JP2022026660A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】気泡供給管の開口の状態を容易に確認することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１００Ｂは、処理槽１１０と、気泡供給管１８０Ａと、気体供給管２６１Ａと、物理量検出部２５３Ａと、判定部１２とを備える。処理槽１１０は、処理液ＬＱを貯留して、基板Ｗを浸漬する。気泡供給管１８０Ａは、処理液ＬＱ中に気泡として気体を供給する複数の開口Ｇを有する。気体供給管２６１Ａは、気泡供給管１８０Ａに気体を供給する。物理量検出部２５３Ａは、気泡供給管１８０Ａの状態に起因する物理量を、気体供給管２６１Ａを介して検出する。判定部１２は、物理量に基づいて、複数の開口Ｇの状態を判定する。【選択図】図３

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
半導体装置及び液晶表示装置等の電子部品に用いられる基板は、基板処理装置によって処理されることが知られている。基板は、処理槽内の処理液に浸漬することによって基板の処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。
近年における半導体基板上に形成される素子の微細化や三次元化に伴い、基板の処理を均一化する要請が高まっている。例えば、三次元構造を有するＮＡＮＤ素子は、立体的な凹凸構造を有する積層構造を有している。素子パターンの凹凸構造の凹部に処理液が滞留した場合には、凹部内の液置換が不十分となる。そのため、凹部を含む基板全体に対して充分に液置換を促す手段として、処理槽に浸漬した基板の下方に気泡発生器（気泡供給管）を配置し、気泡発生器から気泡を発生させて処理槽内の液置換を促進するという技術がある。
特許文献１には、こうした気泡発生器の適用例が記載されている。特許文献１の基板処理装置では、燐酸水溶液を貯留した処理槽に基板を浸漬し基板を処理する際に、処理槽において浸漬した基板の下方に配置した気泡発生器から気泡を発生させる。気泡発生器は、筒状であり、多数の吐出口（多数の開口）を有する。気泡発生器の一端には、気泡発生器に混合気体を供給する気体供給配管が接続されている。そして、気泡発生器は、混合気体を各吐出口から燐酸水溶液中に吹き出すことによって、混合気体の気泡を燐酸水溶液中に発生させる。
発生した気泡は、処理槽内に載置された複数の基板と基板との間の間隙を上昇しつつ、燐酸水溶液を循環させる。この循環により、基板上に形成された素子パターン周囲の液置換が促進される。
特開２０１８－５６２５８号公報
基板を燐酸処理した結果、燐酸水溶液に溶出した成分は、気泡発生器にも析出する可能性がある。
溶出成分が気泡発生器の吐出口に析出沈着した状態では、いわゆる目詰まり（ｃｌｏｇｇｉｎｇ）となり、供給される気泡の粒形、分布、上昇速度が変動する可能性がある。その結果、基板処理の均一性に影響を及ぼす可能性がある。よって、定期的に処理槽から燐酸水溶液を排出し、開口の状態を目視で確認していた。その結果、開口の状態を確認するには、手間がかかった。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、気泡供給管の開口の状態を容易に確認することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、処理槽と、気泡供給管と、気体供給管と、物理量検出部と、判定部とを備える。前記処理槽は、処理液を貯留して、基板を浸漬する。前記気泡供給管は、前記処理液中に気泡として気体を供給する複数の開口を有する。前記気体供給管は、前記気泡供給管に前記気体を供給する。前記物理量検出部は、前記気泡供給管の状態に起因する物理量を、前記気体供給管を介して検出する。前記判定部は、前記物理量に基づいて、前記複数の開口の状態を判定する。
本発明の基板処理装置は、前記判定部は、第１時間に検出された前記物理量である基準物理量と、第２時間に検出された前記物理量である検出物理量とを比較し、前記複数の開口の状態を判定し、前記第１時間と前記第２時間とは、異なることが好ましい。
本発明の基板処理装置は、前記第１時間は、前記基板を処理する前の時を示し、前記第２時間は、前記基板を処理した後の時を示し、前記判定部は、前記基準物理量と前記検出物理量との差分に基づいて、前記複数の開口の状態が異常であるか否かを判定することが好ましい。
本発明の基板処理装置は、前記物理量検出部は、前記気体供給管中の圧力を検出する圧力計を含み、前記物理量は、前記気体供給管中の圧力を示すことが好ましい。
本発明の基板処理装置は、前記基板を処理する時に、前記気体供給管に第１流量の前記気体を供給する流量制御部を更に備え、前記判定部は、前記気体供給管に第２流量の前記気体を供給した際の前記気体供給管中の圧力に基づいて、前記複数の開口の状態を判定し、前記第２流量は、前記第１流量より多いことが好ましい。
本発明の基板処理装置は、前記物理量検出部は、前記気体供給管に供給する前記気体の流量を制御する調整バルブを含み、前記物理量は、前記調整バルブの開度を示すことが好ましい。
本発明の基板処理装置は、前記調整バルブは、前記基板を処理する時に、前記気体供給管に第１流量の前記気体を供給し、前記判定部は、前記気体供給管に前記第１流量の前記気体を供給した際の前記開度に基づいて、前記複数の開口の状態を判定することが好ましい。
本発明の基板処理装置は、前記物理量検出部は、前記気体供給管中の圧力を検出する圧力計と、前記気体供給管に供給する前記気体の流量を制御する調整バルブとを含み、前記物理量は、前記気体供給管中の圧力と、前記調整バルブの開度とを示し、前記調整バルブは、前記基板を処理するときに、前記気体供給管に第１流量の前記気体を供給し、前記判定部は、前記気体供給管に前記第１流量の前記気体を供給した際の前記開度に基づいて、前記複数の開口の状態を判定し、前記気体供給管に、前記第１流量より多い第２流量の前記気体を供給した際の前記気体供給管中の圧力に基づいて、前記複数の開口の状態を確定することが好ましい。
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、処理液で基板を処理する基板処理方法であって、複数の開口を有する気泡供給管に気体供給管を介して気体を供給して、気泡として前記気体を前記処理液中に供給する工程と、前記気泡供給管の状態に起因する物理量を、前記気体供給管を介して検出する工程と、前記物理量に基づいて、前記複数の開口の状態を判定する工程とを含む。
本発明の基板処理方法は、前記状態を判定する前記工程では、第１時間に検出された前記物理量である基準物理量と、第２時間に検出された前記物理量である検出物理量とを比較し、前記複数の開口の状態を判定し、前記第１時間と前記第２時間とは、異なることが好ましい。
本発明の基板処理方法は、前記第１時間は、前記基板を処理する前の時を示し、前記第２時間は、前記基板を処理した後の時を示し、前記状態を判定する前記工程では、前記基準物理量と前記検出物理量との差分に基づいて、前記複数の開口の状態が異常であるか否かを判定することが好ましい。
本発明の基板処理方法は、前記物理量は、前記気体供給管中の圧力を示すことが好ましい。
本発明の基板処理方法は、前記気体を供給する前記工程では、前記基板を処理する時に、前記気体供給管に第１流量の前記気体を供給し、前記複数の開口の状態を判定する時に、前記気体供給管に第２流量の前記気体を供給し、前記第２流量は、前記第１流量より多いことが好ましい。
本発明の基板処理方法は、前記気体を供給する前記工程では、前記気体供給管に供給する前記気体の流量を調整バルブを用いて制御し、前記物理量は、前記調整バルブの開度を示すことが好ましい。
本発明の基板処理方法は、前記気体を供給する前記工程では、前記基板を処理する時に、前記気体供給管に第１流量の前記気体を供給し、前記複数の開口の状態を判定する時に、前記気体供給管に前記第１流量の前記気体を供給することが好ましい。
本発明の基板処理方法は、前記物理量は、前記気体供給管中の圧力と、調整バルブの開度とを示し、前記状態を判定する前記工程では、前記気体供給管に第１流量の前記気体を供給した際の前記開度に基づいて、前記複数の開口の状態を判定し、前記気体供給管に、前記第１流量より多い第２流量の前記気体を供給した際の前記気体供給管中の圧力に基づいて、前記複数の開口の状態を確定することが好ましい。
本発明によれば、気泡供給管の開口の状態を容易に確認することができる。
（ａ）は、本発明の実施形態１に係る基板が処理液に浸漬される前の状態を示す図である。（ｂ）は、実施形態１に係る基板が処理液に浸漬された状態を示す図である。 実施形態１に係る基板処理装置を示す模式図である。 実施形態１に係る基板処理装置が判定処理を実行している状態を示す図である。 実施形態１に係る気泡供給管に供給される気体の流量と、基準圧力と検出圧力との差分との関係を示すグラフである。 実施形態１に係る気泡供給管に供給される気体の流量と、基準圧力と検出圧力との差分との関係を示すグラフである。 実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 実施形態１に係る基板処理装置を示す図である。 実施形態１に係る複数の循環処理液供給部材及び複数の気泡供給管を示す模式的平面図である。 実施形態１に係る基板処理装置が判定処理を実行している状態を示す図である。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置が判定処理を実行している状態を示す図である。 実施形態２に係る気泡供給管に供給される気体の流量と、基準開度と検出開度との絶対差との関係を示すグラフである。 実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態３に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 実施形態３に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
