報の前記複数の状況は、前記処理槽で処理される前記基板において形成される表面パターンの表面積の状況に関する情報を含むである。
本願明細書に開示される技術の第８の態様は、第１の態様から第７の態様のうちのいずれか１つに関連し、前記基板は、積層構造の基板である。
本願明細書に開示される技術の第９の態様は、第３の態様に関連し、前記補充部は、前記処理液の温度に基づいて温度調整された前記補充液を前記処理槽に補充する。
本願明細書に開示される技術の第１０の態様は、少なくとも１枚の基板を処理槽において処理液で処理する基板処理方法であり、前記処理槽において処理される前記基板の処理情報をあらかじめ取得し、前記処理情報が取り得る複数の状況と、前記処理情報の複数の状況にそれぞれ対応してあらかじめ準備された前記処理液の複数の濃度変化パターンとを記述する対応情報を参照することによって、取得された前記基板の前記処理情報に対応する予測濃度変化パターンを特定し、前記処理槽において前記基板が処理されている間に、前記予測濃度変化パターンと前記処理槽において所定の基板処理条件の下で基板処理を実行した場合における前記処理液の標準的な濃度推移を示す標準濃度変化パターンとの濃度差が所定の範囲となる時刻を特定して、当該時刻に補充液を補充して、前記処理液の濃度が前記標準濃度変化パターンから所定の範囲内にあるように制御を行う。
本願明細書に開示される技術の第１１の態様は、第１０の態様に関連し、前記濃度差が前記標準濃度変化パターンから乖離することを許容できる範囲内になるように制御を行う。
本願明細書に開示される技術の第１２の態様は、処理液を貯留し、当該貯留された前記処理液に少なくとも１枚の基板を浸漬させることにより前記基板の基板処理を行う処理槽と、前記処理槽とは別に設けられ、前記処理槽に向けて所定の濃度に調製された補充液を補充するための予備槽と、前記予備槽から前記処理槽に向けて前記補充液を送液する送液手段と、前記処理槽に浸漬される前記基板に関する処理情報をあらかじめ取得する取得部と、前記処理情報がとり得る複数の状況と、前記処理情報の複数の状況にそれぞれ対応してあらかじめ準備された前記処理液の複数の濃度変化パターンとを記述する対応情報と、前記処理槽において所定の基板処理条件の下で前記基板処理を実行した場合における前記処理液の標準的な濃度推移を示す標準濃度変化パターンとを記憶する記憶部と、前記対応情報に記述された濃度変化パターンの１つを、前記取得部において取得された前記基板の前記処理情報に対応する予測濃度変化パターンとして特定する特定部と、特定された前記予測濃度変化パターンに基づいて前記処理液の将来の濃度を予測する濃度予測制御と、将来の濃度を変更することが可能な前記補充液の濃度を特定する補充液濃度特定制御と、前記予備槽から前記処理槽に向けて前記補充液を補充する前にあらかじめ前記予備槽にて前記補充液を調製する調製制御と、前記基板処理中に調製された前記補充液を前記予備槽から前記処理槽に向けて送液するように前記送液手段を制御する送液制御と、を実行する制御部とを備え、前記制御部は、前記処理槽において前記基板が処理されている間に、前記予測濃度変化パターンと前記標準濃度変化パターンとの濃度差に基づいて、前記補充液を補充する時刻を特定し、当該時刻に前記補充液を補充して、前記処理液の濃度を前記標準濃度変化パターンに合わせるように制御を行う。
本願明細書に開示される技術の第１３の態様は、第１２の態様に関連し、前記制御部は、前記処理槽に浸漬された基板の濃度変化パターンと前記標準濃度変化パターンとに基づいて前記補充液濃度特定制御を実行する。
本願明細書に開示される技術の第１４の態様は、処理液を貯留し、当該貯留された前記処理液に少なくとも１枚の基板を浸漬させることにより前記基板の基板処理を行う処理槽と、前記処理槽とは別に設けられ、前記処理槽に向けて所定の濃度に調製された補充液を補充するための予備槽と、前記予備槽から前記処理槽に向けて前記補充液を送液する送液手段と、前記処理槽に浸漬される前記基板に関する処理情報がとり得る複数の状況と、前記処理情報の複数の状況にそれぞれ対応してあらかじめ準備された前記処理液の複数の濃度変化パターンとを記述する対応情報を予め記憶する記憶部と、を備えた基板処理装置における基板処理方法であって、前記処理槽に浸漬される前記基板に関する前記処理情報をあらかじめ取得する取得工程と、前記対応情報を参照することによって、前記取得された前記基板の前記処理情報に対応する予測濃度変化パターンを特定する特定工程と、特定された前記予測濃度変化パターンに基づいて前記処理液の将来の濃度を予測する濃度予測工程と、将来の濃度を変更することが可能な前記補充液の濃度を特定する補充液濃度特定工程と、前記予備槽から前記処理槽に向けて前記補充液を補充する前にあらかじめ前記予備槽にて前記補充液を調製する調製工程と、前記基板処理中に調製された前記補充液を前記予備槽から前記処理槽に向けて送液する送液工程と、を実行し、前記処理槽において前記基板が処理されている間に、前記予測濃度変化パターンと、前記処理槽において所定の基板処理条件の下で前記基板処理を実行した場合における前記処理液の標準的な濃度推移を示す標準濃度変化パターンとの濃度差に基づいて、前記補充液を補充する時刻を特定し、当該時刻に前記補充液を補充して、前記標準濃度変化パターンに合わせるように制御を行う。
本願明細書に開示される技術の第１５の態様は、第１から第９および第１２の態様に関連し、前記濃度変化パターン、前記標準濃度変化パターン、前記予測濃度変化パターンは、いずれもシリコン濃度の経時変化を示す。
本願明細書に開示される技術の第１の態様および第１０の態様によれば、基板の処理情報が取り得る複数の状況にそれぞれ対応してあらかじめ準備された複数の濃度変化パターンに関する情報が準備されており、基板が処理されている間に、その時点での処理情報に対応して予測濃度変化パターンに基づいて処理液の濃度を制御することができる。そのため、基板の処理に伴う処理液の濃度変化が大きい場合であっても、基板の処理情報が示す状況に応じて、基板が処理されている間の処理液の濃度を適切に制御することができる。
また、第１２の態様および第１４の態様によれば、基板が浸漬される処理液の将来の濃度を特定された予測濃度変化パターンに基づいて予測することができる。これにより、実際に処理槽に補充液を補充するよりも前に、処理液の将来の濃度を変更することが可能な濃度の補充液を予備槽において調製することができる。これにより基板処理中に迅速に処理液の濃度を変更することが可能になる。
本願明細書に開示される技術に関する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
実施の形態に関する、基板処理装置の構成を概略的に例示する図である。 実施の形態に関する、基板処理装置の動作を例示するフローチャートである。 基板の処理情報が取り得る複数の状況と、変化成分の複数の濃度変化パターンとをそれぞれ対応づけて記述する対応テーブルの一例を示す図である。 変化成分の濃度変化パターンの一例を示す概略図である。 処理液中の変化成分の濃度を測定する濃度計を備える場合の、実施の形態に関する基板処理装置の構成を概略的に例示する図である。 積層基板の一例を示す図である。 積層基板の一例を示す図である。 図３を用いて説明したものとは別の対応テーブルの例である。 標準パターンと、濃度変化パターン（パターン２）と、濃度変化パターン（パターン１）とを示す図である。 処理液のシリコン濃度の経時変化を示すグラフである。 制御フローを説明するためのフローチャートである。 複数の処理情報と濃度変化パターンとを対応付けて記述した対応テーブルの例である。 標準パターンと、濃度変化パターン（パターン１０）と、濃度変化パターン（パターン１１）とを示す図である。
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の方向とは関係しないものである。
