KR20210124425A - 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20210124425A
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도모히로 다카하시
게이 다케치
다카시 아키야마
미츠토시 사사키
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 장치 (100) 는, 내조 (112) 에 저류되는 처리액 (L) 인 저류 처리액 (L1) 에 기판 (W) 을 침지하여 기판 (W) 의 처리를 실시한다. 기판 처리 장치 (100) 는, 기포 공급부 (130) 와 순환부 (160) 를 구비한다. 기포 공급부 (130) 는, 저류 처리액 (L1) 에 기포 (KA) 를 공급한다. 순환부 (160) 는, 기포 공급부 (130) 에 대해 저류 처리액 (L1) 의 제 1 액류 (R1) 를 생성한다.

Description

기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법
본 발명은, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 장치 및 액정 표시 장치와 같은 전자 부품에 사용되는 기판은, 기판 처리 장치에 의해 처리되는 것이 알려져 있다. 기판 처리 장치는, 처리조 내의 처리액에 침지함으로써 기판을 처리한다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1 의 기판 처리 장치는, 기포 발생기를 구비한다. 기포 발생기에는 토출구가 형성된다. 특허문헌 1 의 기판 처리 장치는, 인산 수용액으로 기판을 처리할 때에, 기포 발생기의 토출구로부터 인산 수용액 중에 혼합 기체를 내뿜어 기포를 발생시켜 인산 수용액을 폭기 교반하고 있다.
일본 공개특허공보 2018-56258호
그러나, 특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 토출구의 표면 장력의 영향에 의해 기포가 어느 정도 커지고 나서, 인산 수용액 중에 기포가 공급되는 경우가 있었다. 또, 인산 수용액 중에 발생되는 기포를 작게 하고자 하는 요망이 있었다. 이유는, 기포가 작은 쪽이 기포에 의한 기판의 표면 부근의 인산 수용액 (처리액) 의 교반의 정도가 커지므로, 기판의 표면에 접촉하는 인산 수용액을 신선한 인산 수용액에 효과적으로 치환할 수 있기 때문이다.
본 발명은, 처리액에 공급되는 기포가 커지는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제 1 국면에 의하면, 기판 처리 장치는, 저류부에 저류되는 처리액인 저류 처리액에 기판을 침지하여 상기 기판의 처리를 실시한다. 기판 처리 장치는, 기포 공급부와 액류 생성부를 구비한다. 기포 공급부는, 상기 저류 처리액에 기포를 공급한다. 액류 생성부는, 상기 기포 공급부에 대해 상기 저류 처리액의 액류를 생성한다.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기포 공급부는, 기체가 흐르는 제 1 관부를 갖는다. 상기 제 1 관부에는, 상기 저류 처리액 내에 배치되는 기포 방출구가 형성된다. 상기 기포 방출구는, 상기 저류 처리액 내에 상기 기체의 기포를 방출한다. 상기 액류 생성부는, 상기 기포 방출구의 주변에 상기 액류를 생성한다.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제 1 관부 중 상기 기포 방출구가 형성되는 부분에는, 소수 처리가 실시된다.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 액류 생성부는, 상기 처리액이 흐르는 제 2 관부를 갖는다. 상기 제 2 관부에는, 상기 저류 처리액 내에 배치되는 처리액 방출구가 형성된다. 상기 처리액 방출구는, 상기 저류 처리액 내에 상기 제 2 관부를 흐르는 상기 처리액을 방출함으로써 상기 액류를 생성한다.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 방출구는, 상방에서 보았을 때 상기 기포 방출구의 측방에 배치된다.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 방출구는, 상기 기포 방출구의 하방에 배치된다.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기포 방출구는, 가로 방향으로 개구된다.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제 1 관부는, 내면과 외면을 갖는다. 내면은, 상기 제 1 관부의 내부에 대향한다. 외면은, 상기 제 1 관부의 외부에 대향한다. 상기 기포 방출구는, 외측 개구와 내측 개구를 갖는다. 외측 개구는, 상기 외면에 형성된다. 내측 개구는, 상기 내면에 형성되고, 상기 외측 개구에 연통된다. 상기 외측 개구의 개구 면적 쪽이, 상기 내측 개구의 개구 면적보다 작다.
본 발명의 제 2 국면에 의하면, 기판 처리 장치는, 저류부에 저류되는 처리액인 저류 처리액에 기판을 침지하여 상기 기판의 처리를 실시한다. 기판 처리 장치는, 기포 공급부와 이동부를 구비한다. 기포 공급부는, 상기 저류 처리액에 기포를 공급한다. 이동부는, 상기 저류부에 대해 상기 기포 공급부를 이동시킨다.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기포 공급부는, 기체가 흐르는 제 1 관부를 갖는다. 상기 제 1 관부에는, 상기 저류 처리액 내에 배치되는 기포 방출구가 형성된다. 상기 기포 방출구는, 상기 저류 처리액 내에 상기 기체의 기포를 방출한다. 상기 이동부는, 상기 저류부에 대해 상기 제 1 관부를 이동시킨다.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 이동부는, 상기 제 1 관부를 진동시킨다.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기포 공급부는, 폴리에테르에테르케톤을 포함한다.
본 발명의 제 3 국면에 의하면, 기판 처리 방법은, 저류부에 저류되는 처리액인 저류 처리액에 기판을 침지하여 상기 기판의 처리를 실시한다. 기판 처리 방법은, 관부에 형성되는 기포 방출구를 상기 저류 처리액 내에 배치하는 공정을 구비한다. 기판 처리 방법은, 상기 관부에 기체를 흐르게 하는 공정을 구비한다. 기판 처리 방법은, 상기 기체 중 상기 기포 방출구로부터 상기 저류 처리액 내로 융기되는 융기 부분을, 상기 관부의 내부에 존재하는 상기 기체로부터 전단시키기 위한 전단력을 부여하는 공정을 구비한다.
본 발명의 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법에 의하면, 처리액에 공급되는 기포가 커지는 것을 억제할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 2 는, 본 실시형태의 기판의 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 3 의 (a) 는, 기판이 저류 처리액에 침지되기 전의 상태를 나타내는 도면이다. (b) 는, 기판이 저류 처리액에 침지된 상태를 나타내는 도면이다.
도 4 는, 배관군을 Z 축 방향에서 본 도면이다.
도 5 는, 기포 방출구와 처리액 방출구의 위치 관계의 제 1 예를 나타내는 도면이다.
도 6 의 (a) 는, 기포 방출구로부터 기포가 방출되는 원리를 나타내는 제 1 모식도이다. (b) 는, 기포 방출구로부터 기포가 방출되는 원리를 나타내는 제 2 모식도이다.
도 7 은, 기포 방출구로부터 기포가 방출되는 원리를 나타내는 제 3 모식도이다.
도 8 은, 기포 방출구와 처리액 방출구의 위치 관계의 제 2 예를 나타내는 도면이다.
도 9 는, 기포 방출구와 처리액 방출구의 위치 관계의 제 3 예를 나타내는 도면이다.
도 10 은, 기포 방출구와 처리액 방출구의 위치 관계의 제 4 예를 나타내는 도면이다.
도 11 은, 기포 방출구와 처리액 방출구의 위치 관계의 제 5 예를 나타내는 도면이다.
도 12 는, 기체의 융기 부분에 대해 전단력을 부여하기 위한 구성의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 13 의 (a) 는, 기포 방출구로부터 기포가 방출되는 원리를 나타내는 제 4 모식도이다. (b) 는, 기포 방출구로부터 기포가 방출되는 원리를 나타내는 제 5 모식도이다.
도 14 는, 기포 방출구의 제 1 변형예를 나타내는 도면이다.
도 15 는, 기포 방출구의 제 2 변형예를 나타내는 도면이다.
도 16 은, 기체 공급관의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 17 은, PEEK 와, PFA 와, PTFE 의 비교 결과를 나타내는 표이다.
본 발명의 실시형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여하고 설명을 반복하지 않는다. 또한, 본원 명세서에서는, 발명의 이해를 용이하게 하기 위해, 서로 직교하는 X 축, Y 축 및 Z 축을 기재하는 경우가 있다. 전형적으로는, X 축 및 Y 축은 수평 방향에 평행이고, Z 축은 연직 방향에 평행이다.
[제 1 실시형태]
도 1 을 참조하여, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다. 기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 기판 (W) 을 일괄하여 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치 (100) 는 복수의 기판 (W) 에 대해 일괄하여 에칭한다.
기판 (W) 은, 얇은 판상이다. 전형적으로는, 기판 (W) 은, 얇은 대략 원판상이다. 기판 (W) 은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 전계 방출 디스플레이 (Field Emission Display : FED) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 및 태양 전지용 기판을 포함한다.
기판 처리 장치 (100) 는, 기판 (W) 을 처리한다. 기판 처리 장치 (100) 는, 처리액 (L) 에 의해 기판 (W) 을 복수장 모아서 처리한다. 처리액 (L) 에 의해, 기판 (W) 에는, 에칭, 표면 처리, 특성 부여, 처리막 형성, 막의 적어도 일부의 제거 및 세정 중 적어도 하나가 실시된다.
