JP2007207786A - 基板処理方法及び基板処理システム - Google Patents
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Abstract
【課題】循環する高温の処理液へ補充液を効率よく混入して処理液の濃度及び温度分布を均一に保持することができる構造が簡単な基板処理方法及び基板処理システムを提供すること。
【解決手段】処理液及びウェーハWを収容し上部開口縁に溢流堰3bが形成された内槽3と内槽の溢流堰から溢れる処理液を収容する外槽4とを有する処理槽2と、内槽と外槽とを接続して処理液の循環を行なう処理液循環路L1と、処理槽から蒸発した処理液と実質的に同一量の補充液を補充する補充液供給手段と、を備えた基板処理システム1であって、補充液供給手段は、複数個の供給ノズル14と、供給ノズルへ前記補充液を供給する補充液供給源に接続された補給路L2を有し、複数個の供給ノズルは、そのノズル穴14'が溢流堰近傍の内槽に貯留される処理液内の液面に対して浅い位置に溢流堰に向けられて設けられている。
【選択図】図1
【解決手段】処理液及びウェーハWを収容し上部開口縁に溢流堰3bが形成された内槽3と内槽の溢流堰から溢れる処理液を収容する外槽4とを有する処理槽2と、内槽と外槽とを接続して処理液の循環を行なう処理液循環路L1と、処理槽から蒸発した処理液と実質的に同一量の補充液を補充する補充液供給手段と、を備えた基板処理システム1であって、補充液供給手段は、複数個の供給ノズル14と、供給ノズルへ前記補充液を供給する補充液供給源に接続された補給路L2を有し、複数個の供給ノズルは、そのノズル穴14'が溢流堰近傍の内槽に貯留される処理液内の液面に対して浅い位置に溢流堰に向けられて設けられている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体ウェーハや液晶表示パネル等の各種基板の処理を行なう基板処理方法及び基板処理システムに係り、特に、処理液を高温に加熱し、この高温の処理液を循環させて各種基板を処理する基板処理方法及び基板処理システムに関するものである。
近年、半導体製造工程においては、半導体素子の高性能化、高集積化に伴いウェーハ表面のシリコン酸化膜(SiO2膜)−シリコン窒化膜(Si4N3膜)に対して精緻なエッチング処理が要求されている。このエッチング処理は、特にゲート絶縁膜の均一な薄膜化が重要課題となっており、基板上に形成されたSiO2膜−Si4N3膜のうちSi4N3膜をエッチングした後に基板表面に均一なSiO2膜を残さなければならい。
この処理のエッチング液には、通常、高温度に加熱した燐酸(H3PO4)溶液が使用されるが、基板処理中に燐酸溶液の温度及び濃度が変動すると、エッチングレートが変化して均一な処理ができなくなるので、燐酸溶液の温度及び濃度を所定の範囲にコントロールする必要がある。しかしながら、燐酸溶液は、通常、150℃〜180℃程度の高温に加熱されているため、燐酸溶液に混入している水分が蒸発し易く、この水分が蒸発してしまうと燐酸溶液の濃度が上昇してエッチングレートが変化し均一な処理ができなくなる。
そこで、この蒸発した水分を補充する必要があることから、その補充は、主に以下の方法・装置によって行われている(例えば、下記特許文献1〜4参照)。
この処理のエッチング液には、通常、高温度に加熱した燐酸(H3PO4)溶液が使用されるが、基板処理中に燐酸溶液の温度及び濃度が変動すると、エッチングレートが変化して均一な処理ができなくなるので、燐酸溶液の温度及び濃度を所定の範囲にコントロールする必要がある。しかしながら、燐酸溶液は、通常、150℃〜180℃程度の高温に加熱されているため、燐酸溶液に混入している水分が蒸発し易く、この水分が蒸発してしまうと燐酸溶液の濃度が上昇してエッチングレートが変化し均一な処理ができなくなる。
そこで、この蒸発した水分を補充する必要があることから、その補充は、主に以下の方法・装置によって行われている(例えば、下記特許文献1〜4参照)。
下記特許文献1に開示された液補充装置は、底部にヒータ及び中空平板状の補充液供給ノズルを配設した処理槽を備え、補充液供給ノズルから純水を補充供給する装置であり、また下記特許文献2には、循環路の管内に直接純水を補充する方法が開示されており、下記特許文献3には、オーバーフロー槽へ純水を補充するようにしたシステムが開示されている。さらに、処理槽或いは循環路へ直接純水を補充するのではなく、処理槽の上から純水を滴下する処理装置も下記特許文献4で知られている。
