CN116848620A - 基片处理装置和液体引导部件 - Google Patents

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CN116848620A CN202280014713.6A CN202280014713A CN116848620A CN 116848620 A CN116848620 A CN 116848620A CN 202280014713 A CN202280014713 A CN 202280014713A CN 116848620 A CN116848620 A CN 116848620A
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Abstract

本发明的基片处理装置包括：收纳处理液和基片的处理槽；在上述处理槽内的下部释放气体的多个气体喷嘴；以及向上述多个气体喷嘴供给上述气体的气体供给部，上述气体喷嘴具有管体，该管体沿着上述处理槽的底面配置，形成有在第一方向释放上述气体的多个释放孔，上述基片处理装置具有液体引导部件，该液体引导部件伴随着从上述释放孔释放的上述气体的移动，引导上述释放孔的周围的上述处理液以使其在上述第一方向流动。

Description

基片处理装置和液体引导部件
技术领域
本发明涉及基片处理装置和液体引导部件。
背景技术
在专利文献1中公开了一种基片处理装置，其包括：收纳处理液和基片的处理槽；在处理槽内的下部释放气体的多个气体喷嘴；以及向多个气体喷嘴供给气体的气体供给部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-174257号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够提高处理液的对流的控制性的基片处理装置和液体引导部件。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括：收纳处理液和基片的处理槽；在上述处理槽内的下部释放气体的多个气体喷嘴；以及向上述多个气体喷嘴供给上述气体的气体供给部，上述气体喷嘴具有管体，该管体沿着上述处理槽的底面配置，形成有在第一方向释放上述气体的多个释放孔，上述基片处理装置具有液体引导部件，该液体引导部件伴随着从上述释放孔释放的上述气体的移动，引导上述释放孔的周围的上述处理液以使其在上述第一方向流动。
发明效果
依照本发明，能够提高处理液的对流的控制性。
附图说明
图1是表示基片处理系统的俯视图。
图2是表示蚀刻处理装置的示意图。
图3是表示处理槽的俯视图。
图4是表示气体喷嘴的示意图。
图5是表示液体引导部件的结构的图。
图6是表示安装有液体引导部件的气体喷嘴的剖视图。
图7是表示安装有包括间隔件的液体引导部件的气体喷嘴的剖视图。
图8是例示控制部的功能性的结构的框图。
图9是表示基片处理流程的流程图。
图10是表示处理液的填充流程的流程图。
图11是表示喷嘴清洗流程的流程图。
图12是表示浸渍处理流程的流程图。
图13是表示气体供给量的控制流程的流程图。
图14是表示处理液的排出流程的流程图。
图15是表示液体引导部件的功能的一例的图。
图16是表示泡的动作的示意图。
图17是表示液体引导部件功能的另一例的图。
图18是表示液体引导部件的变形例的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图，对实施方式进行详细说明。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
图1是表示基片处理系统的俯视图。如图1所示，基片处理系统100具有承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6和控制部7。
承载器送入送出部2进行将多个(例如25个)基片(硅晶片)8以水平姿态上下排列收纳的承载器9的送入和送出。
承载器送入送出部2包括：载置多个承载器9的承载台10；进行承载器9的输送的承载器输送机构11；暂时保管承载器9的承载器栈12、13；和载置承载器9的承载器载置台14。承载器栈12在由批次处理部6对成为产品的基片8进行处理之前暂时保管。承载器栈13对成为产品的基片8在其由批次处理部6处理之后进行暂时保管。
承载器送入送出部2使用承载器输送机构11将从外部送入承载台10的承载器9输送到承载器栈12或承载器载置台14。此外，承载器送入送出部2使用承载器输送机构11将载置于承载器载置台14的承载器9输送到承载器栈13、承载台10。输送至承载台10的承载器9被送出到外部。
批次形成部3形成由将收纳于一个或多个承载器9的基片8组合来同时进行处理的多个(例如50个)基片8构成的批次。此外，在形成批次时，既可以以基片8的表面形成有图案的面彼此相对的方式形成批次，也可以以基片8的表面形成有图案的面全部朝向一个方向的方式形成批次。
批次形成部3具有输送多个基片8的基片输送机构15。基片输送机构15能够在输送基片8的中途使基片8的姿态从水平姿态变更为垂直姿态以及从垂直姿态变更为水平姿态。
批次形成部3使用基片输送机构15将基片8从载置于承载器载置台14的承载器9输送到批次载置部4，将形成批次的基片8载置在批次载置部4。此外，批次形成部3利用基片输送机构15将载置于批次载置部4的批次向载置于承载器载置台14的承载器9输送。基片输送机构15作为用于支承多个基片8的基片支承部，具有对处理前(由批次输送部5输送之前)的基片8进行支承的处理前基片支承部和对处理后(由批次输送部5输送之后)的基片8进行支承的处理后基片支承部这两种。由此，防止附着于处理前的基片8等的颗粒等转印到处理后的基片8等。
批次载置部4利用批次载置台16暂时载置(待机)由批次输送部5在批次形成部3与批次处理部6之间被输送的批次。
批次载置部4包括：送入侧批次载置台17，其载置处理前(由批次输送部5输送之前)的批次；和送出侧批次载置台18，其载置处理后(由批次输送部5输送后)的批次。一个批次量的多个基片8以垂直姿态前后排列地载置在送入侧批次载置台17和送出侧批次载置台18。
在批次载置部4中，由批次形成部3形成的批次被载置在送入侧批次载置台17，该批次经由批次输送部5被送入批次处理部6。此外，在批次载置部4中，从批次处理部6经由批次输送部5送出的批次被载置在送出侧批次载置台18，该批次被输送到批次形成部3。
批次输送部5在批次载置部4与批次处理部6之间、批次处理部6的内部之间进行批次的输送。
批次输送部5具有进行批次的输送的批次输送机构19。批次输送机构19包括：沿着批次载置部4和批次处理部6配置的导轨20；以及一边保持多个基片8一边沿着导轨20移动的移动体21。保持以垂直姿态前后排列的多个基片8的基片保持体22可进退地设置有于移动体21。
批次输送部5利用批次输送机构19的基片保持体22接收载置于送入侧批次载置台17的批次，将该批次交接到批次处理部6。此外，批次输送部5利用批次输送机构19的基片保持体22接收由批次处理部6处理后的批次，将该批次交接到送出侧批次载置台18。而且，批次输送部5使用批次输送机构19在批次处理部6的内部进行批次的输送。
