TW202141614A - 處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統 - Google Patents

處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統 Download PDF

Info

Publication number
TW202141614A
TW202141614A TW110107909A TW110107909A TW202141614A TW 202141614 A TW202141614 A TW 202141614A TW 110107909 A TW110107909 A TW 110107909A TW 110107909 A TW110107909 A TW 110107909A TW 202141614 A TW202141614 A TW 202141614A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing liquid
processing
storage tank
substrate
liquid
Prior art date
Application number
TW110107909A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI813961B (zh
Inventor
高橋朋宏
武知圭
内田博章
杉岡真治
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202141614A publication Critical patent/TW202141614A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI813961B publication Critical patent/TWI813961B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明提供一種能使用以處理基板之處理液之濃度快速達到目標值之處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統。處理液溫度調整方法包括：步驟(S1)，其係將用以處理基板(W)之處理液(LQ)加熱至處理液(LQ)之標準沸點以上；步驟(S2)，其係對貯存於第1貯存槽(210)之處理液(LQ)供給促進水分自加熱後之處理液(LQ)中蒸發之氣體(GA)；及步驟(S3)，其係自第1貯存槽(210)中排出水蒸氣及氣體(GA)。處理液(LQ)係含有磷酸之液體。

Description

處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統
本發明係關於一種處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統。
專利文獻1中記載之基板處理裝置具備處理槽、獲取部、記憶部、特定部及控制部。
處理槽利用處理液對基板進行處理。獲取部預先獲取基板之處理資訊。記憶部記憶對應資訊，上述對應資訊係描述處理資訊可採取之複數種情況、及預先與複數種情況之每一種對應準備之複數個濃度變化圖案之資訊。特定部藉由參照對應資訊，而特定出與所獲取之基板之處理資訊對應之預測濃度變化圖案。於處理槽中對基板進行處理期間，控制部基於預測濃度變化圖案來控制處理液之濃度。
其結果為，即便於伴隨基板處理出現之處理液中成分濃度之變化較大之情形時，亦能控制處理基板期間處理液之濃度。
尤其是於專利文獻1中記載之積層基板中，於基板本體之上表面積層有複數層氧化膜及複數層多晶矽膜，進而形成有於其等之積層方向上貫通該等複數個層之孔。當將積層基板浸漬於蝕刻液(磷酸)時，蝕刻液進入孔中，自孔之內周面(側壁)選擇性蝕刻各多晶矽層，各多晶矽層自孔之內周面退後。積層於基板本體之膜之數量越多且孔越深，則孔之內周面與蝕刻液之接觸面積便會越大，故而每單位時間之蝕刻量越大。由於自基板溶出至蝕刻液中之矽之量與蝕刻量相關聯，故而當對積層數較多之積層基板進行蝕刻時，伴隨蝕刻出現之處理液中之變化成分(矽)之濃度變化大於對積層數較少之積層基板進行蝕刻時之變化。
於專利文獻1所記載之基板處理裝置中，控制部基於預測濃度變化圖案，對用於將貯存在備用槽之補充液補充至處理槽中之泵之驅動進行控制，自備用槽向處理槽補充處理液。其結果為，即便於處理液之濃度變化伴隨蝕刻量較大之積層基板之處理而較大的情形時，亦能維持對基板進行處理期間之處理液之濃度。  [先前技術文獻]  [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2018-164000號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，於專利文獻1所記載之基板處理裝置中，若基板進一步高積層化，則伴隨蝕刻出現之處理液中之變化成分(矽)之濃度變化便會更大。因此，必須自備用槽向處理槽補充大量濃度經調整之處理液。然而，於備用槽中，可能因來不及調整濃度，而無法將大量濃度經調整之處理液供給至處理槽中。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種能使用以處理基板之處理液之濃度快速達到目標值之處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統。  [解決問題之技術手段]
根據本發明之一態樣，處理液溫度調整方法包括以下步驟：將用以處理基板之處理液加熱至上述處理液之標準沸點以上；對貯存於第1貯存槽之上述處理液供給促進水分自上述加熱後之處理液中蒸發之氣體；及自上述第1貯存槽中排出水蒸氣及上述氣體。上述處理液係含有磷酸之液體。
本發明之處理液溫度調整方法較佳為進而包括如下步驟：自上述第1貯存槽直接或間接地向處理上述基板之基板處理部供給上述處理液。
本發明之處理液溫度調整方法較佳為進而包括以下步驟：在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之濃度達到目標值之後，自上述第1貯存槽向第2貯存槽供給上述處理液；及對貯存於上述第2貯存槽之上述處理液之溫度進行調節，使上述處理液之濃度維持於上述目標值。較佳為於供給上述處理液之上述步驟中，自上述第2貯存槽向上述基板處理部供給上述處理液。
於本發明之處理液溫度調整方法中，較佳為上述第1貯存槽係將上述基板浸漬於上述處理液中對上述基板進行處理之處理槽。較佳為將上述處理液加熱之上述步驟、及供給上述氣體之上述步驟係在未將上述基板浸漬於上述處理液之期間執行。
於本發明之處理液溫度調整方法中，較佳為將上述處理液加熱之上述步驟、及供給上述氣體之上述步驟係在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之一部分或全部被排出，將上述處理液之一部分或全部替換成新的上述處理液之後執行。
根據本發明之另一態樣，處理液溫度調整方法包括以下步驟：將用以處理基板之處理液加熱至上述處理液之標準沸點以上；對貯存於第1貯存槽之上述處理液供給促進水分自上述加熱後之處理液中蒸發之氣體；自上述第1貯存槽中排出水蒸氣及上述氣體；在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之濃度達到目標值之後，自上述第1貯存槽向第2貯存槽供給上述處理液；對貯存於上述第2貯存槽之上述處理液之溫度進行調節，使上述處理液之濃度維持於上述目標值；及自上述第2貯存槽向處理上述基板之基板處理部供給上述處理液。
根據本發明之又一態樣，基板處理方法包括上述處理液溫度調整方法、及利用處理液對基板進行處理之步驟。
根據本發明之又一態樣，處理液溫度調整裝置具備第1溫度調整部、第1貯存槽、氣體供給構件及排氣配管部。第1溫度調整部將用以處理基板之處理液加熱至上述處理液之標準沸點以上。第1貯存槽貯存利用上述第1溫度調整部加熱後之上述處理液。氣體供給構件對貯存於上述第1貯存槽之上述處理液供給促進水分自上述處理液中蒸發之氣體。排氣配管部自上述第1貯存槽中排出水蒸氣及上述氣體。上述處理液係含有磷酸之液體。
於本發明之處理液溫度調整裝置中，較佳為上述第1貯存槽向處理上述基板之基板處理部直接或間接地供給上述處理液。
本發明之處理液溫度調整裝置較佳為進而具備第2貯存槽及第2溫度調整部。較佳為第2貯存槽在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之濃度達到目標值之後，自上述第1貯存槽被供給上述處理液。較佳為第2溫度調整部對貯存於上述第2貯存槽之上述處理液之溫度進行調節，使上述處理液之濃度維持於上述目標值。較佳為上述第2貯存槽向上述基板處理部供給上述處理液。
於本發明之處理液溫度調整裝置中，較佳為上述第1貯存槽係將上述基板浸漬於上述處理液中對上述基板進行處理之處理槽。較佳為上述第1溫度調整部在未將上述基板浸漬於上述處理液之期間，將上述處理液加熱至上述標準沸點以上。較佳為上述氣體供給構件在未將上述基板浸漬於上述處理液之上述期間，對貯存於上述第1貯存槽之上述處理液供給上述氣體。
於本發明之處理液溫度調整裝置中，較佳為在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之一部分或全部被排出，將上述處理液之一部分或全部替換成新的上述處理液之後，上述第1溫度調整部將上述處理液加熱至上述標準沸點以上。較佳為在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之一部分或全部被排出，將上述處理液之一部分或全部替換成新的上述處理液之後，上述氣體供給構件對貯存於上述第1貯存槽之上述處理液供給上述氣體。
根據本發明之又一態樣，處理液溫度調整裝置具備第1溫度調整部、第1貯存槽、氣體供給構件、排氣配管部、第2貯存槽及第2溫度調整部。第1溫度調整部將用以處理基板之處理液加熱至上述處理液之標準沸點以上。第1貯存槽貯存利用上述第1溫度調整部加熱後之上述處理液。氣體供給構件對貯存於上述第1貯存槽之上述處理液供給促進水分自上述處理液中蒸發之氣體。排氣配管部自上述第1貯存槽中排出水蒸氣及上述氣體。第2貯存槽在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之濃度達到目標值之後，自上述第1貯存槽被供給上述處理液。第2溫度調整部對貯存於上述第2貯存槽之上述處理液之溫度進行調節，使上述處理液之濃度維持於上述目標值。上述第2貯存槽向處理上述基板之基板處理部供給上述處理液。
於本發明之處理液溫度調整裝置中，較佳為上述排氣配管部包含自上述第1貯存槽中排出上述水蒸氣及上述氣體之排氣配管。較佳為上述排氣配管之流路之截面面積滿足下式。  A×V≧Q  A：上述排氣配管之上述流路之上述截面面積  V：當不執行將上述處理液加熱至上述標準沸點以上之處理及對上述處理液供給上述氣體之處理時，流經上述排氣配管之上述流路之排出氣體之流速  Q：上述水蒸氣及上述氣體之每單位時間之排氣量
於本發明之處理液溫度調整裝置中，較佳為上述氣體供給構件之原材料為樹脂。
根據本發明之又一態樣，基板處理系統具備：上述處理液溫度調整裝置；及基板處理部，其利用處理液對基板進行處理。  [發明之效果]
根據本發明，能使用以處理基板之處理液之濃度快速達到目標值。
以下，參照圖式對本發明之實施方式進行說明。再者，圖中對相同或相應之部分標註相同參照符號，不再重複說明。又，於本發明之實施方式中，X軸、Y軸及Z軸相互正交，X軸及Y軸與水平方向平行，Z軸與鉛直方向平行。
(實施方式1)  參照圖1～圖4，對本發明之實施方式1之基板處理系統100及基板處理方法進行說明。首先，參照圖1對基板處理系統100進行說明。
