TWI839145B

TWI839145B - 基板處理方法及基板處理裝置

Info

Publication number: TWI839145B
Application number: TW112108014A
Authority: TW
Inventors: 西野陽祐; 杉岡真治
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2022-03-15
Filing date: 2023-03-06
Publication date: 2024-04-11

Abstract

本發明提供一種基板處理方法及基板處理裝置。於基板處理方法中，自內槽(110)、外槽(120)、及循環配管(141)排出處理液(第1排液步驟S1)。於排出處理液之後，經過新液供給口(185)而對內槽(110)重新供給處理液(第1供給步驟S2)。於對內槽(110)重新供給處理液之後，將蓄積於內槽(110)中之處理液排出直至內槽下限位準(LVL)為止(第2排液步驟S3)。於將處理液排出直至內槽下限位準(LVL)為止之後，經過新液供給口(185)而對內槽(110)重新供給處理液(第2供給步驟S4)。內槽下限位準(LVL)表示較配置於內槽(110)內部之循環液導入口(132)之位置更高之液位，並且表示較配置於內槽(110)內部之新液供給口(185)之位置更高之液位。

Description

基板處理方法及基板處理裝置

本發明涉及一種基板處理方法及基板處理裝置。

專利文獻1中所記載之基板處理裝置藉由使基板浸漬於包含一種以上之藥液及純水之處理液來對基板進行規定之處理。基板處理裝置具備處理槽、及處理液更換部。於處理槽中，蓄積有用以對基板進行規定處理之處理液。當處理槽中之處理液超過使用期時，處理液更換部更換處理液。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2019-79954號公報

然而，於專利文獻1所記載之基板處理裝置中，有可能會於處理液之更換過程中有空氣混入至處理液中。例如，使處理液循環之循環管線中之空氣會於處理液之更換過程中混入至處理液中。或者，例如，於為了更換處理液而自藥液管線之藥液噴出口向處理槽噴出藥液時、及自純水管線之純水噴出口向處理槽噴出純水時，會有空氣混入至處理液中。

本申請案之發明者進行銳意研究，結果查明當空氣混入至處理液中時，有可能對基板之處理帶來影響。

本發明之目的在於提供一種能夠抑制空氣混入至處理液中之基板處理方法及基板處理裝置。

根據本發明之一形態，基板處理方法藉由自供從蓄積處理液之內槽溢出之上述處理液流入之外槽，經過循環配管及循環液導入口而對上述內槽導入上述處理液，能夠使蓄積於上述內槽中之上述處理液循環。基板處理方法於上述內槽中利用上述處理液來處理基板。基板處理方法包含第1排液步驟、第1供給步驟、第2排液步驟、及第2供給步驟。於第1排液步驟中，自上述內槽、上述外槽、及上述循環配管排出上述處理液。於第1供給步驟中，於上述第1排液步驟中排出上述處理液之後，經過新液供給口對上述內槽重新供給處理液，藉此於上述內槽中重新蓄積上述處理液。於第2排液步驟中，於對上述內槽重新供給上述處理液之後，將蓄積於上述內槽中之上述處理液排出直至內槽下限位準為止。於第2供給步驟中，於將上述處理液排出直至上述內槽下限位準為止之後，經過上述新液供給口對上述內槽重新供給處理液，藉此於上述內槽中重新蓄積上述處理液。上述內槽下限位準表示較配置於上述內槽內部之上述循環液導入口之位置更高之液位，並且表示較配置於上述內槽內部之上述新液供給口之位置更高之液位。

於本發明之一形態中，較佳為，將上述第2排液步驟及上述第2供給步驟分別執行複數次。

於本發明之一形態中，較佳為，根據蓄積於上述內槽中之上述處理液中之溶存氧濃度，來決定上述第2排液步驟及上述第2供給步驟之執行次數。

於本發明之一形態中，較佳為，於上述第2排液步驟中，不排出蓄積於上述外槽中之上述處理液。

於本發明之一形態中，較佳為，於上述第2排液步驟中將上述內槽之上述處理液排出直至上述內槽下限位準為止之情形時，停止驅動中之泵。較佳為，於上述第2供給步驟中供給上述處理液至少達到內槽上限位準為止之情形時，藉由驅動上述泵，來使上述內槽之上述處理液經過上述循環配管而循環。較佳為，上述內槽上限位準表示於上述內槽中較上述內槽下限位準更高之液位。

於本發明之一形態中，較佳為，上述處理液為鹼性。

根據本發明之另一形態，基板處理裝置具備內槽、外槽、循環液導入構件、循環配管、排液配管、排液閥、泵、新液供給配管、供給閥、及控制部。內槽蓄積處理液。外槽配置於上述內槽之外側，供自上述內槽溢出之上述處理液流入。循環液導入構件具有循環液導入口，經過上述循環液導入口將自上述外槽供給之上述處理液導入至上述內槽中。循環配管藉由自上述外槽向上述循環液導入構件供給上述處理液，來使蓄積於上述內槽中之上述處理液循環。排液配管自上述循環配管分支，且排出上述處理液。排液閥將上述排液配管之流路開閉。泵於較上述排液配管靠上游配置於上述循環配管，送出上述循環配管中之上述處理液。新液供給管具有新液供給口，經過上述新液供給口而對上述內槽重新供給處理液。供給閥將上述新液供給配管之流路開閉。控制部控制上述排液閥、上述泵、及上述供給閥。上述控制部以自上述內槽、上述外槽、及上述循環配管排出上述處理液之方式，控制上述排液閥及上述泵。控制部於排出上述處理液之後，以對上述內槽重新供給上述處理液之方式控制上述供給閥。控制部於重新供給上述處理液之後，以排出蓄積於上述內槽中之上述處理液直至內槽下限位準為止之方式控制上述排液閥及上述泵。控制部於排出上述處理液直至上述內槽下限位準為止之後，以對上述內槽重新供給處理液之方式控制上述供給閥。上述內槽下限位準表示較配置於上述內槽內部之上述循環液導入口之位置更高之液位，並且表示較配置於上述內槽內部之上述新液供給口之位置更高之液位。

根據本發明，可提供一種能夠抑制空氣混入至處理液中之基板處理方法及基板處理裝置。

100:基板處理裝置

110:內槽

120:外槽

125:基板保持部

126:本體板

127:保持棒

128:升降單元

130:循環液導入部

131:循環液導入構件

132:循環液導入口

140:循環部

141:循環配管

141a:第1配管

141b:第2配管

141c:第3配管

141x:流入口

142:泵

143:加熱器

144:過濾器

145:調整閥

146:閥

147:閥

148:閥

150:內槽排液部

152:閥

160:排液部

161:排液配管

162:排液閥

170:罐

181:新液供給配管

182:新液供給配管

183:供給閥

184:供給閥

185:新液供給口

186:流量計

190:槽清洗部

191:配管

192:閥

193:流量計

210:內槽位準感測器

211:感測器管

212:感測器本體

213:閥

214:閥

220:外槽位準感測器

221:感測器管

222:感測器本體

223:閥

224:閥

230:感測器清洗部

231:配管

232:配管

233:閥

234:閥

240:溶存氧計

A1:控制部

A2:記憶部

B4:連接點

B6:連接點

CTL:控制裝置

LQ:處理液

LVI:內槽定量位準(內槽上限位準)