批次处理部6将以垂直姿态前后排列的多个基片8作为一个批次进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
批次处理部6具有进行基片8的干燥处理的干燥处理装置23、进行基片保持体22的清洗处理的基片保持体清洗处理装置24、进行基片8的清洗处理的清洗处理装置25、和进行基片8的蚀刻处理的2台蚀刻处理装置1。例如，将干燥处理装置23、基片保持体清洗处理装置24、清洗处理装置25、2台蚀刻处理装置1并排配置。
干燥处理装置23具有处理槽27和可升降地设置于处理槽27的基片升降机构28。向处理槽27供给干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)。在基片升降机构28中，以垂直姿态前后排列地保持一个批次量的多个基片8。干燥处理装置23利用基片升降机构28从批次输送机构19的基片保持体22接收批次，利用基片升降机构28使该批次升降，由此利用供给至处理槽27的干燥用的处理气体进行基片8的干燥处理。此外，干燥处理装置23将批次从基片升降机构28交接到批次输送机构19的基片保持体22。
基片保持体清洗处理装置24构成为具有处理槽29，能够向处理槽29供给清洗用的处理液和干燥气体。基片保持体清洗处理装置24在向批次输送机构19的基片保持体22供给了清洗用的处理液后，供给干燥气体，由此进行基片保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，在各处理槽30、31可升降地设置有基片升降机构32、33。在清洗用的处理槽30中贮存清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽31中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
蚀刻处理装置1具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，在各处理槽34、35可升降地设置有基片升降机构36、37。在蚀刻用的处理槽34中贮存蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。在冲洗用的处理槽35中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
清洗处理装置25和蚀刻处理装置1成为彼此相同的结构。对蚀刻处理装置1进行说明，一个批次量的多个基片8以垂直姿态前后排列地被保持在基片升降机构36。在蚀刻处理装置1中，利用基片升降机构36从批次输送机构19的基片保持体22接收批次，利用基片升降机构36使该批次升降，由此使批次浸渍在处理槽34的蚀刻用的处理液中来进行基片8的蚀刻处理。然后，蚀刻处理装置1将批次从基片升降机构36交接到批次输送机构19的基片保持体22。此外，利用基片升降机构37从批次输送机构19的基片保持体22接收批次，利用基片升降机构37使该批次升降，由此使批次浸渍在处理槽35的冲洗用的处理液中来进行基片8的冲洗处理。之后，将批次从基片升降机构37交接到批次输送机构19的基片保持体22。
控制部7控制基片处理系统100的各部(承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6、蚀刻处理装置1)的工作。
控制部7例如由计算机构成，包括计算机可读取的存储介质38。在存储介质38中存储有对在基片处理系统100中执行的各种处理进行控制的程序。控制部7通过读出并执行存储在存储介质38中的程序来控制基片处理系统100的工作。此外，程序也可以存储在计算机可读取的存储介质38中，从其他存储介质安装到控制部7的存储介质38。作为计算机可读取的存储介质38，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
(蚀刻处理装置)
接着，对蚀刻处理装置1的详细情况进行说明。图2是表示蚀刻处理装置1的示意图。图3是表示处理槽的俯视图。如图2和图3所示，蚀刻处理装置1包括蚀刻处理装置1、基片升降机构36(输送部)和控制部7。蚀刻处理装置1是基片处理装置的一例。
蚀刻处理装置1包括液处理部40、处理液供给部44、处理液排出部67、多个(例如六个)气体喷嘴70、气体供给部89、气体加热部94、气体排出部95和液位传感器80。
液处理部40包括处理槽41、外槽42和处理液43，对基片8实施液处理(蚀刻处理)。
处理槽41收纳处理液43和基片8。作为处理液43的具体例，能够例举磷酸水溶液。由于处理槽41的上部开放，因此能够从上方将基片8浸渍在处理槽41内的处理液43中。如后所述，圆形的基片8以立起的状态配置在处理槽41内。以下，有时将与高度方向正交且沿着处理槽41内的基片8的方向称为“宽度方向”，将与高度方向和宽度方向正交的方向(即处理槽41内的基片8的厚度方向)称为“进深方向”。
处理槽41的底面中的宽度方向上的两侧部分随着去往外侧而变高。由此，处理槽41内的内角部与基片8的外周之间的死区变小，不容易发生处理液43的滞留。
外槽42以包围处理槽41的方式设置，收纳从处理槽41溢出的处理液。
处理液供给部44向处理槽41内供给处理液43。例如处理液供给部44包括处理液供给源45、流量调节器46、纯水供给源47、流量调节器48、处理液循环部49和浓度测量部55。
处理液供给源45对外槽42供给处理液43。流量调节器46设置于从处理液供给源45去往外槽42的处理液的流路，进行该流路的开闭和开度调节。
纯水供给源47对外槽42供给纯水。该纯水补充因处理液43的加热而蒸发的水分。流量调节器48设置于从纯水供给源47去往外槽42的纯水的流路，进行该流路的开闭和开度调节。
处理液循环部49将外槽42内的处理液43送到处理槽41内的下部。例如处理液循环部49包括多个(例如三个)处理液喷嘴50、循环流路51、供给泵52、过滤器53和加热器54。
处理液喷嘴50设置于外槽42内的下部，将处理液43释放到处理槽41内。多个处理液喷嘴50在同一高度沿宽度方向排列，分别在进深方向上延伸。
循环流路51将处理液从外槽42引导到多个处理液喷嘴50。循环流路51的一端部连接于外槽42的底部。循环流路51的另一端部分支为多条而分别与多个处理液喷嘴50连接。
供给泵52、过滤器53和加热器54设置于循环流路51，从上游侧(外槽42侧)起向下游侧(处理液喷嘴50侧)依次排列。供给泵52将处理液43从上游侧向下游侧加压输送。过滤器53将混入到处理液43中的颗粒除去。加热器54将处理液43加热至设定温度。设定温度例如被设定为处理液43的沸点附近的值。
浓度测量部55测量处理液43的浓度。例如浓度测量部55具有测量用流路56、开闭阀57、59、浓度传感器58、清洗流体供给部60和清洗流体排出部64。