圖1係表示本發明之實施方式1之基板處理系統100之模式圖。圖1所示之基板處理系統100為批次式。因此，基板處理系統100利用處理液LQ對複數個基板W一起進行處理。利用處理液LQ對複數個基板W進行蝕刻處理、表面處理、特性賦予、處理膜形成、膜之至少一部分之去除及洗淨中之至少1種。
處理液LQ例如為藉由沸騰使特定成分之濃度高於常溫時或室溫時之濃度而使用之液體(例如藥液)。藉由沸騰使特定成分之濃度高於常溫時或室溫時之濃度而使用之液體例如為含有磷酸的液體。於此情形時，「特定成分」為「磷酸」。
含有磷酸之液體例如為磷酸之水溶液(以下，記為「磷酸水溶液」)、磷酸水溶液中含有添加劑之液體、含有磷酸之混酸、或含有磷酸及添加劑之混酸。
基板W例如為半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(Field Emission Display：FED)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、或太陽電池用基板。
作為基板W之半導體晶圓例如具有用於形成三維快閃記憶體(例如三維NAND(Not AND，反及)快閃記憶體)之表面圖案。例如表面圖案具有包含1個以上凹部(例如溝槽或孔)之構造，且該構造係氧化矽膜與氮化矽膜交替積層而成，或氧化矽膜與多晶矽膜交替積層而成。於此情形時，利用處理液LQ選擇性蝕刻於表面圖案之凹部之側面露出之氮化矽膜或多晶矽膜。於此情形時，例如使用含有磷酸之液體作為處理液LQ。
如圖1所示，基板處理系統100包含處理裝置U1、處理液溫度調整裝置U2、冷卻槽群U3、控制裝置U4及配管P1。控制裝置U4控制處理裝置U1及處理液溫度調整裝置U2。控制裝置U4例如為電腦。詳細而言，控制裝置U4包含處理器及記憶裝置。處理器例如包括CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)。記憶裝置記憶資料及電腦程式。記憶裝置例如包含主記憶裝置及輔助記憶裝置。主記憶裝置例如包括半導體記憶器。輔助記憶裝置例如包括半導體記憶器、固態硬碟及/或硬碟。輔助記憶裝置例如亦可包括可移媒體。
處理裝置U1包含複數個基板處理部1、複數個冷卻槽5、複數個閥9、複數個閥11及複數個配管P2。複數個冷卻槽5分別與複數個基板處理部1對應配置。
複數個基板處理部1各自利用處理液LQ對基板W進行處理。具體而言，複數個基板處理部1分別為批次式，利用處理液LQ對複數個基板W一起進行處理。複數個基板處理部1各自包含處理槽3。各處理槽3貯存處理液LQ。又，各處理槽3收容複數個基板W。於各處理槽3之處理液LQ中浸漬複數個基板W。其結果為，於各處理槽3中，利用處理液LQ對複數個基板W進行處理。
具體而言，處理槽3具有包含內槽31及外槽33之雙槽構造。內槽31及外槽33分別具有向上開口之上部開口。內槽31構成為貯存處理液LQ，並能收容複數個基板W。外槽33設置於內槽31之上部開口之外側面。
配管P2自配管P1分支。配管P2延伸至冷卻槽5。而且，閥9配置於配管P2。閥9使配管P2封閉或開放。藉由閥9使配管P2開放，配管P2將自外槽33溢出之處理液LQ導引至冷卻槽5。而且，冷卻槽5將處理液LQ冷卻之後排出處理液LQ。
配管P1延伸至冷卻槽群U3。冷卻槽群U3與複數個基板處理部1分別對應地包含複數個冷卻槽350。配管P1自處理槽3延伸至冷卻槽350。而且，閥11配置於配管P1。閥11使配管P1封閉或開放。藉由閥11使配管P1開放，配管P1將自外槽33溢出之處理液LQ導引至冷卻槽350。而且，冷卻槽350將處理液LQ冷卻之後排出處理液LQ。
處理液溫度調整裝置U2向各基板處理部1(具體為各處理槽3)供給處理液LQ。即，處理液溫度調整裝置U2向各基板處理部1(具體為各處理槽3)補充處理液LQ。
具體而言，處理液溫度調整裝置U2包含第1溫度調整單元200及第2溫度調整單元300。第1溫度調整單元200藉由加熱處理液LQ，使水分從自處理液供給源TKA供給之處理液LQ中蒸發，而使處理液LQ之濃度達到目標值。濃度之目標值亦可具有固定範圍。處理液LQ之濃度表示處理液LQ中特定成分之濃度。當處理液LQ係含有磷酸之液體時，處理液LQ之濃度表示處理液LQ中磷酸之濃度(以下，記為「磷酸濃度」)。
而且，第1溫度調整單元200將濃度達到目標值之處理液LQ供給至第2溫度調整單元300。第2溫度調整單元300維持自第1溫度調整單元200供給之處理液LQ之溫度及濃度，並將處理液LQ供給至各基板處理部1(具體為各處理槽3)。即，第2溫度調整單元300將處理液LQ補充至各基板處理部1(具體為各處理槽3)。
具體而言，第1溫度調整單元200包含第1貯存槽210、第1測量部212、閥214、第1過濾器215、第1加熱器216、第1泵218、閥220、流量調整閥221、閥222、閥223、配管P4、配管P5、第1循環配管P6、配管P7及配管P10。圖1之例中，第1溫度調整單元200包含串聯連接之複數個第1加熱器216(具體為2個第1加熱器216)。第1加熱器216相當於「第1溫度調整部」之一例。再者，例如亦可於第1溫度調整單元200中省略第1過濾器215。
又，第2溫度調整單元300包含第2貯存槽310、第2測量部312、複數個閥314、第2過濾器315、第2加熱器316、第2泵318、複數個配管P3、配管P8、閥320及第2循環配管P9。第2加熱器316相當於「第2溫度調整部」之一例。
於第1溫度調整單元200中，配管P4自處理液供給源TKA延伸至第1貯存槽210。閥222配置於配管P4。閥222使配管P4封閉或開放。配管P5自稀釋液供給源TKB延伸至第1貯存槽210。閥224配置於配管P5。閥224使配管P5封閉或開放。
第1循環配管P6自第1貯存槽210之底部延伸至上部。閥214配置於第1循環配管P6。閥214使第1循環配管P6封閉或開放。第1泵218、第1加熱器216及第1過濾器215依序自第1循環配管P6之上游向下游配置於第1循環配管P6。
配管P7自第1循環配管P6分支，延伸至第2溫度調整單元300。具體而言，配管P7自第1循環配管P6分支，延伸至第2貯存槽310。閥220配置於配管P7。閥220使配管P7封閉或開放。又，配管P10將配管P7上之閥220之上游側與下游側銜接。流量調整閥221配置於配管P10。流量調整閥221調整流經配管P10之處理液LQ之流量。閥223在流量調整閥221之下游配置於配管P10。閥223使配管P10封閉或開放。
又，於第2溫度調整單元300中，配管P8自稀釋液供給源TKB延伸至第2貯存槽310。閥320配置於配管P8。閥320使配管P8封閉或開放。第2循環配管P9自第2貯存槽310之底部延伸至上部。第2泵318、第2加熱器316及第2過濾器315依序自第2循環配管P9之上游向下游配置於第2循環配管P9。
複數個配管P3分別與複數個基板處理部1對應配置。複數個配管P3各自從第2循環配管P9分支，延伸至對應之基板處理部1。具體而言，複數個配管P3各自從第2循環配管P9分支，延伸至對應之處理槽3。複數個閥314各自配置於對應之配管P3。閥314使配管P3封閉或開放。
接著，參照圖1對第1溫度調整單元200之動作進行說明。當閥222使配管P4開放時，配管P4將自處理液供給源TKA供給之處理液LQ供給至第1貯存槽210。
第1貯存槽210貯存自處理液供給源TKA供給之處理液LQ。第1貯存槽210具有向上開口之上部開口及蓋(以下，記為「蓋240」)。
第1循環配管P6將自第1貯存槽210送出之處理液LQ再次導入至第1貯存槽210，使處理液LQ循環。具體而言，第1循環配管P6藉由將自第1貯存槽210之底部送出之處理液LQ導入至第1貯存槽210之上部開口，而使處理液LQ返回至第1貯存槽210。
更具體而言，當閥214使第1循環配管P6開放，閥220使配管P7封閉時，第1泵218將自第1貯存槽210送出之處理液LQ經過第1循環配管P6朝向第1貯存槽210之上部開口送出。第1過濾器215將流經第1循環配管P6之處理液LQ過濾。
第1加熱器216調節處理液LQ之溫度。具體而言，第1加熱器216將供給至第1貯存槽210且用以處理基板W之處理液LQ加熱至處理液LQ之標準沸點以上。即，第1加熱器216將於第1循環配管P6中流動之處理液LQ加熱至處理液LQ之標準沸點以上。進而，第1溫度調整單元200根據處理槽3中之控制條件，基於第1測量部212之測量結果自稀釋液供給源TKB向第1貯存槽210供給稀釋液，同時使處理液LQ之濃度達到目標值。
處理液LQ之標準沸點係於自處理液供給源TKA而非第1循環配管P6向第1貯存槽210重新供給之處理液LQ之濃度下的沸點。一般而言，若處理液LQ之濃度變高，則處理液LQ之沸點會上升。稀釋液例如為水。水可採用DIW(去離子水)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如10 ppm～100 ppm左右)之鹽酸水中之任一種。
於處理液LQ為磷酸水溶液之情形時，例如自處理液供給源TKA向第1貯存槽210重新供給之磷酸水溶液之磷酸濃度於室溫下為85%。磷酸濃度為85%時之磷酸水溶液之沸點為157℃。因此，於此情形時，磷酸水溶液之標準沸點為157℃。於此情形時，第1加熱器216將於第1循環配管P6中流動之磷酸水溶液加熱至標準沸點即157℃以上之160℃。進而，第1溫度調整單元200根據處理槽3中之控制條件，基於第1測量部212之測量結果自稀釋液供給源TKB向第1貯存槽210供給稀釋液，同時使磷酸水溶液之磷酸濃度達到89%。於此情形時，「89%」係濃度之目標值。
第1測量部212對表示貯存於第1貯存槽210之處理液LQ之濃度之物理量進行測量。於本說明書中，表示處理液LQ之濃度之物理量係與處理液LQ之濃度大致成比例的值。例如，表示處理液LQ之濃度之物理量係處理液LQ中特定成分之濃度或比重。因此，第1測量部212例如為濃度計或比重計。再者，第1測量部212亦可對表示流經第1循環配管P6之處理液LQ之濃度之物理量進行測量。流經第1循環配管P6之處理液LQ之濃度及溫度分別與貯存於第1貯存槽210之處理液LQ之濃度及溫度大致相同。
例如，控制裝置U4有時為了使處理液LQ之濃度成為目標值，而基於第1測量部212之測量結果將閥224打開，自稀釋液供給源TKB向第1貯存槽210供給稀釋液。
在貯存於第1貯存槽210之處理液LQ之濃度達到目標值之後，第1貯存槽210將處理液LQ供給至第2貯存槽310。
具體而言，於第1貯存槽210之處理液LQ之濃度達到目標值之後，閥223使配管P10開放，進而，流量調整閥221調節處理液LQ之流量，將處理液LQ經過配管P10及配管P7中較閥220更靠下游側之部分，自第1貯存槽210供給至第2貯存槽310。於此情形時，閥214使第1循環配管P6開放，閥220使配管P7封閉。具體而言，於第1貯存槽210之處理液LQ之濃度達到目標值之後，第1泵218將處理液LQ經過第1循環配管P6、配管P10及配管P7中較閥220更靠下游側之部分供給至第2貯存槽310。
於本說明書中，所謂「處理液LQ之濃度達到目標值之後」，表示「表示處理液LQ之濃度之物理量達到目標值之後」，不僅是「表示處理液LQ之濃度之濃度值達到目標值之後」，例如亦是「處理液LQ之比重值達到目標值之後」。
接著，參照圖1對第2溫度調整單元300之動作進行說明。第2貯存槽310貯存自第1貯存槽210供給之處理液LQ。自第1貯存槽210供給之處理液LQ係濃度達到目標值之處理液LQ。第2貯存槽310具有向上開口之上部開口及蓋。
第2循環配管P9將自第2貯存槽310送出之處理液LQ再次導入至第2貯存槽310，使處理液LQ循環。具體而言，第2循環配管P9藉由將自第2貯存槽310之底部送出之處理液LQ導入至第2貯存槽310之上部開口，而使處理液LQ返回至第2貯存槽310。
