JP7378578B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7378578B2
JP7378578B2 JP2022509519A JP2022509519A JP7378578B2 JP 7378578 B2 JP7378578 B2 JP 7378578B2 JP 2022509519 A JP2022509519 A JP 2022509519A JP 2022509519 A JP2022509519 A JP 2022509519A JP 7378578 B2 JP7378578 B2 JP 7378578B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circulation line
temperature
liquid
substrate processing
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022509519A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021192990A1 (ja
Inventor
辰也 永松
尊士 稲田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of JPWO2021192990A1 publication Critical patent/JPWO2021192990A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7378578B2 publication Critical patent/JP7378578B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/02—Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来、特許文献１には、基板処理槽に処理液を循環させ、基板処理槽に浸漬された基板に処理を行う基板処理装置が開示されている。
特開２０１８－１３３５５８号公報
本開示は、基板処理槽の温度均一性を向上させることができる技術を提供する。
実施形態の一態様に係る基板処理装置は、基板処理槽と、第１循環ラインと、第２循環ラインとを備える。基板処理槽では、基板が処理液に浸漬されることによって基板の処理が行われる。第１循環ラインは、基板処理槽に接続され、基板処理槽から排出された処理液を基板処理槽に流入させる。第２循環ラインは、第１循環ラインに接続され、基板処理槽から排出された処理液を第１循環ラインに合流させる。第１循環ラインは、処理液を圧送する第１送液部と、処理液を加熱する加熱部と、処理液中の異物を除去するフィルタとを備える。第２循環ラインは、処理液を圧送する第２送液部を備える。
実施形態の一態様によれば、基板処理槽の温度均一性を向上させることができる。
図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。 図２は、実施形態に係るエッチング用の処理槽の構成を示す概略ブロック図である。 図３は、実施形態に係る制御装置の一部を説明するブロック図である。 図４は、実施形態に係る流量調整処理におけるエッチング液の温度変化を示す図である。 図５は、実施形態に係る流量調整処理を説明するフローチャートである。 図６は、実施形態の変形例に係るエッチング用の処理槽の構成を示す概略ブロック図である。 図７は、実施形態の変形例に係るエッチング用の処理槽の構成を示す概略ブロック図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。
図１に示すように、実施形態に係る基板処理装置１は、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御装置１００とを有する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の概略平面図である。ここでは、水平方向に直交する方向を上下方向として説明する。
キャリア搬入出部２は、複数枚（例えば、２５枚）の基板（シリコンウエハ）８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入、および搬出を行う。
キャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ１０と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構１１と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック１２，１３と、キャリア９を載置するキャリア載置台１４とが設けられている。
キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ１０に搬入されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１２や、キャリア載置台１４に搬送する。すなわち、キャリア搬入出部２は、ロット処理部６で処理する前の複数枚の基板８を収容するキャリア９を、キャリアストック１２や、キャリア載置台１４に搬送する。
キャリアストック１２は、ロット処理部６で処理する前の複数枚の基板８を収容するキャリア９を、一時的に保管する。
キャリア載置台１４に搬送され、ロット処理部６で処理する前の複数枚の基板８を収容するキャリア９からは、後述する基板搬送機構１５によって複数枚の基板８が搬出される。
また、キャリア載置台１４に載置され、基板８を収容していないキャリア９には、基板搬送機構１５から、ロット処理部６で処理した後の複数枚の基板８が搬入される。