LVL:內槽下限位準

LVO:外槽定量位準(外槽上限位準)

S1~S4:步驟

S11~S21:步驟

S201~S214:步驟

ST21:狀態

ST22:狀態

TA:罐

TB:罐

TC:罐

W:基板

圖1係表示本發明之實施方式之基板處理裝置之模式性剖視圖。

圖2(a)係表示將本實施方式之基板浸漬於處理液之前之狀態之圖。(b)係表示將本實施方式之基板浸漬於處理液中之狀態之圖。

圖3係表示本實施方式之基板處理裝置之模式圖。

圖4係表示本實施方式之處理液之溶存氧濃度與蝕刻量之關係之曲線圖。

圖5係表示本實施方式之處理液更換方法中之第1排液步驟之模式圖。

圖6係表示本實施方式之處理液更換方法中之第1供給步驟之模式圖。

圖7係表示本實施方式之處理液更換方法中之第2排液步驟之模式圖。

圖8係表示本實施方式之處理液更換方法中之第2供給步驟之模式圖。

圖9係表示本實施方式之處理液更換方法中之處理液之更換順序之時序圖。

圖10係表示本實施方式之基板處理方法之流程圖。

圖11係表示圖10之步驟S20之詳細處理之前段之流程圖。

圖12係表示圖10之步驟S20之詳細處理之後段之流程圖。

以下，參照圖式，對本發明之實施方式進行說明。再者，於圖中，對相同或相當部分標註相同之參照符號，且不重複說明。又，於圖中，為了容易理解，適當圖示了X軸、Y軸、及Z軸。X軸、Y軸、及Z軸相互正交，X軸及Y軸與位準方向平行，Z軸與鉛直方向平行。

參照圖1~圖13，對本發明之實施方式之基板處理裝置100進行說明。首先，參照圖1~圖3，對基板處理裝置100進行說明。圖1係表示基板處理裝置100之模式性剖視圖。圖1所示之基板處理裝置100為批次式且利用處理液LQ對複數個基板W一起進行處理。基板處理裝置100亦可處理1片基板W。

基板處理裝置100具備內槽110、外槽120、基板保持部125、循環液導入部130、循環部140、及控制裝置CTL。

內槽110蓄積供浸漬複數個基板W之處理液LQ。內槽110能夠收容複數個基板W。內槽110將複數個基板W浸漬於處理液LQ中，而處理複數個基板W。

處理液LQ例如為蝕刻液。例如，利用處理液LQ，對形成於基板W之多晶矽膜進行蝕刻。於本實施方式中，作為一例，處理液LQ為鹼性。例如，處理液LQ(蝕刻液)可為鈉或鉀等鹼性金屬之氫氧化物溶解所得之水溶液(NaOH之水溶液或KOH之水溶液)，亦可為TMAH(tetramethylammonium hydroxide，四甲基氫氧化銨)等四級銨氫氧化物溶解所得之水溶液。四級銨氫氧化物可為TMAH、TBAH(tetrabutylammonium hydroxide，四丁基氫氧化銨)、TPeAH(tetrapentylammonium hydroxide，四戊基氫氧化銨)、THAH(tetrahexylammonium hydroxide，四己基氫氧化銨)、TEAH(tetraethylammonium hydroxide，四乙基氫氧化銨)、TPAH(tetrapropylammonium hydroxide，四丙基氫氧化銨)、及氫氧化膽鹼之至少一種，亦可為該等物質以外之物質。該等物質均包含於有機鹼中。再者，於該段落中，TMAH並非水溶液，而表示酐。該情況對於TBAH等其他四級銨氫氧化物亦相同。

外槽120配置於內槽110之外側。外槽120包圍內槽110。自內槽110溢出之處理液LQ流入至外槽120中。外槽120之上緣之高度高於內槽110之上緣之高度。

基板保持部125保持複數個基板W。基板保持部125亦可保持1片基板W。基板保持部125將隔開間隔而整齊排列之複數個基板W浸漬於蓄積於內槽110中之處理液LQ中。循環液導入部130將蓄積於外槽120中之處理液LQ導入至內槽110。循環液導入部130配置於內槽110之內部。循環部140藉由自外槽120對循環液導入部130供給處理液LQ，而使蓄積於內槽110中之處理液LQ循環。

接著，參照圖1，對各構成之詳細情況進行說明。循環液導入部130包含複數個循環液導入構件131。於圖1之例子中，循環液導入部130包含2個循環液導入構件131。但是，循環液導入構件131之數量並不特別限定，亦可為3個以上。又，循環液導入部130亦可包含1個循環液導入構件131。

複數個循環液導入構件131配置於內槽110之內部。具體而言，複數個循環液導入構件131於內槽110之內部，配置於內槽110之底部側。作為一例，複數個循環液導入構件131分別為直線狀延伸之管。

複數個循環液導入構件131分別具有複數個循環液導入口132。循環液導入口132係設置於循環液導入構件131之貫通孔。循環液導入構件131經過循環液導入口132將自外槽120供給之處理液LQ導入至內槽110。即，循環液導入口132將利用循環部140自外槽120供給之處理液LQ噴出至內槽110之內部。再者，複數個循環液導入構件131亦可分別具有1個循環液導入口132。

於圖1之例子中，循環液導入口132朝向鉛直上方開口。但是，循環液導入口132之方向並不特別限定。例如，循環液導入口132亦可朝向傾斜上方外側開口，亦可朝向傾斜上方內側開口。又，例如，循環液導入口132亦可朝向傾斜下方外側開口，亦可朝向傾斜下方內側開口。又，例如，循環液導入口132亦可朝向鉛直下方開口，亦可朝向位準外側開口，亦可朝向位準內側開口。進而，於複數個循環液導入構件131之各者中，複數個循環液導入口132之方向亦可不同。又，於複數個循環液導入構件131之間，循環液導入口132之方向亦可不同。進而，複數個循環液導入構件131之高度亦可不同。

循環部140包含循環配管141、泵142、加熱器143、過濾器144、調整閥145、及閥146。泵142、加熱器143、過濾器144、調整閥145及閥146依序自循環配管141之上游朝向下游配置。

循環配管141自外槽120延伸至循環液導入構件131為止。而且，循環配管141藉由自外槽120對循環液導入構件131供給處理液LQ，來使蓄積於內槽110中之處理液LQ循環。具體而言，循環配管141之上游端位於外槽120，循環配管141之下游端連接於各循環液導入構件131。循環配管141具有流入口141x。流入口141x位於循環配管141之上游端。流入口141x朝向鉛直下方。但是，流入口141x之方向並不特別限定。外槽120之處理液LQ自流入口141x進入至循環配管141。再者，例如，亦可為循環配管141之上游端連接於外槽120之底部，流入口141x朝向鉛直上方。

