JP2018133558A - 基板液処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
34 処理槽
34A 内槽
34B 外槽
43 処理液排出部(リン酸水溶液排出部)
44 液位計
50 循環ライン
51 ポンプ
52 ヒータ
81 温度センサ(第1温度センサ)
82 温度センサ(第2温度センサ)
83−1,83−2,・・・,83−N 温度センサ(槽内温度センサ)
90、100 コントローラ(ヒータコントローラ)
Claims (13)
- 処理液を貯留するとともに貯留した前記処理液に基板を浸漬することにより前記基板の処理が行われる処理槽と、
前記処理槽に接続された循環ラインと、
前記循環ラインに設けられ、前記処理槽から出て前記循環ラインを通って前記処理槽に戻る前記処理液の流れを形成するポンプと、
前記循環ラインに設けられ、前記処理液を加熱するヒータと、
前記処理槽及び前記循環ラインを含む循環系内の互いに異なる位置に設けられた少なくとも2つの温度センサと、
前記少なくとも2つの温度センサの検出温度に基づいて、前記ヒータの発熱量を制御するコントローラと
を備えた基板液処理装置。 - 前記少なくとも2つの温度センサは、循環ライン内に設けられた第1温度センサ及び第2温度センサを有し、前記第1温度センサは、前記処理液の流れ方向でみて、前記ヒータより下流側であって前記処理槽よりも上流側の第1位置に設けられ、前記第2温度センサは、前記処理液の流れ方向でみて、前記処理槽より下流側であって前記ヒータよりも上流側の第2位置に設けられている、請求項1記載の基板液処理装置。
- 前記第1温度センサは、前記ヒータの出口の近傍に設けられ、前記第2温度センサは、前記処理槽の出口の近傍に設けられている、請求項2記載の基板液処理装置。
- 前記処理槽は、前記処理液を貯留するとともに貯留した前記処理液に基板を浸漬することにより前記基板の処理が行われる内槽と、前記内槽からオーバーフローする前記処理液をうける外槽とを有し、前記第1温度センサは、前記ヒータの出口の近傍に設けられ、前記第2温度センサは、前記外槽の出口の近傍に設けられている、請求項2記載の基板液処理装置。
- 前記コントローラは、
設定温度に対する前記第1温度センサの検出温度の偏差に基づいて、前記第1温度センサの検出温度が前記設定温度に維持されるように前記ヒータの出力をフィードバック制御するフィードバック制御部と、
基準温度に対する前記第2温度センサの検出温度の偏差に基づいて、前記設定温度を補正する補正部と
を有している、請求項2から4のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。 - 前記補正部は、前記第2温度センサの検出温度から前記基準温度を減じることにより得られた値が正の値をとるときにのみ、前記設定温度を補正する、請求項5記載の基板液処理装置。
- 前記補正部は、前記第2温度センサの検出温度から前記基準温度を減じることにより得られた値を前記設定温度に加える、請求項6記載の基板液処理装置。
- 前記少なくとも2つの温度センサは、前記処理槽内に設けられている、請求項1記載の基板液処理装置。
- 前記コントローラは、前記少なくとも2つの温度センサの検出温度に基づいて求められた前記処理槽内の温度を代表する代表温度に基づいて、前記代表温度が設定値となるように前記ヒータの発熱量をフィードバック制御するように構成されている、請求項8記載の基板液処理装置。
- 前記代表温度は、前記少なくとも2つの温度センサの検出温度の平均値である、請求項9記載の基板液処理装置。
- 前記少なくとも2つの温度センサは偶数個あり、これら偶数個の温度センサは前記処理槽内に左右対称な位置に設けられている、請求項8から10のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
- 前記外槽内にある処理液の液位を検出する液位計と、
前記循環系内にある処理液を排出するための処理液排出部と、
前記液位計の検出結果に基づいて処理液排出部を制御することにより、前記外槽内にある処理液の液位を制御する液位制御部と
をさらに備え、
前記液位制御部は、前記液位計により検出された液位が予め定められた設定液位よりも高い場合に、前記処理液排出部により前記循環系から処理液を排出させ、かつ、前記補正部が前記基準温度に対する前記第2温度センサの検出温度の偏差に基づいて前記設定温度を補正するときに、前記設定液位が高くなるよう前記設定液位を変更する、請求項5から7のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。 - 前記コントローラは、前記少なくとも2つの温度センサの検出値に基づいて、前記少なくとも2つの温度センサのうちの1つの温度センサに異常が生じている可能性があることを判定する機能を有する、請求項1から12のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111106035A (zh) * | 2018-10-26 | 2020-05-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置的控制装置和基片处理装置的控制方法 |
JP2020082033A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 株式会社リコー | 塗布装置、及び、画像形成システム |
CN111383962A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理装置的运转方法 |
JP2021009956A (ja) * | 2019-07-02 | 2021-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
KR20210014583A (ko) | 2019-07-30 | 2021-02-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JPWO2021192990A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | ||
JP2021153145A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システム |
KR20220094428A (ko) * | 2020-12-29 | 2022-07-06 | 세메스 주식회사 | 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022045616A (ja) * | 2020-09-09 | 2022-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04357835A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウエット処理装置 |
JPH08120462A (ja) * | 1994-10-18 | 1996-05-14 | Nec Corp | 薬液を用いたウエハ表面処理装置 |
JP2000164554A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2012193985A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、及び、基板の製造方法 |