キャリア搬入出部２は、キャリア載置台１４に載置され、ロット処理部６で処理した後の複数枚の基板８を収容するキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１３や、キャリアステージ１０に搬送する。
キャリアステージ１０に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。
ロット形成部３には、複数枚（例えば、２５枚）の基板８を搬送する基板搬送機構１５が設けられている。ロット形成部３は、基板搬送機構１５による複数枚（例えば、２５枚）の基板８の搬送を２回行い、複数枚（例えば、５０枚）の基板８からなるロットを形成する。
ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間や、ロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。
ロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構１９が設けられている。ロット搬送機構１９は、ロット載置部４とロット処理部６とに沿わせて配置したレール２０と、基板保持体２２によってロットを保持しながらレール２０に沿って移動する移動体２１とを有する。
ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８で形成されたロットにエッチングや、洗浄や、乾燥などの処理を行う。
ロット処理部６には、２台のエッチング処理装置２３と、洗浄処理装置２４と、基板保持体洗浄処理装置２５と、乾燥処理装置２６とが並べて設けられている。エッチング処理装置２３は、ロットにエッチング処理を行う。洗浄処理装置２４は、ロットの洗浄処理を行う。基板保持体洗浄処理装置２５は、基板保持体２２の洗浄処理を行う。乾燥処理装置２６は、ロットの乾燥処理を行う。なお、エッチング処理装置２３の台数は、２台に限られることはなく、１台でもよく、３台以上であってもよい。
エッチング処理装置２３は、エッチング用の処理槽２７と、リンス用の処理槽２８と、基板昇降機構２９，３０とを有する。
エッチング用の処理槽２７には、エッチング用の処理液（以下、「エッチング液」という。）が貯留され、エッチング処理が行われる。リンス用の処理槽２８には、リンス用の処理液（純水等）が貯留され、リンス処理が行われる。なお、エッチング用の処理槽２７の詳細については後述する。
基板昇降機構２９,３０には、ロットを形成する複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。
洗浄処理装置２４は、洗浄用の処理槽３１と、リンス用の処理槽３２と、基板昇降機構３３,３４とを有する。
洗浄用の処理槽３１には、洗浄用の処理液（ＳＣ－１等）が貯留される。リンス用の処理槽３２には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。基板昇降機構３３,３４には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。
乾燥処理装置２６は、処理槽３５と、処理槽３５に対して昇降する基板昇降機構３６とを有する。
処理槽３５には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構３６には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。
乾燥処理装置２６は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３６で受取り、受取ったロットを基板昇降機構３６で降下させて処理槽３５に搬入し、処理槽３５に供給した乾燥用の処理ガスでロットの乾燥処理を行う。そして、乾燥処理装置２６は、基板昇降機構３６でロットを上昇させ、基板昇降機構３６からロット搬送機構１９の基板保持体２２に、乾燥処理を行ったロットを受け渡す。
基板保持体洗浄処理装置２５は、処理槽３７を有し、処理槽３７に洗浄用の処理液、および乾燥ガスを供給する。基板保持体洗浄処理装置２５は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体２２の洗浄処理を行う。
次に、エッチング用の処理槽２７について、図２を参照し説明する。図２は、実施形態に係るエッチング用の処理槽２７の構成を示す概略ブロック図である。図２に示す処理槽２７では、エッチング処理で用いるエッチング液（処理液）として、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）水溶液が用いられる。なお、ここで示すエッチング処理は、一例であり、エッチング液がリン酸水溶液に限定されるものではない。
エッチング用の処理槽２７は、内槽４３と、外槽４４とを有する。処理槽２７には、リン酸水溶液、および純水（ＤＩＷ）が各供給源（不図示）から供給され、エッチング液のリン酸濃度が調整される。
内槽４３は、上部が開放され、エッチング液が上部付近まで供給される。内槽４３では、基板昇降機構２９によってロット（複数枚の基板８）がエッチング液に浸漬され、基板８にエッチング処理が行われる。すなわち、処理槽２７（基板処理槽の一例）は、基板８が浸漬されることによって基板８の処理を行う。
内槽４３には、内槽４３内のエッチング液の温度を検出する温度センサ４８が設けられる。温度センサ４８（第２温度センサの一例）は、内槽４３（基板処理槽の一例）の上部に設けられ、内槽４３のエッチング液（処理液の一例）の温度を検出する。具体的には、温度センサ４８は、内槽４３の上部におけるエッチング液の温度を検出する。以下では、温度センサ４８によって検出されるエッチング液の温度を「槽内温度」と称する場合がある。
外槽４４は、内槽４３の上部周囲に設けられるとともに上部が開放される。外槽４４には、内槽４３からオーバーフローしたエッチング液が流入する。
外槽４４と内槽４３とは第１循環ライン５０によって接続される。第１循環ライン５０の一端は、外槽４４に接続され、第１循環ライン５０の他端は、内槽４３内に設置された処理液供給ノズル４６に接続される。
