JP3165435B2 - 洗浄装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、洗浄装置および洗浄方法に関し、特に洗浄
処理槽の底部から処理液を供給する洗浄装置に関する。
処理槽の底部から処理液を供給する洗浄装置に関する。
（従来の技術） 従来、この種の洗浄装置として、例えば半導体ウエハ
製造装置における洗浄装置がある。
製造装置における洗浄装置がある。
この半導体ウエハ製造装置における洗浄装置は、純水
を用いた洗浄処理や、例えばアンモニア等の化学薬品を
用いた洗浄処理等を行うようになっており、このような
洗浄処理では、洗浄処理槽の内部に複数枚の半導体ウエ
ハを等間隔、例えば1cm間隔に配列して垂直に設置し、
この状態で洗浄処理槽の底部より純水やアンモニア等の
洗浄処理液を洗浄処理槽内に供給して、半導体ウエハの
洗浄処理を行うようにしている。この際、半導体ウエハ
間を洗浄処理液が上昇する際に高い洗浄効果が得られ
る。
を用いた洗浄処理や、例えばアンモニア等の化学薬品を
用いた洗浄処理等を行うようになっており、このような
洗浄処理では、洗浄処理槽の内部に複数枚の半導体ウエ
ハを等間隔、例えば1cm間隔に配列して垂直に設置し、
この状態で洗浄処理槽の底部より純水やアンモニア等の
洗浄処理液を洗浄処理槽内に供給して、半導体ウエハの
洗浄処理を行うようにしている。この際、半導体ウエハ
間を洗浄処理液が上昇する際に高い洗浄効果が得られ
る。
（発明が解決しようとする課題） 上記従来の半導体ウエハ製造装置における洗浄装置に
あっては、洗浄処理槽内に洗浄処理液を供給する際、洗
浄処理槽の底部から押上げられた洗浄処理液が半導体ウ
エハに接触すると、半導体ウエハが等間隔で配列され、
しかも半導体ウエハ間の間隔が狭いために、例えば洗浄
液供給口の位置などに依存して、各ウエハ間で均一速度
で洗浄処理液が上昇することが妨げられていた。この結
果、バッチ処理される多数枚のウエハの洗浄効果が悪く
均一性も得られなかった。
あっては、洗浄処理槽内に洗浄処理液を供給する際、洗
浄処理槽の底部から押上げられた洗浄処理液が半導体ウ
エハに接触すると、半導体ウエハが等間隔で配列され、
しかも半導体ウエハ間の間隔が狭いために、例えば洗浄
液供給口の位置などに依存して、各ウエハ間で均一速度
で洗浄処理液が上昇することが妨げられていた。この結
果、バッチ処理される多数枚のウエハの洗浄効果が悪く
均一性も得られなかった。
そこで本発明は、洗浄処理槽の底部から洗浄処理液を
供給する場合に、均一に洗浄処理液を供給することがで
き、複数の被処理体の洗浄効果及びその均一性を高める
ことのできる洗浄装置および洗浄方法を提供すること
を、その解決課題としている。
供給する場合に、均一に洗浄処理液を供給することがで
き、複数の被処理体の洗浄効果及びその均一性を高める
ことのできる洗浄装置および洗浄方法を提供すること
を、その解決課題としている。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 請求項１に記載の発明に係る洗浄装置は、 前記洗浄処理槽外に配置され、被処理体を持ち上げ支
持する複数の突き上げ部材を有し、該複数の突き上げ部
材の少なくとも一方を互いに近接する方向に移動させ
て、該複数の突き上げ部材が支持する前記被処理体を互
いに接近させる支持手段と、 前記支持手段から受け取った被処理体を搬送する搬送
手段と、 前記搬送手段から前記被処理体のみを受け取り、前記
洗浄処理槽の内部において前記複数の被処理体を所定間
隔で略垂直方向に収容する収容手段と、 前記洗浄処理槽内に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、 前記洗浄液を前記複数の被処理体に対して液体を均一
にして供給する均一供給手段と、 を備え、 前記洗浄液供給手段および前記均一供給手段は、前記
洗浄処理槽内の底部からの洗浄液の上昇速度が前記被処
理体に対して均一に0.5cm/s以上となるように構成した
ことを特徴とする。
持する複数の突き上げ部材を有し、該複数の突き上げ部
材の少なくとも一方を互いに近接する方向に移動させ
て、該複数の突き上げ部材が支持する前記被処理体を互
いに接近させる支持手段と、 前記支持手段から受け取った被処理体を搬送する搬送
手段と、 前記搬送手段から前記被処理体のみを受け取り、前記
洗浄処理槽の内部において前記複数の被処理体を所定間
隔で略垂直方向に収容する収容手段と、 前記洗浄処理槽内に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、 前記洗浄液を前記複数の被処理体に対して液体を均一
にして供給する均一供給手段と、 を備え、 前記洗浄液供給手段および前記均一供給手段は、前記
洗浄処理槽内の底部からの洗浄液の上昇速度が前記被処
理体に対して均一に0.5cm/s以上となるように構成した
ことを特徴とする。
請求項２に記載の発明に係る洗浄装置は、請求項１に
記載の洗浄装置において、 前記均一供給手段は、前記洗浄処理槽の底部に配設さ
れ、多数の孔を有する整流板を備えていることを特徴と
する。
記載の洗浄装置において、 前記均一供給手段は、前記洗浄処理槽の底部に配設さ
れ、多数の孔を有する整流板を備えていることを特徴と
する。
請求項３に記載の発明に係る洗浄装置は、 洗浄処理槽と、 前記洗浄処理槽外に配置され、被処理体を持ち上げ支
持する複数の突き上げ部材を有し、該複数の突き上げ部
材の少なくとも一方を互いに近接する方向に移動させ
て、該複数の突き上げ部材が支持する前記被処理体を互
いに接近させる支持手段と、 前記支持手段から受け取った被処理体を搬送する搬送
手段と、 前記搬送手段から前記被処理体のみを受け取り、前記
洗浄処理槽の内部において複数の被処理体を所定間隔で
