JP2023135013A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理液に空気が混入することを抑制できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法において、内槽110、外槽120、及び、循環配管141から、処理液を排出する(第1排液工程S1)。処理液を排出した後において、新液供給口185を通して内槽110に新たに処理液を供給する(第1供給工程S2)。内槽110に新たに処理液を供給した後において、内槽110に貯留された処理液を、内槽下限レベルLVLまで排出する(第2排液工程S3)。内槽下限レベルLVLまで処理液を排出した後において、新液供給口185を通して内槽110に新たに処理液を供給する(第2供給工程S4)。内槽下限レベルLVLは、内槽110の内部に配置された循環液導入口132の位置よりも高い液位を示すとともに、内槽110の内部に配置された新液供給口185の位置よりも高い液位を示す。
【選択図】図6
【解決手段】基板処理方法において、内槽110、外槽120、及び、循環配管141から、処理液を排出する(第1排液工程S1)。処理液を排出した後において、新液供給口185を通して内槽110に新たに処理液を供給する(第1供給工程S2)。内槽110に新たに処理液を供給した後において、内槽110に貯留された処理液を、内槽下限レベルLVLまで排出する(第2排液工程S3)。内槽下限レベルLVLまで処理液を排出した後において、新液供給口185を通して内槽110に新たに処理液を供給する(第2供給工程S4)。内槽下限レベルLVLは、内槽110の内部に配置された循環液導入口132の位置よりも高い液位を示すとともに、内槽110の内部に配置された新液供給口185の位置よりも高い液位を示す。
【選択図】図6
Description
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
特許文献1に記載されている基板処理装置は、一種以上の薬液及び純水を含む処理液に基板を浸漬させることで基板に対して所定の処理を行う。基板処理装置は、処理槽と、処理液交換部とを備える。処理槽には、基板に所定の処理を行うための処理液が貯留される。処理液交換部は、処理槽中の処理液のライフタイムが経過すると処理液を交換する。
しかしながら、特許文献1に記載されている基板処理装置では、処理液の交換中に空気が処理液に混入する可能性がある。例えば、処理液を循環させる循環ライン中の空気が、処理液の交換中に処理液に混入し得る。又は、例えば、処理液を交換するために、薬液ラインの薬液吐出口から薬液を処理槽に吐出する時、及び、純水ラインの純水吐出口から純水を処理槽に吐出する時に、空気が処理液に混入し得る。
本願の発明者は、処理液に空気が混入すると、基板の処理に影響を与える可能性があることを鋭意研究の結果突き止めた。
本発明の目的は、処理液に空気が混入することを抑制できる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
本発明の一局面によれば、基板処理方法は、処理液を貯留する内槽から溢れた前記処理液が流入する外槽から、循環配管及び循環液導入口を通して前記内槽に前記処理液を導入することで、前記内槽に貯留された前記処理液を循環させることが可能である。基板処理方法は、前記内槽において前記処理液によって基板を処理する。基板処理方法は、第1排液工程と、第1供給工程と、第2排液工程と、第2供給工程とを含む。第1排液工程において、前記内槽、前記外槽、及び、前記循環配管から、前記処理液を排出する。第1供給工程において、前記第1排液工程で前記処理液を排出した後において、新液供給口を通して前記内槽に新たに処理液を供給することで、前記内槽に新たに前記処理液を貯留する。第2排液工程において、前記内槽に新たに前記処理液を供給した後において、前記内槽に貯留された前記処理液を、内槽下限レベルまで排出する。第2供給工程において、前記内槽下限レベルまで前記処理液を排出した後において、前記新液供給口を通して前記内槽に新たに処理液を供給することで、前記内槽に前記処理液を新たに貯留する。前記内槽下限レベルは、前記内槽の内部に配置された前記循環液導入口の位置よりも高い液位を示すとともに、前記内槽の内部に配置された前記新液供給口の位置よりも高い液位を示す。
本発明の一態様においては、前記第2排液工程及び前記第2供給工程をそれぞれ複数回実行することが好ましい。
本発明の一態様においては、前記内槽に貯留された前記処理液における溶存酸素濃度に応じて、前記第2排液工程及び前記第2供給工程の実行回数を決定することが好ましい。
本発明の一態様においては、前記第2排液工程では、前記外槽に貯留された前記処理液を排出しないことが好ましい。
本発明の一態様においては、前記第2排液工程において前記内槽の前記処理液が前記内槽下限レベルまで排出された場合に、駆動中のポンプを停止することが好ましい。前記第2供給工程において少なくとも内槽上限レベルまで前記処理液が供給された場合に、前記ポンプを駆動することで、前記内槽の前記処理液を、前記循環配管を通して循環させることが好ましい。前記内槽上限レベルは、前記内槽において前記内槽下限レベルよりも高い液位を示すことが好ましい。
本発明の一態様においては、前記処理液は、アルカリ性であることが好ましい。
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、内槽と、外槽と、循環液導入部材と、循環配管と、排液配管と、排液バルブと、ポンプと、新液供給配管と、供給バルブと、制御部とを備える。内槽は、処理液を貯留する。外槽は、前記内槽の外側に配置され、前記内槽から溢れた前記処理液が流入する。循環液導入部材は、循環液導入口を有し、前記循環液導入口を通して前記外槽から供給される前記処理液を前記内槽に導入する。循環配管は、前記外槽から前記循環液導入部材に前記処理液を供給することで、前記内槽に貯留された前記処理液を循環させる。排液配管は、前記循環配管から分岐し、前記処理液を排出する。排液バルブは、前記排液配管の流路を開閉する。ポンプは、前記排液配管よりも上流において前記循環配管に配置され、前記循環配管中の前記処理液を送出する。新液供給管は、新液供給口を有し、前記新液供給口を通して前記内槽に処理液を新たに供給する。供給バルブは、前記新液供給配管の流路を開閉する。制御部は、前記排液バルブ、前記ポンプ、及び、前記供給バルブを制御する。前記制御部は、前記内槽、前記外槽、及び、前記循環配管から、前記処理液を排出するように、前記排液バルブ及び前記ポンプを制御する。制御部は、前記処理液を排出した後において、前記内槽に新たに前記処理液を供給するように、前記供給バルブを制御する。制御部は、新たに前記処理液を供給した後において、前記内槽に貯留された前記処理液を、内槽下限レベルまで排出するように、前記排液バルブ及び前記ポンプを制御する。制御部は、前記内槽下限レベルまで前記処理液を排出した後において、前記内槽に新たに処理液を供給するように、前記供給バルブを制御する。前記内槽下限レベルは、前記内槽の内部に配置された前記循環液導入口の位置よりも高い液位を示すとともに、前記内槽の内部に配置された前記新液供給口の位置よりも高い液位を示す。
本発明によれば、処理液に空気が混入することを抑制できる基板処理方法及び基板処理装置を提供できる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図中、理解を容易にするために、X軸、Y軸、及び、Z軸を適宜図示している。X軸、Y軸、及びZ軸は互いに直交し、X軸及びY軸は水平方向に平行であり、Z軸は鉛直方向に平行である。
図1~図13を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置100を説明する。まず、図1~図3を参照して、基板処理装置100を説明する。図1は、基板処理装置100を示す模式的断面図である。図1に示す基板処理装置100は、バッチ式であり処理液LQによって複数の基板Wを一括して処理する。基板処理装置100は、1枚の基板Wを処理することもできる。
基板処理装置100は、内槽110と、外槽120と、基板保持部125と、循環液導入部130と、循環部140と、制御装置CTLとを備える。