测量用流路56在加热器54与处理液喷嘴50之间从循环流路51分支，抽取处理液43的一部分而使之回流到外槽42。开闭阀57、59在测量用流路56中从上游侧(循环流路51侧)起向下游侧(外槽42侧)依次排列，分别对测量用流路56进行开闭。浓度传感器58在测量用流路56中设置于开闭阀57、59之间，测量在测量用流路56中流动的处理液43的浓度(例如磷酸浓度)。
清洗流体供给部60将清洗用流体(例如纯水)供给到浓度传感器58。例如清洗流体供给部60具有清洗流体供给源61、供给流路62和开闭阀63。清洗流体供给源61是清洗用流体的供给源。供给流路62将清洗用的流体从清洗流体供给源61供给到浓度传感器58。供给流路62的一端部连接于清洗流体供给源61，供给流路62的另一端部连接在开闭阀57与浓度传感器58之间。开闭阀63对供给流路62进行开闭。
清洗流体排出部64排出清洗用的流体。例如清洗流体排出部64具有排出流路65和开闭阀66。排出流路65将通过了浓度传感器58的清洗用流体导出。排出流路65的一端部连接在浓度传感器58与开闭阀59之间，排出流路65的另一端部连接于基片处理系统100的排液管(未图示)。开闭阀66对排出流路65进行开闭。
处理液排出部67从处理槽41内排出处理液43。例如，处理液排出部67具有排液流路68和开闭阀69。排液流路68将处理槽41内的处理液导出。排液流路68的一端部连接于处理槽41的底部，排液流路68的另一端部连接于基片处理系统100的排液管(未图示)。开闭阀69对排液流路68进行开闭。
多个气体喷嘴70在处理槽41内的下部释放非活性气体(例如N2气体)。多个气体喷嘴70在处理液喷嘴50的下方沿宽度方向排列，分别在进深方向上延伸。各气体喷嘴70的高度随着其配置位置远离宽度方向的中心而变高。
多个气体喷嘴70也可以以沿着与基片8同心的圆弧的方式排列。上述所谓以沿着圆弧的方式排列，不仅包括各气体喷嘴70位于该圆弧上的情况，还包括一部分气体喷嘴70从该圆弧在规定范围内偏移的情况。与多个气体喷嘴70位于同一高度的情况相比，只要从各气体喷嘴70至基片8的中心的距离的均匀性变高，就能够任意地设定上述规定范围。
例如，多个气体喷嘴70包括：在宽度方向上位于最内侧的一对气体喷嘴70A；位于比一对气体喷嘴70A靠外侧的位置的一对气体喷嘴70B；和位于比一对气体喷嘴70B更靠外侧的位置的一对气体喷嘴70C。气体喷嘴70B、70B位于比气体喷嘴70A、70A靠上方的位置，气体喷嘴70C、70C位于比气体喷嘴70B、70B靠上方的位置。气体喷嘴70A、70A、70B、70B、70C、70C以沿着与基片8同心的圆弧的方式排列。
另外，气体喷嘴70的数量和配置能够适当变更。多个气体喷嘴70也可以配置在同一高度。关于气体喷嘴70的详细情况在后文说明。
气体供给部89向气体喷嘴70供给上述非活性气体。例如气体供给部89包括气体供给源90、供给流路91、开闭阀92和流量调节器93。
气体供给源90是非活性气体的供给源。供给流路91将非活性气体从气体供给源90引导到气体喷嘴70。开闭阀92对供给流路91进行开闭。流量调节器93在开闭阀92与气体供给源90之间调节供给流路91的开度来调节非活性气体的流量。
供给流路91、开闭阀92和流量调节器93也可以按气体喷嘴70的每个配置高度来设置。例如气体供给源90包括供给流路91A、91B、91C、开闭阀92A、92B、92C和流量调节器93A、93B、93C。供给流路91A将非活性气体从气体供给源90引导到气体喷嘴70A、70A的一端部。供给流路91B将非活性气体从气体供给源90到向气体喷嘴70B、70B的一端部。供给流路91C将非活性气体从气体供给源90到向气体喷嘴70C、70C的一端部。开闭阀92A、92B、92C分别对供给流路91A、91B、91C进行开闭。流量调节器93A、93B、93C分别调节供给流路91A、91B、91C的开度。
气体加热部94将由气体供给源90向气体喷嘴70供给的非活性气体加热至设定温度。设定温度例如被设定为处理液43的沸点附近的值。例如气体加热部94设置于供给流路91。在图示中，气体加热部94设置于供给流路91A、91B、91C在气体供给源90侧合流而成的部分，但不限于此。气体加热部94也可以按每个供给流路91A、91B、91C来设置。
气体排出部95使气体喷嘴70的主体71的内压降低。例如气体排出部95包括减压流路96和减压阀97。减压流路96在开闭阀92与气体喷嘴70之间从供给流路91分支，将供给流路91内的气体导出。减压阀97对减压流路96进行开闭。
另外，气体排出部95还可以包括强制排气用的泵。减压流路96和减压阀97也可以按气体喷嘴70的每个配置高度来设置。例如气体排出部95包括减压流路96A、96B、96C和减压阀97A、97B、97C。减压流路96A在开闭阀92A与气体喷嘴70A之间从供给流路91A分支，将供给流路91A内的气体导出。减压流路96B在开闭阀92B与气体喷嘴70B之间从供给流路91B分支，将供给流路91B内的气体导出。减压流路96C在开闭阀92C与气体喷嘴70C之间从供给流路91C分支，将供给流路91C内的气体导出。减压阀97A、97B、97C分别对减压流路96A、96B、96C进行开闭。
液位传感器80获取与处理液43中含有的气体的量有关的信息。以下，有时将处理液43中含有的气体的量称为“处理液43的气体含量”。例如液位传感器80是气泡式液位计，包括气泡管81、加压气体供给源83、气体管线84、吹气装置(purge set)82、检测管线85、第一检测器86A和第二检测器86B。
气泡管81被插入在处理槽41内的处理液中，其端部位于处理槽41的底部附近。加压气体供给源83是液位测量用的非活性气体的供给源。以下，有时将液位测量用的非活性气体称为“测量用气体”。气体管线84将测量用气体从加压气体供给源83引导到气泡管81。引导至气泡管81的测量用气体从气泡管81的端部被释放到处理槽41内的处理液中。
吹气装置82调节气体管线84的内压，以使来自气泡管81的测量气体的释放量一定。其中，一定是指实质上的一定，是指将规定值作为基准处于容许范围内的状态。
检测管线85将气泡管81与吹气装置82之间的气体管线84的内压传递到第一检测器86A和第二检测器86B。检测管线85的一端部在气泡管81与吹气装置82之间连接于气体管线84，检测管线85的另一端部分支为两条而分别连接于第一检测器86A和第二检测器86B。
第一检测器86A和第二检测器86B检测由检测管线85传递来的压力。第一检测器86A和第二检测器86B的检测范围彼此不同。第一检测器86A将从处理槽41内的处理液43的液位(液面的位置)为最低位(处理槽41为空的状态)时的压力至该液位为最高位(处理液43从处理槽41溢出的状态)时的压力为止的范围作为检测范围。第二检测器86B将处理槽41内的处理液43的液位处于最高位时，与处理液43的气体含量相应的压力的变动范围的最小值至最大值作为检测范围。
