CN111430270A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够在处理槽内形成适当的液流的基板处理装置。本公开的基板处理装置包括处理槽和流体供给部。处理槽通过使排列的多个基板浸渍于处理液而对该多个基板进行处理。流体供给部在处理槽的内部配置于比多个基板靠下方的位置，通过喷出流体从而在处理槽的内部产生处理液的液流。另外，流体供给部具有向在多个基板的排列方向上的不同的区域喷出流体的多个喷出路径。

Description

基板处理装置
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置。
背景技术
以往，公知有通过使由多个基板形成的批次浸渍于储存有处理液的处理槽，从而对一个批次量的基板一起进行处理的基板处理装置。
在这种基板处理装置中，例如为了使基板处理均匀化，有时在处理槽内设置供给氮气等气体的气体供给部而在处理槽内形成液流(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2018－174258号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够在处理槽内形成适当的液流的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理装置包括处理槽和流体供给部。处理槽通过使排列的多个基板浸渍于处理液而对该多个基板进行处理。流体供给部在处理槽的内部配置于比多个基板靠下方的位置，通过喷出流体从而在处理槽的内部产生处理液的液流。另外，流体供给部具有向在多个基板的排列方向上的不同区域喷出流体的多个喷出路径。
发明的效果
根据本公开，能够在处理槽内形成适当的液流。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的基板处理装置的俯视图。
图2是表示第1实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽的结构的框图。
图3是第1实施方式所涉及的气体供给部的立体图。
图4是第1实施方式所涉及的气体供给部的剖视图。
图5是第1实施方式所涉及的气体供给部的侧视图。
图6是第1实施方式的第1变形例所涉及的气体供给部的侧视图。
图7是第1实施方式的第2变形例所涉及的气体供给部的侧视图。
图8是第1实施方式的第2变形例所涉及的气体供给部的俯视图。
图9是第2实施方式所涉及的气体供给部的侧视图。
图10是第3实施方式所涉及的气体供给部的立体图。
图11是表示第3实施方式的第1变形例所涉及的位置调整部的结构的立体图。
图12是表示第3实施方式的第2变形例所涉及的位置调整部的结构的立体图。
图13是第4实施方式所涉及的气体供给部的剖视图。
图14是从上方观察第5实施方式所涉及的气体供给部的立体图。
图15是从下方观察第5实施方式所涉及的气体供给部的立体图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明用于实施本公开的基板处理装置的形态(以下记载为“实施方式”)。此外，本公开的基板处理装置并不被该实施方式限定。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当组合。另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
另外，在以下参照的各附图中，为了容易理解说明，有时表示这样的正交坐标系：规定相互正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，并将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
公知有通过使由多个基板形成的批次浸渍于储存有处理液的处理槽，从而对一个批次量的基板一起进行处理的基板处理装置。
在这种基板处理装置中，为了使基板处理均匀化，有时在处理槽内设置供给氮气等气体的气体供给部而在处理槽内形成液流。具体而言，在以往的基板处理装置中，为了在处理槽内形成均匀的液流，在处理槽内的下部配置沿着多个基板的排列方向设有多个喷出口的气体供给部，并自各喷出口以相同的流量喷出气体。
然而，即使像上述这样使气体均匀地喷出，有时形成于处理槽的液流也产生局部的偏差。例如，形成一个批次的多个基板互相空开间隙地排列，由于气体大量进入某一间隙而形成充分的液流，另一方面，气体不怎么进入另一间隙而有可能液流的形成不充分。于是，期待能够在处理槽内形成适当的液流。
(第1实施方式)
＜基板处理装置的结构＞
首先，参照图1对实施方式所涉及的基板处理装置的结构进行说明。图1是第1实施方式所涉及的基板处理装置1的俯视图。
如图1所示，实施方式所涉及的基板处理装置1包括载体送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6以及控制部7。
载体送入送出部2包括载体台20、载体输送机构21、载体存放部22、23以及载体载置台24。
载体台20用于载置自外部输送来的多个载体9。载体9为将多个(例如25张)晶圆W以水平姿势上下排列并收纳的容器。载体输送机构21在载体台20、载体存放部22、23以及载体载置台24之间进行载体9的输送。
利用后述的基板输送机构30将处理之前的多个晶圆W自载置于载体载置台24的载体9向批次处理部6送出。另外，利用基板输送机构30将处理后的多个晶圆W自批次处理部6向载置于载体载置台24的载体9送入。
批次形成部3具有基板输送机构30，用于形成批次。批次由将收纳于一个或多个载体9的晶圆W组合并同时处理的多个(例如50张)晶圆W构成。形成一个批次的多个晶圆W以使彼此的板面相对的状态空开恒定间隔地排列。
基板输送机构30在载置于载体载置台24的载体9与批次载置部4之间输送多个晶圆W。
批次载置部4具有批次输送台40，用于临时载置(待机)利用批次输送部5在批次形成部3与批次处理部6之间输送的批次。批次输送台40具有载置由批次形成部3形成了的处理前的批次的送入侧批次载置台41和载置由批次处理部6处理了的批次的送出侧批次载置台42。在送入侧批次载置台41和送出侧批次载置台42以立起姿势前后排列地载置一个批次量的多个晶圆W。
批次输送部5具有批次输送机构50，用于在批次载置部4与批次处理部6之间、批次处理部6的内部进行批次的输送。批次输送机构50具有轨道51、移动体52以及基板保持体53。
轨道51跨批次载置部4和批次处理部6地沿着X轴方向配置。移动体52构成为能够一边保持多个晶圆W一边沿着轨道51移动。基板保持体53设于移动体52，用于保持以立起姿势前后排列的多个晶圆W。