図4は下記特許文献4に開示された基板処理装置の部分断面図であって、この処理装置20は、高温に加熱された処理液を貯留し、上端に処理液の溢れ出る溢流部を有する内槽21と、この内槽21の溢流部21a'から溢れ出た処理液を受ける外槽22と、この外槽22で受けた処理液を内槽に循環させる処理液循環手段と、複数種の処理液のうち、処理液の温度以下の沸点を持つ液を補充液として内槽21の溢流部直上の溢流部近傍に供給する補充液供給手段としての純水注入ノズル23と、を備えた構成を有している。
この処理装置20による被処理基板、例えばウェーハWの処理は、先ず、内槽21に高温に加熱された処理液、例えば150℃〜180℃の燐酸溶液PAを貯留し、この貯留した燐酸溶液PAにウェーハWを浸漬してウェーハの表面処理を行なう。この表面処理は、燐酸溶液を外槽22から取り出して加熱手段により加熱して処理液循環手段を介して循環させ、再びウェーハWのエッチング処理に使用されるようになっている。
この処理工程においては、燐酸溶液PAは高温の150℃〜180℃の範囲に維持され易い。そこで、この処理装置20では水分の蒸発に伴う燐酸溶液の濃度の変化をオペレータが計測器等により測定し、その測定値から純水の単位時間当たりの蒸発量を求め、この蒸発量に基づいて定量ポンプの流量を設定することにより、純水槽から適当な量の純水PWを純水注入ノズル23に送給している。純水注入ノズル23に供給された純水は、この注入ノズルの純水吹出し口Haから排出され、その直下の溢流部21a'近傍の燐酸溶液PAの表面に至り、燐酸溶液PAに混ざり合いながら外槽22の樋部を通って外槽22の貯留部に流れ込むようになっている。
しかしながら、上記特許文献1に開示された液補充装置では、処理槽の底部へ直接純水が供給されるので、この補充される純水に気体が混入されていると、この気体及び純水が高温の燐酸溶液と反応して激しい沸騰(突沸)状態、いわゆる水蒸気爆発に似た現象を起こし液面方向へ急速に上昇するため、処理液に浸漬されているウェーハが上方へ押し上げられる。そのとき、ウェーハ同士が接触して破損したり或いはウェーハの上部が処理液上に突出して処理液による処理が行えなかったり、さらにチッピング及びウェーハの振動によるキズが発生したりする恐れがある。また、上記特許文献2に開示された処理方法のように配管内へ直接供給すると、上記特許文献1のものと同様に管内で水蒸気爆発を起し管体が破壊する恐れがあるので、管体を頑丈にする必要がある。さらに、上記特許文献3に記載された処理システムは、処理槽の外槽へ補充しているので、上記のようなウェーハの移動がなくウェーハに悪影響を及ぼすことがないものの純水が処理液に効率よく混入されないので後述する上記特許文献4のものと同じ課題を有している。また、上記特許文献4に開示された基板処理装置は、処理槽の上方から補充液の純水を雫状に滴下しているので、補充された純水は高温の処理液に効率よく十分に混入されない。処理液への純水の混入が不十分であると、純水が高温処理液の表面に溜まってこの表面から蒸発し易い状態となって蒸発してしまい補充した純水によって処理液の液濃度及び温度を基準範囲にコントロールすることができなくなり、結果として被処理基板を均一に処理することができなくなる恐れがある。このため、上記特許文献4の基板処理装置においては、外槽を一部大きくすれば拡散を利用して補充液の混合を促進することができるが、そのためには大きな外槽が必要であったり、より多量の処理液が必要であったりする。
本発明は、このような従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、循環する高温の処理液へ補充液を効率よく混入して処理液の濃度及び温度分布を均一に保持することができる基板処理方法及び基板処理システムを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、循環する高温の処理液へ補充液を効率よく混入して処理液の濃度及び温度分布を均一に保持することができる構造が簡単な基板処理方法及び基板処理システムを提供することにある。
上記の目的は、以下の構成により達成される。すなわち、請求項1に記載の基板処理方法の発明は、内部に被処理基板が収容される上部開口縁に溢流堰が形成された処理槽に数種の処理液を混入し、該処理液の少なくとも一種を沸点以上に加熱し、前記処理槽の溢流堰から溢流した処理液を圧送循環経路を介して前記処理槽へ再度供給することにより循環させて前記被処理基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理槽から蒸発した処理液量と実質的に同一量の補充液を、前記処理槽の上部溢流堰近傍でかつ前記処理液に貯留された処理液内の液面に対して浅い位置に注入して前記処理液に混入させるとともに前記溢流堰から溢流させて循環させることを特徴とする。