在处理液43的液位保持在最高位的状态下，第二检测器86B的检测值主要根据处理液43的气体含量而变动。即，在处理液43的液位保持为最高位的状态下，第二检测器86B的检测值实质上与处理液43的气体含量相关。另一方面，第一检测器86A的检测范围比第二检测器86B的检测范围大，因此第一检测器86A的压力检测值对于处理液43的气体含量的变动实质上不敏感。因此，第一检测器86A的检测值实质上与处理液43的液位相关。根据以上说明，通过组合使用第一检测器86A和第二检测器86B，能够得到与处理液43的气体含量有关的信息。即，在由第一检测器86A的检测值表示出处理液43的液位保持在最高位时，通过获取第二检测器86B的检测值，能够得到与处理液43的气体含量有关的信息。
基片升降机构36将基片8浸渍在处理槽41内的处理液43中。例如基片升降机构36将立起的多个基片8以沿厚度方向排列的状态浸渍在处理液43中。
基片升降机构36具有多个支承臂87和升降部88。多个支承臂87对沿着宽度方向立起的多个基片8以其在进深方向上排列的状态下进行支承。多个支承臂87在宽度方向上排列，分别在进深方向上延伸。各支承臂87具有在进深方向上排列的多个隙缝(slot)87a。隙缝87a是沿着宽度方向在上方开口的槽状部分，能够接收立起的基片8的下部。
升降部88使多个支承臂87在将多个基片8浸渍在处理液43内的高度与使多个基片8位于处理液43的液面之上的高度之间升降。
(气体喷嘴)
接着，对气体喷嘴70的详细情况进行说明。图4是表示气体喷嘴70的示意图。
如图4所示，气体喷嘴70具有以沿着处理槽41的底面在进深方向上延伸的方式配置的管状(例如圆管状)的主体71、以及以贯通主体71的内表面73和外表面74之间的方式形成的至少一个释放孔77。主体71是管体的一例。例如气体喷嘴70具有沿进深方向排列的多个释放孔77。主体71例如由石英构成。主体71也可以代替石英而由不含硅的材料构成。作为不含硅的材料的具体例，能够举出聚醚醚酮(PEEK)、聚四氟乙烯(PTFE)等树脂材料。
各释放孔77设置在主体71的下部。释放孔77也可以设置在从主体71的管中心72的铅垂下方偏离的位置。在该情况下，释放孔77的位置也可以被设定成，包含主体71的管中心72在内的铅垂假想平面75不经过释放孔77内。释放孔77的中心也可以位于绕主体71的管中心72在铅垂下方±10°的范围76内。
释放孔77在从管中心72的铅垂下方偏离的方向上没有限制。例如，释放孔77向图示右侧偏离，但也可以向图示左侧偏离。此外，向图示右侧偏离的释放孔77和向图示左侧偏离的释放孔77也可以沿进深方向呈交错状排列。
释放孔77以从主体71的内表面73侧到外表面74侧开口面积成为一定的方式形成。
在本实施方式中，液体引导部件200以可拆装的方式安装于气体喷嘴70。图5是表示液体引导部件200的结构的图。图5的(a)是俯视图，图5的(b)和(c)是剖视图。图5的(b)相当于沿图5的(a)中的Vb-Vb线的剖视图，图5的(c)相当于沿图5的(a)中的Vc-Vc线的剖视图。
如图5所示，液体引导部件200具有筒状的引导部210、筒状的基部220、将引导部210与基部220连结的连结部230。液体引导部件200例如由石英构成。液体引导部件200也可以由四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(PFA)等树脂构成。引导部210、基部220和连结部230也可以一体地构成。
基部220包括引导部210侧的第三开口223和第三开口223的相反侧的第四开口224。第四开口224的开口面积与第三开口223的开口面积为相同程度。基部220的形状例如为圆筒状，基部220的外壁面具有与释放孔77的内壁面大致相同的形状。基部220被插入在释放孔77中。
引导部210包括基部220侧的第一开口211和第一开口211的相反侧的第二开口212。第二开口212的开口面积小于第一开口211的开口面积。第一开口211和第二开口212在基部220延伸的方向(第一方向)上彼此分离。引导部210的形状例如为圆锥台筒状。即，引导部210的开口面积从第一开口211到第二开口212连续地减少。
连结部230设置有多个。例如，由三个连结部230将引导部210和基部220连结。三个连结部230例如在基部220的周向上等间隔(120°间隔)地配置。
优选引导部210的第一开口211和第二开口212与基部220的第三开口223和第四开口224同心状地配置。例如，第一开口211的直径为1mm～15mm、第二开口212的直径为0.1mm～10mm。例如，第三开口223的直径为0.1mm～10mm，第四开口224的直径为0.1mm～10mm。另外，例如，以基部220的外壁面为基准，引导部210的外壁面倾斜1°～80°。
图6是表示安装有液体引导部件200的气体喷嘴70的剖视图。图6的(a)表示与气体喷嘴70的管轴平行的剖面，图6的(b)表示与气体喷嘴70的管轴垂直的剖面。在图6中，为了方便，以释放孔77向上方延伸的方式进行图示。
如图6的(a)所示，在与管轴平行的剖面中，液体引导部件200的下端与气体喷嘴70的主体71接触，但如图6的(b)所示，在与管轴垂直的剖面中，在液体引导部件200的下端与主体71之间存在间隙。液体引导部件200的周围的处理液能够经由该间隙流入引导部210的内侧，详情在后文说明。
如图7所示，也可以在基部220的周围设置比释放孔77的开口直径大的间隔件225，液体引导部件200的周围的处理液容易流入引导部210的内侧。图7是表示安装了具有间隔件225的液体引导部件200的气体喷嘴70的剖视图。图7的(a)表示与气体喷嘴70的管轴平行的剖面，图7的(b)表示与气体喷嘴70的管轴垂直的剖面。
(控制部)
控制部7构成为能够执行以下的处理：控制处理液供给部44，以对处理槽41供给处理液43，使得从气体喷嘴70的下方的第一高度H1(例如，处理槽41的底面的最低部分的高度)至液面上升到能够浸渍基片8的第二高度H2(例如，处理槽41的上端面的高度)；控制基片升降机构36，以使得在液面处于第二高度H2以上的状态下将基片8浸渍在处理液43中；控制处理液排出部67，以从处理槽41排出处理液43，使得液面从第二高度H2下降至第一高度H1；和控制气体供给部89，以使得在液面从第一高度H1上升到第二高度H2的中途增加气体的供给量，在液面从第二高度H2下降到第一高度H1的中途减少气体的供给量。
控制部7也可以构成为还能够执行以下处理：控制气体排出部95，以使得气体喷嘴70的主体71的内压降低至能够向主体71内吸引处理液43的压力；和控制气体供给部89，以使得主体71的内压上升至能够排出主体71内的处理液43的压力。
另外，控制部7构成为能够根据基片8彼此的间隔、基片8的浸渍开始后的经过时间和气体喷嘴70的配置位置中的至少任一者，来改变从气体供给部89向气体喷嘴70的气体的供给量。
控制部7也可以构成为还能够执行控制气体供给部89，以使得通过调节气体的供给量来使处理液43的气体含量接近目标值的处理，在根据基片8彼此的间隔和基片8的浸渍开始后的经过时间中的至少一者来改变气体的供给量时，也可以通过改变该目标值来改变气体的供给量。
图8是例示控制部7的功能性结构的框图。如图8所示，作为功能上的结构，控制部7具有液供给控制部111、排液控制部112、浸渍控制部113、气体供给控制部114、清洗控制部118和方案存储部119。以下，有时将功能上的结构称为“功能模块”。
方案存储部119存储为了确定处理内容而预先设定的各种参数。