泵142將循環配管141中之處理液LQ朝向各循環液導入構件131送出。因此，處理液LQ自循環配管141供給至各循環液導入構件131。其結果為，各循環液導入構件131將自循環配管141供給之處理液LQ自各循環液導入口132噴出至內槽110之內部。加熱器143將於循環配管141中流通之處理液LQ加熱，調節處理液LQ之溫度。過濾器144過濾於循環配管141中流通之處理液LQ。調整閥145調節循環配管141之開度，以調整供給至循環液導入構件131之處理液LQ之流量。閥146將循環配管141開閉。於使處理液LQ循環之情形時，閥146打開，使循環配管141之流路開放。

控制裝置CTL控制基板處理裝置100之各構成。控制裝置CTL亦可具備輸入裝置及顯示裝置。

具體而言，控制裝置CTL包含控制部A1、記憶部A2。控制部A1包含CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等處理器。記憶部A2包含記憶裝置，記憶資料及電腦程式。控制部A1之處理器執行記憶部A2之記憶裝置所記憶之電腦程式，控制基板處理裝置100之各構成。具體而言，控制部A1控制基板保持部125及循環部140。又，例如，記憶部A2具備半導體記憶體等主記憶裝置、以及半導體記憶體及硬碟驅動器等輔助記憶裝置。記憶部A2亦可具備光碟等可移動媒體。記憶部A2例如為非暫時性之電腦能夠讀取之記憶媒體。

接下來，參照圖2對基板保持部125進行說明。圖2(a)及圖2(b)係將基板W投入至內槽110之前及之後之基板處理裝置100之模式性立體圖。再者，於圖2(a)及圖2(b)中，為了簡化圖式，而省略了處理液LQ。

如圖2(a)所示，基板保持部125包含本體板126及保持棒127。本體板126為沿著鉛直方向D延伸之板。保持棒127自本體板126之一個主面向規定方向D10延伸。規定方向D10與位準方向大致平行，且與本體板126大致正交。複數個基板W於隔開間隔而整齊排列之狀態下，利用複數個保持棒127以豎起姿勢(鉛直姿勢)保持。

於圖2(a)中，基板保持部125位於內槽110之上方。基板保持部125以保持複數個基板W之狀態沿著鉛直方向D下降。藉此，將複數個基板W投入至內槽110中。如圖2(b)所示，當基板保持部125下降至內槽110為止時，複數個基板W浸漬於內槽110內之處理液LQ中。

再者，如圖1所示，基板保持部125亦可進而包含升降單元128。升降單元128於由基板保持部125保持之複數個基板W位於內槽110內之處理位置(圖2(b)所示之位置)、與由基板保持部125保持之複數個基板W位於內槽110之上方之退避位置(圖2(a)所示之位置)之間使本體板126升降。

圖3係表示基板處理裝置100之模式圖。再者，於圖3中，為了簡化圖式，而省略了基板保持部125、調整閥145、及閥146。又，於圖3中，關於內槽110及外槽120，表示了沿著圖2(a)之III-III線之剖面。

如圖3所示，基板處理裝置100進而具備內槽排液部150、排液部160、罐170、新液供給部180、槽清洗部190、內槽位準感測器210、外槽位準感測器220、及感測器清洗部230。基板處理裝置100亦可進而具備溶存氧計240。溶存氧計240測量處理液LQ之溶存氧濃度，將表示溶存氧濃度之資訊輸出至控制部A1。溶存氧計240例如利用隔膜極譜法來測量處理液LQ之溶存氧濃度。

內槽排液部150於自內槽110排出處理液LQ時，將內槽110之處理液LQ供給至循環部140。循環部140將自內槽排液部150供給之處理液LQ供給至排液部160。或者，循環部140於自外槽120排出處理液LQ時，將外槽120之處理液LQ供給至排液部160。或者，循環部140於排出殘留於循環部140中之處理液LQ時，將殘留於循環部140中之處理液LQ供給至排液部160。排液部160將自循環部140供給之處理液LQ排出至罐170。罐170蓄積經過排液部160而排出之處理液LQ。罐170例如為將經過排液部160而排出之處理液LQ冷卻之冷卻罐。

新液供給部180將處理液LQ重新供給至內槽110或者外槽120。槽清洗部190利用清洗水來清洗內槽110及外槽120。內槽位準感測器210檢測蓄積於內槽110中之處理液LQ之液位(液面位準)，將檢測結果輸出至控制部A1。外槽位準感測器220檢測蓄積於外槽120中之處理液LQ之液位(液面位準)，將檢測結果輸出至控制部A1。感測器清洗部230利用清洗液來清洗內槽位準感測器210及外槽位準感測器220。槽清洗部190及感測器清洗部230所使用之清洗液例如為脫離子水、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、或稀釋濃度(例如，10ppm~100ppm左右)之鹽酸水。

詳細而言，循環部140進而包含閥147及閥148。內槽排液部150包含內槽排液配管151及閥152。循環配管141包含第1配管141a、第2配管141b、及第3配管141c。排液部160包含排液配管161及排液閥162。新液供給部180包含新液供給配管181、新液供給配管182、供給閥183、供給閥184、及流量計186。槽清洗部190包含配管191、閥192、及流量計 193。內槽位準感測器210包含感測器管211、感測器本體212、閥213、及閥214。外槽位準感測器220包含感測器管221、感測器本體222、閥223、及閥224。感測器清洗部230包含配管231、配管232、閥233、及閥234。

於循環部140中，循環配管141自外槽120之內部，經由連接點B1及連接點B2而延伸至循環液導入構件131為止。第1配管141a自外槽120之內部延伸至連接點B1為止。第2配管141b自連接點B1延伸至連接點B2為止。第3配管141c自連接點B2延伸至循環液導入構件131為止。泵142配置於第2配管141b。即，泵142於較排液配管161及排液閥162靠上游配置於循環配管141。閥147、加熱器143、過濾器144、調整閥145(圖1)、及閥146(圖1)自上游朝向下游依序配置於第3配管141c。

閥148配置於第1配管141a。閥148將第1配管141a之流路開閉。當閥148打開時，第1配管141a之流路被開放。當閥148關閉時，第1配管141a之流路被堵塞。閥147配置於連接點B2與加熱器143之間。即，閥147於循環配管141中，配置於泵142與加熱器143之間。閥147將第3配管141c之流路開閉。當閥147打開時，第3配管141c之流路被開放。當閥147關閉時，第3配管141c之流路被堵塞。藉由打開閥147、148，關閉閥152及排液閥162，並驅動泵142，來使內槽110之處理液LQ經過循環配管141而循環。

於循環液導入部130中，循環液導入構件131沿著規定方向D10延伸。而且，於各循環液導入構件131中，複數個循環液導入口132(圖1)沿著規定方向D10隔開間隔而配置。