＜実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。
＜基板処理装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する基板処理装置の構成を概略的に例示する図である。図１においては、基板１２は紙面に平行に配置される。なお、同様に配置された基板１２が、図１におけるｙ軸方向に複数並べられていてもよい。
図１に例示されるように、基板処理装置は、処理槽１４と、外槽１６と、循環経路２０と、補充経路４６と、制御装置１００とを備える。
基板１２は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、または、フォトマスク用ガラス基板などの基板である。基板１２は、リフター１８によって起立姿勢で保持される。なお、図１に例示される場合では、複数の基板１２がリフター１８によって保持され、かつ、処理されるが、処理される基板１２は１枚であってもよい。リフター１８は、サーボモータ、または、タイミングベルトなどを有するリフター駆動部（ここでは、図示しない）に接続される。リフター駆動部を動作させることによって、リフター１８は昇降移動する、すなわち、図１におけるｚ軸方向に移動する。そうすることによって、基板１２は、処理槽１４内の処理位置と、処理槽１４の上方における引き上げ位置との間を移動することができる。処理槽１４内において基板１２を処理する際には、リフター１８を降下させることによって、基板１２を処理槽１４内の処理位置に位置させる。ある基板の処理と次の基板の処理との間の時間には、リフター１８を上昇させることによって、基板１２を処理槽１４の上方における引き上げ位置に位置させる。
処理槽１４は、基板１２を処理するための処理液３０を貯留する容器である。処理槽１４に貯められた処理液３０に基板１２が浸漬されることによって、基板１２の洗浄処理などが行われる。処理液３０は、たとえば、純水、または、エッチング液である燐酸などである。純水は、純水供給源３４からバルブ３６の開閉によって供給される。燐酸は、燐酸供給源２８からバルブ３２の開閉によって供給される。
処理槽１４の底部には、処理液吐出部１４Ａが設けられる。処理液吐出部１４Ａは、循環経路２０を流れる処理液３０を、処理槽１４内に吐出する。
外槽１６は、処理槽１４を囲んで設けられる。図１に例示されるように、外槽１６は、処理槽１４の開口を取り囲むように処理槽１４の上部側面に取り付けられる。
処理槽１４に対して供給される処理液３０は、処理槽１４の上部から流れ出る、すなわち、オーバーフローする。そして、当該処理液３０は、処理槽１４を囲む外槽１６に流入する。
循環経路２０は、処理槽１４の上部からオーバーフローし、さらに、外槽１６に流入した処理液３０を、再び処理槽１４の下部の処理液吐出部１４Ａに帰還させる経路である。循環経路２０は、一端が外槽１６の、たとえば底部に接続され、他端が処理槽１４の処理液吐出部１４Ａに接続され、かつ、処理液３０を流す配管によって形成される経路である。
図１に例示されるように、循環経路２０には、処理液３０を流すためのポンプ２２と、循環経路２０における処理液３０を加熱するためのヒーター２４と、循環経路２０を流れる処理液３０におけるパーティクルを除去するためのフィルター２６とがこの順番で配置される。なお、循環経路２０におけるポンプ２２、ヒーター２４、および、フィルター２６の配置位置は、図１に例示される場合に限られるものではない。
補充経路４６は、予備槽４８から外槽１６に補充液４０を補充する経路である。補充経路４６は、補充液４０を流す配管によって形成される経路である。図１に例示されるように、補充経路４６には、補充液４０を外槽１６を経由して処理槽１４に送液するためのポンプ３８が配置される。
予備槽４８は、補充液４０を貯留する容器である。予備槽４８の内部では複数の処理液が循環混合されて所定の濃度を有する補充液４０が調製される。予備槽４８の内部で混合される複数の処理液としては、たとえば、エッチング液である燐酸、濃度調整剤などがある。この場合、燐酸は、燐酸供給源６３からバルブ６２の開閉によって予備槽４８に供給される。濃度調整剤は、調整剤供給源６１からバルブ６０の開閉によって予備槽４８に供給される。この場合、予備槽４８の内部で所定の燐酸濃度および所定のシリコン濃度を有する補充液４０が調製される。
なお、濃度調整剤は、基板１２の処理によって濃度が変化する処理液３０中の成分（以下、変化成分と称する）に対応する薬液が選択される。たとえば、基板１２のエッチング処理によって処理液３０中のシリコン濃度が変化する場合には、シリコン濃度調整剤が選択される。
また、予備槽４８には、循環経路４３が接続される。循環経路４３は、予備槽４８の、たとえば底部から補充液４０を流入させ、補充液４０を再び予備槽４８の、たとえば上部から帰還させる経路である。循環経路４３は、一端が予備槽４８の、たとえば底部に接続され、他端が予備槽４８の、たとえば上部に配置され、かつ、補充液４０を流す配管によって形成される経路である。
図１に例示されるように、循環経路４３には、補充液４０を流すためのポンプ４２と、循環経路４３における補充液４０を加熱するためのヒーター４４とがこの順番で配置される。なお、循環経路４３におけるポンプ４２、および、ヒーター４４の配置位置は、図１に例示される場合に限られるものではない。循環経路４３によって補充液４０を循環させることによって予備槽４８に貯留された補充液４０が循環され、ヒーター４４によって処理槽１４での基板処理に適した温度に温調されながら、複数の処理液である燐酸と濃度調整剤とが混合される。
制御装置１００は、取得部５０と、特定部５４と、記憶部５２と、制御部５６とを備える。
取得部５０は、たとえば、マウス、キーボード、タッチパネル、または、各種スイッチなどの、情報を入力することができる入力装置である。取得部５０は、処理槽１４において処理される基板１２の処理情報２００を、基板１２の処理に先立って取得する。
記憶部５２は、基板１２の処理情報と、当該処理情報が取り得る複数の状況に対応する処理槽１４に貯留された処理液３０の複数の経時的な濃度変化パターンとを対応づけて記述する対応テーブルを記憶する。記憶部５２は、たとえば、ハードディスク（ＨＤＤ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、および、フラッシュメモリなどの、揮発性または不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク、フレキシブルディスク、光ディスク、コンパクトディスク、ミニディスクまたはＤＶＤなどを含むメモリ（記憶媒体）である。
特定部５４は、記憶部５２に記憶された対応テーブルを参照することによって、複数の濃度変化パターンのうち、取得部５０において取得された基板１２の処理情報に対応する処理液３０のひとつの経時的な濃度変化パターンを予測濃度変化パターンとして特定する。
制御部５６は、リフター駆動部、バルブ３２、バルブ３６、バルブ６０、バルブ６２、ポンプ２２、ポンプ３８、ポンプ４２、ヒーター２４、および、ヒーター４４などと電気的に接続されることによって、これらの動作を制御する。特に、制御部５６は、特定部５４によって特定された、基板１２の処理情報に対応する処理液３０の予測濃度変化パターンに基づいて、ポンプ３８の駆動を制御する。
特定部５４および制御部５６は、たとえば、記憶部５２、外部のＣＤ−ＲＯＭ、外部のＤＶＤ−ＲＯＭ、または、外部のフラッシュメモリなどに格納されたプログラムを実行する、中央演算処理装置（ＣＰＵ）、マイクロプロセッサ、または、マイクロコンピュ―タなどである。なお、特定部５４の機能および制御部５６の機能は、たとえば、複数の処理回路が連携することによってそれぞれ実現されてもよい。