内槽110は、複数の基板Wが浸漬される処理液LQを貯留する。内槽110は、複数の基板Wを収容可能である。内槽110は、処理液LQに複数の基板Wを浸漬して、複数の基板Wを処理する。
処理液LQは、例えば、エッチング液である。例えば、処理液LQによって、基板Wに形成されたポリシリコン膜をエッチングする。本実施形態では、一例として、処理液LQは、アルカリ性である。例えば、処理液LQ(エッチング液)は、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ金属の水酸化物が溶解した水溶液(NaOHの水溶液またはKOHの水溶液)であってもよいし、TMAH(テトラメチルアンモニアハイドロオキサイド)などの第四級アンモニウム水酸化物が溶解した水溶液であってもよい。第四級アンモニウム水酸化物は、TMAH、TBAH(テトラブチルアンモニウムヒドロキシド)、TPeAH(テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド)、THAH(テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド)、TEAH(テトラエチルアンモニウムヒドロキシド)、TPAH(テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド)、および水酸化コリンの少なくとも一つであってもよいし、これら以外であってもよい。これらはいずれも有機アルカリに含まれる。なお、この段落では、TMAHは、水溶液ではなく、無水物を表している。これは、TBAHなどの他の第4級アンモニウム水酸化物についても同様である。
外槽120は、内槽110の外側に配置される。外槽120は、内槽110を囲む。外槽120には、内槽110から溢れた処理液LQが流入する。外槽120の上縁の高さは、内槽110の上縁の高さよりも高い。
基板保持部125は、複数の基板Wを保持する。基板保持部125は1枚の基板Wを保持することもできる。基板保持部125は、内槽110に貯留された処理液LQに、間隔をあけて整列した複数の基板Wを浸漬する。循環液導入部130は、外槽120に貯留された処理液LQを内槽110に導入する。循環液導入部130は、内槽110の内部に配置される。循環部140は、外槽120から循環液導入部130に処理液LQを供給することで、内槽110に貯留された処理液LQを循環させる。
引き続き図1を参照して、各構成の詳細を説明する。循環液導入部130は、複数の循環液導入部材131を含む。図1の例では、循環液導入部130は、2つの循環液導入部材131を含む。ただし、循環液導入部材131の数は、特に限定されず、3以上であってもよい。また、循環液導入部130は、1つの循環液導入部材131を含んでいてもよい。
複数の循環液導入部材131は、内槽110の内部に配置される。具体的には、複数の循環液導入部材131は、内槽110の内部において、内槽110の底部側に配置される。複数の循環液導入部材131の各々は、一例として、直線状に延びる管である。
複数の循環液導入部材131の各々は、複数の循環液導入口132を有する。循環液導入口132は、循環液導入部材131に設けられた貫通孔である。循環液導入部材131は、循環液導入口132を通して外槽120から供給される処理液LQを内槽110に導入する。つまり、循環液導入口132は、循環部140によって外槽120から供給される処理液LQを、内槽110の内部に吐出する。なお、複数の循環液導入部材131の各々は、1つの循環液導入口132を有していてもよい。
図1の例では、循環液導入口132は、鉛直上方に向けて開口している。ただし、循環液導入口132の向きは特に限定されない。例えば、循環液導入口132は、斜め上方外側に向けて開口していてもよいし、斜め上方内側に向けて開口していてもよい。また、例えば、循環液導入口132は、斜め下方外側に向けて開口していてもよいし、斜め下方内側に向けて開口していてもよい。また、例えば、循環液導入口132は、鉛直下方に向けて開口していてもよいし、水平外側に向けて開口していてもよいし、水平内側に向けて開口していてもよい。更に、複数の循環液導入部材131の各々において、複数の循環液導入口132の向きが異なっていてもよい。また、複数の循環液導入部材131の間で、循環液導入口132の向きが異なっていてもよい。更に、複数の循環液導入部材131の高さが異なっていてもよい。
循環部140は、循環配管141、ポンプ142、ヒーター143、フィルター144、調整バルブ145、及び、バルブ146を含む。ポンプ142、ヒーター143、フィルター144、調整バルブ145及びバルブ146は、この順番に循環配管141の上流から下流に向かって配置される。
循環配管141は、外槽120から循環液導入部材131まで延びる。そして、循環配管141は、外槽120から循環液導入部材131に処理液LQを供給することで、内槽110に貯留された処理液LQを循環させる。具体的には、循環配管141の上流端が外槽120に位置し、循環配管141の下流端が各循環液導入部材131に接続される。循環配管141は流入口141xを有する。流入口141xは、循環配管141の下流端に位置する。流入口141xは、鉛直下方を向いている。ただし、流入口141xの向きは特に限定されない。流入口141xから外槽120の処理液LQが循環配管141に進入する。なお、例えば、循環配管141の下流端が、外槽120の底部に接続され、流入口141xが鉛直上方を向いていてもよい。
ポンプ142は、循環配管141中の処理液LQを、各循環液導入部材131に向けて送出する。従って、処理液LQが循環配管141から各循環液導入部材131に供給される。その結果、各循環液導入部材131は、循環配管141から供給された処理液LQを、各循環液導入口132から内槽110の内部に吐出する。ヒーター143は、循環配管141を流れる処理液LQを加熱して、処理液LQの温度を調節する。フィルター144は、循環配管141を流れる処理液LQをろ過する。調整バルブ145は、循環配管141の開度を調節して、循環液導入部材131に供給される処理液LQの流量を調整する。バルブ146は循環配管141を開閉する。処理液LQを循環させる場合には、バルブ146は開いており、循環配管141の流路を開放する。
制御装置CTLは、基板処理装置100の各構成を制御する。制御装置CTLは、入力装置及び表示装置を備えていてもよい。
具体的には、制御装置CTLは、制御部A1と、記憶部A2とを含む。制御部A1は、CPU(Central Processing Unit)等のプロセッサーを含む。記憶部A2は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。制御部A1のプロセッサーは、記憶部A2の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、基板処理装置100の各構成を制御する。具体的には、制御部A1は、基板保持部125及び循環部140を制御する。また、例えば、記憶部A2は、半導体メモリー等の主記憶装置と、半導体メモリー及びハードディスクドライブ等の補助記憶装置とを備える。記憶部A2は、光ディスク等のリムーバブルメディアを備えていてもよい。記憶部A2は、例えば、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体である。
次に、図2を参照して基板保持部125を説明する。図2(a)及び図2(b)は、基板Wを内槽110に投入する前及び後の基板処理装置100の模式的斜視図である。なお、図2(a)及び図2(b)では、図面の簡略化のため、処理液LQを省略している。
図2(a)に示すように、基板保持部125は、本体板126と、保持棒127とを含む。本体板126は、鉛直方向Dに延びる板である。保持棒127は、本体板126の一方の主面から所定方向D10に延びる。所定方向D10は、水平方向に略平行であり、本体板126に略直交する。複数の基板Wは、間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒127によって起立姿勢(鉛直姿勢)で保持される。