前記処理槽から蒸発した処理液量と実質的に同一量の補充液を、前記処理槽の上部溢流堰近傍でかつ前記処理液に貯留された処理液内の液面に対して浅い位置に注入して前記処理液に混入させるとともに前記溢流堰から溢流させて循環させることを特徴とする。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理方法において、前記数種の処理液のうちの一種が密度の高い液体であり、前記補充液が密度の低い液体であることを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理方法において、前記数種の処理液のうちの一種が燐酸であり、前記補充液が純水であることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の基板処理方法において、前記処理液は150℃〜180℃に加熱されていることを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、請求項1または2に記載の基板処理方法において、前記処理液は前記処理槽の底部に配設された分散板を通して前記処理槽内に供給されることを特徴とする。
請求項6に記載の基板処理システムの発明は、処理液及び被処理基板を収容し上部開口縁に溢流堰が形成された内槽と該内槽の溢流堰から溢れる処理液を収容する外槽とを有する処理槽と、前記内槽と外槽とを接続して前記処理液の循環を行なう処理液循環路と、前記処理槽から蒸発した処理液と実質的に同一量の補充液を補充する補充液供給手段と、を備えた基板処理システムであって、
前記補充液供給手段は、複数個の供給ノズルと、該供給ノズルへ前記補充液を供給する補充液供給源に接続された補給路を有し、前記複数個の供給ノズルは、そのノズル穴が前記溢流堰近傍の前記内槽に貯留される処理液内の液面に対して浅い位置に前記溢流堰に向けられて設けられていることを特徴とする。
前記補充液供給手段は、複数個の供給ノズルと、該供給ノズルへ前記補充液を供給する補充液供給源に接続された補給路を有し、前記複数個の供給ノズルは、そのノズル穴が前記溢流堰近傍の前記内槽に貯留される処理液内の液面に対して浅い位置に前記溢流堰に向けられて設けられていることを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の基板処理システムにおいて、前記内槽の溢流堰は、前記内槽の上端に少なくとも1個の放流穴で形成され、この放流穴に前記供給ノズルのノズル穴が対向していることを特徴とする。
請求項8に記載の発明は、請求項6に記載の基板処理システムにおいて、前記内槽の底部内に分散板を配設し、前記処理液を前記分散板を通して前記内槽に供給することを特徴とする。
請求項9に記載の発明は、請求項6〜8のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、前記処理液は燐酸に純水が混入された燐酸溶液であって、該処理液は150℃〜180℃に加熱されていることを特徴とする。
本発明は、上記構成を備えることにより、以下に示す優れた効果を奏する。すなわち、
請求項1の発明によれば、補充液(純水)は、処理槽の上部溢流堰近傍にあって貯留された処理液の液面に対して浅い位置へ注入することにより、補充液(純水)が高温に加熱された処理液に注入されて液面で激しい沸騰状態、いわゆる突沸現象が発生しても、この突沸現象は液面で起こりこの突沸による衝撃が処理中の被処理基板へ波及して基板を移動等させることにより損傷する恐れがない。また、この補充液(純水)は、液面で突沸現象を発生させても直ちに溢流堰から溢流されるので、この突沸現象及び溢流堰からの溢流の過程で補充液が処理液に効率よくほぼ均一に混入され、処理液の濃度及び温度の変動が少なくなり高品質の処理が可能になる。
請求項1の発明によれば、補充液(純水)は、処理槽の上部溢流堰近傍にあって貯留された処理液の液面に対して浅い位置へ注入することにより、補充液(純水)が高温に加熱された処理液に注入されて液面で激しい沸騰状態、いわゆる突沸現象が発生しても、この突沸現象は液面で起こりこの突沸による衝撃が処理中の被処理基板へ波及して基板を移動等させることにより損傷する恐れがない。また、この補充液(純水)は、液面で突沸現象を発生させても直ちに溢流堰から溢流されるので、この突沸現象及び溢流堰からの溢流の過程で補充液が処理液に効率よくほぼ均一に混入され、処理液の濃度及び温度の変動が少なくなり高品質の処理が可能になる。
