CN108695208B - 基板液处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。基板液处理装置(A1)具备：处理槽(41)，其容纳处理液(43)和基板(8)；气体喷嘴(70)，其在处理槽(41)内的下部喷出气体；以及气体供给部(89)，其向气体喷嘴(70)供给气体，其中，气体喷嘴(70)具有：管状的主体(71)，其以沿着处理槽(41)的底面的方式进行配置；以及喷出孔(77)，其形成为贯通主体(71)的内表面(73)与外表面(74)之间，并且开口面积随着从内表面(73)侧朝向外表面(74)侧而变小。

Description

基板液处理装置
技术领域
本公开涉及一种基板液处理装置。
背景技术
在专利文献1中公开了如下一种湿蚀刻处理装置：具备：溢流槽；泵，其使槽内的蚀刻液循环；加热器，其将槽内的蚀刻液加热到固定温度；温度控制器，其控制该温度；框，其将晶圆盒固定于在槽内的底部内设置的分散板；以及鼓泡器，其利用氮对槽内的蚀刻液进行鼓泡。
专利文献1：日本特开平07-58078号公报
发明内容
发明要解决的问题
期望使多个基板间以及单一基板的面内的基板处理的均匀性进一步提高。上述的鼓泡用的气体的供给状态对处理槽内各部中的处理液的上升速度产生影响，因此对基板处理的均匀性产生影响。作为使气体的供给状态不稳定的原因之一，能够列举出气体供给用的喷嘴的堵塞。
因此，本公开的目的在于提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。
用于解决问题的方案
本公开的一个方面所涉及的基板液处理装置具备：处理槽，其容纳处理液和基板；气体喷嘴，其在处理槽内的下部喷出气体；以及气体供给部，其向气体喷嘴供给气体，其中，气体喷嘴具有：管状的主体，其以沿着处理槽的底面的方式进行配置；以及喷出孔，其形成为贯通主体的内表面与外表面之间，并且开口面积随着从内表面侧朝向外表面侧而变小。
发明的效果
根据本公开，能够提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。
附图说明
图1是示意性地表示基板液处理系统的俯视图。
图2是蚀刻处理装置的示意图。
图3是处理槽的俯视图。
图4是气体喷嘴的放大图。
图5是气体喷嘴的分解。
图6是表示控制部的功能性的结构的框图。
图7是基板处理过程的流程图。
图8是处理液的填充过程的流程图。
图9是喷嘴清洗过程的流程图。
图10是表示浸渍处理过程的流程图。
图11是表示气体供给量的控制过程的流程图。
图12是处理液的排出过程的流程图。
附图标记说明
A1：基板液处理装置；7：控制部；8：基板；36：基板升降机构(输送部)；37：基板升降机构；70、70A、70B、70C：气体喷嘴；89：气体供给部；94：气体加热部；95：排气部；41：处理槽；43：处理液；71：主体；73：内表面；74：外表面；77：喷出孔；72：管中心。
具体实施方式
下面参照附图来详细地说明实施方式。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的标记，省略重复的说明。
如图1所示，基板液处理系统1A具有承载件搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组输送部5、基板组处理部6以及控制部7。
其中，承载件搬入搬出部2进行承载件9的搬入和搬出，该承载件9用于将多张(例如25张)基板(硅晶圆)8以水平姿势上下排列地容纳。
在该承载件搬入搬出部2设置有用于载置多个承载件9的承载件台10、用于进行承载件9的输送的承载件输送机构11、用于暂时保管承载件9的承载件存储部12及13、以及用于载置承载件9的承载件载置台14。在此，承载件存储部12用于在利用基板组处理部6对要成为产品的基板8进行处理之前暂时保管该基板8。另外，承载件存储部13用于在利用基板组处理部6对要成为产品的基板8进行处理后暂时保管该基板8。
而且，承载件搬入搬出部2使用承载件输送机构11将从外部搬入到承载件台10的承载件9输送到承载件存储部12、承载件载置台14。另外，承载件搬入搬出部2使用承载件输送机构11将被载置于承载件载置台14的承载件9输送到承载件存储部13、承载件台10。被输送到承载件台10的承载件9被搬出到外部。
基板组形成部3将容纳于一个或多个承载件9的基板8组合来形成包括同时被处理的多张(例如50张)基板8的基板组。此外，在形成基板组时，既可以使基板8的表面上形成有图案的面彼此相向地形成基板组，也可以使基板8的表面上形成有图案的面全部朝向一个方向地形成基板组。
在该基板组形成部3设置有用于输送多张基板8的基板输送机构15。此外，基板输送机构15能够在基板8的输送中途使基板8的姿势从水平姿势变更成垂直姿势或者从垂直姿势变更成水平姿势。
而且，基板组形成部3使用基板输送机构15将基板8从载置于承载件载置台14的承载件9输送到基板组载置部4，将形成基板组的基板8载置到基板组载置部4。另外，基板组形成部3利用基板输送机构15将载置于基板组载置部4的基板组向载置于承载件载置台14的承载件9输送。此外，基板输送机构15具有用于支承处理前(利用基板组输送部5输送之前)的基板8的处理前基板支承部和用于支承处理后(利用基板组输送部5输送之后)的基板8的处理后基板支承部这两种基板支承部来作为用于支承多张基板8的基板支承部。由此，防止附着于处理前的基板8等的微粒等转附到处理后的基板8等。
基板组载置部4将要利用基板组输送部5在基板组形成部3与基板组处理部6之间输送的基板组暂时载置(待机)于基板组载置台16。
在该基板组载置部4设置有用于载置处理前(利用基板组输送部5输送之前)的基板组的搬入侧基板组载置台17和用于载置处理后(利用基板组输送部5输送之后)的基板组的搬出侧基板组载置台18。1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地载置于搬入侧基板组载置台17以及搬出侧基板组载置台18。
而且，在基板组载置部4中，利用基板组形成部3形成的基板组被载置于搬入侧基板组载置台17，经由基板组输送部5向基板组处理部6搬入该基板组。另外，在基板组载置部4中，从基板组处理部6经由基板组输送部5搬出的基板组被载置于搬出侧基板组载置台18，向基板组形成部3输送该基板组。
基板组输送部5在基板组载置部4与基板组处理部6之间、基板组处理部6的内部之间进行基板组的输送。
在该基板组输送部5设置有进行基板组的输送的基板组输送机构19。基板组输送机构19包括沿着基板组载置部4和基板组处理部6配置的轨道20以及一边保持多张基板8一边沿着轨道20移动的移动体21。用于保持以垂直姿势前后排列的多张基板8的基板保持体22以进退自如的方式设置于移动体21。
而且，基板组输送部5利用基板组输送机构19的基板保持体22接收被载置于搬入侧基板组载置台17的基板组，将该基板组向基板组处理部6交接。另外，基板组输送部5利用基板组输送机构19的基板保持体22接收利用基板组处理部6处理后的基板组，将该基板组向搬出侧基板组载置台18交接。并且，基板组输送部5使用基板组输送机构19在基板组处理部6的内部进行基板组的输送。