＜実施形態１＞
図１を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００Ａ及び基板処理方法を説明する。まず、図１を参照して、基板処理装置１００Ａを説明する。図１は、基板処理装置１００Ａを示す模式的斜視図である。具体的には、図１（ａ）及び図１（ｂ）は、基板Ｗを処理槽１１０に投入する前及び後の基板処理装置１００Ａの模式的斜視図である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、基板処理装置１００Ａは、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを一括して処理する。なお、基板処理装置１００Ａは、処理液ＬＱによって多数の基板Ｗを所定数ずつ処理してもよい。所定数は、１以上の整数である。
基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板及び太陽電池用基板等を含む。
処理液ＬＱにより、複数の基板Ｗには、エッチング処理、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去及び洗浄のうちの少なくとも１つが行われる。例えば、基板処理装置１００Ａは、シリコン基板からなる基板Ｗのパターン形成側の表面に対して、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）のエッチング処理を施す。このようなエッチング処理では、基板Ｗの表面からシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜のうちのいずれかを除去する。
処理液ＬＱは、例えば、薬液である。処理液ＬＱは、例えば、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、アンモニアと過酸化水素水と水とが混合された混合液、又は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。例えば、処理液ＬＱとして、略８９質量％の燐酸（Ｈ3ＰＯ4）と略１１質量％の水（脱イオン水）とが混合された略１５７℃の溶液（以下、「燐酸液」と記載する。）が用いられると、基板Ｗの表面からシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）が除去される。換言すれば、処理液ＬＱとして、不純物を含有せず、高温、高酸濃度の溶液が用いられ、処理液ＬＱは、シリコン（Ｓｉ4+）を溶解していく。なお、基板Ｗを処理できる限りにおいては、処理液ＬＱの種類は特に限定されない。また、処理液ＬＱの温度も特に限定されない。
具体的には、基板処理装置１００Ａは、処理槽１１０と、基板保持部１２０とを備える。
処理槽１１０は、処理液ＬＱを貯留する。具体的には、処理槽１１０は、処理液ＬＱを貯留する。具体的には、処理槽１１０は、内槽１１２及び外槽１１４を含む二重槽構造を有している。内槽１１２及び外槽１１４はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽１１２は、処理液ＬＱを貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１４は、内槽１１２の上部開口の外周面に設けられる。
基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。複数の基板Ｗは、第１方向Ｄ１０（Ｙ方向）に沿って一列に配列される。換言すれば、第１方向Ｄ１０は、複数の基板Ｗの配列方向を示す。第１方向Ｄ１０は、水平方向に略平行である。また、複数の基板Ｗの各々は、第２方向Ｄ２０に略平行である。第２方向Ｄ２０は、第１方向Ｄ１０に略直交し、水平方向に略平行である。
具体的には、基板保持部１２０は、リフターを含む。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直上方又は鉛直下方に移動する。基板保持部１２０が鉛直下方に移動することにより、基板保持部１２０によって保持されている複数の基板Ｗは、内槽１１２に貯留されている処理液ＬＱに浸漬される。
図１（ａ）では、基板保持部１２０は、処理槽１１０の内槽１１２の上方に位置する。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直下方（Ｚ方向）に下降する。これにより、複数の基板Ｗが処理槽１１０に投入される。
図１（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が処理槽１１０にまで下降すると、複数の基板Ｗは、処理槽１１０内の処理液ＬＱに浸漬する。実施形態１では、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、所定間隔をあけて整列した複数の基板Ｗを浸漬する。
詳細には、基板保持部１２０は、本体板１２２と、保持棒１２４とを更に含む。本体板１２２は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる板である。保持棒１２４は、本体板１２２の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。図１（ａ）及び図１（ｂ）の例では、３つの保持棒１２４が本体板１２２の一方の主面から水平方向に延びる。複数の基板Ｗは、所定間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒１２４によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。
基板保持部１２０は、昇降ユニット１２６を更に含んでもよい。昇降ユニット１２６は、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２内に位置する処理位置（図１（ｂ）に示す位置）と、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２の上方に位置する退避位置（図１（ａ）に示す位置）との間で本体板１２２を昇降させる。従って、昇降ユニット１２６によって本体板１２２が処理位置に移動させられることにより、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬される。
続けて図２を参照して、気泡供給管１８０Ａ及び気体供給部２００を説明する。図２は、実施形態１に係る基板処理装置１００Ａを示す模式図である。なお、図２は、基板処理装置１００Ａが基板処理を実行している状態を示す図である。基板処理とは、処理液ＬＱによって基板Ｗを処理することである。また、開いているバルブを白色で示し、閉じているバルブを黒色で示している。
図２に示すように、基板処理装置１００Ａは、少なくとも１個の気泡供給管１８０Ａと、気体供給部２００とを更に備える。
気体供給部２００は、気体供給源２６３から供給される気体を、気体供給管２６１Ａを通して、気泡供給管１８０Ａに供給する。気体供給部２００が気泡供給管１８０Ａに供給する気体は、例えば、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素（Ｎ2）、又は、アルゴン（Ａｒ）である。
具体的には、気体供給部２００は、供給機構２５１Ａと、気体供給管２６１Ａとを含む。供給機構２５１Ａは、バルブ２１１Ａと、流量計２１７Ａと、調整バルブ２１９Ａとを含む。バルブ２１１Ａ、流量計２１７Ａ、及び、調整バルブ２１９Ａは、この順番に気体供給管２６１Ａの下流から上流に向かって、気体供給管２６１Ａに配置される。
調整バルブ２１９Ａは、開度（以下、「開度ＯＡｎ」と記載する。）を調節して、気泡供給管１８０Ａに供給される気体の流量を調整する。「流量」は、例えば、単位時間当たりに単位面積を通過する流量を示す。具体的には、調整バルブ２１９Ａは、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
流量計２１７Ａは、気体供給管２６１Ａを流れる気体の流量を計測する。調整バルブ２１９Ａは、流量計２１７Ａの計測結果に基づいて気体の流量を調整する。なお、例えば、調整バルブ２１９Ａは、マスフローコントローラーの調整バルブであってもよい。
バルブ２１１Ａは、気体供給管２６１Ａを開閉する。つまり、バルブ２１１Ａは、気体供給管２６１Ａからの気泡供給管１８０Ａに対する気体の供給と供給停止とを切り替える。
続けて気泡供給管１８０Ａについて説明する。気泡供給管１８０Ａは、処理液ＬＱ中に複数の気泡（多数の気泡）を発生し、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡（多数の気泡）を供給する。気泡供給管１８０Ａは、例えば、バブラーである。
気泡供給管１８０Ａは、略筒形状を有する。気泡供給管１８０Ａは、例えば、管である。気泡供給管１８０Ａは、第１方向Ｄ１０に延びている。
気泡供給管１８０Ａは、第１端部１８０ａと、第２端部１８０ｂとを有する。第１端部１８０ａは、第１方向Ｄ１０における気泡供給管１８０Ａの両端部のうちの一方端部である。第２端部１８０ｂは、第１方向Ｄ１０における気泡供給管１８０Ａの両端部のうちの他方端部である。