批次处理部6将以立起姿势前后排列的多个晶圆W设为一个批次来进行蚀刻处理、清洗处理、干燥处理等。在批次处理部6沿着轨道51排列地设有两台蚀刻处理装置60、清洗处理装置70、基板保持体清洗处理装置80以及干燥处理装置90。
蚀刻处理装置60进行批次的蚀刻处理。清洗处理装置70进行批次的清洗处理。基板保持体清洗处理装置80进行基板保持体53的清洗处理。干燥处理装置90进行批次的干燥处理。此外，蚀刻处理装置60、清洗处理装置70、基板保持体清洗处理装置80以及干燥处理装置90的台数并不限于图1的例子。
蚀刻处理装置60包括蚀刻用的处理槽61、冲洗用的处理槽62以及基板升降机构63、64。
处理槽61能够收纳以立起姿势排列的一个批次量的晶圆W，储存蚀刻用的处理液(以下也称作“蚀刻液”。)。后述处理槽61的详细内容。
在处理槽62储存冲洗用的处理液(纯水等)。在基板升降机构63、64以立起姿势前后排列地保持形成批次的多个晶圆W。
蚀刻处理装置60利用基板升降机构63保持由批次输送部5输送来的批次，并使其浸渍于处理槽61的蚀刻液来进行蚀刻处理。蚀刻处理例如进行1小时～3小时左右。
利用批次输送部5将在处理槽61进行了蚀刻处理的批次向处理槽62输送。然后，蚀刻处理装置60利用基板升降机构64保持输送来的批次，并通过使其浸渍于处理槽62的冲洗液来进行冲洗处理。利用批次输送部5将在处理槽62进行了冲洗处理的批次向清洗处理装置70的处理槽71输送。
清洗处理装置70包括清洗用的处理槽71、冲洗用的处理槽72以及基板升降机构73、74。在清洗用的处理槽71储存清洗用的处理液(例如SC－1(氨、过氧化氢以及水的混合液)等)。
在冲洗用的处理槽72储存冲洗用的处理液(纯水等)。在基板升降机构73、74以立起姿势前后排列地保持一个批次量的多个晶圆W。
清洗处理装置70利用基板升降机构73保持由批次输送部5输送来的批次，并通过使其浸渍于处理槽71的清洗液来进行清洗处理。
利用批次输送部5将在处理槽71进行了清洗处理的批次向处理槽72输送。然后，清洗处理装置70利用基板升降机构74保持输送来的批次，并通过使其浸渍于处理槽72的冲洗液来进行冲洗处理。利用批次输送部5将在处理槽72进行了冲洗处理的批次向干燥处理装置90的处理槽91输送。
干燥处理装置90具有处理槽91和基板升降机构92。向处理槽91供给干燥用的处理气体(例如IPA(异丙醇)等)。在基板升降机构92以立起姿势前后排列地保持一个批次量的多个晶圆W。
干燥处理装置90利用基板升降机构92保持由批次输送部5输送来的批次，并使用向处理槽91内供给的干燥用的处理气体来进行干燥处理。利用批次输送部5将在处理槽91进行了干燥处理的批次向批次载置部4输送。
基板保持体清洗处理装置80通过向批次输送机构50的基板保持体53供给清洗用的处理液并进一步供给干燥气体，从而进行基板保持体53的清洗处理。
控制部7控制基板处理装置1的各部分(载体送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6等)的动作。控制部7基于来自开关、各种传感器等的信号来控制基板处理装置1的各部分的工作。
该控制部7为例如计算机，具有能够由计算机读取的存储介质8。在存储介质8存储用于控制在基板处理装置1中执行的各种处理的程序。
控制部7通过读取并执行存储于存储介质8的程序来控制基板处理装置1的工作。此外，程序存储于能够由计算机读取的存储介质8，也可以自其他的存储介质加载于控制部7的存储介质8。
作为能够由计算机读取的存储介质8，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
＜蚀刻用的处理槽的结构＞
接着，参照图2对蚀刻用的处理槽61进行说明。图2是表示第1实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽61的结构的框图。
在处理槽61中，进行以下蚀刻处理：使用规定的蚀刻液，在形成于晶圆W上的硅氮化膜(SiN)和硅氧化膜(SiO2)中选择性地对硅氮化膜进行蚀刻。在该蚀刻处理中，使用向磷酸(H3PO4)水溶液添加含硅(Si)化合物并调整了硅浓度而成的溶液作为蚀刻液。
作为调整蚀刻液中的硅浓度的方法，能够使用：使模拟基板(日文：ダミー基板)浸渍于磷酸水溶液并使硅溶解的方法(陈化处理)、使胶体二氧化硅等含硅化合物溶解于磷酸水溶液的方法。另外，也可以通过向磷酸水溶液添加含硅化合物水溶液来调整硅浓度。
如图2所示，蚀刻用的处理槽61包括内槽101和外槽102。内槽101为上方开放的箱形的槽，在内部储存蚀刻液。将由多个晶圆W形成的批次浸渍于内槽101。外槽102的上方开放，并配置于内槽101的上部周围。自内槽101溢出的蚀刻液向外槽102流入。
另外，处理槽61包括磷酸水溶液供给部103、硅供给部104以及DIW供给部105。
磷酸水溶液供给部103具有磷酸水溶液供给源131、磷酸水溶液供给管线132以及流量调整器133。
磷酸水溶液供给源131供给将磷酸浓度浓缩成了期望的浓度的磷酸水溶液。磷酸水溶液供给管线132连接磷酸水溶液供给源131和外槽102，自磷酸水溶液供给源131向外槽102供给磷酸水溶液。
流量调整器133设于磷酸水溶液供给管线132，用于调整向外槽102供给的磷酸水溶液的供给量。流量调整器133由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
硅供给部104具有硅供给源141、硅供给管线142以及流量调整器143。
硅供给源141为储存含硅化合物水溶液的罐。硅供给管线142连接硅供给源141和外槽102，自硅供给源141向外槽102供给含硅化合物水溶液。
流量调整器143设于硅供给管线142，用于调整向外槽102供给的含硅化合物水溶液的供给量。流量调整器143由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。通过利用流量调整器143调整含硅化合物水溶液的供给量，从而调整蚀刻液的硅浓度。
DIW供给部105具有DIW供给源151、DIW供给管线152以及流量调整器153。DIW供给部105向外槽102供给DIW(DeIonized Water：去离子水)，以补充因加热蚀刻液而蒸发的水分。
DIW供给管线152连接DIW供给源151和外槽102，自DIW供给源151向外槽102供给规定温度的DIW。
流量调整器153设于DIW供给管线152，用于调整向外槽102供给的DIW的供给量。流量调整器153由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。通过利用流量调整器153调整DIW的供给量，从而调整蚀刻液的温度、磷酸浓度以及硅浓度。