기판 처리 장치 (100) 는, 처리조 (110) 와, 기판 유지부 (120) 와, 기포 공급부 (130) 와, 제어부 (140) 를 구비한다. 처리조 (110) 는, 처리액 (L) 을 저류한다.
처리조 (110) 는, 내조 (112) 와, 외조 (114) 와, 규제부 (112a) 를 포함한다. 처리조 (110) 는, 내조 (112) 와 외조 (114) 에 의해 구성되는 이중조 구조를 갖고 있다. 내조 (112) 및 외조 (114) 는, 각각 상방향으로 열린 개구를 갖는다. 내조 (112) 는, 처리액 (L) 을 저류하고, 복수의 기판 (W) 을 수용 가능하게 구성된다. 외조 (114) 는, 내조 (112) 의 개구의 외측에 형성된다. 외조 (114) 의 상측 가장자리의 높이는, 내조 (112) 의 상측 가장자리의 높이보다 높다.
내조 (112) 는, 본 발명의 저류부의 일례이다. 이하에서는, 내조 (112) 에 저류되는 처리액 (L) 을, 저류 처리액 (L1) 으로 기재하는 경우가 있다.
내조 (112) 에는, 규제부 (112a) 가 형성된다. 규제부 (112a) 는, 기판 (W) 을 처리할 때의 기판 (W) 의 X 방향 양 단부에 있어서, 1 장의 기판 (W) 의 양방의 주면과 대향하도록 형성된다. 규제부 (112a) 에 의해, 기판 (W) 의 위치가 규제된다. 이 때문에, 기판 (W) 은, 소정의 위치에서 균일하게 처리된다.
처리조 (110) 는, 덮개 (116) 를 갖는다. 덮개 (116) 는, 내조 (112) 의 개구에 대해 개폐 가능하다. 덮개 (116) 가 닫힘으로써, 덮개 (116) 는, 내조 (112) 의 개구를 막을 수 있다.
덮개 (116) 는, 도어부 (116a) 와 도어부 (116b) 를 갖는다. 도어부 (116a) 는, 내조 (112) 의 개구 중 －X 방향측에 위치한다. 도어부 (116a) 는, 내조 (112) 의 상측 가장자리 근방에 배치되어 있고, 내조 (112) 의 개구에 대해 개폐 가능하다. 도어부 (116b) 는, 내조 (112) 의 개구 중 ＋X 방향측에 위치한다. 도어부 (116b) 는, 내조 (112) 의 상측 가장자리 근방에 배치되어 있고, 내조 (112) 의 개구에 대해 개폐 가능하다. 도어부 (116a) 및 도어부 (116b) 가 닫혀 내조 (112) 의 개구를 덮음으로써, 처리조 (110) 의 내조 (112) 를 막을 수 있다.
내조 (112) 의 바닥벽에는, 배액 배관 (118a) 이 접속된다. 배액 배관 (118a) 에는 밸브 (118b) 가 배치된다. 밸브 (118b) 는, 제어부 (140) 에 의해 개폐된다. 밸브 (118b) 가 열림으로써, 저류 처리액 (L1) 은 배액 배관 (118a) 을 통과하여 내조 (112) 의 외부로 배출된 후, 배액 처리 장치 (도시 생략) 로 이송되어 처리된다.
기판 유지부 (120) 는, 기판 (W) 을 유지한다. 기판 유지부 (120) 는, 리프터를 포함한다. 기판 유지부 (120) 는, 복수의 기판 (W) 을 일괄하여 유지하여, 저류 처리액 (L1) 에 침지시킨다. 또한, 기판 유지부 (120) 는, 1 장뿐인 기판 (W) 을 유지하여, 저류 처리액 (L1) 에 침지시켜도 된다.
기판 유지부 (120) 는, 본체판 (122) 과 유지봉 (124) 을 포함한다. 본체판 (122) 은, 연직 방향 (Z 방향) 으로 연장되는 판이다. 유지봉 (124) 은, 본체판 (122) 의 일방의 주면으로부터 수평 방향 (Y 방향) 으로 연장된다. 제 1 실시형태에서는, 3 개의 유지봉 (124) 이 본체판 (122) 의 일방의 주면으로부터 Y 방향으로 연장된다. 복수의 기판 (W) 은, 지면의 안쪽 앞쪽 방향으로 복수의 기판 (W) 을 배열한 상태에서, 복수의 유지봉 (124) 에 의해 각 기판 (W) 의 하측 가장자리가 기립 자세 (연직 자세) 로 유지된다.
기판 유지부 (120) 는, 승강 유닛 (126) 을 추가로 포함해도 된다. 승강 유닛 (126) 은, 기판 유지부 (120) 에 유지되어 있는 기판 (W) 이 내조 (112) 내에 위치하는 처리 위치 (도 10 에 나타내는 위치) 와, 기판 유지부 (120) 에 유지되어 있는 기판 (W) 이 내조 (112) 의 상방에 위치하는 퇴피 위치 (도시하지 않음) 사이에서 본체판 (122) 을 승강시킨다. 따라서, 승강 유닛 (126) 에 의해 본체판 (122) 이 처리 위치로 이동됨으로써, 유지봉 (124) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 저류 처리액 (L1) 에 침지된다. 이로써, 기판 (W) 에 대한 에칭 처리가 실시된다.
기포 공급부 (130) 는, 저류 처리액 (L1) 에 기포를 공급한다.
기포 공급부 (130) 는, 기체 공급관 (131) 을 포함한다. 기체 공급관 (131) 은, 관상의 부재이다. 기체 공급관 (131) 은, 예를 들어, 석영에 의해 형성된다. 기체 공급관 (131) 은, 내조 (112) 내에 배치된다. 기체 공급관 (131) 은, 저류 처리액 (L1) 에 침지된다. 기포 공급부 (130) 의 외부에는, 저류 처리액 (L1) 이 존재한다.
기체 공급관 (131) 의 내부에는, 기체가 흐른다. 기체는, 예를 들어 불활성 가스이다. 기체는, 예를 들어, 질소 가스를 포함한다. 기체는, 공기여도 된다.
기체 공급관 (131) 에는, 기포 방출구 (M) 가 형성된다. 기포 방출구 (M) 는, 기체 공급관 (131) 의 내부와 외부를 연통시키는 구멍이다. 기포 방출구 (M) 는, 저류 처리액 (L1) 에 침지됨으로써, 저류 처리액 (L1) 내에 배치된다.
기체 공급관 (131) 의 내부를 흐르는 기체는, 기포 방출구 (M) 를 통하여 저류 처리액 (L1) 내에 방출된다. 기체 공급관 (131) 의 내부를 흐르는 기체는, 기포 방출구 (M) 로부터 방출될 때, 기포가 된다. 그 결과, 기포 방출구 (M) 로부터 저류 처리액 (L1) 내에 기포가 방출된다.
기체 공급관 (131) 은, 본 발명의 제 1 관부의 일례이다.
기포 방출구 (M) 로부터 저류 처리액 (L1) 내에 공급된 기포는, 저류 처리액 (L1) 내를 부상하고, 저류 처리액 (L1) 의 상면에까지 도달한다.
기포가 저류 처리액 (L1) 중을 부상할 때에, 기포는 기판 (W) 의 표면에 접촉한다. 이 경우, 기포는, 저류 처리액 (L1) 중의 기판 (W) 과의 접촉 부분을 밀어내면서 기판 (W) 의 표면을 상방을 향하여 이동시킨다. 기포가 통과한 후에는, 기포의 주위에 존재하고 있던 신선한 처리액 (L) 이 기포가 존재하고 있던 장소에 진입함으로써 기판 (W) 의 표면에 접촉한다. 따라서, 기포에 의해 기판 (W) 의 표면의 주위의 처리액 (L) 을 교반할 수 있으므로, 기판 (W) 의 표면에 접촉하는 처리액 (L) 을 신선한 처리액 (L) 으로 치환할 수 있다. 그 결과, 기판 (W) 의 처리 속도를 향상시킬 수 있다.
제어부 (140) 는, 예를 들어, 마이크로 컴퓨터를 사용하여 구성된다. 제어부 (140) 는, CPU (Central Processing Unit) 와 같은 프로세서와, 고정 메모리 디바이스, 또는 하드 디스크 드라이브와 같은 기억 장치를 갖는다. 기억 장치에는, 프로세서에 의해 실행되는 프로그램이 기억되어 있다. 제어부 (140) 의 프로세서가, 기억 장치에 기억되는 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리 장치 (100) 의 각 요소를 제어한다.
제어부 (140) 의 프로세서는, 기포 공급부 (130) 를 제어함으로써, 기포 공급부 (130) 에 의한 기포의 공급을 제어한다. 제어부 (140) 의 프로세서는, 기포 공급부 (130) 에 의한 기포의 공급의 개시 및 정지를 제어한다.