第１端部１８０ａには、気体供給管２６１Ａが接続される。具体的には、気泡供給管１８０Ａは、気体供給管２６１Ａに着脱自在である。第１端部１８０ａは、気体供給管２６１Ａが接続されている部分を除き、閉塞されている。第２端部１８０ｂは閉塞されている。
具体的には、気泡供給管１８０Ａは、流路ＦＷ０を更に有する。流路ＦＷ０には気体が流れる。流路ＦＷ０は、気泡供給管１８０Ａの内部に第１方向Ｄ１に沿って形成される。流路ＦＷ０は、一端が開口し、気体供給管２６１Ａに連通する。流路ＦＷ０の他端は閉じた構造となっている。
また、気泡供給管１８０Ａは、流路ＦＷ０に連通する複数の気泡供給孔Ｇを更に有する。気泡供給孔Ｇは、開口の一例である。気泡供給孔Ｇは、例えば円形である。気泡供給孔Ｇの孔径は、例えば、数十μｍ～数百μｍのオーダーである。また、例えば、１つの気泡供給管１８０Ａに設けられる気泡供給孔Ｇの数は、例えば、４０個又は６０個である。
気泡供給管１８０Ａにおいて、複数の気泡供給孔Ｇは、第１方向Ｄ１０に所定間隔をあけて略一直線上に配置される。気泡供給管１８０Ａにおいて、各気泡供給孔Ｇは、気泡供給管１８０Ａの上面部に設けられる。なお、気泡供給孔Ｇから気泡を供給できる限りにおいては、気泡供給孔Ｇの位置は特に限定されない。また、気泡供給管１８０Ａにおいて、複数の気泡供給孔Ｇは、等間隔に配置されていてもよいし、不等間隔に配置されていてもよい。
気泡供給管１８０Ａの材質は、例えば、石英、又は、合成樹脂である。合成樹脂は、耐酸性を有する点で、例えば、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、又は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）である。
特に、気泡供給管１８０Ａの材質が合成樹脂であると、気泡供給管１８０Ａの加工が容易である。更に、気泡供給管１８０Ａの材質がＰＦＡであると、曲げ加工が容易である。例えば、気泡供給管１８０ＡをＬ字状に加工することも可能である。従って、気泡供給管１８０Ａと他の配管との継ぎ目を少なくできる。その結果、気泡供給管１８０Ａの耐久性を向上できる。
気泡供給管１８０Ａは、処理槽１１０の内部に配置される。詳細には、気泡供給管１８０Ａは、処理槽１１０の内部において、処理槽１１０の底部に配置される。具体的には、気泡供給管１８０Ａは、処理槽１１０の内槽１１２に配置される。詳細には、気泡供給管１８０Ａは、内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部に配置される。更に詳細には、基板Ｗを処理する時には、気泡供給管１８０Ａは、処理液ＬＱ中の所定深さＨＡの位置に配置される。所定深さＨＡは、処理液ＬＱの液面から気泡供給孔Ｇまでの距離を示す。気泡供給管１８０Ａは、内槽１１２の底部に固定される。気泡供給管１８０Ａは、内槽１１２の底部に接触していてもよいし、内槽１１２の底部に対して離隔していてもよい。
続けて、制御装置Ｕ４について説明する。基板処理装置１００Ａは、制御装置Ｕ４を更に備える。
制御装置Ｕ４は、基板処理装置１００Ａの各構成を制御する。例えば、制御装置Ｕ４は、基板保持部１２０及び気体供給部２００を制御する。
制御装置Ｕ４は、例えば、コンピューターである。詳細には、制御装置Ｕ４は、制御部１０と、記憶装置２０とを含む。
記憶装置２０は、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。記憶装置２０は、例えば、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーを含む。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、及び／又は、ハードディスクドライブを含む。
制御部１０は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーを含む。具体的には、制御部１０は、流量制御部１１を含む。
流量制御部１１は、基板Ｗを処理する時に、気体供給部２００を制御することで、気体供給管２６１Ａに第１流量Ｆ１の気体を供給する。具体的には、流量制御部１１は、流量計２１７Ａで計測された流量に基づいて、調整バルブ２１９Ａの開度ＯＡｎを調節し、気体供給管２６１Ａに第１流量Ｆ１の気体を供給する。第１流量Ｆ１は、基板Ｗを処理するための流量である。従って、気体供給管２６１Ａを通って第１流量Ｆ１の気体が気泡供給管１８０Ａに供給される。その結果、処理液ＬＱ中に、気泡供給管１８０Ａの複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡が供給される。
続けて図３を参照して、圧力計２５３Ａを説明する。図３は、基板処理装置１００Ａが判定処理を実行している状態を示す図である。判定処理とは、気泡供給管１８０Ａの状態を判定することである。実施形態１では、処理槽１１０の処理液ＬＱから複数の基板Ｗが引き上げられている。
図３に示すように、基板処理装置１００Ａは、圧力計２５３Ａを更に備える。圧力計２５３Ａは、物理量検出部の一例である。
圧力計２５３Ａは、気体供給管２６１Ａを介して物理量を検出する。物理量は、気泡供給管１８０Ａの状態に起因する量である。実施形態１では、圧力計２５３Ａは、気体供給管２６１Ａ中の圧力を検出する。実施形態１では、物理量は、気体供給管２６１Ａ中の圧力を示す。圧力計２５３Ａは、バルブ２１１Ａと流量計２１７Ａとの間に接続されている。その結果、バルブ２１１Ａが開いていると、圧力は気泡供給管１８０Ａ中の圧力を示す。
流量制御部１１は、気泡供給管１８０Ａの状態を判定する時に、気体供給部２００を制御することで、気体供給管２６１Ａに第２流量Ｆ２の気体を供給する。具体的には、流量制御部１１は、流量計２１７Ａで計測された流量に基づいて、調整バルブ２１９Ａの開度ＯＡｎを調節し、気体供給管２６１Ａに第２流量Ｆ２の気体を供給する。第２流量Ｆ２は、第１流量Ｆ１より多い。第２流量Ｆ２は、気泡供給管１８０Ａの状態を判定するための流量である。第２流量Ｆ２は、例えば第１流量Ｆ１の２倍以上１０倍以下であることが好ましい。従って、気体供給管２６１Ａを通って第２流量Ｆ２の気体が気泡供給管１８０Ａに供給される。その結果、処理液ＬＱ中に、気泡供給管１８０Ａの複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡が供給される。
基板処理装置１００Ａでは、制御部１０は、判定部１２を更に含む。
判定部１２は、圧力計２５３Ａで検出された圧力（以下、「圧力ＰＡｎ」と記載する。）に基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。具体的には、判定部１２は、圧力ＰＡｎに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。ｎは１又は２である。詳細には、判定部１２は、第１時間ｔ１に検出された圧力ＰＡ１と、第２時間ｔ２に検出された圧力ＰＡ２とを比較し、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。圧力ＰＡ１は、基準物理量の一例である。圧力ＰＡ１は、第１時間ｔ１に検出された圧力（以下、「基準圧力ＰＡ１」と記載する場合がある。）を示す。圧力ＰＡ２は、検出物理量の一例である。圧力ＰＡ２は、第２時間ｔ２に検出された圧力（以下、「検出圧力ＰＡ２」と記載する場合がある。）を示す。第１時間ｔ１と第２時間ｔ２とは、異なる。具体的には、第１時間ｔ１は、基板Ｗを処理する前の時を示す。例えば、第１時間ｔ１は、複数の気泡供給孔Ｇの状態が初期状態である時を示す。初期状態は、気泡供給管１８０Ａを取付けた時、又は、気泡供給管１８０Ａを取付けた直後の複数の気泡供給孔Ｇの状態を示す。例えば、初期状態では、複数の気泡供給孔Ｇが処理液ＬＱの影響を実質的に受けておらず、未使用時の気泡供給管１８０Ａにおける複数の気泡供給孔Ｇの孔径が実質的に維持されている。第２時間ｔ２は、基板Ｗを処理した後の時を示す。例えば、第２時間ｔ２は、基板Ｗを処理することを複数回実行した後の時を示し、第２時間ｔ２は、実験的又は経験的に定められる。基準圧力ＰＡ１は、記憶装置２０に記憶されている。
ここで図４及び図５を参照して、複数の気泡供給孔Ｇの状態と、圧力ＰＡｎとの関係について説明する。図４及び図５は、気泡供給管１８０Ａに供給される気体の流量と、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡとの関係を示すグラフである。図４及び図５において、横軸は気泡供給管１８０Ａに供給される気体の流量を示し、縦軸は基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡを示している。基準圧力ＰＡ１は、孔径２６０μｍの６０個の気泡供給孔Ｇを有する気泡供給管１８０Ａを基板処理装置１００Ａに配置した時の圧力を示す。孔径２６０μｍの６０個の気泡供給孔Ｇを有する気泡供給管１８０Ａは、初期状態（正常な状態）の気泡供給管１８０Ａを示す。
図４において、検出圧力ＰＡ２１は、６０個の気泡供給孔Ｇの内の５個の気泡供給孔Ｇが塞がれた気泡供給管１８０Ａを、基板処理装置１００Ａに配置した時の検出圧力を示す。差分ΔＰＡ２１は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２１との差分を示す。なお、５個の気泡供給孔Ｇが塞がれた気泡供給管１８０Ａに代えて、６０個の気泡供給孔Ｇの周縁部に、少量の成分（例えば、シリカ（Ｓｉ））が析出した気泡供給管１８０Ａを用いてもよい。
また、検出圧力ＰＡ２２は、６０個の気泡供給孔Ｇの内の１０個の気泡供給孔Ｇが塞がれた気泡供給管１８０Ａを、基板処理装置１００Ａに配置した時の検出圧力を示す。差分ΔＰＡ２２は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２２との差分を示す。なお、１０個の気泡供給孔Ｇが塞がれた気泡供給管１８０Ａに代えて、６０個の気泡供給孔Ｇの周縁部に、多量の成分（例えば、シリカ（Ｓｉ））が析出した気泡供給管１８０Ａを用いてもよい。