另外，处理槽61包括循环部106和气体供给部107。循环部106使蚀刻液在内槽101与外槽102之间循环。循环部106包括循环管线161、多个处理液供给喷嘴162、过滤器163、加热器164以及泵165。
循环管线161连接外槽102和内槽101。循环管线161的一端与外槽102连接，循环管线161的另一端与配置于内槽101的内部的多个处理液供给喷嘴162连接。
过滤器163、加热器164以及泵165设于循环管线161。过滤器163用于从在循环管线161内流动的蚀刻液中去除杂质。加热器164用于将在循环管线161内流动的蚀刻液加热成适于蚀刻处理的温度。泵165用于将外槽102内的蚀刻液向循环管线161送出。从上游侧起依次设置过滤器163、加热器164以及泵165。
循环部106将蚀刻液自外槽102经由循环管线161和多个处理液供给喷嘴162向内槽101内输送。输送到内槽101内的蚀刻液自内槽101溢出，由此再次向外槽102流出。这样一来，蚀刻液在内槽101与外槽102之间循环。
此外，循环部106也可以通过利用加热器164加热蚀刻液，使蚀刻液成为沸腾状态。
气体供给部107配置于内槽101的内部。具体而言，气体供给部107配置于比多个晶圆W和多个处理液供给喷嘴162靠下方的位置。该气体供给部107通过向内槽101的内部喷出气体从而在内槽101的内部产生蚀刻液的液流。
＜气体供给部的结构＞
在此，参照图3～图5对第1实施方式所涉及的气体供给部107的结构进行说明。图3是第1实施方式所涉及的气体供给部107的立体图。图4是第1实施方式所涉及的气体供给部107的剖视图。图5是第1实施方式所涉及的气体供给部107的侧视图。此外，图4是图5中的VI－VI线向视的剖视图。另外，图5是从X轴正方向侧向X轴负方向观察气体供给部107的第3喷出路径173和第4喷出路径174的侧视图。
如图3所示，气体供给部107包括多个(此处8个)喷出路径作为气体的喷出路径。具体而言，气体供给部107包括两个第1喷出路径171、两个第2喷出路径172、两个第3喷出路径173以及两个第4喷出路径174。
在从与晶圆W正对的方向(图2所示的Y轴方向)观察的情况下，两个第1喷出路径171相对于通过晶圆W的中心的垂直的线配置为线对称。两个第2喷出路径172、两个第3喷出路径173以及两个第4喷出路径174也相同，相对于通过晶圆W的中心的垂直的线配置为线对称。
两个第1喷出路径171分别配置于内槽101的后方侧(Y轴正方向侧)，并包括具有垂直延伸的部分的第1延伸部711和自第1延伸部711的下端部朝向内槽101的前方侧(Y轴负方向侧)水平延伸的第2延伸部712。第2延伸部712沿着多个晶圆W的排列方向延伸。
两个第1延伸部711经由流量调整器713与气体供给源700连接。在此，设为自气体供给源700供给氮，但自气体供给源700供给的气体既可以是氮以外的非活性气体(例如氦、氩等)，也可以是非活性气体以外的气体。流量调整器713用于调整向第1喷出路径171供给的氮的流量。流量调整器713由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
两个第2喷出路径172分别配置于内槽101的后方侧，并包括具有垂直延伸的部分的第1延伸部721和自第1延伸部721的下端部朝向内槽101的前方侧水平延伸的第2延伸部722。第2延伸部722沿着多个晶圆W的排列方向延伸。另外，第2延伸部722配置于比第1喷出路径171的第2延伸部712靠晶圆W的径向内侧的位置。
两个第1延伸部721经由流量调整器723与气体供给源700连接。流量调整器723用于调整向第2喷出路径172供给的氮的流量。流量调整器723由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
两个第3喷出路径173分别配置于内槽101的后方侧，并包括具有垂直延伸的部分的第1延伸部731和自第1延伸部731的下端部朝向内槽101的前方侧水平延伸的第2延伸部732。第2延伸部732沿着多个晶圆W的排列方向延伸。另外，第2延伸部732配置于比第2喷出路径172的第2延伸部722靠晶圆W的径向内侧的位置。
两个第1延伸部731经由流量调整器733与气体供给源700连接。流量调整器733用于调整向第3喷出路径173供给的氮的流量。流量调整器733由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
两个第4喷出路径174分别配置于内槽101的后方侧，包括具有垂直延伸的部分的第1延伸部741和自第1延伸部741的下端部朝向内槽101的前方侧水平延伸的第2延伸部742。第2延伸部742沿着多个晶圆W的排列方向延伸。另外，第2延伸部742配置于第3喷出路径173的第2延伸部732的上方。
两个第1延伸部741经由流量调整器743与气体供给源700连接。流量调整器743用于调整向第4喷出路径174供给的氮的流量。流量调整器743由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
如图4所示，在第1喷出路径171的第2延伸部712，沿着第2延伸部712的延伸方向即沿着多个晶圆W的排列方向设有多个(此处仅图示一个)喷出口715。多个喷出口715以使自气体供给源700供给的氮进入晶圆W与晶圆W之间的方式在多个晶圆W的排列方向上配置于晶圆W与晶圆W之间的位置。
在第2喷出路径172的第2延伸部722，沿着第2延伸部722的延伸方向即沿着多个晶圆W的排列方向设有多个(此处仅图示一个)喷出口725。多个喷出口725以使自气体供给源700供给的氮进入晶圆W与晶圆W之间的方式在多个晶圆W的排列方向上配置于晶圆W与晶圆W之间的位置。
在第3喷出路径173的第2延伸部732，沿着第2延伸部732的延伸方向即沿着多个晶圆W的排列方向设有多个(此处仅图示一个)喷出口735。多个喷出口735以使自气体供给源700供给的氮进入晶圆W与晶圆W之间的方式在多个晶圆W的排列方向上配置于晶圆W与晶圆W之间的位置。
在第4喷出路径174的第2延伸部742，沿着第2延伸部742的延伸方向即沿着多个晶圆W的排列方向设有多个(此处仅图示一个)喷出口745。多个喷出口745以使自气体供给源700供给的氮进入晶圆W与晶圆W之间的方式在多个晶圆W的排列方向上配置于晶圆W与晶圆W之间的位置。
此外，多个喷出口715、725、735、745设于圆筒状的第2延伸部712、722、732、742的下半部分。由此，能够抑制蚀刻液进入第2延伸部712、722、732、742的内部。另外，多个喷出口715、725、735、745设于比第2延伸部712、722、732、742的侧部靠下方且比第2延伸部712、722、732、742的下部靠上方的位置。由此，与将喷出口715、725、735、745设于第2延伸部712、722、732、742的下部的情况相比较，能够使氮的喷出方向一致。