略垂直方向に収容する収容手段と、 前記洗浄処理槽内に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、 前記洗浄液を前記複数の被処理体に対して液位を均一
にして供給する均一供給手段と、 を備える洗浄装置であって、 前記均一供給手段は、前記洗浄処理槽の底部に配設さ
れ、多数の孔を有する整流板を備え、 前記整流板に設けられた前記多数の孔は、前記整流板
の中心部と周辺部とで孔径またはピッチが異なることを
特徴とする。
持する複数の突き上げ部材を有し、該複数の突き上げ部
材の少なくとも一方を互いに近接する方向に移動させ
て、該複数の突き上げ部材が支持する前記被処理体を互
いに接近させる支持手段と、 前記支持手段から受け取った被処理体を搬送する搬送
手段と、 前記搬送手段から前記被処理体のみを受け取り、前記
洗浄処理槽の内部において複数の被処理体を所定間隔で
略垂直方向に収容する収容手段と、 前記洗浄処理槽内に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、 前記洗浄液を前記複数の被処理体に対して液位を均一
にして供給する均一供給手段と、 を備える洗浄装置であって、 前記均一供給手段は、前記洗浄処理槽の底部に配設さ
れ、多数の孔を有する整流板を備え、 前記整流板に設けられた前記多数の孔は、前記整流板
の中心部と周辺部とで孔径またはピッチが異なることを
特徴とする。
請求項４に記載の発明に係る洗浄装置は、請求項２ま
たは請求項３に記載の洗浄装置において、前記均一供給
手段は、前記整流板を２枚備えていることを特徴とす
る。
たは請求項３に記載の洗浄装置において、前記均一供給
手段は、前記整流板を２枚備えていることを特徴とす
る。
請求項５に記載の発明に係る洗浄装置は、請求項４に
記載の洗浄装置において、 前記２枚の整流板に各々形成された孔は、数およびピ
ッチの少なくともいずれか一方が前記２枚の整流板で異
なることを特徴とする。
記載の洗浄装置において、 前記２枚の整流板に各々形成された孔は、数およびピ
ッチの少なくともいずれか一方が前記２枚の整流板で異
なることを特徴とする。
請求項６に記載の発明に係る洗浄装置は、請求項１な
いし５のいずれかに記載の洗浄装置において、 前記洗浄処理槽は、オーバーフロー状態に維持され
て、前記複数の被処理体を前記洗浄液中に浸した状態で
洗浄することを特徴とする。
いし５のいずれかに記載の洗浄装置において、 前記洗浄処理槽は、オーバーフロー状態に維持され
て、前記複数の被処理体を前記洗浄液中に浸した状態で
洗浄することを特徴とする。
請求項７に記載の発明に係る洗浄方法は、 洗浄処理槽の内部に所定間隔で略垂直方向に配設され
た複数の被処理体の洗浄方法であって、 容器内に収容された複数の被処理体を複数の前記容器
から取り出し、前記各容器に収容されていた複数の被処
理体を各群として該群ごとに支持する工程と、 隣接する前記群同士を互いに近づける工程と、 複数の前記被処理体のみを洗浄処理槽内に収容する工
程と、 前記洗浄処理槽内に洗浄液を下方から供給し、前記洗
浄液の液位を前記複数の被処理体に対して均一な上昇速
度で上昇させながら供給することにより、前記複数の被
処理体を洗浄する工程と、 を有し、 前記被処理体を洗浄する工程においては、前記上昇速
度を0.5cm/s以上とすることを特徴とする。
た複数の被処理体の洗浄方法であって、 容器内に収容された複数の被処理体を複数の前記容器
から取り出し、前記各容器に収容されていた複数の被処
理体を各群として該群ごとに支持する工程と、 隣接する前記群同士を互いに近づける工程と、 複数の前記被処理体のみを洗浄処理槽内に収容する工
程と、 前記洗浄処理槽内に洗浄液を下方から供給し、前記洗
浄液の液位を前記複数の被処理体に対して均一な上昇速
度で上昇させながら供給することにより、前記複数の被
処理体を洗浄する工程と、 を有し、 前記被処理体を洗浄する工程においては、前記上昇速
度を0.5cm/s以上とすることを特徴とする。
請求項８に記載の発明に係る洗浄方法は、請求項７に
記載の洗浄方法において、 前記洗浄液を連続して供給し、前記洗浄処理槽をオー
バーフロー状態に維持して、前記複数の被処理体を前記
洗浄液中に浸した状態で洗浄する工程を有することを特
徴とする。
記載の洗浄方法において、 前記洗浄液を連続して供給し、前記洗浄処理槽をオー
バーフロー状態に維持して、前記複数の被処理体を前記
洗浄液中に浸した状態で洗浄する工程を有することを特
徴とする。
（作 用） 請求項１に記載の発明に係る洗浄装置は、洗浄処理槽
の内部の収容手段に被処理体を収容し、複数の被処理体
を所定間隔で略垂直方向に配設した状態において、均一
供給手段によって洗浄液を複数の被処理体に対して均一
な液位で供給するようになっている。したがって、複数
の被処理体に洗浄液を均一に接触させることができ、複
数の被処理体の洗浄液による均一な処理を行うことがで
きる。
の内部の収容手段に被処理体を収容し、複数の被処理体
を所定間隔で略垂直方向に配設した状態において、均一
供給手段によって洗浄液を複数の被処理体に対して均一
な液位で供給するようになっている。したがって、複数
の被処理体に洗浄液を均一に接触させることができ、複
数の被処理体の洗浄液による均一な処理を行うことがで
きる。
また、本発明に係る洗浄装置は、洗浄液が洗浄処理槽
内の底部から0.5cm/s以上の上昇速度で供給されるよう
に、洗浄液供給手段および均一供給手段が構成されてい
る。したがって、複数の被処理体の均一な処理を、十分
な処理速度で行うことができる。
内の底部から0.5cm/s以上の上昇速度で供給されるよう
に、洗浄液供給手段および均一供給手段が構成されてい
る。したがって、複数の被処理体の均一な処理を、十分
な処理速度で行うことができる。
さらに、被処理体を支持した複数の突き上げ部材を互
いに接近させることができるため、ある突き上げ部材で
