JP3320640B2 - 洗浄装置 - Google Patents

洗浄装置

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JP3320640B2
JP3320640B2 JP19722697A JP19722697A JP3320640B2 JP 3320640 B2 JP3320640 B2 JP 3320640B2 JP 19722697 A JP19722697 A JP 19722697A JP 19722697 A JP19722697 A JP 19722697A JP 3320640 B2 JP3320640 B2 JP 3320640B2
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    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやLCD基板等の被処理体の表面を清浄化する洗浄装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造プロセス
においては、LSI等の半導体デバイスが形成される半
導体ウエハ(以下、ウエハと省略する)の表面を極めて
厳格な清浄度に維持する必要がある。そのため、各々の
製造プロセス、処理プロセスの前後には、必要に応じて
ウエハの表面を洗浄している。特に、フォトリソグラフ
ィ工程では、ウエハ表面の洗浄が不可欠となる。このよ
うな洗浄は、従来、例えば特開昭57−102024号
公報や特開昭62−259447号公報等において開示
されているスクラブ洗浄装置により行われる。このスク
ラブ洗浄装置においては、例えば回転するブラシをウエ
ハ表面に接触させ、かつ当該ブラシをウエハ表面のほぼ
中心から外周に向けて一定の速度で移動させて、ウエハ
表面に付着した異物をこすり落として除去している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
の表面に付着した異物の分布は必ずしも均一ではなく、
例えばウエハの内周部の特定の位置だけに特に多くの異
物が付着したり、ウエハの外周部だけに多くの異物が付
着したりするため、上記の如くブラシを一定の速度で移
動させたのでは、ウエハ表面に異物が残存するおそれが
ある。
【0004】そこで、例えばウエハ表面に異物が残存し
ない程度までブラシの移動速度を低下させることが考え
られるが、半導体デバイスの製造プロセスの清浄レベル
ではブラシ自体が異物の発生源となるため、もともと異
物があまり付着せず清浄度の高いウエハ表面に逆に異物
が付着し清浄度を落とす結果となる。
【0005】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたもので、ウエハのような被洗浄体を均一にかつ高
い洗浄度で清浄することができる洗浄装置を提供するこ
とを目的としている。
【0006】本発明の別の目的は、被洗浄体表面の異物
の付着位置がばらつくような場合であってもピンポイン
トで異物を除去でき、この結果ウエハのような被洗浄体
を均一にかつ高い洗浄度で清浄することができる洗浄装
置を提供することにある。
【0007】本発明の更に別の目的は、短時間で濯ぎ処
理も含めた洗浄を行うことができる洗浄装置を提供する
ことにある。
【0008】
【0009】
【課題を解決するための手段】 請求項の記載に係る本
発明の洗浄装置は、被洗浄体を支持しつつ回転する被洗
浄体支持機構と、回転可能な洗浄体と、前記洗浄体を回
転しつつ前記被洗浄体に接触させる洗浄体支持機構と、
前記洗浄体の接触位置が前記被洗浄体のほぼ中心から外
周に向かうように、前記洗浄体支持機構と前記被洗浄体
支持機構とを相対的に移動させる移動機構と、前記被洗
浄体表面の異物の分布を検出する検出手段と、前記検出
手段による検出結果に応じて、前記移動機構による移動
速度を制御する制御手段とを具備する。
【0010】
【0011】請求項の記載に係る本発明の洗浄装置
は、被洗浄体を支持しつつ回転する被洗浄体支持機構
と、回転可能な洗浄体と、前記洗浄体を回転しつつ前記
被洗浄体に接触させる洗浄体支持機構と、前記洗浄体と
前記被洗浄体との接触圧を、前記洗浄体が前記被洗浄体
の中心付近に位置するときの方が、外周付近に位置する
ときよりも低く制御する接触圧制御手段と、前記洗浄体
の接触位置が前記被洗浄体のほぼ中心から外周に向かう
ように、前記洗浄体支持機構と前記被洗浄体支持機構と
を相対的に移動させる移動機構と、前記移動機構による