基板组处理部6将以垂直姿势前后排列的多张基板8作为1个基板组进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
在该基板组处理部6中排列设置有进行基板8的干燥处理的干燥处理装置23、进行基板保持体22的清洗处理的基板保持体清洗处理装置24、进行基板8的清洗处理的清洗处理装置25以及进行基板8的蚀刻处理的两台基于本发明的蚀刻处理装置(基板液处理装置)1。
干燥处理装置23具有处理槽27以及升降自如地设置于处理槽27的基板升降机构28。干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)被供给到处理槽27。1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构28。干燥处理装置23利用基板升降机构28从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构28使该基板组升降，由此利用供给到处理槽27的干燥用的处理气体进行基板8的干燥处理。另外，干燥处理装置23将基板组从基板升降机构28向基板组输送机构19的基板保持体22交接。
基板保持体清洗处理装置24具有处理槽29，使得能够向该处理槽29供给清洗用的处理液和干燥气体，在向基板组输送机构19的基板保持体22供给清洗用的处理液之后，供给干燥气体，由此进行基板保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，基板升降机构32、33以升降自如的方式设置于各处理槽30、31。在清洗用的处理槽30中贮存清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽31中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
蚀刻处理装置1具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，基板升降机构36、37以升降自如的方式设置于各处理槽34、35。在蚀刻用的处理槽34中贮存蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。在冲洗用的处理槽35中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
这些清洗处理装置25和蚀刻处理装置1为同样的结构。对蚀刻处理装置(基板液处理装置)1进行说明，1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构36。在蚀刻处理装置1中，利用基板升降机构36从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构36使该基板组升降，由此使基板组浸在处理槽34的蚀刻用的处理液中来进行基板8的蚀刻处理。之后，蚀刻处理装置1将基板组从基板升降机构36交接到基板组输送机构19的基板保持体22。另外，利用基板升降机构37从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构37使该基板组升降，由此使基板组浸在处理槽35的冲洗用的处理液中来进行基板8的冲洗处理。之后，将基板组从基板升降机构37交接到基板组输送机构19的基板保持体22。
控制部7控制基板液处理系统1A的各部(承载件搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组输送部5、基板组处理部6、蚀刻处理装置1)的动作。
该控制部7例如包括计算机，具备计算机可读取的存储介质38。在存储介质38中保存有对在基板液处理装置1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部7通过读出并执行存储介质38中存储的程序来控制基板液处理装置1的动作。此外，程序既可以是存储于计算机可读取的存储介质38的程序，也可以是从其它存储介质安装到控制部7的存储介质38中的程序。作为计算机可读取的存储介质38，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
〔基板液处理装置〕
接着，对基板液处理系统1A包括的基板液处理装置A1详细地进行说明。如图2和图3所示，基板液处理装置A1具备蚀刻处理装置1、基板升降机构36(输送部)和控制部7。
(蚀刻处理装置)
蚀刻处理装置1具备液处理部40、处理液供给部44、处理液排出部67、多个(例如六个)气体喷嘴70、气体供给部89、气体加热部94、排气部95以及液位传感器80。
液处理部40为对基板8执行液处理(蚀刻处理)的部分，并且包括处理槽41、外槽42和处理液43。
处理槽41容纳处理液43和基板8。作为处理液43的具体例，能够列举出磷酸水溶液。处理槽41的上部开放，因此能够使基板8从上方浸渍于处理槽41内的处理液43中。如后述的那样，圆形的基板8以立起的状态配置于处理槽41内。下面，将与高度方向正交并且沿着处理槽41内的基板8的方向称作“宽度方向”，将与高度方向和宽度方向正交的方向(即处理槽41内的基板8的厚度方向)称作“深度方向”。
处理槽41的底面中的、宽度方向上的两侧部分随着朝向外侧而变高。由此，处理槽41内的内角部与基板8的外周之间的死区小，从而难以产生处理液43的滞留。
外槽42设置为包围处理槽41，并且容纳从处理槽41溢出的处理液。
处理液供给部44向处理槽41内供给处理液43。例如处理液供给部44包括处理液供给源45、流量调节器46、纯水供给源47、流量调节器48、处理液循环部49和浓度测量部55。
处理液供给源45向外槽42供给处理液43。流量调节器46设置于从处理液供给源45到外槽42的处理液的流路，并且进行该流路的开闭和开度调节。
纯水供给源47向外槽42供给纯水。该纯水用于补充由于处理液43的加热而蒸发的水分。流量调节器48设置于从纯水供给源47到外槽42的纯水的流路，并且进行该流路的开闭和开度调节。
处理液循环49将外槽42内的处理液43送到处理槽41内的下部。例如，处理液循环部49包括循环流路51、供给泵52、过滤器53和加热器54以及多个(例如三个)处理液喷嘴50。
处理液喷嘴50设置于外槽42内的下部，并且向处理槽41内喷出处理液43。多个处理液喷嘴50沿宽度方向排列在相同高度上，并且分别沿深度方向延伸。
循环流路51将处理液从外槽42引导向多个处理液喷嘴50。循环流路51的一端部与外槽42的底部连接。循环流路51的另一端部分支为多个并且分别与多个处理液喷嘴50连接。
供给泵52、过滤器53和加热器54依次从上游侧(外槽42侧)向下游侧(处理液喷嘴50侧)排列设置于循环流路51。供给泵52将处理液43从上游侧加压输送向下游侧。过滤器53去除混入到处理液43中的微粒。加热器54将处理液43加热到设定温度。设定温度例如设定为处理液43的沸点附近的值。