図2(a)では、基板保持部125は、内槽110の上方に位置する。基板保持部125は、複数の基板Wを保持したまま鉛直方向Dに沿って下降する。これにより、複数の基板Wが内槽110に投入される。図2(b)に示すように、基板保持部125が内槽110にまで下降すると、複数の基板Wは、内槽110内の処理液LQに浸漬する。
なお、図1に示すように、基板保持部125は、昇降ユニット128をさらに含んでもよい。昇降ユニット128は、基板保持部125に保持されている複数の基板Wが内槽110内に位置する処理位置(図2(b)に示す位置)と、基板保持部125に保持されている複数の基板Wが内槽110の上方に位置する退避位置(図2(a)に示す位置)との間で本体板126を昇降させる。
図3は、基板処理装置100を示す模式図である。なお、図3では、図面の簡略化のために、基板保持部125、調整バルブ145、及び、バルブ146を省略している。また、図3では、内槽110及び外槽120について、図2(a)のIII-III線に沿った断面を示している。
図3に示すように、基板処理装置100は、内槽排液部150と、排液部160と、タンク170と、新液供給部180と、槽洗浄部190と、内槽レベルセンサー210と、外槽レベルセンサー220と、センサー洗浄部230とを更に備える。基板処理装置100は、溶存酸素計240を更に備えていてもよい。溶存酸素計240は、処理液LQの溶存酸素濃度を計測して、溶存酸素濃度を示す情報を制御部A1に出力する。溶存酸素計240は、例えば、隔膜ポーラログラフ法によって、処理液LQの溶存酸素濃度を計測する。
内槽排液部150は、内槽110から処理液LQを排出する際に、内槽110の処理液LQを循環部140に供給する。循環部140は、内槽排液部150から供給された処理液LQを排液部160に供給する。又は、循環部140は、外槽120から処理液LQを排出する際に、外槽120の処理液LQを排液部160に供給する。又は、循環部140は、循環部140に残留する処理液LQを排出する際に、循環部140に残留する処理液LQを排液部160に供給する。排液部160は、循環部140から供給された処理液LQをタンク170に排出する。タンク170は、排液部160を通して排出された処理液LQを貯留する。タンク170は、例えば、排液部160を通して排出された処理液LQを冷却する冷却タンクである。
新液供給部180は、処理液LQを新たに内槽110又は外槽120に供給する。槽洗浄部190は、内槽110及び外槽120を洗浄水によって洗浄する。内槽レベルセンサー210は、内槽110に貯留された処理液LQの液位(液面レベル)を検出して、検出結果を制御部A1に出力する。外槽レベルセンサー220は、外槽120に貯留された処理液LQの液位(液面レベル)を検出して、検出結果を制御部A1に出力する。センサー洗浄部230は、内槽レベルセンサー210及び外槽レベルセンサー220を洗浄液によって洗浄する。槽洗浄部190及びセンサー洗浄部230が使用する洗浄液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度(例えば、10ppm~100ppm程度)の塩酸水である。
詳細には、循環部140は、バルブ147と、バルブ148とを更に含む。内槽排液部150は、内槽排液配管151と、バルブ152とを含む。循環配管141は、第1配管141aと、第2配管141bと、第3配管141cとを含む。排液部160は、排液配管161と、排液バルブ162とを含む。新液供給部180は、新液供給配管181と、新液供給配管182と、供給バルブ183と、供給バルブ184と、流量計186とを含む。槽洗浄部190は、配管191と、バルブ192と、流量計193とを含む。内槽レベルセンサー210は、センサー管211と、センサー本体212と、バルブ213と、バルブ214とを含む。外槽レベルセンサー220は、センサー管221と、センサー本体222と、バルブ223と、バルブ224とを含む。センサー洗浄部230は、配管231と、配管232と、バルブ233と、バルブ234とを含む。
循環部140において、循環配管141は、外槽120の内部から、接続点B1及び接続点B2を経由して、循環液導入部材131まで延びる。第1配管141aは、外槽120の内部から接続点B1まで延びる。第2配管141bは、接続点B1から接続点B2まで延びる。第3配管141cは、接続点B2から循環液導入部材131まで延びる。ポンプ142は第2配管141bに配置される。つまり、ポンプ142は、排液配管161及び排液バルブ162よりも上流において循環配管141に配置される。バルブ147、ヒーター143、フィルター144、調整バルブ145(図1)、及び、バルブ146(図1)は、上流から下流に向かって、この順番で第3配管141cに配置される。
バルブ148は第1配管141aに配置される。バルブ148は、第1配管141aの流路を開閉する。バルブ148が開くと、第1配管141aの流路が開放される。バルブ148が閉じると、第1配管141aの流路が閉塞される。バルブ147は、接続点B2とヒーター143との間に配置される。つまり、バルブ147は、循環配管141において、ポンプ142とヒーター143との間に配置される。バルブ147は、第3配管141cの流路を開閉する。バルブ147が開くと、第3配管141cの流路が開放される。バルブ147が閉じると、第3配管141cの流路が閉塞される。バルブ147、148を開き、バルブ152及び排液バルブ162を閉じ、ポンプ142を駆動することで、内槽110の処理液LQが、循環配管141を通って循環する。
循環液導入部130において、循環液導入部材131は、所定方向D10に沿って延びる。そして、各循環液導入部材131において、複数の循環液導入口132(図1)は、所定方向D10に沿って間隔をあけて配置されている。
内槽排液部150において、内槽排液配管151の一端は内槽110の内部に位置し、内槽排液配管151の他端は接続点B1で循環配管141に接続される。つまり、内槽排液配管151は、循環配管141の接続点B1で分岐して、接続点B1から内槽110の内部まで延びる。バルブ152は、内槽排液配管151に配置される。バルブ152は、内槽排液配管151の流路を開閉する。バルブ152が開くと、内槽排液配管151の流路が開放される。バルブ152が閉じると、内槽排液配管151の流路が閉塞される。
排液部160において、排液配管161の一端は、接続点B2で循環配管141に接続される。排液配管161の他端は、タンク170に接続される。つまり、排液配管161は、接続点B2で循環配管141から分岐し、タンク170まで延びる。そして、排液配管161は、処理液LQをタンク170に排出する。排液バルブ162は、排液配管161に配置される。排液バルブ162は、排液配管161の流路を開閉する。排液バルブ162が開くと、排液配管161の流路が開放される。排液バルブ162が閉じると、排液配管161の流路が閉塞される。
排液バルブ162及びバルブ152を開き、バルブ147、148を閉じ、ポンプ142を駆動することで、内槽110の処理液LQが、内槽排液配管151、第2配管141b、及び、排液配管161を通って、タンク170に排出される。また、排液バルブ162及びバルブ148を開き、バルブ147、152を閉じ、ポンプ142を駆動することで、外槽120の処理液LQが、第1配管141a、第2配管141b、及び、排液配管161を通って、タンク170に排出される。
新液供給部180において、新液供給配管181は、処理液LQの新液を貯留するタンクTAから内槽110の内部まで延びる。供給バルブ183は、新液供給配管181に配置される。供給バルブ183は、新液供給配管181の流路を開閉する。供給バルブ183が開くと、新液供給配管181の流路が開放される。供給バルブ183が閉じると、新液供給配管181の流路が閉塞される。
新液供給配管182の一端は、接続点B3で新液供給配管181に接続される。新液供給配管182の他端は、外槽120の内部に位置する。供給バルブ184は、新液供給配管182の流路を開閉する。供給バルブ184が開くと、新液供給配管182の流路が開放される。供給バルブ184が閉じると、新液供給配管182の流路が閉塞される。