処理液供給ノズル４６は、内槽４３の下部に設けられ、内槽４３の下方側からエッチング液を吐出する。処理液供給ノズル４６は、複数設けられる。
第１循環ライン５０は、処理槽２７（基板処理槽の一例）にエッチング液（処理液の一例）を流入させる複数の分岐ライン５０ａを備える。分岐ライン５０ａは、処理液供給ノズル４６の数に合わせて設けられる。分岐ライン５０ａは、処理液供給ノズル４６に接続される。なお、図２においては、処理液供給ノズル４６、および分岐ライン５０ａを３つ記載しているが、これに限られることはない。
第１循環ライン５０は、処理槽２７（基板処理槽の一例）に接続され、処理槽２７から排出されたエッチング液（処理液の一例）を処理槽２７に流入させる。第１循環ライン５０には、外槽４４側から順に、ポンプ５１、ヒーター５２、フィルタ５３、接続部５４、ミキサー５５、および温度センサ５６が設けられる。すなわち、第１循環ライン５０には、第１循環ライン５０におけるエッチング液の流れ方向において、上流側から下流側にかけて、ポンプ５１、ヒーター５２、フィルタ５３、接続部５４、ミキサー５５、および温度センサ５６が設けられる。
ポンプ５１（第１送液部の一例）は、第１循環ライン５０においてエッチング液（処理液の一例）を圧送する。ポンプ５１を駆動させることにより、エッチング液は、外槽４４から第１循環ライン５０を経て内槽４３内に送られる。また、エッチング液は、内槽４３からオーバーフローすることで、再び外槽４４へと流出する。このようにして、エッチング液が循環する。なお、ポンプ５１によるエッチング液の圧送は、基板８のエッチング処理を行っている間行われる。
ヒーター５２（加熱部の一例）は、エッチング液（処理液の一例）を加熱する。具体的には、ヒーター５２は、内槽４３に供給されるエッチング液を、エッチング処理に適した温度に加熱する。ヒーター５２は、制御装置１００（図１参照）からの信号に基づいて出力、すなわちエッチング液の加熱量が制御される。ヒーター５２は、例えば、シーズヒーターである。
フィルタ５３は、エッチング液（処理液の一例）中の異物を除去する。接続部５４では、第２循環ライン６０が接続される。ミキサー５５（攪拌部の一例）は、接続部５４よりも下流側の第１循環ライン５０に設けられ、エッチング液（処理液の一例）を攪拌する。ミキサー５５は、第１循環ライン５０を流れるエッチング液を攪拌する。具体的には、ミキサー５５は、第１循環ライン５０を流れるエッチング液と、第２循環ライン６０から流入したエッチング液とを攪拌し、エッチング液の温度を均一にする。
温度センサ５６（第１温度センサの一例）は、接続部５４よりも下流側の第１循環ライン５０に設けられ、第１循環ライン５０を流れるエッチング液（処理液の一例）の温度を検出する。温度センサ５６は、第２循環ライン６０から合流したエッチング液が混入したエッチング液の温度を計測する。温度センサ５６は、内槽４３付近に設けられる。すなわち、温度センサ５６は、内槽４３に流入するエッチング液の温度を計測する。以下では、温度センサ５６によって検出されるエッチング液の温度を「流入温度」と称する場合がある。温度センサ５６は、ヒーター５２から吐出されるエッチング液の温度、すなわちヒーター５２の出口のエッチング液の温度を検出してもよい。
なお、第１循環ライン５０には、排出ライン（不図示）が接続される。排出ラインは、エッチング処理で使用されたエッチング液の全部、または一部を入れ替える際に用いられ、エッチング液を排出する。
第２循環ライン６０は、第１循環ライン５０に接続され、処理槽２７（基板処理槽の一例）から排出されたエッチング液を第１循環ライン５０に合流させる。第２循環ライン６０の一端は、外槽４４に接続され、第２循環ライン６０の他端は、第１循環ライン５０の接続部５４に接続される。すなわち、第２循環ライン６０は、第１循環ライン５０に設けられたポンプ５１、ヒーター５２、およびフィルタ５３をバイパスし、第１循環ライン５０に接続される。換言すると、第２循環ライン６０は、第１循環ライン５０におけるエッチング液（処理液の一例）の流れ方向において、ポンプ５１（第１送液部の一例）、およびヒーター５２（加熱部の一例）よりも下流側の接続部５４に接続される。
第２循環ライン６０は、エッチング液（処理液の一例）を圧送するポンプ６１を備える。第２循環ライン６０には、第１循環ライン５０に設けられたヒーター５２など設けられていない。そのため、第２循環ライン６０は、第１循環ライン５０よりも、エッチング液を圧送する際の圧力損失が小さい。
次に、実施形態に係る制御装置１００について説明する。制御装置１００は、基板処理装置１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６）の動作を制御する。制御装置１００は、スイッチなどからの信号に基づいて、基板処理装置１の各部の動作を制御する。
ここで、実施形態の制御装置１００においてエッチング処理を実行する機能の一部について図３を参照し説明する。図３は、実施形態に係る制御装置１００の一部を説明するブロック図である。
制御装置１００は、制御部１１０と、記憶部１２０とを備える。制御部１１０は、取得部１１１と、算出部１１２と、判定部１１３と、指示部１１４とを備える。
制御部１１０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、入出力ポートなどを有するコンピュータや各種の回路を含む。
コンピュータのＣＰＵは、例えば、ＲＯＭに記憶されたプログラムをＲＡＭに読み出して実行することによって、制御部１１０の取得部１１１と、算出部１１２、判定部１１３、指示部１１４として機能する。その際、ＲＡＭは、ＣＰＵのワークエリアとして用いられる。また、ＲＡＭは、エッチング処理によって得られたデータなどを一時的に記憶することができる。