浓度测量部55测量处理液43的浓度。例如浓度测量部55具有测量用流路56、开闭阀57、59、浓度传感器58、清洗流体供给部60以及清洗流体排出部64。
测量用流路56在加热器54与处理液喷嘴50之间从循环流路51分支出来，取出处理液43的一部分使其向外槽42回流。开闭阀57、59依次从上游侧(循环流路51侧)向下游侧(外槽42侧)排列于测量用流路56，分别对测量用流路56进行开闭。浓度传感器58设置于测量用流路56中的开闭阀57、59之间，测量流经测量用流路56的处理液43的浓度(例如磷酸浓度)。
清洗流体供给部60向浓度传感器58供给清洗用的流体(例如纯水)。例如，清洗流体供给部60具有清洗流体供给源61、供给流路62和开闭阀63。清洗流体供给源61为清洗用的流体的供给源。供给流路62从清洗流体供给源61向浓度传感器58供给清洗用的流体。供给流路62的一端部与清洗流体供给源61连接，供给流路62的另一端部连接于开闭阀57与浓度传感器58之间。开闭阀63对供给流路62进行开闭。
清洗流体排出部64排出清洗用的流体。例如清洗流体排出部64具有排出流路65和开闭阀66。排出流路65导出通过了浓度传感器58的清洗用的流体。排出流路65的一端部连接于浓度传感器58与开闭阀59之间，排出流路65的另一端部与基板液处理系统1A的排液管(未图示)连接。开闭阀66对排出流路65进行开闭。
处理液排出部67从处理槽41内排出处理液43。例如处理液排出部67具有排液流路68和开闭阀69。排液流路68导出处理槽41内的处理液。排液流路68的一端部与处理槽41的底部连接，排液流路68的另一端部与基板液处理系统1A的排液管(未图示)连接。开闭阀69对排液流路68进行开闭。
多个气体喷嘴70在处理槽41内的下部喷出非活性气体(例如N2气体)。多个气体喷嘴70在比处理液喷嘴50靠下的位置沿宽度方向排列并且分别沿深度方向延伸。各气体喷嘴70的高度随着其配置位置远离宽度方向的中心而变高。
多个气体喷嘴70也可以沿着与基板8同心的圆弧排列。所谓沿着上述圆弧排列不仅包括各气体喷嘴70位于该圆弧上的情况，也包括一部分的气体喷嘴70在规定范围内从该圆弧偏离的情况。只要与多个气体喷嘴70位于相同高度的情况相比从各气体喷嘴70到基板8的中心的距离的均匀性变高，则上述规定范围能够任意地进行设定。
例如，多个气体喷嘴70包括在宽度方向上位于最内侧的一对气体喷嘴70A、位于比一对气体喷嘴70A靠外侧的位置的一对气体喷嘴70B、以及位于进一步比一对气体喷嘴70B靠外侧的位置的一对气体喷嘴70C。气体喷嘴70B、70B位于比气体喷嘴70A、70A靠上的位置，气体喷嘴70C、70C位于比气体喷嘴70B、70B靠上的位置。气体喷嘴70A、70A、70B、70B、70C、70C以沿着与基板8同心的圆弧的方式排列。
此外，气体喷嘴70的数量和配置能够适当地进行变更。多个气体喷嘴70也可以配置于相同高度。
如图4所示，气体喷嘴70具有：管状(例如圆管状)的主体71，其配置为沿着处理槽41的底面沿深度方向延伸；以及至少一个喷出孔77，其形成为贯通主体71的内表面73与外表面74之间。例如气体喷嘴70具有沿深度方向排列的多个喷出孔77。主体71例如由石英形成。主体71也可以代替石英而由不含有硅的材料形成。作为不含有硅的材料的具体例，能够列举出聚醚醚酮(PEEK)、聚四氟乙烯(PTFE)等树脂材料。
各喷出孔77设置于主体71的下部。喷出孔77也可以设置于从主体71的管中心72的铅垂下方偏离的位置。在该情况下，喷出孔77的位置也可以设定成包括主体71的管中心72的铅垂的虚拟平面75不通过喷出孔77内。喷出孔77的中心也可以位于主体71的绕管中心72相对于铅垂下方±10°的范围76内。
对于喷出孔77从管中心72的铅垂下方偏离的方向没有限制。例如，喷出孔77向图示右侧偏离，但也可以向图示左侧偏离。另外，向图示右侧偏离的喷出孔77和向图示左侧偏离的喷出孔77也可以沿深度方向呈交错状排列。
喷出孔77形成为开口面积随着从主体71的内表面73侧朝向外表面74侧而变小。如图5例示的那样，具有这样的喷出孔77的气体喷嘴70能够通过在对半管状的两个部件78、79中的一个从内表面侧进行喷出孔77的加工之后通过焊接或熔接等使部件78、79一体化来形成。像这样形成喷出孔77对于防止由于处理液的成分粘着于喷出孔77的内表面而引起的气体喷嘴70的堵塞(喷出孔77的堵塞)是有效的。此外，喷出孔77也可以形成为开口面积随着从主体71的内表面73侧朝向外表面74侧而变大。像这样形成喷出孔77对于多个基板8间的基板处理的均匀性(在喷出孔77的内表面没有粘着有处理液的成分的状态下的均匀性)提高是有效的。
返回图2和图3，气体供给部89向气体喷嘴70供给上述非活性气体。例如，气体供给部89包括气体供给源90、供给流路91、开闭阀92和流量调节器93。
气体供给源90为非活性气体的供给源。供给流路91从气体供给源90向气体喷嘴70引导非活性气体。开闭阀92对供给流路91进行开闭。流量调节器93在开闭阀92与气体供给源90之间调节供给流路91的开度来调节非活性气体的流量。
供给流路91、开闭阀92和流量调节器93也可以按气体喷嘴70的配置高度进行设置。例如，气体供给源90包括：供给流路91A、91B、91C；开闭阀92A、92B、92C；以及流量调节器93A、93B、93C。供给流路91A从气体供给源90向气体喷嘴70A、70A的一端部引导非活性气体。供给流路91B从气体供给源90向气体喷嘴70B、70B的一端部引导非活性气体。供给流路91C从气体供给源90向气体喷嘴70C、70C的一端部引导非活性气体。开闭阀92A、92B、92C分别对供给流路91A、91B、91C进行开闭。流量调节器93A、93B、93C分别调节供给流路91A、91B、91C的开度。
气体加热部94将由气体供给源90要向气体喷嘴70供给的非活性气体加热到设定温度。设定温度例如设定为处理液43的沸点附近的值。例如，气体加热部94设置于供给流路91。在图示中，气体加热部94设置于供给流路91A、91B、91C在气体供给源90侧合流后的部分，但不限于此。气体加热部94也可以按供给流路91A、91B、91C进行设置。
排气部95使气体喷嘴70的主体71的内压下降。例如，排气部95包括减压流路96和减压阀97。减压流路96在开闭阀92与气体喷嘴70之间从供给流路91分支出来，并且导出供给流路91内的气体。减压阀97对减压流路96进行开闭。
此外，排气部95也可以还包括强制排气用的泵。减压流路96和减压阀97也可以按气体喷嘴70的配置高度进行设置。例如排气部95包括减压流路96A、96B、96C和减压阀97A、97B、97C。减压流路96A在开闭阀92A与气体喷嘴70A之间从供给流路91A分支出来，导出供给流路91A内的气体。减压流路96B在开闭阀92B与气体喷嘴70B之间从供给流路91B分支出来，导出供给流路91B内的气体。减压流路96C在开闭阀92C与气体喷嘴70C之间从供给流路91C分支出来，导出供给流路91C内的气体。减压阀97A、97B、97C分别对减压流路96A、96B、96C进行开闭。