更具體而言，當複數個閥314各自使對應之配管P3封閉時，第2泵318將自第2貯存槽310送出之處理液LQ經過第2循環配管P9朝向第2貯存槽310之上部開口送出。第2過濾器315將流經第2循環配管P9之處理液LQ過濾。
第2加熱器316調節處理液LQ之溫度。具體而言，第2加熱器316調節貯存於第2貯存槽310之處理液LQ之溫度，間接使處理液LQ之濃度維持於目標值。即，第2加熱器316調節於第2循環配管P9中流動之處理液LQ之溫度，間接使處理液LQ之濃度維持於目標值。具體而言，第2加熱器316使處理液LQ之溫度維持於標準沸點以上之規定溫度。而且，在處理液LQ之溫度維持於標準沸點以上之規定溫度之狀態下，基於第2測量部312之測量結果，經過閥320及配管P8自稀釋液供給源TKB向第2貯存槽310供給稀釋液，藉此處理液LQ之濃度維持於目標值。
由於第2加熱器316係用於使處理液LQ之溫度維持於標準沸點以上之規定溫度之機器，故而第2加熱器316之電容(電力)可小於第1溫度調整單元200之2個第1加熱器216的合計電容(合計電力)。例如，2個第1加熱器216之合計電容係第2加熱器316之電容之2倍。即，2個第1加熱器216各自之電容與第2加熱器316之電容大致相同。
第2測量部312對表示貯存於第2貯存槽310之處理液LQ之濃度之物理量進行測量。例如，第2測量部312為濃度計或比重計。再者，第2測量部312亦可對表示流經第2循環配管P9之處理液LQ之濃度之物理量進行測量。流經第2循環配管P9之處理液LQ之濃度及溫度分別與貯存於第2貯存槽310之處理液LQ之濃度及溫度大致相同。
例如，控制裝置U4有時為了使處理液LQ之濃度維持於目標值，而基於第2測量部312之測量結果將閥320打開，自稀釋液供給源TKB向第2貯存槽310供給稀釋液。
第2貯存槽310向基板處理部1(具體為處理槽3)供給處理液LQ。即，第2貯存槽310向基板處理部1(具體為處理槽3)補充處理液LQ。
具體而言，當閥314使配管P3開放時，自第2循環配管P9經過配管P3向處理槽3供給處理液LQ。例如處理液LQ可自第2貯存槽310被供給至處理槽3之外槽33，自外槽33經過循環配管(未圖示)被供給至內槽31。例如，處理液LQ亦可自第2貯存槽310直接被供給至內槽31。
控制裝置U4可個別地控制複數個閥314之各者。因此，可自第2貯存槽310向各基板處理部1(具體為各處理槽3)個別地供給處理液LQ。
接下來，參照圖2對第1溫度調整單元200進行說明。圖2係表示第1溫度調整單元200之第1貯存槽210之模式性剖視圖。圖2中，為了簡化圖式，而省略了配管P4、P5、第1過濾器215、第1泵218、閥214及第1測量部212。
如圖2所示，第1貯存槽210包含槽本體230及蓋240。蓋240覆蓋槽本體230之上部開口。蓋240亦可使槽本體230之上部開口開放。
第1溫度調整單元200進而包含氣體供給機構250、氣體供給單元280及配管261。
氣體供給機構250經過配管261向氣體供給單元280供給氣體GA。
氣體供給單元280對貯存於第1貯存槽210之處理液LQ供給由氣體供給機構250供給之氣體GA。具體而言，氣體供給單元280包含至少1個氣體供給構件281、第1配管283、第2配管285、第1保持構件287、第2保持構件289、第1固定構件291及第2固定構件293。於實施方式1中，氣體供給單元280包含複數個氣體供給構件281。再者，圖2中示出1個氣體供給構件281。
氣體GA係促進水分自利用第1加熱器216加熱至標準沸點以上之處理液LQ中蒸發之氣體。氣體GA例如為惰性氣體。惰性氣體例如為氮氣或氬氣。
氣體供給構件281配置於第1貯存槽210之內部。詳細而言，氣體供給構件281在第1貯存槽210之內部配置於第1貯存槽210之底部230a。氣體供給構件281固定於第1貯存槽210之底部230a。氣體供給構件281可與第1貯存槽210之底部230a接觸，亦可與第1貯存槽210之底部230a分開。
氣體供給構件281對貯存於第1貯存槽210且加熱至標準沸點以上之處理液LQ供給氣體GA。氣體供給構件281例如為起泡器。具體而言，氣體供給構件281朝向上方，即，朝向處理液LQ之液面對處理液LQ供給氣體GA。於此情形時，氣體供給構件281將氣體GA以氣泡BB之形式供給至處理液LQ。
具體而言，氣體供給構件281與第1方向D1大致平行。第1方向D1例如與水平方向大致平行。氣體供給構件281沿著第1貯存槽210之底部230a配置。
氣體供給構件281具有大致筒形狀。氣體供給構件281例如為管。氣體供給構件281之材質例如為石英或樹脂。樹脂例如為PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)、PTFE(聚四氟乙烯)、或PEEK(聚醚醚酮)。
尤其是若氣體供給構件281之材質為樹脂，則容易進行氣體供給構件281之加工。進而，若氣體供給構件281之材質為PFA，則容易進行彎曲加工。例如亦能將氣體供給構件281加工成L字狀。因此，能夠減少氣體供給構件281與其他配管之接口。其結果為，能夠提高氣體供給構件281之耐久性。
此處，圖2中為了便於理解，圖中示出氣體供給構件281之右端部之截面。氣體供給構件281具有流路FW0。
又，氣體供給構件281具有複數個氣體供給口G。氣體供給口G例如為孔。氣體供給口G之直徑例如為數十μm～數百μm之程度。例如，氣體供給口G之直徑為0.2 mm。例如，於1個氣體供給構件281設置之氣體供給口G之數量例如為40個。
氣體供給構件281朝向貯存於第1貯存槽210且加熱至標準沸點以上之處理液LQ，自複數個氣體供給口G供給氣體GA。具體而言，氣體供給構件281朝向貯存於第1貯存槽210且加熱至標準沸點以上之處理液LQ，自複數個氣體供給口G以複數個氣泡BB之形式供給氣體GA。即，氣體供給構件281藉由自複數個氣體供給口G向貯存於第1貯存槽210之溫度為標準沸點以上之處理液LQ吹出氣體GA，而於溫度為標準沸點以上之處理液LQ中自複數個氣體供給口G產生複數個氣泡BB(大量氣泡BB)。
再者，只要氣體供給構件281能對處理液LQ供給氣體GA(具體為氣泡BB)，則氣體供給構件281之構成及原材料無特別限定。例如，氣體供給構件281可包含具有大致筒形狀之多孔質構件。又，例如氣體供給構件281亦可將多孔質構件固定於具有大致筒形狀之構件而構成。
第1溫度調整單元200進而包含排氣配管部270。排氣配管部270連接於第1貯存槽210之上部。圖2之例中，排氣配管部270連接於蓋240。排氣配管部270自第1貯存槽210中排出水蒸氣及氣體。由排氣配管部270排出之氣體係自氣體供給構件281供給至加熱至標準沸點以上之處理液LQ中，並自處理液LQ之液面出來之氣體GA。又，由排氣配管部270排出之水蒸氣係加熱至標準沸點以上之處理液LQ中所含之水分蒸發而產生，並自處理液LQ之液面出來之水蒸氣。
具體而言，排氣配管部270包含連結構件271及排氣配管273。連結構件271將第1貯存槽210與排氣配管273連結。具體而言，連結構件271之一端連接於第1貯存槽210之上部(圖2之例中為蓋240)，連結構件271之另一端連接於排氣配管273。排氣配管273例如具有大致圓筒形狀。排氣配管273自第1貯存槽210中排出水蒸氣及氣體。即，排氣配管273將經過連結構件271自第1貯存槽210流入之水蒸氣及氣體排出至第1貯存槽210之外部。
以上，如參照圖1及圖2所說明，根據實施方式1，第1溫度調整單元200之氣體供給構件281對利用第1加熱器216加熱至標準沸點以上之處理液LQ供給促進水分蒸發之氣體GA。藉此，促進了處理液LQ中之水分蒸發。其結果為，與不供給氣體GA之情況相比，能使處理液LQ之濃度快速達到目標值。
又，若能於第1貯存槽210中使處理液LQ之濃度快速達到目標值，則對於自第1貯存槽210至第2貯存槽310，能夠增加濃度達到目標值之處理液LQ之「每固定時間之供給量」。因此，即便在貯存於處理槽3之處理液LQ之濃度變化較大之情形時，亦能自第2貯存槽310向處理槽3供給大量濃度達到目標值之處理液LQ。其結果為，能於處理槽3中維持處理液LQ之濃度。由此，能使複數個基板W之處理均勻化。
例如，於作為基板W之半導體晶圓具有用於形成三維快閃記憶體之表面圖案之情形時，表面圖案之凹部較深，故而被作為處理液LQ之磷酸水溶液蝕刻之矽之蝕刻量增多。因此，為了將處理槽3中處理液LQ之濃度維持固定，必須向處理槽3供給大量濃度達到目標值之處理液LQ。因此，於實施方式1中，藉由對加熱至標準沸點以上之處理液LQ供給氣體GA以促進水分蒸發，而使處理液LQ之濃度快速達到目標值。因此，即便在貯存於處理槽3之處理液LQ中矽之濃度變化較大之情形時，亦能自第1貯存槽210向第2貯存槽310，進而自第2貯存槽310向處理槽3供給大量濃度達到目標值之處理液LQ。其結果為，能於處理槽3中維持處理液LQ之濃度，從而能使複數個基板W之處理均勻化。
又，於實施方式1中，由於基板處理系統100具有複數個基板處理部1，故而處理液LQ之使用量較多。然而，於實施方式1中，由於能使處理液LQ之濃度快速達到目標值，故而即便於基板處理系統100具有複數個基板處理部1之情形時，亦能自第2貯存槽310向各基板處理部1之處理槽3以所期望之流量穩定地供給濃度達到目標值之處理液LQ。
又，於實施方式1中，氣體供給構件281對第1貯存槽210之處理液LQ供給氣體GA之氣泡BB。因此，處理液LQ中之水分藉由朝處理液LQ之液面上升之氣泡BB而朝向液面往上方輸送。其結果為，能夠進一步促進處理液LQ中之水分蒸發。尤其是當處理液LQ接近沸騰狀態時，氣泡BB之水分包含量增加，使更多之水分自液面釋放，水分之蒸發效率提高。由此，能使處理液LQ之濃度更快地達到目標值。
尤其是，氣體供給構件281於第1貯存槽210之底部230a與第1方向D1(水平方向)大致平行地配置為佳。於該較佳之例中，與氣體供給構件281與鉛直方向大致平行地配置之情況相比，自複數個氣體供給口G供給之氣泡BB之移動距離較長。其結果為，能夠進一步促進處理液LQ中之水分蒸發，從而能使處理液LQ之濃度更快地達到目標值。
又，於實施方式1中，為了使貯存於第1貯存槽210之處理液LQ之濃度達到目標值，而對處理液LQ供給氣體GA，並且將處理液LQ加熱至標準沸點以上。因此，於第1貯存槽210中，氣體GA自處理液LQ中出來，並且水分自處理液LQ中蒸發。
而且，在貯存於第1貯存槽210之處理液LQ之濃度達到目標值之後，自第1貯存槽210向第2貯存槽310供給處理液LQ。進而，第2加熱器316調節貯存於第2貯存槽310之處理液LQ之溫度，使處理液LQ之濃度維持於目標值。因此，於第2貯存槽310中，水分基本上不自處理液LQ中蒸發。其原因在於：處理液LQ中之水分基本上在第1貯存槽210中蒸發。再者，於第2貯存槽310中，不對處理液LQ供給氣體GA。其結果為，自第2貯存槽310供給至第2循環配管P9之處理液LQ幾乎不包含水蒸氣等氣體。由此，能夠恰當地控制於第2循環配管P9中流動之處理液LQ之流量。進而，能夠恰當地控制自第2循環配管P9及配管P3供給至基板處理部1(具體為處理槽3)之處理液LQ之流量。
又，於實施方式1中，處理液LQ較佳為「含有磷酸之液體」。於此情形時，處理液LQ係藉由沸騰使特定成分(磷酸)之濃度高於常溫時或室溫時之濃度而使用之液體。因此，於處理液LQ係「含有磷酸之液體」之情形時，特別有效的是藉由將處理液LQ加熱至標準沸點以上，同時對處理液LQ供給氣體GA，而使處理液LQ之濃度快速達到目標值。
進而，於實施方式1中，自第1貯存槽210間接地，即經由第2貯存槽310向基板處理部1(具體為處理槽3)供給處理液LQ。即，第1貯存槽210對基板處理部1(具體為處理槽3)間接供給處理液LQ。