また、図１においては、取得部５０、記憶部５２、特定部５４、および、制御部５６は、ともに制御装置１００内に備えられているが、それぞれの機能部が複数の装置に分散して備えられる場合であってもよい。
＜基板処理装置の動作について＞
次に、図２から図４を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を説明する。ここで、図２は、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を例示するフローチャートである。
まず、通常の基板処理における基板処理装置の動作について説明する。図１に例示されるように、リフター１８が降下することによって、基板１２が処理槽１４内の処理位置に位置する。そして、処理槽１４に貯留された処理液３０に基板１２が浸漬されることによって、基板１２の洗浄処理などが行われる。一方で、処理槽１４への純水および燐酸の供給によって、処理槽１４から処理液３０がオーバーフローする。そして、処理槽１４からオーバーフローした処理液３０は、外槽１６に流入する。
次に、外槽１６にオーバーフローした処理液３０は、循環経路２０に流入する。ポンプ２２によって循環経路２０に流される処理液３０は、ヒーター２４によって温度調整され、かつ、フィルター２６によって処理液３０内のパーティクルを除去される。ここで、ヒーター２４の温度制御は、制御部５６によって行われる。
循環経路２０に流れる処理液３０の温度は、ヒーター２４で温度調整されることによって、処理槽１４内の処理液３０の温度に近づく。また、循環経路２０に流れる処理液３０内のパーティクルがフィルター２６によって除去されるため、処理槽１４内への当該パーティクルの混入を抑制することができる。そして、循環経路２０に流れる処理液３０は、処理液吐出部１４Ａから処理槽１４内に吐き出される。
次に、上記の基板処理と並行して行われる、すなわち、処理槽１４において基板１２が処理されている間に行われる、処理液３０の濃度制御に関する基板処理装置の動作について説明する。
まず、取得部５０が、これから処理槽１４において処理される基板１２の処理情報を取得する（図２に例示されるステップＳＴ１０１）。ここで、基板１２の処理情報とは、たとえば、処理槽１４に一度に浸漬される基板１２の枚数、処理液３０の種類や液温、処理槽１４において基板１２を処理する時間、処理槽１４において基板１２を処理する速度（たとえば、エッチングレート）、または、処理槽１４で処理される基板１２において形成されるパターンの接液面積などに関する情報である。
次に、特定部５４が、記憶部５２に記憶された対応テーブルを参照しつつ、取得部５０において取得した基板１２の処理情報に対応する処理液３０の予測濃度変化パターンを特定する（図２に例示されるステップＳＴ１０２）。ここで、対応テーブルとは、図３に例示されるような、基板１２の処理情報の複数の状況のそれぞれに対応して準備された、処理液３０の複数の濃度変化パターンとを対応づけて記述するテーブルである。より正確には、対応テーブルとは、基板１２の処理情報が取り得る複数の状況と、基板１２の処理によって濃度が変化する処理液３０中の物質成分（変化成分。たとえばシリコン）の経時的な濃度変化パターンとを対応づけて記述するテーブルである。なお、図３は、このような対応テーブルの一例を示す図である。
図３においては、基板１２の「通常処理」に対応する処理液３０中の変化成分の濃度変化パターンを「パターン１」とし、他の行においては、「処理情報」の項目に「通常処理」とは異なる値が用いられる項目のみを記述し、「濃度変化パターン」の項目にそれぞれに対応する変化成分の濃度変化パターンのパターン名を記述している。なお、処理液３０中の変化成分は、１種類の物質に限定されるものではなく、複数の種類の物質が組み合わせられていてもよい。例えば、シリコン濃度と燐酸濃度との組合せなどであってもよい。
また、変化成分の濃度変化パターンとは、図４に例示されるような、基板１２の処理時間と処理液３０中の変化成分の濃度との関係を示すものである。変化成分の濃度変化パターンは、事前に基板１２の処理情報を反映する条件下で基板１２の処理を行い、当該条件下における処理液３０中の変化成分の濃度（例えばシリコン濃度）を測定することによって得られる基準的なパターン、換言すれば当該状況での濃度変化を予測するパターンである。ここで、図４は、変化成分の濃度変化パターンの一例を示す概略図であり、図における縦軸が変化成分の濃度を、横軸が基板の処理時間をそれぞれ表す。なお、変化成分の濃度の変化は、図４に例示されるような一定割合での上昇に限られず、変化成分の濃度の上昇量が変動する場合、または、変化成分の濃度が低下する場合なども想定される。また、これらのパターンは直線的なパターンに限らず、曲線的なパターンであってもよい。パターンは本実施の形態に例示されるようなテーブル上の数値列として表現されていてもよく、処理情報を変数とする関数として表現されていてもよい。したがって、対応情報はテーブルの形式でなくてもよいことになる。
次に、制御部５６が、特定部５４において特定された変化成分の濃度変化パターン（予測濃度変化パターン）に基づいて、処理液３０中の変化成分の濃度を制御する（図２に例示されるステップＳＴ１０３）。具体的には、制御部５６は、予測濃度変化パターンに基づいて、補充液４０を補充するためのポンプ３８の駆動を制御する。
たとえば、制御部５６は、予測濃度変化パターンが、処理開始から一定の時間後に変化成分の濃度が上昇または低下することを示している場合、制御部５６は、当該時間に合わせてポンプ３８を駆動させることによって、予測濃度変化パターンに基づいて予測される将来の変化成分の濃度を変更できるような濃度を有する補充液４０を補充する。
当該制御は、処理槽１４において基板１２が処理されている間に行われる。すなわち、基板１２を処理するために用いられる処理液３０中の変化成分の濃度が所定の許容幅を超えて変化する以前のタイミングで、予測濃度変化パターンに基づいて予測される将来の変化成分の濃度を変更するように補充液４０が補充される。
このような制御は、基板１２が処理されている間の処理液３０の濃度を一定に保つことが難しい場合、すなわち、基板１２の処理に伴う濃度変化が大きい場合に特に有効である。基板１２の処理に伴う濃度変化が大きい場合としては、３次元の表面パターンを有する積層基板をエッチング処理によって形成する場合、すなわち、エッチング量が大きい基板の処理などが想定される。図６はこのような積層基板の一例である。基板１２の上面には複数層の酸化膜３および複数層のポリシリコン層４が積層され、さらに、これら複数の層をそれらの積層方向に貫通する孔５が形成されている。この基板１２をエッチング液に浸漬すると、孔５にエッチング液が進入し、図７に示すように、孔５の内周面（側壁）から各ポリシリコン層４が選択的にエッチングされ、各ポリシリコン層４が孔５の内周面から後退する。これにより、孔５の内周面（側壁）から各酸化膜３が内方へと突出した構造が得られる。基板１２上に積層される膜の数が多くなり孔５が深くなればなるほど、孔５の内周面のエッチング液に対する接液面積は増加するため、単位時間あたりのエッチング量は大きくなる。基板からエッチング液に溶出するシリコンの量はエッチング量と相関しているため、積層数の多い基板を処理（エッチング）する場合、その処理に伴う処理液３０中の変化成分（シリコン）の濃度変化は、積層数の少ない基板を処理する場合よりも大きくなる。
一方で、濃度制御に用いられる補充液４０は予備槽４８に貯められ、かつ、予備槽４８に接続された循環経路４３によって補充液４０は循環している。循環経路４３には、補充液４０を加熱するためのヒーター４４が配置されているため、予備槽４８における補充液４０は、所望の温度に調整された状態で維持される。予備槽４８における補充液４０の温度は、制御部５６によってヒーター４４の出力を制御することによって調整することができる。