図４に示すように、差分ΔＰＡ２２は、差分ΔＰＡ２１より大きかった。従って、判定部１２は、圧力ＰＡｎに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定できる。その結果、気泡供給管１８０Ａを目視で確認する必要がない。よって、複数の気泡供給孔Ｇの状態を容易に確認できる。
また、差分ΔＰＡ２１及び差分ΔＰＡ２２は、流量を大きくすればするほど、大きくなった。従って、第２流量Ｆ２を第１流量Ｆ１より多くすることにより、複数の気泡供給孔Ｇの状態の変化が小さくても、差分ΔＰＡは大きくなる。その結果、複数の気泡供給孔Ｇの状態を、精度よく確認できる。
また、図５において、検出圧力ＰＡ２３は、孔径３００μｍの６０個の気泡供給孔Ｇを有する気泡供給管１８０Ａを、基板処理装置１００Ａに配置した時の検出圧力を示す。換言すれば、孔径３００μｍの６０個の気泡供給孔Ｇを有する気泡供給管１８０Ａは、６０個の気泡供給孔Ｇの大きさが広げられた気泡供給管１８０Ａを示す。つまり、孔径３００μｍの６０個の気泡供給孔Ｇを有する気泡供給管１８０Ａは、６０個の気泡供給孔Ｇの周縁部が処理液ＬＱに溶出した気泡供給管１８０Ａを示す。差分ΔＰＡ２３は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２３との差分を示す。
図５に示すように、差分ΔＰＡ２３は、流量を大きくすればするほど、小さくなった。従って、判定部１２は、圧力ＰＡｎに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定できる。その結果、気泡供給管１８０Ａを目視で確認する必要がない。よって、複数の気泡供給孔Ｇの状態を容易に確認できる。
また、差分ΔＰＡ２３は、流量を大きくすればするほど、小さくなった。従って、第２流量Ｆ２を第１流量Ｆ１より多くすることにより、複数の気泡供給孔Ｇの状態の変化が小さくても、差分ΔＰＡの絶対値は大きくなる。その結果、複数の気泡供給孔Ｇの状態を、精度よく確認できる。
詳細には、判定部１２は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であるか否かを判定する。具体的には、判定部１２は、差分ΔＰＡが第１閾値ＴＨ１以上である場合に、複数の気泡供給孔Ｇが異常であると判定部１２は判定する。第１閾値ＴＨ１は、複数の気泡供給孔Ｇが小さくなったり塞がったりして、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常である時の数値を示す。また、判定部１２は、差分ΔＰＡが第２閾値ＴＨ２以下である場合に、複数の気泡供給孔Ｇが異常であると判定部１２は判定する。第２閾値ＴＨ２は、複数の気泡供給孔Ｇが大きくなったり広がったりして、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常である時の数値を示す。更に、差分ΔＰＡが第２閾値ＴＨ２以上第１閾値ＴＨ１未満である場合に、複数の気泡供給孔Ｇの状態が正常であると判定部１２は判定する。
以上、図１から図５を参照して説明したように、実施形態１によれば、判定部１２は、圧力ＰＡｎに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。その結果、気泡供給管１８０Ａを目視で確認する必要がない。よって、複数の気泡供給孔Ｇの状態を容易に確認できる。また、複数の気泡供給孔Ｇの状態を個人差が無く確認できる。
また、判定部１２は、第１時間ｔ１に検出された基準圧力Ｐ１と、第２時間ｔ２に検出された検出圧力Ｐ２とを比較し、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。その結果、第１時間ｔ１から第２時間ｔ２までにおける複数の気泡供給孔Ｇの状態からの変化を確認できる。
また、第１時間ｔ１は、基板Ｗを処理する前の時を示す。その結果、初期状態（新品）の気泡供給管１８０からの変化を確認できる。
ここで、図２及び図３に示すように、基板処理装置１００Ａは、排液部１７０を更に備える。排液部１７０は、処理槽１１０の処理液ＬＱを排出する。
具体的には、排液部１７０は、排液配管１７０ａと、バルブ１７０ｂとを含む。そして、処理槽１１０の内槽１１２の底壁には、排液配管１７０ａが接続される。排液配管１７０ａにはバルブ１７０ｂが配置される。バルブ１７０ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱは排液配管１７０ａを通って外部に排出される。排出された処理液ＬＱは排液処理装置（図示しない）へと送られ、処理される。詳細には、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する前に、バルブ１７０ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱの一部は排液配管１７０ａを通って外部に排出される。その結果、気泡供給管１８０Ａは、処理液ＬＱ中の所定深さＨＢの位置に配置される。所定深さＨＢは、処理液ＬＱの液面から気泡供給孔Ｇまでの距離を示す。所定深さＨＢは、所定深さＨＡより低く、０であってもよい。よって、判定処理で、処理液ＬＱの影響を抑制し、複数の気泡供給孔Ｇの状態を、精度よく確認できる。
また、基板処理装置１００Ａは、洗浄液供給部１９０を更に備える。洗浄液供給部１９０は、配管１９０ａと、バルブ１９０ｂと、洗浄液供給源１９０ｃとを含む。配管１９０ａには、バルブ１９０ｂが配置される。配管１９０ａには、洗浄液供給源１９０ｃからの洗浄液が供給される。洗浄液は、例えばフッ化水素酸（ＨＦ）を採用することができる。バルブ１９０ｂが開かれると、洗浄液が内槽１１２内に供給される。その結果、判定処理後に、気泡供給孔Ｇの周縁部に析出した成分（例えば、シリカ（Ｓｉ））、及び、シリカ（Ｓｉ）と水（Ｈ2Ｏ）との反応で生成した酸化シリコン（ＳｉＯ2）を溶解できる。よって、複数の気泡供給孔Ｇの状態を回復できる。
次に、図６を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理方法を説明する。図６は、実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図６に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ１４を含む。基板処理方法は、基板処理装置１００Ａによって実行される。
まず、工程Ｓ１において、制御装置Ｕ４の制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０の処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬する。
次に、工程Ｓ２において、流量制御部１１は、流量計２１７Ａで計測された流量に基づいて、調整バルブ２１９Ａの開度ＯＡｎを調節し、気泡供給管１８０Ａに第１流量Ｆ１の気体を供給する。
次に、工程Ｓ３において、流量制御部１１は、複数の基板Ｗを処理した後、バルブ２１１Ａを閉じて、気泡供給管１８０Ａに気体を供給することを停止する。
次に、工程Ｓ４において、制御装置Ｕ４の制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０の処理液ＬＱから複数の基板Ｗを引き上げる。
次に、工程Ｓ５において、バルブ１７０ｂが所定期間、開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱの一部は、排液配管１７０ａを通って外部に排出される。所定期間は、所定深さＨＡから所定深さＨＢに変化するための期間を示す。
次に、工程Ｓ６において、流量制御部１１は、流量計２１７Ａで計測された流量に基づいて、調整バルブ２１９Ａの開度ＯＡｎを調節し、気泡供給管１８０Ａに第２流量Ｆ２の気体を供給する。
次に、工程Ｓ７において、圧力計２５３Ａは、気体供給管２６１Ａを介して検出圧力ＰＡ２を検出する。
次に、工程Ｓ８において、流量制御部１１は、バルブ２１１Ａを閉じて、気泡供給管１８０Ａに気体を供給することを停止する。
次に、工程Ｓ９において、判定部１２は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡがいずれの範囲に属するかを判定する。
工程Ｓ９で判定部１２は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡが第２閾値ＴＨ２以上第１閾値ＴＨ１未満である場合には、複数の気泡供給孔Ｇの状態が正常であると判定し、基板処理方法が終了する。
また、工程Ｓ９で判定部１２は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡが第１閾値ＴＨ１以上である場合には、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常である（複数の気泡供給孔Ｇが詰まっている）と判定し、処理は、工程Ｓ１０に進む。
工程Ｓ１０において、バルブ１７０ｂが所定期間、開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱは、排液配管１７０ａを通って外部に排出される。所定期間は、内槽１１２内から処理液ＬＱが無くなる期間を示す。
次に、工程Ｓ１１において、バルブ１９０ｂが開かれると、洗浄液が内槽１１２内に供給される。