但是，基板處理系統100亦可不具備第2溫度調整單元300。具體而言，亦可自第1貯存槽210直接向基板處理部1(具體為處理槽3)供給處理液LQ。即，第1貯存槽210亦可直接向基板處理部1(具體為處理槽3)供給處理液LQ。於此情形時，亦能於第1貯存槽210中使處理液LQ之濃度快速達到目標值。於自第1貯存槽210直接向基板處理部1供給處理液LQ之情形時，例如將複數個配管P3連接於第1溫度調整單元200之第1循環配管P6，於複數個配管P3上分別配置複數個閥314。於此情形時，不設置閥214、220。
又，於實施方式1中，較佳為如圖2所示，排氣配管273之流路275之截面面積A滿足式(1)。式(1)中，「V」表示當不執行將處理液LQ加熱至標準沸點以上之處理及對處理液LQ供給氣體GA之處理時，流經排氣配管273之流路275之排出氣體之流速。「Q」表示水蒸氣及氣體GA每單位時間自處理液LQ之液面之排氣量。
A×V≧Q          (1)
當排氣配管273之流路275之截面面積A滿足式(1)時，能有效地將自處理液LQ之液面排出之水蒸氣及氣體排出。因此，進一步促進了處理液LQ中之水分蒸發。其結果為，能使處理液LQ之濃度更快地達到目標值。
再者，式(1)中，「V」亦可表示當執行將處理液LQ加熱至標準沸點以上之處理及對處理液LQ供給氣體GA之處理時，流經排氣配管273之流路275之排出氣體之流速。
接下來，參照圖2及圖3對氣體供給單元280進行說明。圖3係表示氣體供給單元280之模式性俯視圖。再者，於圖2之氣體供給單元280中，示出沿著圖3之II-II線之截面。
如圖3所示，氣體供給單元280之複數個氣體供給構件281於第1貯存槽210之內部大致相互平行，且於第2方向D2上隔開間隔配置。第2方向D2與第1方向D1大致正交，與水平方向大致平行。氣體供給構件281沿第1方向D1延伸。於複數個氣體供給構件281之各者中，複數個氣體供給口G在第1方向D1上隔開間隔地配置於大致一直線上。於複數個氣體供給構件281之各者中，各氣體供給口G設置於氣體供給構件281之上表面部。而且，各氣體供給口G朝向上方，即，朝向處理液LQ之液面對處理液LQ供給氣體GA。於此情形時，各氣體供給口G將氣體GA以氣泡BB之形式供給至處理液LQ。
再者，只要能自氣體供給口G向處理液LQ供給氣體GA(具體為氣泡BB)，則氣體供給口G之位置無特別限定。又，於各氣體供給構件281中，複數個氣體供給口G可等間隔配置，亦可非等間隔配置。進而，氣體供給構件281之姿勢無特別限定。
複數個氣體供給構件281各自具有第1端部281a及第2端部281b。第1端部281a係第1方向D1上之氣體供給構件281之兩端部中之一端部。第2端部281b係第1方向D1上之氣體供給構件281之兩端部中之另一端部。
於複數個氣體供給構件281之第1端部281a連接第1配管283。第1配管283沿第2方向D2延伸。第1配管283之流路FW1(圖2)與各氣體供給構件281之流路FW0(圖2)連通。各氣體供給構件281之第1端部281a及第1配管283由第1保持構件287保持。第1保持構件287例如具有大致長方體形狀。第1保持構件287沿第2方向D2延伸。
複數個氣體供給構件281之第2端部281b被封閉。各氣體供給構件281之第2端部281b由第2保持構件289保持。第2保持構件289例如具有大致長方體形狀。第2保持構件289沿第2方向D2延伸。第2保持構件289相對於第1保持構件287大致平行。
藉由分別利用第1保持構件287及第2保持構件289保持氣體供給構件281之第1端部281a及第2端部281b，能夠抑制氣體供給構件281之變形。又，如圖2及圖3所示，第1保持構件287藉由複數個第1固定構件291固定於第1貯存槽210之底部230a。又，第2保持構件289藉由複數個第2固定構件293固定於第1貯存槽210之底部230a。
又，第2配管285之下端部連接於第1配管283。第2配管285沿第3方向D3延伸。第3方向D3與第1方向D1及第2方向D2大致正交。第3方向D3與鉛直方向大致平行。第2配管285之流路FW2與第1配管283之流路FW2連通。
接著，參照圖2對氣體供給機構250進行說明。氣體供給機構250將自氣體供給源263供給之氣體GA從配管261經過第2配管285及第1配管283供給至各氣體供給構件281。
具體而言，氣體供給機構250包含閥251、過濾器253、流量計257及調整閥259。閥251、過濾器253、流量計257及調整閥259依序自配管261之下游向上游配置於配管261。
調整閥259調節配管261之開度，以調整向各氣體供給構件281供給之氣體GA之流量。流量計257測量流經配管261之氣體GA之流量。調整閥259基於流量計257之測量結果調整氣體之流量。再者，例如亦可設置質量流量控制器來代替調整閥259及流量計257。
過濾器253自流經配管261之氣體GA中去除異物。閥251使配管261開閉。即，閥251切換氣體GA自配管261向氣體供給構件281之供給與供給停止。
接下來，參照圖1、圖2及圖4對本發明之實施方式1之基板處理方法進行說明。圖4係表示實施方式1之基板處理方法之流程圖。如圖4所示，基板處理方法包括步驟S1～步驟S10。基板處理方法係藉由基板處理系統100來執行。而且，基板處理方法係將隔開間隔排列之複數個基板W浸漬於貯存在基板處理部1之處理槽3之處理液LQ中，利用處理液LQ對複數個基板W進行處理。又，步驟S1～步驟S8相當於「處理液溫度調整方法」之一例。
如圖1、圖2及圖4所示，於步驟S1中，藉由控制裝置U4之控制，第1溫度調整單元200之第1加熱器216開始處理液LQ之加熱。具體而言，第1加熱器216將用以處理基板W之處理液LQ加熱至處理液LQ之標準沸點以上。
接下來，於步驟S2中，藉由利用控制裝置U4對氣體供給機構250進行控制，各氣體供給構件281開始對貯存於第1貯存槽210之處理液LQ供給氣體GA(具體為氣泡BB)。即，各氣體供給構件281將促進水分自利用第1加熱器216加熱至標準沸點以上之處理液LQ中蒸發之氣體GA(具體為氣泡BB)供給至貯存於第1貯存槽210之處理液LQ。
接下來，於步驟S3中，排氣配管部270將自第1貯存槽210之處理液LQ之液面出來之水蒸氣及氣體GA排出。即，排氣配管部270自第1貯存槽210中排出水蒸氣及氣體GA。再者，始終持續利用排氣配管部270自第1貯存槽210中排氣，不限於水蒸氣及氣體GA之排出。
接下來，於步驟S4中，控制裝置U4基於第1測量部212之測量結果判定處理液LQ之濃度是否達到目標值。
當於步驟S4中判定為處理液LQ之濃度未達到目標值時，處理反覆進行步驟S4直至判定為處理液LQ之濃度達到目標值。
另一方面，當於步驟S4中判定為處理液LQ之濃度已達到目標值時，處理進入步驟S5。
於步驟S5中，控制裝置U4判定處理液LQ自第1貯存槽210向第2貯存槽310之供給時點是否到來。處理液LQ之供給時點例如為第2貯存槽310之處理液LQ之量成為規定值以下之時。
當於步驟S5中判定為供給時點未到來時，處理反覆進行步驟S5直至判定為供給時點到來。
另一方面，當於步驟S5中判定為供給時點已到來時，處理進入步驟S6。
於步驟S6中，藉由利用控制裝置U4對閥214、220進行控制，第1貯存槽210向第2貯存槽310供給處理液LQ。即，自第1貯存槽210向第2貯存槽310供給處理液LQ。
接下來，於步驟S7中，藉由控制裝置U4之控制，第2加熱器316調節貯存於第2貯存槽310之處理液LQ之溫度，間接使處理液LQ之濃度維持於目標值。
於步驟S8中，藉由利用控制裝置U4對閥314進行控制，第2貯存槽310向基板處理部1(具體為處理槽3)供給處理液LQ。即，自第2貯存槽310向基板處理部1(具體為處理槽3)供給處理液LQ。
此處，自第2貯存槽310向處理槽3供給處理液LQ之目的在於：抑制因基板W之處理而導致貯存於處理槽3之處理液LQ中矽濃度上升，於處理槽3中使矽濃度維持於目標值。因此，例如在不依存於處理槽3之處理液LQ之液量之情形時，基於過去實際成果使矽濃度維持於目標值所需之量之處理液LQ持續自第2貯存槽310供給至處理槽3，以稀釋矽濃度。再者，貯存於第1貯存槽210及第2貯存槽310之處理液LQ不含矽。
再者，例如當存在能夠於生產線上持續測定處理液LQ中矽濃度之測定機器時，亦可基於測定機器之測定結果，於矽濃度超過目標值而上升時，自第2貯存槽310向處理槽3供給處理液LQ，於矽濃度下降至目標值時，停止處理液LQ之供給。
接下來，於步驟S9中，藉由控制裝置U4之控制，搬送機械手(未圖示)將基板W搬送至基板處理部1之基板保持部(未圖示)，進而，基板保持部將複數個基板W浸漬於處理槽3之處理液LQ中，利用處理液LQ對複數個基板W進行處理。
接下來，於步驟S10中，藉由控制裝置U4之控制，基板處理部1之基板保持部(未圖示)自處理槽3之處理液LQ中提拉出複數個基板W，進而，搬送機械手(未圖示)自基板保持部接受基板W將其搬送。然後，基板處理方法結束。
以上，如參照圖4所說明，於實施方式1之基板處理方法中，將貯存於第1貯存槽210之處理液LQ加熱至標準沸點以上，與此並行地執行對貯存於第1貯存槽210之處理液LQ供給促進水分蒸發之氣體GA之處理、及自第1貯存槽210中排出水蒸氣及氣體GA之處理。因此，能夠促進水分自處理液LQ中蒸發，從而使處理液LQ之濃度快速達到目標值。
(實施方式2)  參照圖5及圖6，對本發明之實施方式2之基板處理系統100A進行說明。實施方式2與實施方式1之主要不同點在於：實施方式2之基板處理系統100A之基板處理部1A係一片一片地對基板W進行處理之逐片型。以下，主要對實施方式2與實施方式1之不同點進行說明。
圖5係表示實施方式2之基板處理系統100A之模式圖。如圖5所示，基板處理系統100A具備處理裝置U1A，代替圖1所示之處理裝置U1。處理裝置U1A包含複數個基板處理部1A。複數個基板處理部1A各自包含腔室400、噴嘴401、旋轉夾頭402、旋轉馬達403及承杯404。
腔室400收容噴嘴401、旋轉夾頭402、旋轉馬達403及承杯404。旋轉馬達403使旋轉夾頭402繞旋轉軸線旋轉。其結果為，旋轉夾頭402使基板W保持水平地繞旋轉軸線旋轉。旋轉軸線與鉛直方向大致平行。噴嘴401向旋轉中之基板W噴出自處理液溫度調整裝置U2供給之處理液LQ。承杯404沿著相對於旋轉軸線之圓周方向包圍旋轉夾頭402。承杯404接住自基板W飛散之處理液LQ，將處理液LQ回收或排出。
處理液溫度調整裝置U2具備與複數個閥314分別對應之複數個流量計391、及與複數個閥314分別對應之複數個流量調整閥392。流量計391及流量調整閥392配置於較閥314更靠配管P3之下游。
流量計391檢測流經配管P3之處理液LQ之流量，並輸出表示流量之檢測信號。流量調整閥392調整流經配管P3之處理液LQ之流量。閥314使配管P3開放或封閉，切換處理液LQ對噴嘴401之供給開始與供給停止。
實施方式2之基板處理系統100A與實施方式1之基板處理系統100同樣地具備第1溫度調整單元200。因此，於實施方式2中，與實施方式1同樣地，能使第1貯存槽210之處理液LQ之濃度快速達到目標值。又，實施方式2之基板處理系統100A與實施方式1之基板處理系統100同樣地具備第2溫度調整單元300。因此，於實施方式2中，與實施方式1同樣地，能夠恰當地控制於第2循環配管P9中流動之處理液LQ之流量。進而，於實施方式2中，由於基板處理系統100A具有複數個基板處理部1A(例如12個～24個)，故而處理液LQ之使用量較多。然而，於實施方式2中，與實施方式1同樣地，由於能使處理液LQ之濃度快速達到目標值，故而即便於基板處理系統100A具有複數個基板處理部1A之情形時，亦能自第2貯存槽310向各基板處理部1A以所期望之流量穩定地供給濃度達到目標值之處理液LQ。除此以外，實施方式2之基板處理系統100A具有與實施方式1之基板處理系統100相同之效果。
再者，於圖5中，為了簡化圖式，省略了圖1所示之配管P4、P5、P8、P10、閥221、222、223、224、320、第1測量部212及第2測量部312。