기판 처리 장치 (100) 는, 기체 반송부 (150) 와 순환부 (160) 를 추가로 구비한다.
기체 반송부 (150) 는, 기체 공급관 (131) 의 내부에 기체를 반송한다.
기체 반송부 (150) 는, 배관 (152) 과, 밸브 (154) 와, 조정 밸브 (156) 를 구비한다. 밸브 (154) 및 조정 밸브 (156) 는, 배관 (152) 에 배치된다. 배관 (152) 은, 기체 공급관 (131) 에 연결된다. 배관 (152) 은, 기체 공급관 (131) 의 내부로 기체를 유도한다. 밸브 (154) 는, 배관 (152) 을 개폐한다. 조정 밸브 (156) 에 의해, 배관 (152) 의 개도를 조절하여, 기체 공급관 (131) 의 내부로 반송하는 기체의 유량을 조정한다.
순환부 (160) 는, 저류 처리액 (L1) 을 순환시킴으로써, 저류 처리액 (L1) 의 액류를 생성한다. 순환부 (160) 는, 본 발명의 액류 생성부의 일례이다.
순환부 (160) 는, 배관 (161) 과, 펌프 (162) 와, 필터 (163) 와, 히터 (164) 와, 조정 밸브 (165) 와, 밸브 (166) 와, 처리액 공급관 (167) 을 포함한다.
배관 (161) 은, 외조 (114) 로부터 배출된 처리액 (L) 을 내조 (112) 로 유도한다. 배관 (161) 의 하류단에는, 처리액 공급관 (167) 이 접속된다.
펌프 (162) 는, 배관 (161) 으로부터 처리액 공급관 (167) 의 내부에 처리액 (L) 을 이송한다. 필터 (163) 는, 배관 (161) 을 흐르는 처리액 (L) 을 여과한다. 히터 (164) 는, 배관 (161) 을 흐르는 처리액 (L) 을 가열한다. 히터 (164) 에 의해, 처리액 (L) 의 온도가 조정된다.
조정 밸브 (165) 는, 배관 (161) 의 개도를 조절함으로써, 처리액 공급관 (167) 의 내부에 공급되는 처리액 (L) 의 유량을 조정한다. 조정 밸브 (165) 는, 처리액 (L) 의 유량을 조정한다. 조정 밸브 (165) 는, 밸브 시트가 내부에 형성된 밸브 보디 (도시하지 않음) 와, 밸브 시트를 개폐하는 밸브체와, 열림 위치와 닫힘 위치 사이에서 밸브체를 이동시키는 액추에이터 (도시하지 않음) 를 포함한다. 다른 조정 밸브에 대해서도 동일하다. 밸브 (166) 는 배관 (161) 을 개폐한다.
처리액 공급관 (167) 은, 관상의 부재이다. 처리액 공급관 (167) 은, 처리조 (110) 의 내조 (112) 내에 배치된다. 처리액 공급관 (167) 은, 저류 처리액 (L1) 에 침지된다. 처리액 공급관 (167) 의 외부에는, 저류 처리액 (L1) 이 존재한다.
처리액 공급관 (167) 에는, 처리액 방출구 (N) 가 형성된다. 처리액 방출구 (N) 는, 처리액 공급관 (167) 의 내부와 외부를 연통시키는 구멍이다. 처리액 방출구 (N) 는, 저류 처리액 (L1) 에 침지됨으로써, 저류 처리액 (L1) 내에 배치된다.
처리액 공급관 (167) 의 내부를 흐르는 처리액 (L) 은, 처리액 방출구 (N) 를 통하여 처리액 공급관 (167) 의 외부로 방출된다. 그 결과, 처리액 방출구 (N) 로부터 저류 처리액 (L1) 내에, 처리액 공급관 (167) 의 내부를 흐르는 처리액 (L) 이 방출된다.
처리액 공급관 (167) 은, 본 발명의 제 2 관부의 일례이다.
또한, 조정 밸브 (165) 를 생략해도 된다. 이 경우, 처리액 공급관 (167) 에 공급되는 처리액 (L) 의 유량은, 펌프 (162) 의 제어에 의해 조정된다.
기판 처리 장치 (100) 는, 처리액 공급부 (170) 와 물 공급부 (180) 를 추가로 구비한다.
처리액 공급부 (170) 는, 노즐 (172) 과, 배관 (174) 과, 밸브 (176) 를 추가로 포함한다. 노즐 (172) 은 처리액 (L) 을 내조 (112) 에 토출한다. 노즐 (172) 은, 배관 (174) 에 접속된다. 배관 (174) 에는, 처리액 공급원으로부터의 처리액 (L) 이 공급된다. 배관 (174) 에는, 밸브 (176) 가 배치된다.
제어부 (140) 가 밸브 (176) 를 열면, 노즐 (172) 로부터 토출된 처리액 (L) 이, 내조 (112) 내에 공급된다. 그리고, 내조 (112) 의 상측 가장자리로부터 처리액 (L) 이 흘러넘치면, 흘러넘친 처리액 (L) 은, 외조 (114) 에 의해 받아 내어지고, 회수된다.
물 공급부 (180) 는, 물을 외조 (114) 에 공급한다. 물 공급부 (180) 는, 노즐 (182) 과, 배관 (184) 과, 밸브 (186) 를 포함한다. 노즐 (182) 은, 물을 외조 (114) 에 토출한다. 노즐 (182) 은, 배관 (184) 에 접속된다. 배관 (184) 에 공급되는 물은, DIW (탈이온수), 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ppm ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수 중 어느 것을 채용할 수 있다. 배관 (184) 에는, 물 공급원으로부터의 물이 공급된다. 배관 (184) 에는, 밸브 (186) 가 배치된다. 제어부 (140) 가 밸브 (186) 를 열면, 노즐 (182) 로부터 토출된 물이, 외조 (114) 내에 공급된다.
예를 들어, 기판 처리 장치 (100) 는, 실리콘 기판으로 이루어지는 기판 (W) 의 패턴 형성측의 표면에 대해, 실리콘 산화막 (산화막) 및 실리콘 질화막 (질화막) 의 에칭 처리를 실시한다. 이와 같은 에칭 처리에서는, 기판 (W) 의 표면으로부터 산화막 및 질화막이 선택적으로 제거된다. 처리액 (L) 은, 예를 들어, 인산을 포함하는 액체이다. 또한, 처리액 (L) 은, 혼산을 포함하는 액체여도 된다.
다음으로, 도 1 ∼ 도 3(b) 를 참조하여, 기판 처리 장치 (100) 에 의한 기판 (W) 의 처리 방법을 설명한다. 도 2 는, 본 실시형태의 기판 (W) 의 처리 방법을 나타내는 플로도이다. 도 3(a) 는, 기판 (W) 이 저류 처리액 (L1) 에 침지되기 전의 상태를 나타내는 도면이다. 도 3(b) 는, 기판 (W) 이 저류 처리액 (L1) 에 침지된 상태를 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, S101 에 있어서, 순환부 (160) 는 처리액 (L) 의 순환을 개시한다. 제어부 (140) 가 밸브 (166) 를 여는 것에 의해, 처리액 (L) 이 내조 (112), 외조 (114), 배관 (161), 및 처리액 공급관 (167) 의 순서로 흐른다. 배관 (161) 으로부터 처리액 공급관 (167) 의 내부에 공급된 처리액 (L) 은, 처리액 방출구 (N) 로부터 저류 처리액 (L1) 내에 방출된다. 그 결과, 처리액 (L) 이 순환한다.
도 2, 도 3(a) 및 도 3(b) 에 나타내는 바와 같이, S102 에 있어서, 승강 유닛 (126) 은, 본체판 (122) 및 유지봉 (124) 에 의해 기판 (W) 을 유지한 채 하강시킴으로써, 저류 처리액 (L1) 에 기판 (W) 을 침지한다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, S103 에 있어서, 기포 공급부 (130) 는, 저류 처리액 (L1) 내에 기포를 공급하는 처리를 개시한다. 제어부 (140) 가 밸브 (154) 를 여는 것에 의해, 기체 공급관 (131) 의 기포 방출구 (M) 로부터 저류 처리액 (L1) 내에 기포가 방출된다.
S104 에 있어서, 제어부 (140) 는, 밸브 (154) 를 닫는 것에 의해, 기포 공급부 (130) 에 의한 기포의 공급 처리를 종료한다.
S105 에 있어서, 승강 유닛 (126) 은, 본체판 (122) 및 유지봉 (124) 에 의해 기판 (W) 을 유지한 채 상승시킴으로써, 저류 처리액 (L1) 내로부터 기판 (W) 을 끌어올린다. 그 결과, 기판 (W) 에 대한 처리가 종료된다.