また、制御部１１０の少なくともいずれか一部または全部をＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）やＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のハードウェアで構成することもできる。
また、記憶部１２０は、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体である。記憶部１２０には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。
制御装置１００は、記憶部１２０に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶部１２０に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御装置１００の記憶部１２０にインストールされたものであってもよい。
コンピュータによって読み取り可能な記憶部１２０としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
取得部１１１は、各温度センサ４８，５６から信号を取得する。算出部１１２は、第１温度差、および第２温度差を算出する。
第１温度差は、温度センサ５６によって検出された温度と、温度センサ４８によって検出された温度との差である。すなわち、第１温度差は、流入温度と、槽内温度との差である。
第２温度差は、流入温度と、内槽４３に流入するエッチング液の所望温度との差である。所望温度は、予め設定された温度であり、槽内温度の設定温度である。
判定部１１３は、第１温度差が予め設定された第１閾値よりも大きいか否かを判定する。判定部１１３は、第２温度差が予め設定された第２閾値よりも大きいか否かを判定する。第２閾値は、第１閾値よりも小さい。第１閾値は、例えば、３℃である。第２閾値は、例えば、２℃である。
判定部１１３は、基板８に対する処理が終了したか否かを判定する。例えば、判定部１１３は、基板８を内槽４３に浸漬させた後に、予め設定された処理時間が経過したか否かを判定する。判定部１１３は、基板８を内槽４３に浸漬させた後に、処理時間が経過した場合に、基板８に対する処理が終了したと判定する。
指示部１１４は、第１循環ライン５０に設けられたポンプ５１の流量を予め設定された一定流量とする指示信号を生成する。
指示部１１４は、第１温度差が第１閾値よりも大きい場合には、第２循環ライン６０に設けられたポンプ６１の流量を第１流量制御によって調整する指示信号を生成する。具体的には、指示部１１４は、第１温度差が第１閾値以下となるように、第１温度差に基づいてポンプ６１の流量を調整する指示信号を生成する。例えば、指示部１１４は、ポンプ６１を作動させて第２循環ライン６０からエッチング液を圧送する流量を増加させる指示信号を生成する。
指示部１１４は、第１温度差が第１閾値以下であり、かつ第２温度差が第２閾値よりも大きい場合には、第２循環ライン６０に設けられたポンプ６１の流量を第２流量制御によって調整する指示信号を生成する。具体的には、指示部１１４は、第２温度差が第２閾値以下となるように、第２温度差に基づいてポンプ６１の流量を調整する指示信号を生成する。例えば、指示部１１４は、ポンプ６１を作動させて、第１流量制御における流量よりも少ない流量を第２循環ライン６０から第１循環ライン５０に向けて圧送する指示信号を生成する。
指示部１１４は、第２温度差が第２閾値以下である場合には、第２循環ライン６０に設けられたポンプ６１の流量を安定制御によって調整する指示信号を生成する。具体的には、指示部１１４は、温度センサ５６によって検出された流入温度が所望温度となるように、流入温度に基づいて第２循環ライン６０に設けられたポンプ６１の流量を制御する指示信号を生成する。例えば、指示部１１４は、ポンプ６１の動作を停止させて、第２循環ライン６０からの圧送を停止させる指示信号を生成する。
指示部１１４は、生成した指示信号をポンプ５１，６１に出力する。これにより、第１循環ライン５０に設けられたポンプ５１は、一定流量によってエッチング液を圧送する。また、第２循環ライン６０に設けられたポンプ６１は、各制御によって設定された流量によってエッチング液を圧送する。
このように、制御装置１００は、ポンプ５１（第１送液部の一例）、およびポンプ６１（第２送液部の一例）を制御する。制御装置１００は、流入温度（温度センサ５６によって検出された温度の一例）に基づいて、ポンプ６１（第２送液部の一例）によって圧送されるエッチング液（処理液の一例）の流量を制御する。
エッチング処理では、第２循環ライン６０におけるエッチング液の流量が調整され、処理液供給ノズル４６から内槽４３に流入するエッチング液の流量が調整される。第１循環ライン５０を流れるエッチング液と、第２循環ライン６０を流れるエッチング液とは、接続部５４によって合流する。そのため、第２循環ライン６０におけるエッチング液の流量が調整されることによって、接続部５４よりも下流のエッチング液の温度が調整される。
ここで、実施形態に係る流量調整処理を実行した場合のエッチング液の温度変化について、図４を参照し説明する。図４は、実施形態に係る流量調整処理におけるエッチング液の温度変化を示す図である。図４では、槽内温度を実線で示す。また、図４では、流入温度を一点鎖線で示す。
時間ｔ０において、内槽４３に基板８が浸漬される。基板８の温度は、内槽４３のエッチング液の温度よりも低いため、基板８が浸漬されることによって、槽内温度が下がる。また、第１循環ライン５０を流れるエッチング液の温度も下がる。第１循環ライン５０にはヒーター５２が設けられ、エッチング液が加熱されるため、流入温度の温度低下は、槽内温度の温度低下よりも小さい。そのため、流入温度と槽内温度との差である第１温度差は、第１閾値よりも大きくなる。