支持された端の被処理体と、隣接する突き上げ部材で支
持された端の被処理体との間隔を、一つの突き上げ部材
で支持された被処理体同士のピッチと同一にすることが
できる。したがって、複数の突き上げ部材から受け取っ
た被処理体を、均一間隔で洗浄処理槽の収容手段に収容
した洗浄することができ、それによって複数の被処理体
を均一に洗浄することができる。
いに接近させることができるため、ある突き上げ部材で
支持された端の被処理体と、隣接する突き上げ部材で支
持された端の被処理体との間隔を、一つの突き上げ部材
で支持された被処理体同士のピッチと同一にすることが
できる。したがって、複数の突き上げ部材から受け取っ
た被処理体を、均一間隔で洗浄処理槽の収容手段に収容
した洗浄することができ、それによって複数の被処理体
を均一に洗浄することができる。
そして、洗浄処理槽において被処理体が収容される収
容手段は、搬送手段から被処理体のみを受け取るため、
他のプロセスで使用された容器に付着した処理液などに
よって洗浄液が汚染される可能性が低下する。
容手段は、搬送手段から被処理体のみを受け取るため、
他のプロセスで使用された容器に付着した処理液などに
よって洗浄液が汚染される可能性が低下する。
請求項２に記載の発明に係る洗浄装置は、洗浄処理槽
の底部に配設した多数の小孔を有する整流板を均一供給
手段が有し、この整流板を介して洗浄液を被処理体列に
供給する。このとき、洗浄液は拡散されて供給されるの
で、洗浄液供給口の位置に依存せずに、整流板の多数の
小孔から洗浄液が均一に被処理体側に流出し、各被処理
体に均一に接触して被処理体を均一に処理することとな
る。
の底部に配設した多数の小孔を有する整流板を均一供給
手段が有し、この整流板を介して洗浄液を被処理体列に
供給する。このとき、洗浄液は拡散されて供給されるの
で、洗浄液供給口の位置に依存せずに、整流板の多数の
小孔から洗浄液が均一に被処理体側に流出し、各被処理
体に均一に接触して被処理体を均一に処理することとな
る。
請求項３に記載の発明に係る洗浄装置は、洗浄処理槽
の内部の収容手段に被処理体を収容し、複数の被処理体
を所定間隔で略垂直方向に配設した状態において、均一
供給手段によって洗浄液を複数の被処理体に対して均一
な液位で供給するようになっている。したがって、複数
の被処理体に洗浄液を均一に接触させることができ、複
数の被処理体の洗浄液による均一な処理を行うことがで
きる。
の内部の収容手段に被処理体を収容し、複数の被処理体
を所定間隔で略垂直方向に配設した状態において、均一
供給手段によって洗浄液を複数の被処理体に対して均一
な液位で供給するようになっている。したがって、複数
の被処理体に洗浄液を均一に接触させることができ、複
数の被処理体の洗浄液による均一な処理を行うことがで
きる。
また、本発明に係る洗浄装置は、洗浄処理槽の底部に
配設した多数の小孔を有する整流板を均一供給手段が有
し、この整流板を介して洗浄液を被処理体列に供給す
る。このとき、洗浄液は拡散されて供給されるので、洗
浄液供給口の位置に依存せずに、整流板の多数の小孔か
ら洗浄液が均一に被処理体側に流出し、各被処理体に均
一に接触して被処理体を均一に処理することとなる。
配設した多数の小孔を有する整流板を均一供給手段が有
し、この整流板を介して洗浄液を被処理体列に供給す
る。このとき、洗浄液は拡散されて供給されるので、洗
浄液供給口の位置に依存せずに、整流板の多数の小孔か
ら洗浄液が均一に被処理体側に流出し、各被処理体に均
一に接触して被処理体を均一に処理することとなる。
さらに、整流板に設けられている多数の孔の孔径また
はピッチを整流板の中心部と周辺部とで変えてあるた
め、例えば、孔径またはピッチの少なくともいずれかの
分布を変化させて、洗浄処理槽の底部ほぼ中央に設けら
れた洗浄液供給口の位置に対応した領域からの洗浄液の
流出抵抗を大きくし、整流板の多数の小孔から洗浄液を
均一に被処理体側に流出するようにし、各被処理体をさ
らに均一に処理することができる。
はピッチを整流板の中心部と周辺部とで変えてあるた
め、例えば、孔径またはピッチの少なくともいずれかの
分布を変化させて、洗浄処理槽の底部ほぼ中央に設けら
れた洗浄液供給口の位置に対応した領域からの洗浄液の
流出抵抗を大きくし、整流板の多数の小孔から洗浄液を
均一に被処理体側に流出するようにし、各被処理体をさ
らに均一に処理することができる。
また、被処理体を支持した複数の突き上げ部材を互い
に接近させることができるため、ある突き上げ部材で支
持された端の被処理体と、隣接する突き上げ部材で支持
された端の被処理体との間隔を、一つの突き上げ部材で
支持された被処理体同士のピッチと同一にすることがで
きる。したがって、複数の突き上げ部材から受け取った
被処理体を、均一間隔で洗浄処理槽の収容手段に収容し
て洗浄することができ、それによって複数の被処理体を
均一に洗浄することができる。
に接近させることができるため、ある突き上げ部材で支
持された端の被処理体と、隣接する突き上げ部材で支持
された端の被処理体との間隔を、一つの突き上げ部材で
支持された被処理体同士のピッチと同一にすることがで
きる。したがって、複数の突き上げ部材から受け取った
被処理体を、均一間隔で洗浄処理槽の収容手段に収容し
て洗浄することができ、それによって複数の被処理体を
均一に洗浄することができる。
そして、洗浄処理槽において被処理体が収容される収
容手段は、搬送手段から被処理体のみを受け取るため、
他のプロセスで使用された容器に付着した処理液などに
よって洗浄液が汚染される可能性が低下する。
容手段は、搬送手段から被処理体のみを受け取るため、
他のプロセスで使用された容器に付着した処理液などに
よって洗浄液が汚染される可能性が低下する。
請求項４に記載の発明に係る洗浄装置は、洗浄処理槽
の底部に配設した多数の小孔を有する２枚の整流板を均
一供給手段が有し、これら整流板を介して洗浄液を被処
