TW202109656A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202109656A
TW202109656A TW109123999A TW109123999A TW202109656A TW 202109656 A TW202109656 A TW 202109656A TW 109123999 A TW109123999 A TW 109123999A TW 109123999 A TW109123999 A TW 109123999A TW 202109656 A TW202109656 A TW 202109656A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
substrate
processing
supply
processing liquid
Prior art date
Application number
TW109123999A
Other languages
English (en)
Inventor
樋口倫太郎
香川興司
稲田尊士
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202109656A publication Critical patent/TW202109656A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • B05B1/18—Roses; Shower heads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • B05B1/20—Arrangements of several outlets along elongated bodies, e.g. perforated pipes or troughs, e.g. spray booms; Outlet elements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本發明係提供一種技術，在不使基板浸漬，而係將處理液供給至水平的基板之頂面，並使供給之處理液沿著基板之頂面流動的情況下，可提高處理液的替換性，並可降低從基板溶出至處理液之溶出成分的濃度梯度。 本發明之基板處理裝置包含：液體處理部，包含水平地固持基板的基板固持部、及從上方對處於被該基板固持部固持之狀態的該基板供給處理液的液體供給部；液體製作部，製作在該液體處理部所使用的處理液；及控制部，控制該液體供給部及該液體製作部；該控制部係控制該液體供給部，而將該處理液的供給速度設成：使從該液體供給部往該基板的該處理液之鉛直方向流速，快於沿著該基板之頂面流動的該處理液之水平方向流速。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
例如，在需要較長處理時間之製程的情況下，係使用如專利文獻1所記載之基板處理裝置。此基板處理裝置包含處理液儲存部，儲存用於處理基板之處理液。處理液儲存部包含儲存處理液的處理槽，並將基板浸漬於儲存在處理槽的處理液中既定時間。基板係鉛直地被固持在處理槽的內部，而處理液係沿著基板的表面鉛直地流動。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-143684號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明係提供一種技術，在不使基板浸漬，而係將處理液供給至水平的基板之頂面，並使供給之處理液沿著基板之頂面流動的情況下，可提高處理液的替換性，並可降低從基板溶出至處理液的溶出成分之濃度梯度。 [解決問題之技術手段]
依本發明之一態樣的基板處理裝置包含： 液體處理部，其包含：基板固持部，水平地固持基板；及液體供給部，從上方對處於被該基板固持部固持之狀態的該基板，供給處理液； 液體製作部，製作在該液體處理部所使用之處理液；及 控制部，控制該液體供給部及該液體製作部； 該控制部係控制該液體供給部，而將該處理液的供給速度設成：使從該液體供給部往該基板的該處理液之鉛直方向流速，快於沿著該基板之頂面流動的該處理液之水平方向流速。 [發明效果]
根據本發明之一態樣，在不使基板浸漬，而係將處理液供給至水平的基板之頂面，並使供給之處理液沿著基板之頂面流動的情況下，可提高處理液的替換性，並可降低從基板溶出至處理液之溶出成分的濃度梯度。
以下，參照圖式說明本發明之實施態樣。又，在各圖式中，有時會對於相同或是對應的構成係賦予相同的符號，並省略說明。
圖1係顯示依本發明之一實施態樣之基板處理裝置的圖式。圖2A係顯示緊接於依本發明之一實施態樣之基板之處理開始前之狀態的剖面圖。圖2B係顯示緊接於依本發明之一實施態樣之基板之處理完成前之狀態的剖面圖。
基板處理裝置1係以處理液3處理基板2。基板2例如圖2A所示，包含矽晶圓21、氧化矽膜22及氮化矽膜23。氧化矽膜22與氮化矽膜23係交替地重複積層，而形成積層膜24。在積層膜24與矽晶圓21之間，形成有未圖示的導電膜等。積層膜24包含在厚度方向上貫通積層膜24的開口部25。
處理液3包含磷酸（例如磷酸水溶液），並進入積層膜24的開口部25，而如圖2B所示般，選擇性地蝕刻並去除氧化矽膜22及氮化矽膜23中的氮化矽膜23。蝕刻的選擇比係取決於處理液3中的矽濃度等。矽濃度越高，選擇比越高。另一方面，若矽濃度超過飽和濃度，則會導致二氧化矽沉澱。
