JP7413113B2 - 処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システム - Google Patents

処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システム Download PDF

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Description

本発明は、処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システムに関する。
特許文献１に記載されている基板処理装置は、処理槽と、取得部と、記憶部と、特定部と、制御部とを備える。
処理槽は、基板を処理液で処理する。取得部は、基板の処理情報をあらかじめ取得する。記憶部は、処理情報が取り得る複数の状況と、複数の状況のそれぞれに対応してあらかじめ準備された複数の濃度変化パターンとを記述する対応情報を記憶する。特定部は、対応情報を参照することによって、取得された基板の処理情報に対応する予測濃度変化パターンを特定する。制御部は、処理槽において基板が処理されている間に、予測濃度変化パターンに基づいて処理液の濃度制御を行う。
その結果、基板の処理に伴う処理液中の成分濃度の変化が大きい場合であっても、基板が処理されている間の処理液の濃度を制御することができる。
特に、特許文献１に記載された積層基板において、基板本体の上面には複数層の酸化膜および複数層のポリシリコン膜が積層され、さらに、これら複数の層をそれらの積層方向に貫通する孔が形成されている。積層基板をエッチング液（燐酸）に浸漬すると、孔にエッチング液が進入し、孔の内周面（側壁）から各ポリシリコン層が選択的にエッチングされ、各ポリシリコン層が孔の内周面から後退する。基板本体に積層される膜の数が多くなり孔が深くなればなるほど、孔の内周面のエッチング液に対する接液面積は増加するため、単位時間あたりのエッチング量は大きくなる。基板からエッチング液に溶出するシリコンの量はエッチング量と相関しているため、積層数の多い積層基板をエッチングする場合、エッチングに伴う処理液中の変化成分（シリコン）の濃度変化は、積層数の少ない積層基板をエッチングする場合よりも大きくなる。
特許文献１に記載された基板処理装置では、制御部は、予測濃度変化パターンに基づいて、予備槽に貯留された補充液を処理槽に補充するためのポンプの駆動を制御して、予備槽から処理槽に処理液を補充している。その結果、エッチング量が大きい積層基板の処理に伴って処理液の濃度が大きく変化する場合であっても、基板が処理されている間の処理液の濃度を維持することができる。
特開２０１８－１６４０００号公報
しかしながら、特許文献１に記載されている基板処理装置では、基板の更なる高積層化が進むと、エッチングに伴う処理液中の変化成分（シリコン）の濃度変化が更に大きくなる。従って、濃度が調製された多量の処理液を、予備槽から処理槽に補充する必要がある。しかしながら、予備槽においては、濃度の調製が間に合わないため、濃度が調製された多量の処理液を処理槽に供給できない可能性がある。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板を処理するための処理液の濃度を目標値に早く到達させることができる処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システムを提供することにある。
本発明の一局面によれば、処理液温調方法は、基板を処理するための処理液を、前記処理液の基準沸点以上に加熱する工程と、前記加熱された処理液からの水分の蒸発を促進する気体を気体供給部材から、第１貯留槽に貯留された前記処理液に供給する工程と、前記第１貯留槽から水蒸気及び前記気体を排出する工程と、前記第１貯留槽に貯留される前記処理液の濃度が目標値に到達した後に、前記第１貯留槽から第２貯留槽に前記処理液を供給する工程と、前記第２貯留槽に貯留される前記処理液の温度を調節して、前記処理液の濃度を前記目標値に維持する工程と、前記第２貯留槽から、前記基板を処理する基板処理部に前記処理液を供給する工程と、を含む。前記処理液の濃度を前記目標値に維持する工程では、水分の蒸発を促進する気体を供給しない。前記処理液は、燐酸を含有する液体である。前記気体供給部材の素材は石英または樹脂である。
本発明の他の局面によれば、処理液温調方法は、基板を処理するための処理液を、前記処理液の基準沸点以上に加熱する工程と、前記加熱された処理液からの水分の蒸発を促進する気体を気体供給部材から、第１貯留槽に貯留された前記処理液に供給する工程と、前記第１貯留槽から水蒸気及び前記気体を排出する工程と、前記第１貯留槽に貯留される前記処理液の濃度が目標値に到達した後に、前記第１貯留槽から第２貯留槽に前記処理液を供給する工程と、前記第２貯留槽に貯留される前記処理液の温度を調節して、前記処理液の濃度を前記目標値に維持する工程と、前記第２貯留槽から、前記基板を処理する基板処理部に前記処理液を供給する工程とを含む。前記処理液の濃度を前記目標値に維持する工程では、水分の蒸発を促進する気体を供給しない。前記気体供給部材の素材は石英または樹脂である。
本発明の処理液温調方法において、前記第１貯留槽及び前記第２貯留槽に貯留された前記処理液は、シリコンを含んでいないことが好ましい。
本発明の更に他の局面によれば、基板処理方法は、上記処理液温調方法と、処理液によって基板を処理する工程とを含む。
本発明の更に他の局面によれば、処理液温調装置は、第１温調部と、第１貯留槽と、気体供給部材と、排気配管部と、第２貯留槽と、第２温調部とを備える。第１温調部は、基板を処理するための処理液を前記処理液の基準沸点以上に加熱する。第１貯留槽は、前記第１温調部によって加熱された前記処理液を貯留する。気体供給部材は、前記処理液からの水分の蒸発を促進する気体を、前記第１貯留槽に貯留された前記処理液に供給する。排気配管部は、前記第１貯留槽から水蒸気及び前記気体を排出する。第２貯留槽には、前記第１貯留槽に貯留される前記処理液の濃度が目標値に到達した後に、前記第１貯留槽から前記処理液が供給される。第２温調部は、前記第２貯留槽に貯留される前記処理液の温度を調節して、前記処理液の濃度を前記目標値に維持する。前記第２貯留槽は、前記基板を処理する基板処理部に前記処理液を供給する。前記第２貯留槽では、水分の蒸発を促進する気体を供給しない。前記処理液は、燐酸を含有する液体である。前記気体供給部材の素材は石英または樹脂である。
本発明の更に他の局面によれば、処理液温調装置は、第１温調部と、第１貯留槽と、気体供給部材と、排気配管部と、第２貯留槽と、第２温調部とを備える。第１温調部は、基板を処理するための処理液を前記処理液の基準沸点以上に加熱する。第１貯留槽は、前記第１温調部によって加熱された前記処理液を貯留する。気体供給部材は、前記処理液からの水分の蒸発を促進する気体を、前記第１貯留槽に貯留された前記処理液に供給する。排気配管部は、前記第１貯留槽から水蒸気及び前記気体を排出する。第２貯留槽には、前記第１貯留槽に貯留される前記処理液の濃度が目標値に到達した後に、前記第１貯留槽から前記処理液が供給される。第２温調部は、前記第２貯留槽に貯留される前記処理液の温度を調節して、前記処理液の濃度を前記目標値に維持する。前記第２貯留槽は、前記基板を処理する基板処理部に前記処理液を供給する。前記第２貯留槽では、水分の蒸発を促進する気体を供給しない。前記気体供給部材の素材は石英または樹脂である。
本発明の処理液温調装置において、前記排気配管部は、前記第１貯留槽から前記水蒸気及び前記気体を排出する排気配管を含むことが好ましい。前記排気配管の流路の断面積は、次式を満たすことが好ましい。
Ａ×Ｖ≧Ｑ
Ａ：前記排気配管の前記流路の前記断面積
Ｖ：前記処理液を前記基準沸点以上に加熱する処理と前記処理液に前記気体を供給する処理とが実行されていない場合において、前記排気配管の前記流路を流れる排出気体の流速
Ｑ：前記水蒸気及び前記気体の単位時間当たりの排気量
本発明の処理液温調装置において、前記第１貯留槽及び前記第２貯留槽に貯留された前記処理液は、シリコンを含んでいないことが好ましい。
本発明の更に他の局面によれば、基板処理システムは、上記処理液温調装置と、処理液によって基板を処理する基板処理部とを備える。
本発明によれば、基板を処理するための処理液の濃度を目標値に早く到達させることができる。
本発明の実施形態１に係る基板処理システムを示す模式図である。 実施形態１に係る基板処理システムの第１貯留槽を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る基板処理システムの気体供給ユニットを示す模式的平面図である。 実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る基板処理システムを示す模式図である。 実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態３に係る基板処理システムを示す模式的断面図である。 （ａ）は、実施形態３に係る基板が処理液に浸漬される前の状態を示す図である。（ｂ）は、実施形態３に係る基板が処理液に浸漬された状態を示す図である。 実施形態３に係る基板処理システムの気体供給ユニットを示す模式的平面図である。 実施形態３に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施例１、実施例２、及び、比較例に係る処理液の比重値の時間変化を示すグラフである。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
（実施形態１）
図１～図４を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理システム１００及び基板処理方法を説明する。まず、図１を参照して、基板処理システム１００を説明する。
図１は、本発明の実施形態１に係る基板処理システム１００を示す模式図である。図１に示す基板処理システム１００はバッチ式である。従って、基板処理システム１００は、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを一括して処理する。処理液ＬＱにより、複数の基板Ｗには、エッチング処理、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去及び洗浄のうちの少なくとも１つが行われる。
処理液ＬＱは、例えば、沸騰させることで特定成分の濃度を常温時又は室温時の濃度よりも高くして使用する液体（例えば、薬液）である。沸騰させることで特定成分の濃度を常温時又は室温時の濃度よりも高くして使用する液体は、例えば、燐酸を含有する液体である。この場合、「特定成分」は、「燐酸」である。
燐酸を含有する液体は、例えば、燐酸の水溶液（以下、「燐酸水溶液」と記載する。）、燐酸水溶液に添加剤を含有させた液体、燐酸を含有する混酸、又は、燐酸及び添加剤を含有する混酸である。
基板Ｗは、例えば、半導体ウェハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。
基板Ｗとしての半導体ウェハは、例えば、三次元フラッシュメモリー（例えば三次元ＮＡＮＤフラッシュメモリー）を形成するための表面パターンを有する。例えば、表面パターンは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが交互に積層された構造、又は、酸化シリコン膜とポリシリコン膜とが交互に積層された構造であって、１以上の凹部（例えば、トレンチ又はホール）を含む構造を有する。この場合、表面パターンの凹部の側面に露出しているシリコン窒化膜又はポリシリコン膜が、処理液ＬＱによって選択的にエッチングされる。この場合は、処理液ＬＱとして、例えば、燐酸を含有する液体が使用される。
図１に示すように、基板処理システム１００は、処理装置Ｕ１と、処理液温調装置Ｕ２と、冷却槽群Ｕ３と、制御装置Ｕ４と、配管Ｐ１とを含む。制御装置Ｕ４は、処理装置Ｕ１及び処理液温調装置Ｕ２を制御する。制御装置Ｕ４は、例えば、コンピューターである。詳細には、制御装置Ｕ４は、プロセッサーと、記憶装置とを含む。プロセッサーは、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を含む。記憶装置は、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。記憶装置は、例えば、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーを含む。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、及び／又は、ハードディスクドライブを含む。補助記憶装置は、例えば、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。