供給バルブ183を開き、供給バルブ184を閉じることで、新液供給配管181によって処理液LQを内槽110に供給できる。具体的には、新液供給配管181は新液供給口185を有する。そして、新液供給配管181は、新液供給口185を通して内槽110に処理液LQを供給する。例えば、新液供給配管181は、新液供給口185を通して内槽110に処理液LQを新たに供給する。新液供給口185は、新液供給配管181の下流端に位置する。新液供給口185は、内槽110の内部に配置される。新液供給口185は、例えば、鉛直下方に向けて開口している。ただし、新液供給口185の向きは特に限定されない。また、新液供給部180は、複数の新液供給配管181を有していてもよいし、複数の新液供給口185を有していてもよい。
供給バルブ184を開き、供給バルブ183を閉じることで、新液供給配管182によって処理液LQを外槽120に供給できる。
流量計186は、接続点B3よりも上流において新液供給配管181に配置される。流量計186は、接続点B3よりも上流において新液供給配管181を流れる処理液LQの流量を計測する。
槽洗浄部190において、配管191は、洗浄水のタンクTBから内槽110まで延びる。バルブ192は配管191に配置される。バルブ192が開くと、配管191の流路が開放され、洗浄水が内槽110に供給される。バルブ192が閉じると、配管191の流路が閉塞され、内槽110への洗浄水の供給が停止される。流量計193は、バルブ192よりも上流において配管191に配置される。流量計193は、配管191を流れる処理液LQの流量を計測する。
内槽レベルセンサー210において、センサー管211の先端が内槽110に貯留された処理液LQに浸漬される。そして、センサー本体212は、センサー管211に窒素ガスを一定流量にて供給しつつ、センサー管211内の窒素ガスの気圧を測定することによって内槽110内の処理液LQの液位を検知する。
外槽レベルセンサー220において、センサー管221の先端が外槽120に貯留された処理液LQに浸漬される。そして、センサー本体222は、センサー管221に窒素ガスを一定流量にて供給しつつ、センサー管221内の窒素ガスの気圧を測定することによって外槽120内の処理液LQの液位を検知する。
センサー洗浄部230において、配管231の一端は洗浄水のタンクTCに接続され、配管231の他端は接続点B4でセンサー管211に接続される。タンクTCはタンクTBと共通していてもよい。バルブ233は、配管231に配置される。バルブ233は、配管231の流路を開閉する。バルブ233が開くと、配管231の流路が開放され、洗浄水がセンサー管211に供給される。その結果、センサー管211が洗浄される。バルブ233が閉じると、配管231が閉塞され、センサー管211への洗浄水の供給が停止する。
配管232の一端は、接続点B6で配管231に接続される。配管232の他端は、接続点B5でセンサー管221に接続される。バルブ234は、配管232に配置される。バルブ234は、配管232の流路を開閉する。バルブ234が開くと、配管232の流路が開放され、洗浄水がセンサー管221に供給される。その結果、センサー管221が洗浄される。バルブ234が閉じると、配管232が閉塞され、センサー管221への洗浄水の供給が停止する。
制御部A1は、バルブ147、148、152、192、213、214、223、224、233、234、排液バルブ162、及び、供給バルブ183、184を制御する。また、制御部A1は、ポンプ142及びヒーター143を制御する。
次に、図4を参照して、処理液LQへの空気の混入が基板Wの処理に与える影響を説明する。一例として、処理液LQの溶存酸素濃度について説明する。図4は、処理液LQの溶存酸素濃度とエッチング量との関係を示すグラフである。横軸は、処理液LQの溶存酸素濃度(ppm)を示し、縦軸は、基板Wのエッチング量を示す。
また、図4は、アルカリ性の処理液LQとしてTMAHの水溶液を使用した場合の実施例を示している。TMAHの濃度は、0.31%であった。実施例では、基板Wに、ポリシリコン膜(ポリシリコン層)が形成されていた。図4は、TMAHに基板Wを浸漬した場合のポリシリコン膜のエッチング量を示している。エッチング量は、TMAHへの浸漬前のポリシリコン膜の厚みから浸漬後のポリシリコン膜の厚みを差し引いた値である。エッチング量を「基板Wのエッチング量」と記載する場合がある。
図4に示すように、処理液LQの溶存酸素濃度が低い程、基板Wのエッチング量(処理量)が多くなった。エッチング量(処理量)は、溶存酸素濃度に略正比例した。比例定数は「負」であった。
以上、図4を参照して説明したように、例えば処理液LQがアルカリ性である場合、基板Wの処理量は処理液LQの溶存酸素濃度の影響を受ける。従って、基板Wを処理する際には、処理液LQの溶存酸素濃度が低い程好ましい。
すなわち、例えば処理液LQがアルカリ性である場合、処理液LQへの空気の混入は基板Wの処理に影響を与える。なぜなら、空気には酸素が含まれるからである。従って、基板Wを処理する際には、処理液LQに混入する空気が少ない程好ましい。
次に、図1及び図5~図8を参照して、本実施形態に係る基板処理方法を説明する。図1に示すように、基板処理方法は、内槽110において処理液LQによって基板Wを処理する。また、基板処理方法においては、処理液LQを貯留する内槽110から溢れた処理液LQが流入する外槽120から、循環配管141及び循環液導入口132を通して内槽110に処理液LQを導入することで、内槽110に貯留された処理液LQを循環させることが可能である。
基板処理方法は処理液交換方法を含む。図5~図8は、処理液交換方法を示す模式図である。図5~図8に示すように、処理液交換方法は、工程S1~工程S4を含む。処理液交換方法は、処理液LQのライフタイムが満了した後に実行される。ライフタイムとは、処理液LQの状態が変化し継続して処理液LQの使用を継続すると処理自体が十分に行われなくなると判断される使用時間のことである。つまり、ライフタイムとは、処理液LQの継続的な使用によって処理液LQの処理性能を維持できなくなる使用時間のことである。ライフタイムは、実験的及び/又は経験的に定められる。
以下、ライフタイムが満了した処理液LQを「使用済みの処理液LQ」又は「旧液」と記載する場合がある。また、ライフタイムが満了した処理液LQに換えて新たに供給される処理液LQを「未使用の処理液LQ」又は「新液」と記載する場合がある。
まず、図5に示すように、工程S1では、内槽110、外槽120、及び、循環配管141から、処理液LQをタンク170に排出する。その結果、内槽110、外槽120、及び、循環配管141が、空になる。工程S1で排出される処理液LQは、例えば、ライフタイムが満了した処理液である。工程S1は、本発明の「第1排液工程」の一例に相当する。
図5において、状態ST11は、処理液LQの排出途中の状態を示す。状態ST12は、内槽110、外槽120、及び、循環配管141が、空になった状態を示す。
一例として、まず、内槽排液配管151、第2配管141b、及び、排液配管161によって、内槽110の処理液LQを排出する。次に、第1配管141a、第2配管141b、及び、排液配管161によって、外槽120の処理液LQを排出する。次に、循環配管141(第1配管141a~第3配管部25c)から、処理液LQを排出する。
具体的には、工程S1では、制御部A1は、内槽110、外槽120、及び、循環配管141から、処理液LQをタンク170に排出するように、排液バルブ162、バルブ147、バルブ148、バルブ152、及び、ポンプ142を制御する。なお、この場合、排液バルブ162は開き、バルブ147及び供給バルブ183は閉じ、ポンプ142は駆動する。また、外槽120から処理液LQを排出する場合には、バルブ148が開き、バルブ152が閉じる。内槽110から処理液LQを排出する場合には、バルブ152が開き、バルブ148が閉じる。制御の詳細は後述する。
次に、図6に示すように、工程S2において、内槽110に新たに処理液LQを供給することで、内槽110に新たに処理液LQを貯留する。つまり、内槽110、外槽120、及び、循環配管141から、処理液LQを排出した後において(工程S1において処理液LQを排出した後において)、新液供給配管181及び新液供給口185を通して内槽110に新たに処理液LQを供給することで、内槽110に新たに処理液LQを貯留する。内槽110が処理液LQで満杯になると、処理液LQは内槽110から溢れて外槽120に流入する。その結果、処理液LQは、内槽110だけでなく、外槽120にも、貯留される。工程S2は、本発明の「第1供給工程」の一例に相当する。