處理液3係進入積層膜24的開口部25，並在氮化矽膜23的面內方向上蝕刻氮化矽膜23。所謂面內方向係與厚度方向垂直的方向。隨著氮化矽膜23的蝕刻進展，矽會溶出在積層膜24的內部。溶出的矽會通過積層膜24的開口部25，而擴散至積層膜24的外部。由於從積層膜24之表面26起算的深度越深，又，距離開口部25的距離越遠，擴散的距離會越長，因此矽濃度會變高。
如上所述，矽濃度會根據位置而變動，其最高值係取決於藉由基板2之處理液3進行處理的圖案27。進行處理的圖案27係欲去除的圖案，亦即，係溶出的矽擴散之通路的圖案。圖案27係三維的圖案。
基板2的圖案27包含積層膜24的積層數量（亦即，氧化矽膜22之數量與氮化矽膜之數量的總合數量）。由於積層膜24的積層數量越多，擴散的距離會變得越長，因此矽濃度的最高值會變高。
又，基板2的圖案27包含各個氮化矽膜23的膜厚T、及開口部25的寬度W。由於各個氮化矽膜23的膜厚T越小，又，開口部25的寬度W越窄，矽所擴散之通路的寬度越窄，故矽濃度的最高值會變高。
基板處理裝置1係提高處理液3的替換性，並降低處理液3中之溶出成分（例如矽）的濃度梯度，以抑制溶出成分的沉澱。以下，再度參照圖1，說明基板處理裝置1的構成。
基板處理裝置1包含：液體處理部5、液體製作部6及控制部9。液體處理部5係以處理液3處理基板2。液體製作部6係製作在液體處理部5所使用之處理液3。控制部9係控制液體處理部5及液體製作部6。
液體處理部5係單片晶圓製程，並包含：基板固持部51，水平地固持基板2；及液體供給部52，從上方對處於被基板固持部51固持之狀態的基板2，供給處理液3。基板固持部51係將基板2之形成圖案27的面朝上，而水平地固持基板2。基板固持部51為機械夾頭、真空夾頭或是靜電夾頭。
液體供給部52包含噴吐處理液3的第一噴嘴521。又，液體供給部52包含送液路徑522，將在液體製作部6所製作的處理液3輸送至第一噴嘴521，並且液體供給部52在送液路徑522的中段，例如更包含：第一開閉閥523、流量計524、流量控制器525及第二開閉閥526。
控制部9在從第一噴嘴521噴吐處理液3時，係打開第一開閉閥523及第二開閉閥526，並控制流量控制器525使流量計524的量測值成為設定值。從第一噴嘴521到基板2的處理液3之供給量，係等於流量計524的量測值。另一方面，控制部9係在停止從第一噴嘴521噴吐處理液3時，關閉第一開閉閥523及第二開閉閥526。
如圖2B所示，控制部9係控制液體供給部52，而將處理液3之供給速度設成：使從液體供給部52之第一噴嘴521往基板2的處理液3之鉛直方向流速V1，快於沿著基板2之頂面流動的處理液3之水平方向流速V2。鉛直方向流速V1及水平方向流速V2，係以固定於基板2之座標系來量測，例如在基板2旋轉的情況下，係以和基板2一起旋轉的座標系來量測。
鉛直方向流速V1可由第一噴嘴521之噴吐口正下方的流速來代表，並由從噴吐口噴吐之處理液3的流量（m3 /秒）、及噴吐口的面積（m2 ）等求出。在噴吐口的數量為複數的情況下，處理液3的流量為合計流量且噴吐口的面積為合計面積。
水平方向流速V2例如係藉由VOF（Volume Of Fluid：流體體積法）法等電腦模擬解析，或是以相機拍攝之影像的影像解析等進行量測。水平方向流速V2係取決於從第一噴嘴521噴吐之處理液3的流量、基板2的轉速、及距離基板2之旋轉中心的距離等。
水平方向流速V2可分解成周向流速V2A及徑向流速V2B。由於在基板2旋轉的情況下，係由周向流速V2A主導，故亦可簡單地僅使用周向流速V2A作為水平方向流速V2。
在基板2旋轉的情況下，周向流速V2A係取決於距離基板2之旋轉中心的距離，距離基板2之旋轉中心的距離越長，周向流速V2A越快。因此，只要鉛直方向流速V1在基板2的外周上快於周向流速V2A，則鉛直方向流速V1便會在整個基板2上快於周向流速V2A。
從而，鉛直方向流速V1只要在基板2之頂面中的形成圖案27之區域的外周上，快於水平方向流速V2即可。又，V1只要在圖案27之蝕刻所需要的區域中快於V2即可，在圖案27之未形成的基板2之頂面的外周上，V1並不一定要快於V2。
根據本實施態樣，由於鉛直方向流速V1係快於水平方向流速V2，故例如在從積層膜24之開口部25的正上方供給處理液3時，流入開口部25之內部的處理液3之流量，會大於未流入開口部25之內部而沿著積層膜24之表面26流動的處理液3之流量。
此外，如上所述，根據專利文獻1，基板2係鉛直地固持於處理槽的內部，並且處理液3係沿基板2的表面而鉛直地流動。此情況下，即便使鉛直方向流速V1較快，但由於開口部25係在水平方向上延伸，故流入開口部25的處理液3之量幾乎沒有變化。
相對於此，根據本實施態樣，如上所述，由於基板2係水平地受到固持，並且鉛直方向流速V1快於水平方向流速V2，故流入在鉛直方向上延伸之開口部25之內部的處理液3之流量會較大。其結果，可提高基板2之圖案27內部的處理液3之替換性，並可降低從基板2溶出至處理液3之溶出成分的過度濃度上升。從而，可降低溶出成分的最高值，並可抑制溶出成分的沉澱。
圖3係從下方觀察依本發明之一實施態樣之噴嘴的圖式。如圖3所示，第一噴嘴521宜為噴淋頭噴嘴，其將處理液3的噴吐口521a二維地分散配置。噴淋頭噴嘴係從複數噴吐口521a對基板2噴吐呈噴淋狀的處理液3。
由於噴淋頭噴嘴係將處理液3供給至基板2之頂面的多個點上，故可在基板2之頂面的多個點上，提高基板2之圖案27內部的處理液3之替換性，並可降低從基板2溶出至處理液3之溶出成分的過度濃度上升。從而，可在基板2之頂面的多個點上，降低溶出成分的最高值，並可抑制溶出成分的沉澱。
在噴淋頭噴嘴的底面中，複數噴吐口521a係二維地分散配置於圓形狀的區域A。區域A的直徑若小於基板2的直徑，便可防止「滴落在基板2外而未供給至基板2之無用的處理液3之使用」，並可降低處理液3的使用量。區域A的直徑例如為基板2之直徑的90%以上且未滿100%。