そのため、第２循環ライン６０に設けられたポンプ６１は、第１流量制御によって制御される。第２循環ライン６０に設けられたポンプ６１の流量は、第１温度差に基づいた第１流量制御によって調整され、第１循環ライン５０に設けられたヒーター５２によって加熱されたエッチング液に、第２循環ライン６０を流れるエッチング液が合流する。第２循環ライン６０を流れるエッチング液が第１循環ライン５０を流れるエッチング液に合流することによって、内槽４３のエッチング液との温度差が抑制されたエッチング液が処理液供給ノズル４６から内槽４３に流入する。
すなわち、基板処理装置１は、第１循環ライン５０に設けられたヒーター５２によってエッチング液を加熱しつつ、内槽４３のエッチング液との温度差が抑制されたエッチング液を処理液供給ノズル４６から内槽４３に流入させる。そのため、内槽４３におけるエッチング液で温度差が生じることが抑制され、エッチング液の温度均一性が向上する。
また、ヒーターなどが設けられていない第２循環ライン６０によって、内槽４３に流入するエッチング液の流量が増加される。そのため、基板処理装置１は、圧力損失の増加を抑制しつつ、内槽４３に流入するエッチング液の流量を増加させる。そのため、内槽４３におけるエッチング液の攪拌性が向上し、エッチング液の温度均一性が向上する。
ヒーター５２によって加熱されたエッチング液が内槽４３に流入することにより、内槽４３のエッチング液の温度が高くなり、第１温度差が小さくなる。
時間ｔ１において、第１温度差が第１閾値以下になると、第２循環ライン６０に設けられたポンプ６１の流量が第２流量制御によって調整される。ここでは、第２温度差が第２閾値以下となるように、第２温度差に基づいて第２循環ライン６０に設けられたポンプ６１の流量が調整される。
これにより、圧力損失の増加を抑制しつつ、内槽４３に流入するエッチング液の流量が調整され、槽内温度が所望温度に近くなる。
時間ｔ２において、第２温度差が第２閾値以下になると、流入温度が一定となるように、第２循環ライン６０に設けられたポンプ６１の流量が、流入温度に基づいた安定制御によって調整される。これにより、内槽４３のエッチング液の温度が、所望温度に徐々に収束する。
次に、実施形態に係る流量調整処理について図５のフローチャートを参照し説明する。図５は、実施形態に係る流量調整処理を説明するフローチャートである。
制御装置１００は、基板昇降機構２９によって基板８を内槽４３に浸漬させる（Ｓ１００）。
制御装置１００は、第１温度差が第１閾値よりも大きいか否かを判定する（Ｓ１０１）。制御装置１００は、第１温度差が第１閾値よりも大きい場合には（Ｓ１０１：Ｙｅｓ）、第１流量制御によってポンプ６１を制御し、第２循環ライン６０におけるエッチング液の流量を調整する（Ｓ１０２）。すなわち、制御装置１００は、温度センサ５６（第１温度センサの一例）によって検出された温度と、温度センサ４８（第２温度センサの一例）によって検出された温度との第１温度差が、予め設定された第１閾値よりも大きい場合には、第１温度差が第１閾値以下となるように、ポンプ６１（第２送液部の一例）によって圧送されるエッチング液（処理液の一例）の流量を制御する。
制御装置１００は、第１温度差が第１閾値以下の場合には（Ｓ１０１：Ｎｏ）、第２温度差が第２閾値よりも大きいか否かを判定する（Ｓ１０３）。制御装置１００は、第２温度差が第２閾値よりも大きい場合には、（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、第２流量制御によってポンプ６１を制御し、第２循環ライン６０におけるエッチング液の流量を調整する（Ｓ１０４）。すなわち、制御装置１００は、温度センサ５６（第１温度センサの一例）によって検出された温度と、所望温度（予め設定された処理液の設定温度）との第２温度差が、第２閾値よりも大きい場合には、第２温度差が第２閾値以下となるように、ポンプ６１（第２送液部の一例）によって圧送されるエッチング液（処理液の一例）の流量を制御する。
制御装置１００は、第２温度差が第２閾値以下である場合には（Ｓ１０３：Ｎｏ）、安定制御によってポンプ６１を制御し、第２循環ライン６０におけるエッチング液の流量を調整する（Ｓ１０５）。具体的には、制御装置１００は、流入温度が所望温度となるように、流入温度に基づいて第２循環ライン６０におけるエッチング液の流量を調整する。
制御装置１００は、第１温度差が第１閾値よりも大きいか否かを判定する（Ｓ１０６）。制御装置１００は、第１温度差が第１閾値よりも大きい場合には（Ｓ１０６：Ｙｅｓ）、第１流量制御によってポンプ６１を制御し、第２循環ライン６０におけるエッチング液の流量を調整する（Ｓ１０２）。
制御装置１００は、第１温度差が第１閾値以下である場合には（Ｓ１０６：Ｎｏ）、エッチング処理を終了するか否かを判定し（Ｓ１０７）、エッチング処理を終了する場合には（Ｓ１０７：Ｙｅｓ）、今回の処理を終了する。制御装置１００は、エッチング処理を終了しない場合には（Ｓ１０７：Ｎｏ）、ステップＳ１０５に戻り、上記処理を繰り返す。
次に、実施形態に係る基板処理装置１の効果について説明する。
基板処理装置１は、処理槽２７（基板処理槽の一例）と、第１循環ライン５０と、第２循環ライン６０とを備える。処理槽２７では、基板８がエッチング液（処理液の一例）に浸漬されることによって基板８の処理が行われる。第１循環ライン５０は、処理槽２７に接続され、処理槽２７から排出されたエッチング液を処理槽２７に流入させる。第２循環ライン６０は、第１循環ライン５０に接続され、処理槽２７から排出されたエッチング液を第１循環ライン５０に合流させる。第１循環ライン５０は、エッチング液を圧送するポンプ５１（第１送液部の一例）と、エッチング液を加熱するヒーター５２（加熱部の一例）と、エッチング液中の異物を除去するフィルタ５３とを備える。第２循環ライン６０は、エッチング液を圧送するポンプ６１（第２送液部の一例）を備える。
これにより、基板処理装置１は、第２循環ライン６０によって圧送されるエッチング液を、第１循環ライン５０を流れるエッチング液に合流させて、処理槽２７に流入させることができる。そのため、例えば、基板処理装置１は、基板８が処理槽２７に浸漬された直後に処理槽２７のエッチング液の温度が低くなった場合に、槽内温度と流入温度との第１温度差が大きくなることを抑制することができる。