請求項2の発明によれば、高い密度の液体と低い密度の液体との混合は容易ではないが、本発明によれば、補充液は処理液中に混合されるので、溢流時には既に処理液の中にあり、落下中及び外槽液面に達した時の衝撃によって混合が促進される。このため、密度が異なる液体の混合が容易に行える。
請求項3、4の発明によれば、150℃〜180℃に加熱された燐酸溶液を使用することにより、被処理基板の極薄の皮膜に対する精密エッチング性を向上し、歩留まりおよび生産性を向上できる。
請求項5の発明によれば、処理槽の底部に分散板を設けることにより、処理槽の底部からの処理液を処理槽内へ均一に分散させて被処理基板に供給することができるので、エッチングのムラを防ぎ、均一な基板処理を行なうことができる。
請求項6の発明によれば、簡単な構造で請求項1の効果を奏する基板処理システムを作製できる。
請求項7の発明によれば、前記内槽の上端に少なくとも1個の放流穴が形成されるので、この放流穴から突沸現象を起こした処理液がスムーズに放流されて、突沸現象に伴う衝撃が処理中の被処理基板へ波及することがなくなる。
請求項8の発明によれば、内槽の底部に分散板を設けることにより、この内槽の底部から供給される処理液を処理槽内へ均一に分散させて被処理基板に供給することができるので、均一な基板処理を行なうことができる。
請求項9の発明によれば、150℃〜180℃に加熱された燐酸溶液を使用することにより、被処理基板の極薄の皮膜に対する精密エッチング性を向上し、歩留まりおよび生産性を向上できる。
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための基板処理方法及び基板処理システムを例示するものであって、本発明をこの基板処理方法及び基板処理システムに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
図1は本発明の実施例に係る基板処理システムを示す概略説明図、図2は処理槽を示し、図2(a)は縦断面図、図2(b)は平面図、図3は供給ノズルが設けられた部分を示し、図3(a)は拡大正面図、図3(b)は斜視図である。
この基板処理システム1は、図1に示すように、高温度の処理液、例えば150℃〜180℃程度の燐酸溶液PAが貯留される内槽3及びこの内槽3から溢れる処理液を収容する外槽4からなる処理槽2と、外槽4へ収容された処理液をろ過及び加熱して再び内槽3へ戻す循環路L1と、この循環路L1とは別系統で、処理槽2へ補充液、例えば純水PWを補充する補給路L2とを備えている。
この基板処理システム1は、図1に示すように、高温度の処理液、例えば150℃〜180℃程度の燐酸溶液PAが貯留される内槽3及びこの内槽3から溢れる処理液を収容する外槽4からなる処理槽2と、外槽4へ収容された処理液をろ過及び加熱して再び内槽3へ戻す循環路L1と、この循環路L1とは別系統で、処理槽2へ補充液、例えば純水PWを補充する補給路L2とを備えている。
処理槽2は、所定量の処理液及び複数枚の被処理基板、例えばウェーハWが収容される大きさの有底容器で形成され、この容器には、外周囲、例えば底部に処理槽2内の処理液を加熱するヒータ12が設けられている。なお、処理槽2は図示しない専用のクリーンブース内へ収容されてエアーコントロールされている。また、循環路L1には、外槽4から取り出した燐酸溶液PAに所定の圧力をかけて圧送するポンプ5と、燐酸溶液PA中に混入した不純物等を除去するフィルタ6と、フィルタ6でろ過された処理液を所定温度に加熱するヒータ7とが設けられ、これらが配管で接続されるとともに、配管の一端部は内槽3の底部に設けられた供給管3aへ連結されており、外槽4から取り出した燐酸溶液PAは所定温度より低下しないように加熱したのちに再び内槽3の底部から循環供給されるようになっている。また、補給路L2は、一端が純水供給源に接続されるとともに途中にポンプ10、流量計8及びヒータ9等が連結されて他端が内槽3内に挿入される供給ノズル14に接続された流路からなり、純水供給源から所定量の純水PWが供給されるようになっている。また、この基板処理システム1にはさらに温度制御手段13が設けられており、この温度制御手段13には、処理槽2に付設した温度センサ13aの検知出力に基づいて各ヒータ7、9、12を制御するようになっている。
処理槽2は、図2に示すように、上部が開口し有底で所定量の処理液及び複数枚のウェーハWを収容できる大きさの箱型の内槽3と、この内槽3の外周囲に設けられて内槽3から溢れた処理液を収容する外槽4とからなり、外槽4の上方開口部が内槽3の上方開口部より上位に位置するように外槽4の側壁が内槽3の上方開口部より上方へ延出されている。内槽3及び外槽4は、いずれも耐高熱性及び耐薬品性の材料、例えば石英或いは合成樹脂材等で形成されている。