次に、工程Ｓ１２において、バルブ１７０ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されている洗浄液は、排液配管１７０ａを通って外部に排出される。そして、基板処理方法が終了する。
一方、工程Ｓ９で判定部１２は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡが第２閾値ＴＨ２以下である場合には、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常である（複数の気泡供給孔Ｇが広がっている）と判定し、処理は、工程Ｓ１３に進む。
工程Ｓ１３において、バルブ１７０ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱは、排液配管１７０ａを通って外部に排出される。
次に、工程Ｓ１４において、気泡供給管１８０Ａが、新たな気泡供給管１８０Ａに交換される。そして、基板処理方法が終了する。
以上、図６を参照して説明したように、実施形態１によれば、判定部１２は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であるか否かを判定する。具体的には、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡが第１閾値ＴＨ１以上である場合には、気泡供給管１８０Ａの複数の気泡供給孔Ｇを洗浄できる。一方、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡが第２閾値ＴＨ２以下である場合には、気泡供給管１８０Ａが、新しい気泡供給管１８０Ａに交換される。その結果、複数の気泡供給孔Ｇの状態を適切に回復できる。
続けて図７を参照して、基板処理装置１００Ａを詳細に説明する。図７は、基板処理装置１００Ａを示す図である。
基板処理装置１００Ａは、複数の循環処理液供給部材１３０と、循環部１４０とを更に備える。
循環部１４０は、基板処理で、処理槽１１０に貯留されている処理液ＬＱを循環させて、処理液ＬＱを循環処理液供給部材１３０の各々に供給する。
循環部１４０は、配管１４１と、ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５及びバルブ１４６を含む。ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５及びバルブ１４６は、この順番に配管１４１の上流から下流に向かって配置される。
配管１４１は、処理槽１１０から排出された処理液ＬＱを再び処理槽１１０に導く。配管１４１の下流端に、複数の循環処理液供給部材１３０が接続される。
ポンプ１４２は、配管１４１から複数の循環処理液供給部材１３０に処理液ＬＱを送る。従って、循環処理液供給部材１３０は、配管１４１から供給された処理液ＬＱを処理槽１１０に供給する。ヒーター１４３は、配管１４１を流れる処理液ＬＱを加熱する。ヒーター１４３により、処理液ＬＱの温度が調整される。フィルター１４４は、配管１４１を流れる処理液ＬＱをろ過する。
調整バルブ１４５は、配管１４１の開度を調節して、複数の循環処理液供給部材１３０に供給される処理液ＬＱの流量を調整する。具体的には、調整バルブ１４５は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。バルブ１４６は配管１４１を開閉する。
複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０の内槽１１２に処理液ＬＱを供給する。複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０の内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部に配置される。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、略筒形状を有する。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、例えば、管である。
具体的には、複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、複数の処理液吐出孔Ｐを有する。図７では、１つの循環処理液供給部材１３０に対して１つの処理液吐出孔Ｐだけが表れている。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、複数の処理液吐出孔Ｐから処理液ＬＱを内槽１１２に供給する。
基板処理装置１００Ａは、処理液供給部１５０と、希釈液供給部１６０とを更に備える。
処理液供給部１５０は、処理液ＬＱを処理槽１１０に供給する。処理液ＬＱは、例えば、略８５質量％の燐酸（Ｈ3ＰＯ4）と略１５質量％の水（脱イオン水）とが混合された溶液を採用することができる。
処理液供給部１５０は、ノズル１５２と、配管１５４と、バルブ１５６とを含む。ノズル１５２は処理液ＬＱを内槽１１２に吐出する。ノズル１５２は、配管１５４に接続される。配管１５４には、処理液供給源ＴＫＡからの処理液ＬＱが供給される。配管１５４には、バルブ１５６が配置される。
バルブ１５６が開かれると、ノズル１５２から吐出された処理液ＬＱが、内槽１１２内に供給される。
希釈液供給部１６０は、希釈液を処理槽１１０に供給する。
希釈液供給部１６０は、ノズル１６２と、配管１６４と、バルブ１６６とを含む。ノズル１６２は、希釈液を外槽１１４に吐出する。ノズル１６２は、配管１６４に接続される。配管１６４に供給される希釈液は、ＤＩＷ（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水及び希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかを採用することができる。配管１６４には、希釈液供給源ＴＫＢからの希釈液が供給される。配管１６４には、バルブ１６６が配置される。バルブ１６６が開かれると、ノズル１６２から吐出された希釈液が、外槽１１４内に供給される。
また、処理槽１１０は、蓋１１６を更に有する。蓋１１６は、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。蓋１１６が閉じることにより、蓋１１６は、内槽１１２の上部開口を塞ぐことができる。
蓋１１６は、開戸部１１６ａと、開戸部１１６ｂとを有する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上部開口のうちの一方側に位置する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上部開口のうちの他方側に位置する。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ａ及び開戸部１１６ｂが閉じて内槽１１２の上部開口を覆うことにより、処理槽１１０の内槽１１２を塞ぐことができる。なお、蓋１１６は、不図示の排気機構を有してもよい。
続けて図７及び図８を参照して、複数の気泡供給管１８０及び気体供給部２００を説明する。図８は、複数の循環処理液供給部材１３０及び複数の気泡供給管１８０を示す模式的平面図である。
図８に示すように、基板処理装置１００Ａは、気体供給ユニット２８０Ａを備えている。具体的には、気体供給ユニット２８０Ａは、少なくとも１個の気泡供給管１８０と、少なくとも１個の支持部材１８５とを含む。更に具体的には、気体供給ユニット２８０Ａは、複数の気泡供給管１８０と、複数の支持部材１８５とを含む。
複数の気泡供給管１８０及び複数の支持部材１８５は、処理槽１１０の内部に配置される。詳細には、複数の気泡供給管１８０は、処理槽１１０の内部において、処理槽１１０の底部１１０ａに配置される。具体的には、複数の気泡供給管１８０は、処理槽１１０の内槽１１２に配置される。詳細には、複数の気泡供給管１８０は、内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部１１０ａに配置される。
複数の気泡供給管１８０の各々は、対応する支持部材１８５によって支持される。具体的には、複数の気泡供給管１８０の各々は、対応する支持部材１８５に固定される。従って、気泡供給管１８０の変形を抑制できる。複数の支持部材１８５は、処理槽１１０の底部１１０ａに固定される。具体的には、複数の支持部材１８５は、内槽１１２の底部１１０ａに固定される。従って、基板Ｗを処理する時には、複数の気泡供給管１８０の各々は、処理液ＬＱ中の所定深さＨＡの位置に配置される。
詳細には、循環処理液供給部材１３０及び気泡供給管１８０は、平面視において、互いに略平行に、かつ、間隔をあけて配置される。平面視において、２つの循環処理液供給部材１３０のうちの一方は、２つの気泡供給管１８０の間に配置される。また、平面視において、２つの循環処理液供給部材１３０のうちの他方は、他の２つの気泡供給管１８０の間に配置される。更に、平面視において、４つの気泡供給管１８０のうち、真ん中の２つの気泡供給管１８０は、第２方向Ｄ２０に対向している。
具体的には、複数の気泡供給管１８０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて配置される。気泡供給管１８０は、第１方向Ｄ１０に延びている。複数の気泡供給管１８０の各々において、複数の気泡供給孔Ｇは、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて略一直線上に配置される。複数の気泡供給管１８０の各々において、各気泡供給孔Ｇは、気泡供給管１８０の上面部に設けられる。そして、各気泡供給孔Ｇは、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）の底部において上方に向けて気泡を供給する。