圖4係從下方觀察依本發明之變形例之噴嘴的圖式。如圖4所示，第一噴嘴521宜為棒狀噴嘴，其將處理液3的噴吐口521a呈一列地並排配置。棒狀噴嘴係沿著基板2的直徑配置，並沿著基板2的直徑而配置處理液3的供給點。又，形成於棒狀噴嘴的噴吐口521a之列的數量，並不限定於一個，亦可為複數。
由於棒狀噴嘴係將處理液3供給至旋轉之基板2之頂面的多個點上，故可在基板2之頂面的多個點上，提高基板2之圖案27內部的處理液3之替換性，並可降低從基板2溶出至處理液3之溶出成分的過度濃度上升。從而，可在基板2之頂面的多個點上，降低溶出成分的最高值，並可抑制溶出成分的沉澱。
在棒狀噴嘴的底面中，複數噴吐口521a係呈一列或是複數列地並排配置於棒狀的區域A。區域A的長度若小於基板2的直徑，便可防止「滴落在基板2外而未供給至基板2之無用的處理液3之使用」，並可降低處理液3的使用量。區域A的長度例如為基板2之直徑的90%以上且未滿100%。
如圖1所示，液體供給部52亦可包含有別於第一噴嘴521的第二噴嘴527，用於噴吐超純水（Deionized Water）等沖洗液。第二噴嘴527可為與第一噴嘴521相同的噴淋頭噴嘴，亦可為一般噴嘴，亦即，亦可為將沖洗液供給至基板2之頂面的一個點上的噴嘴。在第一噴嘴521將處理液3供給至基板2的期間，第二噴嘴527係在基板2之徑向外部的待命位置上待命。其後，當第一噴嘴521移動至基板2之徑向外部的待命位置時，第二噴嘴527會移動至基板2之中心的正上方的位置，並將沖洗液供給至基板2，以洗掉殘留於基板2的處理液3。與第一噴嘴521係噴吐處理液3及沖洗液兩者的情況不同，在第一噴嘴521的內部不需要進行液體替換，亦不需要該液體替換所需的等待時間。
又，液體供給部52亦可包含有別於第一噴嘴521的第三噴嘴528，用於噴吐處理液3以外的化學藥液。第三噴嘴528可為與第一噴嘴521相同的噴淋頭噴嘴，亦可為與第二噴嘴527相同的一般噴嘴，亦即，亦可為將化學藥液供給至基板2之頂面的一個點上的噴嘴。在處理液3為磷酸水溶液的情況下，作為處理液3以外的化學藥液，例如係使用從DHF（稀釋氫氟酸）、SC1（包含過氧化氫及氫氧化銨的水溶液）、及SC2（包含過氧化氫及鹽酸的水溶液）等選擇的一個以上者。在使用複數化學藥液的情況下，宜對每種化學藥液準備第三噴嘴528。
液體處理部5更包含驅動部53，其進行基板固持部51的旋轉及移動、以及液體供給部52的旋轉及移動中的至少一個動作，而使得基板2之頂面上的處理液3之供給點隨時間位移。供給點係「將噴吐口521a往其噴吐方向延長之延長線」與「基板2之頂面」的交叉點。
驅動部53為馬達，例如僅進行基板固持部51的旋轉。其旋轉中心係配置成通過基板2的中心。由於基板2係與基板固持部51一起旋轉，故基板2之頂面上的處理液3之供給點會隨時間位移。
雖然驅動部53在本實施態樣中僅進行基板固持部51的旋轉，但如上所述，只要能進行基板固持部51的旋轉及移動、以及液體供給部52的旋轉及移動中的至少一個動作即可。只要能使基板2之頂面上的處理液3之供給點隨時間位移即可。
若基板2之頂面上的處理液3之供給點會隨時間位移，則可在基板2之頂面的更多個點上，提高基板2之圖案27內部的處理液3之替換性，並可降低從基板2溶出至處理液3之溶出成分的過度濃度上升。從而，可在基板2之頂面的更多個點上，降低溶出成分的最高值，並可抑制溶出成分的沉澱。
此外，在驅動部53係進行基板固持部51之旋轉的情況下，由於基板2會與基板固持部51一起旋轉，故離心力會作用於形成在基板2之頂面的處理液3之液體膜。離心力會使水平方向流速V2增加。如此，透過藉由驅動部53所進行的動作，會使水平方向流速V2增加。
又，控制部9係控制液體供給部52與驅動部53，而將處理液3的供給速度與動作的速度設成：使鉛直方向流速V1快於水平方向流速V2。如上所述，動作係基板固持部51的旋轉及移動、以及液體供給部52的旋轉及移動中的至少一者。例如，控制部9若使基板固持部51的轉速下降，則可降低水平方向流速V2。
驅動部53為了抑制水平方向流速V2的增加，亦可在將基板固持部51停止的狀態下，進行液體供給部52之旋轉及移動中的至少一個動作。在藉由驅動部53進行的動作中，和基板固持部51的旋轉及移動相比，液體供給部52的旋轉及移動幾乎不會使水平方向流速V2增加。例如，原因在於，即使進行液體供給部52的旋轉，若不進行基板固持部51的旋轉，則離心力便不會作用於形成在基板2之頂面的處理液3之液體膜。
又，在以處理液3處理基板2的期間，亦可將基板固持部51之旋轉及移動、以及液體供給部52之旋轉及移動全部不實施。此情況下，雖然基板2之頂面上的處理液3之供給點不會隨時間位移，卻可確實地使鉛直方向流速V1快於水平方向流速V2。
又，即使在以處理液3處理基板2的期間，將基板固持部51的旋轉及移動、以及液體供給部52的旋轉及移動全部不實施，處理液3亦會沿著基板2的頂面而流動，而從基板2的外周滴落。原因在於，當將新的處理液3供給至基板2的頂面時，會將原本存在於基板2之頂面的處理液3推出。
液體處理部5更包含回收部54，其將從液體供給部52供給至基板2的處理液3加以回收。回收部54例如具有杯體541，其將處於被基板固持部51固持之狀態的基板2加以收納。杯體541係將從基板2滴落的處理液3，回收至杯體541的內部。
杯體541包含：圓筒部542、底蓋部543及傾斜部544。圓筒部542具有大於基板2之直徑的內徑，並鉛直地配置。底蓋部543係將圓筒部542之下端的開口封閉。傾斜部544係偏布於圓筒部542的上端全周而形成，並且越朝向圓筒部542的徑向內側越往上方傾斜。
回收部54在杯體541的底蓋部543具有排液管545及排氣管546。排液管545係將處理液3從杯體541的內部排出至液體處理部5的外部。又，排氣管546係將氣體從杯體541的內部排出至液體處理部5的外部。