接下來，參照圖6對本發明之實施方式2之基板處理方法進行說明。圖6係表示實施方式2之基板處理方法之流程圖。如圖6所示，基板處理方法包括步驟S21～步驟S31。基板處理方法係藉由基板處理系統100A來執行。而且，基板處理方法對旋轉中之基板W噴出處理液LQ，對基板W進行處理。又，步驟S21～步驟S29相當於「處理液溫度調整方法」之一例。
如圖6所示，步驟S21～步驟S27之處理與圖4所示之步驟S1～步驟S7之處理相同，省略說明。
接下來，於步驟S28中，控制裝置U4判定處理液LQ向複數個基板處理部1A中之任一基板處理部1A(具體為噴嘴401)之供給時點是否到來。處理液LQ之供給時點例如為處理液LQ自噴嘴401向基板W之噴出時點。
當於步驟S28中判定為供給時點未到來時，處理反覆進行步驟S28直至判定為供給時點到來。
另一方面，當於步驟S28中判定為供給時點已到來時，處理進入步驟S29。
於步驟S29中，藉由利用控制裝置U4對閥314進行控制，第2貯存槽310向基板處理部1A(具體為噴嘴401)供給處理液LQ。即，自第2貯存槽310向基板處理部1(具體為噴嘴401)供給處理液LQ。
接下來，於步驟S30中，基板處理部1之噴嘴401向旋轉中之基板W噴出處理液LQ，利用處理液LQ對基板W進行處理。
具體而言，於噴嘴401向基板W噴出處理液LQ之前，由旋轉夾頭402保持經搬送機械手(未圖示)搬送之基板W。而且，噴嘴40向由旋轉夾頭402保持並旋轉之基板W噴出處理液LQ。
接下來，於步驟S31中，藉由控制裝置U4之控制，搬送機械手(未圖示)將基板W自基板處理部1A之腔室400中搬出。然後，基板處理方法結束。
以上，如參照圖6所說明，於實施方式2之基板處理方法中，將貯存於第1貯存槽210之處理液LQ加熱至標準沸點以上，與此並行地執行對貯存於第1貯存槽210之處理液LQ供給促進水分蒸發之氣體GA之處理、及自第1貯存槽210中排出水蒸氣及氣體GA之處理。因此，能夠促進水分自處理液LQ中蒸發，從而使處理液LQ之濃度快速達到目標值。
(實施方式3)  參照圖7～圖10對本發明之實施方式3之基板處理系統100B進行說明。實施方式3與實施方式1之主要不同點在於：實施方式3之基板處理系統100B於處理槽110中將處理液LQ加熱至標準沸點以上。以下，主要對實施方式3與實施方式1之不同點進行說明。
首先，參照圖7對基板處理系統100B進行說明。圖7係表示實施方式3之基板處理系統100B之模式性剖視圖。基板處理系統100B為批次式，利用處理液LQ對複數個基板W一起進行處理。基板處理系統100B相當於「處理液溫度調整裝置」之一例。
如圖7所示，基板處理系統100B具備處理槽110、基板保持部120、複數個循環處理液供給構件130、循環部140、處理液供給部150、稀釋液供給部160、排液部170、氣體供給機構250、排氣配管部270、氣體供給單元280A及控制裝置U4。於實施方式3中，處理槽110相當於「基板處理部」。
處理槽110貯存處理液LQ。而且，處理槽110將複數個基板W浸漬於處理液LQ中，對複數個基板W進行處理。處理槽110相當於「第1貯存槽」之一例。
基板保持部120保持複數個基板W。基板保持部120包含升降器。基板保持部120將隔開間隔排列之複數個基板W浸漬於貯存在處理槽110之處理液LQ中。複數個循環處理液供給構件130向處理槽110供給處理液LQ。循環部140使貯存於處理槽110之處理液LQ循環，將處理液LQ供給至各個循環處理液供給構件130。處理液供給部150將處理液LQ供給至處理槽110。稀釋液供給部160將稀釋液供給至處理槽110。排液部170排出處理槽110之處理液LQ。稀釋液例如為水。除此以外，稀釋液與實施方式1之稀釋液相同。
氣體供給單元280A將自氣體供給機構250供給之氣體GA供給至處理槽110之處理液LQ中。具體而言，氣體供給單元280A向處理槽110之處理液LQ中供給氣體GA之氣泡BB。氣體GA例如為惰性氣體。氣體GA例如為促進水分自加熱至標準沸點以上之處理液LQ中蒸發之氣體。除此以外，氣體GA與實施方式1之氣體GA相同。
氣體供給機構250將氣體GA供給至氣體供給單元280A。排氣配管部270自處理槽110中排出水蒸氣及氣體GA。控制裝置U4控制基板處理系統100B之各構成。例如，控制裝置U4控制基板保持部120、循環部140、處理液供給部150、稀釋液供給部160、排液部170及氣體供給機構250。
具體而言，處理槽110具有包含內槽112及外槽114之雙槽構造。內槽112及外槽114分別具有向上開口之上部開口。內槽112構成為貯存處理液LQ，並能收容複數個基板W。外槽114設置於內槽112之上部開口之外側面。外槽114上緣之高度高於內槽112上緣之高度。
處理槽110進而具有蓋116。蓋116可相對於內槽112之上部開口開閉。藉由關閉蓋116，蓋116能夠蓋住內槽112之上部開口。
蓋116具有開門部116a及開門部116b。開門部116a位於內槽112之上部開口中之一側。開門部116a配置於內槽112之上緣附近，可相對於內槽112之上部開口開閉。開門部116b位於內槽112之上部開口中之另一側。開門部116b配置於內槽112之上緣附近，可相對於內槽112之上部開口開閉。藉由關閉開門部116a及開門部116b而覆蓋內槽112之上部開口，能夠蓋住處理槽110之內槽112。
基板保持部120以保持複數個基板W之狀態向鉛直上方或鉛直下方移動。藉由基板保持部120向鉛直下方移動，由基板保持部120保持之複數個基板W被浸漬於貯存在內槽112之處理液LQ中。
基板保持部120包含本體板122及保持棒124。本體板122係沿鉛直方向(Z方向)延伸之板。保持棒124自本體板122之一主面沿水平方向(Y方向)延伸。圖7之例中，3個保持棒124自本體板122之一主面沿水平方向延伸。複數個基板W以隔開間隔排列之狀態，由複數個保持棒124抵接各基板W之下緣而以豎起姿勢(鉛直姿勢)保持。
基板保持部120亦可進而包含升降單元126。升降單元126使本體板122於處理位置(圖8(b)所示之位置)與退避位置(圖8(a)所示之位置)之間升降，上述處理位置係由基板保持部120保持之複數個基板W位於內槽112內之位置，上述退避位置係由基板保持部120保持之複數個基板W位於內槽112上方之位置。因此，藉由利用升降單元126使本體板122被移動到處理位置，而將由保持棒124保持之複數個基板W浸漬於處理液LQ中。藉此，對複數個基板W實施處理。
複數個循環處理液供給構件130向處理槽110之內槽112供給處理液LQ。複數個循環處理液供給構件130在處理槽110之內槽112之內部配置於內槽112之底部110a。複數個循環處理液供給構件130各自具有大致筒形狀。複數個循環處理液供給構件130各自例如為管。
具體而言，複數個循環處理液供給構件130各自具有複數個處理液噴出口P。圖7中，對1個循環處理液供給構件130僅示出1個處理液噴出口P。複數個循環處理液供給構件130各自從複數個處理液噴出口P向內槽112供給處理液LQ。再者，圖7中，處理液噴出口P朝向斜上方，但不限於此，處理液噴出口P亦可朝向下方或側方。
循環部140包含配管141、泵142、加熱器143、過濾器144、調整閥145、閥146及測量部147。泵142、加熱器143、過濾器144、調整閥145及閥146依序自配管141之上游向下游配置。加熱器143相當於「第1溫度調整部」之一例。
配管141將自處理槽110送出之處理液LQ再次導入至處理槽110。具體而言，配管141之上游端連接於外槽114。因此，配管141自外槽114向循環處理液供給構件130導入處理液LQ。於配管141之下游端連接複數個循環處理液供給構件130。
泵142自配管141向複數個循環處理液供給構件130輸送處理液LQ。因此，循環處理液供給構件130將自配管141供給之處理液LQ供給至處理槽110。過濾器144將流經配管141之處理液LQ過濾。
加熱器143將流經配管141之處理液LQ之溫度升高。即，加熱器143調節處理液LQ之溫度。
具體而言，在將基板W浸漬於處理液LQ中對基板W進行處理之期間，加熱器143使處理液LQ之溫度維持在低於處理液LQ之標準沸點之規定溫度(以下，「規定溫度TM」)。規定溫度TM亦可具有固定範圍。
又，在未將基板W浸漬於處理液LQ之期間，要使處理液LQ之濃度達到目標值時，加熱器143將處理液LQ之溫度升高至處理液LQ之標準沸點以上。
詳細而言，在未將基板W浸漬於處理液LQ之期間，加熱器143將供給至處理槽110且用以處理基板W之處理液LQ加熱至處理液LQ之標準沸點以上。即，在未將基板W浸漬於處理液LQ之期間，加熱器143將於配管141中流動之處理液LQ加熱至處理液LQ之標準沸點以上。進而，基板處理系統100B根據處理槽110中之控制條件，自稀釋液供給源TKB向處理槽110補充稀釋液，同時使處理液LQ之濃度達到目標值。
處理液LQ之標準沸點係於自處理液供給源TKA而非配管141向處理槽110重新供給之處理液LQ之濃度下的沸點。
除此以外，在未將基板W浸漬於處理液LQ之期間，加熱器143與實施方式1之第1加熱器216同樣地進行動作。
調整閥145調節配管141之開度，以調整向複數個循環處理液供給構件130供給之處理液LQ之流量。閥146將配管141開閉。
測量部147對表示流經配管141之處理液LQ之濃度之物理量進行測量。表示處理液LQ之濃度之物理量之定義與實施方式1的情況相同。因此，測量部147為濃度計或比重計。再者，測量部147亦可對表示貯存於處理槽110(內槽112或外槽114)之處理液LQ之濃度之物理量進行測量。流經配管141之處理液LQ之濃度及溫度分別與貯存於處理槽110之處理液LQ之濃度及溫度大致相同。
處理液供給部150包含噴嘴152、配管154及閥156。噴嘴152將處理液LQ噴出到外槽114。噴嘴152連接於配管154。向配管154供給來自處理液供給源TKA之處理液LQ。於配管154配置閥156。
當打開閥156時，自噴嘴152噴出之處理液LQ被供給至外槽114內。然後，處理液LQ自外槽114經過配管141由循環處理液供給構件130供給至內槽112。
稀釋液供給部160包含噴嘴162、配管164及閥166。噴嘴162將稀釋液噴出至外槽114。噴嘴162連接於配管164。向配管164供給來自稀釋液供給源TKB之稀釋液。於配管164配置閥166。當打開閥166時，自噴嘴162噴出之稀釋液被供給至外槽114內。
例如，控制裝置U4有時為了使處理液LQ之濃度成為目標值，而基於測量部147之測量結果將閥166打開，自稀釋液供給源TKB向處理槽110供給稀釋液。
排液部170包含排液配管170a及閥170b。而且，於處理槽110之內槽112之底壁連接排液配管170a。於排液配管170a配置閥170b。藉由打開閥170b，貯存於內槽112內之處理液LQ經過排液配管170a排出至外部。排出之處理液LQ被輸送至排液處理裝置(未圖示)，施以處理。
氣體供給單元280A配置於處理槽110之內部。具體而言，氣體供給單元280A包含至少1個氣體供給構件180及至少1個支持構件185。於實施方式3中，氣體供給單元280A包含複數個氣體供給構件180及複數個支持構件185。
複數個氣體供給構件180及複數個支持構件185配置於處理槽110之內部。詳細而言，複數個氣體供給構件180在處理槽110之內部配置於處理槽110之底部110a。具體而言，複數個氣體供給構件180配置於處理槽110之內槽112。詳細而言，複數個氣體供給構件180在內槽112之內部配置於內槽112之底部110a。
複數個氣體供給構件180各自由對應之支持構件185支持。具體而言，複數個氣體供給構件180各自被對應之支持構件185固定。因此，能夠抑制氣體供給構件180之變形。複數個支持構件185固定於處理槽110之底部110a。具體而言，複數個支持構件185固定於內槽112之底部110a。