内槽3は、底部に供給管3aが挿入され、この供給管3aは循環路L1の配管に接続されている。さらに、内槽3の底面には排出口が形成されている。また、この内槽3の上部開口部の外周囲は、処理液がオーバーフローする溢流堰3bとなっている。この溢流堰3bは、処理液がスムーズにオーバーフローできるように複数の切欠き溝、例えばV字状溝30(図3(b)参照)が形成されている。また、外周囲の一辺には、V字状溝30より大きい放流用の溝、例えば凹状溝(放流穴)31が形成されている。この凹状溝31には、後述する供給ノズル14の先端が対向配置され、この放流穴31から比較的大量の処理液が滝状に落下するようになっている。また、この内槽3の底部には、供給管3aから供給される処理液を内槽内へほぼ均等に分散させる分散板15が配設されている。この分散板15は、例えば、複数個の小穴が形成された板状体で形成されている。さらに、内槽3の外周囲にはヒータ12(図1参照)が付設され、処理槽1内の処理液温度が所定温度に維持されるように温度コントロールされる。外槽4には、その底部に排出口4aが形成され、この排出口4aは循環路L1の配管に接続されている。
供給ノズル14は、図2及び図3に示すように、1乃至複数個、例えば2個のノズル141、142を有しており、これらのノズル141、142は回動可能な補給管14aに連結されている。ウェーハW処理時には、この補給管14aは、各ノズル141、142のそれぞれのノズル穴14'、14'(図3参照)が溢流堰3bの放流穴31に対向するように位置決めされている。また、ウェーハW投入回収時にはウェーハWの移動の妨げにならないように内槽3の上部とは別の位置にて待機する。このように供給ノズル14を内槽3に取付けると、内槽3に処理液を一杯に貯留すると、各ノズル141、142のそれぞれのノズル穴14'、14'は、内槽3内の液面から下へ潜入される。この状態で、処理液の循環供給を継続すると、処理液は内槽3の溢流堰3bからオーバーフローし、この状態で各ノズル穴14'、14'から補充液を注入すると、注入された補充液はオーバーフローする処理液とともに溢流堰3bの放流穴31から外槽4へ放出される。このとき、補充液が処理液に混入されて外槽4へ滝状に落下し、この落下時にも、補充液が処理液に混入される。
次に、この基板処理システム1を使用した処理液の循環方法を説明する。
先ず、処理液供給源(図示省略)からヒータ7により高温150℃〜180℃に加熱された燐酸溶液PAを処理槽2の内槽3へオーバーフローするように供給する。そして、被処理基板のウェーハWをこの内槽3へ搬送し、貯留された燐酸溶液PA内へ浸漬してエッチング処理をする。このエッチング処理と同時に、内槽3からオーバーフローし外槽4へ収容された燐酸溶液PAをポンプ5により加圧してフィルタ6で不純物等を除去し、ヒータ7により150℃〜180℃に維持するように加熱して、再び内槽底部の供給管3aへ帰還させて処理液を循環させエッチング処理を行う。
先ず、処理液供給源(図示省略)からヒータ7により高温150℃〜180℃に加熱された燐酸溶液PAを処理槽2の内槽3へオーバーフローするように供給する。そして、被処理基板のウェーハWをこの内槽3へ搬送し、貯留された燐酸溶液PA内へ浸漬してエッチング処理をする。このエッチング処理と同時に、内槽3からオーバーフローし外槽4へ収容された燐酸溶液PAをポンプ5により加圧してフィルタ6で不純物等を除去し、ヒータ7により150℃〜180℃に維持するように加熱して、再び内槽底部の供給管3aへ帰還させて処理液を循環させエッチング処理を行う。
燐酸溶液PAは、高温を維持した状態で処理されるために処理中にその内部に含まれる水分が蒸発する。そこで、水分の蒸発に伴って燐酸溶液PA濃度が変化するので、この変化をオペレータが計測器等により測定し、所定のPA濃度より下回ったらその測定値から純水PWの補充量を求め、これに基づいて定量ポンプ10による補充量を設定して純水供給源から純水PWを供給ノズル14に給送する。供給ノズル14から高温の燐酸溶液PAへ純水PWが注入されると、液面で激しい沸騰、いわゆる突沸現象を起こすが、各ノズル141、142のそれぞれのノズル穴14'、14'を内槽3内の液面に対して浅い位置に配置しているので、この突沸による影響が処理中のウェーハWへ波及してウェーハを移動等させることがない。
しかも、各ノズル穴14'、14'が溢流堰3bの放流穴31に近接し対向しているので、突沸現象を起こした処理液、すなわち、燐酸溶液と補充された純水との混合液が溢流堰3bの放流穴31から放出されて外槽4へ滝状に落下する。このとき、補充液が処理液に混入されて外槽4へ滝状に落下し、この落下時にも、補充液が処理液に混入される。そして外槽4の液面に達すると、さらに良く混合される。