液位传感器80获取与处理液43中包含的气体的量(以下称作“处理液43的气体含有量”。)有关的信息。例如液位传感器80为气泡式液位计，包括气泡管81、加压气体供给源83、气体线84、吹扫套件82、检测线85、第一检测器86A和第二检测器86B。
气泡管81插入到处理槽41内的处理液中，其端部位于处理槽41的底部附近。加压气体供给源83为液位测量用的非活性气体(以下称作“测量用气体”。)的供给源。气体线84从加压气体供给源83向气泡管81引导测量用气体。被导入气泡管81的测量用气体从气泡管81的端部向处理槽41内的处理液中放出。
吹扫套件82对气体线84的内压进行调节以使从气泡管81放出的测量气体的放出量固定。此外，所谓固定是指实质上的固定，是指以规定值为基准处于容许范围内的状态。
检测线85将气泡管81与吹扫套件82之间的气体线84的内压传递到第一检测器86A和第二检测器86B。检测线85的一端部在气泡管81与吹扫套件82之间与气体线84连接，检测线85的另一端部分支为两个来分别与第一检测器86A和第二检测器86B连接。
第一检测器86A和第二检测器86B检测由检测线85传递的压力。第一检测器86A和第二检测器86B的检测范围彼此不同。第一检测器86A的检测范围设为从处理槽41内的处理液43的液位(液面的位置)为最低位(处理槽41为空的状态)时的压力到该液位为最高位(处理液43从处理槽41溢出的状态)时的压力的范围。第二检测器86B的检测范围设为处理槽41内的处理液43的液位处于最高位时的、与处理液43的气体含有量相应的压力的变动范围的最小值到最大值的范围。
在处理液43的液位保持为最高位的状态下，第二检测器86B的检测值主要根据处理液43的气体含有量而变动。即，在处理液43的液位保持为最高位的状态下，第二检测器86B的检测值实质上与处理液43的气体含有量相关。另一方面，第一检测器86A的检测范围比第二检测器86B的检测范围大，因此第一检测器86A的压力检测值针对处理液43的气体含有量的变动实质上是不敏感的。因此，第一检测器86A的检测值实质上与处理液43的液位相关。通过以上，通过组合使用第一检测器86A和第二检测器86B能够得到与处理液43的气体含有量有关的信息。即，在第一检测器86A的检测值示出处理液43的液位保持为最高位时，获取第二检测器86B的检测值，由此能够得到与处理液43的气体含有量有关的信息。
(基板升降机构)
基板升降机构36将基板8浸渍于处理槽41内的处理液43中。例如基板升降机构36将立起的多个基板8以沿着厚度方向排列的状态下浸渍于处理液43中。
更具体地说，基板升降机构36具有多个支承臂87和升降部88。多个支承臂87沿宽度方向将立起的多个基板8以沿深度方向排列的状态支承。多个支承臂87沿宽度方向排列，分别沿深度方向延伸。各支承臂87具有沿深度方向排列的多个槽87a。槽87a为沿宽度方向朝向上方开口的槽状部分，接受立起的基板8的下部。
升降部88使多个支承臂87在将多个基板8浸渍于处理液43内的高度与使多个基板8位于比处理液43的液面靠上的位置的高度之间升降。
(控制部)
控制部7构成为执行以下控制：控制处理液供给部44，使得向处理槽41供给处理液43直到液面从气体喷嘴70的下方的第一高度H1(例如处理槽41的底面中的最低部分的高度)上升到能够浸渍基板8的第二高度H2(例如处理槽41的上端面的高度)为止；控制基板升降机构36，使得在液面处于第二高度H2以上的状态下将基板8浸渍于处理液43中；控制处理液排出部67，使得从处理槽41排出处理液43直到液面从第二高度H2下降到第一高度H1为止；以及控制气体供给部89，使得在液面从第一高度H1上升到第二高度H2的中途增加气体的供给量，并且在液面从第二高度H2下降到第一高度H1的中途减少气体的供给量。
控制部7也可以构成为还执行以下控制：控制排气部95，使得主体71的内压下降到能够向气体喷嘴70的主体71内吸引处理液43的压力；以及控制气体供给部89，使得主体71的内压上升到能够排出控制主体71内的处理液43的压力。
另外，控制部7构成为根据基板8之间的间隔、开始基板8的浸渍后的经过时间以及气体喷嘴70的配置位置中的至少一项来改变从气体供给部89向气体喷嘴70供给的气体的供给量。
控制部7既可以构成为还执行以下控制：控制气体供给部89，使得通过气体的供给量的调节来使处理液43的气体含有量接近目标值，也可以在根据基板8之间的间隔以及开始基板8的浸渍后的经过时间中的至少一方来改变气体的供给量时通过改变该目标值来改变气体的供给量。
图6是例示控制部7的功能性的结构的框图。如图6所示，控制部7具有液供给控制部111、排液控制部112、浸渍控制部113、气体供给控制部114、清洗控制部118以及制程存储部119来作为功能上的结构(以下称作“功能模块”。)。
制程存储部119存储为了确定处理内容而预先设定的各种参数。
液供给控制部111控制处理液供给部44，使得向处理槽41供给处理液43直到液面从上述第一高度H1上升到上述第二高度H2为止。以下将该控制称作“处理液43的填充控制”。
浸渍控制部113控制基板升降机构36，使得在液面处于第二高度H2以上的状态下使基板8浸渍于处理液43中。以下将该控制称作“基板8的浸渍控制”。
排液控制部112控制处理液排出部67，使得从处理槽41排出处理液43直到液面从第二高度H2下降到第一高度H1为止。以下将该控制称作“处理液43的排出控制”。
气体供给控制部114具有开/关控制部115、目标值设定部116和追随控制部117来作为进一步细分化的功能模块。
开/关控制部115控制气体供给部89，使得在液面从第一高度H1上升到第二高度H2的中途增加气体的供给量，并且在液面从第二高度H2下降到第一高度H1的中途减少气体的供给量。控制气体供给部89使得增加气体的供给量包括控制气体供给部89使得开闭阀92从闭状态变为开状态来开始气体的供给。控制气体供给部89使得减少气体的供给量包括控制气体供给部89使得开闭阀92从开状态变为闭状态来停止气体的供给。
开/关控制部115也可以控制气体供给部89，使得在要从第一高度H1上升到第二高度H2的液面达到气体喷嘴70的喷出孔77之前开始气体的供给，并且在要从第二高度H2下降到第一高度H1的液面通过了喷出孔77之后停止气体的供给。
另外，开/关控制部115也可以按高度不同的气体喷嘴70来执行以下控制：控制气体供给部89，使得在要从第一高度H1上升到第二高度H2的液面达到气体喷嘴70的喷出孔77之前开始气体的供给，并且在要从第二高度H2下降到第一高度H1的液面通过了喷出孔77之后停止气体的供给。例如，开/关控制部115控制气体供给部89，使得在要从第一高度H1上升到第二高度H2的液面达到气体喷嘴70A的喷出孔77之前开闭阀92A从闭状态变为开状态，在该液面达到气体喷嘴70B的喷出孔77之前开闭阀92B从闭状态变为开状态，在该液面达到气体喷嘴70C的喷出孔77之前开闭阀92C从闭状态变为开状态。之后，开/关控制部115控制气体供给部89，使得在要从第二高度H2下降到第一高度H1液面通过了气体喷嘴70C的喷出孔77之后开闭阀92C从开状态变为闭状态，在该液面通过了气体喷嘴70B的喷出孔77之后开闭阀92B从开状态变为闭状态，在该液面通过了气体喷嘴70A的喷出孔77之后开闭阀92C从开状态变为闭状态。