移動速度を、前記洗浄体が前記被洗浄体の中心付近に位
置するときの方が、外周付近に位置するときよりも速く
制御する速度制御手段とを具備する。
【0012】請求項の記載に係る本発明の洗浄装置
は、被洗浄体を支持しつつ回転する被洗浄体支持機構
と、回転可能な洗浄体と、前記洗浄体を回転しつつ前記
被洗浄体に接触させる洗浄体支持機構と、前記洗浄体の
接触位置が前記被洗浄体のほぼ中心から外周に向かうよ
うに、前記洗浄体支持機構と前記被洗浄体支持機構とを
相対的に移動させる移動機構と、前記被洗浄体表面の異
物の分布を検出する検出手段と、前記検出手段による検
出結果に応じて、前記被洗浄体支持機構による回転速度
及び前記移動機構による移動速度を制御する制御手段と
を具備する。
【0013】請求項の記載に係る本発明の洗浄装置
は、被洗浄体を支持しつつ回転する被洗浄体支持機構
と、回転可能な洗浄体と、前記洗浄体を回転しつつ前記
被洗浄体に接触させる洗浄体支持機構と、前記洗浄体の
接触位置が前記被洗浄体のほぼ中心から外周に向かうよ
うに、前記洗浄体支持機構と前記被洗浄体支持機構とを
相対的に移動させる移動機構と、前記被洗浄体表面の異
物の分布を検出する検出手段と、前記検出手段による検
出結果に応じて、前記洗浄体支持機構による回転速度及
び前記移動機構による移動速度を制御する制御手段とを
具備する。請求項の記載に係る本発明の洗浄装置は、
被洗浄体を支持しつつ回転する被洗浄体支持機構と、洗
浄体を支持して回転させつつ前記被洗浄体に接触させる
洗浄体支持機構と、前記洗浄体の接触位置が前記被洗浄
体のほぼ中心から外周に向かうように、前記洗浄体支持
機構を移動させる移動機構と、前記洗浄体の回転速度
を、前記洗浄体が前記被洗浄体の中心付近に位置すると
きの方が、外周付近に位置するときよりも速く制御する
制御手段とを具備する。請求項の記載に係る本発明の
洗浄装置は、被洗浄体を支持しつつ回転する被洗浄体支
持機構と、洗浄体を支持して回転させつつ前記被洗浄体
に接触させる洗浄体支持機構と、前記洗浄体の接触位置
が前記被洗浄体のほぼ中心から外周に向かうように、前
記洗浄体支持機構を移動させる移動機構と、前記被洗浄
体の回転速度を、前記洗浄体が前記被洗浄体の中心付近
に位置するときの方が、外周付近に位置するときよりも
遅く制御する制御手段とを具備する。請求項の記載に
係る本発明の洗浄装置は、被洗浄体を支持しつつ回転す
る被洗浄体支持機構と、 洗浄体を支持して回転させつつ
前記被洗浄体に接触させる洗浄体支持機構と、 前記洗浄
体の接触位置が前記被洗浄体のほぼ中心から外周に向か
うように、前 記洗浄体支持機構を移動させる移動機構
と、 前記洗浄体の回転速度を、前記洗浄体が、前記被洗
浄体の中心付近に位置するときの方が、外周付近に位置
するときよりも遅く制御する制御手段とを具備する
【0014】請求項1の記載に係る本発明の洗浄装置で
は、洗浄体と被洗浄体との間の相対的な移動速度を適応
的に制御、例えば被洗浄体の内周部の特定の位置だけに
多くの異物が付着するような場合には当該特定の位置に
おける洗浄体の移動速度が遅くなるように、あるいは被
洗浄体の外周部だけに多くの異物が付着するような場合
には当該外周部における洗浄体の移動速度が遅くなるよ
うに制御している。このことは逆にいうと、例えば異物
があまり付着せず清浄度の高い洗浄体表面では洗浄体の
移動速度が速くなるよう制御していることになるので、
そのような場所に洗浄体自体から発生する異物が付着す
ることはなくなる。この結果、ウエハのような被洗浄体
を均一にかつ高い洗浄度で清浄することができる。
【0015】また、本発明の洗浄装置では、被洗浄体表
面の異物の分布を検出し、洗浄体と被洗浄体との間の相
対的な移動速度の制御をこの分布に基づいて制御してい
るので、被洗浄体表面の異物の付着位置がばらつくよう
な場合であってもピンポイントで異物を除去でき、この
結果ウエハのような被洗浄体を均一にかつ高い洗浄度で
清浄することができる。
【0016】
【0017】請求項の記載に係る本発明の洗浄装置で
は、洗浄体と被洗浄体との間の相対的な移動速度ばかり
でなく、洗浄体と被洗浄体との接触圧も制御しているの
で、例えば被洗浄体の内周部の特定の位置だけに多くの
異物が付着するような場合には当該特定の位置における
洗浄体の移動速度が遅くかつ接触圧が高くなるように制
御しているので、洗浄効果をより一層高めることができ
る。
【0018】請求項の記載に係る本発明の洗浄装置で
は、洗浄体と被洗浄体との間の相対的な移動速度ばかり
でなく、被洗浄体の回転速度も制御しているので、例え