基板処理装置１は、ヒーター５２によるエッチング液の加熱量を低減させずに、第１温度差が大きくなることを抑制することができる。従って、基板処理装置１は、処理槽２７におけるエッチング液の温度均一性を向上させることができる。また、基板処理装置１は、処理液供給ノズル４６から吐出されるエッチング液の流速を速くすることができ、内槽４３におけるエッチング液の攪拌性を向上させ、内槽４３におけるエッチング液の温度均一性を向上させることができる。
また、第２循環ライン６０は、第１循環ライン５０におけるエッチング液（処理液の一例）の流れ方向において、ポンプ５１（第１送液部の一例）、およびヒーター５２（加熱部の一例）よりも下流側の接続部５４に接続される。
これにより、基板処理装置１は、小型のポンプ６１を用いて第２循環ライン６０を流れるエッチング液を第１循環ライン５０に合流させることができる。
また、基板処理装置１は、接続部５４よりも下流側の第１循環ライン５０に設けられ、エッチング液（処理液の一例）を攪拌するミキサー５５（攪拌部の一例）を備える。
これにより、基板処理装置１は、第２循環ライン６０のエッチング液が合流した後の第１循環ライン５０のエッチング液を攪拌し、エッチング液の温度均一性を向上させることができる。そのため、例えば、温度センサ５６によって検出されるエッチング液の温度を正確に検出することができる。
また、基板処理装置１は、温度センサ４８,５６を備える。温度センサ５６（第１温度センサの一例）は、接続部５４よりも下流側の第１循環ライン５０に設けられ、エッチング液（処理液の一例）の温度を検出する。温度センサ４８（第２温度センサの一例）は、内槽４３（基板処理槽の一例）の上部に設けられ、内槽４３のエッチング液（処理液の一例）の温度を検出する。
これにより、基板処理装置１は、内槽４３におけるエッチング液の温度差を正確に検出することができる。
また、基板処理装置１は、制御装置１００を備える。制御装置１００は、ポンプ５１（第１送液部の一例）、およびポンプ６１（第２送液部の一例）を制御する。制御装置１００は、温度センサ５６（第１温度センサの一例）によって検出された温度に基づいて、ポンプ６１によって圧送されるエッチング液（処理液の一例）の流量を制御する。
これにより、基板処理装置１は、第２循環ライン６０を圧送されるエッチング液の流量を調整することによって、処理液供給ノズル４６から内槽４３に流入するエッチング液の温度を調整することができる。そのため、基板処理装置１は、処理液供給ノズル４６から内槽４３に流入するエッチング液の温度の調整を容易に行うことができる。
また、制御装置１００は、流入温度（第１温度センサによって検出された温度の一例）と、槽内温度（第２温度センサによって検出された温度の一例）との第１温度差が、予め設定された第１閾値よりも大きい場合には、第１温度差が第１閾値以下となるように、ポンプ６１（第２送液部の一例）によって圧送されるエッチング液（処理液の一例）の流量を制御する。
これにより、基板処理装置１は、内槽４３におけるエッチング液の温度差が大きくなることを抑制し、内槽４３におけるエッチング液の温度均一性を向上させることができる。そのため、基板処理装置１は、基板８に対するエッチング量のばらつきを低減することができる。
また、制御装置１００は、流入温度（第１温度センサによって検出された温度の一例）と、所望温度（予め設定された処理液の設定温度の一例）との第２温度差が、第２閾値よりも大きい場合には、第２温度差が第２閾値以下となるように、ポンプ６１（第２送液部の一例）によって圧送されるエッチング液（処理液の一例）の流量を制御する。
これにより、基板処理装置１は、処理液供給ノズル４６によって内槽４３に流入するエッチング液の温度を、流入温度に基づいて所望温度にすることができる。
次に、変形例に係る基板処理装置１について説明する。
変形例に係る基板処理装置１は、第２循環ライン６０から分岐するバイパスライン６２を有する。バイパスライン６２は、接続部５４をバイパスし、第１循環ライン５０の分岐ライン５０ａのうち一部の分岐ライン５０ａに接続する。例えば、バイパスライン６２は、図６に示すように、分岐ライン５０ａのうち、基板８の下端と向かい合う位置に設けられた分岐ライン５０ａに接続する。図６は、実施形態の変形例に係るエッチング用の処理槽２７の構成を示す概略ブロック図である。
なお、バイパスライン６２は、複数の分岐ライン５０ａに接続されてもよい。また、バイパスライン６２には、流量を調整するためのバルブや、オリフィスなどが設けられてもよい。
これにより、変形例に係る基板処理装置１は、基板８の位置に応じての処理液供給ノズル４６から吐出されるエッチング液の流量、およびエッチング液の温度を調整することができる。そのため、変形例に係る基板処理装置１は、基板８に対するエッチング液の温度均一性を向上させることができる。
また、変形例に係る基板処理装置１は、エッチング処理において、第１循環ライン５０に設けられたポンプ５１によってエッチング液の流量を調整してもよい。
また、変形例に係る基板処理装置１は、第２循環ライン６０の一端を第１循環ライン５０に接続してもよい。すなわち、変形例に係る基板処理装置１は、第２循環ライン６０の両端を第１循環ライン５０に接続し、第１循環ライン５０のポンプ５１や、ヒーター５２をバイパスするように接続してもよい。
また、変形例に係る基板処理装置１は、図７に示すように、第２循環ライン６０にエッチング液の異物を除去するフィルタ６３を設けてもよい。図７は、実施形態の変形例に係るエッチング用の処理槽２７の構成を示す概略ブロック図である。なお、変形例に係る基板処理装置１は、接続部５４よりも下流側の第１循環ライン５０にフィルタ５３を設けてもよい。
これにより、変形例に係る基板処理装置１は、内槽４３に戻されるエッチング液に異物が含まれることを抑制することができる。