开/关控制部115也可以针对高度不同的气体喷嘴70同时执行以下控制：控制气体供给部89，使得在要从第一高度H1上升到第二高度H2的液面达到气体喷嘴70的喷出孔77之前开始气体的供给，在要从第二高度H2下降到第一高度H1的液面通过了喷出孔77之后停止气体的供给。在该情况下，开/关控制部115也可以控制气体供给部89，使得在要从第一高度H1上升到第二高度H2的液面达到最低位的气体喷嘴70(气体喷嘴70A)的喷出孔77之前开始向所有的气体喷嘴70供给气体，在要从第二高度H2下降到第一高度H1的液面通过了最低位的气体喷嘴70的喷出孔77之后停止向所有的气体喷嘴70供给气体。
目标值设定部116根据基板8之间的间隔以及开始基板8的浸渍后的经过时间中的至少任一项来设定处理液43的气体含有量的目标值。例如，目标值设定部116从浸渍控制部113获取上述经过时间，根据该经过时间来改变处理液43的气体含有量的目标值。更具体地说，目标值设定部116可以使上述经过时间成为规定的定时前后的处理液43的气体含有量的目标值不同。预先设定上述定时和该定时前后的目标值，并且存储在制程存储部119中，目标值设定部116从制程存储部119获取这些信息。
也可以在制程存储部119中存储根据基板8之间的间隔而不同的目标值。在该情况下，目标值设定部116根据基板8之间的间隔来改变目标值。此外，根据基板升降机构36的支承臂87支承的基板8的张数来确定基板8之间的间隔。支承臂87支承的基板8的张数是根据针对基板8的蚀刻处理的条件来恰当地设定的。例如，在无法忽略相邻的基板8中的一方的溶出物对另一方基板的蚀刻处理带来的影响的情况下，需要减少支承臂87支承的基板8的张数来空出一部分的槽87a，从而增大基板8之间的间隔。
追随控制部117控制气体供给部89，使得通过气体的供给量的调节来使处理液43的气体含有量接近上述目标值。此时，追随控制部117可以根据气体喷嘴70的配置位置来改变从气体供给部89向气体喷嘴70供给的气体的供给量。例如，追随控制部117可以根据以上述宽度方向的中心为基准的气体喷嘴70的位置来改变从气体供给部89向气体喷嘴70供给的气体的供给量。即，追随控制部117既可以随着气体喷嘴70的配置位置远离上述宽度方向的中心而加大从气体供给部89向气体喷嘴70供给的气体的供给量，也可以随着气体喷嘴70的配置位置远离上述宽度方向的中心而减少从气体供给部89向气体喷嘴70供给的气体的供给量。更具体地说，追随控制部117可以使流量调节器93A、93B、93C的开度不同以使向气体喷嘴70A、70B、70C供给的气体的供给量不同。
清洗控制部118执行以下控制：控制排气部95，使得主体71的内压下降到能够向气体喷嘴70的主体71内吸引处理液43的压力；以及控制气体供给部89，使得主体71的内压上升到能够排出主体71内的处理液43的压力。以下将该控制称作“气体喷嘴70的清洗控制”。清洗控制部118既可以在液面从第一高度H1上升到第二高度H2之后且基板8浸渍于处理液43中之前执行气体喷嘴70的清洗控制，也可以在基板8浸渍于处理液43中之后且液面从第二高度H2向第一高度H1下降之前执行气体喷嘴70的清洗控制。
〔基板液处理方法〕
接着来说明控制部7执行的控制过程来作为基板液处理方法的一例。如图7所示，控制部7首先执行步骤S01。步骤S01包括上述的处理液43的填充控制。更详细的过程在后面叙述。接着，控制部7执行步骤S02。步骤S02包括上述的气体喷嘴70的清洗控制。更详细的过程在后面叙述。接着，控制部7执行步骤S03。步骤S03包括上述的基板8的浸渍控制。更详细的过程在后面叙述。接着，控制部7执行步骤S04。步骤S04包括上述的处理液43的排出控制。更详细的过程在后面叙述。
接着，控制部7执行步骤S05。步骤S05包括确认所有基板组的液处理是否完成。在步骤S05中判定为残留有液处理未完成的基板组的情况下，控制部7使过程返回步骤S01。之后，重复处理液43的填充控制、气体喷嘴70的清洗控制、基板8的浸渍控制以及处理液43的排出控制直到所有基板组的液处理完成为止。在步骤S05中判定为所有基板组的液处理完成的情况下，控制部7完成蚀刻处理装置1的控制。
在图7的例子中，控制部7在处理液43的填充控制之后且基板8的浸渍控制之前执行气体喷嘴70的清洗控制，但不限于此。例如，控制部7也可以在基板8的浸渍控制之后且处理液43的排出控制之前执行气体喷嘴70的清洗控制。此外，相比于清洗处理装置25中的处理，在蚀刻处理装置1中的处理中将基板8浸渍于处理液中时溶出硅多。由此，在处理槽34的硅浓度高的情况下，如图7的例子所示那样在处理槽41的填充控制之后且基板8的浸渍控制之前执行气体喷嘴70的清洗控制是优选的。
另外，在图7的例子中，控制部7按1个基板组的处理来执行处理液的填充控制、气体喷嘴70的清洗控制、处理液的排出控制，但不限于此，也可以按多个基板组来执行处理液的填充控制、气体喷嘴70的清洗控制以及处理液的排出控制。
(处理液的填充过程)
接着来说明上述步骤S01中的处理液43的填充控制的详细的过程。如图8所示，控制部7首先执行步骤S11。在步骤S11中，液供给控制部111控制处理液供给部44，使得开始向处理槽41填充处理液43。例如，液供给控制部111控制处理液供给部44，使得在处理槽41为空且开闭阀69关闭的状态下打开流量调节器46来开始向外槽42内供给处理液43，使供给泵52驱动来开始从外槽42向处理槽41送液。
接着，控制部7执行步骤S12。在步骤S12中，开/关控制部115待机针对接下来应该打开的开闭阀92预先设定的开阀时间。开闭阀92的开阀时间被设定为液面达到与该开闭阀92对应的气体喷嘴70的喷出孔77之前的时间，并且存储于制程存储部119中。开闭阀92的开阀时间根据对应的气体喷嘴70的高度而不同，气体喷嘴70越高则时间越长。
接着，控制部7执行步骤S13。在步骤S13中，开/关控制部115控制气体供给部89，使得在步骤S12中经过了开阀时间的开闭阀92从闭状态切换为开状态。
接着，控制部7执行步骤S14。在步骤S14中，开/关控制部115确认是否打开了所有的气体喷嘴70的开闭阀92。
在步骤S14中，在判定为残留有未打开的开闭阀92的情况下，控制部7使过程返回步骤S12。之后，控制部7重复待机开阀时间和开闭阀92的开放直到所有的开闭阀92被打开。由此，从低位的气体喷嘴70的开闭阀92起依次打开开闭阀92。更具体地说，在处理液43的液面达到气体喷嘴70A的喷出孔77之前打开开闭阀92A，在通过了气体喷嘴70A的喷出孔77的液面达到气体喷嘴70B的喷出孔77之前打开开闭阀92B，在通过了气体喷嘴70B的喷出孔77的液面达到气体喷嘴70C的喷出孔77之前打开开闭阀92C。