ば被洗浄体の内周部の特定の位置だけに多くの異物が付
着するような場合には当該特定の位置における洗浄体の
移動速度が遅くかつ被洗浄体の回転速度が速くなるよう
に制御しているので、洗浄効果をより一層高めることが
できる。
【0019】請求項4の記載に係る本発明の洗浄装置で
は、洗浄体と被洗浄体との間の相対的な移動速度ばかり
でなく、洗浄体の回転速度も制御しているので、例えば
被洗浄体の内周部の特定の位置だけに多くの異物が付着
するような場合には当該特定の位置における洗浄体の移
動速度が遅くかつ洗浄体の回転速度が速くなるように制
御しているので、洗浄効果をより一層高めることができ
る。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
【0021】図1〜図3は各々本発明の実施形態が採用
された半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)のウエ
ハ洗浄装置1の全体構成の図であり、図1は平面、図2
は正面、図3は背面を夫々示している。
【0022】このウエハ洗浄装置1では、被処理基板と
してのウエハWをウエハカセットCRで複数枚、例えば
25枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいは
システムから搬出したり、ウエハカセットCRに対して
ウエハWを搬入・搬出したりするためのカセットステー
ション2と、1枚ずつウエハWに所定の洗浄処理を施す
枚葉式の各種洗浄処理ユニットとを所定位置に配置して
なる洗浄処理ステーション3とが一体に接続された構成
となっている。
【0023】カセットステーション2では、カセット載
置台4上に位置決め突起4aが設けられており、それぞ
れの位置決め突起4a上に複数個のウエハカセットCR
が載置される。例えば、図1の装置では最大4個のウエ
ハカセットCRが夫々のウエハ出入口を洗浄処理ステー
ション3側に向けてX方向(図1中の上下方向)一列に
載置される。そしてこのカセット配列方向(X方向)お
よびウエハカセッ卜CR内に収納されたウエハのウエハ
配列方向(Z方向;垂直方向)に移動可能なウエハ搬送
体5が各ウエハカセットCRに選択的にアクセスするよ
うになっている。 ウエハ搬送体5は、θ方向に回転自
在に構成されており、後述するように洗浄処理ステーシ
ョン3側のウエハ搬送体6にも相互にアクセスできるよ
うになっている。
【0024】ウエハ搬送体6はウエハ搬送体5からウエ
ハWを受け取って、洗浄処理ステーション3内で搬送す
る装置であり、ウエハ搬送路6aに沿ってY方向に移動
可能に配設されている。ウエハ搬送体6の搬送路6aの
左右両側には、例えば5つの洗浄処理ユニット7と1つ
の検査ユニット8とが配置されている。ウエハ搬送体6
は、θ方向にも回転自在に構成されており、上述したカ
セットステーション2側のウエハ搬送体5の他に、各洗
浄処理ユニット7及び検査ユニット8にもアクセスでき
るようになっている。
【0025】洗浄処理ユニット7では、ウエハWについ
て各種の洗浄、例えば純水を流しながらブラシで摺擦す
ることによる洗浄が行われる。一方、検査ユニット8で
はウエハWの検査、例えばレーザー光線を回転するウエ
ハWの表面に照射し、その反射のしかたから表面状態を
調べてウエハW表面の異物の分布や大きさを測定する検
査が行われる。
【0026】図4は上述した洗浄処理ユニット7の平面
図、図5は正面図、図6は背面図である。
【0027】洗浄処理ユニット7には、ウエハWを保持
しつつ回転するためのスピンチャック機構9、ウエハW
の表面を摺擦して洗浄するためのブラシ機構10、洗浄
液が飛散するのを防止するためのカップ14、ウエハW
の上面を濯ぐためのジェット水噴射ノズル15、ウエハ
Wの下面を濯ぐためのリンスノズル16などの各種機構
が配設されており、これらの機構は容器壁12で覆われ
た処理室12a内に収容されている。そしてこの洗浄処
理ユニット7の動作は後述する制御装置により制御され
る。
【0028】洗浄処理ユニット7の容器壁12には被処
理体であるウエハWを通過させるための開口部12bが
側面に設けられている。処理室12aの開口部12bは
シャッター部材13により開閉可能に遮断される。
【0029】処理室12a内には、ウエハWを保持する
被洗浄体支持機構としての回転ホルダ、例えばスピンチ
ャック機構9が配設される。スピンチャック機構9の外
側には、このスピンチャック9aとその上に保持される
ウエハWの周辺を包囲するように、筒状の容器、例えば