理体列に供給する。このとき、洗浄液は２度にわたり拡
散されて供給されるので、洗浄液供給口の位置に依存せ
ずに、整流板の多数の小孔から洗浄液の被処理体側への
流出が確実に均一化され、各被処理体に均一に接触して
被処理体を均一に処理することができる。
の底部に配設した多数の小孔を有する２枚の整流板を均
一供給手段が有し、これら整流板を介して洗浄液を被処
理体列に供給する。このとき、洗浄液は２度にわたり拡
散されて供給されるので、洗浄液供給口の位置に依存せ
ずに、整流板の多数の小孔から洗浄液の被処理体側への
流出が確実に均一化され、各被処理体に均一に接触して
被処理体を均一に処理することができる。
請求項５に記載の発明に係る洗浄装置は、前記２枚の
整流板に形成された孔の数やピッチが、これら２枚の整
流板の間で異なる。したがって、一方の整流板の孔を通
過した洗浄液がそのまま他方の整流板の孔に流れ込むこ
とが殆どなく、これら整流板を介しての洗浄液の被処理
体側への流出を一層確実に均一化することができる。
整流板に形成された孔の数やピッチが、これら２枚の整
流板の間で異なる。したがって、一方の整流板の孔を通
過した洗浄液がそのまま他方の整流板の孔に流れ込むこ
とが殆どなく、これら整流板を介しての洗浄液の被処理
体側への流出を一層確実に均一化することができる。
請求項６に記載の発明に係る洗浄装置においては、洗
浄処理槽がオーバーフロー状態に維持されて被処理体が
洗浄される。したがって、洗浄処理槽内を流れる洗浄液
中に複数の被処理体を浸した状態で洗浄することがで
き、複数の被処理体の洗浄処理を、迅速に行うことが可
能な洗浄装置となる。
浄処理槽がオーバーフロー状態に維持されて被処理体が
洗浄される。したがって、洗浄処理槽内を流れる洗浄液
中に複数の被処理体を浸した状態で洗浄することがで
き、複数の被処理体の洗浄処理を、迅速に行うことが可
能な洗浄装置となる。
請求項７に記載の発明に係る洗浄方法においては、複
数の被処理体を洗浄処理槽内に挿入して、所定間隔で垂
直方向に立設する。そして、洗浄処理槽内に洗浄液を下
方から複数の被処理体に対して均一な上昇速度で供給す
る。したがって、洗浄液が被処理体にむらなく接触する
こととなり、複数の被処理体の洗浄処理を、均一かつ迅
速に行うことができる洗浄方法となる。
数の被処理体を洗浄処理槽内に挿入して、所定間隔で垂
直方向に立設する。そして、洗浄処理槽内に洗浄液を下
方から複数の被処理体に対して均一な上昇速度で供給す
る。したがって、洗浄液が被処理体にむらなく接触する
こととなり、複数の被処理体の洗浄処理を、均一かつ迅
速に行うことができる洗浄方法となる。
また、洗浄液を洗浄処理槽内に下方から0.5cm/s以上
の上昇速度で上昇させながら供給するため、複数の被処
理体の均一な処理を、十分な処理速度で行うことができ
る。
の上昇速度で上昇させながら供給するため、複数の被処
理体の均一な処理を、十分な処理速度で行うことができ
る。
さらに、容器内に収容された複数の被処理体を複数の
容器から取り出し、各容器に収容されていた複数の被処
理体を各群として支持し、隣接する群同士を互いに近づ
ける。したがって、複数の容器から受け取った複数の被
処理体を、均一間隔で洗浄処理槽に収容して洗浄するこ
とができ、それら複数の被処理体を均一に洗浄すること
ができる。
容器から取り出し、各容器に収容されていた複数の被処
理体を各群として支持し、隣接する群同士を互いに近づ
ける。したがって、複数の容器から受け取った複数の被
処理体を、均一間隔で洗浄処理槽に収容して洗浄するこ
とができ、それら複数の被処理体を均一に洗浄すること
ができる。
さらに、洗浄処理槽内には被処理体のみが収容される
ため、他のプロセスで使用された容器に付着した処理液
などによって洗浄液が汚染される可能性が低下する。
ため、他のプロセスで使用された容器に付着した処理液
などによって洗浄液が汚染される可能性が低下する。
請求項８に記載の発明に係る洗浄方法においては、洗
浄処理槽内に洗浄液を下方から複数の被処理体に対して
均一な上昇速度で、かつ連続して供給してオーバーフロ
ー状態に維持し、流れる洗浄液中に被処理体を浸した状
態で洗浄する。したがって、流れる洗浄液が被処理体に
むらなく均一に所定時間にわたって接触することとな
り、複数の被処理体の洗浄処理を、均一かつ迅速に行う
ことができる洗浄方法となる。
浄処理槽内に洗浄液を下方から複数の被処理体に対して
均一な上昇速度で、かつ連続して供給してオーバーフロ
ー状態に維持し、流れる洗浄液中に被処理体を浸した状
態で洗浄する。したがって、流れる洗浄液が被処理体に
むらなく均一に所定時間にわたって接触することとな
り、複数の被処理体の洗浄処理を、均一かつ迅速に行う
ことができる洗浄方法となる。
（実施例） 以下、本発明を半導体ウエハ製造装置における洗浄装
置に適用した実施例について、図面を参照して説明す
る。
置に適用した実施例について、図面を参照して説明す
る。
第１図において、本実施例の被処理体である半導体ウ
エハの洗浄装置は、３つの洗浄処理ユニット10,12,14を
組合せて構成されている。また、搬入側の処理ユニット
10にはローダ16が接続され、搬出側の処理ユニット14に
はアンローダ18が接続されており、さらに洗浄処理ユニ
ット10,12間及び洗浄処理ユニット12,14間に、３ユニッ
トのいずれかに含まれる水中ローダ20が配設されてい
る。
エハの洗浄装置は、３つの洗浄処理ユニット10,12,14を
組合せて構成されている。また、搬入側の処理ユニット
10にはローダ16が接続され、搬出側の処理ユニット14に
はアンローダ18が接続されており、さらに洗浄処理ユニ
ット10,12間及び洗浄処理ユニット12,14間に、３ユニッ
トのいずれかに含まれる水中ローダ20が配設されてい
る。
搬入側の洗浄処理ユニット10は、中心位置に半導体ウ
エハ22搬送用の回転搬送アーム24を配設すると共に、そ