在步骤S14中判定为所有的开闭阀92被打开的情况下，控制部7执行步骤S15。在步骤S15中，液供给控制部111待机直到经过预先设定的填充时间为止。填充时间设定为处理液43的液面达到第二高度H2的时间之后，并且存储于制程存储部119中。
接着，控制部7执行步骤S16。在步骤S16中，液供给控制部111开始处理液43的循环控制。处理液43的循环控制包括控制处理液供给部44，使得通过持续驱动供给泵52来使从处理槽41溢出到外槽42的处理液43回流到处理槽41的下部。在该循环控制中，液供给控制部111也可以执行以下控制：控制处理液供给部44，使得根据由浓度传感器58检测出的处理液43的浓度来调节纯水用的流量调节器48的开度。通过以上，上述步骤S01完成。
(气体喷嘴的清洗过程)
接着，说明上述步骤S02中的气体喷嘴70的清洗控制的详细的过程。如图9所示，控制部7首先执行步骤S21。在步骤S21中，清洗控制部118控制气体供给部89，使得关闭开闭阀92来中断向气体喷嘴70的气体的供给。
接着，控制部7执行步骤S22。在步骤S22中，清洗控制部118控制排气部95，使得主体71的内压下降到能够向气体喷嘴70的主体71内吸引处理液43的压力。例如，清洗控制部118控制排气部95，使得减压阀97从闭状态变为开状态。
接着，控制部7执行步骤S23。在步骤S23中，清洗控制部118待机预先设定的减压时间。减压时间被设定为使适于清洗的量的处理液43吸引到主体71内的时间，并且存储于制程存储部119中。
接着，控制部7执行步骤S24。在步骤S24中，清洗控制部118控制排气部95，使得停止主体71内的减压。例如，清洗控制部118控制排气部95，使得减压阀97从开状态变为闭状态。
接着，控制部7执行步骤S25。在步骤S25中，清洗控制部118待机预先设定的清洗时间。清洗时间被设定为能够充分得到被吸引到主体71内的处理液43的清洗效果的时间，并且存储于制程存储部119中。
接着，控制部7执行步骤S26。在步骤S26中，清洗控制部118控制气体供给部89，使得主体71的内压上升到能够排出主体71内的处理液43的压力。例如，清洗控制部118控制气体供给部89，使得打开开闭阀92来再次开始向气体喷嘴70供给气体。
接着，控制部7执行步骤S27。在步骤S27中，清洗控制部118待机预先设定的排液时间。排液时间被设定为能够充分地排出被吸引到主体71内的处理液43的时间，并且存储于制程存储部119中。通过以上完成上述步骤S02。
(基板的浸渍过程)
接着，对上述步骤S03中的基板8的浸渍控制的详细的过程进行说明。如图10所示，控制部7首先执行步骤S31。在步骤S31中，浸渍控制部113控制基板升降机构36，使得多个支承臂87从使多个基板8位于比处理液43的液面靠上的位置的高度下降到将该多个基板8浸在处理液43内的高度。
接着，控制部7执行步骤S32。在步骤S32中，浸渍控制部113待机直到经过预先设定的处理时间为止。处理时间根据所需的蚀刻的程度来设定，并且存储于制程存储部119中。
接着，控制部7执行步骤S33。在步骤S33中，浸渍控制部113控制基板升降机构36，使得多个支承臂87从将多个基板8浸渍于处理液43内的高度上升到使该多个基板8位于比处理液43的液面靠上的位置的高度。通过以上，上述步骤S03完成。
(基板的浸渍中的气体供给部的控制过程)
控制部7将基于气体供给部89的气体的供给量的控制与基板8的浸渍控制并行地执行。以下来说明气体的供给量的控制过程。如图11所示，控制部7首先执行步骤S41。在步骤S41中，目标值设定部116从制程存储部119获取处理液43的气体含有量的目标值。
如上述的那样，也可以在制程存储部119中存储根据基板8之间的间隔而不同的目标值。在该情况下，目标值设定部116根据基板8之间的间隔来改变目标值。
接着，控制部7执行步骤S42。在步骤S42中，追随控制部117从液位传感器80获取与处理液43的气体含有量有关的信息。
接着，控制部7执行步骤S43。在步骤S43中，追随控制部117设定从气体供给部89向气体喷嘴70供给的气体的供给量，使得处理液43的气体含有量接近目标值。例如，追随控制部117基于在步骤S42中获取到的信息来计算处理液43的气体含有量的当前值，计算目标值与当前值之间的偏差，对该偏差实施比例运算、比例/积分运算、或比例/积分/微分运算来计算流量调节器93的开度。
追随控制部117也可以根据气体喷嘴70的配置位置来改变从气体供给部89向气体喷嘴70供给的气体的供给量。例如，追随控制部117可以根据以上述宽度方向的中心为基准的气体喷嘴70的位置来改变与该气体喷嘴70对应的流量调节器93的开度设定值。即，追随控制部117既可以随着气体喷嘴70的配置位置远离上述宽度方向的中心而增大流量调节器93的开度设定值，也可以随着气体喷嘴70的配置位置远离上述宽度方向的中心而减小流量调节器93的开度设定值。更具体地说，追随控制部117也可以使流量调节器93A、93B、93C的开度不同来使向气体喷嘴70A、70B、70C供给的气体的供给量不同。
接着，控制部7执行步骤S44。在步骤S44中，追随控制部117控制气体供给部89，使得根据经由步骤S43设定的开度设定值来调节流量调节器93的开度。
接着，控制部7执行步骤S45。在步骤S45中，目标值设定部116确认开始基板8的浸渍后的经过时间是否达到了目标值的变更定时。目标值设定部116从浸渍控制部113获取经过时间的信息，从制程存储部119获取目标值的变更定时的信息。
在步骤S45中判定为经过时间达到了目标值的变更定时的情况下，控制部7执行步骤S46。在步骤S46中，目标值设定部116变更处理液43的气体含有量的目标值。例如，目标值设定部116从制程存储部119获取变更定时以后的处理液43的气体含有量的目标值。
接着，控制部7执行步骤S47。在步骤S45中判断为经过时间没有达到目标值的变更定时的情况下，控制部7不执行步骤S46而执行步骤S47。在步骤S47中，目标值设定部116确认基板8的浸渍是否完成。目标值设定部116从浸渍控制部113获取表示基板8的浸渍是否完成的信息。
在步骤S47中判定为基板8的浸渍没有完成的情况下，控制部7使过程返回步骤S42。之后，重复使处理液43的气体含有量接近目标值的控制和根据经过时间变更目标时间直到基板8的浸渍完成。
在步骤S47中判定为基板8的浸渍完成了的情况下，控制部7完成气体的供给量的控制。
(处理液的排出过程)
接着，对上述步骤S04中的处理液43的排出控制的详细的过程进行说明。如图12所示，控制部7首先执行步骤S51。在步骤S51中，排液控制部112控制处理液供给部44和处理液排出部67，使得开始从处理槽41排出处理液43。例如，排液控制部112在控制处理液供给部44使得关闭流量调节器46和流量调节器48来停止处理液43和纯水的供给之后，控制处理液排出部67使得开闭阀69从闭状态成为开状态来开始从处理槽41排出处理液43。