カップ14が配設されている。
【0030】処理室12a内のスピンチャック機構9の
上部空間には、洗浄作業時にウエハWの上面に接触し
て、供給される洗浄液と共にウエハWの表面の粒状汚染
物を除去する洗浄ブラシ機構10が配設される。
【0031】処理室12aの開口部12bと反対側の上
方位置にはリンス液を供給するリンスノズル16が配設
される。リンスノズル16は、洗浄ブラシ機構10によ
る洗浄やジェット水洗浄が行われた後、ウエハWの表面
にリンス液を供給してウエハW上の残渣や洗浄液を除去
する。
【0032】処理室12aの外には、開口部12bに対
してアクセス可能な搬送手段、例えば搬送アーム17が
配設される。この搬送アーム17は、ウエハ搬送体6上
に配置され、X、Y方向、回転(θ)方向及び垂直
(Z)方向に移動可能とされ、ウエハWを保持し、スピ
ンチャック機構9との間でウエハWを受け渡す。
【0033】スピンチャック機構9では、ウエハWを保
持するためのスピンチャック9aがモータ19の回転軸
として駆動される駆動軸9bに支持されている。スピン
チャック9aの上表面にはウエハWを吸着保持するため
の真空吸着口9dが設けられており、この真空吸着口9
dは駆動軸9bの中心を軸方向に貫通する通路9bと、
モータ19の底部に配設されたシール部材18内部を貫
通する通路18aを介して図示しない真空装置に連通し
ている。モータ19は処理室12aの下方外側に配設さ
れており、駆動軸9bは処理室12aの底板20を貫通
して処理室12a内に突出し、その上方端部にスピンチ
ャック9aが取り付けられている。
【0034】スピンチャック機構9の外側には、このス
ピンチャック機構9とその上に保持されるウエハWの外
周縁全体を覆うようにカップ14が配設されている。こ
のカップ14では、上半分がテーパー状に形成された内
カップ部14aが、円柱状に形成された外カップ部14
bの内側に配設されている。内カップ部14aの上側の
端部には水平方向に折り曲げられた鍔状のフランジ14
eが形成されている。一方、内カップ部14aの下半分
14cは外カップ部14bの内径より若干小さい外径の
円柱形状を備え、外カップ部14bとの間で入れ子式に
なっており、その下端部が底板20に固定された外カッ
プ部14bに対して上下方向に出没可能に構成されてい
る。内カップ部14aの下端部14fは昇降ロッド14
g、連結部材14hを介して昇降シリンダ21の垂直ピ
ストンロッド21aと連結されている。
【0035】図6に示すように、洗浄ブラシ機構10で
は、洗浄体支持機構、例えばブラシアーム10aの先端
に洗浄体、例えばブラシ10bが配設され、もう一方の
端である基端部は処理室12aの底板20に対して軸1
0cを中心にして水平面内を移動可能に取り付けられて
いる。
【0036】このブラシアーム10aの基端部と処理室
12aの底板20との間には、移動機構としての回転ド
ライバ22と後述する接触圧調節機構24とが配設され
ている。
【0037】この回転ドライバ22では、モータ22a
の駆動軸と歯車列22b〜22dとが噛み合っており、
最後尾の歯車22dが回転すると接触圧調節機構24全
体がこれに同期して回転し、モータ22aの回転駆動力
をブラシアーム10aに伝達する。
【0038】接触圧調節機構24では、シャフト24b
を垂直方向下向きに駆動する垂直ドライバ24aと、垂
直方向に可動かつシャフト24bを垂直方向上向きに付
勢する接触圧伝達部材24c〜24gとが組み合わさっ
て配設されており、シャフト24bが昇降するとこれに
連動してブラシアーム10a、さらにブラシ10bが垂
直方向に移動する。
【0039】ブラシ10bはブラシアーム10aに対し
て回転可能に取り付けられており、ブラシアーム10a
に配設された駆動源、例えばモータ25の駆動軸から図
示しないタイミングベルトを介してブラシ10bに回転
駆動力が伝達される。
【0040】ブラシアーム10aにはブラシ10bに対
して洗浄に供するための洗浄液、例えば純水を供給する
機構が配設されている。ブラシ10bを回転してウエハ
Wを洗浄する際には、回転するブラシ10bの先から清
浄な純水が供給される。
【0041】図7はこのように構成されたウエハ洗浄装
置の制御系の構成を示すブロック図である。
【0042】制御装置30は、それぞれモータ22a、
モータ25、垂直ドライバ24a及びモータ19等の回
転駆動を制御する。
【0043】制御装置30の記憶部には、例えばブラシ
アーム10aのアームスピードを制御するためのデータ
が記憶されている。