다음으로, 도 1 및 도 4 를 참조하여, 기체 공급관 (131) 과 처리액 공급관 (167) 에 대해 설명한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 배관군 (G1) 을 포함한다. 배관군 (G1) 은, 기체 공급관 (131) 과 1 쌍의 처리액 공급관 (167) 으로 구성된다. 제 1 실시형태에서는, 복수의 배관군 (G1) 이 형성된다. 구체적으로는, 2 개의 배관군 (G1) 이 형성된다. 2 개의 배관군 (G1) 은, 가상 중심선 (CL) 을 중심으로 대칭으로 배치된다. 가상 중심선 (CL) 은, 내조 (112) 의 중심을 지나고, 또한, Z 축에 평행한 가상선이다.
도 4 는, 배관군 (G1) 을 Z 축 방향에서 본 도면이다.
도 1 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 기체 공급관 (131) 과 처리액 공급관 (167) 은, 내조 (112) 의 바닥부 (12a) (도 5 참조) 에 배치된다. 기체 공급관 (131) 과 처리액 공급관 (167) 은, 저류 처리액 (L1) 에 침지된 기판 (W) 보다 하방에 위치한다. 기체 공급관 (131) 과 처리액 공급관 (167) 의 각각은, Y 축 방향을 따라 연장된다.
기체 공급관 (131) 에는, 복수의 기포 방출구 (M) 가 형성된다. 복수의 기포 방출구 (M) 는, Y 축 방향을 따라 나열된다. 기체 공급관 (131) 의 내경은, 예를 들어, 약 1 ㎜ 이하이다. 기포 방출구 (M) 의 내경은, 예를 들어, 약 5 ㎜ 이하이다.
처리액 공급관 (167) 에는, 복수의 처리액 방출구 (N) 가 형성된다. 복수의 처리액 방출구 (N) 는, Y 축 방향을 따라 나열된다. 처리액 공급관 (167) 의 내경은, 예를 들어, 약 30 ㎜ 이하이다. 처리액 방출구 (N) 의 내경은, 예를 들어, 약 2 ㎜ 이하이다.
배관군 (G1) 에 있어서, 기체 공급관 (131) 과 1 쌍의 처리액 공급관 (167) 은, 서로 평행으로 배치된다. 배관군 (G1) 에 있어서, 기체 공급관 (131) 과 1 쌍의 처리액 공급관 (167) 은, X 축 방향을 따라 나열된다. 배관군 (G1) 에 있어서, 1 쌍의 처리액 공급관 (167) 사이에는, 기체 공급관 (131) 이 배치된다. 1 쌍의 처리액 공급관 (167) 은, 기체 공급관 (131) 을 사이에 두도록 하여 배치된다.
다음으로, 도 4 및 도 5 를 참조하여, 기포 방출구 (M) 와 처리액 방출구 (N) 의 위치 관계의 제 1 예에 대해 설명한다. 도 5 는, 기포 방출구 (M) 와 처리액 방출구 (N) 의 위치 관계의 제 1 예를 나타내는 도면이다.
이하에서는, 2 개의 배관군 (G1) 중 하나인 배관군 (G11) 에 주목하여 설명한다. 또, 복수의 기포 방출구 (M) 중 하나인 기포 방출구 (M1) 와, 복수의 처리액 방출구 (N) 중 하나인 처리액 방출구 (N1) 에 주목하여 설명한다.
도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 배관군 (G11) 에 있어서, 1 쌍의 처리액 공급관 (167) 에는, 각각, 처리액 방출구 (N1) 가 형성된다. 처리액 방출구 (N1) 는, 처리액 공급관 (167) 중 기포 방출구 (M1) 가 위치하는 측에 배치된다.
배관군 (G11) 에 있어서, 기체 공급관 (131) 에는, 기포 방출구 (M1) 가 형성된다. 기포 방출구 (M1) 는, 기체 공급관 (131) 의 상단부에 배치된다.
1 쌍의 처리액 방출구 (N1) 는, 서로 간격을 두고 배치되어 있다. 1 쌍의 처리액 방출구 (N1) 사이에는, 기포 방출구 (M1) 가 배치된다. Z 축 방향에서 보았을 때 (상방에서 보았을 때), 처리액 방출구 (N1) 의 측방에 기포 방출구 (M1) 가 배치된다.
1 쌍의 처리액 방출구 (N1) 의 각각은, 제 1 방향 (D1) 을 향하여 개구된다. 제 1 방향 (D1) 은, 처리액 공급관 (167) 의 중심 (T1) 으로부터 기체 공급관 (131) 을 향하는 방향이다. 상세하게는, 제 1 방향 (D1) 은, 처리액 공급관 (167) 의 중심 (T1) 으로부터 기체 공급관 (131) 의 기포 방출구 (M1) 를 향하는 방향이다. 처리액 공급관 (167) 의 중심 (T1) 은, 처리액 공급관 (167) 중 처리액 방출구 (N1) 가 위치하는 장소를, 처리액 공급관 (167) 이 연장되는 방향 (Y 축 방향) 에 대해 수직인 방향으로 절단했을 때에 형성되는 처리액 공급관 (167) 의 단면의 중심이다.
다음으로, 도 5 ∼ 도 7 을 참조하여, 기체 공급관 (131) 의 기포 방출구 (M1) 로부터 기포 (KA) 가 방출되는 원리에 대해 설명한다. 도 6(a) 는, 기포 방출구 (M1) 로부터 기포 (KA) 가 방출되는 원리를 나타내는 제 1 모식도이다. 도 6(b) 는, 기포 방출구 (M1) 로부터 기포 (KA) 가 방출되는 원리를 나타내는 제 2 모식도이다. 도 7 은, 기포 방출구 (M1) 로부터 기포 (KA) 가 방출되는 원리를 나타내는 제 3 모식도이다.
도 5 및 도 6(a) 에 나타내는 바와 같이, 1 쌍의 처리액 방출구 (N1) 의 각각은, 제 1 방향 (D1) 을 향하여 개구되므로, 제 1 방향 (D1) 에 처리액 (L) 을 방출한다. 그 결과, 1 쌍의 처리액 방출구 (N1) 의 각각으로부터 제 1 방향 (D1) 을 향하도록, 저류 처리액 (L1) 의 제 1 액류 (R1) 가 생성된다.
제 1 액류 (R1) 는, 제 1 방향 (D1) 을 향하여 생성됨으로써, 기포 방출구 (M1) 를 향한 후, 기포 방출구 (M1) 의 주변을 흐른다.
도 5 및 도 6(b) 에 나타내는 바와 같이, 저류 처리액 (L1) 내에 기체 (K) 의 융기 부분 (KI) 이 발생한다. 융기 부분 (KI) 은, 기체 공급관 (131) 에 공급된 기체 (K) 중, 기포 방출구 (M1) 로부터 저류 처리액 (L1) 내로 융기되는 부분이다. 융기 부분 (KI) 의 주변에는, 제 1 액류 (R1) 가 흐른다. 제 1 실시형태에서는, 1 쌍의 제 1 액류 (R1) 사이에 융기 부분 (KI) 이 위치한다.
융기 부분 (KI) 은, 기포 방출구 (M1) 의 주변을 흐르는 제 1 액류 (R1) 의 압력을 받는다. 그 결과, 기체 공급관 (131) 의 내부에 존재하는 기체 (K) 로부터, 융기 부분 (KI) 이 전단 (분리) 되기 쉬워진다.
제 1 액류 (R1) 의 흐름에 의한 압력은, 본 발명의 전단력의 제 1 예이다.
도 5 및 도 7 에 나타내는 바와 같이, 융기 부분 (KI) 이 전단되면, 기포 (KA) 가 된다. 기포 (KA) 는, 저류 처리액 (L1) 내를 부상한다.
이상, 도 1 ∼ 도 7 을 참조하여 설명한 바와 같이, 순환부 (160) 는, 처리액 공급관 (167) 의 처리액 방출구 (N1) 로부터 처리액 (L) 을 방출함으로써, 기포 공급부 (130) 에 대해 저류 처리액 (L1) 의 제 1 액류 (R1) 를 생성한다. 따라서, 도 6(b) 에 나타내는 바와 같이, 성장 중인 융기 부분 (KI) 에 대해, 제 1 액류 (R1) 의 압력을 작용시킬 수 있다. 그 결과, 성장 중인 융기 부분 (KI) 을 조기에 전단시킬 수 있으므로, 기포 (KA) 가 커지는 것을 억제할 수 있다.
또, 조기에 융기 부분 (KI) 이 전단됨으로써, 단위 시간당에 생성되는 기포 (KA) 의 개수를 늘릴 수 있다. 그 결과, 다수의 작은 기포 (KA) 를 사용하여 기판 (W) 의 처리를 신속하게 실시할 수 있다.
[제 2 실시형태]
도 8 을 참조하여, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 8 은, 기포 방출구 (M) 와 처리액 방출구 (N) 의 위치 관계의 제 2 예를 나타내는 도면이다.