设于第1喷出路径171的多个喷出口715和设于第2喷出路径172的多个喷出口725与多个晶圆W的所有间隙相对应地配置。即，在例如由50枚晶圆W构成一个批次的情况下，在第1喷出路径171和第2喷出路径172分别设有49个喷出口715、725。
另一方面，如图5所示，设于第3喷出路径173的多个喷出口735与多个晶圆W中的配置于处理槽61的前方侧的一半的晶圆W的间隙相对应地配置。另外，设于第4喷出路径174的多个喷出口745与多个晶圆W中的配置于处理槽61的后方侧的一半的晶圆W的间隙相对应地配置。由此，向配置于处理槽61的前方侧的一半的晶圆W供给来自第3喷出路径173的氮，向配置于处理槽61的后方侧的一半的晶圆W供给来自第4喷出路径174的氮。
这样，第1实施方式所涉及的气体供给部107具有向在多个晶圆W的排列方向上的不同的区域喷出氮的多个喷出路径，此处具有第3喷出路径173和第4喷出路径174。第3喷出路径173和第4喷出路径174分别连接于不同的流量调整器733、743，而能够独立地控制氮的喷出时间、喷出流量。因而，例如在处理槽61的前方侧和后方侧液流产生偏差的情况下，控制部7能够通过控制流量调整器733、743而使氮的喷出时间、喷出流量在第3喷出路径173和第4喷出路径174处不同来抑制液流的偏差。这样，根据第1实施方式所涉及的基板处理装置1，与在多个晶圆W的排列方向上以均等的喷出时间、喷出流量喷出氮的情况相比较，能够在处理槽61内形成更适当的液流。
另外，如图4所示，与第1喷出路径171以及第2喷出路径172的第1延伸部711、721以及第2延伸部712、722相比较，第3喷出路径173以及第4喷出路径174的第1延伸部731、741和第2延伸部732、742的内径(流路直径)较小。由此，能够使第1延伸部731、741以及第2延伸部732、742的压力损失高于第1延伸部711、721以及第2延伸部712、722的压力损失。因此，能够自第3喷出路径173和第4喷出路径174以更低的流量喷出氮。换言之，能够降低能够自第3喷出路径173和第4喷出路径174喷出的氮的最低流量。因而，能够更精细地控制蚀刻液的液流。
＜气体供给部的变形例＞
接着，参照图6～图8对上述的第1实施方式所涉及的气体供给部107的变形例进行说明。图6是第1实施方式的第1变形例所涉及的气体供给部的侧视图。图7是第1实施方式的第2变形例所涉及的气体供给部的侧视图。图8是第1实施方式的第2变形例所涉及的气体供给部的俯视图。
如图6所示，第1变形例所涉及的气体供给部107A包括第3喷出路径173A和配置于第3喷出路径173A的上方的第4喷出路径174A。第3喷出路径173A的第2延伸部732A的在多个晶圆W的排列方向上的中央的区域设有多个喷出口735A。另外，第4喷出路径174A的第2延伸部742A的在多个晶圆W的排列方向上的前方的区域具有多个喷出口745A，并且在多个晶圆W的排列方向上的后方的区域具有多个喷出口746A。
通过这样构成，能够在多个晶圆W的排列方向上的前方以及后方的区域和中央的区域使氮的喷出时间、喷出流量不同。
另外，如图7和图8所示，第2变形例所涉及的气体供给部107B包括第3喷出路径173B、第4喷出路径174B以及第5喷出路径175B。
第3喷出路径173B包括第1延伸部731B和第2延伸部732B，在第1延伸部731B经由流量调整器733B连接气体供给源700，在第2延伸部732B设有多个喷出口735B。第4喷出路径174B包括第1延伸部741B和第2延伸部742B，在第1延伸部741B经由流量调整器743B连接气体供给源700，在第2延伸部742B设有多个喷出口745B。第5喷出路径175B包括第1延伸部751B和第2延伸部752B，在第1延伸部751B经由流量调整器753B连接气体供给源700，在第2延伸部752B设有多个喷出口755B。第3喷出路径173B的第2延伸部732B、第4喷出路径174B的第2延伸部742B以及第5喷出路径175B的第2延伸部752B沿着多个晶圆W的排列方向依次排列。
通过这样构成，能够对多个晶圆W的排列方向上的前方的区域、中央的区域以及后方的区域分别独立地进行控制。
＜气体供给部的其他的变形例＞
在第1实施方式、第1变形例以及第2变形例中，设为在多个晶圆W的排列方向上对沿着与多个晶圆W的排列方向正交的方向排列的多个喷出路径中的配置于最内侧的喷出路径进行分割。但是，并不限定于此，在多个晶圆W的排列方向上被分割的喷出路径既可以是沿着与多个晶圆W的排列方向正交的方向排列的多个喷出路径中的配置于最外侧的喷出路径，也可以是其他的喷出路径。
另外，在第1实施方式、第1变形例以及第2变形例中，设为在多个晶圆W的排列方向上对沿着与多个晶圆W的排列方向正交的方向排列的多个喷出路径中的一部分的喷出路径进行分割。但是，并不限定于此，也可以是在多个晶圆W的排列方向上对沿着与多个晶圆W的排列方向正交的方向排列的多个喷出路径的全部进行分割。
另外，在第1实施方式、第1变形例以及第2变形例中，对在多个晶圆W的排列方向上被分割的喷出路径成为二等分或三等分的情况的例子进行了说明，但分割的形态并不一定需要等分。
(第2实施方式)
接着，参照图9对第2实施方式所涉及的气体供给部的结构进行说明，图9是第2实施方式所涉及的气体供给部的侧视图。
如图9所示，第2实施方式所涉及的气体供给部107C包括第3喷出路径173C和配置于第3喷出路径173C的上方的第4喷出路径174C。
在第2实施方式所涉及的第3喷出路径173C的第2延伸部732C设有朝向内槽101的内壁111喷出氮的喷出口736C。喷出口736C在多个晶圆W的排列方向上配置于与内槽101的内壁111相对的第一张晶圆W和内壁111之间。
同样地，在第2实施方式所涉及的第4喷出路径174C的第2延伸部742C设有朝向内槽101的内壁111喷出氮的喷出口746C。喷出口746C在多个晶圆W的排列方向上配置于与内槽101的内壁111相对的第一张晶圆W和内壁111之间。
形成于内槽101的内部的液流有时在与内槽101的内壁111相对的第一张晶圆W和内壁111之间与在晶圆W和晶圆W之间不同。例如在晶圆W与晶圆W之间形成有蚀刻液的上升流，相对于此，在第一张晶圆W与内壁111之间可能形成蚀刻液的下降流。
相对于此，第2实施方式所涉及的气体供给部107C包括朝向内槽101的内壁111喷出氮的喷出口736C、746C，由此能够抑制形成于第一张晶圆W与内壁111之间的下降流。因而，根据第2实施方式所涉及的气体供给部107C，能够抑制液流在与内槽101的内壁111相对的第一张晶圆W和内壁111之间与在晶圆W和晶圆W之间产生偏差。
在此，对气体供给部107C包括朝向内槽101的前方的内壁111喷出氮的喷出口736C、746C的情况的例子进行了说明。但并不限定于此，气体供给部107C也可以包括朝向内槽101的后方的内壁或侧方的内壁喷出氮的喷出口。