処理装置Ｕ１は、複数の基板処理部１と、複数の冷却槽５と、複数のバルブ９と、複数のバルブ１１と、複数の配管Ｐ２とを含む。複数の冷却槽５は、それぞれ、複数の基板処理部１に対応して配置されている。
複数の基板処理部１の各々は、処理液ＬＱによって基板Ｗを処理する。具体的には、複数の基板処理部１の各々は、バッチ式であり、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを一括して処理する。複数の基板処理部１の各々は処理槽３を含む。各処理槽３は処理液ＬＱを貯留する。また、各処理槽３は複数の基板Ｗを収容する。各処理槽３の処理液ＬＱには、複数の基板Ｗが浸漬される。その結果、各処理槽３では、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗが処理される。
具体的には、処理槽３は、内槽３１及び外槽３３を含む二重槽構造を有している。内槽３１及び外槽３３はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽３１は、処理液ＬＱを貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽３３は、内槽３１の上部開口の外側面に設けられる。
配管Ｐ２は、配管Ｐ１から分岐している。配管Ｐ２は冷却槽５へ延びている。そして、バルブ９は配管Ｐ２に配置される。バルブ９は配管Ｐ２を閉塞又は開放する。バルブ９が配管Ｐ２を開放することで、配管Ｐ２は、外槽３３からオーバーフローした処理液ＬＱを冷却槽５に案内する。そして、冷却槽５は、処理液ＬＱを冷却した後に、処理液ＬＱを排出する。
配管Ｐ１は、冷却槽群Ｕ３に延びている。冷却槽群Ｕ３は、複数の基板処理部１にそれぞれ対応して複数の冷却槽３５０を含む。配管Ｐ１は、処理槽３から冷却槽３５０まで延びている。そして、バルブ１１は配管Ｐ１に配置される。バルブ１１は配管Ｐ１を閉塞又は開放する。バルブ１１が配管Ｐ１開放することで、配管Ｐ１は、外槽３３からオーバーフローした処理液ＬＱを、冷却槽３５０に案内する。そして、冷却槽３５０は、処理液ＬＱを冷却した後に、処理液ＬＱを排出する。
処理液温調装置Ｕ２は、各基板処理部１（具体的には各処理槽３）に処理液ＬＱを供給する。つまり、処理液温調装置Ｕ２は、各基板処理部１（具体的には各処理槽３）に処理液ＬＱを補充する。
具体的には、処理液温調装置Ｕ２は、第１温調ユニット２００と、第２温調ユニット３００とを含む。第１温調ユニット２００は、処理液ＬＱを加熱して、処理液供給源ＴＫＡから供給される処理液ＬＱから水分を蒸発させることで、処理液ＬＱの濃度を目標値に到達させる。濃度の目標値は一定の幅を有していてもよい。処理液ＬＱの濃度は、処理液ＬＱ中の特定成分の濃度を示す。処理液ＬＱが燐酸を含有する液体である場合は、処理液ＬＱの濃度は、処理液ＬＱ中の燐酸の濃度（以下、「燐酸濃度」と記載する。）を示す。
そして、第１温調ユニット２００は、濃度が目標値に到達した処理液ＬＱを第２温調ユニット３００に供給する。第２温調ユニット３００は、第１温調ユニット２００から供給された処理液ＬＱの温度及び濃度を維持して、処理液ＬＱを各基板処理部１（具体的には各処理槽３）に供給する。つまり、第２温調ユニット３００は、処理液ＬＱを各基板処理部１（具体的には各処理槽３）に補充する。
具体的には、第１温調ユニット２００は、第１貯留槽２１０と、第１計測部２１２と、バルブ２１４と、第１フィルター２１５と、第１ヒーター２１６と、第１ポンプ２１８と、バルブ２２０と、流量調整バルブ２２１と、バルブ２２２と、バルブ２２３と、配管Ｐ４と、配管Ｐ５と、第１循環配管Ｐ６と、配管Ｐ７、配管Ｐ１０とを含む。図１の例では、第１温調ユニット２００は、直列に接続される複数の第１ヒーター２１６（具体的には、２つの第１ヒーター２１６）を含んでいる。第１ヒーター２１６は、「第１温調部」の一例に相当する。なお、例えば、第１温調ユニット２００において、第１フィルター２１５を省略してもよい。
また、第２温調ユニット３００は、第２貯留槽３１０と、第２計測部３１２と、複数のバルブ３１４と、第２フィルター３１５と、第２ヒーター３１６と、第２ポンプ３１８と、複数の配管Ｐ３と、配管Ｐ８と、バルブ３２０と、第２循環配管Ｐ９とを含む。第２ヒーター３１６は、「第２温調部」の一例に相当する。
第１温調ユニット２００において、配管Ｐ４は、処理液供給源ＴＫＡから第１貯留槽２１０まで延びている。バルブ２２２は配管Ｐ４に配置される。バルブ２２２は配管Ｐ４を閉塞又は開放する。配管Ｐ５は、希釈液供給源ＴＫＢから第１貯留槽２１０まで延びている。バルブ２２４は配管Ｐ５に配置される。バルブ２２４は配管Ｐ５を閉塞又は開放する。
第１循環配管Ｐ６は、第１貯留槽２１０の底部から上部まで延びている。バルブ２１４は第１循環配管Ｐ６に配置される。バルブ２１４は第１循環配管Ｐ６を閉塞又は開放する。第１ポンプ２１８と第１ヒーター２１６と第１フィルター２１５とは、この順番で、第１循環配管Ｐ６の上流から下流に向かって、第１循環配管Ｐ６に配置される。
配管Ｐ７は、第１循環配管Ｐ６から分岐して、第２温調ユニット３００へ延びる。具体的には、配管Ｐ７は、第１循環配管Ｐ６から分岐して、第２貯留槽３１０へ延びる。バルブ２２０は配管Ｐ７に配置される。バルブ２２０は配管Ｐ７を閉塞又は開放する。また、配管Ｐ１０は、配管Ｐ７におけるバルブ２２０の上流側と下流側とを連絡する。流量調整バルブ２２１は配管Ｐ１０に配置される。流量調整バルブ２２１は、配管Ｐ１０を流れる処理液ＬＱの流量を調整する。バルブ２２３は、流量調整バルブ２２１の下流において、配管Ｐ１０に配置される。バルブ２２３は、配管Ｐ１０を閉塞又は開放する。
また、第２温調ユニット３００において、配管Ｐ８は、希釈液供給源ＴＫＢから第２貯留槽３１０まで延びている。バルブ３２０は配管Ｐ８に配置される。バルブ３２０は配管Ｐ８を閉塞又は開放する。第２循環配管Ｐ９は、第２貯留槽３１０の底部から上部まで延びている。第２ポンプ３１８と第２ヒーター３１６と第２フィルター３１５とは、この順番で、第２循環配管Ｐ９の上流から下流に向かって、第２循環配管Ｐ９に配置される。
複数の配管Ｐ３は、それぞれ、複数の基板処理部１に対応して配置される。複数の配管Ｐ３の各々は、第２循環配管Ｐ９から分岐して、対応する基板処理部１へ延びる。具体的には、複数の配管Ｐ３の各々は、第２循環配管Ｐ９から分岐して、対応する処理槽３へ延びる。複数のバルブ３１４の各々は、対応する配管Ｐ３に配置される。バルブ３１４は配管Ｐ３を閉塞又は開放する。
引き続き図１を参照して、第１温調ユニット２００の動作を説明する。バルブ２２２が配管Ｐ４を開放すると、配管Ｐ４は、処理液供給源ＴＫＡから供給される処理液ＬＱを第１貯留槽２１０に供給する。
第１貯留槽２１０は、処理液供給源ＴＫＡから供給される処理液ＬＱを貯留する。第１貯留槽２１０は上向きに開いた上部開口及び蓋（以下、「蓋２４０」と記載する。）を有する。
第１循環配管Ｐ６は、第１貯留槽２１０から送出された処理液ＬＱを再び第１貯留槽２１０に導いて、処理液ＬＱを循環させる。具体的には、第１循環配管Ｐ６は、第１貯留槽２１０の底部から送出された処理液ＬＱを、第１貯留槽２１０の上部開口に導くことで、処理液ＬＱを第１貯留槽２１０に戻す。
更に具体的には、バルブ２１４が第１循環配管Ｐ６を開放し、バルブ２２０が配管Ｐ７を閉塞していると、第１ポンプ２１８は、第１貯留槽２１０から送出された処理液ＬＱを、第１循環配管Ｐ６を通して、第１貯留槽２１０の上部開口に向けて送り出す。第１フィルター２１５は、第１循環配管Ｐ６を流れる処理液ＬＱをろ過する。
第１ヒーター２１６は、処理液ＬＱの温度を調節する。具体的には、第１ヒーター２１６は、第１貯留槽２１０に供給する処理液ＬＱであって、基板Ｗを処理するための処理液ＬＱを、処理液ＬＱの基準沸点以上に加熱する。つまり、第１ヒーター２１６は、第１循環配管Ｐ６に流れる処理液ＬＱを、処理液ＬＱの基準沸点以上に加熱する。さらに、第１温調ユニット２００は、処理槽３での制御条件に従って、第１計測部２１２の計測結果に基づいて希釈液供給源ＴＫＢから希釈液を第１貯留槽２１０に供給しつつ、処理液ＬＱの濃度を目標値に到達させる。
処理液ＬＱの基準沸点とは、第１循環配管Ｐ６からではなく、処理液供給源ＴＫＡから第１貯留槽２１０に新規に供給される処理液ＬＱの濃度での沸点のことである。一般的には、処理液ＬＱの濃度が高くなると、処理液ＬＱの沸点が上昇する。希釈液は、例えば、水である。水は、ＤＩＷ（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水及び希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかを採用することができる。
処理液ＬＱが燐酸水溶液である場合、例えば、処理液供給源ＴＫＡから第１貯留槽２１０に新規に供給される燐酸水溶液の燐酸濃度は、室温で８５％である。燐酸濃度が８５％である場合の燐酸水溶液の沸点は、１５７℃である。従って、この場合は、燐酸水溶液の基準沸点は、１５７℃である。この場合、第１ヒーター２１６は、第１循環配管Ｐ６に流れる燐酸水溶液を、基準沸点である１５７℃以上の１６０℃に加熱する。さらに、第１温調ユニット２００は、処理槽３での制御条件に従って、第１計測部２１２の計測結果に基づいて希釈液供給源ＴＫＢから希釈液を第１貯留槽２１０に供給しつつ、燐酸水溶液の燐酸濃度を、８９％に到達させる。この場合、「８９％」が、濃度の目標値である。
第１計測部２１２は、第１貯留槽２１０に貯留された処理液ＬＱの濃度を示す物理量を計測する。本明細書において、処理液ＬＱの濃度を示す物理量とは、処理液ＬＱの濃度に略比例する値のことである。例えば、処理液ＬＱの濃度を示す物理量は、処理液ＬＱ中の特定成分の濃度又は比重である。従って、第１計測部２１２は、例えば、濃度計又は比重計である。なお、第１計測部２１２は、第１循環配管Ｐ６を流れる処理液ＬＱの濃度を示す物理量を計測してもよい。第１循環配管Ｐ６を流れる処理液ＬＱの濃度及び温度は、それぞれ、第１貯留槽２１０に貯留された処理液ＬＱの濃度及び温度と、略同じである。
例えば、制御装置Ｕ４は、処理液ＬＱの濃度を目標値にするために、第１計測部２１２による計測結果に基づいてバルブ２２４を開放して、希釈液供給源ＴＫＢから第１貯留槽２１０に希釈液を供給することがある。
第１貯留槽２１０に貯留される処理液ＬＱの濃度が目標値に到達した後に、第１貯留槽２１０は、処理液ＬＱを第２貯留槽３１０に供給する。
具体的には、第１貯留槽２１０の処理液ＬＱの濃度が目標値に到達した後に、バルブ２２３が配管Ｐ１０を開放し、更に、流量調整バルブ２２１が、処理液ＬＱの流量を調節して、配管Ｐ１０と、配管Ｐ７のうちバルブ２２０よりも下流側の部分とを通して、処理液ＬＱを第１貯留槽２１０から第２貯留槽３１０に供給する。この場合、バルブ２１４は第１循環配管Ｐ６を開放しており、バルブ２２０は配管Ｐ７を閉塞している。具体的には、第１貯留槽２１０の処理液ＬＱの濃度が目標値に到達した後に、第１ポンプ２１８が、第１循環配管Ｐ６と、配管Ｐ１０と、配管Ｐ７のうちバルブ２２０よりも下流側の部分とを通して、処理液ＬＱを第２貯留槽３１０に供給する。
本明細書において、「処理液ＬＱの濃度が目標値に到達した後」とは、「処理液ＬＱの濃度を示す物理量が目標値に到達した後」を示し、「処理液ＬＱの濃度を示す濃度値が目標値に到達した後」だけでなく、例えば、「処理液ＬＱの比重値が目標値に到達した後」であってもよい。
引き続き図１を参照して、第２温調ユニット３００の動作を説明する。第２貯留槽３１０は、第１貯留槽２１０から供給される処理液ＬＱを貯留する。第１貯留槽２１０から供給される処理液ＬＱは、濃度が目標値に到達した処理液ＬＱである。第２貯留槽３１０は上向きに開いた上部開口及び蓋を有する。
第２循環配管Ｐ９は、第２貯留槽３１０から送出された処理液ＬＱを再び第２貯留槽３１０に導いて、処理液ＬＱを循環させる。具体的には、第２循環配管Ｐ９は、第２貯留槽３１０の底部から送出された処理液ＬＱを、第２貯留槽３１０の上部開口に導くことで、処理液ＬＱを第２貯留槽３１０に戻す。
更に具体的には、複数のバルブ３１４の各々が、対応する配管Ｐ３を閉塞していると、第２ポンプ３１８は、第２貯留槽３１０から送出された処理液ＬＱを、第２循環配管Ｐ９を通して、第２貯留槽３１０の上部開口に向けて送り出す。第２フィルター３１５は、第２循環配管Ｐ９を流れる処理液ＬＱをろ過する。
第２ヒーター３１６は、処理液ＬＱの温度を調節する。具体的には、第２ヒーター３１６は、第２貯留槽３１０に貯留される処理液ＬＱの温度を調節して、間接的に、処理液ＬＱの濃度を目標値に維持する。つまり、第２ヒーター３１６は、第２循環配管Ｐ９に流れる処理液ＬＱの温度を調節して、間接的に、処理液ＬＱの濃度を目標値に維持する。具体的には、第２ヒーター３１６は、処理液ＬＱの温度を基準沸点以上の所定温度に維持する。そして、処理液ＬＱの温度が基準沸点以上の所定温度に維持された状態で、第２計測部３１２の計測結果に基づいてバルブ３２０及び配管Ｐ８を通して希釈液供給源ＴＫＢから第２貯留槽３１０に希釈液を供給することで、処理液ＬＱの濃度が目標値に維持される。