の周囲でローダ16の正面及び回転搬送アーム24の左隣に
２つの洗浄処理槽26、28を配設するようにしている。本
実施例においては、洗浄処理槽26はアンモニア処理を行
う薬品処理槽として用いられ、洗浄処理槽28は水洗処理
を行うクイック・ダンプ・リンス（QDR）処理槽として
用いられている。
エハ22搬送用の回転搬送アーム24を配設すると共に、そ
の周囲でローダ16の正面及び回転搬送アーム24の左隣に
２つの洗浄処理槽26、28を配設するようにしている。本
実施例においては、洗浄処理槽26はアンモニア処理を行
う薬品処理槽として用いられ、洗浄処理槽28は水洗処理
を行うクイック・ダンプ・リンス（QDR）処理槽として
用いられている。
中央の洗浄処理ユニット12は、中心位置に配設した回
転搬送アーム24の周囲で左右両側に水中ローダ20を位置
させ、その間の前後位置に２つの洗浄処理槽30,32を配
設するようにしている。本実施例の、洗浄処理槽30はフ
ッ酸処理を行なう薬品処理槽として用いられ、また洗浄
処理槽32は水洗オーバーフロー処理槽として用いられて
いる。
転搬送アーム24の周囲で左右両側に水中ローダ20を位置
させ、その間の前後位置に２つの洗浄処理槽30,32を配
設するようにしている。本実施例の、洗浄処理槽30はフ
ッ酸処理を行なう薬品処理槽として用いられ、また洗浄
処理槽32は水洗オーバーフロー処理槽として用いられて
いる。
搬出側の洗浄処理ユニット14は、中心位置に配設した
回転搬送アーム24の周囲で、アンローダ18の正面側に洗
浄処理槽34を配設すると共に、回転搬送アーム24の右隣
に乾燥処理槽36を配設するようにしている。本実施例で
は、洗浄処理槽34は水洗ファイナルリンス槽として用い
られている。
回転搬送アーム24の周囲で、アンローダ18の正面側に洗
浄処理槽34を配設すると共に、回転搬送アーム24の右隣
に乾燥処理槽36を配設するようにしている。本実施例で
は、洗浄処理槽34は水洗ファイナルリンス槽として用い
られている。
そして、２つのキャリア48上に載置された各々25枚ず
つの半導体ウエハ22がローダ16に搬送されてくると、ロ
ーダ16上で所謂オリフラ合せ機構によって半導体ウエハ
22のオリフラ合せがなされた後、突き上げ機構により半
導体ウエハ22が持上げられかつ寄せ合わせられるように
なっている。
つの半導体ウエハ22がローダ16に搬送されてくると、ロ
ーダ16上で所謂オリフラ合せ機構によって半導体ウエハ
22のオリフラ合せがなされた後、突き上げ機構により半
導体ウエハ22が持上げられかつ寄せ合わせられるように
なっている。
次いで、回転搬送アーム24が作動して、ローダ16上か
ら半導体ウエハ22のみを取り出し、洗浄処理槽26へ半導
体ウエハ22のみを受渡して洗浄処理を行った後洗浄処理
槽26より半導体ウエハ22を受け取って洗浄処理槽28,水
中ローダ20へと送り順次洗浄処理を施す。
ら半導体ウエハ22のみを取り出し、洗浄処理槽26へ半導
体ウエハ22のみを受渡して洗浄処理を行った後洗浄処理
槽26より半導体ウエハ22を受け取って洗浄処理槽28,水
中ローダ20へと送り順次洗浄処理を施す。
その後、中間の処理ユニット12及び搬出側の処理ユニ
ット14の回転搬送アーム24にて、洗浄処理槽30,32,水中
ローダ20洗浄処理槽34,乾燥処理槽36へと搬送してそれ
ぞれ洗浄処理あるいは乾燥処理を施した後、アンローダ
18に送られ、半導体ウエハ22が２つのキャリア48に分け
て搭載され、搬出されるようになっている。
ット14の回転搬送アーム24にて、洗浄処理槽30,32,水中
ローダ20洗浄処理槽34,乾燥処理槽36へと搬送してそれ
ぞれ洗浄処理あるいは乾燥処理を施した後、アンローダ
18に送られ、半導体ウエハ22が２つのキャリア48に分け
て搭載され、搬出されるようになっている。
また、洗浄液例えば純水を用いてクイック・ダンプ・
リンス（QDR）処理を行う洗浄処理槽28や、洗浄液とし
てアンモニアを用いる洗浄処理槽26は、耐薬品性ボート
60上に等間隔、例えば、1cm間隔で半導体ウエハ22を例
えば50枚載置した状態で半導体ウエハ22を収容するよう
になっており、その底部には純水やアンモニア等の洗浄
処理液を供給するための処理液供給口62が設けられてい
る（第３図参照）。収容手段であるボート60に配列する
ウエハ22は、少なくとも処理面が露出する側にダミーウ
エハを配列してもよいし、適宜の位置にモニタウエハを
配列してもよい。
リンス（QDR）処理を行う洗浄処理槽28や、洗浄液とし
てアンモニアを用いる洗浄処理槽26は、耐薬品性ボート
60上に等間隔、例えば、1cm間隔で半導体ウエハ22を例
えば50枚載置した状態で半導体ウエハ22を収容するよう
になっており、その底部には純水やアンモニア等の洗浄
処理液を供給するための処理液供給口62が設けられてい
る（第３図参照）。収容手段であるボート60に配列する
ウエハ22は、少なくとも処理面が露出する側にダミーウ
エハを配列してもよいし、適宜の位置にモニタウエハを
配列してもよい。
また、洗浄処理槽26、28の上部外周には、第２図及び
第３図に示すように処理液供給口62より供給された処理
液がオーバーフローした場合のドレイン64が形成されて
いる。
第３図に示すように処理液供給口62より供給された処理
液がオーバーフローした場合のドレイン64が形成されて
いる。
そして、この洗浄処理槽26、28の底部には、洗浄処理
液面を0.5cm/sec以上の速度で均一に上昇させるように
例えば２枚の整流板66が配設されている。この整流板66
は、洗浄処理液を十分に拡散して整流するための多数の
小孔68を備えている。上記処理液面を上記速度で上昇さ
せる手段は整流板66に限らず他の平滑化供給手段すなわ
ち均一供給手段でもよい。
液面を0.5cm/sec以上の速度で均一に上昇させるように
例えば２枚の整流板66が配設されている。この整流板66