於內槽排液部150中，內槽排液配管151之一端位於內槽110之內部，內槽排液配管151之另一端以連接點B1連接於循環配管141。即，內槽排液配管151以循環配管141之連接點B1分支，自連接點B1延伸至內槽110之內部為止。閥152配置於內槽排液配管151。閥152將內槽排液配管151之流路開閉。當閥152打開時，內槽排液配管151之流路被開放。當閥152關閉時，內槽排液配管151之流路被堵塞。

於排液部160中，排液配管161之一端以連接點B2連接於循環配管141。排液配管161之另一端連接於罐170。即，排液配管161以連接點B2自循環配管141分支，延伸至罐170為止。而且，排液配管161將處理液LQ排出至罐170。排液閥162配置於排液配管161。排液閥162將排液配管161之流路開閉。當排液閥162打開時，排液配管161之流路被開放。當排液閥162關閉時，排液配管161之流路被堵塞。

藉由打開排液閥162及閥152，關閉閥147、148，並驅動泵142，來使內槽110之處理液LQ經過內槽排液配管151、第2配管141b、及排液配管161而排出至罐170。又，藉由打開排液閥162及閥148，關閉閥147、152，並驅動泵142，來使外槽120之處理液LQ經過第1配管141a、第2配管141b、及排液配管161而排出至罐170。

於新液供給部180中，新液供給配管181自蓄積處理液LQ之新液之罐TA延伸至內槽110之內部為止。供給閥183配置於新液供給配管181。供給閥183將新液供給配管181之流路開閉。當供給閥183打開時，新液供給配管181之流路被開放。當供給閥183關閉時，新液供給配管181之流路被堵塞。

新液供給配管182之一端以連接點B3連接於新液供給配管181。新液供給配管182之另一端位於外槽120之內部。供給閥184將新液供給配管182之流路開閉。當供給閥184打開時，新液供給配管182之流路被開放。當供給閥184關閉時，新液供給配管182之流路被堵塞。

藉由打開供給閥183，關閉供給閥184，能夠利用新液供給配管181將處理液LQ供給至內槽110。具體而言，新液供給配管181具有新液供給口185。而且，新液供給配管181經過新液供給口185而對內槽110供給處理液LQ。例如，新液供給配管181經過新液供給口185而對內槽110重新供給處理液LQ。新液供給口185位於新液供給配管181之下游端。新液供給口185配置於內槽110之內部。新液供給口185例如朝向鉛直下方開口。但是，新液供給口185之方向並不特別限定。又，新液供給部180可具有複數個新液供給配管181，亦可具有複數個新液供給口185。

藉由打開供給閥184，關閉供給閥183，能夠利用新液供給配管182將處理液LQ供給至外槽120。

流量計186於較連接點B3靠上游處配置於新液供給配管181。流量計186於較連接點B3靠上游處測量於新液供給配管181中流通之處理液LQ之流量。

於槽清洗部190中，配管191自清洗水之罐TB延伸至內槽110為止。閥192配置於配管191。當閥192打開時，配管191之流路被開放，將清洗水供給至內槽110。當閥192關閉時，配管191之流路被堵塞，停止向內槽110供給清洗水。流量計193於較閥192靠上游處配置於配管191。流量計193測量於配管191中流通之處理液LQ之流量。

於內槽位準感測器210中，感測器管211之前端浸漬於蓄積於內槽110中之處理液LQ中。而且，感測器本體212一面將氮氣以固定流量供給至感測器管211，一面測定感測器管211內之氮氣之氣壓，藉此偵測內槽110內之處理液LQ之液位。

於外槽位準感測器220中，感測器管221之前端浸漬於蓄積於外槽120中之處理液LQ中。而且，感測器本體222一面將氮氣以固定流量供給至感測器管221，一面測定感測器管221內之氮氣之氣壓，藉此偵測外槽120內之處理液LQ之液位。

於感測器清洗部230中，配管231之一端連接於清洗水之罐TC，配管231之另一端以連接點B4連接於感測器管211。罐TC亦可與罐TB共通。閥233配置於配管231。閥233將配管231之流路開閉。當閥233打開時，配管231之流路被開放，將清洗水供給至感測器管211。其結果為，將感測器管211清洗。當閥233關閉時，配管231被堵塞，停止向感測器管211供給清洗水。

配管232之一端以連接點B6連接於配管231。配管232之另一端以連接點B5連接於感測器管221。閥234配置於配管232。閥234將配管232之流路開閉。當閥234打開時，配管232之流路被開放，將清洗水供給至感測器管221。其結果為，將感測器管221清洗。當閥234關閉時，配管232被堵塞，停止向感測器管221供給清洗水。

控制部A1控制閥147、148、152、192、213、214、223、224、233、234、排液閥162、及供給閥183、184。又，控制部A1控制泵142及加熱器143。

接下來，參照圖4，對空氣混入至處理液LQ對基板W之處理帶來之影響進行說明。作為一例，對處理液LQ之溶存氧濃度進行說明。圖4係表示處理液LQ之溶存氧濃度與蝕刻量之關係之曲線圖。橫軸表示處理液LQ之溶存氧濃度(ppm)，縱軸表示基板W之蝕刻量。

又，圖4表示了使用TMAH之水溶液作為鹼性之處理液LQ時之實施例。TMAH之濃度為0.31%。於實施例中，於基板W形成有多晶矽膜(多晶矽層)。圖4表示了將基板W浸漬於TMAH中之情形時之多晶矽膜之蝕刻量。蝕刻量為自向TMAH浸漬之前之多晶矽膜之厚度減去浸漬後之多晶矽膜之厚度所得之值。有時將蝕刻量記載為「基板W之蝕刻量」。

如圖4所示，處理液LQ之溶存氧濃度越低，則基板W之蝕刻量(處理量)越多。蝕刻量(處理量)與溶存氧濃度大致成正比。比例常數為「負」。

以上，如參照圖4所說明，例如於處理液LQ為鹼性之情形時，基板W之處理量受處理液LQ之溶存氧濃度之影響。因此，於處理基板W時，處理液LQ之溶存氧濃度越低越好。

即，例如於處理液LQ為鹼性之情形時，空氣混入至處理液LQ對基板W之處理帶來影響。其原因在於，空氣中包含氧。因此，於處理基板W時，混入至處理液LQ中之空氣越少越好。

接下來，參照圖1及圖5~圖8，對本實施方式之基板處理方法進行說明。如圖1所示，基板處理方法係於內槽110中利用處理液LQ來處理基板W。又，於基板處理方法中，藉由自供從蓄積處理液LQ之內槽110溢出之處理液LQ流入之外槽120，經過循環配管141及循環液導入口132而向內槽110導入處理液LQ，能夠使蓄積於內槽110中之處理液LQ循環。