第２ヒーター３１６は、処理液ＬＱの温度を基準沸点以上の所定温度に維持するための機器であるため、第２ヒーター３１６の容量（電力）は、第１温調ユニット２００の２つの第１ヒーター２１６の合計容量（合計電力）よりも小さくてよい。例えば、２つの第１ヒーター２１６の合計容量は、第２ヒーター３１６の容量の２倍である。つまり、２つの第１ヒーター２１６の各々の容量は、第２ヒーター３１６の容量と略同じである。
第２計測部３１２は、第２貯留槽３１０に貯留された処理液ＬＱの濃度を示す物理量を計測する。例えば、第２計測部３１２は、濃度計又は比重計である。なお、第２計測部３１２は、第２循環配管Ｐ９を流れる処理液ＬＱの濃度を示す物理量を計測してもよい。第２循環配管Ｐ９を流れる処理液ＬＱの濃度及び温度は、それぞれ、第２貯留槽３１０に貯留された処理液ＬＱの濃度及び温度と、略同じである。
例えば、制御装置Ｕ４は、処理液ＬＱの濃度を目標値に維持するために、第２計測部３１２による計測結果に基づいてバルブ３２０を開放して、希釈液供給源ＴＫＢから第２貯留槽３１０に希釈液を供給することがある。
第２貯留槽３１０は、基板処理部１（具体的には処理槽３）に処理液ＬＱを供給する。つまり、第２貯留槽３１０は、基板処理部１（具体的には処理槽３）に処理液ＬＱを補充する。
具体的には、バルブ３１４が配管Ｐ３を開放すると、第２循環配管Ｐ９から、配管Ｐ３を通して、処理液ＬＱが処理槽３に供給される。例えば、処理液ＬＱは、第２貯留槽３１０から処理槽３の外槽３３に供給されて、外槽３３から循環配管（不図示）を通して、内槽３１に供給されてもよい。例えば、処理液ＬＱは、第２貯留槽３１０から内槽３１に直接的に供給されてもよい。
制御装置Ｕ４は、複数のバルブ３１４の各々を個別に制御できる。従って、第２貯留槽３１０から、各基板処理部１（具体的には各処理槽３）に個別に処理液ＬＱを供給できる。
次に、図２を参照して、第１温調ユニット２００を説明する。図２は、第１温調ユニット２００の第１貯留槽２１０を示す模式的断面図である。図２では、図面を簡略化するために、配管Ｐ４、Ｐ５、第１フィルター２１５、第１ポンプ２１８、バルブ２１４、及び、第１計測部２１２を省略している。
図２に示すように、第１貯留槽２１０は、槽本体２３０と、蓋２４０とを含む。蓋２４０は、槽本体２３０の上部開口を覆っている。蓋２４０は、槽本体２３０の上部開口を開放することもできる。
第１温調ユニット２００は、気体供給機構２５０と、気体供給ユニット２８０と、配管２６１をさらに含む。
気体供給機構２５０は、配管２６１を通して、気体供給ユニット２８０に気体ＧＡを供給する。
気体供給ユニット２８０は、第１貯留槽２１０に貯留された処理液ＬＱに、気体供給機構２５０から供給された気体ＧＡを供給する。具体的には、気体供給ユニット２８０は、少なくとも１つの気体供給部材２８１と、第１配管２８３と、第２配管２８５と、第１保持部材２８７と、第２保持部材２８９と、第１固定部材２９１と、第２固定部材２９３とを含む。実施形態１では、気体供給ユニット２８０は、複数の気体供給部材２８１を含む。なお、図２には、１つの気体供給部材２８１が表れている。
気体ＧＡは、第１ヒーター２１６によって基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱからの水分の蒸発を促進する気体である。気体ＧＡは、例えば、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素又はアルゴンである。
気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０の内部に配置される。詳細には、気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０の内部において、第１貯留槽２１０の底部２３０ａに配置される。気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０の底部２３０ａに固定される。気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０の底部２３０ａに接触していてもよいし、第１貯留槽２１０の底部２３０ａに対して離隔していてもよい。
気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０に貯留された処理液ＬＱであって、基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱに気体ＧＡを供給する。気体供給部材２８１は、例えば、バブラーである。具体的には、気体供給部材２８１は、上方に向けて、つまり、処理液ＬＱの液面に向けて、気体ＧＡを処理液ＬＱに供給する。この場合、気体供給部材２８１は、気体ＧＡを気泡ＢＢとして処理液ＬＱに供給する。
具体的には、気体供給部材２８１は、第１方向Ｄ１に略平行である。第１方向Ｄ１は、例えば、水平方向に略平行である。気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０の底部２３０ａに沿って配置されている。
気体供給部材２８１は、略筒形状を有する。気体供給部材２８１は、例えば、管である。気体供給部材２８１の材質は、例えば、石英、又は、樹脂である。樹脂は、例えば、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、又は、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）である。
特に、気体供給部材２８１の材質が樹脂であると、気体供給部材２８１の加工が容易である。更に、気体供給部材２８１の材質がＰＦＡであると、曲げ加工が容易である。例えば、気体供給部材２８１をＬ字状に加工することも可能である。従って、気体供給部材２８１と他の配管との継ぎ目を少なくできる。その結果、気体供給部材２８１の耐久性を向上できる。
ここで、図２では、理解を容易にするために、図中、気体供給部材２８１の右端部の断面を示している。気体供給部材２８１は流路ＦＷ０を有する。
また、気体供給部材２８１は、複数の気体供給口Ｇを有する。気体供給口Ｇは、例えば、孔である。気体供給口Ｇの径は、例えば、数十μｍ～数百μｍのオーダーである。例えば、気体供給口Ｇの径は、０．２ｍｍである。例えば、１つの気体供給部材２８１に設けられる気体供給口Ｇの数は、例えば、４０個である。
気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０に貯留された処理液ＬＱであって、基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱに向けて、複数の気体供給口Ｇから気体ＧＡを供給する。具体的には、気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０に貯留された処理液ＬＱであって、基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱに向けて、複数の気体供給口Ｇから、気体ＧＡを複数の気泡ＢＢとして供給する。つまり、気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０に貯留された基準沸点以上の温度の処理液ＬＱに複数の気体供給口Ｇから気体ＧＡを吹き出すことで、複数の気体供給口Ｇから、基準沸点以上の温度の処理液ＬＱ中に複数の気泡ＢＢ（多数の気泡ＢＢ）を発生する。
なお、気体供給部材２８１が処理液ＬＱに気体ＧＡ（具体的には気泡ＢＢ）を供給できる限りにおいては、気体供給部材２８１の構成及び素材は特に限定されない。例えば、気体供給部材２８１は、略筒形状を有する多孔質部材によって構成されていてもよい。また、例えば、気体供給部材２８１は、略筒形状を有する部材に多孔質部材を固定して構成されていてもよい。
第１温調ユニット２００は、排気配管部２７０をさらに含む。排気配管部２７０は、第１貯留槽２１０の上部に接続される。図２の例では、排気配管部２７０は、蓋２４０に接続される。排気配管部２７０は、第１貯留槽２１０から水蒸気及び気体を排気する。排気配管部２７０によって排気される気体は、基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱ中に気体供給部材２８１から供給された気体ＧＡであって、処理液ＬＱの液面から出てきた気体ＧＡである。また、排気配管部２７０によって排気される水蒸気は、基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱに含まれる水分が蒸発して発生する水蒸気であって、処理液ＬＱの液面から出てきた水蒸気である。
具体的には、排気配管部２７０は、連結部材２７１と、排気配管２７３とを含む。連結部材２７１は、第１貯留槽２１０と排気配管２７３とを連結する。具体的には、連結部材２７１の一方端は第１貯留槽２１０の上部（図２の例では蓋２４０）に接続され、連結部材２７１の他方端は排気配管２７３に接続される。排気配管２７３は、例えば、略円筒形状を有する。排気配管２７３は、第１貯留槽２１０から水蒸気及び気体を排気する。つまり、排気配管２７３は、連結部材２７１を通して第１貯留槽２１０から流入する水蒸気及び気体を第１貯留槽２１０の外部に排気する。
以上、図１及び図２を参照して説明したように、実施形態１によれば、第１温調ユニット２００の気体供給部材２８１は、第１ヒーター２１６によって基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱに対して、水分の蒸発を促進する気体ＧＡを供給する。これにより、処理液ＬＱ中の水分の蒸発が促進される。その結果、気体ＧＡを供給しない場合と比較して、処理液ＬＱの濃度を目標値に早く到達させることができる。
また、第１貯留槽２１０において処理液ＬＱの濃度を目標値に早く到達させることができると、第１貯留槽２１０から第２貯留槽３１０に対して、濃度が目標値に到達した処理液ＬＱの「一定時間当たりの供給量」を多くできる。従って、処理槽３に貯留された処理液ＬＱの濃度変化が大きい場合であっても、第２貯留槽３１０から処理槽３へ、濃度が目標値に到達した処理液ＬＱを多量に供給できる。その結果、処理槽３において、処理液ＬＱの濃度を維持できる。よって、複数の基板Ｗの処理を均一化できる。
例えば、基板Ｗとしての半導体ウェハが、三次元フラッシュメモリーを形成するための表面パターンを有する場合、表面パターンの凹部が深いため、処理液ＬＱとしての燐酸水溶液によってエッチングされるシリコンのエッチング量が多くなる。従って、処理槽３における処理液ＬＱの濃度を一定に維持するためには、濃度が目標値に到達した多量の処理液ＬＱを処理槽３に供給する必要がある。そこで、実施形態１では、基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱに対して、水分の蒸発を促進するために気体ＧＡを供給することで、処理液ＬＱの濃度を目標値に早く到達させている。従って、処理槽３に貯留された処理液ＬＱ中のシリコンの濃度変化が大きい場合であっても、第１貯留槽２１０から第２貯留槽３１０へ、更に、第２貯留槽３１０から処理槽３へ、濃度が目標値に到達した処理液ＬＱを多量に供給できる。その結果、処理槽３において、処理液ＬＱの濃度を維持できて、複数の基板Ｗの処理を均一化できる。
また、実施形態１では、基板処理システム１００は複数の基板処理部１を有しているため、処理液ＬＱの使用量が多くなる。しかしながら、実施形態１では、処理液ＬＱの濃度を目標値に早く到達させることができるので、基板処理システム１００が複数の基板処理部１を有している場合であっても、第２貯留槽３１０から各基板処理部１の処理槽３へ、濃度が目標値に到達した処理液ＬＱを所望の流量で安定して供給できる。
また、実施形態１では、気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０の処理液ＬＱに、気体ＧＡの気泡ＢＢを供給している。従って、処理液ＬＱの液面に向かって上昇する気泡ＢＢによって、処理液ＬＱ中の水分が液面に向かって上方に運搬される。その結果、処理液ＬＱ中の水分の蒸発を更に促進できる。特に、処理液ＬＱが沸騰状態に近づくと、気泡ＢＢの水分包有量が増加してより多くの水分を液面から放出して水分の蒸発効率が向上する。よって、処理液ＬＱの濃度を目標値に更に早く到達させることができる。
特に、気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０の底部２３０ａにおいて、第１方向Ｄ１（水平方向）に略平行に配置されることが好ましい。この好ましい例では、気体供給部材２８１が鉛直方向に略平行に配置される場合と比較して、複数の気体供給口Ｇから供給される気泡ＢＢの移動距離が長くなる。その結果、処理液ＬＱ中の水分の蒸発を更に促進できて、処理液ＬＱの濃度を目標値に更に早く到達させることができる。