図6において、状態ST21は、内槽110に新たに処理液LQが供給されている途中の状態を示す。状態ST22は、内槽110の処理液LQの液位が内槽定量レベルLVIになるとともに、外槽120の処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOになった状態を示す。
内槽定量レベルLVIは、内槽110が処理液LQで満杯になる液位を示す。つまり、内槽定量レベルLVIは、内槽110に貯留すべき処理液LQの液位の上限を示す。内槽定量レベルLVIは、本発明の「内槽上限レベル」の一例に相当する。
外槽定量レベルLVOは、処理液LQを循環させるために必要な外槽120への処理液LQの貯留量に対応する液位を示す。つまり、外槽定量レベルLVOは、外槽120に貯留すべき処理液LQの液位の上限を示す。この点、外槽定量レベルLVOを外槽上限レベルと記載することもできる。外槽定量レベルLVOは、外槽定量レベルLVOの満杯レベルよりも低い。外槽定量レベルLVOは、実験的及び/又は経験的に定められる。
具体的には、工程S2では、制御部A1は、内槽110、外槽120、及び、循環配管141から、処理液LQを排出した後において、内槽110に新たに処理液LQを供給するように、供給バルブ183を制御する。従って、新液供給配管181から内槽110に新たに処理液LQが供給される。なお、この場合、供給バルブ183は開き、バルブ147、148、152及び排液バルブ162は閉じ、ポンプ142は停止する。制御の詳細は後述する。
また、内槽110及び外槽120が状態ST22になると、制御部A1は、内槽110の処理液LQが循環配管141を通って循環するように、バルブ147、バルブ148、バルブ152、排液バルブ162、及び、ポンプ142を制御する。なお、この場合、バルブ147、148は開き、バルブ152、供給バルブ183及び排液バルブ162は閉じ、ポンプ142は駆動する。制御の詳細は後述する。
次に、図7に示すように、工程S3において、内槽110に貯留された処理液LQを、内槽下限レベルLVLまでタンク170に排出する。つまり、内槽110に新たに処理液LQを供給した後において(工程S2よりも後において)、内槽110に貯留された処理液LQを、内槽下限レベルLVLまでタンク170に排出する。この場合、内槽110の処理液LQは、内槽排液配管151、第2配管141b、及び、排液配管161を通ってタンク170に排出される。一方、本実施形態では、外槽120の処理液LQは排出しない。工程S3は、本発明の「第2排液工程」の一例に相当する。
図7において、状態ST31は、内槽110から処理液LQの排出途中の状態を示す。状態ST32は、処理液LQが内槽110から内槽下限レベルLVLまで排出された状態を示す。
内槽下限レベルLVLは、内槽110の内部に配置された循環液導入口132(図1)の位置よりも高い液位を示すとともに、内槽110の内部に配置された新液供給口185の位置よりも高い液位を示す。従って、処理液LQの液位が内槽下限レベルLVLである場合には、新液供給口185と、循環液導入部材131の循環液導入口132(図1)とは、処理液LQ中に位置し、処理液LQから外部に露出していない。なお、内槽定量レベルLVIは、内槽110において内槽下限レベルLVLよりも高い液位を示す。
具体的には、工程S3では、制御部A1は、内槽110に新たに処理液LQを供給した後において、内槽110に貯留された処理液LQを、内槽下限レベルLVLまで排出するように、排液バルブ162、バルブ147、バルブ148、バルブ152、及び、ポンプ142を制御する。なお、この場合、排液バルブ162及びバルブ152は開き、バルブ147、148及び供給バルブ183は閉じ、ポンプ142は駆動している。制御の詳細は後述する。
なお、複数の新液供給口185が存在する場合は、内槽下限レベルLVLは、循環液導入口132(図1)の位置よりも高い液位を示すとともに、最も上側に位置する新液供給口185の位置よりも高い液位を示す。また、複数の循環液導入口132が存在する場合には、内槽下限レベルLVLは、最も上側に位置する循環液導入口132(図1)の位置よりも高い液位を示すとともに、新液供給口185の位置よりも高い液位を示す。更に、複数の新液供給口185及び複数の循環液導入口132が存在する場合には、内槽下限レベルLVLは、最も上側に位置する循環液導入口132(図1)の位置よりも高い液位を示すとともに、最も上側に位置する新液供給口185の位置よりも高い液位を示す。
次に、図8に示すように、工程S4において、内槽110に新たに処理液LQを供給することで、内槽110に処理液LQを新たに貯留する。つまり、内槽110から、内槽下限レベルLVLまで処理液LQを排出した後において(工程S3よりも後において)、新液供給配管181及び新液供給口185を通して内槽110に新たに処理液LQを供給することで、内槽110に処理液LQを新たに貯留する。工程S4は、本発明の「第2供給工程」の一例に相当する。
図8において、状態ST41は、内槽110に新たに処理液LQが供給されている途中の状態を示す。状態ST42は、内槽110の処理液LQの液位が内槽定量レベルLVIになるとともに、外槽120の処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOになった状態を示す。
具体的には、工程S4では、制御部A1は、内槽110から、処理液LQを内槽下限レベルLVLまで排出した後において、内槽110に新たに処理液LQを供給するように、供給バルブ183を制御する。従って、新液供給配管181から内槽110に新たに処理液LQが供給される。なお、この場合、供給バルブ183は開き、バルブ147、148、152及び排液バルブ162は閉じ、ポンプ142は停止する。制御の詳細は後述する。
また、内槽110及び外槽120が状態ST42になると、制御部A1は、内槽110の処理液LQが循環配管141を通って循環するように、バルブ147、バルブ148、バルブ152、排液バルブ162、及び、ポンプ142を制御する。なお、この場合、バルブ147、148は開き、バルブ152、供給バルブ183及び排液バルブ162は閉じ、ポンプ142は駆動する。制御の詳細は後述する。
以上、図5~図8を参照して説明したように、本実施形態によれば、工程S1及び工程S2において旧液を新液に置換する。つまり、工程S1及び工程S2では、内槽110及び外槽120において、処理液LQの全液交換が実行される。
そして、処理液LQの全液交換後に、工程S3において内槽下限レベルLVLまで処理液LQを排出し、工程S4において内槽110に新たに処理液LQを供給する。特に、工程S3では、新液供給口185及び循環液導入口132は処理液LQの液面よりも下方に位置する。従って、新液供給口185から新液供給配管181に空気が進入すること、及び、循環液導入口132(図1)から循環液導入部材131に空気が進入することを抑制できる。
その結果、工程S4では、新液供給配管181及び循環液導入部材131に空気が進入することを抑制しつつも、内槽110に新たに処理液LQを供給できる。加えて、工程S3においては、新液供給配管181及び循環液導入部材131に空気が進入することを抑制しつつも、工程S2において空気が混入した処理液LQを排出できるとともに、循環配管141に残存する空気を排出できる。その結果、処理液LQに空気が混入することを抑制できる。よって、基板Wの処理を効果的に実行できる。
例えば、処理液LQに空気が混入することを抑制できることは、処理液LQに酸素が溶解することを抑制できることに相当する。従って、処理液LQに空気が混入することを抑制できると、処理液LQの溶存酸素濃度を低下させることができる。その結果、基板Wの処理量(エッチング量)が溶存酸素によって低下することを抑制できる(図4)。この点は、処理液LQがアルカリ性である場合に特に有効である。
また、本実施形態では、工程S3において、制御部A1は、バルブ148を閉じている。従って、工程S3では、制御部A1は、外槽120に貯留された処理液LQを排出しない。従って、循環配管141の流入口141xは、外槽120において処理液LQの液面よりも下方に位置する。つまり、循環配管141の流入口141xは、外槽120において処理液LQ中に位置し、処理液LQの外部に露出していない。従って、流入口141xから循環配管141に空気が進入することを抑制できる。その結果、処理液LQに空気が混入することをより抑制できる。