は、洗浄処理液を十分に拡散して整流するための多数の
小孔68を備えている。上記処理液面を上記速度で上昇さ
せる手段は整流板66に限らず他の平滑化供給手段すなわ
ち均一供給手段でもよい。
また、この整流板66は、処理液面の上昇速度が0.5cm/
sec以上になるように設定してある。例えば、直径1.5mm
の小孔68を、約4.8mmのピッチで設けている。この孔数
及びピッチは上下２枚の整流板66,66で異なるように設
定しても良い。また中央部と周辺部で孔径またはピッチ
を変えてもよい。また、拡散効果，通過速度の関係か
ら、整流板66を１枚あるいは３枚以上とすることもでき
る。
sec以上になるように設定してある。例えば、直径1.5mm
の小孔68を、約4.8mmのピッチで設けている。この孔数
及びピッチは上下２枚の整流板66,66で異なるように設
定しても良い。また中央部と周辺部で孔径またはピッチ
を変えてもよい。また、拡散効果，通過速度の関係か
ら、整流板66を１枚あるいは３枚以上とすることもでき
る。
次に、上記整流板を用いた洗浄処理の状態を説明する
と、まず洗浄液供給手段である洗浄処理液供給部（図示
せず）から洗浄処理液を洗浄処理槽26,28に圧送供給す
る。この場合、圧送供給された洗浄処理液は、洗浄処理
槽26,28の底部に設けた処理液供給口62から洗浄処理槽2
6,28内に送り込まれる。
と、まず洗浄液供給手段である洗浄処理液供給部（図示
せず）から洗浄処理液を洗浄処理槽26,28に圧送供給す
る。この場合、圧送供給された洗浄処理液は、洗浄処理
槽26,28の底部に設けた処理液供給口62から洗浄処理槽2
6,28内に送り込まれる。
次いで、洗浄処理槽26,28内に送り込まれた洗浄処理
液は、２枚の整流板66の多数の小孔68を通過して、ボー
ト60上の半導体ウエハ22側に均一に送り込まれる。
液は、２枚の整流板66の多数の小孔68を通過して、ボー
ト60上の半導体ウエハ22側に均一に送り込まれる。
そして、半導体ウエハ22側に均一に送り込まれた洗浄
処理液は、複数の半導体ウエハ22に均一に接触して、各
半導体ウエハ22を均一に洗浄処理することとなる。即
ち、整流板66を通過した洗浄処理液は、各半導体ウエハ
22間に均一に入り込んで、半導体ウエハ22と接触し、し
かも洗浄処理液に係る剪断力が小さくなるため、洗浄処
理液が半導体ウエハ22の外側に回り込んでしまうような
こともない。
処理液は、複数の半導体ウエハ22に均一に接触して、各
半導体ウエハ22を均一に洗浄処理することとなる。即
ち、整流板66を通過した洗浄処理液は、各半導体ウエハ
22間に均一に入り込んで、半導体ウエハ22と接触し、し
かも洗浄処理液に係る剪断力が小さくなるため、洗浄処
理液が半導体ウエハ22の外側に回り込んでしまうような
こともない。
さらに、上記整流板66は、処理液面の上昇速度が0.5c
m/sec以上になるように設定してあるので、洗浄処理速
度も十分な速度をもって処理できるものである。
m/sec以上になるように設定してあるので、洗浄処理速
度も十分な速度をもって処理できるものである。
洗浄処理槽26,28よりオーバーフローした洗浄処理液
は、上部のドレイン64より排出されることとなる。
は、上部のドレイン64より排出されることとなる。
次いで、洗浄処理槽26,28から洗浄処理液を抜き出せ
ば、洗浄処理が終了する。なお、この洗浄処理液の抜出
し時にも、洗浄処理がなされる。
ば、洗浄処理が終了する。なお、この洗浄処理液の抜出
し時にも、洗浄処理がなされる。
そして、ボート60を洗浄処理槽より引上げて、新しい
半導体ウエハ22を載置したボート60を洗浄処理槽内に挿
入すれば、次の洗浄処理の準備が完了する。
半導体ウエハ22を載置したボート60を洗浄処理槽内に挿
入すれば、次の洗浄処理の準備が完了する。
なお、整流板66の小孔68の直径及びピッチは、上記の
例に限らず、洗浄処理槽の条件に合せて変更し得るもの
である。上記実施例では半導体ウエハの洗浄について説
明したが、LCD基板、プリント基板など洗浄であればい
ずれに適用してもよい。
例に限らず、洗浄処理槽の条件に合せて変更し得るもの
である。上記実施例では半導体ウエハの洗浄について説
明したが、LCD基板、プリント基板など洗浄であればい
ずれに適用してもよい。
［発明の効果］ 以上説明したように、請求項１に記載の発明によれ
ば、複数の被処理体に洗浄液を均一に接触させることが
でき、複数の被処理体の洗浄液による均一な処理を、十
分な処理速度で行うことができる。
ば、複数の被処理体に洗浄液を均一に接触させることが
でき、複数の被処理体の洗浄液による均一な処理を、十
分な処理速度で行うことができる。
また、複数の突き上げ部材から受け取った被処理体
を、均一間隔で洗浄処理槽の収容手段に収容して洗浄す
ることができ、それによって複数の被処理体を均一に洗
浄することができる。
を、均一間隔で洗浄処理槽の収容手段に収容して洗浄す
ることができ、それによって複数の被処理体を均一に洗
浄することができる。
さらに、洗浄処理槽において被処理体が収容される収
容手段は、搬送手段から被処理体のみを受け取るため、
他のプロセスで使用された容器に付着した処理液などに
よって洗浄液が汚染される可能性が低下する。
容手段は、搬送手段から被処理体のみを受け取るため、
他のプロセスで使用された容器に付着した処理液などに
よって洗浄液が汚染される可能性が低下する。
請求項２に記載の発明に係る洗浄装置は、洗浄処理槽
の底部に配設した多数の小孔を有する整流板を均一供給
手段が有し、この整流板を介して洗浄液を被処理体列に
供給する際に洗浄液が拡散されて供給されるので、洗浄
液供給口の位置に依存せずに、整流板の多数の小孔から
洗浄液が均一に被処理体側に流出し、各被処理体に均一
に接触して被処理体を均一に処理することができる。
の底部に配設した多数の小孔を有する整流板を均一供給
