CN114068355A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够容易地确认气泡供给管的开口的状态的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100B)具备处理槽(110)、气泡供给管(180A)、气体供给管(261A)、物理量检测部(253A)和判定部(12)。处理槽(110)贮留处理液(LQ)并浸渍基板(W)。气泡供给管(180A)具有向处理液(LQ)中供给气体以形成气泡的多个开口(G)。气体供给管(261A)向气泡供给管(180A)供给气体。物理量检测部(253A)通过气体供给管(261A)检测由气泡供给管(180A)的状态引起的物理量。判定部(12)基于物理量判定多个开口(G)的状态。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
已知在半导体装置和液晶显示装置等电子部件中使用的基板由基板处理装置处理。通过将基板浸渍在处理槽内的处理液中来进行基板的处理(例如，参照专利文献1)。
近年来，伴随着半导体基板上形成的元件的微细化或三维化，使基板的处理均匀化的需求变高。例如，具有三维结构的NAND元件，包含具有立体的凹凸结构的层叠结构。在元件图案的凹凸结构的凹部滞留处理液的情况下，凹部内的液体置换变得不充分。因此，作为促进对包含凹部的基板整体充分地进行液体置换的方法，具有在浸渍于处理槽的基板的下方配置气泡发生器(气泡供给管)，从气泡发生器产生气泡以促进处理槽内的液体置换的技术。
在专利文献1中，记载了这种气泡发生器的应用例。在专利文献1的基板处理装置中，在将基板浸渍在贮留有磷酸水溶液的处理槽中并处理基板时，从配置于在处理槽中浸渍的基板下方的气泡发生器产生气泡。气泡发生器是筒状的，且具有许多喷出口(许多开口)。气泡发生器的一端连接有向气泡发生器供给混合气体的气体供给配管。另外，气泡发生器通过从各喷出口向磷酸水溶液中吹出混合气体，在磷酸水溶液中产生混合气体的气泡。
产生的气泡在载置于处理槽内的多个基板与基板之间的间隙中上升，并使磷酸水溶液循环。通过该循环，促进基板上形成的元件图案周围的液体置换。
专利文献1：日本特开2018-56258号公报。
对基板进行磷酸处理的结果，溶出到磷酸水溶液中的成分，也可能析出到气泡发生器。
在溶出成分析出沉积在气泡发生器的喷出口的状态下，可能发生所谓的堵塞(clogging)，供给的气泡的粒形、分布、上升速度可能变动。其结果是，可能影响基板处理的均匀性。因此，定期从处理槽排出磷酸水溶液，并目视确认开口的状态。其结果是，确认开口的状态需要花费时间精力。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的是提供一种能够容易地确认气泡供给管的开口的状态的基板处理装置以及基板处理方法。
根据本发明的一个方面，基板处理装置具备处理槽、气泡供给管、气体供给管、物理量检测部和判定部。所述处理槽贮留处理液并浸渍基板。所述气泡供给管具有向所述处理液中供给气体以形成气泡的多个开口。所述气体供给管向所述气泡供给管供给所述气体。所述物理量检测部通过所述气体供给管检测由所述气泡供给管的状态引起的物理量。所述判定部基于所述物理量，判定所述多个开口的状态。
在本发明的基板处理装置中，优选所述判定部比较在第一时间检测的所述物理量即基准物理量与在第二时间检测的所述物理量即检测物理量，来判定所述多个开口的状态，所述第一时间与所述第二时间不同。
在本发明的基板处理装置中，优选所述第一时间表示处理所述基板之前的时间，所述第二时间表示处理所述基板之后的时间，所述判定部基于所述基准物理量与所述检测物理量的差分，来判定所述多个开口的状态是否异常。
在本发明的基板处理装置中，优选所述物理量检测部包含检测所述气体供给管中的压力的压力计，所述物理量表示所述气体供给管中的压力。
在本发明的基板处理装置中，优选还具备流量控制部，在处理所述基板时，该流量控制部向所述气体供给管供给第一流量的所述气体，所述判定部基于向所述气体供给管供给第二流量的所述气体时的所述气体供给管中的压力，来判定所述多个开口的状态，所述第二流量比所述第一流量多。
在本发明的基板处理装置中，优选所述物理量检测部包含控制向所述气体供给管供给的所述气体的流量的调节阀，所述物理量表示所述调节阀的开度。
在本发明的基板处理装置中，优选所述调节阀在处理所述基板时，向所述气体供给管供给第一流量的所述气体，所述判定部基于向所述气体供给管供给所述第一流量的所述气体时的所述开度，来判定所述多个开口的状态。
在本发明的基板处理装置中，优选所述物理量检测部包含检测所述气体供给管中的压力的压力计和控制向所述气体供给管供给的所述气体的流量的调节阀；所述物理量表示所述气体供给管中的压力和所述调节阀的开度；所述调节阀在处理所述基板时，向所述气体供给管供给第一流量的所述气体；所述判定部基于向所述气体供给管供给所述第一流量的所述气体时的所述开度，来判定所述多个开口的状态，并且基于在向所述气体供给管供给比所述第一流量更多的第二流量的所述气体时的所述气体供给管中的压力，来确定所述多个开口的状态。
根据本发明的另一方面，基板处理方法是使用处理液处理基板的基板处理方法，包含：经由气体供给管向具有多个开口的气泡供给管供给气体，并向所述处理液中供给所述气体以形成气泡的工序；经由所述气体供给管检测由所述气泡供给管的状态引起的物理量的工序；基于所述物理量，判定所述多个开口的状态的工序。
在本发明的基板处理方法中，优选在判定所述状态的所述工序中，比较在第一时间检测的所述物理量即基准物理量与在第二时间检测的所述物理量即检测物理量，来判定所述多个开口的状态，所述第一时间与所述第二时间不同。
在本发明的基板处理方法中，优选所述第一时间表示处理所述基板之前的时间，所述第二时间表示处理所述基板之后的时间，在判定所述状态的所述工序中，基于所述基准物理量与所述检测物理量的差分，来判定所述多个开口的状态是否异常。
在本发明的基板处理方法中，优选所述物理量表示所述气体供给管中的压力。
在本发明的基板处理方法中，优选在供给所述气体的所述工序中，在处理所述基板时，向所述气体供给管供给第一流量的所述气体；在判定所述多个开口的状态时，向所述气体供给管供给第二流量的所述气体；所述第二流量比所述第一流量多。
在本发明的基板处理方法中，优选在供给所述气体的所述工序中，使用调节阀控制向所述气体供给管供给的所述气体的流量，所述物理量表示所述调节阀的开度。
在本发明的基板处理方法中，优选在供给所述气体的所述工序中，在处理所述基板时，向所述气体供给管供给第一流量的所述气体；在判定所述多个开口的状态时，向所述气体供给管供给所述第一流量的所述气体。
在本发明的基板处理方法中，优选所述物理量表示所述气体供给管中的压力和调节阀的开度；在判定所述状态的所述工序中，基于向所述气体供给管供给第一流量的所述气体时的所述开度，来判定所述多个开口的状态，基于在向所述气体供给管供给比所述第一流量更多的第二流量的所述气体时所述气体供给管中的压力，来确定所述多个开口的状态。
发明效果
根据本发明，能够容易地确认气泡供给管的开口的状态。
附图说明
图1A是表示本发明实施方式1的基板在处理液中浸渍之前的状态的图。图1B是表示实施方式1的基板在处理液中浸渍之后的状态的图。
图2是表示实施方式1的基板处理装置的示意图。
图3是表示实施方式1的基板处理装置执行判定处理的状态的图。
图4是表示向实施方式1的气泡供给管供给的气体的流量与基准压力和检测压力的差分的关系的曲线图。