予備槽４８における補充液４０の温度を、処理槽１４内の処理液３０の温度に近い温度に調整することによって、補充液４０を補充した場合でも処理槽１４内の処理液３０の温度が変化しにくくなる。すなわち、基板１２を処理している間に補充液４０を補充した場合でも、処理液３０の温度を適切に維持した状態で基板１２の処理を継続することができる。
予備槽４８には、燐酸供給源６３から燐酸が、調整剤供給源６１から濃度調整剤が、それぞれ供給される。制御部５６は、バルブ６０の開閉およびバルブ６２の開閉を制御することによって、予備槽４８に貯められる補充液４０の量、または、補充液４０中のシリコン濃度などを調整することができる。そのため、制御部５６は、特定部５４において特定された予測濃度変化パターンに合わせて、処理液３０中の変化成分の濃度の変化を変更し得る量および濃度である補充液４０を予備槽４８に蓄えることができる。
ここで、上記の処理液３０の濃度制御に際し、処理液３０中の変化成分の濃度を測定する濃度計をさらに設けることも可能である。その場合、制御部５６は、当該濃度計による測定値を用いたフィードバック制御を行うことも可能である。
図５は、処理液３０中の変化成分の濃度を測定する濃度計を備える場合の、本実施の形態に関する基板処理装置の構成を概略的に例示する図である。
図５に例示されるように、基板処理装置は、図１に例示される構成に加えて、循環経路２０から分岐する分岐経路７０を備える。
分岐経路７０においては、循環経路２０から分岐経路７０に処理液３０を流入させるバルブ７１と、分岐経路７０からさらに濃度計７３に処理液３０を流入させるバルブ７２とが配置される。
濃度計７３は、処理液３０中の変化成分の濃度を測定する。たとえば、基板１２のエッチング処理によって処理液３０中のシリコン濃度が変化する場合には、濃度計７３はシリコン濃度計に相当する。
濃度計７３によって処理液３０中の変化成分の濃度が測定されると、当該測定結果は制御部５６に出力される。そして、制御部５６は、当該測定結果に応じて、予測濃度変化パターンに基づく補充液４０の補充制御を調整することができる。具体的には、濃度計７３によって処理液３０中の変化成分の濃度が変化していることが示された場合に、制御部５６は、処理液３０中の変化成分の濃度変化の大きさに応じて、補充液４０の補充量、または、補充液４０の濃度などを調整することができる。
図８は先に図３を用いて説明したものとは別の対応テーブルの例である。図８は、標準的基板処理条件の下で基板枚数のみを異ならせたケースにおける対応テーブルを示している。
基板処理条件の項目としては、処理液３０の種類（例えば燐酸水溶液等）を示す情報、処理液３０に含まれる燐酸成分等の濃度、処理液３０の温度、補充液４０の液量が挙げられる。同一の標準的基板処理条件の下で基板処理を実行した場合でも、処理槽１４に一度に浸漬させる基板枚数が異なるとシリコン濃度は異なるパターンで経時的変化を起こす。
図８の対応テーブルは、基板枚数１０枚のときの濃度変化パターン（パターン１）と、基板枚数３０枚のときの濃度変化パターン（パターン２）と、さらに、基板枚数に拘わりなく、標準的基板処理条件の下で基板処理した場合における標準的な濃度変化パターン（標準パターン）と、を記憶している。なお、基板枚数はこれらに限定されるものではない。
図９は、標準パターンと、基板枚数３０枚のときの濃度変化パターン（パターン２。一点鎖線。）と、基板枚数１０枚のときの濃度変化パターン（パターン１。破線。）とを示している。パターン２のほうがパターン１よりもシリコン濃度の変化率が高い。このように、シリコン濃度の変化率は基板枚数の影響を受ける。
次に、図９、図１０および図１１を参照して、図８に示す対応テーブルを用いた場合の基板処理装置の制御動作を説明する。図１０は制御部５６によって処理液３０の濃度制御が行われた場合の処理液３０のシリコン濃度の経時変化を示すグラフである。図１０において、一点鎖線はパターン２を、細字実線は標準パターンを、太字実線は実際のシリコン濃度の推移を示している。図１１は制御フローを説明するためのフローチャートである。
まず、取得部５０は処理情報２００を取得する。すなわち、取得部５０は処理槽１４に一度に浸漬される基板１２の枚数を取得する（ステップＳＴ２０１）。ここでは、３０枚の基板１２が処理槽１４に一度に浸漬されるとする。特定部５４は、取得した基板の処理情報に対応する予測濃度変化パターンを特定する（ステップＳＴ２０２）。すなわち、特定部５４は基板枚数３０枚に対応する濃度変化パターン「パターン２」を特定する。さらに制御部５６は「標準パターン」を特定する。
制御部５６は、対応テーブルを参照して処理液３０中のシリコン濃度がパターン２のように経時変化すると予測する。また、制御部５６は、パターン２と標準パターンとを比較することにより、処理液３０中のシリコン濃度が時間の経過とともに、標準パターンからどのように乖離していくかも予測する。
図１０を参照して、制御部５６は、シリコン濃度の標準パターンに対する許容乖離幅、すなわち、処理液３０のシリコン濃度がどの程度、標準パターンから乖離することを許容できるかを示す許容範囲を許容シリコン濃度差Δｄとして記憶している。そして、制御部５６は、処理液３０が許容シリコン濃度差Δｄを有するようになる時刻を予測する。制御部５６は、処理液３０が許容シリコン濃度差Δｄを有すると予測した時刻を補充時刻として特定する（ステップＳＴ２０３）。図１０の例では、時刻ｔ１において、パターン２に基づいて予測したシリコン濃度ｄ２と標準パターンに基づいて予測したシリコン濃度ｄ１との差分｜ｄ１−ｄ２｜が、許容シリコン濃度差Δｄに近づくとする。制御部５６は、時刻ｔ１を補充時刻ｔ１として設定する。そして、処理時間が補充時刻ｔ１に達したときにシリコン濃度ｄ２未満の補充シリコン濃度ｄ２’を有する補充液４０を外槽１６経由で処理槽１４に補充することにより、処理液３０のシリコン濃度が許容シリコン濃度差Δｄを超えて標準パターンから乖離することを防止する。
次に、制御部５６は補充時刻ｔ１までに、補充シリコン濃度ｄ２’を有する補充液４０の調製を完了させる制御を実行する（ステップＳＴ２０４）。すなわち、バルブ６０とバルブ６２とを開放することにより調整剤と燐酸とを予備槽４８に供給し、バルブ６０およびバルブ６２の開度を調整することによって補充シリコン濃度ｄ２’を有する補充液４０を予備槽４８に貯留させる。さらに、ヒーター４４で加熱しながら補充液４０を循環経路４３内に循環させることにより、補充液４０を処理液３０の液温以上に昇温させる。
制御部５６は、処理時間が補充時刻ｔ１に達したか否かを判断し（ステップＳＴ２０５）、補充時刻ｔ１に達したと判断すると（ステップＳＴ２０５でＹｅｓ）、ポンプ３８を駆動して、外槽１６に向けて補充液４０を補充する（ステップＳＴ２０６）。これにより、図１０に矢印ａ１で示すように、処理液３０のシリコン濃度がシリコン濃度ｄ１０（ｄ１＜ｄ１０＜ｄ２）まで下落する。これにより、処理液３０の実際のシリコン濃度と標準パターンに基づくシリコン濃度との差分が許容シリコン濃度差Δｄ未満となる。
次に、制御部５６は基板処理が完了したか判断する（ステップＳＴ２０７）。完了していないと判断すると、ステップＳＴ２０３に移行して、次の補充時刻ｔ２を特定する。制御部５６は、補充時刻ｔ１以降のパターン２の変化率などを参考に補充時刻ｔ１以降の処理液３０のシリコン濃度の推移を予測する。図１０の例では、時刻ｔ２において、パターン２に基づくシリコン濃度ｄ４と標準パターンに基づくシリコン濃度ｄ３との差分｜ｄ３−ｄ４｜が、許容シリコン濃度差Δｄに達するとする。したがって、制御部５６は時刻ｔ２を２回目の補充時刻ｔ２として特定する（ステップＳＴ２０３）。