また、実施形態１では、第１貯留槽２１０に貯留される処理液ＬＱの濃度を目標値に到達させるために、処理液ＬＱに気体ＧＡを供給するとともに、処理液ＬＱを基準沸点以上に加熱している。従って、第１貯留槽２１０では、処理液ＬＱから気体ＧＡが出てくるとともに、処理液ＬＱから水分が蒸発している。
そして、第１貯留槽２１０に貯留される処理液ＬＱの濃度が目標値に到達した後に、第１貯留槽２１０から第２貯留槽３１０に処理液ＬＱが供給される。さらに、第２ヒーター３１６は、第２貯留槽３１０に貯留される処理液ＬＱの温度を調節して、処理液ＬＱの濃度を目標値に維持する。従って、第２貯留槽３１０では、処理液ＬＱから水分がほとんど蒸発しない。なぜなら、処理液ＬＱ中の水分は、第１貯留槽２１０においてほとんど蒸発しているからである。加えて、第２貯留槽３１０では、処理液ＬＱに気体ＧＡは供給されない。その結果、第２貯留槽３１０から第２循環配管Ｐ９に供給される処理液ＬＱは、水蒸気等の気体をとほんど含まない。よって、第２循環配管Ｐ９に流れる処理液ＬＱの流量を適切に制御できる。ひいては、第２循環配管Ｐ９及び配管Ｐ３から基板処理部１（具体的には処理槽３）に供給される処理液ＬＱの流量を適切に制御できる。
また、実施形態１では、処理液ＬＱは「燐酸を含有する液体」であることが好ましい。この場合、処理液ＬＱは、沸騰させることで特定成分（燐酸）の濃度を常温時又は室温時の濃度よりも高くして使用する液体である。従って、処理液ＬＱが「燐酸を含有する液体」である場合、処理液ＬＱを基準沸点以上に加熱しつつ、処理液ＬＱに気体ＧＡを供給することで、処理液ＬＱの濃度を目標値に早く到達させることは特に有効である。
さらに、実施形態１では、第１貯留槽２１０から間接的に、つまり、第２貯留槽３１０を介して、基板処理部１（具体的には処理槽３）に処理液ＬＱが供給される。つまり、第１貯留槽２１０は、基板処理部１（具体的には処理槽３）に対して、間接的に処理液ＬＱを供給する。
ただし、基板処理システム１００は第２温調ユニット３００を備えていなくてもよい。具体的には、第１貯留槽２１０から直接的に、基板処理部１（具体的には処理槽３）に処理液ＬＱが供給されてもよい。つまり、第１貯留槽２１０は、基板処理部１（具体的には処理槽３）に対して、直接的に処理液ＬＱを供給してもよい。この場合でも、第１貯留槽２１０において、処理液ＬＱの濃度を目標値に早く到達させることができる。第１貯留槽２１０から直接的に基板処理部１に処理液ＬＱを供給する場合は、例えば、第１温調ユニット２００の第１循環配管Ｐ６に、複数の配管Ｐ３を接続して、複数の配管Ｐ３にそれぞれ複数のバルブ３１４を配置する。この場合は、バルブ２１４、２２０は設けない。
また、実施形態１において、図２に示すように、排気配管２７３の流路２７５の断面積Ａは、式（１）を満たすことが好ましい。式（１）において、「Ｖ」は、処理液ＬＱを基準沸点以上に加熱する処理と処理液ＬＱに気体ＧＡを供給する処理とが実行されていない場合において、排気配管２７３の流路２７５を流れる排出気体の流速を示す。「Ｑ」は、処理液ＬＱの液面からの水蒸気及び気体ＧＡの単位時間当たりの排気量を示す。
Ａ×Ｖ≧Ｑ …（１）
排気配管２７３の流路２７５の断面積Ａが式（１）を満たすと、処理液ＬＱの液面から排出される水蒸気及び気体を効果的に排気できる。従って、処理液ＬＱ中の水分の蒸発が更に促進される。その結果、処理液ＬＱの濃度を目標値に更に早く到達させることができる。
なお、式（１）において、「Ｖ」は、処理液ＬＱを基準沸点以上に加熱する処理と処理液ＬＱに気体ＧＡを供給する処理とが実行されている場合において、排気配管２７３の流路２７５を流れる排出気体の流速を示してもよい。
次に、図２及び図３を参照して、気体供給ユニット２８０を説明する。図３は、気体供給ユニット２８０を示す模式的平面図である。なお、図２の気体供給ユニット２８０においては、図３のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面が示されている。
図３に示すように、気体供給ユニット２８０の複数の気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０の内部において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２に間隔をあけて配置される。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に略直交し、水平方向に略平行である。気体供給部材２８１は、第１方向Ｄ１に延びている。複数の気体供給部材２８１の各々において、複数の気体供給口Ｇは、第１方向Ｄ１に間隔をあけて略一直線上に配置される。複数の気体供給部材２８１の各々において、各気体供給口Ｇは、気体供給部材２８１の上面部に設けられる。そして、各気体供給口Ｇは、上方に向けて、つまり、処理液ＬＱの液面に向けて、処理液ＬＱに気体ＧＡを供給する。この場合、各気体供給口Ｇは、気体ＧＡを気泡ＢＢとして処理液ＬＱに供給する。
なお、気体供給口Ｇから処理液ＬＱに気体ＧＡ（具体的には気泡ＢＢ）を供給できる限りにおいては、気体供給口Ｇの位置は特に限定されない。また、各気体供給部材２８１において、複数の気体供給口Ｇは、等間隔に配置されていてもよいし、不当間隔に配置されていてもよい。さらに、気体供給部材２８１の姿勢は、特に限定されない。
複数の気体供給部材２８１の各々は、第１端部２８１ａと、第２端部２８１ｂとを有する。第１端部２８１ａは、第１方向Ｄ１における気体供給部材２８１の両端部のうちの一方端部である。第２端部２８１ｂは、第１方向Ｄ１における気体供給部材２８１の両端部のうちの他方端部である。
複数の気体供給部材２８１の第１端部２８１ａには、第１配管２８３が接続される。第１配管２８３は、第２方向Ｄ２に延びている。第１配管２８３の流路ＦＷ１（図２）と各気体供給部材２８１の流路ＦＷ０（図２）とは連通している。各気体供給部材２８１の第１端部２８１ａ及び第１配管２８３は、第１保持部材２８７に保持される。第１保持部材２８７は、例えば、略直方体形状を有する。第１保持部材２８７は、第２方向Ｄ２に延びている。
複数の気体供給部材２８１の第２端部２８１ｂは、閉塞されている。各気体供給部材２８１の第２端部２８１ｂは、第２保持部材２８９に保持される。第２保持部材２８９は、例えば、略直方体形状を有する。第２保持部材２８９は、第２方向Ｄ２に延びている。第２保持部材２８９は、第１保持部材２８７に対して略平行である。
気体供給部材２８１の第１端部２８１ａ及び第２端部２８１ｂがそれぞれ第１保持部材２８７及び第２保持部材２８９によって保持されることで、気体供給部材２８１の変形を抑制できる。また、図２及び図３に示すように、第１保持部材２８７は、複数の第１固定部材２９１によって、第１貯留槽２１０の底部２３０ａに固定される。また、第２保持部材２８９は、複数の第２固定部材２９３によって、第１貯留槽２１０の底部２３０ａに固定される。
また、第２配管２８５の下端部は、第１配管２８３に接続される。第２配管２８５は、第３方向Ｄ３に延びている。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に略直交する。第３方向Ｄ３は、鉛直方向に略平行である。第２配管２８５の流路ＦＷ２と第１配管２８３の流路ＦＷ２とは連通している。
引き続き図２を参照して、気体供給機構２５０を説明する。気体供給機構２５０は、気体供給源２６３から供給される気体ＧＡを、配管２６１から、第２配管２８５及び第１配管２８３を通して、各気体供給部材２８１に供給する。
具体的には、気体供給機構２５０は、バルブ２５１と、フィルター２５３と、流量計２５７と、調整バルブ２５９とを含む。バルブ２５１、フィルター２５３、流量計２５７、及び、調整バルブ２５９は、この順番に配管２６１の下流から上流に向かって、配管２６１に配置される。
調整バルブ２５９は、配管２６１の開度を調節して、各気体供給部材２８１に供給される気体ＧＡの流量を調整する。流量計２５７は、配管２６１を流れる気体ＧＡの流量を計測する。調整バルブ２５９は、流量計２５７に計測結果に基づいて気体の流量を調整する。なお、例えば、調整バルブ２５９及び流量計２５７に代えて、マスフローコントローラーを設けてもよい。
フィルター２５３は、配管２６１を流れる気体ＧＡから異物を除去する。バルブ２５１は、配管２６１を開閉する。つまり、バルブ２５１は、配管２６１からの気体供給部材２８１に対する気体ＧＡの供給と供給停止とを切り替える。
次に、図１、図２、及び、図４を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理方法を説明する。図４は、実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図４に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ１０を含む。基板処理方法は、基板処理システム１００によって実行される。そして、基板処理方法は、基板処理部１の処理槽３に貯留された処理液ＬＱに、間隔をあけて整列された複数の基板Ｗを浸漬して、複数の基板Ｗを処理液ＬＱによって処理する。また、工程Ｓ１～工程Ｓ８は、「処理液温調方法」の一例に相当する。
図１、図２、及び、図４に示すように、工程Ｓ１において、制御装置Ｕ４の制御によって、第１温調ユニット２００の第１ヒーター２１６は、処理液ＬＱの加熱を開始する。具体的には、第１ヒーター２１６は、基板Ｗを処理するための処理液ＬＱを、処理液ＬＱの基準沸点以上に加熱する。
次に、工程Ｓ２において、制御装置Ｕ４による気体供給機構２５０の制御によって、各気体供給部材２８１は、第１貯留槽２１０に貯留された処理液ＬＱに気体ＧＡ（具体的には気泡ＢＢ）を供給することを開始する。つまり、各気体供給部材２８１は、第１ヒーター２１６によって基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱからの水分の蒸発を促進する気体ＧＡ（具体的には気泡ＢＢ）を、第１貯留槽２１０に貯留された処理液ＬＱに供給する。
次に、工程Ｓ３において、排気配管部２７０は、第１貯留槽２１０の処理液ＬＱの液面から出てくる水蒸気及び気体ＧＡを排出する。つまり、排気配管部２７０は、第１貯留槽２１０から水蒸気及び気体ＧＡを排出する。なお、水蒸気及び気体ＧＡの排出に限られず、排気配管部２７０による第１貯留槽２１０からの排気は、継続して常時行われている。
次に、工程Ｓ４において、制御装置Ｕ４は、第１計測部２１２の計測結果に基づいて、処理液ＬＱの濃度が目標値に到達したか否かを判定する。
工程Ｓ４で処理液ＬＱの濃度が目標値に到達していないと判定された場合は、処理は、処理液ＬＱの濃度が目標値に到達したと判定されるまで工程Ｓ４を繰り返す。
一方、工程Ｓ４で処理液ＬＱの濃度が目標値に到達したと判定された場合は、処理は、工程Ｓ５に進む。
工程Ｓ５において、制御装置Ｕ４は、第１貯留槽２１０から第２貯留槽３１０への処理液ＬＱの供給タイミングが到来したか否かを判定する。処理液ＬＱの供給タイミングは、例えば、第２貯留槽３１０の処理液ＬＱの量が所定値以下になった時である。
工程Ｓ５で供給タイミングが到来していないと判定された場合、処理は、供給タイミングが到来したと判定されるまで工程Ｓ５を繰り返す。
一方、工程Ｓ５で供給タイミングが到来したと判定された場合、処理は、工程Ｓ６に進む。
工程Ｓ６において、制御装置Ｕ４によるバルブ２１４、２２０の制御によって、第１貯留槽２１０は、第２貯留槽３１０に処理液ＬＱを供給する。つまり、第１貯留槽２１０から第２貯留槽３１０に処理液ＬＱが供給される。
次に、工程Ｓ７において、制御装置Ｕ４の制御によって、第２ヒーター３１６は、第２貯留槽３１０に貯留される処理液ＬＱの温度を調節して、間接的に、処理液ＬＱの濃度を目標値に維持する。
工程Ｓ８において、制御装置Ｕ４によるバルブ３１４の制御によって、第２貯留槽３１０は、基板処理部１（具体的には処理槽３）に処理液ＬＱを供給する。つまり、第２貯留槽３１０から基板処理部１（具体的には処理槽３）に処理液ＬＱが供給される。
ここで、第２貯留槽３１０から処理槽３への処理液ＬＱの供給目的は、基板Ｗの処理により処理槽３に貯留された処理液ＬＱ中のシリコン濃度の上昇を抑制して、処理槽３においてシリコン濃度を目標値に維持することである。このため、例えば、処理槽３の処理液ＬＱの液量に依存することなく、過去実績に基づいてシリコン濃度を目標値に維持するために必要な量の処理液ＬＱが、シリコン濃度を希釈するために、第２貯留槽３１０から処理槽３へ継続して供給される。なお、第１貯留槽２１０及び第２貯留槽３１０に貯留された処理液ＬＱはシリコンを含んでいない。
なお、例えば、インラインで継続して処理液ＬＱ中のシリコン濃度を測定できる測定機器がある場合は、測定機器による測定結果に基づいて、シリコン濃度が目標値を超えて上昇した際に第２貯留槽３１０から処理槽３に処理液ＬＱを供給し、シリコン濃度が目標値まで下がった際に処理液ＬＱの供給を停止することもできる。