(第3实施方式)
接着，参照图10对第3实施方式所涉及的气体供给部的结构进行说明。图10是第3实施方式所涉及的气体供给部的立体图。
如图10所示，第3实施方式所涉及的气体供给部107D包括两个第1喷出路径171D、两个第2喷出路径172D、两个第3喷出路径173D以及两个第4喷出路径174D。第1喷出路径171D包括第1延伸部711D和第2延伸部712D，第2喷出路径172D包括第1延伸部721D和第2延伸部722D，第3喷出路径173D包括第1延伸部731D和第2延伸部732D，第4喷出路径174D包括第1延伸部741D和第2延伸部742D。在第2延伸部712D、722D、732D、742D设有多个喷出口(此处未图示)。另外，设于第2延伸部732D的多个喷出口与配置于前方侧的一半的晶圆W的间隙相对应地配置，设于第2延伸部742D的多个喷出口与配置于后方侧的一半的晶圆W的间隙相对应地配置。
另外，第3实施方式所涉及的气体供给部107D包括用于调整第1喷出路径171D、第2喷出路径172D、第3喷出路径173D以及第4喷出路径174D的位置的位置调整部176D。
第3实施方式所涉及的位置调整部176D包括安装板761。在安装板761形成有多个安装孔762。多个安装孔762例如沿着多个晶圆W的排列方向以及与该排列方向正交的方向排列。各安装孔762形成为第1延伸部711D、721D、731D、741D能够贯穿的大小。因而，安装板761能够将第1喷出路径171D～第4喷出路径174D安装于任意的位置。此外，各安装孔762设为能够使第3喷出路径173D的第1延伸部731D和第4喷出路径174D的第1延伸部741D一起贯穿。
另外，位置调整部176D包括用于将第1延伸部711D、721D、731D、741D固定于安装孔762的固定部763。
这样，根据第3实施方式所涉及的气体供给部107D，由于包括位置调整部176D，因此，能够调整第1喷出路径171D、第2喷出路径172D、第3喷出路径173D以及第4喷出路径174D的位置。因而，例如能够基于预先获取的多个晶圆W的蚀刻处理的结果，使第1喷出路径171D的配置、第2喷出路径172D的配置、第3喷出路径173D的配置以及第4喷出路径174D的配置最佳化。由此，能够在处理槽61的内部形成使多个晶圆W的蚀刻处理更均匀的蚀刻液的液流。
此外，固定部763也可以构成为能够在铅垂方向上的多个固定位置固定第1延伸部711D、721D、731D、741D。通过这样构成，还能够调整第1喷出路径171D的高度位置、第2喷出路径172D的高度位置、第3喷出路径173D的高度位置以及第4喷出路径174D的高度位置。
＜位置调整部的变形例＞
接着，参照图11和图12对上述的位置调整部176D的变形例进行说明。图11是表示第3实施方式的第1变形例所涉及的位置调整部的结构的立体图。另外，图12是表示第3实施方式的第2变形例所涉及的位置调整部的结构的立体图。
如图11所示，第3实施方式的第1变形例所涉及的气体供给部107E包括位置调整部176E。位置调整部176E包括丝杠轴764、保持部765以及驱动部766。保持部765保持两个第1喷出路径171E、两个第2喷出路径172E、两个第3喷出路径173E以及两个第4喷出路径174E。
丝杠轴764和驱动部766为使保持部765移动的移动机构的一个例子。丝杠轴764沿着多个晶圆W的排列方向(Y轴方向)延伸。驱动部766通过使丝杠轴764绕轴线旋转，从而使保持部765沿着多个晶圆W的排列方向移动。
此外，在此省略图示，但包含丝杠轴764和驱动部766的移动机构构成为包含轴支承丝杠轴764的轴承、以能够在多个晶圆W的排列方向上移动的方式支承保持部765的轨道等。
第1变形例所涉及的位置调整部176E使用丝杠轴764和驱动部766来使保持部765移动。由此，能够使两个第1喷出路径171E、两个第2喷出路径172E、两个第3喷出路径173E以及两个第4喷出路径174E沿着多个晶圆W的排列方向移动。
由此，第1变形例所涉及的气体供给部107E能够使两个第1喷出路径171E、两个第2喷出路径172E、两个第3喷出路径173E以及两个第4喷出路径174E的在多个晶圆W的排列方向上的位置最佳化。例如能够基于预先获取的多个晶圆W的蚀刻处理的结果事先进行位置的最佳化。即，以使多个晶圆W的蚀刻量均等的方式调整两个第1喷出路径171E、两个第2喷出路径172E、两个第3喷出路径173E以及两个第4喷出路径174E的在多个晶圆W的排列方向上的位置即可。
另外，也可以在蚀刻处理中进行位置调整部176E的位置调整。例如也可以是，控制部7在使多个晶圆W浸渍于内槽101、并自第1喷出路径171E～第4喷出路径174E喷出氮的状态下，控制位置调整部176E来变更第1喷出路径171E～第4喷出路径174E的喷出位置。该情况下，控制部7例如以小于多个晶圆W之间的距离的行程(例如多个晶圆W之间的距离的一半的行程)变更第1喷出路径171E～第4喷出路径174E的喷出位置。第1喷出路径171E～第4喷出路径174E的位置变更的形态既可以是在两个地点之间往返的形态，也可以是其他的形态。
如此，控制部7可以在蚀刻处理中沿着多个晶圆W的排列方向变更第1喷出路径171E～第4喷出路径174E的喷出位置。由此，能够抑制氮较多地进入多个晶圆W之间的间隙中的一部分的间隙且氮不怎么进入另一部分的间隙这样的氮的供给量的偏差。因而，能够谋求多个晶圆W之间的蚀刻量的均匀化。
如图12所示，第3实施方式的第2变形例所涉及的气体供给部107F包括位置调整部176F。位置调整部176F包括丝杠轴767、多个保持部768以及驱动部769。多个(此处6个)保持部768分别保持第1喷出路径171F、第2喷出路径172F、第3喷出路径173F以及第4喷出路径174F、第3喷出路径173F以及第4喷出路径174F、第2喷出路径172F、第1喷出路径171F。此外，位置调整部176F也可以包括保持全部的第1喷出路径171F～第4喷出路径174F的一个保持部。
丝杠轴767和驱动部769为使多个保持部768移动的移动机构的一个例子。丝杠轴767沿着与多个晶圆W的排列方向正交的方向(X轴方向)延伸。驱动部769通过使丝杠轴767绕轴线旋转，从而使多个保持部768一起沿着与多个晶圆W的排列方向正交的方向移动。
第2变形例所涉及的位置调整部176F使用丝杠轴767和驱动部769来使多个保持部768移动。由此，能够使两个第1喷出路径171F、两个第2喷出路径172F、两个第3喷出路径173F以及两个第4喷出路径174F沿着与多个晶圆W的排列方向正交的方向移动。
由此，第2变形例所涉及的气体供给部107F能够使第1喷出路径171F～第4喷出路径174F的在与多个晶圆W的排列方向正交的方向上的位置最佳化。