複數個氣體供給構件180各自具有大致筒形狀。各個氣體供給構件180例如為管。氣體供給構件180之材質例如為石英或樹脂。複數個氣體供給構件180各自具有流路FW0。
氣體供給機構250將自氣體供給源263供給之氣體GA從配管261供給至各氣體供給構件180。除此以外，氣體供給機構250之構成與實施方式1之氣體供給機構250之構成相同。
而且，氣體供給構件180對貯存於處理槽110(具體為內槽112)之處理液LQ供給氣體GA。具體而言，氣體供給構件180朝向上方，即，朝向處理液LQ之液面對處理液LQ供給氣體GA。於此情形時，氣體供給構件180將氣體GA以氣泡BB之形式供給至處理液LQ。氣體供給構件180例如為起泡器。
具體而言，在將基板W浸漬於處理液LQ中對基板W進行處理之期間，氣體供給構件180對貯存於處理槽110且較標準沸點低之規定溫度TM之處理液LQ供給氣體。
又，在未將基板W浸漬於處理液LQ之期間，要使處理液LQ之濃度達到目標值時，氣體供給構件180對貯存於處理槽110且加熱至標準沸點以上之處理液LQ供給氣體GA。
又，複數個氣體供給構件180各自進而具有複數個氣體供給口G。圖7中，對1個氣體供給構件180僅示出1個氣體供給口G。具體而言，複數個氣體供給構件180各自具有大致筒狀之突起182。而且，於突起182設置氣體供給口G。
在將基板W浸漬於處理液LQ中對基板W進行處理之期間，氣體供給構件180朝向貯存於處理槽110(具體為內槽112)且維持於較標準沸點低之規定溫度TM之處理液LQ，自複數個氣體供給口G供給氣體GA。
又，在未將基板W浸漬於處理液LQ之期間，要使處理液LQ之濃度達到目標值時，氣體供給構件180朝向貯存於處理槽110(具體為內槽112)且加熱至標準沸點以上之處理液LQ，自複數個氣體供給口G供給氣體GA。具體而言，於此情形時，氣體供給構件180朝向貯存於處理槽110(具體為內槽112)且加熱至標準沸點以上之處理液LQ，自複數個氣體供給口G以複數個氣泡BB之形式供給氣體GA。
除此以外，氣體供給構件180及氣體供給口G之構成及動作與實施方式1之氣體供給構件281及氣體供給口G之構成及動作相同。
排氣配管部270連接於處理槽110之上部。圖7之例中，排氣配管部270連接於蓋116。在將基板W浸漬於處理液LQ中對基板W進行處理之期間，排氣配管部270自處理槽110中排出氣體。
又，在未將基板W浸漬於處理液LQ之期間，要使處理液LQ之濃度達到目標值時，排氣配管部270自處理槽110(具體為內槽112)中排出水蒸氣及氣體。排出之氣體係自氣體供給構件180供給至處理液LQ中，並自處理液LQ之液面出來之氣體GA。又，排氣之水蒸氣係加熱至標準沸點以上之處理液LQ中所含之水分蒸發而產生，並自處理液LQ之液面出來之水蒸氣。排氣配管部270包含連結構件271及排氣配管273。除此以外，排氣配管部270之構成與實施方式1之排氣配管部270之構成相同。
控制裝置U4控制升降單元126、閥146、調整閥145、加熱器143、泵142、閥156、閥166、閥170b及氣體供給機構250。
以上，如參照圖7所說明，根據實施方式3，在未將基板W浸漬於處理液LQ之期間，氣體供給構件180對利用加熱器143加熱至標準沸點以上之處理液LQ供給促進水分蒸發之氣體GA。藉此，促進了處理液LQ中之水分蒸發。其結果為，與不供給氣體GA之情況相比，能於處理槽110中使處理液LQ之濃度快速達到目標值。
又，於實施方式3中，在未將基板W浸漬於處理液LQ之期間，氣體供給構件180對處理槽110之處理液LQ供給氣體GA之氣泡BB。因此，與實施方式1同樣，藉由朝處理液LQ之液面上升之氣泡BB，能夠進一步促進處理液LQ中之水分蒸發。除此以外，於實施方式3中，具有與實施方式1相同之效果。
又，於實施方式3中，較佳為處理液LQ係「含有磷酸之液體」。此方面與實施方式1相同。
尤其是於實施方式3中，較佳為在未將基板W浸漬於處理液LQ之期間，加熱器143在貯存於處理槽110之處理液LQ之一部分或全部被排出，將處理液LQ之一部分或全部替換成新的處理液LQ之後，將處理液LQ加熱至標準沸點以上。新的處理液LQ與由處理液供給源TKA供給且自配管141供給之處理液不同。再者，較佳為在未將基板W浸漬於處理液LQ之期間，各氣體供給構件180在貯存於處理槽110之處理液LQ之一部分或全部被排出，將處理液LQ之一部分或全部替換成新的處理液LQ之後，向貯存於處理槽110之處理液LQ供給氣體。
於該等較佳之例中，能夠在貯存於處理槽110之處理液LQ之一部分或全部被排出，將處理液LQ之一部分或全部替換成新的處理液LQ之後，使處理液LQ之濃度快速達到目標值。其結果為，能夠提高基板處理系統100B之運轉率。
例如，於降低處理槽110之處理液LQ中特定成分(例如矽)之濃度之情形時，貯存於處理槽110之處理液LQ之一部分被排出，將處理液LQ之一部分替換成新的處理液LQ。
例如，於對處理槽110進行洗淨之情形時，貯存於處理槽110之處理液LQ之全部被排出，將處理液LQ之全部替換成新的處理液LQ。
又，於實施方式3中，在將基板W浸漬於處理液LQ中對基板W進行處理之期間，各氣體供給構件180藉由自複數個氣體供給口G向處理液LQ吹出氣體GA，而自複數個氣體供給口G朝向浸漬於處理液LQ之複數個基板W供給複數個氣泡BB。因此，藉由大量氣泡BB，能有效地將與各基板W表面接觸之處理液LQ替換成新鮮之處理液LQ。其結果為，於基板W之表面形成有包含凹部之表面圖案時，能藉由擴散現象有效地將凹部內之處理液LQ替換成新鮮之處理液LQ。由此，能有效利用處理液LQ針對表面圖案之凹部內之壁面自較淺位置至較深位置進行處理。
接下來，參照圖8對將基板W浸漬於處理槽110之前及之後的基板處理系統100B進行說明。圖8(a)及圖8(b)係將基板W放入至處理槽110之前及之後的基板處理系統100B之模式性立體圖。再者，圖8中，為了避免圖式過於複雜，而將圖7所示之蓋116及處理槽110內之處理液LQ省略而示出。
如圖8(a)所示，基板保持部120保持複數個基板W。複數個基板W沿著第1方向D10(Y方向)排成一排。換言之，第1方向D10表示複數個基板W之排列方向。第1方向D10與水平方向大致平行。又，複數個基板W各自與第2方向D20大致平行。第2方向D20與第1方向D10大致正交，與水平方向大致平行。
圖8(a)中，基板保持部120位於處理槽110之內槽112之上方。基板保持部120保持著複數個基板W向鉛直下方(Z方向)下降。藉此，將複數個基板W放入至處理槽110。
如圖8(b)所示，當基板保持部120下降至處理槽110時，複數個基板W浸漬於處理槽110內之處理液LQ。再者，圖8(b)中雖未圖示，但如圖7所示，內槽112之上部開口被蓋116蓋住。
接下來，參照圖9對氣體供給單元280A進行說明。圖9係表示氣體供給單元280A之模式性俯視圖。如圖9所示，氣體供給單元280A之氣體供給構件180及循環處理液供給構件130於俯視下大致相互平行，且隔開間隔配置。俯視下，2個循環處理液供給構件130中之一個配置於2個氣體供給構件180之間。又，俯視下，2個循環處理液供給構件130中之另一個配置於另外2個氣體供給構件180之間。進而，俯視下，4個氣體供給構件180中之中間2個氣體供給構件180於第2方向D20上對向。
具體而言，複數個循環處理液供給構件130於處理槽110(具體為內槽112)中大致相互平行，且於第2方向D20上隔開間隔配置。循環處理液供給構件130沿第1方向D10延伸。於複數個循環處理液供給構件130之各者中，複數個處理液噴出口P在第1方向D10上隔開間隔配置於大致一直線上。
複數個氣體供給構件180於處理槽110(具體為內槽112)中大致相互平行，且於第2方向D20上隔開間隔配置。氣體供給構件180沿第1方向D10延伸。於複數個氣體供給構件180之各者中，複數個氣體供給口G於第1方向D10上隔開間隔配置於大致一直線上。於複數個氣體供給構件180之各者中，各氣體供給口G設置於氣體供給構件180之上表面部。而且，各氣體供給口G於處理槽110(具體為內槽112)之底部110a朝上方供給氣泡BB。再者，只要能自氣體供給口G供給氣泡BB，則氣體供給口G之位置無特別限定。又，於複數個氣體供給構件180中，複數個氣體供給口G可等間隔配置，亦可非等間隔配置。
複數個氣體供給構件180各自具有第1端部180a及第2端部180b。第1端部180a係第1方向D10上之氣體供給構件180之兩端部中之一端部。第2端部180b係第1方向D10上之氣體供給構件180之兩端部中之另一端部。
於第1端部180a連接配管261。因此，氣體供給機構250將由氣體供給源263供給之氣體GA自配管261供給至各氣體供給構件180。第2端部180b被封閉。除此以外，氣體供給構件180之構成與實施方式1之氣體供給構件281之構成相同。
複數個支持構件185於處理槽110(具體為內槽112)中大致相互平行，且於第2方向D20上隔開間隔配置。支持構件185沿第1方向D10延伸。支持構件185於圖9之例中具有大致平板形狀。位於氣體供給單元280A之第2方向D20一端之支持構件185支持1個氣體供給構件180，位於另一端之支持構件185支持1個氣體供給構件180。中間之支持構件185支持2個氣體供給構件180。
接下來，參照圖8及圖10對本發明之實施方式3之基板處理方法進行說明。圖10係表示實施方式31之基板處理方法之流程圖。如圖10所示，基板處理方法包括步驟S41～步驟S51。基板處理方法係藉由基板處理系統100B來執行。而且，基板處理方法係將隔開間隔排列之複數個基板W浸漬於貯存在處理槽110之處理液LQ中，利用處理液LQ對複數個基板W進行處理。又，步驟S41～步驟S47相當於「處理液溫度調整方法」之一例。
如圖8及圖10所示，於步驟S41中，控制裝置U4判定溫度調整時點是否到來。溫度調整時點係在未將基板W浸漬於處理液LQ之期間，將貯存於處理槽110之處理液LQ之一部分或全部排出，並將處理液LQ之一部分或全部替換成新的處理液LQ之後的時點。
當於步驟S41中判定為溫度調整時點未到來時，處理反覆進行步驟S41直至判定為溫度調整時點到來。
另一方面，當於步驟S41中判定為溫度調整時點已到來時，處理進入步驟S42。
於步驟S42中，藉由控制裝置U4之控制，加熱器143開始處理液LQ之加熱。具體而言，加熱器143將用以處理基板W之處理液LQ加熱至處理液LQ之標準沸點以上。
接下來，於步驟S43中，藉由利用控制裝置U4對氣體供給機構250進行控制，各氣體供給構件180開始對貯存於處理槽110之處理液LQ供給氣體GA(具體為氣泡BB)。即，各氣體供給構件180將促進水分自加熱至標準沸點以上之處理液LQ中蒸發之氣體GA(具體為氣泡BB)供給至貯存於處理槽110之處理液LQ。
接下來，於步驟S44中，排氣配管部270將自處理槽110之處理液LQ之液面出來之水蒸氣及氣體GA排出。即，排氣配管部270自處理槽110中排出水蒸氣及氣體GA。再者，始終持續利用排氣配管部270自處理槽110中排氣，不限於水蒸氣及氣體GA之排出。
接下來，於步驟S45中，控制裝置U4基於測量部147之測量結果判定處理液LQ之濃度是否達到目標值。
當於步驟S45中判定為處理液LQ之濃度未達到目標值時，處理反覆進行步驟S45直至判定為處理液LQ之濃度達到目標值。
另一方面，當於步驟S45中判定為處理液LQ之濃度已達到目標值時，處理進入步驟S46。
於步驟S46中，藉由控制裝置U4之控制，加熱器143調節貯存於處理槽110之處理液LQ之溫度，間接使處理液LQ之濃度維持於目標值。即，加熱器143調節於配管141中流動之處理液LQ之溫度，間接使處理液LQ之濃度維持於目標值。具體而言，加熱器143使處理液LQ之溫度維持於標準沸點以上之規定溫度。而且，在處理液LQ之溫度維持於標準沸點以上之規定溫度之狀態下，基於測量部147之測量結果，經過閥166、配管164及噴嘴162自稀釋液供給源TKB向處理槽110供給稀釋液，藉此處理液LQ之濃度維持於目標值。