次に、工程Ｓ９において、制御装置Ｕ４の制御によって、搬送ロボット（不図示）が基板Ｗを基板処理部１の基板保持部（不図示）に搬送し、更に、基板保持部は、処理槽３の処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬して、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを処理する。
次に、工程Ｓ１０において、制御装置Ｕ４の制御によって、基板処理部１の基板保持部（不図示）は、処理槽３の処理液ＬＱから複数の基板Ｗを引き上げ、更に、搬送ロボット（不図示）が基板保持部から基板Ｗを受け取って搬送する。そして、基板処理方法が終了する。
以上、図４を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法では、第１貯留槽２１０に貯留する処理液ＬＱを基準沸点以上に加熱することと並行して、第１貯留槽２１０に貯留する処理液ＬＱに、水分の蒸発を促進する気体ＧＡを供給することと、第１貯留槽２１０から水蒸気及び気体ＧＡを排気することとを実行している。従って、処理液ＬＱから水分の蒸発が促進されて、処理液ＬＱの濃度を早く目標値に到達させることができる。
（実施形態２）
図５及び図６を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理システム１００Ａを説明する。実施形態２に係る基板処理システム１００Ａの基板処理部１Ａが、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。
図５は、実施形態２に係る基板処理システム１００Ａを示す模式図である。図５に示すように、基板処理システム１００Ａは、図１に示す処理装置Ｕ１に代えて、処理装置Ｕ１Ａを備える。処理装置Ｕ１Ａは、複数の基板処理部１Ａを含む。複数の基板処理部１Ａの各々は、チャンバー４００と、ノズル４０１と、スピンチャック４０２と、スピンモーター４０３と、カップ４０４とを含む。
チャンバー４００は、ノズル４０１、スピンチャック４０２、スピンモーター４０３、及び、カップ４０４を収容する。スピンモーター４０３は、回転軸線の回りにスピンチャック４０２を回転させる。その結果、スピンチャック４０２は、基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線の回りに基板Ｗを回転させる。回転軸線は鉛直方向に略平行である。ノズル４０１は、処理液温調装置Ｕ２から供給される処理液ＬＱを、回転中の基板Ｗに吐出する。カップ４０４は、回転軸線に対する周方向に沿ってスピンチャック４０２を囲んでいる。カップ４０４は、基板Ｗから飛散した処理液ＬＱを受け止めて、処理液ＬＱを回収又は排出する。
処理液温調装置Ｕ２は、複数のバルブ３１４にそれぞれ対応する複数の流量計３９１と、複数のバルブ３１４にそれぞれ対応する複数の流量調整バルブ３９２とを備える。流量計３９１及び流量調整バルブ３９２は、バルブ３１４よりも配管Ｐ３の下流に配置される。
流量計３９１は、配管Ｐ３を流れる処理液ＬＱの流量を検出して、流量を示す検出信号を出力する。流量調整バルブ３９２、配管Ｐ３を流れる処理液ＬＱの流量を調整する。バルブ３１４は、配管Ｐ３を開放又は閉塞して、ノズル４０１に対して処理液ＬＱの供給開始と供給停止とを切り替える。
実施形態２に係る基板処理システム１００Ａは、実施形態１に係る基板処理システム１００と同様に、第１温調ユニット２００を備える。従って、実施形態２では、実施形態１と同様に、第１貯留槽２１０の処理液ＬＱの濃度を目標値に早く到達させることができる。また、実施形態２に係る基板処理システム１００Ａは、実施形態１に係る基板処理システム１００と同様に、第２温調ユニット３００を備える。従って、実施形態２では、実施形態１と同様に、第２循環配管Ｐ９に流れる処理液ＬＱの流量を適切に制御できる。さらに、実施形態２では、基板処理システム１００Ａは複数の基板処理部１Ａ（例えば、１２個～２４個）を有しているため、処理液ＬＱの使用量が多くなる。しかしながら、実施形態２では、実施形態１と同様に、処理液ＬＱの濃度を目標値に早く到達させることができるので、基板処理システム１００Ａが複数の基板処理部１Ａを有している場合であっても、第２貯留槽３１０から各基板処理部１Ａへ、濃度が目標値に到達した処理液ＬＱを所望の流量で安定して供給できる。その他、実施形態２に係る基板処理システム１００Ａは、実施形態１に係る基板処理システム１００と同様の効果を有する。
なお、図５では、図面の簡略化のために、図１に示す配管Ｐ４、Ｐ５、Ｐ８、Ｐ１０、バルブ２２１、２２２、２２３、２２４、３２０、第１計測部２１２、及び、第２計測部３１２を省略している。
次に、図６を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理方法を説明する。図６は、実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図６に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ２１～工程Ｓ３１を含む。基板処理方法は、基板処理システム１００Ａによって実行される。そして、基板処理方法は、回転中の基板Ｗに対して処理液ＬＱを吐出して、基板Ｗを処理する。また、工程Ｓ２１～工程Ｓ２９は、「処理液温調方法」の一例に相当する。
図６に示すように、工程Ｓ２１～工程Ｓ２７の処理は、図４に示す工程Ｓ１から工程Ｓ７の処理と同様であり、説明を省略する。
次に、工程Ｓ２８において、制御装置Ｕ４は、複数の基板処理部１Ａのうちのいずれかの基板処理部１Ａ（具体的にはノズル４０１）への処理液ＬＱの供給タイミングが到来したか否かを判定する。処理液ＬＱの供給タイミングは、例えば、ノズル４０１から基板Ｗへの処理液ＬＱの吐出タイミングである。
工程Ｓ２８で供給タイミングが到来していないと判定された場合、処理は、供給タイミングが到来したと判定されるまで工程Ｓ２８を繰り返す。
一方、工程Ｓ２８で供給タイミングが到来したと判定された場合、処理は、工程Ｓ２９に進む。
工程Ｓ２９において、制御装置Ｕ４によるバルブ３１４の制御によって、第２貯留槽３１０は、基板処理部１Ａ（具体的にはノズル４０１）に処理液ＬＱを供給する。つまり、第２貯留槽３１０から基板処理部１（具体的にはノズル４０１）に処理液ＬＱが供給される。
次に、工程Ｓ３０において、基板処理部１のノズル４０１は、回転中の基板Ｗに処理液ＬＱを吐出して、処理液ＬＱによって基板Ｗを処理する。
具体的には、ノズル４０１が基板Ｗに処理液ＬＱを吐出する前に、搬送ロボット（不図示）により搬送された基板Ｗがスピンチャック４０２に保持される。そして、ノズル４０は、スピンチャック４０２に保持されて回転している基板Ｗに処理液ＬＱを吐出する。
次に、工程Ｓ３１において、制御装置Ｕ４の制御によって、搬送ロボット（不図示）は、基板処理部１Ａのチャンバー４００から基板Ｗを搬出する。そして、基板処理方法が終了する。
以上、図６を参照して説明したように、実施形態２に係る基板処理方法では、第１貯留槽２１０に貯留する処理液ＬＱを基準沸点以上に加熱することと並行して、第１貯留槽２１０に貯留する処理液ＬＱに、水分の蒸発を促進する気体ＧＡを供給することと、第１貯留槽２１０から水蒸気及び気体ＧＡを排気することとを実行している。従って、処理液ＬＱから水分の蒸発が促進されて、処理液ＬＱの濃度を早く目標値に到達させることができる。
（実施形態３）
図７～図１０を参照して、本発明の実施形態３に係る基板処理システム１００Ｂを説明する。実施形態３に係る基板処理システム１００Ｂが、処理槽１１０にて処理液ＬＱを基準沸点以上に加熱する点で、実施形態３は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態３が実施形態１と異なる点を主に説明する。
まず、図７を参照して、基板処理システム１００Ｂを説明する。図７は、実施形態３に係る基板処理システム１００Ｂを示す模式的断面図である。基板処理システム１００Ｂは、バッチ式であり、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを一括して処理する。基板処理システム１００Ｂは、「処理液温調装置」の一例に相当する。
図７に示すように、基板処理システム１００Ｂは、処理槽１１０と、基板保持部１２０と、複数の循環処理液供給部材１３０と、循環部１４０と、処理液供給部１５０と、希釈液供給部１６０と、排液部１７０と、気体供給機構２５０と、排気配管部２７０と、気体供給ユニット２８０Ａと、制御装置Ｕ４とを備える。実施形態３では、処理槽１１０が「基板処理部」に相当する。
処理槽１１０は、処理液ＬＱを貯留する。そして、処理槽１１０は、処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬して、複数の基板Ｗを処理する。処理槽１１０は、「第１貯留槽」の一例に相当する。
基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は、リフターを含む。基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、間隔をあけて整列した複数の基板Ｗを浸漬する。複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０に処理液ＬＱを供給する。循環部１４０は、処理槽１１０に貯留されている処理液ＬＱを循環させて、処理液ＬＱを循環処理液供給部材１３０の各々に供給する。処理液供給部１５０は、処理液ＬＱを処理槽１１０に供給する。希釈液供給部１６０は、希釈液を処理槽１１０に供給する。排液部１７０は、処理槽１１０の処理液ＬＱを排出する。希釈液は、例えば、水である。その他、希釈液は、実施形態１に係る希釈液と同様である。
気体供給ユニット２８０Ａは、処理槽１１０の処理液ＬＱ中に、気体供給機構２５０から供給される気体ＧＡを供給する。具体的には、気体供給ユニット２８０Ａは、処理槽１１０の処理液ＬＱ中に気体ＧＡの気泡ＢＢを供給する。気体ＧＡは、例えば、不活性ガスである。気体ＧＡは、例えば、基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱから水分の蒸発を促進する気体である。その他、気体ＧＡは、実施形態１に係る気体ＧＡと同じである。
気体供給機構２５０は気体ＧＡを気体供給ユニット２８０Ａに供給する。排気配管部２７０は、処理槽１１０から水蒸気及び気体ＧＡを排気する。制御装置Ｕ４は、基板処理システム１００Ｂの各構成を制御する。例えば、制御装置Ｕ４は、基板保持部１２０、循環部１４０、処理液供給部１５０、希釈液供給部１６０、排液部１７０、及び、気体供給機構２５０を制御する。
具体的には、処理槽１１０は、内槽１１２及び外槽１１４を含む二重槽構造を有している。内槽１１２及び外槽１１４はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽１１２は、処理液ＬＱを貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１４は、内槽１１２の上部開口の外側面に設けられる。外槽１１４の上縁の高さは、内槽１１２の上縁の高さよりも高い。
処理槽１１０は、蓋１１６をさらに有する。蓋１１６は、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。蓋１１６が閉じることにより、蓋１１６は、内槽１１２の上部開口を塞ぐことができる。
蓋１１６は、開戸部１１６ａと、開戸部１１６ｂとを有する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上部開口のうちの一方側に位置する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上部開口のうちの他方側に位置する。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ａ及び開戸部１１６ｂが閉じて内槽１１２の上部開口を覆うことにより、処理槽１１０の内槽１１２を塞ぐことができる。
基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直上方又は鉛直下方に移動する。基板保持部１２０が鉛直下方に移動することにより、基板保持部１２０によって保持されている複数の基板Ｗは、内槽１１２に貯留されている処理液ＬＱに浸漬される。
基板保持部１２０は、本体板１２２と、保持棒１２４とを含む。本体板１２２は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる板である。保持棒１２４は、本体板１２２の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。図７の例では、３つの保持棒１２４が本体板１２２の一方の主面から水平方向に延びる。複数の基板Ｗは、間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒１２４によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。