图5是表示向实施方式1的气泡供给管供给的气体的流量与基准压力和检测压力的差分的关系的曲线图。
图6是表示实施方式1的基板处理方法的流程图。
图7是表示实施方式1的基板处理装置的图。
图8是表示实施方式1的多个循环处理液供给构件和多个气泡供给管的示意性俯视图。
图9是表示实施方式1的基板处理装置执行判定处理的状态的图。
图10是表示本发明实施方式2的基板处理装置执行判定处理的状态的图。
图11是表示向实施方式2的气泡供给管供给的气体的流量与基准开度和检测开度的绝对差的关系的曲线图。
图12是表示实施方式2的基板处理方法的流程图。
图13是表示本发明实施方式3的基板处理方法的流程图。
图14是表示实施方式3的基板处理方法的流程图。
附图标记的说明
12 判定部
100B 基板处理装置
110 处理槽
180A 气泡供给管
253A 压力计(物理量检测部)
261A 气体供给管
G 气泡供给孔(开口)
LQ 处理液
W 基板
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。需要说明的是，图中，对相同或相当部分标记相同的附图标记且不重复说明。另外，在本发明的实施方式中，X轴、Y轴和Z轴相互正交，X轴和Y轴与水平方向平行，Z轴与铅垂方向平行。
＜实施方式1＞
参照图1A、图1B，说明本发明实施方式1的基板处理装置100A和基板处理方法。首先，参照图1A、图1B说明基板处理装置100A。图1A、图1B是表示基板处理装置100A的示意性立体图。具体而言，图1A和图1B是将基板W投入处理槽110之前和之后的基板处理装置100A的示意性立体图。
如图1A和图1B所示，基板处理装置100A用处理液LQ一并处理多个基板W。需要说明的是，基板处理装置100A可以用处理液LQ以每次处理规定数量的基板W的方式来处理许多基板W。规定数量是1以上的整数。
基板W是薄板状的。通常，基板W是薄的大致圆板状的。基板W例如包含半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示用基板、场发射显示(Field Emission Display：FED)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板和太阳能电池用基板等。
使用处理液LQ对多个基板W进行蚀刻处理、表面处理、赋予特性、处理膜形成、膜的至少一部分的除去和清洗中的至少一个。例如，基板处理装置100A对由硅基板构成的基板W的图案形成侧的表面，实施氧化硅膜(SiO2膜)和氮化硅膜(SiN膜)的蚀刻处理。在这样的蚀刻处理中，从基板W的表面除去氧化硅膜和氮化硅膜中的任一个。
例如，处理液LQ为药液。处理液LQ例如是磷酸(H3PO4)、混合氨、双氧水以及水而成的混合液、或者四甲基氢氧化铵。例如，作为处理液LQ，当使用将大致89质量％的磷酸(H3PO4)与大致11质量％的水(去离子水)混合而成的大致157℃的溶液(以下，记作“磷酸液”)时，从基板W的表面除去氮化硅膜(SiN膜)。换言之，作为处理液LQ，使用不含有杂质且高温、高酸浓度的溶液，并且处理液LQ溶解硅(Si4+)。需要说明的是，只要能够处理基板W，处理液LQ的种类就没有特别的限定。另外，处理液LQ的温度也没有特别的限定。
具体而言，基板处理装置100A具备处理槽110和基板保持部120。
处理槽110贮留处理液LQ。具体而言，处理槽110贮留处理液LQ。具体而言，处理槽110具有包括内槽112和外槽114的双重槽结构。内槽112和外槽114各自具有向上开放的上部开口。内槽112贮留处理液LQ，且能收纳多个基板W。外槽114设置在内槽112的上部开口的外周面。
基板保持部120保持多个基板W。多个基板W沿第一方向D10(Y方向)排列成一列。换言之，第一方向D10表示多个基板W的排列方向。第一方向D10与水平方向大致平行。另外，多个基板W各自与第二方向D20大致平行。第二方向D20与第一方向D10大致正交，且与水平方向大致平行。
具体而言，基板保持部120包含升降机。基板保持部120在保持着多个基板W的状态下，向铅垂上方或铅垂下方移动。通过使基板保持部120向铅垂下方移动，由基板保持部120保持的多个基板W浸渍于在内槽112中贮留的处理液LQ中。
在图1A中，基板保持部120位于处理槽110的内槽112的上方。基板保持部120在保持着多个基板W的状态下向铅垂下方(Z方向)下降。由此，将多个基板W投入处理槽110中。
如图1B所示，当基板保持部120下降至处理槽110中时，多个基板W浸渍在处理槽110内的处理液LQ中。在实施方式1中，基板保持部120将隔开规定间隔排列的多个基板W，浸渍于在处理槽110中贮留的处理液LQ中。
详细而言，基板保持部120进一步包含主体板122和保持棒124。主体板122是沿铅垂方向(Z方向)延伸的板。保持棒124从主体板122的一个主表面沿水平方向(Y方向)延伸。在图1A和图1B的例子中，三个保持棒124从主体板122的一个主表面沿水平方向延伸。多个基板W在隔开规定间隔排列的状态下，通过多个保持棒124与各基板W的下边缘抵接以保持立起姿势(铅垂姿势)。
基板保持部120可以进一步包含升降单元126。升降单元126使主体板122在保持在基板保持部120上的多个基板W位于内槽112内的处理位置(图1B所示的位置)与保持在基板保持部120上的多个基板W位于内槽112上方的退避位置(图1A所示的位置)之间升降。因此，通过升降单元126将主体板122移动到处理位置，保持在保持棒124上的多个基板W浸渍在处理液LQ中。
接着，参照图2说明气泡供给管180A和气体供给部200。图2是表示实施方式1的基板处理装置100A的示意图。需要说明的是，图2是表示基板处理装置100A执行基板处理的状态的图。基板处理指用处理液LQ处理基板W。另外，打开的阀示为白色，关闭的阀示为黑色。
如图2所示，基板处理装置100A还具备气体供给部200和至少一个气泡供给管180A。
气体供给部200将从气体供给源263供给的气体，通过气体供给管261A向气泡供给管180A供给。气体供给部200向气泡供给管180A供给的气体例如为非活性气体。非活性气体例如为氮(N2)或氩(Ar)。
具体而言，气体供给部200包含供给机构251A和气体供给管261A。供给机构251A包含阀211A、流量计217A和调节阀219A。按照阀211A、流量计217A和调节阀219A的顺序，从气体供给管261A的下游向上游配置在气体供给管261A上。
调节阀219A调节开度(以下，记作“开度OAn”)，来调节向气泡供给管180A供给的气体的流量。“流量”例如表示每单位时间通过单位面积的流量。具体而言，调节阀219A包含阀座设置在内部的阀体(未图示)、开闭阀座的阀芯、以及将阀芯在打开位置与关闭位置之间移动的致动器(未图示)。
流量计217A测量流过气体供给管261A的气体的流量。调节阀219A基于流量计217A的测量结果调节气体的流量。需要说明的是，例如，调节阀219A可以为质量流量控制器的调节阀。
阀211A开闭气体供给管261A。即，阀211A在从气体供给管261A向气泡供给管180A供给气体与停止供给气体之间切换。
接着，说明气泡供给管180A。气泡供给管180A在处理液LQ中产生多个气泡(许多气泡)，向在处理液LQ中浸渍的多个基板W供给多个气泡(许多气泡)。例如，气泡供给管180A是起泡器。
气泡供给管180A具有大致筒形状。例如，气泡供给管180A是管。气泡供给管180A沿第一方向D10延伸。