また、複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて配置される。循環処理液供給部材１３０は、第１方向Ｄ１０に延びている。複数の循環処理液供給部材１３０の各々において、複数の処理液吐出孔Ｐは、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて略一直線上に配置される。複数の循環処理液供給部材１３０の各々において、各処理液吐出孔Ｐは、循環処理液供給部材１３０の上面部に設けられる。そして、各処理液吐出孔Ｐは、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）の底部において上方に向けて処理液ＬＱを吐出する。なお、図７では処理液吐出孔Ｐは斜め上方を向いているがこれに限られず、処理液吐出孔Ｐは、下方又は側方を向いていてもよい。
続けて図８及び図９を参照して、気体供給部２００を説明する。図９は、基板処理装置１００Ａが判定処理を実行している状態を示す図である。図８及び図９に示すように、気体供給部２００は、複数の気泡供給管１８０の各々に、気泡を発生するための気体を供給して、複数の気泡供給管１８０の各々に、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡を供給させる。具体的には、気体供給部２００は、気体供給管２６０を含む。
例えば、気体供給管２６０は、共通配管２６２と、複数の気体供給管２６１とを含む。複数の気体供給管２６１は、気体供給管２６１Ａと、気体供給管２６１Ｂと、気体供給管２６１Ｃと、気体供給管２６１Ｄとを含む。
共通配管２６２は、気体供給源２６３に接続される。具体的には、共通配管２６２の上流端が気体供給源２６３に接続される。気体供給源２６３は、共通配管２６２に気体を供給する。共通配管２６２は、各気体供給管２６１の上流端に接続される。
気体供給管２６１Ａの下流端は、気泡供給管１８０Ａに接続される。気体供給管２６１Ｂの下流端は、気泡供給管１８０Ｂに接続される。気体供給管２６１Ｃの下流端は、気泡供給管１８０Ｃに接続される。気体供給管２６１Ｄの下流端は、気泡供給管１８０Ｄに接続される。この例では、気体は、共通配管２６２から各気体供給管２６１を通って、各気泡供給管１８０に供給される。
図８及び図９では、気体供給管２６０の論理的構成が示されている。従って、気体供給管２６０と各気泡供給管１８０との接続形態は、気体供給管２６０から各気泡供給管１８０に気体が供給できる限りにおいては、特に限定されない。なお、図８及び図９が気体供給管２６０の物理的構成を示していてもよい。
気体供給部２００は、気体供給機構２５０を更に含む。気体供給機構２５０は、気体供給管２６０を通して各気泡供給管１８０に気体を供給する。具体的には、気体供給機構２５０は、共通供給機構２５２と、複数の供給機構２５１を含む。複数の供給機構２５１は、供給機構２５１Ａと、供給機構２５１Ｂと、供給機構２５１Ｃと、供給機構２５１Ｄとを含む。
共通供給機構２５２は、圧力計２５２ｃと、レギュレーター２５２ｂと、バルブ２５２ａとを含む。圧力計２５２ｃと、レギュレーター２５２ｂと、バルブ２５２ａとは、この順番に共通配管２６２の下流から上流に向かって、共通配管２６２に配置される。圧力計２５２ｃは、共通配管２６２中の圧力を検出する。圧力計２５２ｃは、気体供給管２６１とレギュレーター２５２ｂとの間に接続されている。バルブ２５２ａが開かれると、気体供給源２６３から気体が、共通配管２６２に供給される。
供給機構２５１Ａは、気体供給源２６３から供給される気体を、気体供給管２６１Ａを通して、気泡供給管１８０Ａに供給する。具体的には、供給機構２５１Ａは、バルブ２１１Ａと、流量計２１７Ａと、調整バルブ２１９Ａとに加えて、フィルター２１２Ａを更に含む。フィルター２１２Ａは、気体供給管２６１Ａを流れる気体をろ過する。
供給機構２５１Ｂは、気体供給源２６３から供給される気体を、気体供給管２６１Ｂを通して、気泡供給管１８０Ｂに供給する。供給機構２５１Ｃは、気体供給源２６３から供給される気体を、気体供給管２６１Ｃを通して、気泡供給管１８０Ｃに供給する。供給機構２５１Ｄは、気体供給源２６３から供給される気体を、気体供給管２６１Ｄを通して、気泡供給管１８０Ｄに供給する。供給機構２５１Ｂと供給機構２５１Ｃと供給機構２５１Ｄとの各々の構成は、供給機構２５１Ａの構成と同様である。
図９に示す基板処理装置１００Ａは、複数の圧力計２５３を更に備える。複数の圧力計２５３の各々は、物理量検出部の一例である。複数の圧力計２５３は、圧力計２５３Ａと、圧力計２５３Ｂと、圧力計２５３Ｃと、圧力計２５３Ｄとを含む。
圧力計２５３Ａは、気体供給管２６１Ａ中の圧力を検出する。圧力計２５３Ｂは、気体供給管２６１Ｂ中の圧力を検出する。圧力計２５３Ｃは、気体供給管２６１Ｃ中の圧力を検出する。圧力計２５３Ｄは、気体供給管２６１Ｄ中の圧力を検出する。気体供給管２６１Ａ中の圧力、気体供給管２６１Ｂ中の圧力、気体供給管２６１Ｃ中の圧力、及び、気体供給管２６１Ｄ中の圧力の各々は、物理量の一例である。
基板処理装置１００Ａは、複数の排気機構３００を更に備える。複数の排気機構３００の各々は、気体を外部に排出する。具体的には、複数の排気機構３００の各々は、排気配管と、バルブとを含む。排気配管にはバルブが配置される。バルブは、排気配管を開閉する。排気配管の一端は、気体供給管２６１に接続される。バルブが開くことにより、気体供給管２６１から気体は排気配管を通って外部に排出される。
以上、図９を参照して説明したように、実施形態１によれば、判定部１２は、複数の圧力計２５３で検出された圧力に基づいて、複数の気泡供給管１８０の各々の状態が異常であるか否かを判定できる。具体的には、判定部１２は、気泡供給管１８０Ａの状態が異常であるか否かを判定できる。判定部１２は、気泡供給管１８０Ｂの状態が異常であるか否かを判定できる。判定部１２は、気泡供給管１８０Ｃの状態が異常であるか否かを判定できる。判定部１２は、気泡供給管１８０Ｄの状態が異常であるか否かを判定できる。
＜実施形態２＞
図１０を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００Ｂを説明する。図１０は、基板処理装置１００Ｂが判定処理を実行している状態を示す図である。実施形態２に係る基板処理装置１００Ｂが、調整バルブ２１９Ａの開度ＯＡｎに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。
実施形態２では、調整バルブ２１９Ａは、物理量検出部の一例である。調整バルブ２１９Ａは、気体供給管２６１Ａに供給する気体の流量を制御する。調整バルブ２１９Ａは、調整バルブ２１９Ａの開度ＯＡｎを示す情報を制御装置Ｕ４に出力する。調整バルブ２１９Ａの開度ＯＡｎは、物理量の一例である。
流量制御部１１は、気泡供給管１８０Ａの状態を判定する時に、気体供給部２００を制御することで、気体供給管２６１Ａに第１流量Ｆ１の気体を供給する。具体的には、流量制御部１１は、流量計２１７Ａで計測された流量に基づいて、調整バルブ２１９Ａの開度ＯＡｎを調節し、気体供給管２６１Ａに第１流量Ｆ１の気体を供給する。従って、気体供給管２６１Ａを通って第１流量Ｆ１の気体が気泡供給管１８０Ａに供給される。その結果、処理液ＬＱ中に、気泡供給管１８０Ａの複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡が供給される。
判定部１２は、調整バルブ２１９Ａから出力された開度ＯＡｎに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。ｎは１又は２である。詳細には、判定部１２は、第１時間ｔ１に検出された開度ＯＡ１と、第２時間ｔ２に検出された開度ＯＡ２とを比較し、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。開度ＯＡ１は、基準物理量の一例である。開度ＯＡ１は、第１時間ｔ１に検出された開度（以下、「基準開度ＯＡ１」と記載する場合がある。）を示す。開度ＯＡ２は、検出物理量の一例である。開度ＯＡ２は、第２時間ｔ２に検出された開度（以下、「検出開度ＯＡ２」と記載する場合がある。）を示す。基準開度ＯＡ１は、記憶装置２０に記憶されている。
ここで図１１を参照して、複数の気泡供給孔Ｇの状態と、開度ＯＡｎとの関係について説明する。図１１は、気泡供給管１８０Ａに供給される気体の流量と、基準開度ＯＡ１と検出開度ＯＡ２との絶対差ΔＯＡとの関係を示すグラフである。図１１において、横軸は気泡供給管１８０Ａに供給される気体の流量を示し、縦軸は基準開度ＯＡ１と検出開度ＯＡ２との絶対差ΔＯＡを示している。基準開度ＯＡ１は、孔径２６０μｍの６０個の気泡供給孔Ｇを有する気泡供給管１８０Ａを、基板処理装置１００Ｂに配置した時の開度を示す。換言すれば、孔径２６０μｍの６０個の気泡供給孔Ｇを有する気泡供給管１８０Ａは、初期状態（正常な状態）の気泡供給管１８０Ａを示す。
図１１において、検出開度ＯＡ２１は、６０個の気泡供給孔Ｇの内の５個の気泡供給孔Ｇが塞がれた気泡供給管１８０Ａを、基板処理装置１００Ｂに配置した時の検出開度を示す。絶対差ΔＯＡ２１は、基準開度ＯＡ１と検出開度ＯＡ２１との絶対差を示す。
また、検出開度ＯＡ２２は、６０個の気泡供給孔Ｇの内の１０個の気泡供給孔Ｇが塞がれた気泡供給管１８０Ａを、基板処理装置１００Ｂに配置した時の開度を示す。絶対差ΔＯＡ２２は、基準開度ＯＡ１と検出開度ＯＡ２２との絶対差を示す。
更に、検出開度ＯＡ２３は、孔径３００μｍの６０個の気泡供給孔Ｇを有する気泡供給管１８０Ａを、基板処理装置１００Ｂに配置した時の開度を示す。絶対差ΔＯＡ２３は、基準開度ＯＡ１と検出開度ＯＡ２３との絶対差を示す。