更に、本実施形態では、工程S3において内槽110の処理液LQが内槽下限レベルLVLまで排出された場合に、制御部A1は、駆動中のポンプ142を停止する。従って、処理液LQの液位が内槽下限レベルLVLよりも下がることを確実に抑制できる。また、工程S4において少なくとも内槽定量レベルLVIまで処理液LQが供給された場合に、制御部A1は、ポンプ142を駆動することで、内槽110の処理液LQを、循環配管141を通して循環させる。従って、循環配管141に残存する空気を排出できる。一例として、本実施形態では、内槽110の処理液LQの液位が内槽定量レベルLVIになり、かつ、外槽120の処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOになると、制御部A1は、ポンプ142を駆動する。
更に、本実施形態では、工程S3及び工程S4をそれぞれ1回実行してもよいし、工程S3及び工程S4をそれぞれ複数回実行してもよい。工程S3及び工程S4をそれぞれ複数回実行する場合は、新液供給配管181及び循環液導入部材131に空気が進入することを抑制しつつも、空気が混入した処理液LQをより効果的に排出できるとともに、循環配管141に残存する空気をより効果的に排出できる。よって、処理液LQに空気が混入することをより効果的に抑制できる。
ここで、工程S3及び工程S4のそれぞれの実行回数を「N」と記載する。つまり、工程S3及び工程S4を1セットと捉えたときに、Nセットが実行される。「N」は、1以上の整数を示す。
例えば、内槽定量レベルLVIの処理液LQの体積を「V1」、外槽定量レベルLVOの処理液LQの体積を「V2」、循環配管141の容量を「V3」、工程S3で内槽110から排出される処理液LQの体積を「V4」とした場合に、「N」は、次式によって定められる。具体的には、体積V4は、内槽定量レベルLVIから内槽下限レベルLVLまでの処理液LQの体積を示す。次式の「N」が小数点を有する場合には、小数点以下を切り上げた値を実行回数Nに設定してもよいし、小数点以下を切り捨てた値を実行回数Nに設定してもよい。
N=(V1+V2+V3)/V4
この例によれば、工程S2における状態ST22(図6)において、内槽110、外槽120、及び、循環配管141に存在する「空気が混入した処理液LQ」の全てを、空気の混入が抑制された新たな処理液LQに置換できる。
また、本実施形態では、制御部A1は、溶存酸素計240(図3)から処理液LQの溶存酸素濃度を示す情報を取得してもよい。そして、制御部A1は、内槽110に貯留された処理液LQにおける溶存酸素濃度に応じて、工程S3及び工程S4のそれぞれの実行回数Nを決定してもよい。この場合、処理液LQの溶存酸素濃度に応じて、工程S3及び工程S4のそれぞれの実行回数Nを最適化できる。例えば、制御部A1は、処理液LQの溶存酸素濃度が高い程、工程S3及び工程S4のそれぞれの実行回数Nを多くする。工程S3及び工程S4のそれぞれの実行回数Nは、1回でもよいし、2回以上でもよい。
次に、図9を参照して、処理液交換方法を説明する。図9は、本実施形態に係る処理液交換方法における処理液LQの交換シーケンスを示すタイムチャートである。横軸は時間を示している。また、図9は、実行回数N=2の場合を例示している。図9における工程S1~工程S4は、それぞれ、図5~図8の工程S1~工程S4を示している。
図9に示すように、時刻t1に工程S1(第1排液工程)が開始され、時刻t2に工程S1が終了する。また、時刻t2に工程S2(第1供給工程)が開始され、時刻t3で工程S2が終了する。更に、時刻t4で1回目の工程S3(第2排液工程)が開始され、時刻t5で1回目の工程S3が終了する。更に、時刻t5で1回目の工程S4(第2供給工程)が開始され、時刻t6で1回目の工程S4が終了する。更に、時刻t7で2回目の工程S3(第2排液工程)が開始され、時刻t8で2回目の工程S3が終了する。更に、時刻t8で2回目の工程S4(第2供給工程)が開始され、時刻t9で2回目の工程S4が終了する。
なお、図9では、工程S1及び工程S2の液交換を「全液交換」と記載している。また、工程S3及び工程S4の液交換を「部分液交換」と記載している。
次に、図2、図3及び図10~図12を参照して、本実施形態に係る基板処理方法の詳細を説明する。図10は、本実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
図10に示すように、基板処理方法は、工程S11~工程S21を含む。基板処理方法は、基板処理装置100によって実行される。
図2及び図10に示すように、まず、工程S11において、制御部A1は、内槽110の処理液LQに基板Wを浸漬するように、基板保持部125を制御する。その結果、基板保持部125は、基板Wを下降し、基板Wを処理液LQに浸漬する。
次に、工程S12において、内槽110において、基板Wが処理液LQによって処理される。
次に、工程S13において、制御部A1は、内槽110の処理液LQから基板Wを引き上げるように、基板保持部125を制御する。その結果、基板保持部125は、基板Wを上昇し、基板Wを処理液LQから引き上げる。
次に、工程S14において、制御部A1は、処理液LQの交換時期が到来したか否かを判定する。つまり、制御部A1は、処理液LQのライフタイムが満了したか否かを判定する。
工程S14で処理液LQの交換時期が到来していないと判定された場合(No)、処理は工程S11に戻る。
一方、工程S14で処理液LQの交換時期が到来したと判定された場合(Yes)、処理は工程S15に進む。この場合、タンク170が空であることを条件に、処理は工程S15に進む。
次に、図3及び図10に示すように、工程S15において、制御部A1は、外槽120からタンク170に処理液LQを排出することで、外槽120を空にする。具体的には、制御部A1は、排液バルブ162及びバルブ148を開き、バルブ147、152を閉じる。加えて、制御部A1は、ポンプ142を駆動する。その結果、外槽120からタンク170に処理液LQが排出され、外槽120が空になる。具体的には、処理液LQは、第1配管141a、第2配管141b、及び、排液配管161を通って、外槽120からタンク170に排出される。なお、工程S15において、制御部A1は、バルブ192、233、235及び供給バルブ183、184を閉じている。
次に、工程S16において、制御部A1は、内槽110からタンク170に処理液LQを排出することで、内槽110を空にする。具体的には、制御部A1は、排液バルブ162及びバルブ152を開き、バルブ147、148を閉じる。また、制御部A1は、ポンプ142の駆動を継続する。その結果、内槽110からタンク170に処理液LQが排出され、内槽110が空になる。具体的には、処理液LQは、内槽排液配管151、第2配管141b、及び、排液配管161を通って、内槽110からタンク170に排出される。なお、工程S16において、制御部A1は、バルブ192、233、235及び供給バルブ183、184を閉じている。
次に、工程S17において、制御部A1は、循環配管141からタンク170に処理液LQを排出することで、循環配管141を空にする。具体的には、制御部A1は、排液バルブ162及びバルブ147、148を開く。加えて、制御部A1は、ポンプ142を停止する。その結果、処理液LQは、循環配管141からタンク170に処理液LQの自重によって排出され、循環配管141が空になる。なお、工程S17において、制御部A1は、バルブ152、192、233、235及び供給バルブ183、184を閉じている。
次に、工程S18において、制御部A1は、内槽レベルセンサー210及び外槽レベルセンサー220を洗浄水によって洗浄する。具体的には、制御部A1は、バルブ233、235を開くことで、センサー管211、221を洗浄する。制御部A1は、洗浄後にバルブ233、235を閉じる。詳細は省略する。なお、図10では、図面の簡略化のために、工程S18に対応する処理を省略している。