基板保持部１２０は、昇降ユニット１２６をさらに含んでもよい。昇降ユニット１２６は、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２内に位置する処理位置（図８（ｂ）に示す位置）と、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２の上方に位置する退避位置（図８（ａ）に示す位置）との間で本体板１２２を昇降させる。したがって、昇降ユニット１２６によって本体板１２２が処理位置に移動させられることにより、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬される。これにより、複数の基板Ｗに対して処理が施される。
複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０の内槽１１２に処理液ＬＱを供給する。複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０の内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部１１０ａに配置される。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、略筒形状を有する。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、例えば、管である。
具体的には、複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、複数の処理液吐出口Ｐを有する。図７では、１つの循環処理液供給部材１３０に対して１つの処理液吐出口Ｐだけが表れている。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、複数の処理液吐出口Ｐから処理液ＬＱを内槽１１２に供給する。なお、図７では処理液吐出口Ｐは斜め上方を向いているがこれに限られず、処理液吐出口Ｐは、下方又は側方を向いていてもよい。
循環部１４０は、配管１４１と、ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５、バルブ１４６、及び、計測部１４７を含む。ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５及びバルブ１４６は、この順番に配管１４１の上流から下流に向かって配置される。ヒーター１４３は、「第１温調部」の一例に相当する。
配管１４１は、処理槽１１０から送出された処理液ＬＱを再び処理槽１１０に導く。具体的には、配管１４１の上流端が外槽１１４に接続されている。従って、配管１４１は、外槽１１４から循環処理液供給部材１３０に処理液ＬＱを導く。配管１４１の下流端に、複数の循環処理液供給部材１３０が接続される。
ポンプ１４２は、配管１４１から複数の循環処理液供給部材１３０に処理液ＬＱを送る。従って、循環処理液供給部材１３０は、配管１４１から供給された処理液ＬＱを処理槽１１０に供給する。フィルター１４４は、配管１４１を流れる処理液ＬＱをろ過する。
ヒーター１４３は、配管１４１を流れる処理液ＬＱの温度を加熱する。つまり、ヒーター１４３は、処理液ＬＱの温度を調節する。
具体的には、ヒーター１４３は、基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬して基板Ｗを処理する期間において、処理液ＬＱの温度を、処理液ＬＱの基準沸点よりも低い所定温度（以下、「所定温度ＴＭ」）に維持する。所定温度ＴＭは一定の幅を有していてもよい。
また、ヒーター１４３は、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されていない期間において、処理液ＬＱの濃度を目標値に到達させる場合は、処理液ＬＱの温度を、処理液ＬＱの基準沸点以上に加熱する。
詳細には、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されていない期間において、ヒーター１４３は、処理槽１１０に供給する処理液ＬＱであって、基板Ｗを処理するための処理液ＬＱを、処理液ＬＱの基準沸点以上に加熱する。つまり、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されていない期間において、ヒーター１４３は、配管１４１に流れる処理液ＬＱを、処理液ＬＱの基準沸点以上に加熱する。さらに、基板処理システム１００Ｂは、処理槽１１０での制御条件に従って、希釈液供給源ＴＫＢから希釈液を処理槽１１０に補充しつつ、処理液ＬＱの濃度を目標値に到達させる。
処理液ＬＱの基準沸点とは、配管１４１からではなく、処理液供給源ＴＫＡから処理槽１１０に新規に供給される処理液ＬＱの濃度での沸点のことである。
その他、ヒーター１４３は、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されていない期間において、実施形態１に係る第１ヒーター２１６と同様に動作する。
調整バルブ１４５は、配管１４１の開度を調節して、複数の循環処理液供給部材１３０に供給される処理液ＬＱの流量を調整する。バルブ１４６は配管１４１を開閉する。
計測部１４７は、配管１４１を流れる処理液ＬＱの濃度を示す物理量を計測する。処理液ＬＱの濃度を示す物理量の定義は、実施形態１の場合と同様である。従って、計測部１４７は、濃度計又は比重計である。なお、計測部１４７は、処理槽１１０（内槽１１２又は外槽１１４）に貯留された処理液ＬＱの濃度を示す物理量を計測してもよい。配管１４１を流れる処理液ＬＱの濃度及び温度は、それぞれ、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱの濃度及び温度と、略同じである。
処理液供給部１５０は、ノズル１５２と、配管１５４と、バルブ１５６とを含む。ノズル１５２は処理液ＬＱを外槽１１４に吐出する。ノズル１５２は、配管１５４に接続される。配管１５４には、処理液供給源ＴＫＡからの処理液ＬＱが供給される。配管１５４には、バルブ１５６が配置される。
バルブ１５６が開かれると、ノズル１５２から吐出された処理液ＬＱが、外槽１１４内に供給される。そして、処理液ＬＱは、外槽１１４から、配管１４１を通って、循環処理液供給部材１３０から、内槽１１２に供給される。
希釈液供給部１６０は、ノズル１６２と、配管１６４と、バルブ１６６とを含む。ノズル１６２は、希釈液を外槽１１４に吐出する。ノズル１６２は、配管１６４に接続される。配管１６４には、希釈液供給源ＴＫＢからの希釈液が供給される。配管１６４には、バルブ１６６が配置される。バルブ１６６が開かれると、ノズル１６２から吐出された希釈液が、外槽１１４内に供給される。
例えば、制御装置Ｕ４は、処理液ＬＱの濃度を目標値にするために、計測部１４７による計測結果に基づいてバルブ１６６を開放して、希釈液供給源ＴＫＢから処理槽１１０に希釈液を供給することがある。
排液部１７０は、排液配管１７０ａと、バルブ１７０ｂとを含む。そして、処理槽１１０の内槽１１２の底壁には、排液配管１７０ａが接続される。排液配管１７０ａにはバルブ１７０ｂが配置される。バルブ１７０ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱは排液配管１７０ａを通って外部に排出される。排出された処理液ＬＱは排液処理装置（図示しない）へと送られ、処理される。
気体供給ユニット２８０Ａは、処理槽１１０の内部に配置される。具体的には、気体供給ユニット２８０Ａは、少なくとも１つの気体供給部材１８０と、少なくとも１つの支持部材１８５とを含む。実施形態３では、気体供給ユニット２８０Ａは、複数の気体供給部材１８０と、複数の支持部材１８５とを含む。
複数の気体供給部材１８０及び複数の支持部材１８５は、処理槽１１０の内部に配置される。詳細には、複数の気体供給部材１８０は、処理槽１１０の内部において、処理槽１１０の底部１１０ａに配置される。具体的には、複数の気体供給部材１８０は、処理槽１１０の内槽１１２に配置される。詳細には、複数の気体供給部材１８０は、内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部１１０ａに配置される。
複数の気体供給部材１８０の各々は、対応する支持部材１８５によって支持される。具体的には、複数の気体供給部材１８０の各々は、対応する支持部材１８５に固定される。従って、気体供給部材１８０の変形を抑制できる。複数の支持部材１８５は、処理槽１１０の底部１１０ａに固定される。具体的には、複数の支持部材１８５は、内槽１１２の底部１１０ａに固定される。
複数の気体供給部材１８０の各々は、略筒形状を有する。気体供給部材１８０の各々は、例えば、管である。気体供給部材１８０の材質は、例えば、石英、又は、樹脂である。複数の気体供給部材１８０の各々は、流路ＦＷ０を有する。
気体供給機構２５０は、気体供給源２６３から供給される気体ＧＡを、配管２６１から、各気体供給部材１８０に供給する。その他、気体供給機構２５０の構成は、実施形態１に係る気体供給機構２５０の構成と同様である。
そして、気体供給部材１８０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）に貯留された処理液ＬＱに気体ＧＡを供給する。具体的には、気体供給部材１８０は、上方に向けて、つまり、処理液ＬＱの液面に向けて、気体ＧＡを処理液ＬＱに供給する。この場合、気体供給部材１８０は、気体ＧＡを気泡ＢＢとして処理液ＬＱに供給する。気体供給部材１８０は、例えば、バブラーである。
具体的には、気体供給部材１８０は、基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬して基板Ｗを処理する期間において、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱであって、基準沸点よりも低い所定温度ＴＭの処理液ＬＱに対して、気体を供給する。
また、気体供給部材１８０は、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されていない期間において、処理液ＬＱの濃度を目標値に到達させる場合は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱであって、基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱに気体ＧＡを供給する。
また、複数の気体供給部材１８０の各々は、複数の気体供給口Ｇをさらに有する。図７では、１つの気体供給部材１８０に対して１つの気体供給口Ｇだけが表れている。具体的には、複数の気体供給部材１８０の各々は、略筒状の突起１８２を有している。そして、突起１８２に気体供給口Ｇが設けられる。
気体供給部材１８０は、基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬して基板Ｗを処理する期間において、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）に貯留された処理液ＬＱであって、基準沸点よりも低い所定温度ＴＭに維持された処理液ＬＱに向けて、複数の気体供給口Ｇから気体ＧＡを供給する。
また、気体供給部材１８０は、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されていない期間において、処理液ＬＱの濃度を目標値に到達させる場合は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）に貯留された処理液ＬＱであって、基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱに向けて、複数の気体供給口Ｇから気体ＧＡを供給する。具体的には、この場合は、気体供給部材１８０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）に貯留された処理液ＬＱであって、基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱに向けて、複数の気体供給口Ｇから、気体ＧＡを複数の気泡ＢＢとして供給する。
その他、気体供給部材１８０及び気体供給口Ｇの構成及び動作は、実施形態１に係る気体供給部材２８１及び気体供給口Ｇの構成及び動作と同様である。
排気配管部２７０は、処理槽１１０の上部に接続される。図７の例では、排気配管部２７０は、蓋１１６に接続される。排気配管部２７０は、基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬して基板Ｗを処理する期間において、処理槽１１０から気体を排出する。