図１１に示すように、絶対差ΔＯＡ２２は、絶対差ΔＯＡ２１より大きかった。従って、判定部１２は、開度ＯＡｎに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定できる。その結果、気泡供給管１８０Ａを目視で確認する必要がない。よって、複数の気泡供給孔Ｇの状態を容易に確認できる。
また、絶対差ΔＯＡ２１、絶対差ΔＯＡ２２、及び、絶対差ΔＯＡ２３は、流量を小さくすればするほど、大きくなった。従って、第１流量Ｆ１で、複数の気泡供給孔Ｇの状態の変化が小さくても、絶対差ΔＯＡは大きくなる。その結果、基板処理と判定処理とを同時に実行できる。
詳細には、判定部１２は、基準開度ＯＡ１と検出開度ＯＡ２との絶対差ΔＯＡに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であるか否かを判定する。具体的には、判定部１２は、絶対差ΔＯＡが閾値ＴＨ以上である場合に、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であると判定する。閾値ＴＨは、複数の気泡供給孔Ｇが小さくなったり塞がったり大きくなったり広がったりして、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常である時の数値を示す。また、判定部１２は、絶対差ΔＯＡが閾値ＴＨ未満である場合に、複数の気泡供給孔Ｇの状態が正常であると判定する。
次に、図１２を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理方法を説明する。図１２は、実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１２に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１０１～工程Ｓ１０７を含む。基板処理方法は、基板処理装置１００Ｂによって実行される。
まず、工程Ｓ１０１において、制御装置Ｕ４の制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０の処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬する。
次に、工程Ｓ１０２において、流量制御部１１は、流量計２１７Ａで計測された流量に基づいて、調整バルブ２１９Ａの開度ＯＡｎを検出開度ＯＡ２に調節し、気泡供給管１８０Ａに第１流量Ｆ１の気体を供給する。
次に、工程Ｓ１０３において、調整バルブ２１９Ａは、検出開度ＯＡ２を示す情報を制御装置Ｕ４に出力する。
次に、工程Ｓ１０４において、判定部１２は、基準開度ＯＡ１と検出開度ＯＡ２との絶対差ΔＯＡが閾値ＴＨ以上であるか否かを判定する。
工程Ｓ１０４で判定部１２は、絶対差ΔＯＡが閾値ＴＨ以上である場合には、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であると判定し、処理は、工程Ｓ１０５に進む。
工程Ｓ１０５において、判定部１２は、気泡供給管１８０Ａの状態が異常であることを報知する。例えば、判定部１２は、ディスプレイ又は外部端末に情報を表示する。
一方、工程Ｓ１０４で判定部１２は、絶対差ΔＯＡが閾値ＴＨ未満である場合には、複数の気泡供給孔Ｇの状態が正常であると判定し、処理は、工程Ｓ１０６に進む。
次に、工程Ｓ１０６において、流量制御部１１は、バルブ２１１Ａを閉じて、気体供給管２６１Ａに気体を供給することを停止する。
次に、工程Ｓ１０７において、制御装置Ｕ４の制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０の処理液ＬＱから複数の基板Ｗを引き上げる。そして、基板処理方法が終了する。
以上、図１０から図１２を参照して説明したように、実施形態２によれば、判定部１２は、調整バルブ２１９Ａで検出された開度ＯＡｎに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。その結果、圧力計２５３Ａを設ける必要がなくなる。
＜実施形態３＞
図１３及び図１４を参照して、本発明の実施形態３に係る基板処理装置１００Ａを説明する。図１３及び図１４は、実施形態３に係る基板処理方法を示すフローチャートである。実施形態３に係る基板処理装置１００Ａが、調整バルブ２１９Ａの開度ＯＡｎにも基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する点で、実施形態３は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態３が実施形態１と異なる点を主に説明する。なお、実施形態３に係る基板処理装置１００Ａは、図１から図３に示す基板処理装置１００Ａと同じである。
図１３及び図１４に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ２０１～工程Ｓ２１８を含む。基板処理方法は、基板処理装置１００Ａによって実行される。なお、実施形態３に係る基板処理方法は、実施形態２に係る基板処理方法を実行した後、実施形態１に係る基板処理方法を実行するものである。
まず、工程Ｓ２０１において、制御装置Ｕ４の制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０の処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬する。
次に、工程Ｓ２０２において、流量制御部１１は、流量計２１７Ａで計測された流量に基づいて、調整バルブ２１９Ａの開度ＯＡｎを検出開度ＯＡ２に調節し、気泡供給管１８０Ａに第１流量Ｆ１の気体を供給する。
次に、工程Ｓ２０３において、調整バルブ２１９Ａは、検出開度ＯＡ２を示す情報を制御装置Ｕ４に出力する。
次に、工程Ｓ２０４において、判定部１２は、基準開度ＯＡ１と検出開度ＯＡ２との絶対差ΔＯＡが閾値ＴＨ以上であるか否かを判定する。
工程Ｓ２０４で判定部１２は、絶対差ΔＯＡが閾値ＴＨ未満である場合には、複数の気泡供給孔Ｇの状態が正常であると判定し、処理は、工程Ｓ２０５に進む。
次に、工程Ｓ２０５において、流量制御部１１は、バルブ２１１Ａを閉じて、気体供給管２６１Ａに気体を供給することを停止する。
次に、工程Ｓ２０６において、制御装置Ｕ４の制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０の処理液ＬＱから複数の基板Ｗを引き上げる。そして、基板処理方法が終了する。
一方、工程Ｓ２０４で判定部１２は、絶対差ΔＯＡが閾値ＴＨ以上である場合には、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であると判定し、処理は、工程Ｓ２０７に進む。
次に、工程Ｓ２０７において、判定部１２は、流量制御部１１は、バルブ２１１Ａを閉じて、気体供給管２６１Ａに気体を供給することを停止する。
次に、図１４に示す工程Ｓ２０８において、制御装置Ｕ４の制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０の処理液ＬＱから複数の基板Ｗを引き上げる。
次に、工程Ｓ２０９において、バルブ１７０ｂが所定期間、開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱの一部は、排液配管１７０ａを通って外部に排出される。所定期間は、所定深さＨＡから所定深さＨＢに変化するための期間を示す。
次に、工程Ｓ２１０において、流量制御部１１は、流量計２１７Ａで計測された流量に基づいて、調整バルブ２１９Ａの開度ＯＡｎを調節し、気泡供給管１８０Ａに第２流量Ｆ２の気体を供給する。
次に、工程Ｓ２１１において、圧力計２５３Ａは、気体供給管２６１Ａを介して検出圧力ＰＡ２を検出する。
次に、工程Ｓ２１２において、流量制御部１１は、バルブ２１１Ａを閉じて、気泡供給管１８０Ａに気体を供給することを停止する。
次に、工程Ｓ２１３において、判定部１２は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡがいずれの範囲に属するかを判定する。
工程Ｓ２１３で判定部１２は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡが第２閾値ＴＨ２以上第１閾値ＴＨ１未満である場合には、複数の気泡供給孔Ｇの状態が正常であると判定し、基板処理方法が終了する。
また、工程Ｓ２１３で判定部１２は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡが第１閾値ＴＨ１以上である場合には、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常である（複数の気泡供給孔Ｇが詰まっている）と判定し、処理は、工程Ｓ２１４に進む。
工程Ｓ２１４において、バルブ１７０ｂが所定期間、開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱは、排液配管１７０ａを通って外部に排出される。所定期間は、内槽１１２内から処理液ＬＱが無くなる期間を示す。
次に、工程Ｓ２１５において、バルブ１９０ｂが開かれると、洗浄液が内槽１１２内に供給される。
次に、工程Ｓ２１６において、バルブ１７０ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されている洗浄液は、排液配管１７０ａを通って外部に排出される。そして、基板処理方法が終了する。