【0044】図8(b)はウエハW上の異物の付着状態
を模式的に示した図であり、図8(a)は図8(b)の
ように異物が付着したウエハWを洗浄する場合のブラシ
アーム10aのチャートを示したものである。図8
(b)のように異物が付着したウエハWを洗浄する場合
には、ウエハWの中心付近ではブラシアーム10aは早
く移動し、ウエハWの外周縁に近付くにつれて段階的に
速度をげて移動するように制御される。
【0045】次に、本実施形態に係る洗浄装置の動作に
ついて説明する。
【0046】洗浄対象となるウエハWを規定枚数ウエハ
カセットCR内に収容し、洗浄装置のカセットステーシ
ョン10にセットして洗浄装置を起動させると、まず昇
降シリンダ21が駆動して、シャッター部材13が下降
し、処理室12aの開口部12bが開放され、これと同
時に内カップ部14bが下降する。
【0047】次に、ウエハWが搬送アーム17に保持さ
れて処理室12a内に搬入され、スピンチャック9上に
配置されると、搬送アーム17が下降し、ウエハWがス
ピンチャック9上に載置され、真空吸着によりスピンチ
ャック9上に保持される。
【0048】搬送アーム17が処理室12aの外へ退避
するのと同時に、回転ドライバ22が駆動してブラシア
ーム10aが移動し、洗浄ブラシ機構10が例えばウエ
ハWの中心位置上方に移動される。次に、垂直ドライバ
23の駆動によりブラシアーム10aが所定位置まで下
降し、ブラシ10bがウエハWの上面に所定の設定圧で
押し当てられる。このとき、シャッター部材13が上昇
して開口部12bが閉塞され、これと同時に、内カップ
部14bが上昇してウエハW及びスピンチャック9aが
包囲される。
【0049】次に、スピンチャック9aの回転によりウ
エハWが回転され、また、ブラシアーム10aの移動に
伴ってブラシ10bがウエハWに対して相対的に移動
(例えばウエハWの中心から外周へ或いはウエハWの直
径に沿って移動)する。
【0050】この洗浄装置ではブラシアーム10aは最
初ウエハWの中心付近まで移動した後に停止し、そこか
らウエハWの外周縁に向って移動する。
【0051】図8(a)、(b)に示すように、異物の
少ないウエハWの中心付近ではブラシアーム10aは速
く移動し、一方、異物の多い外周縁付近では遅く移動す
るように制御装置30により制御される。ウエハWの中
心と外周縁との間の部分では、ブラシアーム10a移動
速度は段階的に変化させ、中心付近から外周縁に向っ
て、移動速度は段階的に遅くなるように制御される。
【0052】なお、ブラシアーム10aをウエハW上を
移動させる際、ブラシ10bの真上の近傍の位置に配設
された供給管(図示せず)から洗浄液が供給され、ウエ
ハW表面の粒状汚染物の除去が行われる。そしてブラシ
洗浄を行った後、必要に応じてジェット水噴射ノズル1
5がウエハWの上部まで移動し、このジェット水噴射ノ
ズル15から水が噴射されてジェット水洗浄が行われ
る。
【0053】次に、リンスノズル16からリンス液が供
給され、ウエハWの表面の残渣や洗浄液が除去され、更
に、スピンチャック9の回転による振り切り乾燥が行わ
れる。 ウエハWの洗浄処理を行った後、ブラシ10b
は待機位置に戻され、この待機位置に設けられたブラシ
洗浄部26で洗浄され、次の洗浄に備える。また、ジェ
ット水噴射ノズル15はドレンカップ17の開口部と対
峙する位置に戻る。
【0054】洗浄処理後、シャッター部材13が下降し
て開口部12bが開放されると同時に、内カップ部14
bが下降してウエハWの包囲が解かれる。次いで、搬送
アーム17がウエハWの下方へ移動して上昇してウエハ
Wを受け取り、後退して処理室12aの外にウエハWを
搬送する。
【0055】このように本実施形態の洗浄装置では、回
転ドライバ22によるブラシアーム10aの移動速度を
制御して、異物が多く付着するウエハWの外周縁付近で
は遅く移動させ、異物がほとんど付着していないウエハ
Wの中心付近では早く移動させる。そのため、ウエハW
の外周縁付近ではウエハWがブラシ10bにより摺擦さ
れる時間が長くなるので、十分な洗浄がなされ、この部
分に付着した多くの異物を効果的に除去することができ
る。
【0056】一方、ウエハWの中心付近では、ウエハW
がブラシ10bにより摺擦される時間が短くなるので、
ブラシ10b内に付着していた異物が清浄なウエハW表
面に移行し、かえってウエハW表面を汚してしまうとい
う事態が未然に防止される。なお、本発明は上述した実
施形態には限定されない。
【0057】例えば、本実施形態の洗浄装置では、ブラ