また、変形例に係る基板処理装置１は、接続部５４よりも下流側にフィルタ５３を設けてもよい。これにより、変形例に係る基板処理装置１は、１つのフィルタによってエッチング液中の不純物を除去することができる。
また、上記変形例に係る基板処理装置１を適宜組み合わせることができる。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、第２循環ライン６０にフィルタ５３を設け、第２循環ライン６０にバイパスライン６２を設けてもよい。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 基板処理装置
２７ 処理槽（基板処理槽）
４３ 内槽
４４ 外槽
４６ 処理液供給ノズル
４８ 温度センサ（第２温度センサ）
５０ 第１循環ライン
５０ａ 分岐ライン
５１ ポンプ（第１送液部）
５２ ヒーター（加熱部）
５３ フィルタ
５４ 接続部
５５ ミキサー（攪拌部）
５６ 温度センサ（第１温度センサ）
６０ 第２循環ライン
６１ ポンプ（第２送液部）
６３ フィルタ
１００ 制御装置
１１０ 制御部

Claims (10)

  1. 基板が処理液に浸漬されることによって前記基板の処理が行われる基板処理槽と、
    前記基板処理槽に接続され、前記基板処理槽から排出された前記処理液を前記基板処理槽に流入させる第１循環ラインと、
    前記第１循環ラインに接続され、前記基板処理槽から排出された前記処理液を前記第１循環ラインに合流させる第２循環ラインと、
    を備え、
    前記第１循環ラインは、
    前記処理液を圧送する第１送液部と、
    前記処理液を加熱する加熱部と、
    前記処理液中の異物を除去するフィルタと
    を備え、
    前記第２循環ラインは、
    前記処理液を圧送する第２送液部
    を備える
    基板処理装置。
  2. 前記第２循環ラインは、前記第１循環ラインにおける前記処理液の流れ方向において、前記第１送液部、および前記加熱部よりも下流側の接続部に接続される
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記接続部よりも前記下流側の前記第１循環ラインに設けられ、前記処理液を攪拌する攪拌部
    を備える請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１循環ラインは、
    前記基板処理槽に前記処理液を流入させる複数の分岐ライン
    を備え、
    前記第２循環ラインは、
    前記接続部をバイパスし、前記複数の分岐ラインのうち一部の分岐ラインに接続するバイパスライン
    を備える請求項２または３に記載の基板処理装置。
  5. 前記第２循環ラインは、
    前記処理液中の異物を除去するフィルタ
    を備える請求項２～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記接続部よりも前記下流側の前記第１循環ラインに設けられ、前記処理液の温度を検出する第１温度センサと、
    前記基板処理槽の上部に設けられ、前記基板処理槽の前記処理液の温度を検出する第２温度センサと
    を備える請求項２～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 前記第１送液部、および前記第２送液部を制御する制御装置
    を備え、
    前記制御装置は、前記第１温度センサによって検出された温度に基づいて、前記第２送液部によって圧送される前記処理液の流量を制御する
    請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記制御装置は、前記第１温度センサによって検出された温度と、前記第２温度センサによって検出された温度との第１温度差が、予め設定された第１閾値よりも大きい場合には、前記第１温度差が前記第１閾値以下となるように、前記第２送液部によって圧送される前記処理液の流量を制御する
    請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記制御装置は、前記第１温度センサによって検出された温度と、予め設定された前記処理液の設定温度との第２温度差が、前記第１閾値よりも小さい第２閾値よりも大きい場合には、前記第２温度差が前記第２閾値以下となるように、前記第２送液部によって圧送される前記処理液の流量を制御する
    請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 請求項７～９のいずれか一つに記載の基板処理装置における基板処理方法であって、
    前記第１温度センサによって温度を検出する工程と、
    前記第１温度センサによって検出された温度に基づいて、前記第２送液部によって送液される前記処理液の流量を制御する工程と
    を有する基板処理方法。
JP2022509519A 2020-03-23 2021-03-09 基板処理装置および基板処理方法 Active JP7378578B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020051459 2020-03-23
JP2020051459 2020-03-23
PCT/JP2021/009141 WO2021192990A1 (ja) 2020-03-23 2021-03-09 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2021192990A1 JPWO2021192990A1 (ja) 2021-09-30
JP7378578B2 true JP7378578B2 (ja) 2023-11-13

Family