气泡供给管180A具有第一端部180a和第二端部180b。第一端部180a是在第一方向D10上的气泡供给管180A的两端部中的一个端部。第二端部180b是在第一方向D10上的气泡供给管180A的两端部中的另一端部。
第一端部180a上连接有气体供给管261A。具体而言，气泡供给管180A可在气体供给管261A上自由装卸。第一端部180a除了与气体供给管261A连接的部分之外，都是封闭的。第二端部180b是封闭的。
具体而言，气泡供给管180A进一步具有流路FW0。流路FW0中流有气体。在气泡供给管180A的内部沿第一方向D10形成流路FW0。流路FW0的一端开口，且与气体供给管261A连通。流路FW0的另一端是封闭的结构。
另外，气泡供给管180A进一步具有与流路FW0连通的多个气泡供给孔G。气泡供给孔G是开口的一个例子。例如，气泡供给孔G为圆形。气泡供给孔G的孔径例如为几十μm～几百μm的数量级。另外，例如，设置在一个气泡供给管180A上的气泡供给孔G的数量例如为40个或60个。
在气泡供给管180A中，多个气泡供给孔G在第一方向D10上隔开规定间隔在大致一条直线上配置。在气泡供给管180A中，各气泡供给孔G设置在气泡供给管180A的上表面部。需要说明的是，只要能够从气泡供给孔G供给气泡，气泡供给孔G的位置就没有特别的限定。另外，在气泡供给管180A中，多个气泡供给孔G可以等间隔地配置，也可以不等间隔地配置。
气泡供给管180A的材质例如为石英或合成树脂。合成树脂具有耐酸性，例如为PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物)或PTFE(聚四氟乙烯)。
尤其是，当气泡供给管180A的材质是合成树脂时，气泡供给管180A的加工容易。此外，当气泡供给管180A的材质为PFA时，弯曲加工容易。例如，能将气泡供给管180A加工成L字状。因此，能够减少气泡供给管180A与其他配管的接缝。其结果是，能够提高气泡供给管180A的耐久性。
气泡供给管180A配置在处理槽110的内部。详细而言，在处理槽110的内部，气泡供给管180A配置在处理槽110的底部。具体而言，气泡供给管180A配置在处理槽110的内槽112中。详细而言，在内槽112的内部，气泡供给管180A配置在内槽112的底部。更详细而言，在处理基板W时，气泡供给管180A配置在处理液LQ中的规定深度HA的位置。规定深度HA表示从处理液LQ的液面到气泡供给孔G的距离。气泡供给管180A固定在内槽112的底部。气泡供给管180A可以与内槽112的底部接触，也可以与内槽112的底部分离。
接着，说明控制装置U4。基板处理装置100A还具备控制装置U4。
控制装置U4控制基板处理装置100A的各构成。例如，控制装置U4控制基板保持部120和气体供给部200。
例如，控制装置U4为计算机。详细而言，控制装置U4包含控制部10和存储装置20。
存储装置20存储数据和计算机程序。例如，存储装置20包含主存储装置和辅助存储装置。例如，主存储装置包含半导体存储器。辅助存储装置例如包含半导体存储器、固态驱动器和/或硬盘驱动器。
控制部10例如包含CPU(中央处理器，Central Processing Unit)等处理器。具体而言，控制部10包含流量控制部11。
在处理基板W时，流量控制部11通过控制气体供给部200，向气体供给管261A供给第一流量F1的气体。具体而言，流量控制部11基于由流量计217A测量的流量，调节调节阀219A的开度OAn，向气体供给管261A供给第一流量F1的气体。第一流量F1是用于处理基板W的流量。因此，通过气体供给管261A向气泡供给管180A供给第一流量F1的气体。其结果是，从气泡供给管180A的多个气泡供给孔G向处理液LQ中供给多个气泡。
接着，参照图3说明压力计253A。图3是表示基板处理装置100A执行判定处理的状态的图。判定处理指判定气泡供给管180A的状态。在实施方式1中，从处理槽110的处理液LQ中拉起多个基板W。
如图3所示，基板处理装置100A还具备压力计253A。压力计253A是物理量检测部的一个例子。
压力计253A经由气体供给管261A检测物理量。物理量是由气泡供给管180A的状态引起的量。在实施方式1中，压力计253A检测气体供给管261A中的压力。在实施方式1中，物理量表示气体供给管261A中的压力。压力计253A连接在阀211A与流量计217A之间。其结果是，当打开阀211A时，压力表示气泡供给管180A中的压力。
在判定气泡供给管180A的状态时，流量控制部11通过控制气体供给部200，向气体供给管261A供给第二流量F2的气体。具体而言，流量控制部11基于用流量计217A测量的流量，调节调节阀219A的开度OAn，向气体供给管261A供给第二流量F2的气体。第二流量F2比第一流量F1多。第二流量F2是用于判定气泡供给管180A的状态的流量。例如，第二流量F2优选为第一流量F1的2倍以上且10倍以下。因此，通过气体供给管261A向气泡供给管180A供给第二流量F2的气体。其结果是，从气泡供给管180A的多个气泡供给孔G向处理液LQ中供给多个气泡。
在基板处理装置100A中，控制部10进一步包含判定部12。
判定部12基于用压力计253A检测的压力(以下，记作“压力PAn”)，判定多个气泡供给孔G的状态。具体而言，判定部12基于压力PAn，判定多个气泡供给孔G的状态。n为1或2。详细而言，判定部12将第一时间t1检测到的压力PA1与第二时间t2检测到的压力PA2相比较，来判定多个气泡供给孔G的状态。压力PA1是基准物理量的一个例子。压力PA1表示第一时间t1检测到的压力(以下，有记作“基准压力PA1”的情况)。压力PA2是检测物理量的一个例子。压力PA2表示第二时间t2检测到的压力(以下，有记作“检测压力PA2”的情况)。第一时间t1与第二时间t2不同。具体而言，第一时间t1表示处理基板W之前的时间。例如，第一时间t1表示多个气泡供给孔G的状态为初始状态的时间。初始状态表示安装气泡供给管180A时的状态，或在刚安装气泡供给管180A之后的多个气泡供给孔G的状态。例如，在初始状态下，多个气泡供给孔G实质上不受处理液LQ的影响，未使用时的气泡供给管180A中的多个气泡供给孔G的孔径实质上保持不变。第二时间t2表示处理基板W之后的时间。例如，第二时间t2表示执行了多次处理基板W后的时间，第二时间t2由实验或经验来确定。基准压力PA1存储在存储装置20中。
在此，参照图4和图5，说明多个气泡供给孔G的状态与压力PAn的关系。图4和图5是表示向气泡供给管180A供给的气体的流量与基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA的关系的曲线图。在图4和图5中，横轴表示向气泡供给管180A供给的气体的流量，纵轴表示基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA。基准压力PA1表示将具有孔径为260μm的60个气泡供给孔G的气泡供给管180A配置在基板处理装置100A时的压力。具有孔径260μm的60个气泡供给孔G的气泡供给管180A，表示初始状态(正常状态)的气泡供给管180A。
在图4中，检测压力PA21表示将60个气泡供给孔G中的5个气泡供给孔G被堵塞的气泡供给管180A配置在基板处理装置100A时的检测压力。差分ΔPA21表示基准压力PA1和检测压力PA21的差分。需要说明的是，代替5个气泡供给孔G被堵塞的气泡供给管180A，可以使用在60个气泡供给孔G的周缘部析出少量的成分(例如，硅(Si))的气泡供给管180A。