JP2012216778A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-11-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3922527A (en) * | 1974-12-26 | 1975-11-25 | Nat Forge Co | Temperature control apparatus |
US4718022A (en) * | 1985-02-21 | 1988-01-05 | Cochran Michael J | Dialysis machine which anticipates concentration changes |
US4915507A (en) * | 1987-07-17 | 1990-04-10 | Janotta Louis J | Liquid average temperature measuring apparatus and method |
JPH0296334A (ja) * | 1988-10-01 | 1990-04-09 | Nisso Eng Kk | 高温エッチング液の循環方法 |
US6399517B2 (en) * | 1999-03-30 | 2002-06-04 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
KR100431352B1 (ko) * | 2001-07-11 | 2004-05-12 | 삼성전자주식회사 | 온도센서 불량감지장치 및 그 방법 |
JP3939630B2 (ja) | 2002-10-31 | 2007-07-04 | エム・エフエスアイ株式会社 | 沸騰薬液の管理方法 |
-
2017
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-
2018
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04357835A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウエット処理装置 |
JPH08120462A (ja) * | 1994-10-18 | 1996-05-14 | Nec Corp | 薬液を用いたウエハ表面処理装置 |
JP2000164554A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2012193985A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、及び、基板の製造方法 |
JP2012216778A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-11-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111106035A (zh) * | 2018-10-26 | 2020-05-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置的控制装置和基片处理装置的控制方法 |
JP7112676B2 (ja) | 2018-11-30 | 2022-08-04 | 株式会社リコー | 塗布装置、及び、画像形成システム |
JP2020082033A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 株式会社リコー | 塗布装置、及び、画像形成システム |
CN111383962A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理装置的运转方法 |
CN111383962B (zh) * | 2018-12-28 | 2024-07-09 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理装置的运转方法 |
JP7382164B2 (ja) | 2019-07-02 | 2023-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
US11691172B2 (en) | 2019-07-02 | 2023-07-04 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP2021009956A (ja) * | 2019-07-02 | 2021-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
KR20210014583A (ko) | 2019-07-30 | 2021-02-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2021022707A (ja) * | 2019-07-30 | 2021-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP7285724B2 (ja) | 2019-07-30 | 2023-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
US11887871B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-01-30 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR20220157420A (ko) | 2020-03-23 | 2022-11-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
WO2021192990A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7378578B2 (ja) | 2020-03-23 | 2023-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JPWO2021192990A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | ||
JP7413113B2 (ja) | 2020-03-24 | 2024-01-15 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システム |
JP2021153145A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システム |
KR20220094428A (ko) * | 2020-12-29 | 2022-07-06 | 세메스 주식회사 | 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR102646484B1 (ko) | 2020-12-29 | 2024-03-12 | 세메스 주식회사 | 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
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