如上所述，液體製作部6係製作在液體處理部5所使用的處理液3。液體製作部6例如包含：供給槽61、第一供給器62、循環路徑63及送液路徑64。供給槽61係儲存處理液3。第一供給器62係對供給槽61供給處理液3。循環路徑63係使從供給槽61取出之處理液3回到供給槽61。送液路徑64係從循環路徑63的中段分支，並與液體處理部5的送液路徑522連接，以將處理液3輸送至該送液路徑522。
又，液體處理部5在圖1中雖為一個，但亦可為複數。此情況下，液體製作部6係製作在複數液體處理部5所使用的處理液3。和在每個液體處理部5設置供給槽61等的情況相比，可降低供給槽61等的數量，並可將基板處理裝置1小型化。
第一供給器62包含：處理液3的供給源621、從供給源621延伸至供給槽61的配管622。又，第一供給器62例如在配管622的中段更包含：流量計623、流量控制器624及開閉閥625。
控制部9係在將處理液3從供給源621供給至供給槽61時，打開開閉閥625，並控制流量控制器624，而使流量計623的量測值成為設定值。從供給源621到供給槽61的處理液3之供給量，係等於流量計623的量測值。另一方面，控制部9係在停止將處理液3從供給源621供給至供給槽61時，關閉開閉閥625。
又，液體製作部6例如在循環路徑63的中段包含：泵浦65、過濾器66及加熱器67。泵浦65係沿著循環路徑63壓送處理液3，又，從循環路徑63的中段將處理液3壓送至液體處理部5。過濾器66係收集處理液3中所包含的微粒。加熱器67係將處理液3加熱至所期望的溫度。
在處理液3為磷酸水溶液的情況下，加熱器67係將磷酸水溶液加熱至沸點或是稍微低於沸點的溫度。處理液3係在藉由加熱器67加熱至所期望的溫度後，被供給至液體處理部5。
液體製作部6在循環路徑63的中段更包含第一濃度計68。第一濃度計68係量測處理液3中的第一成分之濃度。第一成分為從基板2溶出至處理液3的溶出成分，例如為矽。由於第一濃度計68係設於循環路徑63的中段，故可量測「緊接於供給至液體處理部5前的處理液3」之矽濃度。
液體製作部6在循環路徑63的中段更包含第二濃度計69。第二濃度計69係量測處理液3中的第二成分之濃度。第二成分係蝕刻基板2的蝕刻成分，例如為磷酸。由於第二濃度計69係設於循環路徑63的中段，故可量測「緊接於供給至液體處理部5前的處理液3」之磷酸濃度。
此外，處理液3包含沸點低於第二成分的第三成分。第三成分例如為水。由於水的沸點係低於磷酸的沸點，而處理液3會藉由加熱器67加熱，因此隨著時間的經過，處理液3中的水濃度會下降，而處理液3中的磷酸濃度會上升。
又，液體製作部6除了第一供給器62之外，亦包含第二供給器71。第二供給器71係對供給槽61供給第三成分亦即水，並將處理液3中的第二成分亦即磷酸之濃度維持在所期望的值。控制部9係從第二供給器71對供給槽61供給水，而使磷酸濃度的量測值成為設定值。
第二供給器71包含：水的供給源711、及從供給源711延伸至供給槽61的配管712。又，第二供給器71例如在配管712的中段包含：流量計713、流量控制器714及開閉閥715。
控制部9係在將水從供給源711供給至供給槽61時，打開開閉閥715，並控制流量控制器714，而使流量計713的量測值成為設定值。從供給源711到供給槽61的水之供給量，係等於流量計713的量測值。另一方面，控制部9係在停止將水從供給源711供給至供給槽61時，關閉開閉閥715。
液體製作部6包含回收槽72，其將從液體處理部5之回收部54送來的處理液3加以儲存。回收槽72例如經由排液管545而與杯體541連接，並將從杯體541送來的處理液3加以儲存。
液體製作部6包含回流路徑73，其使儲存於回收槽72的處理液3回到供給槽61。如此，可使儲存於回收槽72的處理液3，經由回流路徑73而回流至供給槽61，可降低處理液3的廢棄量。
液體製作部6在回流路徑73的中段，例如包含開閉閥74與泵浦75。控制部9係在使處理液3從回收槽72回流至供給槽61時，打開開閉閥74，並使泵浦75作動而壓送處理液3。另一方面，控制部9係在停止使處理液3從回收槽72回流至供給槽61時，關閉開閉閥74，並使泵浦75停止。
此外，處理液3係從供給槽61供給至液體處理部5，並藉由液體處理部5供給至基板2，在來自基板2的溶出成分之濃度增加後，回收至回收槽72，而再度回到供給槽61。從而，隨著基板2的處理片數增加，來自基板2的溶出成分會儲存於處理液3，並使處理液3中的溶出成分之濃度增加。
又，液體製作部6包含排出路徑76，其將儲存於回收槽72的處理液3排出至基板處理裝置1的外部。如此，可將溶出成分之濃度過高的處理液3，從回收槽72經由排出路徑76而排出至基板處理裝置1的外部。
液體製作部6在排出路徑76的中段，例如包含開閉閥77與排出源78。排出源78為噴射器或是泵浦。控制部9係在將處理液3從回收槽72排出至基板處理裝置1之外部時，打開開閉閥77，並使排出源78作動以壓送處理液3。另一方面，控制部9係在停止將處理液3從回收槽72排出至基板處理裝置1之外部時，關閉開閉閥77，並使排出源78停止。
控制部9例如為電腦，並包含CPU（Central Processing Unit）91、及記憶體等記錄媒體92。在記錄媒體92中，儲存有控制基板處理裝置1中執行之各種處理的程式。控制部9係藉由使CPU91執行儲存於記錄媒體92之程式，而控制基板處理裝置1的動作。又，控制部9包含輸入介面93及輸出介面94。控制部9係以輸入介面93接收來自外部的訊號，並以輸出介面94將訊號傳輸至外部。