この後、制御部５６は２回目の補充時刻ｔ２までにシリコン濃度ｄ４未満の補充シリコン濃度ｄ４’の補充液４０の調製が完了するように、バルブ６０、バルブ６２、ポンプ４２、およびヒーター４４を制御する（ステップＳＴ２０４）。制御部５６は処理時間が２回目の補充時刻ｔ２に達したと判断すると（ステップＳＴ２０５でＹｅｓ）、ポンプ３８を制御して予備槽４８から外槽１６に向けて補充シリコン濃度ｄ４’の補充液４０を補充する（ステップＳＴ２０６）。これにより処理液３０のシリコン濃度が図１０中、矢印ａ２で示すようにシリコン濃度ｄ３０（ｄ３＜ｄ３０＜ｄ４）まで下落する。
このように、制御部５６は処理情報の１つである基板枚数に対応付けられた処理液３０のシリコン濃度の変化パターンに基づいて基板処理中の処理液３０のシリコン濃度の推移を予測する。そして、処理液３０のシリコン濃度と標準パターンに基づくシリコン濃度との差分が許容できなくなる時刻（補充時刻）を特定する。制御部５６は処理時間が当該補充時刻に達するまでに、処理液３０のシリコン濃度と標準パターンに基づくシリコン濃度との差分を許容範囲内まで縮小することが可能なシリコン濃度を有する補充液４０の調製を完了させる。
図１０に示すように、必要とされる補充液４０のシリコン濃度は処理時刻に応じて異なっている。すなわち、２回目の補充時刻ｔ２で必要とされる補充シリコン濃度ｄ４’は１回目の補充時刻ｔ１で必要とされる補充シリコン濃度ｄ２’よりも高い。これは、本実施の形態のようなバッチ型の基板処理装置では、処理液３０のシリコン濃度が基板処理の経過と共に上昇していくことが通例だからである。したがって、予備槽４８では処理時刻に応じて異なるシリコン濃度の補充液を調製する必要がある。本実施の形態ではシリコン濃度変化パターンに基づいて処理液３０の将来のシリコン濃度を予測することができるため、補充液４０の調製を補充時刻に先行して開始することが可能である。
なお、処理液３０の実際のシリコン濃度は補充液４０を補充する度にパターン２に基づくシリコン濃度から乖離していく。したがって、パターン２に基づくシリコン濃度の予測精度は処理時間の経過と共に低下していくと考えられる。そこで、図５に示すように基板処理装置に濃度計７３を配備する。そして、分岐経路７０を循環する処理液３０のシリコン濃度を濃度計７３で測定し、該濃度計７３が出力する濃度値を使って、パターン２に基づくシリコン濃度の予測結果を補完するようにしてもよい。具体的には、パターン２に基づいて２回目の補充時刻ｔ２に補充シリコン濃度ｄ４’の補充液４０を補充する必要があると予測する。しかし、実際に補充液４０を補充するタイミングは濃度計７３の出力に基づいて決定するといった手法が考えられる。このような手法を採用することによって処理液３０の濃度をより高い精度で制御できるようになる。
本実施形態の対応テーブルは、基板枚数という単一の処理情報と濃度変化パターンとを対応付けて記述していた。しかし、複数の処理情報と濃度変化パターンとを対応付けて記述した対応テーブルを使用することも可能である。
図１２は、複数の処理情報（基板枚数および基板１２に形成されたパターンの積層数）と濃度変化パターンとを対応付けて記述した対応テーブルを示している。例えば、処理槽１４に一度に浸漬される基板１２の枚数（基板枚数）が１０枚で、積層数がｄｄ１の場合には、処理液３０のシリコン濃度は図１３に示すパターン１０のように推移すると予測される。同様に、基板枚数が１０枚で積層数がｄｄ２（ｄｄ１＜ｄｄ２）の場合には、シリコン濃度は図１３に示すパターン１１のように推移すると予測される。
先述したように、積層数が多ければ多いほどエッチング量が大きくなるため、処理中に基板１２から処理液３０に溶出するシリコンの量は多くなる。この結果、処理中のシリコン濃度の増加率はパターン１０よりもパターン１１の方が高くなると考えられる。
このように、複数の処理情報を濃度変化パターンに対応付けて記述した対応テーブルを使用することにより処理液３０中のシリコン濃度の推移をより高い精度で予測することが可能になる。
＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果を例示する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、処理槽１４と、取得部５０と、記憶部５２と、特定部５４と、制御部５６とを備える。処理槽１４は、少なくとも１枚の基板１２を処理液３０で処理するための容器である。取得部５０は、処理槽１４において処理される基板１２の処理情報２００をあらかじめ取得する。記憶部５２は、対応情報としての対応テーブルを記憶する。対応テーブルとは、処理情報２００と、処理情報２００が取り得る複数の状況にそれぞれ対応する処理液３０の複数の濃度変化パターンとを記述するテーブルである。特定部５４は、対応テーブルを参照することによって、取得部５０において取得された基板１２の処理情報２００に対応するひとつの濃度変化パターンを予測濃度変化パターンとして特定する。制御部５６は、処理槽１４において基板１２が処理されている間に、予測濃度変化パターンに基づいて処理液３０の濃度制御を行う。
このような構成によれば、基板１２が処理されている間に、特定された予測濃度変化パターンに基づいて処理液３０の濃度を制御することができる。そのため、基板１２の処理に伴う処理液３０中の成分濃度の変化が大きい場合、さらには、成分濃度の時間変化が大きい場合であっても、基板１２が処理されている間の処理液の濃度を適切に制御することができる。
なお、これらの構成以外の本願明細書に例示される他の構成については適宜省略することができる。すなわち、少なくともこれらの構成を備えていれば、以上に記載された効果を生じさせることができる。
しかしながら、本願明細書に例示される他の構成のうちの少なくとも１つを以上に記載された構成に適宜追加した場合、すなわち、以上に記載された構成としては記載されなかった本願明細書に例示される他の構成を以上に記載された構成に追加した場合でも、同様に以上に記載された効果を生じさせることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、処理槽１４において基板１２が処理されている間に、処理槽１４に補充液４０を補充する補充部を備える。そして、制御部５６は、補充部によって補充される補充液４０の量を制御することによって処理液３０の濃度制御を行う。ここで、補充部は、たとえば、補充液４０を貯める予備槽４８および補充液４０を予備槽４８から流すポンプ３８に対応するものである。このような構成によれば、基板１２が処理されている間に補充液４０を補充することによって、基板１２の処理中に処理液３０中の変化成分の濃度が変化することを抑制しつつ、処理液３０の濃度を制御することができる。したがって、基板１２の処理に伴う処理液３０中の成分濃度の変化が大きい場合であっても、基板１２が処理されている間の処理液の濃度を維持することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板１２は、積層構造の基板である。このような構成によれば、エッチング量が大きい積層基板の処理に伴って処理液３０の濃度が大きく変化する場合であっても、基板１２が処理されている間の処理液の濃度を維持することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、補充部は、処理液３０の温度に基づいて温度調整された補充液４０を処理槽１４に補充する。このような構成によれば、予備槽４８における補充液４０の温度を、処理槽１４内の処理液３０の温度に近い温度に調整することによって、補充液４０を補充しても処理槽１４内の処理液３０の温度が変化しにくくなる。したがって、補充液４０が補充される場合であっても、処理液３０の温度を適切に維持した状態で基板１２の処理を継続することができる。