接着，控制部7执行步骤S52。在步骤S52中，开/关控制部115待机针对接下来应该关闭的开闭阀92预先设定的闭阀时间。开闭阀92的闭阀时间被设定为液面通过与该开闭阀92对应的气体喷嘴70的喷出孔77时以后的时间，并且存储于制程存储部119中。开闭阀92的闭阀时间根据对应的气体喷嘴70的高度而不同，气体喷嘴70越低则时间越长。
接着，控制部7执行步骤S53。在步骤S53中，开/关控制部115控制气体供给部89，使得将在步骤S52中经过了闭阀时间的开闭阀92从开状态切换为闭状态。
接着，控制部7执行步骤S54。在步骤S54中，开/关控制部115确认是否所有的气体喷嘴70的开闭阀92被关闭。
在步骤S54中判定为残留有打开的开闭阀92的情况下，控制部7使过程返回步骤S52。之后，重复待机闭阀时间和开闭阀92的关闭直到所有的开闭阀92被关闭。由此，从高位的气体喷嘴70的开闭阀92起依次关闭开闭阀92。更具体的说，在处理液43的液面通过了气体喷嘴70C的喷出孔77之后关闭开闭阀92C，在通过了气体喷嘴70C的喷出孔77的液面通过了气体喷嘴70B的喷出孔77之后关闭开闭阀92B，在通过了气体喷嘴70B的喷出孔77的液面通过了气体喷嘴70A的喷出孔77之后关闭开闭阀92A。
在步骤S54中判定为所有的开闭阀92被关闭的情况下，控制部7执行步骤S55。在步骤S55中，排液控制部112待机直到经过预先设定的排液时间为止。排液时间被设定为处理液43的液面达到第一高度H1的时间之后，并且存储于制程存储部119中。
接着，控制部7执行步骤S56。在步骤S56中，排液控制部112控制处理液供给部44，使得停止供给泵52的驱动，控制处理液排出部67，使得关闭开闭阀69。通过以上完成上述步骤S04。
〔本实施方式的效果〕
如以上所说明的那样，基板液处理装置A1具备：处理槽41，其容纳处理液43和基板8；基板升降机构36，其将基板8浸渍于处理槽41内的处理液43中；气体喷嘴70，其在处理槽41内的下部喷出气体；以及气体供给部89，其向气体喷嘴70供给气体，其中，气体喷嘴70具有：管状的主体71，其以沿着处理槽41的底面的方式配置；以及喷出孔77，其形成为贯通主体71的内表面73与外表面74之间，并且开口面积随着从内表面73侧朝向外表面74侧而减小。
在基板液处理装置A1中，在从气体喷嘴70向处理液43内喷出气体时，气体喷嘴70内的压力保持为高的状态，因此处理液43不易进入喷出孔77内。但是，有时在喷出孔77的内表面附近产生气体流的停滞，些许处理液43可能会进入产生停滞的部位(以下称作“停滞部位”。)。存在进入到上述停滞部位的处理液43驻留于该部位最终粘着的担忧。
与此相对，在基板液处理装置A1中，气体喷嘴70的喷出孔77形成为开口面积随着从内表面73侧朝向外表面74侧而变小，因此喷出孔77内的流路成为随着从上游侧朝向下游侧而逐渐变窄的状态。由此，能够抑制喷出孔77的内表面附近处的停滞的产生，因此也能够抑制停滞部位处的处理液43的粘着。因而，对于防止气体喷嘴70的堵塞有效。由此，气体的供给路径长期地保持为固定的状态，因此对于向处理液43供给气体的气体供给状态的稳定化有效。
也可以还具备对向气体喷嘴70供给的气体进行加热的气体加热部94。在该情况下，通过加热后的气体的热能，能够更可靠地抑制处理液43的粘着。此外，如上述的那样，喷出孔77的内表面附近的停滞的产生得到抑制，因此气体的热能高效地传递到喷出孔77的内表面。这也有助于处理液43的粘着抑制。
主体71也可以由不含有硅的材料形成。在该情况下，例如从基板8溶解到处理液43中的含硅成分与主体71之间的亲和性低，因此能够更可靠地抑制处理液43的粘着。
喷出孔77也可以设置于主体71的下部。在该情况下，容易将进入气体喷嘴70内的处理液43排出到气体喷嘴70外。此外，如上述的那样，抑制喷出孔77的内表面附近处的停滞的产生也有助于容易排出处理液43。
基板液处理装置A1也可以还具备控制部7，所述控制部7构成为根据开始向处理液43浸渍基板8后的经过时间来变更气体供给部89供给的气体的供给量。在气体的供给量变动的情况下，与此相应地气体喷嘴70的内压也变动，因此处理液43进入喷出孔77内的进入容易度也变动。因此，可能发生处理液43些微出入喷出孔77内。与此相对，通过如上述的那样抑制喷出孔77的内表面附近处的停滞的产生，能够抑制处理液43残留和粘着于喷出孔77内。
也可以是，基板液处理装置A1还具备使主体71的内压下降的排气部95，控制部7构成为还执行以下控制：控制排气部95，使得主体71的内压下降到能够向主体71内吸引处理液43的压力；以及控制气体供给部89，使得主体71的内压上升到能够排出主体71内的处理液43的压力。在该情况下，能够利用被吸引到气体喷嘴70内的处理液43冲洗气体喷嘴70内的残留物质。如上述的那样，能够抑制喷出孔77的内表面附近处的停滞的产生，因此能够将由被吸引到气体喷嘴70内的处理液冲洗掉的物质更可靠地排出到气体喷嘴70外。
另外，如以上所说明那样，基板液处理装置A1具备：处理槽41，其容纳处理液43和基板8；基板升降机构36，其将基板8浸渍于处理槽41内的处理液43中；处理液供给部44，其向处理槽41内供给处理液43；处理液排出部67，其从处理槽41内排出处理液43；气体喷嘴70，其在处理槽41内的下部喷出气体；气体供给部89，其向气体喷嘴70供给气体；以及控制部7，其构成为执行以下控制：控制处理液供给部44，使得向处理槽41供给处理液43直到液面从气体喷嘴70的下方的第一高度H1上升到能够浸渍基板8的第二高度H2为止；控制基板升降机构36，使得在液面处于第二高度H2以上的状态下将基板8浸渍于处理液43中；控制处理液排出部67，使得从处理槽41排出处理液43直到液面从第二高度H2下降到第一高度H1为止；以及控制气体供给部89，使得在液面从第一高度H1上升到第二高度H2的中途增加气体的供给量，并且在液面从第二高度H2下降到第一高度H1的中途减少气体的供给量。
根据基板液处理装置A1，在通过处理液43的供给而液面从第一高度H1向第二高度H2上升时，在处理液43达到第二高度H2之前增加向气体喷嘴70供给的气体的供给量。由此，抑制处理液进入气体喷嘴70内。在通过处理液43的排出而液面从第二高度H2向第一高度H1下降时，在处理液43达到第一高度H1之前减少向气体喷嘴70供给的气体的供给量。由此，抑制处理液43排出后的气体喷嘴70的过度干燥，从而能够抑制残留于气体喷嘴70的成分的粘着/固定化。因而，向处理液43供给气体的供给路径长期地保持为固定的状态，因此对于向处理液43供给气体的气体供给状态的稳定化有效。
也可以是，气体喷嘴70具有以沿着处理槽41的底面的方式配置的管状的主体71、以及形成为贯通主体71的内表面73与外表面74之间的喷出孔77，控制部7控制气体供给部，使得在要从第一高度H1上升到第二高度H2的液面达到喷出孔77之前增加气体的供给量，并且在要从第二高度H2下降到第一高度H1的液面通过了喷出孔77之后减少气体的供给量。在该情况下，能够进一步抑制处理液43进入气体喷嘴70内。
喷出孔77也可以设置于主体71的下部。在该情况下，容易将进入气体喷嘴70内的处理液43排出到气体喷嘴70外。