上述程式例如儲存於電腦可讀取之記錄媒體，並從該記錄媒體安裝至控制部9的記錄媒體92。作為電腦可讀取之記錄媒體，例如可列舉：硬碟（HD）、軟性磁碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）、記憶卡等。又，程式亦可經由網際網路而從伺服器下載，並安裝至控制部9的記錄媒體92。
圖5係顯示依本發明之一實施態樣之基板之處理方法的流程圖。圖5所示之處理，係在藉由控制部9所執行的控制下實施。首先，未圖示的搬運裝置會將基板2搬入至液體處理部5的內部（S101）。接著，基板固持部51會從搬運裝置承接基板2，並水平地固持基板2。其後，搬運裝置會退出至液體處理部5的外部。
接著，液體供給部52會對處於被基板固持部51固持之狀態的基板2，供給DHF，並藉由DHF處理基板2（S102）。DHF係從第三噴嘴528噴吐，並供給至與基板固持部51一起旋轉的基板2之中心，且藉由離心力而潤濕擴散至整個基板2。其後，液體供給部52係停止對基板2供給DHF。
接著，液體供給部52會對處於被基板固持部51固持之狀態的基板2，供給沖洗液，並藉由沖洗液洗掉殘留於基板2的DHF（S103）。沖洗液係從第二噴嘴527噴吐，並供給至與基板固持部51一起旋轉的基板2之中心，且藉由離心力潤濕擴散至整個基板2，而與DHF替換。其後，液體供給部52係停止對基板2供給沖洗液。
接著，液體供給部52會對處於被基板固持部51固持之狀態的基板2，供給處理液3，並藉由處理液3所包含之磷酸處理基板2（S104）。處理液3係從第一噴嘴521噴吐，並整面地供應至與基板固持部51一起以低速旋轉的基板2。處理液3係從積層膜24的開口部25進入，並在氮化矽膜23的面內方向上蝕刻氮化矽膜23。
控制部9係在對基板2供給處理液3的期間，控制液體供給部52與驅動部53，而將處理液3的供給速度、與基板固持部51的轉速設成：使鉛直方向流速V1快於水平方向流速V2。若使基板固持部51的轉速下降，則可降低離心力，而可降低水平方向流速V2。其後，液體供給部52係停止對基板2供給處理液3。
接著，液體供給部52會對處於被基板固持部51之狀態的基板2，供給沖洗液，並藉由沖洗液洗掉殘留於基板2的處理液3（S105）。沖洗液係從第二噴嘴527噴吐，並供給至與基板固持部51一起旋轉的基板2之中心，且藉由離心力潤濕擴散至整個基板2，而與處理液3替換。其後，液體供給部52係停止對基板2供給沖洗液。
接著，液體供給部52對會處於被基板固持部51固持之狀態的基板2，供給SC1，並藉由SC1處理基板2（S106）。SC1係從第三噴嘴528噴吐，並供給至與基板固持部51一起旋轉的基板2之中心，且藉由離心力潤濕擴散至整個基板2。其後，液體供給部52係停止對基板2供給SC1。
接著，液體供給部52會對處於被基板固持部51固持之狀態的基板2，供給沖洗液，並藉由沖洗液洗掉殘留於基板2的SC1（S107）。沖洗液係從第二噴嘴527噴吐，並供給至與基板固持部51一起旋轉的基板2之中心，且藉由離心力潤濕擴散至整個基板2，而與SC1替換。其後，液體供給部52係停止對基板2供給沖洗液。
接著，液體供給部52會使基板2與基板固持部51一起以高速旋轉，並藉由離心力甩飛殘留於基板2的沖洗液，以乾燥基板2（S108）。其後，液體供給部52係停止基板固持部51的旋轉。
最後，搬運裝置會從基板固持部51承接基板2，並將基板2搬出至液體處理部5的外部（S109）。
又，在本實施態樣中基板2的乾燥（S108）為旋轉乾燥，但亦可為IPA乾燥，或是超臨界乾燥等。又，基板2的乾燥（S108）亦可在基板2搬出（S109）之後進行。
此外，如上所述，處理液3係從供給槽61供給至液體處理部5，並藉由液體處理部5供給至基板2，在來自基板2的溶出成分之濃度增加後，回收至回收槽72，並再度回到供給槽61。從而，隨著基板2的處理片數增加，來自基板2的溶出成分會儲存於處理液3，而使處理液3中的溶出成分之濃度增加。又，控制部9係進行處理液3中之溶出成分的濃度調整。
圖6係顯示依本發明之一實施態樣之溶出成分的濃度調整的流程圖。圖6所示之動作係在藉由控制部9所執行的控制下，例如定期地實施。首先，第一濃度計68會量測處理液3中的溶出成分之濃度（S201）。溶出成分例如為矽。
接著，控制部9會確認溶出成分濃度的量測值C1是否超過設定值C10 （S202）。設定值C10 係藉由預先實驗等設定成在以處理液3處理基板2時，溶出成分不會沉澱。設定值C10 宜針對每個基板2的圖案27進行設定。
在量測值C1為設定值C10 以下的情況（S202，否），由於溶出成分之濃度低成在以處理液3處理基板2時，溶出成分不會沉澱的程度，故控制部9會結束本次的處理。又，控制部9宜在結束本次的處理前，藉由液面計721量測回收槽72內的液面高度，並在其量測值超過上限值的情況下，控制液體製作部6使處理液3從回收槽72回流至供給槽61。回流的量可為回收槽72內的全部，亦可為回收槽72內的一部分。
另一方面，在量測值C1為超過設定值C10 的情況（S202，是），由於溶出成分之濃度過高，故控制部9會控制液體製作部6將處理液3從回收槽72排出至基板處理裝置1的外部（S203）。排出的量可為回收槽72內的全部，亦可為回收槽72內的一部分。
回收槽72內的處理液3和供給槽61內的處理液3相比，具有較高的溶出成分濃度。原因在於，如上所述，處理液3係從供給槽61供給至液體處理部5，並藉由液體處理部5供給至基板2，在來自基板2的溶出成分之濃度增加後，回收至回收槽72。
根據本發明之實施態樣，控制部9係控制液體製作部6，在量測值C1為超過設定值C10 的情況（S202，是），將回收槽72內的處理液3排出至基板處理裝置1的外部，而非供給槽61內的處理液3。藉由將溶出成分之濃度較高的處理液3加以排出，可降低用於溶出成分之濃度調整的處理液3之廢棄量。
又，如上所述，排出的量可為回收槽72內的全部，亦可為回收槽72內的一部分。後者的情況，亦可使回收槽72內之殘餘部分中的至少一部分回流至供給槽61。