シアーム10aの移動速度データを予め制御装置30の
記憶部に記憶させるようにしていたが、検査ユニット8
による測定結果に基づきブラシアーム10aの移動速度
を決定してもよい。図9に検査ユニット8による測定原
理の一例を示す。検査ユニット8では、発光部28と受
光部29とがウエハWの法線RHに関して対象な位置で
法線との角度が共に角度αとなる位置に配設される。
【0058】この状態でレーザー光線を発射すると、ウ
エハW表面上の観測点Rに異物が付着していない場合に
は、受光部29から発射されたレーザー光線L1 は点R
で整反射して反射光L2 となり、受光部29で補足され
る。一方、観測点Rに異物が付着している場合には、レ
ーザー光線L1 は点Rで乱反射して法線RHと角βをな
す反射光L2 ´となり、受光部29には補足されない。
【0059】そのため、ウエハW表面全体にわたり点R
を走査させながら上記測定を行うことによりウエハW表
面上の異物の付着状態が把握される。
【0060】また、上記実施形態ではブラシアーム10
aの移動速度(アームスピード)を段階的に変化させた
が、図10(a)に示すように直線的に変化させても良
い。更に、ウエハW表面の異物付着状態に応じてブラシ
アーム10aの移動速度(アームスピード)の変化のさ
せ方を変えることもできる。
【0061】例えば、図11(b)のようにウエハWの
中心で異物が多く、周縁で少ない場合には図11(a)
のように中心から周縁側に向けてブラシアーム10aの
移動速度を速くしたり、図12(b)に示すようにウエ
ハWの中心と周縁とで異物が多く、その間で少ない場合
には図12(a)のように中心と周縁とでブラシアーム
10aの移動速度を遅くする一方、その間の部分では速
くすることも可能である。
【0062】また、上記実施形態で制御したブラシアー
ム10aの移動速度の代わりにブラシ10bの接触圧、
ブラシ10bやスピンチャック9の回転速度を制御した
り、或いはスピンチャック9を水平方向に移動可能な構
造にしてスピンチャック9の移動速度を制御することも
可能である。
【0063】このとき、ブラシ10bの接触圧、ブラシ
10bやスピンチャック9の回転速度を制御する場合に
は、図13〜図15に示したように、異物の付着量が少
ないウエハWの中心部ではブラシ10bの接触圧、ブラ
シ10bやスピンチャック9の回転速度は低くする一
方、異物の付着量の多いウエハWの周縁部では高くす
る。 一方、スピンチャック9の移動速度を制御する場
合には、図16に示したように、異物の付着量が少ない
ウエハWの中心部ではスピンチャック9の移動速度を速
くする一方、異物の付着量の多いウエハWの周縁部では
遅くする。
【0064】更に、これら上記したブラシ10bの接触
圧、ブラシ10bの回転速度、スピンチャック9の回転
速度、及びスピンチャック9の移動速度の制御うち一つ
又は二つ以上と上記実施形態のブラシアーム10aの移
動速度の制御とを組み合わせて行うことも可能である。
【0065】また、上記実施形態ではノズルアーム10
aとジェット水噴射ノズル15とを別個独立の部材とし
て構成されているが、ジェット水を噴射する機構をノズ
ルアーム10aに持たせることも可能である。
【0066】その場合にはジェット水噴射ノズル15を
設けるスペースが不要になる、ブラシ10bによる摺擦
後直ちにジェット水を噴射できるため処理時間の短縮化
が図られるなどの効果が得られる。
【0067】また、上記実施形態では、ウエハを洗浄す
る洗浄装置を例にして説明したが、LCD用ガラス基板
の洗浄装置、その他の装置についても同様に適用するこ
とができる。
【0068】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1の記載に
係る本発明によれば、洗浄体と被洗浄体との間の相対的
な移動速度を適応的に制御、例えば被洗浄体の内周部の
特定の位置だけに多くの異物が付着するような場合には
当該特定の位置における洗浄体の移動速度が遅くなるよ
うに、あるいは被洗浄体の外周部だけに多くの異物が付
着するような場合には当該外周部における洗浄体の移動
速度が遅くなるように制御している。このことは逆にい
うと、例えば異物があまり付着せず清浄度の高い洗浄体
表面では洗浄体の移動速度が速くなるよう制御している
ことになるので、そのような場所に洗浄体自体から発生
する異物が付着することはなくなる。この結果、ウエハ
のような被洗浄体を均一にかつ高い洗浄度で清浄するこ
とができる。また、本発明によれば、被洗浄体表面の異
物の分布を検出し、洗浄体と被洗浄体との間の相対的な