主体71也可以为圆管状，喷出孔77也可以设置于从主体71的管中心72的铅垂下方偏离的位置。在该情况下，使来自气体喷嘴70的气泡的上浮方向朝向主体71的一侧集中，从而能够使气泡的扩散状态的稳定性提高。
喷出孔77的位置也可以设定为包括主体71的管中心72的铅垂的虚拟平面75不通过喷出孔77内。在该情况下，能够更可靠地使气泡的上浮方向朝向主体71的一侧集中。
喷出孔77的中心也可以位于绕主体71的管中心72相对于铅垂下方±10°的范围76内。在该情况下，能够实现兼顾来自气体喷嘴70内的处理液的排出性和气泡的扩散状态的稳定性这两者。
基板液处理装置A1也可以还具备使主体71的内压下降的排气部95，控制部7也可以构成为还执行以下控制：控制排气部95，使得主体71的内压下降到能够向主体71内吸引处理液43的压力；以及控制气体供给部89，使得气泡管81的内压上升到能够排出主体71内的处理液43的压力。在该情况下，能够冲洗伴随处理液43进入气体喷嘴70内而残留的物质。
控制部7也可以在液面从第一高度H1上升到第二高度H2之后且基板8浸渍于处理液43中之前执行以下控制：控制排气部95，使得主体71的内压下降到能够向主体71内吸引处理液43的压力；以及控制气体供给部89，使得主体71的内压上升到能够排出主体71内的处理液43的压力。在该情况下，能够抑制由于基板8的浸渍而溶出到处理液43内的物质进入到气体喷嘴70内。
控制部7也可以在基板8浸渍于处理液43中之后且液面从第二高度H2向第一高度H1下降之前执行以下控制：控制排气部95，使得主体71的内压下降到能够向主体71内吸引处理液43的压力；以及控制气体供给部89，使得主体71的内压上升到能够排出主体71内的处理液43的压力。在该情况下，能够抑制来自气体喷嘴70内的排出物混入基板8的浸渍前的处理液43中。
并且，基板液处理装置A1具备：处理槽41，其容纳处理液43和基板8；基板升降机构36，其使立起的多个基板8在沿厚度方向排列的状态下浸渍于处理槽41内的处理液43中；多个气体喷嘴70，其在处理槽41内的下部喷出气体；气体供给部89，其向多个气体喷嘴70供给气体；以及控制部7，其构成为根据基板8之间的间隔、开始基板8的浸渍后的经过时间以及气体喷嘴70的配置位置中的至少一项来改变从气体供给部89向气体喷嘴70供给的气体的供给量。
应该向气体喷嘴70供给的气体的量由于各种因素而变动。尤其是基板8之间的间隔、开始基板8的浸渍后的经过时间以及气体喷嘴70的配置位置均可能成为重大的因素。因此，具备根据基板8之间的间隔、开始基板8的浸渍后的经过时间以及气体喷嘴70的配置位置中的至少一项来设定气体的供给量的控制部7的基板液处理装置A1对于气体的供给量的适当化有效。
控制部7也可以至少根据上述经过时间来改变从气体供给部89向气体喷嘴70供给的气体的供给量。控制部7也可以至少根据基板8之间的间隔来改变从气体供给部89向气体喷嘴70供给的气体的供给量。
基板液处理装置A1也可以还具备获取与处理液43中包含的气体的量有关的信息的液位传感器80，控制部7也可以构成为还执行以下控制：控制气体供给部89，使得通过气体的供给量的调节来使处理液43中包含的气体的量接近目标值，在根据基板8之间的间隔以及开始基板8的浸渍后的经过时间中的至少一项来改变气体的供给量时，通过改变上述目标值来改变从气体供给部89向气体喷嘴70供给的气体的供给量。在该情况下，通过将根据基板8之间的间隔及开始基板8的浸渍后的经过时间中的至少一项来设定气体的供给量的目标值与使气体的供给量追随该目标值的控制一起执行，能够更可靠地使气体的供给量接近适当状态。因而，对于气体的供给量的适当化更有效。
以上，对于实施方式进行了说明，但是本发明未必限定于上述的实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。作为处理对象的基板不限于硅晶圆，例如也可以是玻璃基板、掩模基板、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。另外，将与蚀刻处理装置1有关的结构详细地示出为基板液处理装置A1，但也能够将同样的结构应用于清洗处理装置25。

Claims (10)

1.一种基板液处理装置，具备：
处理槽，其容纳处理液和基板；
气体喷嘴，其在所述处理槽内的下部喷出气体；以及
气体供给部，其向所述气体喷嘴供给所述气体，
其中，所述气体喷嘴具有：管状的主体，其以沿着所述处理槽的底面的方式配置；以及喷出孔，其形成为贯通所述主体的内表面与外表面之间，并且开口面积随着从所述内表面侧朝向所述外表面侧而变小。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
还具备气体加热部，所述气体加热部对向所述气体喷嘴供给的所述气体进行加热。
3.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述主体由不含有硅的材料形成。
4.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述喷出孔设置于所述主体的下部。
5.根据权利要求4所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述主体为圆管状，
所述喷出孔设置于从所述主体的管中心的铅垂下方偏离的位置。
6.根据权利要求5所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述喷出孔的位置被设定成包括所述主体的管中心的铅垂的虚拟平面不通过所述喷出孔内。
7.根据权利要求6所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述喷出孔的中心位于绕所述主体的管中心相对于铅垂下方±10°的范围内。
8.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置，其特征在于，
还具备控制部，所述控制部根据开始所述基板向所述处理液的浸渍后的经过时间来变更由所述气体供给部供给的所述气体的供给量。
9.根据权利要求8所述的基板液处理装置，其特征在于，
还具备使所述主体的内压下降的排气部，
所述控制部构成为还执行以下控制：控制所述排气部，使得所述主体的内压下降到能够向所述主体内吸引所述处理液的压力；以及控制所述气体供给部，使得所述主体的内压上升到能够排出所述主体内的所述处理液的压力。
10.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置，其特征在于，
还具备：排气部，其使所述主体的内压下降；
以及控制部，所述控制部构成为执行以下控制：控制所述排气部，使得所述主体的内压下降到能够向所述主体内吸引所述处理液的压力；以及控制所述气体供给部，使得所述主体的内压上升到能够排出所述主体内的所述处理液的压力。
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