液供给控制部111控制处理液供给部44，以向处理槽41供给处理液43，使得液面从上述第一高度H1上升至上述第二高度H2。以下，有时将该控制称为“处理液43的填充控制”。
浸渍控制部113控制基片升降机构36，以使得在液面处于第二高度H2以上的状态下将基片8浸渍在处理液43中。以下，有时将该控制称为“基片8的浸渍控制”。
排液控制部112控制处理液排出部67，以从处理槽41排出处理液43，使得液面从第二高度H2下降至第一高度H1。以下，有时将该控制称为“处理液43的排出控制”。
气体供给控制部114具有作为更加细分化的功能模块的开关控制部115、目标值设定部116和跟踪控制部117。
开关控制部115控制气体供给部89，以使得在液面从第一高度H1上升到第二高度H2的中途增加气体的供给量，在液面从第二高度H2下降到第一高度H1的中途减少气体的供给量。控制气体供给部89以使得增加气体的供给量的处理包括控制气体供给部89以使开闭阀92从关闭状态变为打开状态来开始供给气体的处理。控制气体供给部89以使得减少气体的供给量的处理包括控制气体供给部89以使开闭阀92从打开状态成为关闭状态来停止供给气体的处理。
开关控制部115也可以控制气体供给部89，以使得在从第一高度H1上升至第二高度H2的液面到达气体喷嘴70的释放孔77之前开始供给气体，在从第二高度H2下降至第一高度H1的液面通过释放孔77之后停止供给气体。
另外，开关控制部115也可以按高度不同的每个气体喷嘴70执行以下的处理：控制气体供给部89，以使得在从第一高度H1上升至第二高度H2的液面到达气体喷嘴70的释放孔77之前开始供给气体，在从第二高度H2下降至第一高度H1的液面通过释放孔77之后停止供给气体。例如，开关控制部115控制气体供给部89，以使得在从第一高度H1上升至第二高度H2的液面到达气体喷嘴70A的释放孔77之前使开闭阀92A从关闭状态成为打开状态，在该液面到达气体喷嘴70B的释放孔77之前使开闭阀92B从关闭状态成为打开状态，在该液面到达气体喷嘴70C的释放孔77之前以使开闭阀92C从关闭状态成为打开状态。之后，开关控制部115控制气体供给部89，以使得在从第二高度H2下降至第一高度H1的液面通过气体喷嘴70C的释放孔77之后使开闭阀92C从打开状态变为关闭状态，在该液面通过气体喷嘴70B的释放孔77之后使开闭阀92B从打开状态变为关闭状态，在该液面通过气体喷嘴70A的释放孔77之后使开闭阀92C从打开状态变为关闭状态。
开关控制部115也可以在高度不同的气体喷嘴70中同时执行以下处理：控制气体供给部89，以使得在从第一高度H1上升至第二高度H2的液面到达气体喷嘴70的释放孔77之前开始供给气体，在从第二高度H2下降至第一高度H1的液面通过释放孔77之后停止供给气体。在该情况下，开关控制部115也可以在控制气体供给部89，以使得从第一高度H1上升至第二高度H2的液面到达最低位的气体喷嘴70(气体喷嘴70A)的释放孔77之前，开始向所有的气体喷嘴70供给气体，在从第二高度H2下降至第一高度H1的液面通过最低位的气体喷嘴70的释放孔77之后停止向所有的气体喷嘴70供给气体。
目标值设定部116根据基片8彼此的间隔和基片8的浸渍开始后的经过时间中的至少任一者，设定处理液43的气体含量的目标值。例如目标值设定部116从浸渍控制部113获取上述经过时间，根据该经过时间来改变处理液43的气体含量的目标值。更具体而言，目标值设定部116也可以在上述经过时间成为规定的时机前后，使处理液43的气体含量的目标值不同。上述时机和该时机前后的目标值被预先设定并存储在方案存储部119中，目标值设定部116从方案存储部119获取这些信息。
在方案存储部119中，也可以根据基片8彼此的间隔来存储不同的目标值。在该情况下，目标值设定部116根据基片8彼此的间隔来改变目标值。此外，基片8彼此的间隔根据基片升降机构36的支承臂87所支承的基片8的个数来决定。支承臂87所支承的基片8的个数根据对基片8的蚀刻处理的条件来适当设定。例如，在无法忽视相邻的基片8中一者的析出物对另一者的蚀刻处理造成的影响的情况下，优选减少支承臂87支承的基片8的个数而将一部分的隙缝87a空置，增大基片8彼此的间隔。
跟踪控制部117控制气体供给部89，以使得通过调节气体的供给量来使处理液43的气体含量接近上述目标值。此时，跟踪控制部117也可以根据气体喷嘴70的配置位置，来改变从气体供给部89向气体喷嘴70的气体的供给量。例如，跟踪控制部117也可以根据以上述宽度方向的中心为基准的气体喷嘴70的位置，来改变从气体供给部89向气体喷嘴70的气体的供给量。即，跟踪控制部117也可以随着气体喷嘴70的配置位置远离上述宽度方向的中心而增大从气体供给部89向气体喷嘴70的气体的供给量，也可以随着气体喷嘴70的配置位置远离上述宽度方向的中心而减少从气体供给部89向气体喷嘴70的气体的供给量。更具体而言，跟踪控制部117也可以使流量调节器93A、93B、93C的开度不同，以使得向气体喷嘴70A、70B、70C的气体供给量不同。
清洗控制部118执行：控制气体排出部95，以使气体喷嘴70的主体71的内压降低至能够向主体71内吸引处理液43的压力的处理；和控制气体供给部89，以使主体71的内压上升至能够排出主体71内的处理液43的压力的处理。以下，有时将该控制称为“气体喷嘴70的清洗控制”。清洗控制部118可以在液面从第一高度H1上升到第二高度H2之后，将基片8浸渍于处理液43之前执行气体喷嘴70的清洗控制，也可以在将基片8浸渍于处理液43之后，液面从第二高度H2下降到第一高度H1之前执行。
(基片液处理方法)
接着，作为基片液处理方法的一例，对控制部7执行的控制流程进行说明。图9是表示基片处理流程的流程图。如图9所示，控制部7首先执行步骤S01。步骤S01包括上述的处理液43的填充控制。更详细的流程将在后文说明。接着，控制部7执行步骤S02。步骤S02包括上述的气体喷嘴70的清洗控制。更详细的流程将在后文说明。接着，控制部7执行步骤S03。步骤S03包括上述的基片8的浸渍控制。更详细的流程将在后文说明。接着，控制部7执行步骤S04。步骤S04包括上述的处理液43的排出控制。更详细的流程将在后文说明。
接着，控制部7执行步骤S05。步骤S05包括确认全部批次的液处理是否完成的处理。在步骤S05中，在判断为还剩余未完成液处理的批次的情况下，控制部7使流程返回到步骤S01。之后，反复进行处理液43的填充控制、气体喷嘴70的清洗控制、基片8的浸渍控制和处理液43的排出控制，直至全部批次的液处理完成。在步骤S05中，在判断为全部批次的液处理已完成的情况下，控制部7完成蚀刻处理装置1的控制。
在图9的例子中，控制部7在处理液43的填充控制之后，基片8的浸渍控制之前执行气体喷嘴70的清洗控制，但不限于此。例如，控制部7也可以在基片8的浸渍控制之后，处理液43的排出控制之前执行气体喷嘴70的清洗控制。此外，在蚀刻处理装置1中的处理中，与清洗处理装置25中的处理相比，向处理液浸渍基片8时大量的硅析出。由此，在处理槽34的硅浓度变高的情况下，优选如图9的例子那样，在处理槽41的填充控制之后，在基片8的浸渍控制之前执行气体喷嘴70的清洗控制。