제 2 실시형태는, 처리액 방출구 (N1) 의 개구되는 방향이 제 1 실시형태와 상이하다. 이하에서는, 주로 제 1 실시형태와 상이한 점을 설명한다. 또, 배관군 (G11) 에 주목하여 설명한다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, Z 축 방향에서 보았을 때, 처리액 방출구 (N1) 의 측방에 기포 방출구 (M1) 가 배치된다.
1 쌍의 처리액 방출구 (N1) 의 각각은, 처리액 공급관 (167) 의 하단측에 배치된다. 1 쌍의 처리액 방출구 (N1) 의 각각은, 제 2 방향 (D2) 을 향하여 개구된다. 제 2 방향 (D2) 은, 처리액 공급관 (167) 의 중심 (T1) 으로부터 내조 (112) 의 바닥부 (12a) 를 향하고, 내조 (112) 의 바닥부 (12a) 에서 반사된 후, 기체 공급관 (131) 을 향하는 방향이다.
1 쌍의 처리액 방출구 (N1) 의 각각은, 제 2 방향 (D2) 을 향하여 개구되므로, 제 2 방향 (D2) 에 처리액 (L) 을 방출한다. 그 결과, 1 쌍의 처리액 방출구 (N1) 의 각각으로부터 제 2 방향 (D2) 을 향하도록, 저류 처리액 (L1) 의 제 2 액류 (R2) 가 생성된다.
제 2 액류 (R2) 는, 제 2 방향 (D2) 을 향하여 생성됨으로써, 내조 (112) 의 바닥부 (12a) 를 향하고, 내조 (112) 의 바닥부 (12a) 에서 반사된 후, 기체 공급관 (131) 을 향한다. 기체 공급관 (131) 에 도달한 제 2 액류 (R2) 는, 기체 공급관 (131) 의 외주를 따라 흐른다. 그리고, 제 2 액류 (R2) 는, 기포 방출구 (M1) 의 주변을 흐른 후, 기체 공급관 (131) 을 통과한다.
기포 방출구 (M1) 의 주변을 흐르는 제 2 액류 (R2) 는, 기체 (K) 의 융기 부분 (KI) (도 6(b) 참조) 에 대해, 제 2 액류 (R2) 의 흐름에 의한 압력을 부여한다. 따라서, 제 2 액류 (R2) 의 압력에 의해, 성장 중인 융기 부분 (KI) 을 조기에 전단시킬 수 있다. 그 결과, 기포 (KA) 가 커지는 것을 억제할 수 있다.
제 2 액류 (R2) 의 흐름에 의한 압력은, 본 발명의 전단력의 제 2 예이다.
[제 3 실시형태]
도 9 를 참조하여, 본 발명의 제 3 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 9 는, 기포 방출구 (M) 와 처리액 방출구 (N) 의 위치 관계의 제 3 예를 나타내는 도면이다.
제 3 실시형태는, 기체 공급관 (131) 에 대한 처리액 공급관 (167) 의 위치가 제 1 실시형태와 상이하다. 이하에서는, 주로 제 1 실시형태와 상이한 점을 설명한다. 또, 배관군 (G11) 에 주목하여 설명한다.
도 9 에 나타내는 바와 같이, 제 3 실시형태에서는, 배관군 (G1) 은, 1 개의 기체 공급관 (131) 과 1 개의 처리액 공급관 (167) 으로 구성된다. 처리액 공급관 (167) 은, 기체 공급관 (131) 의 하방에 배치된다.
처리액 방출구 (N1) 는, 기포 방출구 (M1) 의 하방에 배치된다. 처리액 방출구 (N1) 는, 처리액 공급관 (167) 의 상단측에 배치된다. 처리액 방출구 (N1) 는, 제 3 방향 (D3) 을 향하여 개구된다. 제 3 방향 (D3) 은, 처리액 공급관 (167) 의 중심 (T1) 으로부터 기체 공급관 (131) 을 향하는 방향이다. 제 3 실시형태에서는, 제 3 방향 (D3) 은 상방향이다.
처리액 방출구 (N1) 는, 제 3 방향 (D3) 을 향하여 개구되므로, 제 3 방향 (D3) 에 처리액 (L) 을 방출한다. 그 결과, 처리액 방출구 (N1) 로부터 제 3 방향 (D3) 을 향하도록, 저류 처리액 (L1) 의 제 3 액류 (R3) 가 생성된다.
제 3 액류 (R3) 는, 제 3 방향 (D3) 을 향하여 생성됨으로써, 기체 공급관 (131) 을 향한다. 기체 공급관 (131) 에 도달한 제 3 액류 (R3) 는, 기체 공급관 (131) 의 외주를 따라 흐른다. 그리고, 제 3 액류 (R3) 는, 기포 방출구 (M1) 의 주변을 흐른 후, 기체 공급관 (131) 을 통과한다. 또한, 제 3 액류 (R3) 는, 기체 공급관 (131) 에 도달하면 분리되어 1 쌍의 제 3 액류 (R3) 가 되고, 1 쌍의 제 3 액류 (R3) 가 기체 공급관 (131) 을 사이에 두도록 하여 기체 공급관 (131) 의 외주를 따라 흐른다.
기포 방출구 (M1) 의 주변을 흐르는 제 3 액류 (R3) 는, 기체 (K) 의 융기 부분 (KI) (도 6(b) 참조) 에 대해, 제 3 액류 (R3) 의 흐름에 의한 압력을 부여한다. 따라서, 제 3 액류 (R3) 의 압력에 의해, 성장 중인 융기 부분 (KI) 을 조기에 전단시킬 수 있다. 그 결과, 기포 (KA) 가 커지는 것을 억제할 수 있다.
제 3 액류 (R3) 의 흐름에 의한 압력은, 본 발명의 전단력의 제 3 예이다.
[제 4 실시형태]
도 10 을 참조하여, 본 발명의 제 4 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 10 은, 기포 방출구 (M) 와 처리액 방출구 (N) 의 위치 관계의 제 4 예를 나타내는 도면이다.
제 4 실시형태는, 기체 공급관 (131) 에 대한 처리액 공급관 (167) 의 위치가 제 1 실시형태와 상이하다. 이하에서는, 주로 제 1 실시형태와 상이한 점을 설명한다. 또, 배관군 (G11) 에 주목하여 설명한다.
도 10 에 나타내는 바와 같이, 1 쌍의 처리액 공급관 (167) 은, 기체 공급관 (131) 의 하방에서 서로 간격을 두고 배치된다.
Z 축 방향에서 보았을 때, 처리액 방출구 (N1) 의 측방에 기포 방출구 (M1) 가 배치된다.
1 쌍의 처리액 방출구 (N1) 의 각각은, 처리액 공급관 (167) 의 상단측에 배치된다. 처리액 방출구 (N1) 는, 제 4 방향 (D4) 을 향하여 개구된다. 제 4 방향 (D4) 은, 처리액 공급관 (167) 의 중심 (T1) 으로부터 기체 공급관 (131) 을 향하는 방향이다. 제 4 실시형태에서는, 제 4 방향 (D4) 은, 대각선 상방향이다.
1 쌍의 처리액 방출구 (N1) 의 각각은, 제 4 방향 (D4) 을 향하여 개구되므로, 제 4 방향 (D4) 에 처리액 (L) 을 방출한다. 그 결과, 1 쌍의 처리액 방출구 (N1) 의 각각으로부터 제 4 방향 (D4) 을 향하도록, 저류 처리액 (L1) 의 제 4 액류 (R4) 가 생성된다.
제 4 액류 (R4) 는, 제 4 방향 (D4) 을 향하여 생성됨으로써, 기체 공급관 (131) 을 향한다. 기체 공급관 (131) 에 도달한 제 4 액류 (R4) 는, 기체 공급관 (131) 의 외주를 따라 흐른다. 그리고, 제 4 액류 (R4) 는, 기포 방출구 (M1) 의 주변을 흐른 후, 기체 공급관 (131) 을 통과한다.
기포 방출구 (M1) 의 주변을 흐르는 제 4 액류 (R4) 는, 기체 (K) 의 융기 부분 (KI) (도 6(b) 참조) 에 대해, 제 4 액류 (R4) 의 흐름에 의한 압력을 부여한다. 따라서, 제 4 액류 (R4) 의 압력에 의해, 성장 중인 융기 부분 (KI) 을 조기에 전단시킬 수 있다. 그 결과, 기포 (KA) 가 커지는 것을 억제할 수 있다.
제 4 액류 (R4) 의 흐름에 의한 압력은, 본 발명의 전단력의 제 4 예이다.
[제 5 실시형태]
도 11 을 참조하여, 본 발명의 제 5 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 11 은, 기포 방출구 (M) 와 처리액 방출구 (N) 의 위치 관계의 제 5 예를 나타내는 도면이다.
제 5 실시형태는, 처리액 (L) 이 처리액 공급관 (167) 으로부터 복수의 방향으로 방출되는 점이 제 1 실시형태와 상이하다. 이하에서는, 주로 제 1 실시형태와 상이한 점을 설명한다. 또, 배관군 (G11) 에 주목하여 설명한다.