基板處理方法包含處理液更換方法。圖5~圖8係表示處理液更換方法之模式圖。如圖5~圖8所示，處理液更換方法包含步驟S1~步驟S4。處理液更換方法於處理液LQ之使用期期滿之後執行。所謂使用期，係指判斷為若處理液LQ之狀態持續變化而想要繼續使用處理液LQ時處理本身無法充分進行之使用時間。即，所謂使用期，係指無法繼續使用處理液 LQ來維持處理液LQ之處理性能之使用時間。使用期可根據實驗及/或經驗而決定。

以下，有時將使用期期滿之處理液LQ記載為「使用完畢之處理液LQ」或者「舊液」。又，有時將替換使用期期滿之處理液LQ而重新供給之處理液LQ記載為「未使用之處理液LQ」或者「新液」。

首先，如圖5所示，於步驟S1中，自內槽110、外槽120、及循環配管141，將處理液LQ排出至罐170。其結果為，內槽110、外槽120、及循環配管141變空。於步驟S1中排出之處理液LQ例如為使用期期滿之處理液。步驟S1相當於本發明之「第1排液步驟」之一例。

於圖5中，狀態ST11表示處理液LQ之排出中途之狀態。狀態ST12表示內槽110、外槽120、及循環配管141變空之狀態。

作為一例，首先，利用內槽排液配管151、第2配管141b、及排液配管161，來排出內槽110之處理液LQ。接下來，利用第1配管141a、第2配管141b、及排液配管161，來排出外槽120之處理液LQ。接下來，自循環配管141(第1配管141a~第3配管部25c)排出處理液LQ。

具體而言，於步驟S1中，控制部A1以將處理液LQ自內槽110、外槽120、及循環配管141向罐170排出之方式，控制排液閥162、閥147、閥148、閥152、及泵142。再者，於該情形時，打開排液閥162，關閉閥147 及供給閥183，驅動泵142。又，於自外槽120排出處理液LQ之情形時，打開閥148，關閉閥152。於自內槽110排出處理液LQ之情形時，打開閥152，關閉閥148。控制之詳細情況將於下文敍述。

接下來，如圖6所示，於步驟S2中，藉由對內槽110重新供給處理液LQ，而於內槽110中重新蓄積處理液LQ。即，於自內槽110、外槽120、及循環配管141排出處理液LQ之後(於步驟S1中排出處理液LQ之後)，經過新液供給配管181及新液供給口185而對內槽110重新供給處理液LQ，藉此於內槽110中重新蓄積處理液LQ。當內槽110中裝滿處理液LQ時，處理液LQ自內槽110溢出而流入至外槽120。其結果為，處理液LQ不僅蓄積於內槽110中，而且亦蓄積於外槽120中。步驟S2相當於本發明之「第1供給步驟」之一例。

於圖6中，狀態ST21表示對內槽110重新供給處理液LQ之中途之狀態。狀態ST22表示內槽110之處理液LQ之液位成為內槽定量位準LVI，並且外槽120之處理液LQ之液位成為外槽定量位準LVO之狀態。

內槽定量位準LVI表示內槽110中裝滿處理液LQ之液位。即，內槽定量位準LVI表示應蓄積於內槽110中之處理液LQ之液位之上限。內槽定量位準LVI相當於本發明之「內槽上限位準」之一例。

外槽定量位準LVO表示與使處理液LQ循環所需要之處理液LQ向外槽120之蓄積量對應之液位。即，外槽定量位準LVO表示應蓄積於外槽 120中之處理液LQ之液位之上限。自該點來看，亦可將外槽定量位準LVO記載為外槽上限位準。外槽定量位準LVO低於外槽定量位準LVO之裝滿位準。外槽定量位準LVO可根據實驗及/或經驗而決定。

具體而言，於步驟S2中，控制部A1以於自內槽110、外槽120、及循環配管141排出處理液LQ之後，對內槽110重新供給處理液LQ之方式，控制供給閥183。因此，自新液供給配管181對內槽110重新供給處理液LQ。再者，於該情形時，供給閥183打開，閥147、148、152及排液閥162關閉，泵142停止。控制之詳細情況將於下文敍述。

又，當內槽110及外槽120成為狀態ST22時，控制部A1以使內槽110之處理液LQ經過循環配管141而循環之方式控制閥147、閥148、閥152、排液閥162、及泵142。再者，於該情形時，閥147、148打開，閥152、供給閥183及排液閥162關閉，泵142進行驅動。控制之詳細情況將於下文敍述。

接下來，如圖7所示，於步驟S3中，將蓄積於內槽110中之處理液LQ排出至罐170直至內槽下限位準LVL為止。即，於對內槽110重新供給處理液LQ之後(於步驟S2之後)，將蓄積於內槽110中之處理液LQ排出至罐170直至內槽下限位準LVL為止。於該情形時，內槽110之處理液LQ經過內槽排液配管151、第2配管141b、及排液配管161而排出至罐170。另一方面，於本實施方式中，外槽120之處理液LQ不排出。步驟S3相當於本發明之「第2排液步驟」之一例。

於圖7中，狀態ST31表示自內槽110排出處理液LQ之中途之狀態。狀態ST32表示處理液LQ自內槽110排出直至內槽下限位準LVL為止之狀態。

內槽下限位準LVL表示較配置於內槽110之內部之循環液導入口132(圖1)之位置更高之液位，並且表示較配置於內槽110之內部之新液供給口185之位置更高之液位。因此，於處理液LQ之液位為內槽下限位準LVL之情形時，新液供給口185與循環液導入構件131之循環液導入口132(圖1)位於處理液LQ中，且不自處理液LQ露出至外部。再者，內槽定量位準LVI表示於內槽110中較內槽下限位準LVL更高之液位。

具體而言，於步驟S3中，控制部A1以於對內槽110重新供給處理液LQ之後，將蓄積於內槽110中之處理液LQ排出直至內槽下限位準LVL為止之方式，控制排液閥162、閥147、閥148、閥152、及泵142。再者，於該情形時，排液閥162及閥152打開，閥147、148及供給閥183關閉，泵142進行驅動。控制之詳細情況將於下文敍述。

再者，於存在複數個新液供給口185之情形時，內槽下限位準LVL表示較循環液導入口132(圖1)之位置更高之液位，並且表示較位於最上側之新液供給口185之位置更高之液位。又，於存在複數個循環液導入口132之情形時，內槽下限位準LVL表示較位於最上側之循環液導入口132(圖1)之位置更高之液位，並且表示較新液供給口185之位置更高之液位。進而，於存在複數個新液供給口185及複數個循環液導入口132之情形時，內槽下限位準LVL表示較位於最上側之循環液導入口132(圖1)之位置更高之液位，並且表示較位於最上側之新液供給口185之位置更高之液位。

接下來，如圖8所示，於步驟S4中，藉由對內槽110重新供給處理液LQ，而於內槽110中重新蓄積處理液LQ。即，於自內槽110將處理液LQ排出直至內槽下限位準LVL為止之後(於步驟S3之後)，經過新液供給配管181及新液供給口185對內槽110重新供給處理液LQ，藉此於內槽110中重新蓄積處理液LQ。步驟S4相當於本發明之「第2供給步驟」之一例。