ID=77892516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022509519A Active JP7378578B2 (ja) 2020-03-23 2021-03-09 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7378578B2 (ja)
KR (1) KR20220157420A (ja)
CN (1) CN115280473A (ja)
WO (1) WO2021192990A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207786A (ja) 2006-01-30 2007-08-16 Ses Co Ltd 基板処理方法及び基板処理システム
JP2017220618A (ja) 2016-06-09 2017-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP2018133558A (ja) 2017-02-15 2018-08-23 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3366449B2 (ja) * 1994-07-29 2003-01-14 ローム株式会社 エッチング装置
JP5599754B2 (ja) * 2010-05-31 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207786A (ja) 2006-01-30 2007-08-16 Ses Co Ltd 基板処理方法及び基板処理システム
JP2017220618A (ja) 2016-06-09 2017-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP2018133558A (ja) 2017-02-15 2018-08-23 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220157420A (ko) 2022-11-29
JPWO2021192990A1 (ja) 2021-09-30
WO2021192990A1 (ja) 2021-09-30
CN115280473A (zh) 2022-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6370233B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR102381166B1 (ko) 기판액 처리 장치, 기판액 처리 방법 및 기억 매체
KR102549290B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102513202B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102622414B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN107492511B (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质
KR102404963B1 (ko) 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체
KR20230035056A (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP2018006623A (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6777704B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR20210158330A (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP6824962B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2017069383A (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP7378578B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6516908B2 (ja) リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR102579164B1 (ko) 기판 액 처리 장치 및 기억 매체
KR102531510B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP6632684B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6548787B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6552687B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
WO2020129713A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220912

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231003

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231031

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7378578

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150