另外，检测压力PA22表示将60个气泡供给孔G中的10个气泡供给孔G被堵塞的气泡供给管180A配置在基板处理装置100A时的检测压力。差分ΔPA22表示基准压力PA1和检测压力PA22的差分。需要说明的是，代替10个气泡供给孔G被堵塞的气泡供给管180A，可以使用在60个气泡供给孔G的周缘部析出大量成分(例如，硅(Si))的气泡供给管180A。
如图4所示，差分ΔPA22比差分ΔPA21大。因此，判定部12能够基于压力PAn，判定多个气泡供给孔G的状态。其结果是，不需要目视确认气泡供给管180A。因此，能够容易地确认多个气泡供给孔G的状态。
另外，流量越大，差分ΔPA21和差分ΔPA22越大。因此，通过使第二流量F2大于第一流量F1，即使多个气泡供给孔G的状态变化小，差分ΔPA也变大。其结果是，能够高精度地确认多个气泡供给孔G的状态。
另外，在图5中，检测压力PA23表示将具有孔径为300μm的60个气泡供给孔G的气泡供给管180A配置在基板处理装置100A时的检测压力。换言之，具有孔径为300μm的60个气泡供给孔G的气泡供给管180A，表示60个气泡供给孔G的尺寸被扩大的气泡供给管180A。即，具有孔径为300μm的60个气泡供给孔G的气泡供给管180A，表示60个气泡供给孔G的周缘部溶出到处理液LQ中的气泡供给管180A。差分ΔPA23表示基准压力PA1和检测压力PA23的差分。
如图5所示，流量越大，差分ΔPA23越小。因此，判定部12能够基于压力PAn，判定多个气泡供给孔G的状态。其结果是，不需要目视确认气泡供给管180A。因此，能够容易地确认多个气泡供给孔G的状态。
另外，流量越大，差分ΔPA23越小。因此，通过使第二流量F2大于第一流量F1，即使多个气泡供给孔G的状态变化小，差分ΔPA的绝对值也变大。其结果是，能够高精度地确认多个气泡供给孔G的状态。
详细而言，判定部12基于基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA，判定多个气泡供给孔G的状态是否异常。具体而言，在差分ΔPA为第一阈值TH1以上的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G异常。第一阈值TH1表示多个气泡供给孔G变小或堵塞，而导致多个气泡供给孔G的状态异常时的数值。另外，在差分ΔPA为第二阈值TH2以下的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G异常。第二阈值TH2表示多个气泡供给孔G变大或扩大，而导致多个气泡供给孔G的状态异常时的数值。此外，在差分ΔPA为第二阈值TH2以上且小于第一阈值TH1的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态正常。
以上，如参照图1～图5说明那样，根据实施方式1，判定部12基于压力PAn判定多个气泡供给孔G的状态。其结果是，不需要目视确认气泡供给管180A。因此，能够容易地确认多个气泡供给孔G的状态。另外，能够在没有个人差异的情况下确认多个气泡供给孔G的状态。
另外，判定部12将第一时间t1检测到的基准压力P1与第二时间t2检测到的检测压力P2相比较，来判定多个气泡供给孔G的状态。其结果是，能够确认多个气泡供给孔G的状态从第一时间t1到第二时间t2发生的变化。
另外，第一时间t1表示处理基板W之前的时间。其结果是，能够确认与初始状态(新品)的气泡供给管180相比发生的变化。
在此，如图2和图3所示，基板处理装置100A还具备排液部170。排液部170排出处理槽110的处理液LQ。
具体而言，排液部170包含排液配管170a和阀170b。另外，处理槽110的内槽112的底壁连接有排液配管170a。排液配管170a配置有阀170b。通过打开阀170b，贮留在内槽112内的处理液LQ，经由排液配管170a向外部排出。排出的处理液LQ被送到排液处理装置(未图示)并被处理。详细而言，在判定多个气泡供给孔G的状态前，通过打开阀170b，将贮留在内槽112内的处理液LQ的一部分经由排液配管170a排出到外部。其结果是，气泡供给管180A配置在处理液LQ中的规定深度HB的位置。规定深度HB表示从处理液LQ的液面到气泡供给孔G的距离。规定深度HB比规定深度HA低，可以为0。因此，在判定处理中，能够抑制处理液LQ的影响，并高精度地确认多个气泡供给孔G的状态。
另外，基板处理装置100A还具备清洗液供给部190。清洗液供给部190包含配管190a、阀190b和清洗液供给源190c。配管190a上配置有阀190b。向配管190a中供给来自清洗液供给源190c的清洗液。例如，清洗液能够采用氢氟酸(HF)。打开阀190b时，向内槽112内供给清洗液。其结果是，在判定处理后，能够溶解气泡供给孔G的周缘部析出的成分(例如，硅(Si))以及硅(Si)与水(H2O)反应生成的氧化硅(SiO2)。因此，能够恢复多个气泡供给孔G的状态。
接着，参照图6说明本发明实施方式1的基板处理方法。图6是表示实施方式1的基板处理方法的流程图。如图6所示，基板处理方法包含工序S1～工序S14。由基板处理装置100A执行基板处理方法。
首先，在工序S1中，通过控制装置U4的控制，基板保持部120将多个基板W浸渍在处理槽110的处理液LQ中。
接着，在工序S2中，流量控制部11基于由流量计217A测量的流量，调节调节阀219A的开度OAn，并向气泡供给管180A供给第一流量F1的气体。
接着，在工序S3中，流量控制部11在处理多个基板W后，关闭阀211A，以停止向气泡供给管180A供给气体。
接着，在工序S4中，通过控制装置U4的控制，基板保持部120将多个基板W从处理槽110的处理液LQ中拉起。
接着，在工序S5中，通过将阀170b打开规定时间，贮留在内槽112内的处理液LQ的一部分，经由排液配管170a向外部排出。规定时间表示从规定深度HA变化为规定深度HB所需的时间。
接着，在工序S6中，流量控制部11基于由流量计217A测量的流量，调节调节阀219A的开度OAn，并向气泡供给管180A供给第二流量F2的气体。
接着，在工序S7中，压力计253A经由气体供给管261A检测检测压力PA2。
接着，在工序S8中，流量控制部11关闭阀211A，以停止向气泡供给管180A供给气体。
接着，在工序S9中，判定部12判定基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA属于哪一范围。
在工序S9中，在基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA为第二阈值TH2以上且小于第一阈值TH1的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态正常，基板处理方法结束。
另外，在工序S9中，在基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA为第一阈值TH1以上的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态异常(多个气泡供给孔G堵塞)，处理进入工序S10。
在工序S10中，通过将阀170b打开规定时间，贮留在内槽112内的处理液LQ，经由排液配管170a向外部排出。规定时间表示处理液LQ从内槽112内消失的时间。