另外，在图9的例子中，控制部7在按每个批次的处理来执行处理液的填充控制、气体喷嘴70的清洗控制、处理液的排出控制，但不限于此，也可以按每多个批次来执行处理液的填充控制、气体喷嘴70的清洗控制和处理液的排出控制。
(处理液的填充流程)
接着，说明上述步骤S01中的处理液43的填充控制的详细流程。图10是表示处理液的填充流程的流程图。如图10所示，控制部7首先执行步骤S11。在步骤S11中，液供给控制部111控制处理液供给部44，以使得开始向处理槽41填充处理液43。例如，液供给控制部111控制处理液供给部44，以使得在处理槽41为空、开闭阀69关闭的状态下，打开流量调节器46以开始向外槽42内供给处理液43，驱动供给泵52以开始从外槽42向处理槽41送液。
接着，控制部7执行步骤S12。在步骤S12中，开关控制部115使接下来要打开的开闭阀92待机预先设定的开阀时间。开闭阀92的开阀时间被设定为液面到达该开闭阀92所对应的气体喷嘴70的释放孔77之前的时间，并存储在方案存储部119中。开闭阀92的开阀时间根据对应的气体喷嘴70的高度而不同，气体喷嘴70位置越高则时间越长。
接着，控制部7执行步骤S13。在步骤S13中，开关控制部115控制气体供给部89，以使得将在步骤S12中经过了开阀时间的开闭阀92从关闭状态切换为打开状态。
接着，控制部7执行步骤S14。在步骤S14中，开关控制部115确认全部气体喷嘴70的开闭阀92是否已打开。
在步骤S14中，在判断为还剩余未打开的开闭阀92的情况下，控制部7使流程返回到步骤S12。之后，控制部7反复进行开阀时间的待机和开闭阀92的打开，直至所有的开闭阀92被打开。由此，从低位的气体喷嘴70的开闭阀92起依次被打开。更具体而言，在处理液43的液面到达气体喷嘴70A的释放孔77之前打开开闭阀92A，在通过气体喷嘴70A的释放孔77的液面到达气体喷嘴70B的释放孔77之前打开开闭阀92B，在通过气体喷嘴70B的释放孔77的液面到达气体喷嘴70C的释放孔77之前打开开闭阀92C。
在步骤S14中，在判断为所有的开闭阀92已打开的情况下，控制部7执行步骤S15。在步骤S15中，液供给控制部111待机至经过预先设定的填充时间。填充时间被设定为处理液43的液面到达第二高度H2的时间以后的时间，并存储在方案存储部119中。
接着，控制部7执行步骤S16。在步骤S16中，液供给控制部111开始处理液43的循环控制。处理液43的循环控制包括如下处理：控制处理液供给部44，以使得通过持续驱动供给泵52，使从处理槽41溢出到外槽42的处理液43回流到处理槽41的下部。在该循环控制中，液供给控制部111也可以执行如下处理：控制处理液供给部44，以使得根据由浓度传感器58检测出的处理液43的浓度来调节纯水用的流量调节器48的开度。以上，上述步骤S01完成。
(气体喷嘴的清洗顺序)
接着，说明上述步骤S02中的气体喷嘴70的清洗控制的详细流程。图11是表示喷嘴清洗流程的流程图。如图11所示，控制部7首先执行步骤S21。在步骤S21中，清洗控制部118控制气体供给部89，以关闭开闭阀92来中断向气体喷嘴70的气体的供给。
接着，控制部7执行步骤S22。在步骤S22中，清洗控制部118控制气体排出部95，以使气体喷嘴70的主体71的内压降低至能够向主体71内吸引处理液43的压力。例如清洗控制部118控制气体排出部95，以使得减压阀97从关闭状态变为打开状态。
接着，控制部7执行步骤S23。在步骤S23中，清洗控制部118待机预先设定的减压时间。减压时间被设定为能够将适于清洗的量的处理液43吸引到主体71内的时间，并存储在方案存储部119中。
接着，控制部7执行步骤S24。在步骤S24中，清洗控制部118控制气体排出部95，以使得停止主体71内的减压。例如清洗控制部118控制气体排出部95，以使得减压阀97从打开状态成为关闭状态。
接着，控制部7执行步骤S25。在步骤S25中，清洗控制部118待机预先设定的清洗时间。清洗时间被设定为能够充分地得到利用被吸引到主体71内的处理液43的清洗效果，并存储在方案存储部119中。
接着，控制部7执行步骤S26。在步骤S26中，清洗控制部118控制气体供给部89，以使主体71的内压上升至能够排出主体71内的处理液43的压力。例如清洗控制部118控制气体供给部89，以使得打开开闭阀92来重新开始向气体喷嘴70供给气体。
接着，控制部7执行步骤S27。在步骤S27中，清洗控制部118待机预先设定的排液时间。排液时间被设定为能够将被吸引到主体71内的处理液43充分地排出的时间，并存储在方案存储部119中。以上，上述步骤S02完成。
(基片的浸渍流程)
接着，说明上述步骤S03中的基片8的浸渍控制的详细流程。图12是表示浸渍处理流程的流程图。如图12所示，控制部7首先执行步骤S31。在步骤S31中，浸渍控制部113控制基片升降机构36，以使多个支承臂87从使多个基片8位于处理液43的液面之上的高度下降至将该多个基片8浸渍在处理液43内的高度。
接着，控制部7执行步骤S32。在步骤S32中，浸渍控制部113待机，至经过预先设定的处理时间。处理时间根据需要的蚀刻的程度来设定，并存储在方案存储部119中。
接着，控制部7执行步骤S33。在步骤S33中，浸渍控制部113控制基片升降机构36，以使多个支承臂87从将多个基片8浸渍在处理液43内的高度上升至使该多个基片8位于处理液43的液面之上的高度。以上，上述步骤S03完成。
(浸渍基片时的气体供给部的控制流程)
与基片8的浸渍控制并行地，控制部7执行气体供给部89对气体的供给量的控制。以下，对气体的供给量的控制流程进行说明。图13是表示气体供给量的控制流程的流程图。如图13所示，控制部7首先执行步骤S41。在步骤S41中，目标值设定部116从方案存储部119获取处理液43的气体含量的目标值。
如上所述，在方案存储部119中，也可以根据基片8彼此的间隔来存储不同的目标值。在该情况下，目标值设定部116根据基片8彼此的间隔来改变目标值。
接着，控制部7执行步骤S42。在步骤S42中，跟踪控制部117从液位传感器80获取与处理液43的气体含量有关的信息。
接着，控制部7执行步骤S43。在步骤S43中，跟踪控制部117设定从气体供给部89向气体喷嘴70的气体的供给量，以使得处理液43的气体含量接近目标值。例如，跟踪控制部117基于在步骤S42中获取到的信息，来计算处理液43的气体含量的当前值，并计算目标值与当前值的偏差，对该偏差实施比例运算、比例积分运算、或者比例积分微分运算以计算流量调节器93的开度。
跟踪控制部117也可以根据气体喷嘴70的配置位置，来改变从气体供给部89向气体喷嘴70的气体的供给量。例如，跟踪控制部117也可以根据以上述宽度方向的中心为基准的气体喷嘴70的位置，来改变与该气体喷嘴70对应的流量调节器93的开度设定值。即，跟踪控制部117可以随着气体喷嘴70的配置位置远离上述宽度方向的中心而增大流量调节器93的开度设定值，也可以随着气体喷嘴70的配置位置远离上述宽度方向的中心而减小流量调节器93的开度设定值。更具体而言，跟踪控制部117也可以使流量调节器93A、93B、93C的开度不同，以使得向气体喷嘴70A、70B、70C的气体供给量不同。