於圖8中，狀態ST41表示對內槽110重新供給處理液LQ之中途之狀態。狀態ST42表示內槽110之處理液LQ之液位成為內槽定量位準LVI，並且外槽120之處理液LQ之液位成為外槽定量位準LVO之狀態。

具體而言，於步驟S4中，控制部A1以於自內槽110將處理液LQ排出直至內槽下限位準LVL為止之後，對內槽110重新供給處理液LQ之方式，控制供給閥183。因此，自新液供給配管181對內槽110重新供給處理液LQ。再者，於該情形時，供給閥183打開，閥147、148、152及排液閥162關閉，泵142停止。控制之詳細情況將於下文敍述。

又，當內槽110及外槽120成為狀態ST42時，控制部A1以使內槽110之處理液LQ經過循環配管141而循環之方式，控制閥147、閥148、閥152、排液閥162、及泵142。再者，於該情形時，閥147、148打開，閥 152、供給閥183及排液閥162關閉，泵142進行驅動。控制之詳細情況將於下文敍述。

以上，如參照圖5~圖8所說明，根據本實施方式，於步驟S1及步驟S2中將舊液置換為新液。即，於步驟S1及步驟S2中，於內槽110及外槽120中，執行全部處理液LQ之更換。

然後，於全部處理液LQ更換後，於步驟S3中將處理液LQ排出直至內槽下限位準LVL為止，於步驟S4中對內槽110重新供給處理液LQ。尤其，於步驟S3中，新液供給口185及循環液導入口132位於較處理液LQ之液面靠下方。因此，能夠抑制空氣自新液供給口185進入至新液供給配管181、及空氣自循環液導入口132(圖1)進入至循環液導入構件131。

其結果為，於步驟S4中，能夠抑制空氣進入至新液供給配管181及循環液導入構件131，而且能夠對內槽110重新供給處理液LQ。再者，於步驟S3中，能夠抑制空氣進入至新液供給配管181及循環液導入構件131，而且能夠於步驟S2中將混入了空氣之處理液LQ排出，並且能夠將殘存於循環配管141之空氣排出。其結果為，能夠抑制空氣混入至處理液LQ中。因此，能夠有效地執行基板W之處理。

例如，能夠抑制空氣混入至處理液LQ中相當於能夠抑制氧溶解於處理液LQ中。因此，若能夠抑制空氣混入至處理液LQ中，則能夠使處理液LQ之溶存氧濃度降低。其結果為，能夠抑制基板W之處理量(蝕刻量)因溶存氧而降低(圖4)。該方面於處理液LQ為鹼性之情形時特別有效。

又，於本實施方式中，於步驟S3中，控制部A1關閉閥148。因此，於步驟S3中，控制部A1不排出蓄積於外槽120中之處理液LQ。因此，循環配管141之流入口141x於外槽120中位於較處理液LQ之液面靠下方。即，循環配管141之流入口141x於外槽120中位於處理液LQ中，且不露出至處理液LQ之外部。因此，能夠抑制空氣自流入口141x進入至循環配管141。其結果為，能夠進一步抑制空氣混入至處理液LQ中。

進而，於本實施方式中，於步驟S3中將內槽110之處理液LQ排出直至內槽下限位準LVL為止之情形時，控制部A1停止驅動中之泵142。因此，能夠確實地抑制處理液LQ之液位較內槽下限位準LVL降低。又，於步驟S4中供給處理液LQ至少到達內槽定量位準LVI為止之情形時，藉由控制部A1驅動泵142，來使內槽110之處理液LQ經過循環配管141而循環。因此，能夠排出殘存於循環配管141之空氣。作為一例，於本實施方式中，當內槽110之處理液LQ之液位成為內槽定量位準LVI，且外槽120之處理液LQ之液位成為外槽定量位準LVO時，控制部A1驅動泵142。

進而，於本實施方式中，既可將步驟S3及步驟S4分別執行1次，亦可將步驟S3及步驟S4分別執行複數次。於將步驟S3及步驟S4分別執行複數次之情形時，能夠抑制空氣進入至新液供給配管181及循環液導入構件131，而且能夠更有效地排出混入了空氣之處理液LQ，並且能夠更有效地排出殘存於循環配管141之空氣。因此，能夠更有效地抑制空氣混入至處理液LQ中。

此處，將步驟S3及步驟S4之各自之執行次數記載為「N」。即，於將步驟S3及步驟S4作為1組時，執行N組。「N」表示1以上之整數。

例如，於將內槽定量位準LVI之處理液LQ之體積設為「V1」，將外槽定量位準LVO之處理液LQ之體積設為「V2」，將循環配管141之容量設為「V3」，將步驟S3中自內槽110排出之處理液LQ之體積設為「V4」之情形時，「N」可由下式來決定。具體而言，體積V4表示自內槽定量位準LVI到內槽下限位準LVL為止之處理液LQ之體積。於下式之「N」具有小數點之情形時，既可將小數點以下進位所得之值設定為執行次數N，亦可將小數點以下捨去所得之值設定為執行次數N。

N=(V1+V2+V3)/V4

根據該例，於步驟S2中之狀態ST22(圖6)中，能夠將內槽110、外槽120、及循環配管141中所存在之「混入了空氣之處理液LQ」之全部置換為抑制了空氣混入之新處理液LQ。

又，於本實施方式中，控制部A1亦可自溶存氧計240(圖3)取得表示處理液LQ之溶存氧濃度之資訊。而且，控制部A1亦可根據蓄積於內槽110中之處理液LQ中之溶存氧濃度，來決定步驟S3及步驟S4各自之執行次數N。於該情形時，能夠根據處理液LQ之溶存氧濃度，使步驟S3及步驟S4各自之執行次數N最佳化。例如，處理液LQ之溶存氧濃度越高，則控制部A1使步驟S3及步驟S4各自之執行次數N越多。步驟S3及步驟S4各自之執行次數N既可為1次，亦可為2次以上。

接下來，參照圖9，對處理液更換方法進行說明。圖9係表示本實施方式之處理液更換方法中之處理液LQ之更換順序之時序圖。橫軸表示時間。又，圖9例示了執行次數N=2之情況。圖9中之步驟S1~步驟S4分別表示圖5~圖8之步驟S1~步驟S4。

如圖9所示，於時刻t1開始步驟S1(第1排液步驟)，於時刻t2結束步驟S1。又，於時刻t2開始步驟S2(第1供給步驟)，於時刻t3結束步驟S2。進而，於時刻t4開始第1次之步驟S3(第2排液步驟)，於時刻t5結束第1次之步驟S3。進而，於時刻t5開始第1次之步驟S4(第2供給步驟)，於時刻t6結束第1次之步驟S4。進而，於時刻t7開始第2次之步驟S3(第2排液步驟)，於時刻t8結束第2次之步驟S3。進而，於時刻t8開始第2次之步驟S4(第2供給步驟)，於時刻t9結束第2次之步驟S4。