手段が有し、この整流板を介して洗浄液を被処理体列に
供給する際に洗浄液が拡散されて供給されるので、洗浄
液供給口の位置に依存せずに、整流板の多数の小孔から
洗浄液が均一に被処理体側に流出し、各被処理体に均一
に接触して被処理体を均一に処理することができる。
請求項３に記載の発明に係る洗浄装置は、複数の被処
理体に洗浄液を均一に接触させることができ、複数の被
処理体の洗浄液による均一な処理を行うことができる。
理体に洗浄液を均一に接触させることができ、複数の被
処理体の洗浄液による均一な処理を行うことができる。
また、整流板に設けられている多数の孔の孔径または
ピッチを整流板の中心部と周辺部とで変えてあるため、
例えば、孔径またはピッチの少なくともいずれかの分布
を変化させて、洗浄処理槽の底部ほぼ中央に設けられた
洗浄液供給口の位置に対応した領域からの洗浄液の流出
抵抗を大きくし、整流板の多数の小孔から洗浄液を均一
に被処理体側に流出するようにし、各被処理体をさらに
均一に処理することができる。
ピッチを整流板の中心部と周辺部とで変えてあるため、
例えば、孔径またはピッチの少なくともいずれかの分布
を変化させて、洗浄処理槽の底部ほぼ中央に設けられた
洗浄液供給口の位置に対応した領域からの洗浄液の流出
抵抗を大きくし、整流板の多数の小孔から洗浄液を均一
に被処理体側に流出するようにし、各被処理体をさらに
均一に処理することができる。
さらに、複数の突き上げ部材から受け取った被処理体
を、均一間隔で洗浄処理槽の収容手段に収容して洗浄す
ることができ、それによって複数の被処理体を均一に洗
浄することができる。
を、均一間隔で洗浄処理槽の収容手段に収容して洗浄す
ることができ、それによって複数の被処理体を均一に洗
浄することができる。
そして、洗浄処理槽において被処理体が収容される収
容手段は、搬送手段から被処理体のみを受け取るため、
他のプロセスで使用された容器に付着した処理液などに
よって洗浄液が汚染される可能性が低下する。
容手段は、搬送手段から被処理体のみを受け取るため、
他のプロセスで使用された容器に付着した処理液などに
よって洗浄液が汚染される可能性が低下する。
請求項４に記載の発明に係る洗浄装置は、洗浄処理槽
の底部に配設した多数の小孔を有する２枚の整流板を均
一供給手段が有し、これら整流板を介して洗浄液を被処
理体列に供給する。このとき、洗浄液は２度にわたり拡
散されて供給されるので、洗浄液供給口の位置に依存せ
ずに、整流板の多数の小孔から洗浄液の被処理体側への
流出が確実に均一化され、各被処理体に均一に接触して
被処理体を均一に処理することができる。
の底部に配設した多数の小孔を有する２枚の整流板を均
一供給手段が有し、これら整流板を介して洗浄液を被処
理体列に供給する。このとき、洗浄液は２度にわたり拡
散されて供給されるので、洗浄液供給口の位置に依存せ
ずに、整流板の多数の小孔から洗浄液の被処理体側への
流出が確実に均一化され、各被処理体に均一に接触して
被処理体を均一に処理することができる。
請求項５に記載の発明に係る洗浄装置は、前記２枚の
整流板に形成された孔の数やピッチが、これら２枚の整
流板の間で異なる。したがって、一方の整流板の孔を通
過した洗浄液がそのまま他方の整流板の孔に流れ込むこ
とが殆どなく、これら整流板を介しての洗浄液の被処理
体側への流出を一層確実に均一化することができる。
整流板に形成された孔の数やピッチが、これら２枚の整
流板の間で異なる。したがって、一方の整流板の孔を通
過した洗浄液がそのまま他方の整流板の孔に流れ込むこ
とが殆どなく、これら整流板を介しての洗浄液の被処理
体側への流出を一層確実に均一化することができる。
請求項６に記載の発明に係る洗浄装置においては、洗
浄処理槽がオーバーフロー状態に維持されて被処理体が
洗浄されるため、洗浄処理槽内を流れる洗浄液中に複数
の被処理体を浸した状態で洗浄することができ、複数の
被処理体の洗浄処理を、迅速に行うことが可能なとな
る。
浄処理槽がオーバーフロー状態に維持されて被処理体が
洗浄されるため、洗浄処理槽内を流れる洗浄液中に複数
の被処理体を浸した状態で洗浄することができ、複数の
被処理体の洗浄処理を、迅速に行うことが可能なとな
る。
請求項７に記載の発明に係る洗浄方法においては、複
数の被処理体の洗浄処理を、均一かつ迅速に行うことが
できる。
数の被処理体の洗浄処理を、均一かつ迅速に行うことが
できる。
また、複数の容器から受け取った複数の被処理体を、
均一間隔で洗浄処理槽に収容して洗浄することができ、
それら複数の被処理体を均一に洗浄することができる。
均一間隔で洗浄処理槽に収容して洗浄することができ、
それら複数の被処理体を均一に洗浄することができる。
さらに、洗浄処理槽内には被処理体のみが収容される
ため、他のプロセスで使用された容器に付着した処理液
などによって洗浄液が汚染される可能性が低下する。
ため、他のプロセスで使用された容器に付着した処理液
などによって洗浄液が汚染される可能性が低下する。
請求項８に記載の発明に係る洗浄方法においては、洗
浄処理槽内に洗浄液を下方から複数の被処理体に対して
均一な上昇速度で、かつ連続して供給してオーバーフロ
ー状態に維持し、流れる洗浄液中に被処理体を浸した状
態で洗浄するため、流れる洗浄液が被処理体にむらなく
均一に所定時間にわたって接触することとなり、複数の
被処理体の洗浄処理を、均一かつ迅速に行うことができ
る。
浄処理槽内に洗浄液を下方から複数の被処理体に対して
均一な上昇速度で、かつ連続して供給してオーバーフロ
ー状態に維持し、流れる洗浄液中に被処理体を浸した状
態で洗浄するため、流れる洗浄液が被処理体にむらなく
均一に所定時間にわたって接触することとなり、複数の
被処理体の洗浄処理を、均一かつ迅速に行うことができ
る。
第１図は本発明の一実施例に係る洗浄装置の全体的構成