接着，控制部7执行步骤S44。在步骤S44中，跟踪控制部117控制气体供给部89，以使得根据步骤S43中设定的开度设定值来调节流量调节器93的开度。
接着，控制部7执行步骤S45。在步骤S45中，目标值设定部116确认基片8的浸渍开始后的经过时间是否到达目标值的变更时机。目标值设定部116从浸渍控制部113获取经过时间的信息，从方案存储部119获取目标值的变更时机的信息。
在步骤S45中，在判断为经过时间到达了目标值的变更时机的情况下，控制部7执行步骤S46。在步骤S46中，目标值设定部116变更处理液43的气体含量的目标值。例如目标值设定部116从方案存储部119获取变更时刻以后的处理液43的气体含量的目标值。
接着，控制部7执行步骤S47。在步骤S45中，在判断为经过时间未到达目标值的变更时机的情况下，控制部7不执行步骤S46而执行步骤S47。在步骤S47中，目标值设定部116确认基片8的浸渍是否已完成。目标值设定部116从浸渍控制部113获取表示基片8的浸渍是否已完成的信息。
在步骤S47中，在判断为基片8的浸渍未完成的情况下，控制部7使流程返回到步骤S42。之后，反复进行使处理液43的气体含量接近目标值的控制和根据经过时间来变更目标时间的处理，直至基片8的浸渍完成。
在步骤S47中，在判断为基片8的浸渍已完成的情况下，控制部7完成气体的供给量的控制。
(处理液的排出流程)
接着，说明上述步骤S04中的处理液43的排出控制的详细流程。图14是表示处理液的排出流程的流程图。如图14所示，控制部7首先执行步骤S51。在步骤S51中，排液控制部112控制处理液供给部44和处理液排出部67，以使得开始从处理槽41排出处理液43。例如排液控制部112控制处理液供给部44以关闭流量调节器46和流量调节器48而停止供给处理液43和纯水之后，控制处理液排出部67以使开闭阀69从关闭状态成为打开状态而开始从处理槽41排出处理液43。
接着，控制部7执行步骤S52。在步骤S52中，开关控制部115待机对接下来要关闭的开闭阀92预先设定的闭阀时间。开闭阀92的闭阀时间被设定为液面通过该开闭阀92所对应的气体喷嘴70的释放孔77时之后的时间，并存储在方案存储部119中。开闭阀92的闭阀时间根据对应的气体喷嘴70的高度而不同，气体喷嘴70位置越低则时间越长。
接着，控制部7执行步骤S53。在步骤S53中，开关控制部115控制气体供给部89，以使得在步骤S52中经过了闭阀时间的开闭阀92从打开状态切换为关闭状态。
接着，控制部7执行步骤S54。在步骤S54中，开关控制部115确认全部气体喷嘴70的开闭阀92是否已关闭。
在步骤S54中，在判断为还剩余已打开的开闭阀92的情况下，控制部7使流程返回到步骤S52。之后，反复进行闭阀时间的待机和开闭阀92的关闭，直至所有的开闭阀92关闭。由此，从高位的气体喷嘴70的开闭阀92起依次被关闭。更具体而言，在处理液43的液面通过气体喷嘴70C的释放孔77之后关闭开闭阀92C，在通过气体喷嘴70C的释放孔77的液面通过气体喷嘴70B的释放孔77之后关闭开闭阀92B，在通过气体喷嘴70B的释放孔77的液面通过气体喷嘴70A的释放孔77之后关闭开闭阀92A。
在步骤S54中，在判断为所有的开闭阀92已关闭的情况下，控制部7执行步骤S55。在步骤S55中，排液控制部112待机，至经过预先设定的排液时间。排液时间被设定为处理液43的液面到达第一高度H1的时间以后的时间，并存储在方案存储部119中。
接着，控制部7执行步骤S56。在步骤S56中，排液控制部112控制处理液供给部44以使得停止驱动供给泵52，控制处理液排出部67以使得关闭开闭阀69。以上，上述步骤S04完成。
(实施方式的效果)
接着，对实施方式的效果进行说明。图15是表示液体引导部件200的功能的一例的图。
在气体喷嘴70的主体71中流动的气体250，如图15的(a)所示，在被插入释放孔77中的基部220的内部的空间流动，从基部220进入引导部210的内部的空间215。基部220延伸的方向(第一方向)的压力作用于进入了引导部210的气体250。进入了引导部210的气体250因压力而从第一开口211朝向第二开口212流动。此外，在第二开口212的附近，气体250的连续流动变化为泡状。此外，随着气体250的移动，空间215的压力降低。
当空间215的压力降低时，如图15的(b)所示，处理液43从引导部210的下端与主体71之间的间隙被引导到空间215(箭头251)。即，利用引导部210进行引导，以使得释放孔77的周围的处理液43在第一方向流动。
当处理液43被引导而在第一方向流动时，伴随处理液43的流动的压力作用于变化为泡状的气体250。因此，在气体250的变化为泡状的部分，除了来自主体71的第一方向的压力以外，还作用有伴随处理液43的流动的第一方向的压力，如图15的(c)所示，气体250以成为泡255的方式从第二开口212被释放到处理液43中。由于伴随处理液43的流动的第一方向的压力作用于泡255，因此能够提高泡255刚被释放后的直行性。此外，随着泡255的释放，处理液43以从第二开口212向引导部210的外侧流出的方式被引导(箭头252)。
另外，在泡255被释放之后，重新得到图15的(a)所示的状态，在持续供给气体250的期间，反复进行泡255的释放。
而且，伴随泡255的直进性的提高，能够提高处理液43的对流的控制性。在此，对处理液43的对流的控制性进行说明。图16是表示泡255的动作的示意图。图16的(a)表示未设置液体引导部件200时的泡255的动作，图16的(a)表示设置有液体引导部件200时的泡255的动作。在此，不论是否有液体引导部件200，都设为处理液43中相同程度地存在不规则的流动。此外，图16的(a)和(b)中的箭头260表示设计上的泡255的移动方向。
在未设置液体引导部件200的情况下，来自主体71的压力作用于从释放孔77释放的泡255。在该情况下，如图16的(a)所示，一部分泡255沿着箭头260在处理液43中移动，但另一部分泡255可能与处理液43的不规则的流动不完全反向地向主体71的与箭头260相反的一侧移动。
另一方面，在设置有液体引导部件200的情况下，对从液体引导部件200释放的泡255，除了来自主体71的压力以外，还作用有伴随被引导至液体引导部件200的处理液43的流动而来的压力。因此，如图16的(b)所示，能够与处理液43的不规则的流动不完全反向地抑制向主体71的与箭头260相反的一侧移动的泡255的产生，使大部分的泡255沿着箭头260移动。
如上所述，依照本实施方式，能够提高利用气体250的释放对处理液43的对流的控制性。
图17是表示液体引导部件200的功能的另一例的图。图17的(a)表示未设置液体引导部件200时的泡255的生成，图17的(a)表示设置有液体引导部件200时的泡255的生成。
在未设置液体引导部件200的情况下，如图17的(a)所示，在释放孔77的附近，气体250的连续流动变化为泡状。此时，在释放孔77内气体250的流动变细，处理液43流入释放孔77内。