次に、工程S19において、制御部A1は、内槽110及び外槽120を洗浄水によって洗浄する。具体的には、制御部A1は、バルブ192を開くことで、内槽110及び外槽120を洗浄する。制御部A1は、洗浄後にバルブ192を閉じる。詳細は省略する。なお、図10では、図面の簡略化のために、工程S19に対応する処理を省略している。
次に、工程S20において、制御部A1は、内槽110及び外槽120に新たに処理液LQを貯留する。つまり、制御部A1は、内槽110及び外槽120の旧液を新液に交換する。詳細は後述する。
次に、工程S21において、制御部A1は、処理液LQの温度を目標値に調節する。具体的には、制御部A1は、ヒーター143を制御することで、処理液LQの温度を目標値に調節する。工程S21の後、処理は工程S11に進む。
なお、工程S14~工程S20は、本実施形態に係る処理液交換方法を実現している。
図11及び図12は、図10の工程S20の詳細を示すフローチャートである。図11及び図12に示すように、図10の工程S20は、工程S201~工程S214を含む。
まず、図3及び図11に示すように、工程S201において、制御部A1は、内槽110に対して新たに処理液LQの供給を開始する。具体的には、制御部A1は、供給バルブ183を開き、排液バルブ162、バルブ147、148、152、192、233、235、及び供給バルブ184を閉じることで、内槽110に対して新たに処理液LQの供給を開始する。具体的には、新液供給配管181及び新液供給口185から内槽110に対して処理液LQが供給される。内槽110が処理液LQで満杯になると、処理液LQは内槽110から溢れて外槽120に流入する。
次に、工程S202において、制御部A1は、外槽レベルセンサー220の検知結果に基づいて、外槽120に貯留された処理液LQの液位が外槽定量レベルLVO(図6)に到達したか否かを判定する。
工程S202で処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOに到達していないと判定された場合(No)、処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOに到達するまで、工程S202の処理が繰り返される。
一方、工程S202で処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOに到達したと判定された場合(Yes)、処理は工程S203に進む。
次に、工程S203において、制御部A1は、ポンプ142を駆動する。この場合、制御部A1は、バルブ147、148を開く。その結果、内槽110の処理液LQは、循環配管141を通って循環する。
次に、工程S204において、制御部A1は、外槽レベルセンサー220の検知結果に基づいて、外槽120の処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOで安定したか否かを判定する。具体的には、制御部A1は、外槽120の処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOを所定期間継続した場合に、処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOで安定したと判定する。
工程S204で処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOで安定していないと判定された場合(No)、処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOで安定するまで、工程S204の処理が繰り返される。例えば、工程S203でのポンプ142の駆動(処理液LQの循環)によって、外槽120の液位が下がった場合には、制御部A1は、新液供給配管181及び新液供給口185から内槽110を介して外槽120に対して処理液LQを補充することで、外槽120の液位が外槽定量レベルLVOで安定するように調節する。
一方、工程S204で処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOで安定したと判定された場合(Yes)、処理は工程S205に進む。
次に、工程S205において、制御部A1は、内槽110への処理液LQの供給を停止する。具体的には、制御部A1は、供給バルブ183を閉じることで、内槽110への処理液LQの供給を停止する。
次に、工程S206において、制御部A1は、タンク170の空き容量が排液を収容可能な容量以上であることを条件に、内槽110からタンク170へ処理液LQの排出を開始する。つまり、タンク170の空き容量が、内槽定量レベルLVIから内槽下限レベルLVLまでの処理液LQを収容可能な容量以上であることを条件に、内槽110からタンク170へ処理液LQの排出が開始される。具体的には、制御部A1は、バルブ147、148を閉じ、排液バルブ162及びバルブ152を開くことで、内槽110からタンク170へ処理液LQの排出を開始する。この場合、処理液LQは、内槽排液配管151、第2配管141b、及び、排液配管161を通って、内槽110からタンク170に排出される。また、バルブ147が閉じるため、処理液LQの循環は停止する。
次に、工程S207において、制御部A1は、内槽レベルセンサー210の検出結果に基づいて、内槽110の処理液LQの液位が内槽下限レベルLVLに到達したか否かを判定する。
工程S207で処理液LQの液位が内槽下限レベルLVLに到達していないと判定された場合(No)、処理液LQの液位が内槽下限レベルLVLに到達するまで、工程S207の処理が繰り返される。つまり、処理液LQの液位が内槽下限レベルLVLに到達するまで、内槽110からの処理液LQの排出が継続される。
一方、工程S207で処理液LQの液位が内槽下限レベルLVLに到達したと判定された場合(Yes)、処理は工程S208に進む。
次に、工程S208において、制御部A1は、ポンプ142を停止する。その結果、内槽110からタンク170への処理液LQの排出が停止される。また、制御部A1は、排液バルブ162及びバルブ152を閉じる。
次に、工程S209において、制御部A1は、内槽110に対して新たに処理液LQの供給を開始する。具体的には、制御部A1は、供給バルブ183を開くことで、内槽110に対して新たに処理液LQの供給を開始する。具体的には、新液供給配管181及び新液供給口185から内槽110に対して処理液LQが供給される。
次に、図3及び図12に示すように、工程S210において、制御部A1は、内槽レベルセンサー210の検知結果に基づいて、内槽110に貯留された処理液LQの液位が内槽定量レベルLVI(図8)に到達したか否かを判定する。加えて、制御部A1は、外槽レベルセンサー220の検知結果に基づいて、外槽120に貯留された処理液LQの液位が外槽定量レベルLVO(図8)に到達したか否かを判定する。
工程S210で内槽110の処理液LQの液位が内槽定量レベルLVIに到達していないと判定された場合(No)、又は、工程S210で外槽120の処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOに到達していないと判定された場合(No)、内槽110の処理液LQの液位が内槽定量レベルLVIに到達するとともに、外槽120の処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOに到達するまで、工程S210の処理が繰り返される。
一方、工程S210で内槽110の処理液LQの液位が内槽定量レベルLVIに到達したと判定され、かつ、工程S210で外槽120の処理液LQの液位が外槽定量レベルLVOに到達したと判定された場合(Yes)、処理は工程S211に進む。
次に、工程S211において、制御部A1は、ポンプ142を駆動する。この場合、制御部A1は、バルブ147、148を開く。その結果、内槽110の処理液LQは、循環配管141を通って循環する。
次に、工程S212において、制御部A1は、内槽レベルセンサー210の検知結果に基づいて、内槽110の処理液LQの液位が内槽定量レベルLVIで安定したか否かを判定する。具体的には、制御部A1は、内槽110の処理液LQの液位が内槽定量レベルLVIを所定期間継続した場合に、処理液LQの液位が内槽定量レベルLVIで安定したと判定する。