接着，在工序S11中，当打开阀190b时，向内槽112内供给清洗液。
接着，在工序S12中，通过打开阀170b，贮留在内槽112内的清洗液，经由排液配管170a向外部排出。然后，基板处理方法结束。
另一方面，在工序S9中，在基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA为第二阈值TH2以下的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态异常(多个气泡供给孔G扩大)，处理进入工序S13。
在工序S13中，通过打开阀170b，贮留在内槽112内的处理液LQ，经由排液配管170a向外部排出。
接着，在工序S14中，将气泡供给管180A更换为新的气泡供给管180A。然后，基板处理方法结束。
以上，如参照图6说明那样，根据实施方式1，判定部12基于基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA，判定多个气泡供给孔G的状态是否异常。具体而言，在基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA为第一阈值TH1以上的情况下，能够清洗气泡供给管180A的多个气泡供给孔G。另一方面，在基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA为第二阈值TH2以下的情况下，气泡供给管180A更换为新的气泡供给管180A。其结果是，能够适当地恢复多个气泡供给孔G的状态。
接着，参照图7详细地说明基板处理装置100A。图7是表示基板处理装置100A的图。
基板处理装置100A还具备多个循环处理液供给构件130和循环部140。
在基板处理中，循环部140使处理槽110中贮留的处理液LQ循环，并向各个循环处理液供给构件130供给处理液LQ。
循环部140包含配管141、泵142、加热器143、过滤器144、调节阀145和阀146。按照泵142、加热器143、过滤器144、调节阀145和阀146的顺序，从配管141的上游向下游配置。
配管141将从处理槽110排出的处理液LQ再次导入处理槽110中。在配管141的下游端，连接有多个循环处理液供给构件130。
泵142从配管141向多个循环处理液供给构件130输送处理液LQ。因此，循环处理液供给构件130向处理槽110供给从配管141供给的处理液LQ。加热器143加热流过配管141的处理液LQ。由加热器143调节处理液LQ的温度。过滤器144过滤流过配管141的处理液LQ。
调节阀145调节配管141的开度，来调节向多个循环处理液供给构件130供给的处理液LQ的流量。具体而言，调节阀145包含阀座设置在内部的阀体(未图示)、开闭阀座的阀芯、以及将阀芯在打开位置与关闭位置之间移动的致动器(未图示)。阀146开闭配管141。
多个循环处理液供给构件130向处理槽110的内槽112供给处理液LQ。在处理槽110的内槽112的内部，多个循环处理液供给构件130配置在内槽112的底部。多个循环处理液供给构件130分别具有大致筒形状。多个循环处理液供给构件130例如分别为管。
具体而言，多个循环处理液供给构件130分别具有多个处理液排出孔P。在图7中，一个循环处理液供给构件130中仅示出一个处理液排出孔P。多个循环处理液供给构件130分别从多个处理液排出孔P向内槽112供给处理液LQ。
基板处理装置100A还具备处理液供给部150和稀释液供给部160。
处理液供给部150向处理槽110供给处理液LQ。处理液LQ例如能够采用将大致85质量％的磷酸(H3PO4)与大致15质量％的水(去离子水)混合的溶液。
处理液供给部150包含喷嘴152、配管154和阀156。喷嘴152将处理液LQ向内槽112排出。喷嘴152与配管154连接。向配管154中供给来自处理液供给源TKA的处理液LQ。配管154上配置有阀156。
当打开阀156时，向内槽112内供给从喷嘴152喷出的处理液LQ。
稀释液供给部160向处理槽110供给稀释液。
稀释液供给部160包含喷嘴162、配管164和阀166。喷嘴162将稀释液向外槽114排出。喷嘴162与配管164连接。向配管164供给的稀释液能够采用DIW(去离子水)、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水和稀释浓度(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水中的任一种。向配管164中供给来自稀释液供给源TKB的稀释液。配管164上配置有阀166。当打开阀166时，从喷嘴162喷出的稀释液向外槽114内供给。
另外，处理槽110进一步具有盖116。盖116相对于内槽112的上部开口能开闭。通过关闭盖116，盖116能够封闭内槽112的上部开口。
盖116具有开门部116a和开门部116b。开门部116a位于内槽112的上部开口的一侧。开门部116a配置在内槽112的上边缘附近，相对于内槽112的上部开口能开闭。开门部116b位于内槽112的上部开口的另一侧。开门部116b配置在内槽112的上边缘附近，相对于内槽112的上部开口能开闭。通过关闭开门部116a和开门部116b以覆盖内槽112的上部开口，能够封闭处理槽110的内槽112。需要说明的是，盖116也可具有未图示的排气机构。
接着，参照图7和图8，说明多个气泡供给管180和气体供给部200。图8是表示多个循环处理液供给构件130和多个气泡供给管180的示意性俯视图。
如图8所示，基板处理装置100A具备气体供给单元280A。具体而言，气体供给单元280A包含至少一个气泡供给管180和至少一个支撑构件185。更具体而言，气体供给单元280A包含多个气泡供给管180和多个支撑构件185。
多个气泡供给管180和多个支撑构件185配置在处理槽110的内部。详细而言，在处理槽110的内部，多个气泡供给管180配置在处理槽110的底部110a。具体而言，多个气泡供给管180配置在处理槽110的内槽112中。详细而言，在内槽112的内部，多个气泡供给管180配置在内槽112的底部110a。
多个气泡供给管180分别由对应的支撑构件185支撑。具体而言，多个气泡供给管180分别固定在对应的支撑构件185上。因此，能够抑制气泡供给管180的变形。多个支撑构件185固定在处理槽110的底部110a。具体而言，多个支撑构件185固定在内槽112的底部110a。因此，在处理基板W时，多个气泡供给管180分别配置在处理液LQ中的规定深度HA的位置。
详细而言，在俯视图中，循环处理液供给构件130和气泡供给管180互相大致平行且隔开间隔配置。在俯视图中，两个循环处理液供给构件130中的一个配置在两个气泡供给管180之间。另外，在俯视图中，两个循环处理液供给构件130中的另一个配置在另外两个气泡供给管180之间。此外，在俯视图中，在四个气泡供给管180中，正中间的两个气泡供给管180在第二方向D20上对置。
具体而言，多个气泡供给管180在处理槽110(具体为内槽112)中，相互大致平行且在第二方向D20上隔开间隔配置。气泡供给管180沿第一方向D10延伸。在多个气泡供给管180的每一个中，多个气泡供给孔G在第一方向D10上隔开间隔配置在大致一条直线上。在多个气泡供给管180的每一个中，各气泡供给孔G设置在气泡供给管180的上表面部。另外，各气泡供给孔G在处理槽110(具体为内槽112)的底部，向上方供给气泡。
