JP2019080049A - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示すように、第1実施形態に係る基板処理装置1は、キャリア搬入出部2と、ロット形成部3と、ロット載置部4と、ロット搬送部5と、ロット処理部6と、制御部100とを有する。図1は、基板処理装置1の概略平面図である。ここでは、水平方向に直交する方向を上下方向として説明する。
次に、第2実施形態に係る基板処理装置1について図4を参照し説明する。図4は、第2実施形態に係るエッチング用の処理槽27を示す概略ブロック図である。ここでは、第1実施形態とは異なる箇所を中心に説明し、第1実施形態と同様の構成については、第1実施形態と同じ符号を付して詳しい説明は省略する。
次に、第3実施形態に係る基板処理装置1について図5を参照し説明する。図5は、第3実施形態に係るエッチング用の処理槽27を示す概略ブロック図である。ここでは、第1実施形態とは異なる箇所を中心に説明し、第1実施形態と同様の構成については、第1実施形態と同じ符号を付して詳しい説明は省略する。
次に、第4実施形態に係る基板処理装置1について図9を参照し説明する。図9は、第4実施形態に係るエッチング用の処理槽27を示す概略ブロック図である。ここでは、第1実施形態とは異なる箇所を中心に説明し、第1実施形態と同様の構成については、第1実施形態と同じ符号を付して詳しい説明は省略する。
変形例に係る基板処理装置1は、温調タンク47内の溶解液を撹拌する攪拌機を温調タンク47に設けてもよい。また、変形例に係る基板処理装置1は、シリコン含有化合物をパウダー状にして温調タンク47の底部に沈め、撹拌した上澄み液を外槽46に供給してもよい。
27 エッチング用の処理槽
45 内槽(基板処理槽)
46 外槽(基板処理槽)
47 温調タンク(混合部)
50 第1循環ライン
60 第2循環ライン
70 供給ライン
80 ミキサー(混合部)
Claims (12)
- エッチング液によってエッチング処理を行う基板処理槽と、
新液と、シリコン含有化合物またはシリコン含有化合物を含む液体とを混合する混合部と、
前記混合部によって混合した混合液を前記基板処理槽に供給する供給ラインと
を備える基板処理装置。 - 前記基板処理槽では、第1循環ラインによって前記エッチング液が循環され、
前記混合部は、
前記混合液を貯留し、第2循環ラインによって前記混合液を循環させるタンクであり、 前記基板処理槽と前記混合部とは、
供給ラインによって接続される
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記混合部は、
前記シリコン含有化合物を含む液体が常温で溶ける溶剤と、前記シリコン含有化合物を含む液体とを混合する
請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記混合部は、
純水と、前記シリコン含有化合物を含む液体とを混合する
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記混合部は、
前記混合液を、前記エッチング液の温度とは異なる温度に温調する
請求項1から4のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記基板処理槽に、前記シリコン含有化合物を含む液体を供給するシリコン供給部
を備える請求項1から5のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記シリコン供給部は、
前記エッチング処理が開始された後に、前記シリコン含有化合物を含む液体を前記基板処理槽に供給する
請求項6に記載の基板処理装置。 - 新液と、シリコン含有化合物またはシリコン含有化合物を含む液体とを混合した混合液を生成する工程と、
生成した前記混合液を、エッチング処理を行う基板処理槽にエッチング液として供給する工程と
を含み、
前記混合液は、
循環ラインを有する混合タンクにおいて、前記新液と、前記シリコン含有化合物または前記シリコン含有化合物を含む液体とが循環することで生成される
基板処理方法。 - 前記エッチング処理が開始された後に、前記シリコン含有化合物を含む液体を前記基板処理槽に供給する工程
を含む請求項8に記載の基板処理方法。 - 前記エッチング処理が開始されてから所定時間が経過した後に、前記シリコン含有化合物を含む液体を前記基板処理槽に供給し、前記所定時間経過後のシリコン濃度を、前記所定時間経過前のシリコン濃度よりも高くする工程
を含む請求項8または9に記載の基板処理方法。 - 前記混合液中のシリコン含有化合物の濃度を高くする工程と、
前記エッチング処理が開始された後に、前記シリコン含有化合物の濃度を高くした混合液を前記基板処理槽に供給する工程と
を含む請求項9に記載の基板処理方法。 - 請求項9から11のいずれか一つに記載の基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを記憶した記憶媒体。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021176913A1 (ja) * | 2020-03-04 | 2021-09-10 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、処理液収容体 |
JP2022552196A (ja) * | 2019-10-09 | 2022-12-15 | インテグリス・インコーポレーテッド | 湿式エッチング湿式エッチング組成物及び方法 |
WO2022264631A1 (ja) * | 2021-06-14 | 2022-12-22 | ラサ工業株式会社 | エッチング液組成物 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09275091A (ja) * | 1996-04-03 | 1997-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体窒化膜エッチング装置 |
JP2008305851A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Toshiba Corp | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2009094455A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2015088603A (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
JP2016032030A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2017057727A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4966223B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-07-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6502633B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2019-04-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09275091A (ja) * | 1996-04-03 | 1997-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体窒化膜エッチング装置 |
JP2008305851A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Toshiba Corp | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2009094455A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2015088603A (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
JP2016032030A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2017057727A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022552196A (ja) * | 2019-10-09 | 2022-12-15 | インテグリス・インコーポレーテッド | 湿式エッチング湿式エッチング組成物及び方法 |
WO2021176913A1 (ja) * | 2020-03-04 | 2021-09-10 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、処理液収容体 |
JPWO2021176913A1 (ja) * | 2020-03-04 | 2021-09-10 | ||
WO2022264631A1 (ja) * | 2021-06-14 | 2022-12-22 | ラサ工業株式会社 | エッチング液組成物 |
JP7199621B1 (ja) * | 2021-06-14 | 2023-01-05 | ラサ工業株式会社 | エッチング液組成物 |
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