移動速度の制御をこの分布に基づいて制御しているの
で、被洗浄体表面の異物の付着位置がばらつくような場
合であってもピンポイントで異物を除去でき、この結果
ウエハのような被洗浄体を均一にかつ高い洗浄度で清浄
することができる。
【0069】
【0070】請求項の記載に係る本発明によれば、洗
浄体と被洗浄体との間の相対的な移動速度ばかりでな
く、洗浄体と被洗浄体との接触圧も制御しているので、
例えば被洗浄体の内周部の特定の位置だけに多くの異物
が付着するような場合には当該特定の位置における洗浄
体の移動速度が遅くかつ接触圧が高くなるように制御し
ているので、洗浄効果をより一層高めることができる。
【0071】請求項の記載に係る本発明によれば、洗
浄体と被洗浄体との間の相対的な移動速度ばかりでな
く、被洗浄体の回転速度も制御しているので、例えば被
洗浄体の内周部の特定の位置だけに多くの異物が付着す
るような場合には当該特定の位置における洗浄体の移動
速度が遅くかつ被洗浄体の回転速度が速くなるように制
御しているので、洗浄効果をより一層高めることができ
る。
【0072】請求項4の記載に係る本発明によれば、洗
浄体と被洗浄体との間の相対的な移動速度ばかりでな
く、洗浄体の回転速度も制御しているので、例えば被洗
浄体の内周部の特定の位置だけに多くの異物が付着する
ような場合には当該特定の位置における洗浄体の移動速
度が遅くかつ洗浄体の回転速度が速くなるように制御し
ているので、洗浄効果をより一層高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る洗浄装置の平面図で
ある。
【図2】本発明の一実施形態に係る洗浄装置の正面図で
ある。
【図3】本発明の一実施形態に係る洗浄装置の背面図で
ある。
【図4】本発明の一実施形態に係る洗浄装置の洗浄ユニ
ットの平面図である。
【図5】本発明の一実施形態に係る洗浄装置の洗浄ユニ
ットの断面図(側面)である。
【図6】本発明の一実施形態に係る洗浄装置の洗浄ユニ
ットの断面図(正面)である。
【図7】本発明の一実施形態に係る洗浄装置のブロック
図である。
【図8】本発明の一実施形態に係る洗浄装置のチャート
とウエハW上の異物の分布との関係を示した図である。
【図9】本発明の一実施形態に係る洗浄装置においてレ
ーザー光線を用いてウエハW表面状態を測定する原理を
示した図である。
【図10】本発明の一実施形態の変形例に係る洗浄装置
のチャートと、ウエハW上の異物の付着状態との関係を
示した図である。
【図11】本発明の一実施形態の変形例に係る洗浄装置
のチャートと、ウエハW上の異物の付着状態との関係を
示した図である。
【図12】本発明の一実施形態の変形例に係る洗浄装置
のチャートと、ウエハW上の異物の付着状態との関係を
示した図である。
【図13】本発明の一実施形態の変形例に係る洗浄装置
のチャートと、ウエハW上の異物の付着状態との関係を
示した図である。
【図14】本発明の一実施形態の変形例に係る洗浄装置
のチャートと、ウエハW上の異物の付着状態との関係を
示した図である。
【図15】本発明の一実施形態の変形例に係る洗浄装置
のチャートと、ウエハW上の異物の付着状態との関係を
示した図である。
【図16】本発明の一実施形態の変形例に係る洗浄装置
のチャートと、ウエハW上の異物の付着状態との関係を
示した図である。
【符号の説明】
W ウエハ 9 スピンチャック 10b ブラシ 10a ブラシアーム 22 回転ドライバ 30 制御装置 28、29 表面測定装置 16 リンスノズル 23 垂直ドライバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 秀哉 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社熊本事業所 内 (72)発明者 樋口 良治 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社熊本事業所 内 (56)参考文献 特開 平9−148295(JP,A) 特開 平8−148459(JP,A) 特開 平5−275408(JP,A) 特開 昭54−125981(JP,A) 特開 昭56−125842(JP,A) 特開 平9−326378(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 B08B 1/00 B08B 3/04

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被洗浄体を支持しつつ回転する被洗浄体