以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法において、処理槽１４において処理される基板１２の処理情報２００をあらかじめ取得する。そして、処理情報２００と、処理情報２００が取り得る複数の状況のそれぞれに対応する処理液３０の複数の濃度変化パターンとを記述する対応テーブルを参照することによって、取得された基板１２の処理情報２００に対応するひとつの濃度変化パターンを予測濃度変化パターンとして特定する。そして、処理槽１４において基板１２が処理されている間に、特定された予測濃度変化パターンに基づいて処理液３０の濃度制御を行う。
このような構成によれば、基板１２が処理されている間に、特定された予測濃度変化パターンに基づいて処理液３０の濃度を制御することができる。そのため、基板１２の処理に伴う処理液３０中の成分濃度の変化が大きい場合であっても、基板１２が処理されている間の処理液の濃度を制御することができる。
なお、これらの構成以外の本願明細書に例示される他の構成については適宜省略することができる。すなわち、少なくともこれらの構成を備えていれば、以上に記載された効果を生じさせることができる。
しかしながら、本願明細書に例示される他の構成のうちの少なくとも１つを以上に記載された構成に適宜追加した場合、すなわち、以上に記載された構成としては記載されなかった本願明細書に例示される他の構成を以上に記載された構成に追加した場合でも、同様に以上に記載された効果を生じさせることができる。
また、特段の制限がない場合には、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。
＜以上に記載された実施の形態における変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
したがって、例示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。
３ 酸化膜
４ ポリシリコン膜
５ 孔
１２ 基板
１４ 処理槽
１４Ａ 処理液吐出部
１６ 外槽
１８ リフター
２０，４３ 循環経路
２２，３８，４２ ポンプ
２４，４４ ヒーター
２６ フィルター
２８，６３ 燐酸供給源
３０ 処理液
３２，３６，６０，６２，７１，７２ バルブ
３４ 純水供給源
４０ 補充液
４６ 補充経路
４８ 予備槽
５０ 取得部
５２ 記憶部
５４ 特定部
５６ 制御部
６１ 調整剤供給源
７０ 分岐経路
７３ 濃度計
１００ 制御装置
２００ 処理情報

Claims (15)

  1. 少なくとも１枚の基板を処理液で処理するための処理槽と、
    前記処理槽において処理される前記基板の処理情報をあらかじめ取得する取得部と、
    前記処理情報が取り得る複数の状況と、前記処理情報の複数の状況にそれぞれ対応してあらかじめ準備された前記処理液の複数の濃度変化パターンとを記述する対応情報と、前記処理槽において所定の基板処理条件の下で基板処理を実行した場合における前記処理液の標準的な濃度推移を示す標準濃度変化パターンとを記憶する記憶部と、
    前記対応情報に記述された濃度変化パターンの１つを、前記取得部において取得された前記基板の前記処理情報に対応する予測濃度変化パターンとして特定する特定部と、
    前記処理槽において前記基板が処理されている間に、前記予測濃度変化パターンに基づき予測した前記処理液の濃度と前記標準濃度変化パターンに基づき予測した前記処理液の濃度との濃度差が所定の範囲となる時刻を特定し、当該時刻に補充液を補充して、前記処理液の濃度を前記標準濃度変化パターンに合わせるように濃度制御を行う制御部とを備える、
    基板処理装置。
  2. 前記制御部が、前記処理液の濃度が前記標準濃度変化パターンから乖離することを許容できる範囲である前記濃度差を記憶している、
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記処理槽において前記基板が処理されている間に、前記処理槽に前記補充液を補充する補充部をさらに備え、
    前記制御部は、前記予測濃度変化パターンに基づき、前記補充部によって補充される前記補充液の量を制御することによって前記処理液の濃度制御を行う、
    請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記基板の前記処理情報の前記複数の状況は、前記処理槽において処理される前記基板の枚数の状況に関する情報を含む、
    請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 前記基板の前記処理情報の前記複数の状況は、前記処理槽において前記基板を処理する時間の状況に関する情報を含む、
    請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  6. 前記基板の前記処理情報の前記複数の状況は、前記処理槽において前記基板を処理する速度の状況に関する情報を含む、
    請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  7. 前記基板の前記処理情報の前記複数の状況は、前記処理槽で処理される前記基板において形成される表面パターンの表面積の状況に関する情報を含む、
    請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  8. 前記基板は、積層構造の基板である、
    請求項１から請求項７のうちのいずれか１項に記載の基板処理装置。
  9. 前記補充部は、前記処理液の温度に基づいて温度調整された前記補充液を前記処理槽に補充する、
    請求項３に記載の基板処理装置。
  10. 少なくとも１枚の基板を処理槽において処理液で処理する基板処理方法であり、
    前記処理槽において処理される前記基板の処理情報をあらかじめ取得し、
    前記処理情報が取り得る複数の状況と、前記処理情報の複数の状況にそれぞれ対応してあらかじめ準備された前記処理液の複数の濃度変化パターンとを記述する対応情報を参照することによって、取得された前記基板の前記処理情報に対応する予測濃度変化パターンを特定し、
    前記処理槽において前記基板が処理されている間に、前記予測濃度変化パターンと前記処理槽において所定の基板処理条件の下で基板処理を実行した場合における前記処理液の標準的な濃度推移を示す標準濃度変化パターンとの濃度差が所定の範囲となる時刻を特定して、当該時刻に補充液を補充して、前記処理液の濃度が前記標準濃度変化パターンから所定の範囲内にあるように制御を行う、
    基板処理方法。
  11. 前記濃度差が前記標準濃度変化パターンから乖離することを許容できる範囲内になるように制御を行う、
    請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 処理液を貯留し、当該貯留された前記処理液に少なくとも１枚の基板を浸漬させることにより前記基板の基板処理を行う処理槽と、
    前記処理槽とは別に設けられ、前記処理槽に向けて所定の濃度に調製された補充液を補充するための予備槽と、
    前記予備槽から前記処理槽に向けて前記補充液を送液する送液手段と、
    前記処理槽に浸漬される前記基板に関する処理情報をあらかじめ取得する取得部と、
    前記処理情報がとり得る複数の状況と、前記処理情報の複数の状況にそれぞれ対応してあらかじめ準備された前記処理液の複数の濃度変化パターンとを記述する対応情報と、前記処理槽において所定の基板処理条件の下で前記基板処理を実行した場合における前記処理液の標準的な濃度推移を示す標準濃度変化パターンとを記憶する記憶部と、