一方、工程Ｓ２１３で判定部１２は、基準圧力ＰＡ１と検出圧力ＰＡ２との差分ΔＰＡが第２閾値ＴＨ２以下である場合には、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常である（複数の気泡供給孔Ｇが広がっている）と判定し、処理は、工程Ｓ２１７に進む。
工程Ｓ２１７において、バルブ１７０ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱは、排液配管１７０ａを通って外部に排出される。
次に、工程Ｓ２１８において、気泡供給管１８０Ａが、新たな気泡供給管１８０Ａに交換される。そして、基板処理方法が終了する。
以上、図１３から図１４を参照して説明したように、実施形態３によれば、判定部１２は、調整バルブ２１９Ａで検出された検出開度ＯＡｎに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。その結果、基板Ｗを処理する時の第１流量Ｆ１で、複数の気泡供給孔Ｇの状態の変化を判定できる。その結果、基板処理と判定処理とを同時に実行できる。
更に判定部１２が、調整バルブ２１９Ａで検出された検出開度ＯＡ２に基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であると判定した後、圧力計２５３Ａで検出された検出圧力ＰＡ２に基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であるか否かを確定する。その結果、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であることを、精度よく確認できる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態及び実施例について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態及び実施例に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
（１）実施形態１では、判定部１２は、複数の気泡供給管１８０の各々の状態が異常であるか否かを判定したが、本発明はこれに限定されない。判定部１２は、複数の気泡供給管１８０の内から選択された１個の状態が異常であるか否かを判定し、選択された１個の状態が、複数の気泡供給管１８０の各々の状態であるとしてもよい。その結果、圧力計２５３Ｂと、圧力計２５３Ｃと、圧力計２５３Ｄとを設けなくてもよい。
（２）実施形態１では、判定部１２は、複数の気泡供給管１８０の各々の状態が異常であるか否かを、１本ずつ判定したが、本発明はこれに限定されない。判定部１２は、複数の気泡供給管１８０の各々の状態が異常であるか否かを、同時に判定してもよい。その結果、判定処理の時間を短縮できる。
（３）実施形態１では、気泡供給管１８０Ａは、第１方向Ｄ１０に延びているが、本発明はこれに限定されない。気泡供給管１８０Ａは、第２方向Ｄ２０に延びていてもよい。
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
１２ 判定部
１００Ｂ 基板処理装置
１１０ 処理槽
１８０Ａ 気泡供給管
２５３Ａ 圧力計（物理量検出部）
２６１Ａ 気体供給管
Ｇ 気泡供給孔（開口）
ＬＱ 処理液
Ｗ 基板

Claims (16)

  1. 処理液を貯留して、基板を浸漬するための処理槽と、
    前記処理液中に気泡として気体を供給する複数の開口を有する気泡供給管と、
    前記気泡供給管に前記気体を供給する気体供給管と、
    前記気泡供給管の状態に起因する物理量を、前記気体供給管を介して検出する物理量検出部と、
    前記物理量に基づいて、前記複数の開口の状態を判定する判定部と
    を備える、基板処理装置。
  2. 前記判定部は、第１時間に検出された前記物理量である基準物理量と、第２時間に検出された前記物理量である検出物理量とを比較し、前記複数の開口の状態を判定し、
    前記第１時間と前記第２時間とは、異なる、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１時間は、前記基板を処理する前の時を示し、
    前記第２時間は、前記基板を処理した後の時を示し、
    前記判定部は、
    前記基準物理量と前記検出物理量との差分に基づいて、前記複数の開口の状態が異常であるか否かを判定する、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記物理量検出部は、前記気体供給管中の圧力を検出する圧力計を含み、
    前記物理量は、前記気体供給管中の圧力を示す、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  5. 前記基板を処理する時に、前記気体供給管に第１流量の前記気体を供給する流量制御部を更に備え、
    前記判定部は、前記気体供給管に第２流量の前記気体を供給した際の前記気体供給管中の圧力に基づいて、前記複数の開口の状態を判定し、
    前記第２流量は、前記第１流量より多い、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記物理量検出部は、前記気体供給管に供給する前記気体の流量を制御する調整バルブを含み、
    前記物理量は、前記調整バルブの開度を示す、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  7. 前記調整バルブは、前記基板を処理する時に、前記気体供給管に第１流量の前記気体を供給し、
    前記判定部は、前記気体供給管に前記第１流量の前記気体を供給した際の前記開度に基づいて、前記複数の開口の状態を判定する、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記物理量検出部は、
    前記気体供給管中の圧力を検出する圧力計と、
    前記気体供給管に供給する前記気体の流量を制御する調整バルブと
    を含み、
    前記物理量は、
    前記気体供給管中の圧力と、
    前記調整バルブの開度と
    を示し、
    前記調整バルブは、前記基板を処理するときに、前記気体供給管に第１流量の前記気体を供給し、
    前記判定部は、
    前記気体供給管に前記第１流量の前記気体を供給した際の前記開度に基づいて、前記複数の開口の状態を判定し、
    前記気体供給管に、前記第１流量より多い第２流量の前記気体を供給した際の前記気体供給管中の圧力に基づいて、前記複数の開口の状態を確定する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  9. 処理液で基板を処理する基板処理方法であって、
    複数の開口を有する気泡供給管に気体供給管を介して気体を供給して、気泡として前記気体を前記処理液中に供給する工程と、
    前記気泡供給管の状態に起因する物理量を、前記気体供給管を介して検出する工程と、
    前記物理量に基づいて、前記複数の開口の状態を判定する工程と
    を含む、基板処理方法。
  10. 前記状態を判定する前記工程では、第１時間に検出された前記物理量である基準物理量と、第２時間に検出された前記物理量である検出物理量とを比較し、前記複数の開口の状態を判定し、
    前記第１時間と前記第２時間とは、異なる、請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 前記第１時間は、前記基板を処理する前の時を示し、
    前記第２時間は、前記基板を処理した後の時を示し、
    前記状態を判定する前記工程では、前記基準物理量と前記検出物理量との差分に基づいて、前記複数の開口の状態が異常であるか否かを判定する、請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 前記物理量は、前記気体供給管中の圧力を示す、請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  13. 前記気体を供給する前記工程では、
    前記基板を処理する時に、前記気体供給管に第１流量の前記気体を供給し、
    前記複数の開口の状態を判定する時に、前記気体供給管に第２流量の前記気体を供給し、
    前記第２流量は、前記第１流量より多い、請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 前記気体を供給する前記工程では、前記気体供給管に供給する前記気体の流量を調整バルブを用いて制御し、
    前記物理量は、前記調整バルブの開度を示す、請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  15. 前記気体を供給する前記工程では、
    前記基板を処理する時に、前記気体供給管に第１流量の前記気体を供給し、
    前記複数の開口の状態を判定する時に、前記気体供給管に前記第１流量の前記気体を供給する、請求項１４に記載の基板処理方法。
  16. 前記物理量は、
    前記気体供給管中の圧力と、
    調整バルブの開度と
    を示し、
    前記状態を判定する前記工程では、
    前記気体供給管に第１流量の前記気体を供給した際の前記開度に基づいて、前記複数の開口の状態を判定し、
    前記気体供給管に、前記第１流量より多い第２流量の前記気体を供給した際の前記気体供給管中の圧力に基づいて、前記複数の開口の状態を確定する、請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
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