再者，於圖9中，將步驟S1及步驟S2之液體更換記載為「全部液體更換」。又，將步驟S3及步驟S4之液體更換記載為「部分液體更換」。

接下來，參照圖2、圖3及圖10~圖12，對本實施方式之基板處理方法之詳細情況進行說明。圖10係表示本實施方式之基板處理方法之流程圖。

如圖10所示，基板處理方法包含步驟S11~步驟S21。基板處理方法利用基板處理裝置100來執行。

如圖2及圖10所示，首先，於步驟S11中，控制部A1以將基板W浸漬於內槽110之處理液LQ中之方式，控制基板保持部125。其結果為，基板保持部125使基板W下降，而將基板W浸漬於處理液LQ中。

接下來，於步驟S12中，於內槽110中，利用處理液LQ來處理基板W。

接下來，於步驟S13中，控制部A1以將基板W自內槽110之處理液LQ中提拉之方式，控制基板保持部125。其結果為，基板保持部125使基板W上升，而將基板W自處理液LQ中提拉。

接下來，於步驟S14中，控制部A1判定處理液LQ之更換時間是否到來。即，控制部A1判定處理液LQ之使用期是否期滿。

於步驟S14中判定為處理液LQ之更換時間未到來之情形時(否)，返回到處理步驟S11。

另一方面，於步驟S14中判定為處理液LQ之更換時間到來之情形時(是)，進入處理步驟S15。於該情形時，以罐170變空為條件，處理進入至步驟S15。

接下來，如圖3及圖10所示，於步驟S15中，控制部A1藉由將處理液LQ自外槽120向罐170排出，而使外槽120變空。具體而言，控制部A1打開排液閥162及閥148，關閉閥147、152。又，控制部A1驅動泵142。其結果為，自外槽120向罐170排出處理液LQ，外槽120變空。具體而言，處理液LQ經過第1配管141a、第2配管141b、及排液配管161而自外槽120向罐170排出。再者，於步驟S15中，控制部A1關閉閥192、233、235及供給閥183、184。

接下來，於步驟S16中，控制部A1藉由將處理液LQ自內槽110向罐170排出，而使內槽110變空。具體而言，控制部A1打開排液閥162及閥152，關閉閥147、148。又，控制部A1繼續驅動泵142。其結果為，自內槽110向罐170排出處理液LQ，而內槽110變空。具體而言，處理液LQ經過內槽排液配管151、第2配管141b、及排液配管161而自內槽110向罐170排出。再者，於步驟S16中，控制部A1關閉閥192、233、235及供給閥183、184。

接下來，於步驟S17中，控制部A1藉由將處理液LQ自循環配管141向罐170排出，而使循環配管141變空。具體而言，控制部A1打開排液閥162及閥147、148。又，控制部A1使泵142停止。其結果為，處理液LQ因該處理液LQ之自重而自循環配管141向罐170排出，循環配管141變空。再者，於步驟S17中，控制部A1關閉閥152、192、233、235及供給閥 183、184。

接下來，於步驟S18中，控制部A1利用清洗水來清洗內槽位準感測器210及外槽位準感測器220。具體而言，控制部A1藉由打開閥233、235，來清洗感測器管211、221。控制部A1於清洗後關閉閥233、235。省略詳細情況。再者，於圖10中，為了簡化圖式，而省略了與步驟S18對應之處理。

接下來，於步驟S19中，控制部A1利用清洗水來清洗內槽110及外槽120。具體而言，控制部A1藉由打開閥192，來清洗內槽110及外槽120。控制部A1於清洗後關閉閥192。省略詳細情況。再者，於圖10中，為了簡化圖式，而省略了與步驟S19對應之處理。

接下來，於步驟S20中，控制部A1將處理液LQ重新蓄積於內槽110及外槽120中。即，控制部A1將內槽110及外槽120之舊液更換為新液。詳細情況將於下文敍述。

接下來，於步驟S21中，控制部A1將處理液LQ之溫度調節為目標值。具體而言，控制部A1藉由控制加熱器143，來將處理液LQ之溫度調節為目標值。於步驟S21之後，處理前進至步驟S11。

再者，步驟S14~步驟S20實現了本實施方式之處理液更換方法。

圖11及圖12係表示圖10之步驟S20之詳細情況之流程圖。如圖11及圖12所示，圖10之步驟S20包含步驟S201~步驟S214。

首先，如圖3及圖11所示，於步驟S201中，控制部A1對內槽110重新開始供給處理液LQ。具體而言，控制部A1藉由打開供給閥183，關閉排液閥162、閥147、148、152、192、233、235、及供給閥184，而對內槽110重新開始供給處理液LQ。具體而言，自新液供給配管181及新液供給口185對內槽110供給處理液LQ。當內槽110中裝滿處理液LQ時，處理液LQ自內槽110溢出而流入至外槽120。

接下來，於步驟S202中，控制部A1基於外槽位準感測器220之偵測結果，來判定蓄積於外槽120中之處理液LQ之液位是否到達外槽定量位準LVO(圖6)。

於步驟S202中判定為處理液LQ之液位未到達外槽定量位準LVO之情形時(否)，重複步驟S202之處理，直至處理液LQ之液位到達外槽定量位準LVO為止。

另一方面，於步驟S202中判定為處理液LQ之液位已到達外槽定量位準LVO之情形時(是)，處理前進至步驟S203。

接下來，於步驟S203中，控制部A1驅動泵142。於該情形時，控制部A1打開閥147、148。其結果為，內槽110之處理液LQ經過循環配管141 而循環。

接下來，於步驟S204中，控制部A1基於外槽位準感測器220之偵測結果，來判定外槽120之處理液LQ之液位是否穩定於外槽定量位準LVO。具體而言，控制部A1於外槽120之處理液LQ之液位持續規定期間內為外槽定量位準LVO之情形時，判定為處理液LQ之液位穩定於外槽定量位準LVO。

於步驟S204中判定為處理液LQ之液位未穩定於外槽定量位準LVO之情形時(否)，重複步驟S204之處理，直至處理液LQ之液位穩定於外槽定量位準LVO為止。例如，於利用步驟S203中之泵142之驅動(處理液LQ之循環)，而外槽120之液位下降之情形時，控制部A1藉由自新液供給配管181及新液供給口185經由內槽110對外槽120補充處理液LQ進行調節，以使外槽120之液位穩定於外槽定量位準LVO。

另一方面，於步驟S204中判定為處理液LQ之液位穩定於外槽定量位準LVO之情形時(是)，處理前進至步驟S205。

接下來，於步驟S205中，控制部A1停止向內槽110供給處理液LQ。具體而言，控制部A1藉由關閉供給閥183，而停止向內槽110供給處理液LQ。

接下來，於步驟S206中，控制部A1以罐170之空容量為能夠收容排液之容量以上為條件，開始自內槽110向罐170排出處理液LQ。即，以罐170之空容量為能夠收容自內槽定量位準LVI到內槽下限位準LVL為止之處理液LQ之容量以上為條件，開始自內槽110向罐170排出處理液LQ。具體而言，控制部A1藉由關閉閥147、148，打開排液閥162及閥152，而開始自內槽110向罐170排出處理液LQ。於該情形時，處理液LQ經過內槽排液配管151、第2配管141b、及排液配管161而自內槽110向罐170排出。又，由於關閉閥147，故而處理液LQ之循環停止。