另外，多个循环处理液供给构件130在处理槽110(具体为内槽112)中，相互大致平行且在第二方向D20上隔开间隔配置。循环处理液供给构件130沿第一方向D10延伸。在多个循环处理液供给构件130的每一个中，多个处理液排出孔P在第一方向D10上隔开间隔配置在大致一条直线上。在多个循环处理液供给构件130的每一个中，各处理液排出孔P设置在循环处理液供给构件130的上表面部。另外，各处理液排出孔P在处理槽110(具体为内槽112)的底部，向上方排出处理液LQ。需要说明的是，在图7中，处理液排出孔P朝向斜上方，但不限定于此，处理液排出孔P可朝向下方或侧边。
接着，参照图8和图9说明气体供给部200。图9是表示基板处理装置100A执行判定处理的状态的图。如图8和图9所示，气体供给部200向多个气泡供给管180分别供给用于产生气泡的气体，并且多个气泡供给管180分别向浸渍于处理液LQ的多个基板W供给多个气泡。具体而言，气体供给部200包含气体供给管260。
例如，气体供给管260包含共用配管262和多个气体供给管261。多个气体供给管261包含气体供给管261A、气体供给管261B、气体供给管261C和气体供给管261D。
共用配管262与气体供给源263连接。具体而言，共用配管262的上游端与气体供给源263连接。气体供给源263向共用配管262供给气体。共用配管262与各气体供给管261的上游端连接。
气体供给管261A的下游端与气泡供给管180A连接。气体供给管261B的下游端与气泡供给管180B连接。气体供给管261C的下游端与气泡供给管180C连接。气体供给管261D的下游端与气泡供给管180D连接。在这个例子中，气体从共用配管262通过各气体供给管261向各气泡供给管180供给。
在图8和图9中，示出气体供给管260的逻辑构成。因此，气体供给管260与各气泡供给管180的连接形态，只要能够从气体供给管260向各气泡供给管180供给气体，就没有特别的限定。需要说明的是，图8和图9可以示出气体供给管260的物理构成。
气体供给部200进一步包含气体供给机构250。气体供给机构250通过气体供给管260向各气泡供给管180供给气体。具体而言，气体供给机构250包含共用供给机构252和多个供给机构251。多个供给机构251包含供给机构251A、供给机构251B、供给机构251C和供给机构251D。
共用供给机构252包含压力计252c、调节器252b和阀252a。按照压力计252c、调节器252b和阀252a的顺序，从共用配管262的下游向上游配置在共用配管262上。压力计252c检测共用配管262中的压力。压力计252c连接在气体供给管261与调节器252b之间。当打开阀252a时，气体从气体供给源263向共用配管262供给。
供给机构251A将从气体供给源263供给的气体，通过气体供给管261A向气泡供给管180A供给。具体而言，供给机构251A除了阀211A、流量计217A和调节阀219A之外，进一步包含过滤器212A。过滤器212A过滤流过气体供给管261A的气体。
供给机构251B将从气体供给源263供给的气体，通过气体供给管261B向气泡供给管180B供给。供给机构251C将从气体供给源263供给的气体，通过气体供给管261C向气泡供给管180C供给。供给机构251D将从气体供给源263供给的气体，通过气体供给管261D向气泡供给管180D供给。供给机构251B、供给机构251C和供给机构251D的构成，分别与供给机构251A的构成相同。
图9所示的基板处理装置100A还具备多个压力计253。多个压力计253分别是物理量检测部的一个例子。多个压力计253包含压力计253A、压力计253B、压力计253C和压力计253D。
压力计253A检测气体供给管261A中的压力。压力计253B检测气体供给管261B中的压力。压力计253C检测气体供给管261C中的压力。压力计253D检测气体供给管261D中的压力。气体供给管261A中的压力、气体供给管261B中的压力、气体供给管261C中的压力和气体供给管261D中的压力，分别是物理量的一个例子。
基板处理装置100A还具备多个排气机构300。多个排气机构300分别将气体向外部排出。具体而言，多个排气机构300分别包含排气配管和阀。排气配管上配置有阀。阀开闭排气配管。排气配管的一端连接有气体供给管261。通过打开阀，气体从气体供给管261经由排气配管向外部排出。
以上，如参照图9说明那样，根据实施方式1，判定部12能够基于由多个压力计253检测的压力，判定多个气泡供给管180各自的状态是否异常。具体而言，判定部12能够判定气泡供给管180A的状态是否异常。判定部12能够判定气泡供给管180B的状态是否异常。判定部12能够判定气泡供给管180C的状态是否异常。判定部12能够判定气泡供给管180D的状态是否异常。
＜实施方式2＞
参照图10说明本发明实施方式2的基板处理装置100B。图10是表示基板处理装置100B执行判定处理的状态的图。实施方式2与实施方式1的主要不同在于，实施方式2的基板处理装置100B基于调节阀219A的开度OAn，判定多个气泡供给孔G的状态。以下，主要说明实施方式2与实施方式1不同之处。
在实施方式2中，调节阀219A是物理量检测部的一个例子。调节阀219A控制向气体供给管261A供给的气体的流量。调节阀219A将表示调节阀219A的开度OAn的信息向控制装置U4输出。调节阀219A的开度OAn是物理量的一个例子。
在判定气泡供给管180A的状态时，流量控制部11通过控制气体供给部200，向气体供给管261A供给第一流量F1的气体。具体而言，流量控制部11基于由流量计217A测量的流量，调节调节阀219A的开度OAn，并向气体供给管261A供给第一流量F1的气体。因此，通过气体供给管261A向气泡供给管180A供给第一流量F1的气体。其结果是，从气泡供给管180A的多个气泡供给孔G向处理液LQ中供给多个气泡。
判定部12基于从调节阀219A输出的开度OAn，判定多个气泡供给孔G的状态。n为1或2。详细而言，判定部12将在第一时间t1检测到的开度OA1与在第二时间t2检测到的开度OA2相比较，来判定多个气泡供给孔G的状态。开度OA1是基准物理量的一个例子。开度OA1表示第一时间t1检测到的开度(以下，有记作“基准开度OA1”的情况)。开度OA2是检测物理量的一个例子。开度OA2表示第二时间t2检测到的开度(以下，有记作“检测开度OA2”的情况)。基准开度OA1存储在存储装置20中。
在此，参照图11，说明多个气泡供给孔G的状态与开度OAn的关系。图11是表示向气泡供给管180A供给的气体的流量与基准开度OA1和检测开度OA2的绝对差ΔOA的关系的曲线图。在图11中，横轴表示向气泡供给管180A供给的气体的流量，纵轴表示基准开度OA1和检测开度OA2的绝对差ΔOA。基准开度OA1表示将具有孔径为260μm的60个气泡供给孔G的气泡供给管180A，配置在基板处理装置100B上时的开度。换言之，具有孔径为260μm的60个气泡供给孔G的气泡供给管180A，表示初始状态(正常状态)的气泡供给管180A。
在图11中，检测开度OA21表示将60个气泡供给孔G中的5个气泡供给孔G被堵塞的气泡供给管180A，配置在基板处理装置100B时的检测开度。绝对差ΔOA21表示基准开度OA1和检测开度OA21的绝对差。
另外，检测开度OA22表示将60个气泡供给孔G中的10个气泡供给孔G被堵塞的气泡供给管180A，配置在基板处理装置100B时的开度。绝对差ΔOA22表示基准开度OA1和检测开度OA22的绝对差。