密度が異なる液体の混合は時間を要するが、この方法であると密度が高い処理液中に密度が低い補充液を混入されたうえで、落下させ外槽4の液面に衝突させるのでより混合が早く行われる。従来のように処理液面に補充液を供給するのみではこれほどの効果は得られないし、密度の低い補充液は液面付近に残る傾向にある。また、補充液の沸点より高い温度の処理液に補充液を混合させるので、突沸現象が起こり内槽3から外槽4に向かって液が飛び出すこともあるが、この効果もさらに混合を促進することになる。
したがって、燐酸溶液PAが内槽3から外槽4に溢流する際に燐酸溶液PAと純水PWが撹拌されるため純水PWが処理液中へ十分に拡散し、それにより純水PWが燐酸溶液PA表面に留まって燐酸溶液PA表面から直接空気中に蒸発することがないので燐酸溶液PAの温度低下が少なくなり、高い品質のエッチング処理ができる。
1 基板処理システム
2 処理槽
3 内槽
3b 溢流堰
30 切欠き溝(V字状溝)
31 凹状溝(放流穴)
4 外槽
5 ポンプ
7 ヒータ
8 流量計
9 ヒータ
10 ポンプ
12 ヒータ
13 温度制御手段
14 供給ノズル
14' ノズル穴
2 処理槽
3 内槽
3b 溢流堰
30 切欠き溝(V字状溝)
31 凹状溝(放流穴)
4 外槽
5 ポンプ
7 ヒータ
8 流量計
9 ヒータ
10 ポンプ
12 ヒータ
13 温度制御手段
14 供給ノズル
14' ノズル穴
Claims (9)
- 内部に被処理基板が収容される上部開口縁に溢流堰が形成された処理槽に数種の処理液を混入し、該処理液の少なくとも一種を沸点以上に加熱し、前記処理槽の溢流堰から溢流した処理液を圧送循環経路を介して前記処理槽へ再度供給することにより循環させて前記被処理基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理槽から蒸発した処理液量と実質的に同一量の補充液を、前記処理槽の上部溢流堰近傍でかつ前記処理液に貯留された処理液内の液面に対して浅い位置に注入して前記処理液に混入させるとともに前記溢流堰から溢流させて循環させることを特徴とする基板処理方法。 - 前記数種の処理液のうちの一種が密度の高い液体であり、前記補充液が密度の低い液体であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記数種の処理液のうちの一種が燐酸であり、前記補充液が純水であることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記処理液は150℃〜180℃に加熱されていることを特徴とする請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記処理液は前記処理槽の底部に配設された分散板を通して前記処理槽内に供給されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 処理液及び被処理基板を収容し上部開口縁に溢流堰が形成された内槽と該内槽の溢流堰から溢れる処理液を収容する外槽とを有する処理槽と、前記内槽と外槽とを接続して前記処理液の循環を行なう処理液循環路と、前記処理槽から蒸発した処理液と実質的に同一量の補充液を補充する補充液供給手段と、を備えた基板処理システムであって、
前記補充液供給手段は、複数個の供給ノズルと、該供給ノズルへ前記補充液を供給する補充液供給源に接続された補給路を有し、前記複数個の供給ノズルは、そのノズル穴が前記溢流堰近傍の前記内槽に貯留される処理液内の液面に対して浅い位置に前記溢流堰に向けられて設けられていることを特徴とする基板処理システム。 - 前記内槽の溢流堰は、前記内槽の上端に少なくとも1個の放流穴で形成され、この放流穴に前記供給ノズルのノズル穴が対向していることを特徴とする請求項6に記載の基板処理システム。
- 前記内槽の底部内に分散板を配設し、前記処理液を前記分散板を通して前記内槽に供給することを特徴とする請求項6に記載の基板処理システム。
- 前記処理液は燐酸に純水が混入された燐酸溶液であって、該処理液は150℃〜180℃に加熱されていることを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の基板処理システム。
Priority Applications (1)
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