接著，控制部9係控制液體製作部6，將處理液3從第一供給器62補給至供給槽61（S204）。補給之處理液3中的溶出成分之濃度，只要低於設定值C10 即可，亦可例如為零。由於藉由處理液3的補給（S204），量測值C1會再度成為設定值C10 以下，故可抑制以處理液3處理基板2時，溶出成分會沉澱之情形。
又，溶出成分之濃度調整的控制並不限定於圖6所示之控制。
例如，控制部9亦可反饋控制「從回收槽72至基板處理裝置1之外部的處理液3之排出」、及「從第一供給器62至供給槽61的處理液3之補給」，而使量測值C1與設定值C10 的偏差成為零。此情況下，當量測值C1亦超過設定值C10 時（S202，是），控制部9會控制液體製作部6，實施處理液3之排出（S203）、與處理液3之補給（S204）。
又，控制部9亦可將基板2的處理片數進行計數，以代替藉由第一濃度計68量測溶出成分之濃度，並在該處理片數超過設定片數時，實施處理液3之排出（S203）、與處理液3之補給（S204）。設定片數係設定成當處理片數超過設定片數，量測值C1便會超過設定值C10 。
以下，說明實驗資料。將實施例1、2及比較例1的處理條件顯示於表1。
【表1】
  實施例1 實施例2 比較例1
轉速[rpm] 10 100 1000
水平方向流速V2 周向流速V2A[m/秒] 0.01571 0.15708 1.57080
徑向流速V2B[m/秒] 0.00034 0.00721 0.15194
鉛直方向流速V1[m/秒] 1.12 1.12 1.12
在實施例1、2及比較例1中，除了變更基板2的轉速以外，係以相同處理條件處理基板2。具體而言，係在使半徑25mm之基板2旋轉的同時，從配置於基板2之中心正上方的一個噴吐口，供給磷酸水溶液。關於基板2，係使用在矽晶圓21上交替地重複積層氧化矽膜22與氮化矽膜23，並形成有在厚度方向上貫通該積層膜24的開口部25者。磷酸水溶液的供給量為1L/分，處理時間為40分。周向流速V2A及徑向流速V2B，係藉由VOF法求出在從基板2之旋轉中心遠離15mm的位置上的流速。鉛直方向流速V1係作為將從噴吐口噴吐之磷酸水溶液的流量除以噴吐口之面積而獲得之值而求出。
從表1可清楚得知，在實施例1、2及比較例1中，水平方向流速V2當中，周向流速V2A係主導。又，在實施例1、2中鉛直方向流速V1和水平方向流速V2相比較快，相對於此，在比較例1中鉛直方向流速V1和水平方向流速V2相比較慢。
圖7A係顯示依本發明之實施例1之基板之處理後之狀態的剖面圖。圖7B係顯示依本發明之實施例2之基板之處理後之狀態的剖面圖。圖7C係顯示依本發明之比較例1之基板之處理後之狀態的剖面圖。由於在實施例1、2中，鉛直方向流速V1和水平方向流速V2相比較快，與比較例1不同，因此和比較例1相比，從磷酸水溶液沉澱的沉澱物28較少，因沉澱物28而造成的圖案27之封閉較少。
以上，雖說明了依本發明之基板處理裝置及基板處理方法的實施態樣，但本發明並不限定於上述實施態樣等。在申請專利範圍所記載的範疇內，可進行各種變更、修正、替換、附加、刪除及組合。而它們當然亦屬於本發明的技術範圍。
例如圖1等所示之第一噴嘴521，係往鉛直下方噴吐處理液3，但亦可往傾斜方向噴吐處理液3。若使處理液3之噴吐方向的水平方向成分，朝向基板2的旋轉方向，則可降低在基板2上之處理液3的水平方向流速V2（特別是周向流速V2A）。
上述實施態樣的處理液3為磷酸水溶液，第一成分為矽，第二成分為磷酸，第三成分為水，但本發明的技術亦可應用於磷酸水溶液以外的處理液。處理液3只要係能蝕刻基板2者即可，例如亦可為氨水。又，亦可使用有機溶劑來代替水。
上述實施態樣的基板2包含矽晶圓21、氧化矽膜22及氮化矽膜23，但基板2的構成並無特別限定。例如，基板2亦可包含碳化矽基板、氧化鎵基板、氮化鎵基板、藍寶石基板或是玻璃基板等，來代替矽晶圓21。
1:基板處理裝置 2:基板 3:處理液 5:液體處理部 6:液體製作部 9:控制部 21:矽晶圓 22:氧化矽膜 23:氮化矽膜 24:積層膜 25:開口部 26:表面 27:圖案 28:沉澱物 51:基板固持部 52:液體供給部 53:驅動部 54:回收部 61:供給槽 62:第一供給器 63:循環路徑 64:送液路徑 65:泵浦 66:過濾器 67:加熱器 68:第一濃度計 69:第二濃度計 71:第二供給器 72:回收槽 73:回流路徑 74:開閉閥 75:泵浦 76:排出路徑 77:開閉閥 78:排出源 91:CPU 92:記錄媒體 93:輸入介面 94:輸出介面 521:第一噴嘴 521a:噴吐口 522:送液路徑 523:第一開閉閥 524:流量計 525:流量控制器 526:第二開閉閥 527:第二噴嘴 528:第三噴嘴 541:杯體 542:圓筒部 543:底蓋部 544:傾斜部 545:排液管 546:排氣管 621:供給源 622:配管 623:流量計 624:流量控制器 625:開閉閥 711:供給源 712:配管 713:流量計 714:流量控制器 715:開閉閥 721:液面計 A:區域 C10:設定值 C1:量測值 S101~S109,S201~S204:步驟 T:膜厚 V1:鉛直方向流速 V2:水平方向流速 V2A:周向流速 V2B:徑向流速 W:寬度
圖1係顯示依本發明之一實施態樣之基板處理裝置的圖式。 圖2A係顯示緊接於依本發明之一實施態樣之基板之處理開始前之狀態的剖面圖。 圖2B係顯示緊接於依本發明之一實施態樣之基板之處理完成前之狀態的剖面圖。 圖3係從下方觀察依本發明之一實施態樣之噴嘴的圖式。 圖4係從下方觀察依本發明之變形例之噴嘴的圖式。 圖5係顯示依本發明之一實施態樣之基板之處理方法的流程圖。 圖6係顯示依本發明之一實施態樣之溶出成分之濃度調整的流程圖。 圖7A係顯示依本發明之實施例1之基板之處理後之狀態的剖面圖。 圖7B係顯示依本發明之實施例2之基板之處理後之狀態的剖面圖。 圖7C係顯示依本發明之比較例1之基板之處理後之狀態的剖面圖。