位置调整部176F的位置调整既可以基于预先获取的多个晶圆W的蚀刻处理的结果事前进行，也可以在蚀刻中进行。在蚀刻中进行的情况下，也可以是，控制部7在使多个晶圆W浸渍于内槽101、并自第1喷出路径171F～第4喷出路径174F喷出氮的状态下，控制位置调整部176F来变更第1喷出路径171F～第4喷出路径174F的喷出位置。
如此，控制部7也可以在蚀刻处理中沿着与多个晶圆W的排列方向正交的方向变更第1喷出路径171F～第4喷出路径174F的喷出位置。由此，能够抑制一张晶圆W的面内的氮的供给量的偏差。因而，能够谋求晶圆W的面内的蚀刻量的均匀化。
在第1变形例中，对位置调整部176E使第1喷出路径171E～第4喷出路径174E一体移动的情况的例子进行了说明，但位置调整部176E也可以是使第1喷出路径171E～第4喷出路径174E独立移动的结构。该情况下，气体供给部107E包括保持第1喷出路径171E并使其移动的移动机构、保持第2喷出路径172E并使其移动的移动机构、保持第3喷出路径173E和第4喷出路径174E并使其移动的移动机构即可。对于第2变形例也相同。即，气体供给部107F包括保持第1喷出路径171F并使其移动的移动机构、保持第2喷出路径172F并使其移动的移动机构、保持第3喷出路径173F和第4喷出路径174F并使其移动的移动机构即可。
(第4实施方式)
接着，参照图13对第4实施方式所涉及的气体供给部的结构进行说明。图13是第4实施方式所涉及的气体供给部的剖视图。此外，图13所示的气体供给部107G设为包括与第1实施方式所涉及的第1喷出路径171～第4喷出路径174相同的第1喷出路径171G～第4喷出路径174G，但也可以包括与其他的实施方式相同的第1喷出路径～第4喷出路径。
如图13所示，控制部7也可以控制流量调整器713～743(参照图3)而切换图13的上图所示的第1喷出状态与图13的下图所示的第2喷出状态。第1喷出状态为自第1喷出路径171G～第4喷出路径174G中的一部分的喷出路径、在此自两个第1喷出路径171G、两个第3喷出路径173G以及两个第4喷出路径174G喷出氮的状态。另外，第2喷出状态为自两个第2喷出路径172G喷出氮的状态。
这样，控制部7也可以切换自第1喷出路径171G～第4喷出路径174G中的一部分的喷出路径喷出氮的第1喷出状态与自另一部分的喷出路径喷出氮的第2喷出状态。由此，能够谋求晶圆W的面内的蚀刻量的均匀化。此外，第1喷出状态和第2喷出状态的切换在一次蚀刻处理中既可以进行一次，也可以进行多次。
(第5实施方式)
接着，参照图14和图15对第5实施方式所涉及的气体供给部的结构进行说明。图14是从上方观察第5实施方式所涉及的气体供给部的立体图。另外，图15是从下方观察第5实施方式所涉及的气体供给部的立体图。
如图14和图15所示，第5实施方式所涉及的气体供给部107H包括第1喷出路径171H～第9喷出路径179H和喷出板177。在喷出板177设有彼此划分出的多个(此处9个)喷出区域178H1～178H9。
在喷出区域178H1～178H9分别连接第1喷出路径171H～第9喷出路径179H。在喷出区域178H1的上表面形成多个喷出口715H，在喷出区域178H2的上表面形成多个喷出口725H，在喷出区域178H3的上表面形成多个喷出口735H。另外，在喷出区域178H4的上表面形成多个喷出口745H，在喷出区域178H5的上表面形成多个喷出口755H，在喷出区域178H6的上表面形成多个喷出口765H。另外，在喷出区域178H7的上表面形成多个喷出口775H，在喷出区域178H8的上表面形成多个喷出口785H，在喷出区域178H9的上表面形成多个喷出口795H。
喷出区域178H1～178H9相对于喷出板177例如呈3×3的形列状配置。具体而言，喷出区域178H1、178H2、178H3沿着多个晶圆W的排列方向排列配置，喷出区域178H8、178H4、178H9沿着多个晶圆W的排列方向排列配置。另外，喷出区域178H7、178H6、178H5沿着多个晶圆W的排列方向排列配置。
这样，第5实施方式所涉及的气体供给部107H通过将多个晶圆W的下方的区域分割成多个(此处9个)喷出区域178H1～178H9，能够按每个喷出区域178H1～178H9控制氮的喷出时间、喷出流量。例如控制部7能够基于预先获取的多个晶圆W的蚀刻处理的结果，来控制喷出区域178H1～178H9的氮的喷出时间和喷出流量中的至少一者。
另外，喷出板177相对于第1喷出路径171H～第9喷出路径179H能够装卸。因而，例如能够根据预先获取的多个晶圆W的蚀刻处理的结果，从喷出区域178H1～178H9的配置、形状不同的多个喷出板177中选择最佳的喷出板177。由此，能够谋求多个晶圆W之间的蚀刻处理的进一步的均匀化。
此外，在第5实施方式所涉及的喷出板177也可以像第2实施方式所涉及的气体供给部107C那样设置朝向内槽101的内壁111喷出氮的喷出口。该情况下，朝向内壁111喷出氮的喷出口例如设于喷出区域178H1、178H7、178H8。另外，第5实施方式所涉及的气体供给部107H也可以与第3实施方式所涉及的气体供给部107E、107F相同地包括使第1喷出路径171H～第9喷出路径179H移动的移动机构。
(其他的实施方式)
在上述的各实施方式中，对气体供给部107、107A～107H喷出氮等的气体的情况的例子进行了说明，但气体供给部107、107A～107H也可以喷出液体，而并不限定于气体。
如上所述，实施方式所涉及的基板处理装置1包括处理槽61和流体供给部(作为一个例子，气体供给部107、107A～107H)。处理槽61通过使排列的多个基板(作为一个例子，晶圆W)浸渍于处理液(作为一个例子，蚀刻液)而对该多个基板进行处理(作为一个例子，蚀刻处理)。流体供给部在处理槽61的内部配置于比多个基板靠下方的位置，并通过喷出流体(作为一个例子，氮)而在处理槽61的内部产生处理液的液流。另外，流体供给部具有向在多个基板的排列方向上的不同的区域喷出流体的多个喷出路径(作为一个例子，第3喷出路径173、173A～173G、第4喷出路径174、174A～174G、第1喷出路径171H～第9喷出路径179H)。
由此，通过设置向在多个基板的排列方向上的不同的区域喷出流体的多个喷出路径，与在多个基板的排列方向上以均等的喷出时间、喷出流量喷出流体的情况相比较，能够在处理槽61内形成更适当的液流。
流体供给部(作为一个例子，气体供给部107、107A～107H)也可以供给气体作为流体。通过向处理槽61的内部供给作为流体的气体，能够在处理槽61的内部形成处理液的液流。由此，能够谋求基板之间的处理的均匀化、基板的面内的处理的均匀化。另外，能够谋求处理液的温度的均匀化。