此外，检测开度OA23表示将具有60个孔径300μm的气泡供给孔G的气泡供给管180A，配置在基板处理装置100B时的开度。绝对差ΔOA23表示基准开度OA1和检测开度OA23的绝对差。
如图11所示，绝对差ΔOA22比绝对差ΔOA21大。因此，判定部12能够基于开度OAn判定多个气泡供给孔G的状态。其结果是，不需要目视确认气泡供给管180A。因此，能够容易地确认多个气泡供给孔G的状态。
另外，流量越小，绝对差ΔOA21、绝对差ΔOA22和绝对差ΔOA23越大。因此，在第一流量F1下，即使多个气泡供给孔G的状态变化小，绝对差ΔOA也变大。其结果是，能够同时执行基板处理和判定处理。
详细而言，判定部12基于基准开度OA1和检测开度OA2的绝对差ΔOA，判定多个气泡供给孔G的状态是否异常。具体而言，在绝对差ΔOA为阈值TH以上的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态异常。阈值TH表示多个气泡供给孔G变小、堵塞、变大或扩大，而导致多个气泡供给孔G的状态异常时的数值。另外，在绝对差ΔOA小于阈值TH的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态正常。
接着，参照图12说明本发明实施方式2的基板处理方法。图12是表示实施方式2的基板处理方法的流程图。如图12所示，基板处理方法包含工序S101～工序S107。由基板处理装置100B执行基板处理方法。
首先，在工序S101中，通过控制装置U4的控制，基板保持部120将多个基板W浸渍在处理槽110的处理液LQ中。
接着，在工序S102中，流量控制部11基于由流量计217A测量的流量，将调节阀219A的开度OAn调节至检测开度OA2，并向气泡供给管180A供给第一流量F1的气体。
接着，在工序S103中，调节阀219A向控制装置U4输出表示检测开度OA2的信息。
接着，在工序S104中，判定部12判定基准开度OA1和检测开度OA2的绝对差ΔOA是否在阈值TH以上。
在工序S104中，在绝对差ΔOA为阈值TH以上的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态异常，处理进入工序S105。
在工序S105中，判定部12通知气泡供给管180A的状态异常。例如，判定部12在显示器或外部终端上显示信息。
另一方面，在工序S104中，在绝对差ΔOA小于阈值TH的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态正常，处理进入工序S106。
接着，在工序S106中，流量控制部11关闭阀211A，以停止向气体供给管261A供给气体。
接着，在工序S107中，通过控制装置U4的控制，基板保持部120将多个基板W从处理槽110的处理液LQ中拉起。然后，结束基板处理方法。
以上，如参照图10～图12说明，根据实施方式2，判定部12基于由调节阀219A检测的开度OAn，判定多个气泡供给孔G的状态。其结果是，不需要设置压力计253A。
＜实施方式3＞
参照图13和图14，说明本发明实施方式3的基板处理装置100A。图13和图14是表示实施方式3的基板处理方法的流程图。实施方式3与实施方式1的主要不同在于，实施方式3的基板处理装置100A基于调节阀219A的开度OAn，判定多个气泡供给孔G的状态。以下，主要说明实施方式3与实施方式1不同的方面。需要说明的是，实施方式3的基板处理装置100A与图1～图3所示的基板处理装置100A相同。
如图13和图14所示，基板处理方法包含工序S201～工序S218。由基板处理装置100A执行基板处理方法。需要说明的是，实施方式3的基板处理方法，是在执行实施方式2的基板处理方法之后，执行实施方式1的基板处理方法。
首先，在工序S201中，通过控制装置U4的控制，基板保持部120将多个基板W浸渍在处理槽110的处理液LQ中。
接着，在工序S202中，流量控制部11基于由流量计217A测量的流量，将调节阀219A的开度OAn调节至检测开度OA2，并向气泡供给管180A供给第一流量F1的气体。
接着，在工序S203中，调节阀219A向控制装置U4输出表示检测开度OA2的信息。
接着，在工序S204中，判定部12判定基准开度OA1和检测开度OA2的绝对差ΔOA是否在阈值TH以上。
在工序S204中，在绝对差ΔOA小于阈值TH的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态正常，处理进入工序S205。
接着，在工序S205中，流量控制部11关闭阀211A，以停止向气体供给管261A供给气体。
接着，在工序S206中，通过控制装置U4的控制，基板保持部120将多个基板W从处理槽110的处理液LQ中拉起。然后，结束基板处理方法。
另一方面，在工序S204中，在绝对差ΔOA为阈值TH以上的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态异常，处理进入工序S207。
接着，在工序S207中，流量控制部11关闭阀211A，以停止向气体供给管261A供给气体。
接着，在图14所示的工序S208中，通过控制装置U4的控制，基板保持部120将多个基板W从处理槽110的处理液LQ中拉起。
接着，在工序S209中，通过将阀170b打开规定时间，贮留在内槽112内的处理液LQ的一部分，经由排液配管170a向外部排出。规定时间表示从规定深度HA变化为规定深度HB所需的时间。
接着，在工序S210中，流量控制部11基于由流量计217A测量的流量，调节调节阀219A的开度OAn，并向气泡供给管180A供给第二流量F2的气体。
接着，在工序S211中，压力计253A经由气体供给管261A检测检测压力PA2。
接着，在工序S212中，流量控制部11关闭阀211A，以停止向气泡供给管180A供给气体。
接着，在工序S213中，判定部12判定基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA属于哪一范围。
在工序S213中，在基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA为第二阈值TH2以上且小于第一阈值TH1的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态正常，基板处理方法结束。
另外，在工序S213中，在基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA为第一阈值TH1以上的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态异常(多个气泡供给孔G堵塞)，处理进入工序S214。
在工序S214中，通过将阀170b打开规定时间，贮留在内槽112内的处理液LQ，经由排液配管170a向外部排出。规定时间表示处理液LQ从内槽112内消失的时间。
接着，在工序S215中，当打开阀190b时，向内槽112内供给清洗液。
接着，在工序S216中，通过打开阀170b，贮留在内槽112内的清洗液，经由排液配管170a向外部排出。然后，基板处理方法结束。
另一方面，在工序S213中，在基准压力PA1和检测压力PA2的差分ΔPA为第二阈值TH2以下的情况下，判定部12判定多个气泡供给孔G的状态异常(多个气泡供给孔G扩大)，处理进入工序S217。