接下來，於步驟S47中，藉由利用控制裝置U4對氣體供給機構250進行控制，各氣體供給構件180停止對貯存於處理槽110之處理液LQ供給氣體GA(具體為氣泡BB)。
接下來，於步驟S48中，控制裝置U4判定是否於複數個處理槽110中之任一處理槽110內，基板浸漬時點到來。基板浸漬時點係將基板W浸漬於處理液LQ之時點。
當於步驟S48中判定為基板浸漬時點未到來時，處理反覆進行步驟S48直至判定為基板浸漬時點到來。
另一方面，當於步驟S48中判定為基板浸漬時點已到來時，處理進入步驟S49。
於步驟S49中，藉由控制裝置U4之控制，搬送機械手(未圖示)將基板W搬送至基板保持部120，進而，基板保持部120將複數個基板W浸漬於處理槽110之處理液LQ中，利用處理液LQ對複數個基板W進行處理。
接下來，於步驟S50中，藉由利用控制裝置U4對氣體供給機構250進行控制，各氣體供給構件180向在處理槽110中浸漬於處理液LQ之複數個基板W供給氣體GA(具體為氣泡BB)。
接下來，於步驟S51中，藉由控制裝置U4之控制，基板保持部120自處理槽110之處理液LQ中提拉出複數個基板W，進而，搬送機械手(未圖示)自基板保持部120接受基板W將其搬送。然後，基板處理方法結束。
以上，如參照圖10所說明，於實施方式3之基板處理方法中，將貯存於處理槽110之處理液LQ加熱至標準沸點以上，與此並行地執行對貯存於處理槽110之處理液LQ供給促進水分蒸發之氣體GA之處理、及自處理槽110中排出水蒸氣及氣體GA之處理。因此，能夠促進水分自處理液LQ中蒸發，使處理液LQ之濃度快速達到目標值。
接下來，基於實施例對本發明具體進行說明，但本發明不由以下實施例限定。 [實施例]
參照圖7及圖11對本發明之實施例1、實施例2及比較例進行說明。於實施例1及實施例2中，使用參照圖7所說明之基板處理系統100B。於比較例中，對參照圖7所說明之基板處理系統100B加上限制而使用。
於實施例1、實施例2及比較例中，利用加熱器143將處理液LQ加熱至標準沸點以上。處理液LQ為磷酸水溶液。處理槽110之蓋116關閉。
於實施例1中，自氣體供給機構250供給至4個氣體供給構件180之氣體GA之流量，即，供給至加熱至標準沸點以上之溫度之處理液LQ之氣體GA的流量為13升/分鐘。氣體GA為氮氣。
於實施例2中，自氣體供給機構250供給至4個氣體供給構件180之氣體GA之流量，即，供給至加熱至標準沸點以上之溫度之處理液LQ之氣體GA的流量為20升/分鐘。氣體GA為氮氣。
於比較例中，不對加熱至標準沸點以上之溫度之處理液LQ供給氣體GA。
於實施例1、實施例2及比較例中，利用稀釋液供給部160以0.3升/分鐘之流量持續補充純水。然後，利用測量部147測量處理液LQ之比重。測量部147不測量於配管141中循環之處理液LQ之比重，而測量內槽112之處理液LQ之比重。基於比重之測量結果，確認實施例1、實施例2及比較例中之純水蒸發能力。純水蒸發能力係能使純水之水分自處理液LQ中蒸發之能力。由於以固定流量補充純水，故而可推測若純水蒸發能力較高，則處理液LQ之比重維持固定，若純水蒸發能力較低，則處理液LQ之比重不維持固定。
圖11係表示本發明之實施例1、實施例2及比較例之處理液LQ之比重值之時間變化之曲線圖。於圖11中，橫軸表示時間，縱軸表示比重值。
如圖11所示，曲線PL1表示實施例1中測量出之處理液LQ之比重值。曲線PL2表示實施例2中測量出之處理液LQ之比重值。曲線PL3表示比較例中測量出之處理液LQ之比重值。
於比較例中，如曲線PL3所示，處理液LQ之比重值不停減少，於自純水補充開始起經過數十分鐘之時間t0，利用加熱器143進行之溫度調整動作停止。可推測其原因如下。即，於比較例中，由於純水蒸發能力較低，故而處理液LQ之濃度變低，處理液LQ之沸點變低。其結果為，處理液LQ爆沸，產生大量水蒸氣，加熱器143過熱。由此導致利用加熱器143進行之溫度調整動作停止。
與此相對，於實施例1及實施例2中，儘管持續補充純水，但於時間t0以後，處理液LQ之比重值於沸騰附近基本穩定且大致固定。因此，可確認於實施例1及實施例2中，純水蒸發能力高於比較例。即，可確認，藉由對加熱至標準沸點以上之溫度之處理液LQ供給氣體GA，能夠提高純水蒸發能力。可推測，於實施例1及實施例2中，由於純水蒸發能力提高，故而與比較例相比能使處理液LQ之濃度更快達到目標值。
尤其是於氣體GA之流量較多之實施例2中，處理液LQ之比重值較實施例1更穩定。
以上，參照圖式對本發明之實施方式及實施例進行了說明。但是，本發明不限於上述實施方式及實施例，可於不脫離其主旨之範圍內於各種形態中實施。又，可適當改變上述實施方式中揭示之複數個構成要素。例如，可將某實施方式中示出之所有構成要素中之某構成要素追加至另一實施方式之構成要素中，或者亦可將某實施方式中示出之所有構成要素中之若干構成要素自實施方式中省去。
又，圖式係為了便於理解發明，而於本體中模式性地示出各個構成要素，圖示之各構成要素之厚度、長度、個數、間隔等有時亦會為了便於製作圖式而與實際不同。又，不言而喻上述實施方式中示出之各構成要素之構成為一例，無特別限定，可於實質上不脫離本發明效果之範圍內進行各種變更。  [產業上之可利用性]
本發明係關於一種處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統，具有產業上之可利用性。
1:基板處理部 1A:基板處理部 3:處理槽 5:冷卻槽 9:閥 11:閥 31:內槽 33:外槽 100:基板處理系統 100A:基板處理系統 100B:基板處理系統(處理液溫度調整裝置) 110:處理槽(第1貯存槽) 110a:底部 112:內槽 114:外槽 116:蓋 116a:開門部 116b:開門部 120:基板保持部 122:本體板 124:保持棒 126:升降單元 130:循環處理液供給構件 140:循環部 141:配管 142:泵 143:加熱器(第1溫度調整部) 144:過濾器 145:調整閥 146:閥 147:測量部 150:處理液供給部 152:噴嘴 154:配管 156:閥 160:稀釋液供給部 162:噴嘴 164:配管 166:閥 170:排液部 170a:排液配管 170b:閥 180:氣體供給構件 180a:第1端部 180b:第2端部 182:突起 185:支持構件 200:第1溫度調整單元 210:第1貯存槽 212:第1測量部 214:閥 215:第1過濾器 216:第1加熱器(第1溫度調整部) 218:第1泵 220:閥 221:流量調整閥 222:閥 223:閥 224:閥 230:槽本體 230a:底部 240:蓋 250:氣體供給機構 251:閥 253:過濾器 257:流量計 259:調整閥 261:配管 263:氣體供給源 270:排氣配管部 271:連結構件 273:排氣配管 275:流路 280:氣體供給單元 280A:氣體供給單元 281:氣體供給構件 281a:第1端部 281b:第2端部 283:第1配管 285:第2配管 287:第1保持構件 289:第2保持構件 291:第1固定構件 293:第2固定構件 300:第2溫度調整單元 310:第2貯存槽 312:第2測量部 314:閥 315:第2過濾器 316:第2加熱器(第2溫度調整部) 318:第2泵 310:第2貯存槽 320:閥 350:冷卻槽 391:流量計 392:流量調整閥 400:腔室 401:噴嘴 402:旋轉夾頭 403:旋轉馬達 404:承杯 FW0:流路 FW1:流路 FW2:流路 BB:氣泡 G:氣體供給口 GA:氣體 LQ:處理液 p:處理液噴出口 P1:配管 P2:配管 P3:配管 P4:配管 P5:配管 P6:第1循環配管 P7:配管 P8:配管 P9:第2循環配管 P10:配管 TKA:處理液供給源 TKB:稀釋液供給源 U1:處理裝置 U1A:處理裝置 U2:處理液溫度調整裝置 U3:冷卻槽群 U4:控制裝置 W:基板
圖1係表示本發明之實施方式1之基板處理系統之模式圖。  圖2係表示實施方式1之基板處理系統之第1貯存槽之模式性剖視圖。  圖3係表示實施方式1之基板處理系統之氣體供給單元之模式性俯視圖。  圖4係表示實施方式1之基板處理方法之流程圖。  圖5係表示本發明之實施方式2之基板處理系統之模式圖。  圖6係表示實施方式2之基板處理方法之流程圖。  圖7係表示本發明之實施方式3之基板處理系統之模式性剖視圖。  圖8(a)係表示實施方式3之基板浸漬於處理液之前的狀態之圖。(b)係表示實施方式3之基板浸漬於處理液之後的狀態之圖。  圖9係表示實施方式3之基板處理系統之氣體供給單元之模式性俯視圖。  圖10係表示實施方式3之基板處理方法之流程圖。  圖11係表示本發明之實施例1、實施例2及比較例之處理液之比重值之時間變化的曲線圖。

Claims (16)

  1. 一種處理液溫度調整方法，其包括以下步驟：  將用以處理基板之處理液加熱至上述處理液之標準沸點以上；  對貯存於第1貯存槽之上述處理液供給促進水分自上述加熱後之處理液中蒸發之氣體；及  自上述第1貯存槽中排出水蒸氣及上述氣體；且  上述處理液係含有磷酸之液體。
  2. 如請求項1之處理液溫度調整方法，其進而包括如下步驟：自上述第1貯存槽直接或間接地向處理上述基板之基板處理部供給上述處理液。
  3. 如請求項2之處理液溫度調整方法，其進而包括以下步驟：  在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之濃度達到目標值之後，自上述第1貯存槽向第2貯存槽供給上述處理液；及  對貯存於上述第2貯存槽之上述處理液之溫度進行調節，使上述處理液之濃度維持於上述目標值；且  於供給上述處理液之上述步驟中，自上述第2貯存槽向上述基板處理部供給上述處理液。
  4. 如請求項1之處理液溫度調整方法，其中  上述第1貯存槽係將上述基板浸漬於上述處理液中對上述基板進行處理之處理槽，  將上述處理液加熱之上述步驟、及供給上述氣體之上述步驟係在未將上述基板浸漬於上述處理液之期間執行。
  5. 如請求項4之處理液溫度調整方法，其中將上述處理液加熱之上述步驟、及供給上述氣體之上述步驟係在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之一部分或全部被排出，將上述處理液之一部分或全部替換成新的上述處理液之後執行。
  6. 一種基板處理方法，其包括  如請求項1至5中任一項之處理液溫度調整方法、及  利用處理液對基板進行處理之步驟。
  7. 一種處理液溫度調整方法，其包括以下步驟：  將用以處理基板之處理液加熱至上述處理液之標準沸點以上；  對貯存於第1貯存槽之上述處理液供給促進水分自上述加熱後之處理液中蒸發之氣體；  自上述第1貯存槽中排出水蒸氣及上述氣體；  在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之濃度達到目標值之後，自上述第1貯存槽向第2貯存槽供給上述處理液；  對貯存於上述第2貯存槽之上述處理液之溫度進行調節，使上述處理液之濃度維持於上述目標值；及  自上述第2貯存槽向處理上述基板之基板處理部供給上述處理液。
  8. 一種處理液溫度調整裝置，其具備：  第1溫度調整部，其將用以處理基板之處理液加熱至上述處理液之標準沸點以上；  第1貯存槽，其貯存利用上述第1溫度調整部加熱後之上述處理液；  氣體供給構件，其對貯存於上述第1貯存槽之上述處理液供給促進水分自上述處理液中蒸發之氣體；及  排氣配管部，其自上述第1貯存槽中排出水蒸氣及上述氣體；且  上述處理液係含有磷酸之液體。
  9. 如請求項8之處理液溫度調整裝置，其中上述第1貯存槽向處理上述基板之基板處理部直接或間接地供給上述處理液。