流体供给部(作为一个例子，气体供给部107、107A～107H)也可以包括其他的喷出路径(作为一个例子，第1喷出路径171、171A～171H、第2喷出路径172、172A～172H)。其他的喷出路径在与多个基板的排列方向正交的方向上与多个喷出路径排列地配置，并喷出流体。该情况下，多个喷出路径也可以与其他的喷出路径相比内径较小。
由此，能够使多个喷出路径的压力损失高于其他的喷出路径的压力损失。因此，能够自多个喷出路径以更低的流量喷出流体。换言之，能够降低能够自多个喷出路径喷出的流体的最低流量。因而，能够更精细地控制处理液的液流。
流体供给部(作为一个例子，气体供给部107H)也可以包括喷出板177。喷出板177包括彼此划分出的多个喷出区域(作为一个例子，喷出区域178H1～178H9)。另外，多个喷出区域各自具有多个喷出口(作为一个例子，喷出口715H、725H、735H、745H、755H、765H、775H、785H、795H)，并与多个喷出路径中的对应的喷出路径连接。由此，能够按每个喷出区域来控制流体的喷出时间、喷出流量。另外，例如通过根据预先获取的多个基板的处理结果从喷出区域的配置、形状不同的多个喷出板中选择最佳的喷出板，能够谋求基板处理的进一步的均匀化。
实施方式所涉及的基板处理装置1也可以包括使多个喷出路径(作为一个例子，第1喷出路径171E～第4喷出路径174E、第1喷出路径171F～第4喷出路径174F)移动的移动机构(作为一个例子，位置调整部176E、176F)。
由此，能够使多个喷出路径的在多个基板的排列方向上的位置最佳化。例如能够以使多个基板的处理均等的方式调整多个喷出路径的在多个基板的排列方向上的位置。
流体供给部(作为一个例子，气体供给部107C)也可以包括朝向处理槽61的内壁111喷出流体的喷出口(作为一个例子，喷出口736C、746C)。由此，能够抑制在第一张基板与内壁111之间形成的下降流。因而，能够抑制在与内壁111相对的第一张基板和内壁111之间与在基板和基板之间产生液流的偏差。
流体供给部(作为一个例子，气体供给部107D)也可以包括安装喷出路径的安装板761。安装板761具有多个安装孔762，能够相对于多个安装孔762中的任意的安装孔762安装喷出路径。因而，例如能够基于预先获取的多个基板的处理结果来使多个喷出路径的配置最佳化。由此，能够在处理槽61的内部形成使多个基板的处理更加均匀化的处理液的液流。
实施方式所涉及的基板处理装置包括处理槽61、流体供给部(作为一个例子，气体供给部107，107A～107H)以及控制部7。处理槽61使排列的多个基板(作为一个例子，晶圆W)浸渍于处理液(作为一个例子，蚀刻液)并进行处理(作为一个例子，蚀刻处理)。流体供给部在处理槽61的内部配置于比多个基板靠下方的位置，通过喷出流体(作为一个例子，氮)，从而在处理槽61的内部产生处理液的液流。控制部7控制自流体供给部喷出的流体的喷出时间和喷出流量中的至少一者。另外，流体供给部具有向在多个基板的排列方向上的不同的区域喷出流体的多个喷出路径(作为一个例子，第3喷出路径173、173A～173G、第4喷出路径174、174A～174G、第1喷出路径171H～第9喷出路径179H)。
由此，通过设置向在多个基板的排列方向上的不同的区域喷出流体的多个喷出路径，与在多个基板的排列方向上以均等的喷出时间、喷出流量喷出流体的情况相比较，能够在处理槽61内形成更适当的液流。另外，控制部通过独立地控制自多个喷出路径喷出的流体的喷出时间、喷出流量，能够更适当地控制处理槽61内的液流。
实施方式所涉及的基板处理装置1也可以包括使多个喷出路径(作为一个例子，第1喷出路径171E～第4喷出路径174E、第1喷出路径171F～第4喷出路径174F)移动的移动机构(作为一个例子，位置调整部176E，176F)。该情况下，控制部7也可以通过在使多个基板浸渍于处理槽61、并自多个喷出路径喷出流体的状态下控制移动机构而使多个喷出路径移动，从而变更多个喷出路径的喷出位置。
由此，通过在多个基板的处理中使用移动机构来使多个喷出路径移动，能够谋求多个基板之间或基板的面内的处理的均匀化。
移动机构(作为一个例子，位置调整部176E)也可以使多个喷出路径(作为一个例子，气体供给部107E)沿着多个基板的排列方向移动。
由此，能够抑制流体较多地进入多个基板之间的间隙中的一部分的间隙且流体不怎么进入另一部分的间隙这样的流体的供给量的偏差。因而，能够谋求多个基板之间的处理的均匀化。
控制部7也可以以小于多个基板之间的距离的行程使多个喷出路径移动。由此，能够适当地抑制多个基板之间的流体的供给量的偏差。
应该认为，此次公开的实施方式在所有方面为例示，而并不是限制性的。实际上，上述的实施方式能够利用多种方式来具体实现。另外，上述的实施方式也可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下以各种方式进行省略、替换、变更。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
处理槽，其通过使排列的多个基板浸渍于处理液而对该多个基板进行处理；以及
流体供给部，其在所述处理槽的内部配置于比所述多个基板靠下方的位置，通过喷出流体从而在所述处理槽的内部产生所述处理液的液流，
所述流体供给部具有向在所述多个基板的排列方向上的不同的区域喷出所述流体的多个喷出路径。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述流体供给部供给气体作为所述流体。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述流体供给部包括在与所述多个基板的排列方向正交的方向上与所述多个喷出路径排列地配置并喷出所述流体的其他的喷出路径，
所述多个喷出路径与所述其他的喷出路径相比内径较小。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述流体供给部包括喷出板，该喷出板设有彼此划分出的多个喷出区域，
所述多个喷出区域各自具有多个喷出口，并与所述多个喷出路径中的对应的喷出路径连接。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括使所述多个喷出路径移动的移动机构。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述流体供给部包括朝向所述处理槽的内壁喷出所述流体的喷出口。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述流体供给部包括安装所述喷出路径的安装板，
所述安装板具有多个安装孔，能够相对于所述多个安装孔中的任意的安装孔安装所述喷出路径。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括：