    支持機構と、 回転可能な洗浄体と、 前記洗浄体を回転しつつ前記被洗浄体に接触させる洗浄
    体支持機構と、 前記洗浄体の接触位置が前記被洗浄体のほぼ中心から外
    周に向かうように、前記洗浄体支持機構と前記被洗浄体
    支持機構とを相対的に移動させる移動機構と、 前記被洗浄体表面の異物の分布を検出する検出手段と、 前記検出手段による検出結果に応じて、前記移動機構に
    よる移動速度を制御する制御手段とを具備することを特
    徴とする洗浄装置。
  2. 【請求項2】 被洗浄体を支持しつつ回転する被洗浄体
    支持機構と、 回転可能な洗浄体と、 前記洗浄体を回転しつつ前記被洗浄体に接触させる洗浄
    体支持機構と、 前記洗浄体と前記被洗浄体との接触圧を、前記洗浄体が
    前記被洗浄体の中心付近に位置するときの方が、外周付
    近に位置するときよりも低く制御する接触圧制御手段
    と、 前記洗浄体の接触位置が前記被洗浄体のほぼ中心から外
    周に向かうように、前記洗浄体支持機構と前記被洗浄体
    支持機構とを相対的に移動させる移動機構と、 前記移動機構による移動速度を、前記洗浄体が前記被洗
    浄体の中心付近に位置するときの方が、外周付近に位置
    するときよりも速く制御する速度制御手段とを具備する
    ことを特徴とする洗浄装置。
  3. 【請求項3】 被洗浄体を支持しつつ回転する被洗浄体
    支持機構と、 回転可能な洗浄体と、 前記洗浄体を回転しつつ前記被洗浄体に接触させる洗浄
    体支持機構と、 前記洗浄体の接触位置が前記被洗浄体のほぼ中心から外
    周に向かうように、前記洗浄体支持機構と前記被洗浄体
    支持機構とを相対的に移動させる移動機構と、 前記被洗浄体表面の異物の分布を検出する検出手段と、 前記検出手段による検出結果に応じて、前記被洗浄体支
    持機構による回転速度及び前記移動機構による移動速度
    を制御する制御手段と を具備することを特徴とする洗浄装置。
  4. 【請求項4】 被洗浄体を支持しつつ回転する被洗浄体
    支持機構と、 回転可能な洗浄体と、 前記洗浄体を回転しつつ前記被洗浄体に接触させる洗浄
    体支持機構と、 前記洗浄体の接触位置が前記被洗浄体のほぼ中心から外
    周に向かうように、前記洗浄体支持機構と前記被洗浄体
    支持機構とを相対的に移動させる移動機構と、 前記被洗浄体表面の異物の分布を検出する検出手段と、 前記検出手段による検出結果に応じて、前記洗浄体支持
    機構による回転速度及び前記移動機構による移動速度を
    制御する制御手段と を具備することを特徴とする洗浄装置。
  5. 【請求項5】 被洗浄体を支持しつつ回転する被洗浄体
    支持機構と、 洗浄体を支持して回転させつつ前記被洗浄体に接触させ
    る洗浄体支持機構と、 前記洗浄体の接触位置が前記被洗浄体のほぼ中心から外
    周に向かうように、前記洗浄体支持機構を移動させる移
    動機構と、 前記洗浄体の回転速度を、前記洗浄体が前記被洗浄体の
    中心付近に位置するときの方が、外周付近に位置すると
    きよりも速く制御する制御手段と を具備することを特徴とする洗浄装置。
  6. 【請求項6】 被洗浄体を支持しつつ回転する被洗浄体
    支持機構と、 洗浄体を支持して回転させつつ前記被洗浄体に接触させ
    る洗浄体支持機構と、 前記洗浄体の接触位置が前記被洗浄体のほぼ中心から外
    周に向かうように、前記洗浄体支持機構を移動させる移
    動機構と、 前記被洗浄体の回転速度を、前記洗浄体が前記被洗浄体
    の中心付近に位置するときの方が、外周付近に位置する
    ときよりも遅く制御する制御手段と を具備することを特徴とする洗浄装置。
  7. 【請求項7】 被洗浄体を支持しつつ回転する被洗浄体
    支持機構と、 洗浄体を支持して回転させつつ前記被洗浄体に接触させ
    る洗浄体支持機構と、 前記洗浄体の接触位置が前記被洗浄体のほぼ中心から外
    周に向かうように、前記洗浄体支持機構を移動させる移
    動機構と、 前記洗浄体の回転速度を、前記洗浄体が、前記被洗浄体
    の中心付近に位置するときの方が、外周付近に位置する
    ときよりも遅く制御する制御手段と を具備することを特徴とする洗浄装置。
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