도 11 에 나타내는 바와 같이, 1 쌍의 처리액 공급관 (167) 의 각각에는, 복수의 처리액 방출구 (N) 가 형성된다. 제 3 실시형태에서는, 1 쌍의 처리액 공급관 (167) 의 각각에는, 3 개의 처리액 방출구 (N) 가 형성된다. 3 개의 처리액 방출구 (N) 는, 처리액 방출구 (N1) 와, 처리액 방출구 (N2) 와, 처리액 방출구 (N3) 로 구성된다.
처리액 방출구 (N1) 는, 도 5 에 나타내는 처리액 방출구 (N1) 에 상당하고, 제 1 방향 (D1) 을 향하여 개구된다. 그 결과, 처리액 방출구 (N1) 에 의해 제 1 액류 (R1) 가 생성되므로, 제 1 실시형태와 동일한 효과를 발휘한다.
처리액 방출구 (N2) 는, 제 1 방향 (D1) 과는 상이한 제 6 방향 (D6) 을 향하여 개구됨으로써, 처리액 방출구 (N2) 로부터 제 6 방향 (D6) 을 향하도록 저류 처리액 (L1) 의 액류를 생성한다. 처리액 방출구 (N3) 는, 제 1 방향 (D1) 및 제 6 방향 (D6) 과는 상이한 제 7 방향 (D7) 을 향하여 개구됨으로써, 처리액 방출구 (N3) 로부터 제 7 방향 (D7) 을 향하도록 저류 처리액 (L1) 의 액류를 생성한다. 제 7 방향 (D7) 은, 제 6 방향 (D6) 을 중심으로 하여, 제 1 방향 (D1) 과 대칭인 방향이다. 제 1 액류 (R1) 이외에도 저류 처리액 (L1) 의 액류를 생성함으로써, 저류 처리액 (L1) 의 교반을 효과적으로 실시할 수 있다.
[제 6 실시형태]
도 12 ∼ 도 13(b) 를 참조하여, 본 발명의 제 6 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 12 는, 기체 (K) 의 융기 부분 (KI) 에 대해 전단력을 부여하기 위한 구성의 일례를 나타내는 모식도이다.
제 6 실시형태는, 저류 처리액 (L1) 의 액류를 사용하지 않고, 기포 방출구 (M) 를 이동시킴으로써 기체 (K) 의 융기 부분 (KI) 에 대해 전단력을 부여하는 점이 제 1 실시형태와 상이하다. 이하에서는, 주로 제 1 실시형태와 상이한 점을 설명한다.
도 12 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 이동부 (190) 를 추가로 구비한다.
이동부 (190) 는, 내조 (112) (도 1 참조) 에 대해 기체 공급관 (131) 을 이동시킨다. 이동부 (190) 는, 예를 들어, 모터를 포함한다. 이동부 (190) 는, 예를 들어, 기체 공급관 (131) 을 진동시킨다. 이동부 (190) 는, 제어부 (140) 에 의해 제어된다.
다음으로, 도 12 ∼ 도 13(b) 를 참조하여, 기체 공급관 (131) 의 기포 방출구 (M1) 로부터 기포 (KA) 가 방출되는 원리에 대해 설명한다. 도 13(a) 는, 기포 방출구 (M1) 로부터 기포 (KA) 가 방출되는 원리를 나타내는 제 4 모식도이다. 도 13(b) 는, 기포 방출구 (M1) 로부터 기포 (KA) 가 방출되는 원리를 나타내는 제 5 모식도이다.
도 12 및 도 13(a) 에 나타내는 바와 같이, 이동부 (190) 가 기체 공급관 (131) 을 진동시킴으로써, 기체 (K) 의 융기 부분 (KI) 이 진동한다. 그 결과, 기체 공급관 (131) 의 내부에 존재하는 기체 (K) 로부터, 융기 부분 (KI) 이 전단되기 쉬워진다.
기체 공급관 (131) 에 부여되는 진동은, 본 발명의 전단력의 제 5 예이다.
도 12 및 도 13(b) 에 나타내는 바와 같이, 융기 부분 (KI) 이 전단되면, 기포 (KA) 가 된다. 기포 (KA) 는, 저류 처리액 (L1) 내를 부상한다.
이상, 도 12 ∼ 도 13(b) 를 참조하여 설명한 바와 같이, 이동부 (190) 가 기체 공급관 (131) 을 진동시킨다. 따라서, 성장 중인 융기 부분 (KI) 에 대해, 진동을 부여할 수 있다. 그 결과, 성장 중인 융기 부분 (KI) 을 조기에 전단시킬 수 있으므로, 기포 (KA) 가 커지는 것을 억제할 수 있다.
또한, 이동부 (190) 는, 기체 공급관 (131) 에 초음파를 부여함으로써 기체 공급관 (131) 을 진동시켜도 된다.
또, 이동부 (190) 는, 기체 공급관 (131) 을 평행 이동시켜도 된다. 기체 공급관 (131) 이 평행 이동할 때, 융기 부분 (KI) 은, 기체 공급관 (131) 으로부터 저류 처리액 (L1) 내에 돌출되어 있으므로, 기체 공급관 (131) 의 이동 방향과는 반대 방향으로, 저류 처리액 (L1) 으로부터 압력을 받는다. 그 결과, 저류 처리액 (L1) 으로부터의 압력에 의해, 성장 중인 융기 부분 (KI) 을 조기에 전단시킬 수 있으므로, 기포 (KA) 가 커지는 것을 억제할 수 있다.
기체 공급관 (131) 이 평행 이동할 때, 융기 부분 (KI) 이 저류 처리액 (L1) 으로부터 받는 압력은, 본 발명의 전단력의 제 6 예이다. 또한, 기체 공급관 (131) 을 평행 이동시키는 방향은, 특별히 한정되지 않는다.
또, 이동부 (190) 는, 기체 공급관 (131) 을 기체 공급관 (131) 의 축 둘레로 회전시켜도 된다. 기체 공급관 (131) 이 회전할 때, 융기 부분 (KI) 은, 기체 공급관 (131) 으로부터 저류 처리액 (L1) 내에 돌출되어 있으므로, 기체 공급관 (131) 의 회전 방향과는 반대 방향으로, 저류 처리액 (L1) 으로부터 압력을 받는다. 그 결과, 저류 처리액 (L1) 으로부터 압력에 의해, 성장 중인 융기 부분 (KI) 을 조기에 전단시킬 수 있으므로, 기포 (KA) 가 커지는 것을 억제할 수 있다.
기체 공급관 (131) 이 회전할 때, 융기 부분 (KI) 이 저류 처리액 (L1) 으로부터 받는 압력은, 본 발명의 전단력의 제 7 예이다.
이상, 도면 (도 1 ∼ 도 13(b)) 을 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대해 설명하였다. 단, 본 발명은, 상기의 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 양태에 있어서 실시하는 것이 가능하다 (예를 들어, (1) ∼ (5)). 또, 상기의 실시형태에 개시되어 있는 복수의 구성 요소를 적절히 조합함으로써, 여러 가지 발명의 형성이 가능하다. 예를 들어, 실시형태에 나타내는 전체 구성 요소로부터 몇 개의 구성 요소를 삭제해도 된다. 도면은, 이해하기 쉽게 하기 위해, 각각의 구성 요소를 주체로 모식적으로 나타내고 있으며, 도시된 각 구성 요소의 개수 등은, 도면 작성의 형편에서 실제와는 상이한 경우도 있다. 또, 상기의 실시형태에서 나타내는 각 구성 요소는 일례로서, 특별히 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능하다.
(1) 제 1 실시형태 ∼ 제 5 실시형태에 있어서, 제어부 (140) 는, 조정 밸브 (165) 에 의해 배관 (161) 의 개도를 조정함으로써, 기체 공급관 (131) 에 부여되는 제 1 액류 (R1) ∼ 제 4 액류 (R4) 의 각각의 압력의 크기를 제어한다.
제어부 (140) 는, 배관 (161) 의 개도를 일정하게 함으로써, 제 1 액류 (R1) ∼ 제 4 액류 (R4) 의 각각의 압력의 크기를 일정하게 해도 된다. 또, 제어부 (140) 는, 배관 (161) 의 개도를 소정 시간 간격으로 변경함으로써, 제 1 액류 (R1) ∼ 제 4 액류 (R4) 의 각각의 압력의 크기를 주기적으로 변경해도 된다. 즉, 제어부 (140) 는, 제 1 액류 (R1) ∼ 제 4 액류 (R4) 의 각각의 압력의 크기에 강약을 줘도 된다.
(2) 제 1 실시형태 ∼ 제 6 실시형태에 있어서, 기체 공급관 (131) (도 4 참조) 중 기포 방출구 (M) 가 형성되는 부분은, 예를 들어, 불소 코팅됨으로써, 소수 처리가 실시되어도 된다. 그 결과, 기포 (KA) 의 거품 제거를 양호하게 할 수 있으므로, 기포 (KA) 가 커지는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 소수 처리는, 기체 공급관 (131) 중 기포 방출구 (M) 가 형성되는 부분뿐만 아니라, 기체 공급관 (131) 전체에 실시되어도 된다.