另一方面，在设置有液体引导部件200的情况下，如图17的(b)所示，在第二开口212的附近，气体250的连续流动变化为泡状。此时，主要在引导部210内气体250的流动变细。因此，在释放孔77内，气体250的流动不容易变细，处理液43难以流入释放孔77内。
如上所述，依照本实施方式，能够抑制处理液43向释放孔77的流入。并且，通过抑制处理液43的流入，能够抑制释放孔77的堵塞。
另外，在本实施方式中，由于液体引导部件200具有包括第一开口211和第二开口212的筒状的引导部210，因此容易在第一方向引导释放孔77的周围的处理液43。
另外，从气体250的释放方向(第一方向)观察时，优选引导部210包围释放孔77。这是为了容易更稳定地在第一方向引导释放孔77周围的处理液43。
从第一方向观察时，优选第二开口212与释放孔77同心状地配置。这是为了容易更稳定地在第一方向引导释放孔77周围的处理液43。
优选第二开口212的开口面积为释放孔77的开口面积的0.9倍以上1.1倍以下。这是为了容易产生与未设置液体引导部件200的情况相同程度的尺寸的泡。
引导部210的形状优选为圆锥台筒状。这是为了容易更稳定地在第一方向引导释放孔77周围的处理液43。
另外，在本实施方式中，由于液体引导部件200可拆装地安装于气体喷嘴70，因此即使在液体引导部件200产生堵塞等不良状况的情况下，也能够容易地进行更换。
另外，也可以不设置基部220和连结部230，而将引导部210安装于气体喷嘴70。
另外，液体引导部件200的结构并不限定于上述结构。图18是表示液体引导部件的变形例的剖视图。例如，如图18所示，液体引导部件200也可以在引导部210的内侧包含气流调整部214，气流调整部214使剖视时成为圆状的气体250的流动局部地变化为环状。气流调整部214例如能够通过连结部230与引导部210连结。利用气流调整部214，能够提高在液体引导部件200内流动的气体250的流速。
另外，也可以为，在安装于气体喷嘴70的多个液体引导部件200之间，引导部210的倾斜的角度不同。通过适当地调整倾斜的角度，能够控制泡255移动的方向，控制处理液43的对流。在此，倾斜的角度是指以包含第一开口211的面为基准的、引导部210的内壁面的角度。
液体引导部件200的用途并不限定于蚀刻处理装置1的气体喷嘴70。例如，也能够应用于流体在内部流动的、被浸渍在液体中而在该液体内释放流体的喷嘴。
以上，对优选的实施方式等进行了详细说明，但并不限定于上述的实施方式等，能够在不脱离权利要求书所记载的范围的情况下对上述的实施方式等施加各种变形和替换。
作为处理对象的基片不限于硅晶片，例如也可以是玻璃基片、掩模基片、FPD(FlatPanel Display：平板显示器)等。此外，将与蚀刻处理装置1有关的结构详细地表示为基片处理装置，但也能够将同样的结构应用于清洗处理装置25。
本申请主张以2021年2月19日向日本特许厅申请的日本特愿2021-025018号的优先权，将日本特愿2021-025018号的全部内容援引于本申请。
附图标记说明
1 蚀刻处理装置
43 处理液
70 气体喷嘴
71 主体
77 释放孔
100 基片处理系统
200 液体引导部件
210 引导部
211 第一开口
212 第二开口
214 气流调整部
215 空间
220 基部
223 第三开口
224 第四开口
225 间隔件
230 连结部
250 气体
255 泡。

Claims (13)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
收纳处理液和基片的处理槽；
在所述处理槽内的下部释放气体的多个气体喷嘴；以及
向所述多个气体喷嘴供给所述气体的气体供给部，
所述气体喷嘴具有管体，该管体沿着所述处理槽的底面配置，形成有在第一方向释放所述气体的多个释放孔，
所述基片处理装置具有液体引导部件，该液体引导部件伴随着从所述释放孔释放的所述气体的移动，引导所述释放孔的周围的所述处理液以使其在第一方向流动。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述液体引导部件包括筒状的引导部，该引导部包括：
第一开口；和
在所述第一方向上与所述第一开口隔开间隔地设置的第二开口，
从所述释放孔释放的所述气体和所述释放孔的周围的所述处理液以从所述第一开口朝向所述第二开口的方式在所述第一方向流动。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第二开口的开口面积小于所述第一开口的开口面积。
4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
在从所述第一方向观察时，所述引导部包围所述释放孔。
5.如权利要求2至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
在从所述第一方向观察时，所述第二开口与所述释放孔同心状地配置。
6.如权利要求2至5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第二开口的开口面积为所述释放孔的开口面积的0.9倍以上1.1倍以下。
7.如权利要求2至6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述引导部的形状为圆锥台筒状。
8.如权利要求2至7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
对每一个所述气体喷嘴设置有多个所述液体引导部件，
在多个所述液体引导部件之间，以包含所述第一开口的面为基准的所述引导部的内壁面的角度不同。
9.如权利要求2至8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述液体引导部件包括：
筒状的基部，从所述第一开口向所述引导部的外侧延伸且供所述气体在其内部流动；以及
将所述引导部和所述基部连结的连结部，
所述基部被插入在所述释放孔中。
10.如权利要求1至8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述液体引导部件可拆装地安装于所述气体喷嘴。
11.一种液体引导部件，其特征在于，包括：
筒状的引导部，其具有：第一开口；和在第一方向上与所述第一开口隔开间隔地设置的第二开口，
筒状的基部，从所述第一开口向所述引导部的外侧延伸且供流体在其内部流动；以及
将所述引导部和所述基部连结的连结部。
12.如权利要求11所述的液体引导部件，其特征在于：
所述基部被插入在浸渍于液体而在所述液体内在所述第一方向释放流体的喷嘴的释放孔中，
伴随着从所述释放孔释放的所述流体的移动，引导所述释放孔的周围的所述液体以使其在所述第一方向流动。
13.如权利要求11或12所述的液体引导部件，其特征在于：
所述引导部的形状为圆锥台筒状。
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