1:基板處理裝置
2:基板
3:處理液
5:液體處理部
6:液體製作部
9:控制部
51:基板固持部
52:液體供給部
53:驅動部
54:回收部
61:供給槽
62:第一供給器
63:循環路徑
64:送液路徑
65:泵浦
66:過濾器
67:加熱器
68:第一濃度計
69:第二濃度計
71:第二供給器
72:回收槽
73:回流路徑
74:開閉閥
75:泵浦
76:排出路徑
77:開閉閥
78:排出源
91:CPU
92:記錄媒體
93:輸入介面
94:輸出介面
521:第一噴嘴
522:送液路徑
523:第一開閉閥
524:流量計
525:流量控制器
526:第二開閉閥
527:第二噴嘴
528:第三噴嘴
541:杯體
542:圓筒部
543:底蓋部
544:傾斜部
545:排液管
546:排氣管
621:供給源
622:配管
623:流量計
624:流量控制器
625:開閉閥
711:供給源
712:配管
713:流量計
714:流量控制器
715:開閉閥
721:液面計

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，包含： 液體處理部，其包含：基板固持部，水平地固持基板；及液體供給部，從上方對處於被該基板固持部固持之狀態的該基板，供給處理液； 液體製作部，製作在該液體處理部所使用的處理液；及 控制部，控制該液體供給部及該液體製作部； 該控制部係控制該液體供給部，而將該處理液的供給速度設成：使從該液體供給部往該基板的該處理液之鉛直方向流速，快於沿著該基板之頂面流動的該處理液之水平方向流速。
  2. 如請求項1所述之基板處理裝置，其中， 該液體處理部更包含驅動部，其進行該基板固持部的旋轉及移動、以及該液體供給部之噴嘴的旋轉及移動中的至少一個動作，而使得該基板之頂面上的該處理液的供給點會隨時間位移； 該控制部係控制該液體供給部與該驅動部，而將該處理液的供給速度與該動作的速度設成：使從該液體供給部往該基板的該處理液之鉛直方向流速，快於沿著該基板之頂面流動的該處理液之水平方向流速。
  3. 如請求項1或2所述之基板處理裝置，其中， 該液體製作部包含： 供給槽，用於儲存該處理液； 供給器，對該供給槽供給該處理液； 循環路徑，使從該供給槽取出的該處理液回到該供給槽；及 送液路徑，將該處理液從該循環路徑的中段輸送至該液體處理部的該液體供給部。
  4. 如請求項3所述之基板處理裝置，其中， 該液體處理部更包含： 回收部，將供給至該基板的該處理液加以回收； 該液體製作部更包含： 回收槽，將從該回收部送來的該處理液加以儲存； 回流路徑，使儲存於該回收槽的該處理液回到該供給槽；及 排出路徑，將儲存於該回收槽的該處理液，排出至基板處理裝置的外部。
  5. 如請求項4所述之基板處理裝置，其中， 該液體製作部係在該循環路徑中包含濃度計，其量測從該基板溶出至該處理液的溶出成分之濃度； 該控制部係控制該液體製作部，在該溶出成分之濃度的量測值超過設定值時，將儲存於該回收槽的該處理液排出至基板處理裝置的外部。
  6. 如請求項5所述之基板處理裝置，其中， 該控制部係控制該液體製作部，在該溶出成分的濃度之量測值超過該設定值時，將該溶出成分之濃度低於該設定值的該處理液，從該供給器供給至該供給槽。
  7. 如請求項1或2所述之基板處理裝置，其中， 該液體供給部具有噴淋頭噴嘴，其將該處理液的噴吐口二維地分散配置。
  8. 如請求項1或2所述之基板處理裝置，其中， 該液體供給部具有棒狀噴嘴，其該處理液的噴吐口呈一列或複數列地並排配置。
  9. 如請求項1或2所述之基板處理裝置，其中， 該液體處理部為複數個； 該液體製作部係對複數該液體處理部各自的該液體供給部，供給該處理液。
  10. 一種基板處理方法，包含以下步驟： 水平地固持基板；及 從上方對水平的該基板供給處理液，並處理該基板； 以下述這樣的該處理液之供給速度，供給該處理液，並處理該基板：使從該基板之上方往該基板的該處理液之鉛直方向流速，快於沿著該基板之頂面流動的該處理液之水平方向流速。
  11. 如請求項10所述之基板處理方法，更包含以下步驟： 進行該基板的旋轉及移動、以及對該基板噴吐該處理液之噴嘴的旋轉及移動中的至少一個動作，而使得該基板之頂面上的該處理液之供給點會隨時間位移； 以使該鉛直方向流速快於該水平方向流速這樣的該處理液之供給速度與該動作的速度，處理該基板。
  12. 如請求項10或11所述之基板處理方法，更包含以下步驟： 從供給槽往對該基板噴吐該處理液之噴嘴，輸送該處理液； 在使從該噴嘴噴吐之該處理液回到該供給槽前，將該處理液儲存於回收槽； 在從該供給槽到該噴嘴的該處理液之流道的中段，量測從該基板溶出至該處理液的溶出成分之濃度；及 在該溶出成分之濃度的量測值超過設定值時，將儲存於該回收槽的該處理液排出至外部。
  13. 如請求項12所述之基板處理方法，更包含以下步驟： 在該溶出成分之濃度的量測值超過該設定值時，將該溶出成分之濃度低於該設定值的該處理液，供給至該供給槽。
  14. 如請求項10或11所述之基板處理方法，其中， 該基板包含積層膜，其交替地包含氧化矽膜與氮化矽膜； 該積層膜具有在厚度方向上貫通該積層膜的開口部； 該處理液係從該氧化矽膜與該氮化矽膜中選擇性地蝕刻該氮化矽膜。
TW109123999A 2019-07-25 2020-07-16 基板處理裝置及基板處理方法 TW202109656A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019137214 2019-07-25