    前記対応情報に記述された濃度変化パターンの１つを、前記取得部において取得された前記基板の前記処理情報に対応する予測濃度変化パターンとして特定する特定部と、
    特定された前記予測濃度変化パターンに基づいて前記処理液の将来の濃度を予測する濃度予測制御と、将来の濃度を変更することが可能な前記補充液の濃度を特定する補充液濃度特定制御と、前記予備槽から前記処理槽に向けて前記補充液を補充する前にあらかじめ前記予備槽にて前記補充液を調製する調製制御と、前記基板処理中に調製された前記補充液を前記予備槽から前記処理槽に向けて送液するように前記送液手段を制御する送液制御と、を実行する制御部とを備え、
    前記制御部は、前記処理槽において前記基板が処理されている間に、前記予測濃度変化パターンと前記標準濃度変化パターンとの濃度差に基づいて、前記補充液を補充する時刻を特定し、当該時刻に前記補充液を補充して、前記処理液の濃度を前記標準濃度変化パターンに合わせるように制御を行う、
    基板処理装置。
  13. 前記制御部は、前記処理槽に浸漬された基板の濃度変化パターンと前記標準濃度変化パターンとに基づいて前記補充液濃度特定制御を実行する、請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 処理液を貯留し、当該貯留された前記処理液に少なくとも１枚の基板を浸漬させることにより前記基板の基板処理を行う処理槽と、前記処理槽とは別に設けられ、前記処理槽に向けて所定の濃度に調製された補充液を補充するための予備槽と、前記予備槽から前記処理槽に向けて前記補充液を送液する送液手段と、前記処理槽に浸漬される前記基板に関する処理情報がとり得る複数の状況と、前記処理情報の複数の状況にそれぞれ対応してあらかじめ準備された前記処理液の複数の濃度変化パターンとを記述する対応情報を予め記憶する記憶部と、を備えた基板処理装置における基板処理方法であって、
    前記処理槽に浸漬される前記基板に関する前記処理情報をあらかじめ取得する取得工程と、
    前記対応情報を参照することによって、前記取得された前記基板の前記処理情報に対応する予測濃度変化パターンを特定する特定工程と、
    特定された前記予測濃度変化パターンに基づいて前記処理液の将来の濃度を予測する濃度予測工程と、
    将来の濃度を変更することが可能な前記補充液の濃度を特定する補充液濃度特定工程と、
    前記予備槽から前記処理槽に向けて前記補充液を補充する前にあらかじめ前記予備槽にて前記補充液を調製する調製工程と、
    前記基板処理中に調製された前記補充液を前記予備槽から前記処理槽に向けて送液する送液工程と、を実行し、
    前記処理槽において前記基板が処理されている間に、前記予測濃度変化パターンと、前記処理槽において所定の基板処理条件の下で前記基板処理を実行した場合における前記処理液の標準的な濃度推移を示す標準濃度変化パターンとの濃度差に基づいて、前記補充液を補充する時刻を特定し、当該時刻に前記補充液を補充して、前記標準濃度変化パターンに合わせるように制御を行う、
    基板処理方法。
  15. 前記濃度変化パターン、前記標準濃度変化パターン、前記予測濃度変化パターンは、いずれもシリコン濃度の経時変化を示す、
    請求項１から９および１２のうちのいずれか１項に記載の基板処理装置。
JP2017060474A 2017-03-27 2017-03-27 基板処理装置、および、基板処理方法 Active JP6857526B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017060474A JP6857526B2 (ja) 2017-03-27 2017-03-27 基板処理装置、および、基板処理方法
TW106146542A TWI711490B (zh) 2017-03-27 2017-12-29 基板處理裝置及基板處理方法
KR1020180008399A KR102086214B1 (ko) 2017-03-27 2018-01-23 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US15/890,429 US20180277454A1 (en) 2017-03-27 2018-02-07 Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
CN201810161422.5A CN108666235B (zh) 2017-03-27 2018-02-27 基板处理装置以及基板处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017060474A JP6857526B2 (ja) 2017-03-27 2017-03-27 基板処理装置、および、基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018164000A JP2018164000A (ja) 2018-10-18
JP6857526B2 true JP6857526B2 (ja) 2021-04-14

Family

ID=63583628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017060474A Active JP6857526B2 (ja) 2017-03-27 2017-03-27 基板処理装置、および、基板処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20180277454A1 (ja)
JP (1) JP6857526B2 (ja)
KR (1) KR102086214B1 (ja)
CN (1) CN108666235B (ja)
TW (1) TWI711490B (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7289639B2 (ja) * 2018-11-30 2023-06-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および基板処理方法
JP7186095B2 (ja) * 2019-01-08 2022-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6843173B2 (ja) * 2019-03-29 2021-03-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP7181156B2 (ja) * 2019-05-31 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法
JP7413113B2 (ja) 2020-03-24 2024-01-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システム
JP2022072689A (ja) * 2020-10-30 2022-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2023042256A (ja) * 2021-09-14 2023-03-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2023042255A (ja) * 2021-09-14 2023-03-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2023045047A (ja) * 2021-09-21 2023-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2023169630A (ja) * 2022-05-17 2023-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150447A (ja) * 1998-11-10 2000-05-30 Nec Corp 薬液濃度管理方法、管理装置および薬液処理装置