接下來，於步驟S207中，控制部A1基於內槽位準感測器210之檢測結果，來判定內槽110之處理液LQ之液位是否到達內槽下限位準LVL。

於步驟S207中判定為處理液LQ之液位未到達內槽下限位準LVL之情形時(否)，重複步驟S207之處理，直至處理液LQ之液位到達內槽下限位準LVL為止。即，持續自內槽110排出處理液LQ，直至處理液LQ之液位到達內槽下限位準LVL為止。

另一方面，於步驟S207中判定為處理液LQ之液位已到達內槽下限位準LVL之情形時(是)，處理前進至步驟S208。

接下來，於步驟S208中，控制部A1使泵142停止。其結果為，停止自內槽110向罐170排出處理液LQ。又，控制部A1關閉排液閥162及閥152。

接下來，於步驟S209中，控制部A1開始對內槽110重新供給處理液LQ。具體而言，控制部A1藉由打開供給閥183，而開始對內槽110重新供給處理液LQ。具體而言，自新液供給配管181及新液供給口185對內槽110供給處理液LQ。

接下來，如圖3及圖12所示，於步驟S210中，控制部A1基於內槽位準感測器210之偵測結果，來判定蓄積於內槽110中之處理液LQ之液位是否到達內槽定量位準LVI(圖8)。又，控制部A1基於外槽位準感測器220之偵測結果，來判定蓄積於外槽120中之處理液LQ之液位是否到達外槽定量位準LVO(圖8)。

於步驟S210中判定為內槽110之處理液LQ之液位未到達內槽定量位準LVI之情形時(否)，或者，於步驟S210中判定為外槽120之處理液LQ之液位未到達外槽定量位準LVO之情形時(否)，重複步驟S210之處理，直至內槽110之處理液LQ之液位到達內槽定量位準LVI為止，並且外槽120之處理液LQ之液位到達外槽定量位準LVO為止。

另一方面，於步驟S210中判定為內槽110之處理液LQ之液位已到達內槽定量位準LVI，且步驟S210中判定為外槽120之處理液LQ之液位已到達外槽定量位準LVO之情形時(是)，處理前進至步驟S211。

接下來，於步驟S211中，控制部A1驅動泵142。於該情形時，控制部A1打開閥147、148。其結果為，內槽110之處理液LQ經過循環配管141 而循環。

接下來，於步驟S212中，控制部A1基於內槽位準感測器210之偵測結果，來判定內槽110之處理液LQ之液位是否穩定於內槽定量位準LVI。具體而言，控制部A1於內槽110之處理液LQ之液位持續規定期間為內槽定量位準LVI之情形時，判定為處理液LQ之液位穩定於內槽定量位準LVI。

於步驟S212中判定為處理液LQ之液位未穩定於內槽定量位準LVI之情形時(否)，重複步驟S212之處理，直至處理液LQ之液位穩定於內槽定量位準LVI為止。

另一方面，於步驟S212中判定為處理液LQ之液位穩定於內槽定量位準LVI之情形時(是)，處理前進至步驟S213。

接下來，於步驟S213中，控制部A1停止對內槽110供給處理液LQ。具體而言，控制部A1藉由關閉供給閥183，來停止對內槽110供給處理液LQ。

接下來，於步驟S214中，控制部A1判定步驟S206~步驟S213是否執行M次。M表示1以上之整數。例如，M可根據實驗及/或經驗而決定。圖10表示了M=2之情況。

於步驟S214中判定為步驟S206~步驟S213未執行M次之情形時(否)，處理前進至步驟S206。

另一方面，於步驟S214中判定為步驟S206~步驟S213執行了M次之情形時(是)，處理前進至圖10之步驟S21。

以上，如參照圖10~圖12所說明，根據本實施方式之基板處理方法，於步驟S15~步驟S19之全部處理液LQ更換後，於步驟S206及步驟S207中排出處理液LQ直至內槽下限位準LVL為止，於步驟S209中對內槽110重新供給處理液LQ。尤其，於步驟S206及步驟S207中，新液供給口185及循環液導入口132位於較處理液LQ之液面靠下方。因此，能夠抑制空氣自新液供給口185進入至新液供給配管181、及空氣自循環液導入口132(圖1)進入至循環液導入構件131。

其結果為，於步驟S209中，能夠抑制空氣進入至新液供給配管181及循環液導入構件131，而且能夠對內槽110重新供給處理液LQ。又，於步驟S206及步驟S207中，能夠抑制空氣進入至新液供給配管181及循環液導入構件131，而且於步驟S201~步驟S205中能夠排出混入了空氣之處理液LQ，並且能夠排出殘存於循環配管141中之空氣。其結果為，能夠抑制空氣混入至處理液LQ中。因此，能夠有效地執行基板W之處理。

此處，圖10之步驟S15~步驟S17相當於本發明之「第1排液步驟」之一例。又，圖11之步驟S201~步驟S205相當於本發明之「第1供給步驟」之一例。進而，圖11之步驟S206~步驟S208相當於本發明之「第2排液步驟」之一例。進而，圖11及圖12之步驟S209~步驟S213相當於本發明之「第2供給步驟」之一例。

再者，於圖7之步驟S3及圖11之步驟S206中，僅自內槽110排出處理液LQ，而不自外槽120排出處理液LQ。但是，於圖7之步驟S3及圖11之步驟S206中，只要循環配管141之流入口141x(圖3)位於處理液LQ中且不露出至處理液LQ之外部，則除了自內槽110排出處理液LQ以外，亦可自外槽120排出處理液LQ。於該情形時，能夠縮短處理液LQ之排出時間。

以上，參照圖式對本發明之實施方式進行了說明。但是，本發明並不限定於上述實施方式，能夠於不脫離其主旨之範圍內以各種形態加以實施。又，上述實施方式中所公開之複數個構成要素能夠適當改變。例如，可將某實施方式所示之所有構成要素中之某構成要素追加至其他實施方式之構成要素，或者，亦可將某實施方式所示之所有構成要素中之幾個構成要素自實施方式刪除。

又，圖式係為了容易理解發明而以各構成要素核心模式性地表示，亦存在圖示之各構成要素之厚度、長度、個數、間隔等為了方便製圖而與實際不同之情況。又，當然上述實施方式所示之各構成要素之構成為一例，並不特別限定，於實質上不脫離本發明之效果之範圍內能夠進行各種變更。

[產業上之可利用性]

本發明係關於一種基板處理方法及基板處理裝置，具有產業上之可利用性。