  10. 如請求項9之處理液溫度調整裝置，其進而具備：  第2貯存槽，其在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之濃度達到目標值之後，自上述第1貯存槽被供給上述處理液；及  第2溫度調整部，其對貯存於上述第2貯存槽之上述處理液之溫度進行調節，使上述處理液之濃度維持於上述目標值；且  上述第2貯存槽向上述基板處理部供給上述處理液。
  11. 如請求項8之處理液溫度調整裝置，其中  上述第1貯存槽係將上述基板浸漬於上述處理液中對上述基板進行處理之處理槽，  上述第1溫度調整部在未將上述基板浸漬於上述處理液之期間，將上述處理液加熱至上述標準沸點以上，  上述氣體供給構件在未將上述基板浸漬於上述處理液之上述期間，對貯存於上述第1貯存槽之上述處理液供給上述氣體。
  12. 如請求項11之處理液溫度調整裝置，其中  在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之一部分或全部被排出，將上述處理液之一部分或全部替換成新的上述處理液之後，上述第1溫度調整部將上述處理液加熱至上述標準沸點以上，  在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之一部分或全部被排出，將上述處理液之一部分或全部替換成新的上述處理液之後，上述氣體供給構件對貯存於上述第1貯存槽之上述處理液供給上述氣體。
  13. 如請求項8至12中任一項之處理液溫度調整裝置，其中  上述排氣配管部包含自上述第1貯存槽中排出上述水蒸氣及上述氣體之排氣配管，  上述排氣配管之流路之截面面積滿足下式：  A×V≧Q  A：上述排氣配管之上述流路之上述截面面積  V：當不執行將上述處理液加熱至上述標準沸點以上之處理及對上述處理液供給上述氣體之處理時，流經上述排氣配管之上述流路之排出氣體之流速  Q：上述水蒸氣及上述氣體之每單位時間之排氣量。
  14. 如請求項8至12中任一項之處理液溫度調整裝置，其中上述氣體供給構件之原材料為樹脂。
  15. 一種基板處理系統，其具備：  如請求項8至10中任一項之處理液溫度調整裝置；及  基板處理部，其利用處理液對基板進行處理。
  16. 一種處理液溫度調整裝置，其具備：  第1溫度調整部，其將用以處理基板之處理液加熱至上述處理液之標準沸點以上；  第1貯存槽，其貯存利用上述第1溫度調整部加熱後之上述處理液；  氣體供給構件，其對貯存於上述第1貯存槽之上述處理液供給促進水分自上述處理液中蒸發之氣體；  排氣配管部，其自上述第1貯存槽中排出水蒸氣及上述氣體；  第2貯存槽，其在貯存於上述第1貯存槽之上述處理液之濃度達到目標值之後，自上述第1貯存槽被供給上述處理液；及  第2溫度調整部，其對貯存於上述第2貯存槽之上述處理液之溫度進行調節，使上述處理液之濃度維持於上述目標值；且  上述第2貯存槽向處理上述基板之基板處理部供給上述處理液。
TW110107909A 2020-03-24 2021-03-05 處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統 TWI813961B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020053377A JP7413113B2 (ja) 2020-03-24 2020-03-24 処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システム
JP2020-053377 2020-03-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202141614A true TW202141614A (zh) 2021-11-01
TWI813961B TWI813961B (zh) 2023-09-01

Family

ID=77809138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110107909A TWI813961B (zh) 2020-03-24 2021-03-05 處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7413113B2 (zh)
KR (1) KR20210119319A (zh)
CN (1) CN113451174A (zh)
TW (1) TWI813961B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023135013A (ja) * 2022-03-15 2023-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及び基板処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5231920B2 (ja) * 2008-09-29 2013-07-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及びその処理液交換方法
JP5213638B2 (ja) * 2008-10-24 2013-06-19 新電元工業株式会社 ウェットエッチング方法
US20120248061A1 (en) * 2011-03-30 2012-10-04 Tokyo Electron Limited Increasing masking layer etch rate and selectivity
JP6502633B2 (ja) * 2013-09-30 2019-04-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP6118739B2 (ja) * 2014-01-31 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI630652B (zh) * 2014-03-17 2018-07-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
JP6324775B2 (ja) * 2014-03-17 2018-05-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理装置を用いた基板処理方法
JP6434367B2 (ja) * 2015-05-14 2018-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6454611B2 (ja) * 2015-06-19 2019-01-16 株式会社ジェイ・イー・ティ 基板処理システム及び基板処理方法
JP6999392B2 (ja) * 2017-02-15 2022-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6857526B2 (ja) 2017-03-27 2021-04-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、基板処理方法
JP7101075B2 (ja) * 2017-09-11 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び記憶媒体
JP2019129243A (ja) * 2018-01-25 2019-08-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7190892B2 (ja) * 2018-12-12 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液濃縮方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7413113B2 (ja) 2024-01-15
JP2021153145A (ja) 2021-09-30
CN113451174A (zh) 2021-09-28
TWI813961B (zh) 2023-09-01
KR20210119319A (ko) 2021-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI565840B (zh) 電鍍系統之分離陽極室中具壓力調節之電解液迴路
KR101545373B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체
JP2001023952A (ja) エッチング方法及びエッチング装置
WO2019097901A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW201409558A (zh) 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體
TW201822899A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US10458010B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
KR20190085128A (ko) 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법
CN111627829B (zh) 基板处理装置及半导体装置的制造方法
US10840081B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
TWI813961B (zh) 處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統
US20220139733A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20220134375A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6632684B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN110383429B (zh) 基板处理方法和基板处理装置
JP7454986B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7526074B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2007207786A (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
JP7267079B2 (ja) 処理液調製装置、基板処理装置、処理液調製方法および基板処理方法
TW202109656A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20240065520A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2001102349A (ja) 基板処理装置
JP3492901B2 (ja) 基板の表面処理方法および表面処理装置
KR20240022004A (ko) 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
TW202412098A (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法