在工序S217中，通过打开阀170b，贮留在内槽112内的处理液LQ，经由排液配管170a向外部排出。
接着，在工序S218中，将气泡供给管180A更换为新的气泡供给管180A。然后，基板处理方法结束。
以上，如参照图13～图14说明，根据实施方式3，判定部12基于由调节阀219A检测的检测开度OAn，判定多个气泡供给孔G的状态。其结果是，能够在处理基板W时的第一流量F1下，判定多个气泡供给孔G的状态的变化。其结果是，能够同时执行基板处理和判定处理。
此外，判定部12在基于由调节阀219A检测的检测开度OA2，判定多个气泡供给孔G的状态异常后，基于由压力计253A检测的检测压力PA2，确定多个气泡供给孔G的状态是否异常。其结果是，能够高精度地确认多个气泡供给孔G的状态异常。
以上，参照附图说明了本发明的实施方式和实施例。但是，本发明不限定于上述实施方式和实施例，在不脱离其主旨的范围内，能够在各种方案中实施。另外，能适宜改变上述实施方式中公开的多个构成要素。例如，可以将某一实施方式所示的全部构成要素中的某一构成要素追加到另一实施方式的构成要素中，或者可以将某一实施方式所示的全部构成要素中的几个构成要素从实施方式中删除。
另外，为了便于理解发明，附图主要示意性地示出各个构成要素，图示的各构成要素的厚度、长度、个数、间隔等，为了便于附图制作，存在与实际不同的情况。另外，上述实施方式所示的各构成要素的构成是一个例子，没有特别的限定，在实质上不脱离本发明的效果的范围内，能进行各种变更。
(1)在实施方式1中，判定部12判定多个气泡供给管180各自的状态是否异常，但本发明不限定于此。判定部12可以判定从多个气泡供给管180中选择的一个的状态是否异常，选择的一个的状态可作为多个气泡供给管180各自的状态。其结果是，可以不设置压力计253B、压力计253C和压力计253D。
(2)在实施方式1中，判定部12逐根判定多个气泡供给管180各自的状态是否异常，但本发明不限定于此。判定部12可以同时判定多个气泡供给管180各自的状态是否异常。其结果是，能够缩短判定处理的时间。
(3)在实施方式1中，气泡供给管180A沿第一方向D10延伸，但本发明不限定于此。气泡供给管180A可以沿第二方向D20延伸。
工业实用性
本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法，且具有工业实用性。

Claims (16)

1.一种基板处理装置，其中，
具备：
处理槽，用于贮留处理液并浸渍基板；
气泡供给管，具有向所述处理液中供给气体以形成气泡的多个开口；
气体供给管，向所述气泡供给管供给所述气体；
物理量检测部，通过所述气体供给管检测由所述气泡供给管的状态引起的物理量；以及
判定部，基于所述物理量来判定所述多个开口的状态。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述判定部比较在第一时间检测的所述物理量即基准物理量与在第二时间检测的所述物理量即检测物理量，来判定所述多个开口的状态，
所述第一时间与所述第二时间不同。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述第一时间表示处理所述基板之前的时间，
所述第二时间表示处理所述基板之后的时间，
所述判定部基于所述基准物理量与所述检测物理量的差分，来判定所述多个开口的状态是否异常。
4.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述物理量检测部包含检测所述气体供给管中的压力的压力计，
所述物理量表示所述气体供给管中的压力。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，
还具备流量控制部，在处理所述基板时，该流量控制部向所述气体供给管供给第一流量的所述气体，
所述判定部基于向所述气体供给管供给第二流量的所述气体时的所述气体供给管中的压力，来判定所述多个开口的状态，
所述第二流量比所述第一流量多。
6.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述物理量检测部包含控制向所述气体供给管供给的所述气体的流量的调节阀，
所述物理量表示所述调节阀的开度。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述调节阀在处理所述基板时，向所述气体供给管供给第一流量的所述气体，
所述判定部基于向所述气体供给管供给所述第一流量的所述气体时的所述开度，来判定所述多个开口的状态。
8.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述物理量检测部包含：
压力计，检测所述气体供给管中的压力，以及
调节阀，控制向所述气体供给管供给的所述气体的流量；
所述物理量表示所述气体供给管中的压力以及所述调节阀的开度，
所述调节阀在处理所述基板时，向所述气体供给管供给第一流量的所述气体，
所述判定部基于向所述气体供给管供给所述第一流量的所述气体时的所述开度，来判定所述多个开口的状态，并且，
所述判定部基于向所述气体供给管供给比所述第一流量多的第二流量的所述气体时的所述气体供给管中的压力，来确定所述多个开口的状态。
9.一种基板处理方法，使用处理液处理基板，其中，
包含：
经由气体供给管向具有多个开口的气泡供给管供给气体，并向所述处理液中供给所述气体以形成气泡的工序；
经由所述气体供给管检测由所述气泡供给管的状态引起的物理量的工序；以及
基于所述物理量来判定所述多个开口的状态的工序。
10.如权利要求9所述的基板处理方法，其中，
在判定所述状态的所述工序中，比较在第一时间检测的所述物理量即基准物理量与在第二时间检测的所述物理量即检测物理量，来判定所述多个开口的状态，
所述第一时间与所述第二时间不同。
11.如权利要求10所述的基板处理方法，其中，
所述第一时间表示处理所述基板之前的时间，
所述第二时间表示处理所述基板之后的时间，
在判定所述状态的所述工序中，基于所述基准物理量与所述检测物理量的差分，来判定所述多个开口的状态是否异常。
12.如权利要求9或10所述的基板处理方法，其中，
所述物理量表示所述气体供给管中的压力。
13.如权利要求12所述的基板处理方法，其中，
在供给所述气体的所述工序中，
在处理所述基板时，向所述气体供给管供给第一流量的所述气体，
在判定所述多个开口的状态时，向所述气体供给管供给第二流量的所述气体，
所述第二流量比所述第一流量多。
14.如权利要求9或10所述的基板处理方法，其中，
在供给所述气体的所述工序中，使用调节阀控制向所述气体供给管供给的所述气体的流量，
所述物理量表示所述调节阀的开度。
15.如权利要求14所述的基板处理方法，其中，
在供给所述气体的所述工序中，
在处理所述基板时，向所述气体供给管供给第一流量的所述气体，
在判定所述多个开口的状态时，向所述气体供给管供给所述第一流量的所述气体。
16.如权利要求9或10所述的基板处理方法，其中，
所述物理量表示所述气体供给管中的压力以及调节阀的开度，
在判定所述状态的所述工序中，
基于向所述气体供给管供给第一流量的所述气体时的所述开度，来判定所述多个开口的状态，并且
基于向所述气体供给管供给比所述第一流量更多的第二流量的所述气体时的所述气体供给管中的压力，来确定所述多个开口的状态。
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