を示す平面図、 第２図は第１図の洗浄処理槽の状態を示す斜視図、 第３図は洗浄処理槽の断面図である。 22……半導体ウエハ、 26,28……洗浄処理槽、 60……ボート、 66……整流板。
を示す平面図、 第２図は第１図の洗浄処理槽の状態を示す斜視図、 第３図は洗浄処理槽の断面図である。 22……半導体ウエハ、 26,28……洗浄処理槽、 60……ボート、 66……整流板。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−57624（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−12531（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−36031（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−152237（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 642 H01L 21/304 648
Claims (8)
- 【請求項１】洗浄処理槽と、 前記洗浄処理槽外に配置され、被処理体を持ち上げ支持
する複数の突き上げ部材を有し、該複数の突き上げ部材
の少なくとも一方を互いに近接する方向に移動させて、
該複数の突き上げ部材が支持する前記被処理体を互いに
接近させる支持手段と、 前記支持手段から受け取った被処理体を搬送する搬送手
段と、 前記搬送手段から前記被処理体のみを受け取り、前記洗
浄処理槽の内部において前記複数の被処理体を所定間隔
で略垂直方向に収容する収容手段と、 前記洗浄処理槽内に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、 前記洗浄液を前記複数の被処理体に対して液体を均一に
して供給する均一供給手段と、 を備え、 前記洗浄液供給手段および前記均一供給手段は、前記洗
浄処理槽内の底部からの洗浄液の上昇速度が前記被処理
体に対して均一に0.5cm/s以上となるように構成したこ
とを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の洗浄装置において、 前記均一供給手段は、前記洗浄処理槽の底部に配設さ
れ、多数の孔を有する整流板を備えていることを特徴と
する洗浄装置。 - 【請求項３】洗浄処理槽と、 前記洗浄処理槽外に配置され、被処理体を持ち上げ支持
する複数の突き上げ部材を有し、該複数の突き上げ部材
の少なくとも一方を互いに近接する方向に移動させて、
該複数の突き上げ部材が支持する前記被処理体を互いに
接近させる支持手段と、 前記支持手段から受け取った被処理体を搬送する搬送手
段と、 前記搬送手段から前記被処理体のみを受け取り、前記洗
浄処理槽の内部において複数の被処理体を所定間隔で略
垂直方向に収容する収容手段と、 前記洗浄処理槽内に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、 前記洗浄液を前記複数の被処理体に対して液位を均一に
して供給する均一供給手段と、 を備える洗浄装置であって、 前記均一供給手段は、前記洗浄処理槽の底部に配設さ
れ、多数の孔を有する整流板を備え、 前記整流板に設けられた前記多数の孔は、前記整流板の
中心部と周辺部とで孔径またはピッチが異なることを特
徴とする洗浄装置。 - 【請求項４】請求項２または請求項３に記載の洗浄装置
において、 前記均一供給手段は、前記整流板を２枚備えていること
を特徴とする洗浄装置。 - 【請求項５】請求項４に記載の洗浄装置において、 前記２枚の整流板に各々形成された孔は、数およびピッ
チの少なくともいずれか一方が前記２枚の整流板で異な
ることを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項６】請求項１ないし請求項５のいずれかに記載
の洗浄装置において、 前記洗浄処理槽は、オーバーフロー状態に維持されて、
前記複数の被処理体を前記洗浄液中に浸した状態で洗浄
することを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項７】洗浄処理槽の内部に所定間隔で略垂直方向
に配設された複数の被処理体の洗浄方法であって、 容器内に収容された複数の被処理体を複数の前記容器か
ら取り出し、前記各容器に収容されていた複数の被処理
体を各群として該群ごとに支持する工程と、 隣接する前記群同士を互いに近づける工程と、 複数の前記被処理体のみを洗浄処理槽内に収容する工程
と、 前記洗浄処理槽内に洗浄液を下方から供給し、前記洗浄
液の液位を前記複数の被処理体に対して均一な上昇速度
で上昇させながら供給することにより、前記複数の被処
理体を洗浄する工程と、 を有し、 前記被処理体を洗浄する工程においては、前記上昇速度
を0.5cm/s以上とすることを特徴とする被処理体の洗浄
方法。 - 【請求項８】請求項７に記載の洗浄方法において、 前記洗浄液を連続して供給し、前記洗浄処理槽をオーバ
ーフロー状態に維持して、前記複数の被処理体を前記洗
浄液中に浸した状態で洗浄する工程を有することを特徴
とする洗浄方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31247590A JP3165435B2 (ja) | 1990-11-17 | 1990-11-17 | 洗浄装置 |
| KR1019910020162A KR0147043B1 (ko) | 1990-11-17 | 1991-11-13 | 세정장치 및 그 방법 |
| US07/792,919 US5236515A (en) | 1990-11-17 | 1991-11-15 | Cleaning device |
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