工程S212で処理液LQの液位が内槽定量レベルLVIで安定していないと判定された場合(No)、処理液LQの液位が内槽定量レベルLVIで安定するまで、工程S212の処理が繰り返される。
一方、工程S212で処理液LQの液位が内槽定量レベルLVIで安定したと判定された場合(Yes)、処理は工程S213に進む。
次に、工程S213において、制御部A1は、内槽110に対する処理液LQの供給を停止する。具体的には、制御部A1は、供給バルブ183を閉じることで、内槽110に対する処理液LQの供給を停止する。
次に、工程S214において、制御部A1は、工程S206~工程S213がM回実行されたか否かを判定する。Mは1以上の整数を示す。例えば、Mは、実験的及び/又は経験的に定められる。図10は、M=2の場合を示している。
工程S206~工程S213がM回実行されていないと工程S214で判定された場合(No)、処理は工程S206に進む。
一方、工程S206~工程S213がM回実行されたと工程S214で判定された場合(Yes)、処理は図10の工程S21に進む。
以上、図10~図12を参照して説明したように、本実施形態に係る基板処理方法によれば、工程S15~工程S19による処理液LQの全液交換後に、工程S206及び工程S207において内槽下限レベルLVLまで処理液LQを排出し、工程S209において内槽110に新たに処理液LQを供給する。特に、工程S206及び工程S207では、新液供給口185及び循環液導入口132は処理液LQの液面よりも下方に位置する。従って、新液供給口185から新液供給配管181に空気が進入すること、及び、循環液導入口132(図1)から循環液導入部材131に空気が進入することを抑制できる。
その結果、工程S209では、新液供給配管181及び循環液導入部材131に空気が進入することを抑制しつつも、内槽110に新たに処理液LQを供給できる。加えて、工程S206及び工程S207においては、新液供給配管181及び循環液導入部材131に空気が進入することを抑制しつつも、工程S201~工程S205において空気が混入した処理液LQを排出できるとともに、循環配管141に残存する空気を排出できる。その結果、処理液LQに空気が混入することを抑制できる。よって、基板Wの処理を効果的に実行できる。
ここで、図10の工程S15~工程S17が本発明の「第1排液工程」の一例に相当する。また、図11の工程S201~工程S205は、本発明の「第1供給工程」の一例に相当する。更に、図11の工程S206~工程S208は、本発明の「第2排液工程」の一例に相当する。更に、図11及び図12の工程S209~工程S213は、本発明の「第2供給工程」の一例に相当する。
なお、図7の工程S3及び図11の工程S206では、内槽110のみから処理液LQを排出し、外槽120からは処理液LQを排出しなかった。ただし、図7の工程S3及び図11の工程S206において、循環配管141の流入口141x(図3)が処理液LQ中に位置して処理液LQの外部に露出しない限りは、内槽110に加えて、外槽120からも処理液LQを排出してもよい。この場合は、処理液LQの排出時間を短縮できる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
100 基板処理装置
110 内槽
120 外槽
131 循環液導入部材
132 循環液導入口
141 循環配管
142 ポンプ
161 排液配管
162 排液バルブ
181 新液供給配管
183 供給バルブ
A1 制御部
LVI 内槽定量レベル(内槽上限レベル)
LVL 内槽下限レベル
LVO 外槽定量レベル(外槽上限レベル)
W 基板
110 内槽
120 外槽
131 循環液導入部材
132 循環液導入口
141 循環配管
142 ポンプ
161 排液配管
162 排液バルブ
181 新液供給配管
183 供給バルブ
A1 制御部
LVI 内槽定量レベル(内槽上限レベル)
LVL 内槽下限レベル
LVO 外槽定量レベル(外槽上限レベル)
W 基板
Claims (7)
- 処理液を貯留する内槽から溢れた前記処理液が流入する外槽から、循環配管及び循環液導入口を通して前記内槽に前記処理液を導入することで、前記内槽に貯留された前記処理液を循環させることが可能であり、前記内槽において前記処理液によって基板を処理する基板処理方法であって、
前記内槽、前記外槽、及び、前記循環配管から、前記処理液を排出する第1排液工程と、
前記第1排液工程において前記処理液を排出した後において、新液供給口を通して前記内槽に新たに処理液を供給することで、前記内槽に新たに前記処理液を貯留する第1供給工程と、
前記内槽に新たに前記処理液を供給した後において、前記内槽に貯留された前記処理液を、内槽下限レベルまで排出する第2排液工程と、
前記内槽下限レベルまで前記処理液を排出した後において、前記新液供給口を通して前記内槽に新たに処理液を供給することで、前記内槽に前記処理液を新たに貯留する第2供給工程と
を含み、
前記内槽下限レベルは、前記内槽の内部に配置された前記循環液導入口の位置よりも高い液位を示すとともに、前記内槽の内部に配置された前記新液供給口の位置よりも高い液位を示す、基板処理方法。 - 前記第2排液工程及び前記第2供給工程をそれぞれ複数回実行する、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記内槽に貯留された前記処理液における溶存酸素濃度に応じて、前記第2排液工程及び前記第2供給工程の実行回数を決定する、請求項1又は請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記第2排液工程では、前記外槽に貯留された前記処理液を排出しない、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記第2排液工程において前記内槽の前記処理液が前記内槽下限レベルまで排出された場合に、駆動中のポンプを停止し、
前記第2供給工程において少なくとも内槽上限レベルまで前記処理液が供給された場合に、前記ポンプを駆動することで、前記内槽の前記処理液を、前記循環配管を通して循環させ、
前記内槽上限レベルは、前記内槽において前記内槽下限レベルよりも高い液位を示す、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記処理液は、アルカリ性である、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 処理液を貯留する内槽と、
前記内槽の外側に配置され、前記内槽から溢れた前記処理液が流入する外槽と、
循環液導入口を有し、前記循環液導入口を通して前記外槽から供給される前記処理液を前記内槽に導入する循環液導入部材と、
前記外槽から前記循環液導入部材に前記処理液を供給することで、前記内槽に貯留された前記処理液を循環させる循環配管と、
前記循環配管から分岐し、前記処理液を排出する排液配管と、
前記排液配管の流路を開閉する排液バルブと、
前記排液配管よりも上流において前記循環配管に配置され、前記循環配管中の前記処理液を送出するポンプと、
新液供給口を有し、前記新液供給口を通して前記内槽に処理液を新たに供給する新液供給配管と、
前記新液供給配管の流路を開閉する供給バルブと、
前記排液バルブ、前記ポンプ、及び、前記供給バルブを制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、
前記内槽、前記外槽、及び、前記循環配管から、前記処理液を排出するように、前記排液バルブ及び前記ポンプを制御し、
前記処理液を排出した後において、前記内槽に新たに前記処理液を供給するように、前記供給バルブを制御し、
新たに前記処理液を供給した後において、前記内槽に貯留された前記処理液を、内槽下限レベルまで排出するように、前記排液バルブ及び前記ポンプを制御し、
前記内槽下限レベルまで前記処理液を排出した後において、前記内槽に新たに処理液を供給するように、前記供給バルブを制御し、
前記内槽下限レベルは、前記内槽の内部に配置された前記循環液導入口の位置よりも高い液位を示すとともに、前記内槽の内部に配置された前記新液供給口の位置よりも高い液位を示す、基板処理装置。
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