JP2019-137214 2019-07-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202109656A true TW202109656A (zh) 2021-03-01

Family

ID=74193455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109123999A TW202109656A (zh) 2019-07-25 2020-07-16 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7267426B2 (zh)
KR (1) KR20220038350A (zh)
CN (1) CN114127908A (zh)
TW (1) TW202109656A (zh)
WO (1) WO2021015045A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6320869B2 (ja) 2014-07-29 2018-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6370233B2 (ja) 2015-01-30 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6301281B2 (ja) * 2015-04-30 2018-03-28 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220038350A (ko) 2022-03-28
WO2021015045A1 (ja) 2021-01-28
JPWO2021015045A1 (zh) 2021-01-28
JP7267426B2 (ja) 2023-05-01
CN114127908A (zh) 2022-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4108941B2 (ja) 基板の把持装置、処理装置、及び把持方法
KR101157847B1 (ko) 기판 처리시에 메니스커스를 사용하는 장치 및 방법
TWI517232B (zh) 基板處理用之藥液生成方法，基板處理用之藥液生成單元及基板處理系統
KR100706666B1 (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법, 그리고 이에 사용되는분사헤드
CN109037111B (zh) 基板处理装置
US10500617B2 (en) Substrate liquid treatment apparatus, tank cleaning method and non-transitory storage medium
KR101580369B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20050009340A1 (en) Method and apparatus for forming capping film
CN108604548B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
TWI774317B (zh) 藥液生成方法、藥液生成裝置及基板處理裝置
TW201833995A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
WO2019097901A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2002097582A (ja) 不要電気めっき堆積物の除去方法及び装置
KR102525270B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20200312682A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2010129809A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2022136151A (ja) 基板処理装置
KR102126116B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US10458010B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
TW202109656A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP7250566B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW201728374A (zh) 用於化學處理半導體基材的裝置和方法
TWI813961B (zh) 處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統
KR102548294B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 액 처리 방법
US20220359233A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method