(3) 제 1 실시형태 ∼ 제 6 실시형태에 있어서, 기포 방출구 (M) 는, 상방을 향하여 개구된다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.
도 14 를 참조하여, 기포 방출구 (M) 의 제 1 변형예에 대해 설명한다. 도 14 는, 기포 방출구 (M) 의 제 1 변형예를 나타내는 도면이다.
도 14 에 나타내는 바와 같이, 제 1 변형예에 있어서, 기포 방출구 (M) 는, 가로 방향으로 개구된다. 가로 방향은, 수평 방향 (X 축 방향) 에 평행한 방향이다. 따라서, 기체 (K) 의 융기 부분 (KI) 이 기포 방출구 (M) 로부터 부상하려고 할 때에, 기포 방출구 (M) 의 상단에 접촉하므로, 기포 방출구 (M) 의 상단에 의해 융기 부분 (KI) 을 효과적으로 전단시킬 수 있다. 그 결과, 기포 (KA) 가 커지는 것을 억제할 수 있다.
(4) 도 15 를 참조하여, 기포 방출구 (M) 의 제 2 변형예에 대해 설명한다. 도 15 는, 기포 방출구 (M) 의 제 2 변형예를 나타내는 도면이다.
도 15 에 나타내는 바와 같이, 제 2 변형예에 있어서, 기포 방출구 (M) 의 개구 면적이, 기체 공급관 (131) 의 외부를 향함에 따라 작아진다. 이하에서는, 기포 방출구 (M) 의 제 2 변형예에 대해 상세하게 설명한다.
기체 공급관 (131) 은, 내면 (131b) 과 외면 (131c) 을 갖는다. 내면 (131b) 은, 기체 공급관 (131) 의 내부 (131a) 에 대향한다. 외면 (131c) 은, 기체 공급관 (131) 의 내부에 대향한다.
기포 방출구 (M) 는, 외측 개구 (Ma) 와 내측 개구 (Mb) 를 갖는다. 외측 개구 (Ma) 는, 외면 (131c) 에 형성된다. 내측 개구 (Mb) 는, 내면 (131b) 에 형성된다. 내측 개구 (Mb) 는, 외측 개구 (Ma) 에 연통된다.
외측 개구 (Ma) 의 개구 면적 (V1) 은, 내측 개구 (Mb) 의 개구 면적 (V2) 보다 작다 (V1 ＜ V2). 그 결과, 내측 개구 (Mb) 로부터 외측 개구 (Ma) 를 향함에 따라, 기포 방출구 (M) 의 개구 면적이 작아지므로, 기포 (KA) 가 커지는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 개구 면적은, 내측 개구 (Mb) 로부터 외측 개구 (Ma) 를 향하는 방향에 대해 수직인 기포 방출구 (M) 의 단면의 면적이다.
또한, 내측 개구 (Mb) 로부터 외측 개구 (Ma) 를 향함에 따라, 기포 방출구 (M) 의 개구 면적이 서서히 작아져도 된다. 또, 내측 개구 (Mb) 로부터 외측 개구 (Ma) 를 향함에 따라, 기포 방출구 (M) 의 개구 면적이 단계적으로 작아져도 된다.
(5) 도 16 을 참조하여, 기체 공급관 (131) 의 변형예에 대해 설명한다. 도 16 은, 기체 공급관 (131) 의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 16 에 나타내는 기체 공급관 (131) 의 변형예는, 이중관 구조를 갖는다. 이하에서는, 기체 공급관 (131) 의 변형예에 대해 상세하게 설명한다.
기체 공급관 (131) 은, 외측 배관 (131d) 과 내측 배관 (131e) 을 갖는다. 외측 배관 (131d) 및 내측 배관 (131e) 의 각각은, 관상의 부재이다. 외측 배관 (131d) 의 외경은, 내측 배관 (131e) 의 외경보다 크다. 외측 배관 (131d) 의 내부에는, 내측 배관 (131e) 이 배치된다. 내측 배관 (131e) 의 내부 (131f) 에는 기체 (K) 가 흐른다.
기포 방출구 (M) 는, 제 1 개구 (MA) 와 제 2 개구 (MB) 를 갖는다. 제 1 개구 (MA) 는, 외측 배관 (131d) 에 형성되고, 외측 배관 (131d) 의 내부와 외부를 연통시킨다. 제 2 개구 (MB) 는, 내측 배관 (131e) 에 형성되고, 내측 배관 (131e) 의 내부 (131f) 와 외부를 연통시킨다. 제 1 개구 (MA) 와 제 2 개구 (MB) 는, 서로 동일한 방향으로 개구된다. 제 1 개구 (MA) 의 개구 면적 (V3) 은, 제 2 개구 (MB) 의 개구 면적 (V4) 과 거의 동일하다 (V3 ≒ V4). 그 결과, 제 1 개구 (MA) 와 제 2 개구 (MB) 에 의해 융기 부분 (KI) (도 6(b) 참조) 에 대해 이중으로 압력을 가할 수 있으므로, 융기 부분 (KI) 의 성장을 억제할 수 있다. 또한, 제 1 개구 (MA) 의 개구 면적 (V3) 이, 제 2 개구 (MB) 의 개구 면적 (V4) 보다 작아도 된다 (V3 ＜ V4).
(6) 제 1 실시형태 ∼ 제 6 실시형태에 있어서, 기포 공급부 (130) 인 기체 공급관 (131) 은, 석영을 포함한다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 제 1 실시형태 ∼ 제 6 실시형태에 있어서, 기체 공급관 (131) 은, PEEK (폴리에테르에테르케톤) 을 포함하고 있어도 된다. 즉, 제 1 실시형태 ∼ 제 6 실시형태에 있어서, PEEK 제의 기체 공급관 (131) 이 사용되어도 된다.
이하에서는, 도 1, 도 4, 및 도 17 을 참조하여, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서, PEEK 제의 기체 공급관 (131) 이 사용되는 이유에 대해 설명한다.
도 1 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 에 의한 기판 (W) 의 처리가 실시될 때, 기체 공급관 (131) 은, 고온 (예를 들어, 160 ℃ 정도) 의 처리액 (L) (인산 수용액) 에 침지된다 (도 1 참조). 그러나, 기체 공급관 (131) 을 석영에 의해 형성한 경우, 기체 공급관 (131) 이 장기간 (예를 들어, 반년 내지 1년) 사용되면, 기체 공급관 (131) 이 고온의 처리액 (L) 에 장기간 침지됨으로써, 기포 방출구 (M) 의 직경이 확대되는 경우가 있다. 이 경우, 복수의 기포 방출구 (M) 중, 직경이 확대된 기포 방출구 (M) 로부터 기포 (KA) 가 방출됨으로써, 복수의 기포 방출구 (M) 로부터의 기포 (KA) 의 방출에 편차가 발생하여, 기판 처리 장치 (100) 에 의한 기판 (W) 의 처리 능력이 저하될 가능성이 있다. 그래서, 석영제의 기체 공급관 (131) 은, 반년 내지 1 년 정도에서 교환되고 있었다.
본원 발명자는, 기포 방출구 (M) 의 직경이 확대되는 것을 억제하여, 기체 공급관 (131) 의 교환 수명을 늘리기 위해, 기체 공급관 (131) 의 재료로서, 석영보다 처리액 (L) 에 대한 침지에 장기간 견딜 수 있는 수지를 사용하는 것으로 하였다. 또, 본원 발명자는, 기체 공급관 (131) 의 재료로 하는 수지로서, PEEK 와, PFA (테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체) 와, PTFE (폴리테트라플루오로에틸렌) 를 후보로 들었다. 그리고, 본원 발명자는, PEEK, PFA, 및 PTFE 중 어느 수지가 기체 공급관 (131) 의 재료로서 가장 적합한지를 검증하였다.
또한, 검증에서 사용된 기체 공급관 (131) 에 있어서, 기포 방출구 (M) 의 내경은 0.2 ㎜ 이다. 또, 검증에서 사용된 기체 공급관 (131) 의 외경은 8 ㎜ 이고, 내경은 4 ㎜ 이다. 또, 검증에서 사용된 기체 공급관 (131) 의 길이는 400 ㎜ 이다. 또한, 기체 공급관 (131) 의 치수는 이들에 한정되지 않고, 예를 들어, 기체 공급관 (131) 의 외경은 6 ㎜ 이상, 12 ㎜ 이하여도 되고, 내경은 2 ㎜ 이상, 10 ㎜ 이하여도 된다.