また、排気配管部２７０は、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されていない期間において、処理液ＬＱの濃度を目標値に到達させる場合は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）から水蒸気及び気体を排気する。排気される気体は、気体供給部材１８０から処理液ＬＱ中に供給された気体ＧＡであって、処理液ＬＱの液面から出てきた気体ＧＡである。また、排気される水蒸気は、基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱに含まれる水分が蒸発して発生する水蒸気であって、処理液ＬＱの液面から出てきた水蒸気である。排気配管部２７０は、連結部材２７１と、排気配管２７３を含む。その他、排気配管部２７０の構成は、実施形態１に係る排気配管部２７０の構成と同様である。
制御装置Ｕ４は、昇降ユニット１２６、バルブ１４６、調整バルブ１４５、ヒーター１４３、ポンプ１４２、バルブ１５６、バルブ１６６、バルブ１７０ｂ、及び、気体供給機構２５０を制御する。
以上、図７を参照して説明したように、実施形態３によれば、処理液ＬＱに基板Ｗが浸漬されていない期間において、気体供給部材１８０は、ヒーター１４３によって基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱに対して、水分の蒸発を促進する気体ＧＡを供給する。これにより、処理液ＬＱ中の水分の蒸発が促進される。その結果、気体ＧＡを供給しない場合と比較して、処理槽１１０において処理液ＬＱの濃度を目標値に早く到達させることができる。
また、実施形態３では、気体供給部材１８０は、処理液ＬＱに基板Ｗが浸漬されていない期間において、処理槽１１０の処理液ＬＱに、気体ＧＡの気泡ＢＢを供給している。従って、実施形態１と同様に、処理液ＬＱの液面に向かって上昇する気泡ＢＢによって、処理液ＬＱ中の水分の蒸発を更に促進できる。その他、実施形態３では、実施形態１と同様の効果を有する。
また、実施形態３では、処理液ＬＱは「燐酸を含有する液体」であることが好ましい。この点は、実施形態１と同様である。
特に、実施形態３では、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されていない期間において、ヒーター１４３は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱの一部又は全部が排出されて、処理液ＬＱの一部又は全部を新たな処理液ＬＱに入れ替えた後に、処理液ＬＱを基準沸点以上に加熱することが好ましい。新たな処理液ＬＱは、処理液供給源ＴＫＡから供給される処理液であって、配管１４１から供給される処理液とは異なる。加えて、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されていない期間において、各気体供給部材１８０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱの一部又は全部が排出されて、処理液ＬＱの一部又は全部を新たな処理液ＬＱに入れ替えた後に、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに気体を供給することが好ましい。
これらの好ましい例では、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱの一部又は全部が排出されて、処理液ＬＱの一部又は全部を新たな処理液ＬＱに入れ替えた後に、処理液ＬＱの濃度を早く目標値に到達させることができる。その結果、基板処理システム１００Ｂの稼働率を向上させることができる。
例えば、処理槽１１０の処理液ＬＱ中の特定成分（例えばシリコン）の濃度を下げる場合に、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱの一部が排出されて、処理液ＬＱの一部を新たな処理液ＬＱに入れ替える。
例えば、処理槽１１０を洗浄する場合に、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱの全部が排出されて、処理液ＬＱの全部を新たな処理液ＬＱに入れ替える。
また、実施形態３では、基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬して基板Ｗを処理する期間において、各気体供給部材１８０は、複数の気体供給口Ｇから処理液ＬＱに気体ＧＡを吹き出すことで、複数の気体供給口Ｇから処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡ＢＢを供給する。従って、多数の気泡ＢＢによって、各基板Ｗの表面に接触する処理液ＬＱを新鮮な処理液ＬＱに効果的に置換できる。その結果、基板Ｗの表面に、凹部を含む表面パターンが形成されている場合に、拡散現象によって凹部内の処理液ＬＱを新鮮な処理液ＬＱに効果的に置換できる。よって、表面パターンの凹部内の壁面を、浅い位置から深い位置まで処理液ＬＱによって効果的に処理できる。
次に、図８を参照して、基板Ｗを処理槽１１０に浸漬する前及び後の基板処理システム１００Ｂを説明する。図８（ａ）及び図８（ｂ）は、基板Ｗを処理槽１１０に投入する前及び後の基板処理システム１００Ｂの模式的斜視図である。なお、図８では、図面が過度に複雑になることを避けるために、図７に示した蓋１１６及び処理槽１１０内の処理液ＬＱを省略して示している。
図８（ａ）に示すように、基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。複数の基板Ｗは、第１方向Ｄ１０（Ｙ方向）に沿って一列に配列される。換言すれば、第１方向Ｄ１０は、複数の基板Ｗの配列方向を示す。第１方向Ｄ１０は、水平方向に略平行である。また、複数の基板Ｗの各々は、第２方向Ｄ２０に略平行である。第２方向Ｄ２０は、第１方向Ｄ１０に略直交し、水平方向に略平行である。
図８（ａ）では、基板保持部１２０は、処理槽１１０の内槽１１２の上方に位置する。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直下方（Ｚ方向）に下降する。これにより、複数の基板Ｗが処理槽１１０に投入される。
図８（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が処理槽１１０にまで下降すると、複数の基板Ｗは、処理槽１１０内の処理液ＬＱに浸漬する。なお、図８（ｂ）には図示していないが、図７に示したように、内槽１１２の上部開口は蓋１１６によって塞がれる。
次に、図９を参照して、気体供給ユニット２８０Ａを説明する。図９は、気体供給ユニット２８０Ａを示す模式的平面図である。図９に示すように、気体供給ユニット２８０Ａの気体供給部材１８０及び循環処理液供給部材１３０は、平面視において、互いに略平行に、かつ、間隔をあけて配置される。平面視において、２つの循環処理液供給部材１３０のうちの一方は、２つの気体供給部材１８０の間に配置される。また、平面視において、２つの循環処理液供給部材１３０のうちの他方は、他の２つの気体供給部材１８０の間に配置される。さらに、平面視において、４つの気体供給部材１８０のうち、真ん中の２つの気体供給部材１８０は、第２方向Ｄ２０に対向している。
具体的には、複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて配置される。循環処理液供給部材１３０は、第１方向Ｄ１０に延びている。複数の循環処理液供給部材１３０の各々において、複数の処理液吐出口Ｐは、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて略一直線上に配置される。
複数の気体供給部材１８０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて配置される。気体供給部材１８０は、第１方向Ｄ１０に延びている。複数の気体供給部材１８０の各々において、複数の気体供給口Ｇは、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて略一直線上に配置される。複数の気体供給部材１８０の各々において、各気体供給口Ｇは、気体供給部材１８０の上面部に設けられる。そして、各気体供給口Ｇは、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）の底部１１０ａにおいて上方に向けて気泡ＢＢを供給する。なお、気体供給口Ｇから気泡ＢＢを供給できる限りにおいては、気体供給口Ｇの位置は特に限定されない。また、複数の気体供給部材１８０において、複数の気体供給口Ｇは、等間隔に配置されていてもよいし、不当間隔に配置されていてもよい。
複数の気体供給部材１８０の各々は、第１端部１８０ａと、第２端部１８０ｂとを有する。第１端部１８０ａは、第１方向Ｄ１０における気体供給部材１８０の両端部のうちの一方端部である。第２端部１８０ｂは、第１方向Ｄ１０における気体供給部材１８０の両端部のうちの他方端部である。
第１端部１８０ａには、配管２６１が接続される。従って、気体供給機構２５０は、気体供給源２６３から供給される気体ＧＡを、配管２６１から、各気体供給部材１８０に供給する。第２端部１８０ｂは閉塞されている。その他、気体供給部材１８０の構成は、実施形態１に係る気体供給部材２８１の構成と同様である。
複数の支持部材１８５は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて配置される。支持部材１８５は、第１方向Ｄ１０に延びている。支持部材１８５は、図９の例では、略平板形状を有する。気体供給ユニット２８０Ａの第２方向Ｄ２０の一方端に位置する支持部材１８５は１つの気体供給部材１８０を支持し、他方端に位置する支持部材１８５は１つの気体供給部材１８０を支持する。真ん中の支持部材１８５は、２つの気体供給部材１８０を支持する。
次に、図８及び図１０を参照して、本発明の実施形態３に係る基板処理方法を説明する。図１０は、実施形態３１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１０に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ４１～工程Ｓ５１を含む。基板処理方法は、基板処理システム１００Ｂによって実行される。そして、基板処理方法は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、間隔をあけて整列された複数の基板Ｗを浸漬して、複数の基板Ｗを処理液ＬＱによって処理する。また、工程Ｓ４１～工程Ｓ４７は、「処理液温調方法」の一例に相当する。
図８及び図１０に示すように、工程Ｓ４１において、制御装置Ｕ４は、温調タイミングが到来したか否かを判定する。温調タイミングは、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されていない期間において、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱの一部又は全部を排出して、処理液ＬＱの一部又は全部を新たな処理液ＬＱに入れ替えた後のタイミングである。
工程Ｓ４１で温調タイミングが到来していないと判定された場合は、処理は、温調タイミングが到来したと判定されるまで工程Ｓ４１を繰り返す。
一方、工程Ｓ４１で温調タイミングが到来したと判定された場合は、処理は、工程Ｓ４２に進む。
工程Ｓ４２において、制御装置Ｕ４の制御によって、ヒーター１４３は、処理液ＬＱの加熱を開始する。具体的には、ヒーター１４３は、基板Ｗを処理するための処理液ＬＱを、処理液ＬＱの基準沸点以上に加熱する。
次に、工程Ｓ４３において、制御装置Ｕ４による気体供給機構２５０の制御によって、各気体供給部材１８０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに気体ＧＡ（具体的には気泡ＢＢ）を供給することを開始する。つまり、各気体供給部材１８０は、基準沸点以上に加熱された処理液ＬＱからの水分の蒸発を促進する気体ＧＡ（具体的には気泡ＢＢ）を、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに供給する。
次に、工程Ｓ４４において、排気配管部２７０は、処理槽１１０の処理液ＬＱの液面から出てくる水蒸気及び気体ＧＡを排出する。つまり、排気配管部２７０は、処理槽１１０から水蒸気及び気体ＧＡを排出する。なお、水蒸気及び気体ＧＡの排出に限られず、排気配管部２７０による処理槽１１０からの排気は、継続して常時行われている。
次に、工程Ｓ４５において、制御装置Ｕ４は、計測部１４７の計測結果に基づいて、処理液ＬＱの濃度が目標値に到達したか否かを判定する。