控制部，其控制自所述流体供给部喷出的所述流体的喷出时间和喷出流量中的至少一者。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括使所述多个喷出路径移动的移动机构，
所述控制部通过在使所述多个基板浸渍于所述处理槽并自所述多个喷出路径喷出所述流体的状态下控制所述移动机构而使所述多个喷出路径移动，从而变更所述多个喷出路径的喷出位置。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
所述移动机构使所述多个喷出路径沿着所述多个基板的排列方向移动。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述控制部以小于所述多个基板之间的距离的行程使所述多个喷出路径移动。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7190912B2 (ja) * 2019-01-10 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2022034127A (ja) * 2020-08-18 2022-03-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2022073307A (ja) * 2020-10-30 2022-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2022073306A (ja) * 2020-10-30 2022-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT375841B (de) * 1981-08-31 1984-09-10 Prolic Ag Wasch- bzw. spuelvorrichtung fuer titerplatten od.dgl.
JPS63274794A (ja) * 1987-05-01 1988-11-11 Oki Electric Ind Co Ltd 誘電体コアの電解メツキ方法
JPS6413124U (zh) * 1987-07-10 1989-01-24
JP3165435B2 (ja) * 1990-11-17 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US5503171A (en) * 1992-12-26 1996-04-02 Tokyo Electron Limited Substrates-washing apparatus
KR100432495B1 (ko) * 2001-12-28 2004-05-22 주식회사 실트론 실리콘 웨이퍼 에칭장치
JP4366264B2 (ja) 2004-07-15 2009-11-18 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体ウェーハのエッチング装置
JP2006310767A (ja) * 2005-03-28 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4841376B2 (ja) * 2006-02-07 2011-12-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR101244896B1 (ko) 2006-06-05 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 기판 식각장치
KR20100050403A (ko) 2008-11-04 2010-05-13 주식회사 실트론 대상물의 습식 처리 장치 및 방법과 이에 사용되는 유체 확산판
JP5522028B2 (ja) * 2010-03-09 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5890198B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP5781015B2 (ja) * 2012-05-31 2015-09-16 三菱電機株式会社 ウェハ洗浄装置及び洗浄槽の洗浄方法
US9562291B2 (en) * 2014-01-14 2017-02-07 Mei, Llc Metal etch system
JP6509104B2 (ja) * 2015-09-30 2019-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6707412B2 (ja) * 2016-07-22 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6693846B2 (ja) * 2016-09-28 2020-05-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6971756B2 (ja) * 2017-02-01 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6895295B2 (ja) 2017-03-31 2021-06-30 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
US11594430B2 (en) * 2017-09-11 2023-02-28 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium
JP6971124B2 (ja) * 2017-10-24 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6985957B2 (ja) * 2018-02-21 2021-12-22 キオクシア株式会社 半導体処理装置
JP7178261B2 (ja) * 2018-12-27 2022-11-25 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP7190912B2 (ja) * 2019-01-10 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

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