또, 처리액 공급관 (167) 에 있어서, 처리액 방출구 (N) 의 내경은, 예를 들어, 1 ㎜ 이다. 처리액 방출구 (N) 로부터는, 기포 (KA) 가 아니라, 처리액 (L) 이 방출된다. 따라서, 처리액 공급관 (167) 은, 기체 공급관 (131) 과 같은 기포 (KA) 의 편차에서 기인한 문제가 발생하지 않으므로, 처리액 공급관 (167) 의 교환 수명 (수년 정도) 은, 기체 공급관 (131) 의 교환 수명 (반년 내지 1 년 정도) 보다 길어진다. 그래서, 기체 공급관 (131) 이 처리액 공급관 (167) 보다 교환 빈도가 많아지므로, 본원 발명자는, 기체 공급관 (131) 의 교환 수명을 늘리는 것을 과제로 하였다. 그리고, 본원 발명자는, 당해 과제를 해결하기 위해, 기체 공급관 (131) 의 재료를 연구하였다.
이하에서는, 도 17 을 참조하여, PEEK 와, PFA 와, PTFE 의 비교 결과에 대해 설명한다. 도 17 은, PEEK 와, PFA 와, PTFE 의 비교 결과를 나타내는 표 (H) 이다. 또한, 도 17 의 표 (H) 에는, 참고로서 석영에 관한 정보도 기재되어 있다.
도 17 의 표 (H) 에 나타내는 바와 같이, 내열 온도에 대해서는, PEEK 와, PFA 와, PTFE 가 대략 동일하다. 따라서, 내열 온도에 대해서는, 각종 기체 공급관 (PEEK 제의 기체 공급관 (131), PFA 제의 기체 공급관 (131), 및 PTFE 제의 기체 공급관 (131)) 사이에서는 차가 발생하지 않는다.
표 (H) 에 나타내는 바와 같이, 선팽창 계수에 대해서는, 각종 수지 재료 (PEEK, PFA, 및 PTFE) 사이에서는, PEEK 가 가장 낮다. 따라서, 각종 기체 공급관 사이에서는, PEEK 제의 기체 공급관 (131) 이, 가장 열 팽창되기 어려우므로, 내조 (112) 내에 있어서 열 팽창에 의한 위치 어긋남이 가장 발생하기 어려운 점에서 유리하다.
표 (H) 에 나타내는 바와 같이, 경도에 대해서는, 각종 수지 재료 사이에서는, PEEK 가 가장 딱딱하다. 따라서, 각종 기체 공급관 사이에서는, PEEK 제의 기체 공급관 (131) 이, 외부로부터 압력이 가해져도 가장 변형되기 어려운 점에서 유리하다.
표 (H) 에 나타내는 바와 같이, 열 변형 온도에 대해서는, 각종 수지 재료 사이에서는, PEEK 가 가장 높다. 따라서, 각종 기체 공급관 사이에서는, PEEK 제의 기체 공급관 (131) 이, 가장 열 변형되기 어려운 점에서 유리하다.
또한, 표 (H) 에는, PEEK 가, 1.8 ㎫ 의 압력이 가해진 상태에서, 152 ℃ 까지 가열됨으로써 열 변형되는 정보가 기재되어 있다. 그러나, 기판 처리 장치 (100) 에 의한 기판 (W) 의 처리가 실시되 때, 160 ℃ 정도의 처리액 (L) 이 사용되지만, 기체 공급관 (131) 에 대해 1.8 ㎫ 과 같은 높은 압력이 가해지는 경우는 통상적으로는 없다. 그 결과, 기판 처리 장치 (100) 에 의한 기판 (W) 의 처리가 실시될 때, 160 ℃ 정도의 처리액 (L) 이 사용되어도, PEEK 제의 기체 공급관 (131) 이 열 변형되는 것이 억제된다.
또, 본원 발명자는, 기체 공급관 (131) 의 표면의 젖음성 (접촉각) 에 의해, 기포 방출구 (M) 로부터 토출되는 기포 (KA) 의 거품 제거가 영향을 받는 것을 발견하였다. 구체적으로는, 본원 발명자는, 기체 공급관 (131) 의 표면의 젖음성이 작아질수록 (접촉각이 커질수록), 기포 (KA) 의 거품 제거가 양호해지고, 기포 방출구 (M) 로부터 작은 기포 (KA) 를 방출할 수 있는 것을 발견하였다. 또, 본원 발명자는, 각종 기체 공급관 중에서, PEEK 제의 기체 공급관 (131) 의 표면의 젖음성이 가장 작으므로, PEEK 제의 기체 공급관 (131) 의 기포 방출구 (M) 로부터 작은 기포 (KA) 를 효과적으로 방출할 수 있는 것을 발견하였다.
본원 발명자는, 상기한 선팽창 계수의 관점, 경도의 관점, 열 변형 온도의 관점, 및 젖음성의 관점을 종합적으로 판단하여, 각종 기체 공급관 중에서, PEEK 제의 기체 공급관 (131) 을 사용하는 것이 가장 유리한 것을 확인하였다. 그 결과, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서, PEEK 제의 기체 공급관 (131) 이 사용된다.
이상과 같이, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서, PEEK 제의 기체 공급관 (131) 이 사용됨으로써, 처리액 (L) 에 대한 기체 공급관 (131) 의 내구성을 향상시킬 수 있어, 기체 공급관 (131) 의 교환 수명을 늘릴 수 있다.
산업상 이용가능성
본 발명은, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법의 분야에 이용 가능하다.
100 : 기판 처리 장치
112 : 내조 (저류부)
130 : 기포 공급부
160 : 순환부 (액류 생성부)
KA : 기포
L : 처리액
L1 : 저류 처리액
R1 : 제 1 액류 (액류)
R2 : 제 2 액류 (액류)
R3 : 제 3 액류 (액류)
R4 : 제 4 액류 (액류)
W : 기판

Claims (13)

  1. 저류부에 저류되는 처리액인 저류 처리액에 기판을 침지하여 상기 기판의 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서,
    상기 저류 처리액에 기포를 공급하는 기포 공급부와,
    상기 기포 공급부에 대해 상기 저류 처리액의 액류를 생성하는 액류 생성부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기포 공급부는, 기체가 흐르는 제 1 관부를 갖고,
    상기 제 1 관부에는, 상기 저류 처리액 내에 배치되는 기포 방출구가 형성되고,
    상기 기포 방출구는, 상기 저류 처리액 내에 상기 기체의 기포를 방출하고,
    상기 액류 생성부는, 상기 기포 방출구의 주변에 상기 액류를 생성하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 관부 중 상기 기포 방출구가 형성되는 부분에는, 소수 처리가 실시되는, 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 액류 생성부는, 상기 처리액이 흐르는 제 2 관부를 갖고,
    상기 제 2 관부에는, 상기 저류 처리액 내에 배치되는 처리액 방출구가 형성되고,
    상기 처리액 방출구는, 상기 저류 처리액 내에 상기 제 2 관부를 흐르는 상기 처리액을 방출함으로써 상기 액류를 생성하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 처리액 방출구는, 상방에서 보았을 때 상기 기포 방출구의 측방에 배치되는, 기판 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 처리액 방출구는, 상기 기포 방출구의 하방에 배치되는, 기판 처리 장치.
  7. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기포 방출구는, 가로 방향으로 개구되는, 기판 처리 장치.
  8. 제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 관부는,
    상기 제 1 관부의 내부에 대향하는 내면과,
    상기 제 1 관부의 외부에 대향하는 외면을 갖고,
    상기 기포 방출구는,
    상기 외면에 형성되는 외측 개구와,
    상기 내면에 형성되고, 상기 외측 개구에 연통되는 내측 개구를 갖고,
    상기 외측 개구의 개구 면적 쪽이, 상기 내측 개구의 개구 면적보다 작은, 기판 처리 장치.
  9. 저류부에 저류되는 처리액인 저류 처리액에 기판을 침지하여 상기 기판의 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서,
    상기 저류 처리액에 기포를 공급하는 기포 공급부와,
    상기 저류부에 대해 상기 기포 공급부를 이동시키는 이동부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 기포 공급부는, 기체가 흐르는 제 1 관부를 갖고,
    상기 제 1 관부에는, 상기 저류 처리액 내에 배치되는 기포 방출구가 형성되고,
    상기 기포 방출구는, 상기 저류 처리액 내에 상기 기체의 기포를 방출하고,
    상기 이동부는, 상기 저류부에 대해 상기 제 1 관부를 이동시키는, 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 이동부는, 상기 제 1 관부를 진동시키는, 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기포 공급부는, 폴리에테르에테르케톤을 포함하는, 기판 처리 장치.
  13. 저류부에 저류되는 처리액인 저류 처리액에 기판을 침지하여 상기 기판의 처리를 실시하는 기판 처리 방법으로서,
    관부에 형성되는 기포 방출구를 상기 저류 처리액 내에 배치하는 공정과,
    상기 관부에 기체를 흐르게 하는 공정과,
    상기 기체 중 상기 기포 방출구로부터 상기 저류 처리액 내로 융기되는 융기 부분을, 상기 관부의 내부에 존재하는 상기 기체로부터 전단시키기 위한 전단력을 부여하는 공정을 구비하는, 기판 처리 방법.
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