工程Ｓ４５で処理液ＬＱの濃度が目標値に到達していないと判定された場合は、処理は、処理液ＬＱの濃度が目標値に到達したと判定されるまで工程Ｓ４５を繰り返す。
一方、工程Ｓ４５で処理液ＬＱの濃度が目標値に到達したと判定された場合は、処理は、工程Ｓ４６に進む。
工程Ｓ４６において、制御装置Ｕ４の制御によって、ヒーター１４３は、処理槽１１０に貯留される処理液ＬＱの温度を調節して、間接的に、処理液ＬＱの濃度を目標値に維持する。つまり、ヒーター１４３は、配管１４１に流れる処理液ＬＱの温度を調節して、間接的に、処理液ＬＱの濃度を目標値に維持する。具体的には、ヒーター１４３は、処理液ＬＱの温度を基準沸点以上の所定温度に維持する。そして、処理液ＬＱの温度が基準沸点以上の所定温度に維持された状態で、計測部１４７の計測結果に基づいてバルブ１６６、配管１６４、及び、ノズル１６２を通して希釈液供給源ＴＫＢから処理槽１１０に希釈液を供給することで、処理液ＬＱの濃度が目標値に維持される。
次に、工程Ｓ４７において、制御装置Ｕ４による気体供給機構２５０の制御によって、各気体供給部材１８０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに対する気体ＧＡ（具体的には気泡ＢＢ）の供給を停止する。
次に、工程Ｓ４８において、制御装置Ｕ４は、複数の処理槽１１０のうちのいずれかの処理槽１１０において、基板浸漬タイミングが到来したか否かを判定する。基板浸漬タイミングは、処理液ＬＱに基板Ｗを浸漬するタイミングである。
工程Ｓ４８で基板浸漬タイミングが到来していないと判定された場合、処理は、基板浸漬タイミングが到来したと判定されるまで工程Ｓ４８を繰り返す。
一方、工程Ｓ４８で基板浸漬タイミングが到来したと判定された場合、処理は、工程Ｓ４９に進む。
工程Ｓ４９において、制御装置Ｕ４の制御によって、搬送ロボット（不図示）が基板Ｗを基板保持部１２０に搬送し、更に、基板保持部１２０は、処理槽１１０の処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬して、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを処理する。
次に、工程Ｓ５０において、制御装置Ｕ４による気体供給機構２５０の制御によって、各気体供給部材１８０は、処理槽１１０において処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに気体ＧＡ（具体的には気泡ＢＢ）を供給する。
次に、工程Ｓ５１において、制御装置Ｕ４の制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０の処理液ＬＱから複数の基板Ｗを引き上げ、更に、搬送ロボット（不図示）が基板保持部１２０から基板Ｗを受け取って搬送する。そして、基板処理方法が終了する。
以上、図１０を参照して説明したように、実施形態３に係る基板処理方法では、処理槽１１０に貯留する処理液ＬＱを基準沸点以上に加熱することと並行して、処理槽１１０に貯留する処理液ＬＱに、水分の蒸発を促進する気体ＧＡを供給することと、処理槽１１０から水蒸気及び気体ＧＡを排気することとを実行している。従って、処理液ＬＱから水分の蒸発が促進されて、処理液ＬＱの濃度を早く目標値に到達させることができる。
次に、本発明が実施例に基づき具体的に説明されるが、本発明は以下の実施例によって限定されない。
図７及び図１１を参照して、本発明の実施例１、実施例２、及び、比較例を説明する。実施例１及び実施例２では、図７を参照して説明した基板処理システム１００Ｂを使用した。比較例では、図７を参照して説明した基板処理システム１００Ｂに制限を加えて使用した。
実施例１、実施例２、及び、比較例では、ヒーター１４３によって処理液ＬＱを基準沸点以上に加熱した。処理液ＬＱは燐酸水溶液であった。処理槽１１０の蓋１１６は閉じていた。
実施例１では、気体供給機構２５０から４つの気体供給部材１８０に供給した気体ＧＡの流量、つまり、基準沸点以上の温度に加熱した処理液ＬＱに供給した気体ＧＡの流量は、１３リットル／分であった。気体ＧＡは窒素であった。
実施例２では、気体供給機構２５０から４つの気体供給部材１８０に供給した気体ＧＡの流量、つまり、基準沸点以上の温度に加熱した処理液ＬＱに供給した気体ＧＡの流量は、２０リットル／分であった。気体ＧＡは窒素であった。
比較例では、基準沸点以上の温度に加熱した処理液ＬＱに対して、気体ＧＡを供給しなかった。
実施例１、実施例２、及び、比較例では、希釈液供給部１６０によって純水を０．３リットル／分の流量で継続して補充した。そして、処理液ＬＱの比重を計測部１４７によって計測した。計測部１４７は、配管１４１を循環する処理液ＬＱではなく、内槽１１２の処理液ＬＱの比重を計測した。比重の計測結果に基づいて、実施例１、実施例２、及び、比較例における純水蒸発能力を確認した。純水蒸発能力とは、処理液ＬＱから純水の水分を蒸発できる能力のことである。一定流量で純水を補充しているため、純水蒸発能力が高いと、処理液ＬＱの比重が一定に維持され、純水蒸発能力が低いと、処理液ＬＱの比重が一定に維持されないことが予測できる。
図１１は、本発明の実施例１、実施例２、及び、比較例に係る処理液ＬＱの比重値の時間変化を示すグラフである。図１１において、横軸は時間を示し、縦軸は比重値を示している。
図１１に示すように、プロットＰＬ１は、実施例１において計測した処理液ＬＱの比重値を示している。プロットＰＬ２は、実施例２おいて計測した処理液ＬＱの比重値を示している。プロットＰＬ３は、比較例おいて計測した処理液ＬＱの比重値を示している。
比較例では、プロットＰＬ３に示されるように、処理液ＬＱの比重値の減少が止まらず、純水補充開始から数十分経過した時間ｔ０において、ヒーター１４３による温調動作が停止した。理由は、次のように推測できた。すなわち、比較例では、純水蒸発能力が低いため、処理液ＬＱの濃度が低くなって、処理液ＬＱの沸点が低くなった。その結果、処理液ＬＱが突沸して、水蒸気が大量に発生して、ヒーター１４３が過熱した。よって、ヒーター１４３による温調動作が停止した。
これに対して、実施例１及び実施例２では、純水を継続して補充しているにも関わらず、時間ｔ０以降において、処理液ＬＱの比重値が、沸騰近傍で概ね安定して概ね一定になった。従って、実施例１及び実施例２では、比較例よりも、純水蒸発能力が高いことが確認できた。つまり、基準沸点以上の温度に加熱した処理液ＬＱに気体ＧＡを供給することで、純水蒸発能力を向上できることを確認できた。実施例１及び実施例２では、純水蒸発能力が向上したため、処理液ＬＱの濃度を、比較例よりも早く目標値に到達させることができることを推測できた。
特に、気体ＧＡの流量が多い実施例２では、実施例１よりも、処理液ＬＱの比重値が安定していた。
以上、図面を参照して本発明の実施形態及び実施例について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態及び実施例に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
本発明は、処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システムに関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
１、１Ａ 基板処理部
１００、１００Ａ 基板処理システム
１００Ｂ 基板処理システム（処理液温調装置）
１１０ 処理槽（第１貯留槽）
１８０、２８１ 気体供給部材
１４３ ヒーター（第１温調部）
２１６ 第１ヒーター（第１温調部）
２１０ 第１貯留槽
２７０ 排気配管部
２７３ 排気配管
３１６ 第２ヒーター（第２温調部）
３１０ 第２貯留槽
Ｕ２ 処理液温調装置
Ｗ 基板

Claims (9)

  1. 基板を処理するための処理液を、前記処理液の基準沸点以上に加熱する工程と、
    前記加熱された処理液からの水分の蒸発を促進する気体を気体供給部材から、第１貯留槽に貯留された前記処理液に供給する工程と、
    前記第１貯留槽から水蒸気及び前記気体を排出する工程と、
    前記第１貯留槽に貯留される前記処理液の濃度が目標値に到達した後に、前記第１貯留槽から第２貯留槽に前記処理液を供給する工程と、
    前記第２貯留槽に貯留される前記処理液の温度を調節して、前記処理液の濃度を前記目標値に維持する工程と、
    前記第２貯留槽から、前記基板を処理する基板処理部に前記処理液を供給する工程と、を含み、
    前記処理液の濃度を前記目標値に維持する工程では、水分の蒸発を促進する気体を供給せず、前記処理液は、燐酸を含有する液体であり、前記気体供給部材の素材は石英または樹脂である、処理液温調方法。
  2. 基板を処理するための処理液を、前記処理液の基準沸点以上に加熱する工程と、
    前記加熱された処理液からの水分の蒸発を促進する気体を気体供給部材から、第１貯留槽に貯留された前記処理液に供給する工程と、
    前記第１貯留槽から水蒸気及び前記気体を排出する工程と、
    前記第１貯留槽に貯留される前記処理液の濃度が目標値に到達した後に、前記第１貯留槽から第２貯留槽に前記処理液を供給する工程と、
    前記第２貯留槽に貯留される前記処理液の温度を調節して、前記処理液の濃度を前記目標値に維持する工程と、
    前記第２貯留槽から、前記基板を処理する基板処理部に前記処理液を供給する工程と、を含み、
    前記処理液の濃度を前記目標値に維持する工程では、水分の蒸発を促進する気体を供給せず、前記気体供給部材の素材は石英または樹脂である、処理液温調方法。
  3. 前記第１貯留槽及び前記第２貯留槽に貯留された前記処理液は、シリコンを含んでいない、請求項１又は請求項２に記載の処理液温調方法。
  4. 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の処理液温調方法と、
    処理液によって基板を処理する工程と
    を含む、基板処理方法。
  5. 基板を処理するための処理液を前記処理液の基準沸点以上に加熱する第１温調部と、
    前記第１温調部によって加熱された前記処理液を貯留する第１貯留槽と、
    前記処理液からの水分の蒸発を促進する気体を、前記第１貯留槽に貯留された前記処理液に供給する気体供給部材と、
    前記第１貯留槽から水蒸気及び前記気体を排出する排気配管部と、
    前記第１貯留槽に貯留される前記処理液の濃度が目標値に到達した後に、前記第１貯留槽から前記処理液が供給される第２貯留槽と、
    前記第２貯留槽に貯留される前記処理液の温度を調節して、前記処理液の濃度を前記目標値に維持する第２温調部と、を備え、
    前記第２貯留槽は、前記基板を処理する基板処理部に前記処理液を供給し、前記第２貯留槽では、水分の蒸発を促進する気体を供給せず、前記処理液は、燐酸を含有する液体であり、前記気体供給部材の素材は石英または樹脂である、処理液温調装置。
  6. 基板を処理するための処理液を前記処理液の基準沸点以上に加熱する第１温調部と、
    前記第１温調部によって加熱された前記処理液を貯留する第１貯留槽と、
    前記処理液からの水分の蒸発を促進する気体を、前記第１貯留槽に貯留された前記処理液に供給する気体供給部材と、
    前記第１貯留槽から水蒸気及び前記気体を排出する排気配管部と、
    前記第１貯留槽に貯留される前記処理液の濃度が目標値に到達した後に、前記第１貯留槽から前記処理液が供給される第２貯留槽と、
    前記第２貯留槽に貯留される前記処理液の温度を調節して、前記処理液の濃度を前記目標値に維持する第２温調部と、を備え、
    前記第２貯留槽は、前記基板を処理する基板処理部に前記処理液を供給し、前記第２貯留槽では、水分の蒸発を促進する気体を供給せず、前記気体供給部材の素材は石英または樹脂である、処理液温調装置。
  7. 前記排気配管部は、前記第１貯留槽から前記水蒸気及び前記気体を排出する排気配管を含み、
    前記排気配管の流路の断面積は、次式を満たす、請求項５又は請求項６に記載の処理液温調装置。
    Ａ×Ｖ≧Ｑ
    Ａ：前記排気配管の前記流路の前記断面積
    Ｖ：前記処理液を前記基準沸点以上に加熱する処理と前記処理液に前記気体を供給する処理とが実行されていない場合において、前記排気配管の前記流路を流れる排出気体の流速
    Ｑ：前記水蒸気及び前記気体の単位時間当たりの排気量
  8. 前記第１貯留槽及び前記第２貯留槽に貯留された前記処理液は、シリコンを含んでいない、請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の処理液温調装置。
  9. 請求項５から請求項８のいずれか１項に記載の処理液温調装置と、
    処理液によって基板を処理する基板処理部と
    を備える、基板処理システム。
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