JP3216125B2 (ja) * 1999-01-12 2001-10-09 日本電気株式会社 薬液処理方法および薬液処理装置
JP3704054B2 (ja) * 2001-05-01 2005-10-05 東京エレクトロン株式会社 処理液の濃度を変更する方法及び処理液供給装置
US20060247803A1 (en) * 2005-03-29 2006-11-02 Kazushi Mori Control system, control method, process system, and computer readable storage medium and computer program
JP5168907B2 (ja) * 2007-01-15 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
JP4358259B2 (ja) * 2007-06-05 2009-11-04 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体製造方法
JP5368116B2 (ja) 2008-03-25 2013-12-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5715546B2 (ja) * 2011-10-27 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2013201418A (ja) * 2012-02-24 2013-10-03 Ebara Corp 基板処理方法
US9887095B2 (en) * 2013-03-12 2018-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for an etch process with silicon concentration control
JP6370233B2 (ja) * 2015-01-30 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6294256B2 (ja) * 2015-03-26 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6472726B2 (ja) * 2015-07-22 2019-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018164000A (ja) 2018-10-18
TW201842977A (zh) 2018-12-16
CN108666235B (zh) 2022-03-08
TWI711490B (zh) 2020-12-01
KR102086214B1 (ko) 2020-03-06
KR20180109671A (ko) 2018-10-08
CN108666235A (zh) 2018-10-16
US20180277454A1 (en) 2018-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6857526B2 (ja) 基板処理装置、および、基板処理方法
CN108511320B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
US20170287744A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20180033071A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5715546B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR20110132235A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체
JP7398969B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP2020047886A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR100928951B1 (ko) 케미컬 플로우 방법, 그리고 이를 이용하는 집적 회로소자의 제조 방법 및 장치
TWI719258B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2024026874A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7004144B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20220134375A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW202141614A (zh) 處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統
JP2019125692A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6976166B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN111640661B (zh) 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质
TWI819601B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP7454986B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JPH10261610A (ja) 基板処理装置
KR102625932B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100898045B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그의 약액 공급 방법
CN115502140A (zh) 基片处理装置和液更换方法
JP2023169630A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2020072189A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191223

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201006

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201204

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210302

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210322

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6857526

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250