JP2901098B2 - 洗浄装置および洗浄方法 - Google Patents

洗浄装置および洗浄方法

Info

Publication number
JP2901098B2
JP2901098B2 JP3069808A JP6980891A JP2901098B2 JP 2901098 B2 JP2901098 B2 JP 2901098B2 JP 3069808 A JP3069808 A JP 3069808A JP 6980891 A JP6980891 A JP 6980891A JP 2901098 B2 JP2901098 B2 JP 2901098B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
drying
cleaned
wafer
washing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3069808A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04305929A (ja
Inventor
欽也 上野
博己 谷山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP3069808A priority Critical patent/JP2901098B2/ja
Priority to US07/862,357 priority patent/US5261431A/en
Publication of JPH04305929A publication Critical patent/JPH04305929A/ja
Priority to US08/120,813 priority patent/US5421905A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2901098B2 publication Critical patent/JP2901098B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】[発明の目的]
【0002】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄装置および洗浄方
に関する。
【0003】
【従来の技術】従来から、被洗浄物例えば半導体ウエハ
を自動的に洗浄する洗浄装置として、材質例えばテフロ
ン等から構成されたウエハキャリア内に複数枚(例えば
25枚)収容された半導体ウエハを、ウエハキャリアごと
搬送し、洗浄液槽およびリンス液槽等に順次浸漬して洗
浄するよう構成された洗浄装置が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年半
導体デバイスは高集積化される傾向にあり、その回路パ
ターンは益々微細化されつつある。ところが、上述した
従来の洗浄装置では、半導体ウエハとともにウエハキャ
リアを洗浄液槽等に浸漬するので、ウエハキャリアによ
る洗浄液等の汚染、例えばウエハキャリアを構成するテ
フロンからの汚染の溶出等が問題となり、より完全に半
導体ウエハ等の洗浄を実施することのできる洗浄装置の
開発が望まれていた。
【0005】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べて良好な洗浄処理を実施する
ことのできる洗浄装置および洗浄方法を提供しようとす
るものである。
【0006】[発明の構成]
【0007】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の洗浄
装置は、被洗浄物を支持し、洗浄用支持手段にロード・
アンロードする搬送用支持手段と、 前記洗浄用支持手段
によって支持された前記被洗浄物を洗浄および乾燥する
手段と、 前記被洗浄物を支持していない状態の前記搬送
用支持手段を、洗浄および乾燥する洗浄・乾燥手段とを
具備し、 前記洗浄・乾燥手段によって洗浄および乾燥さ
れた前記搬送用支持手段により、前記洗浄用支持手段か
ら洗浄および乾燥された前記被洗浄物をアンロードする
よう構成されたことを特徴とする。請求項2の発明は、
請求項1記載の洗浄装置において、前記洗浄・乾燥手段
が、前記搬送用支持手段に向けて洗浄液を供給するノズ
ルと、このノズルを前記搬送用支持手段に対して移動さ
せる手段とを具備したことを特徴とする。請求項3の
明は、請求項1記載の洗浄装置において、 前記洗浄・乾
燥手段が、前記搬送用支持手段に気体を供給する気体供
給手段と、前記搬送用支持手段を加熱するための加熱手
とを具備したことを特徴とする。請求項4の発明は、
請求項記載の洗浄装置において、前記搬送用支持手段
は、上部に前記被洗浄物を支持する支持棒を具備し、当
該支持棒の下側が、傾斜面を形成する如く下方に向けて
凸状に構成されていることを特徴とする。請求項5の洗
浄方法は、被洗浄物を搬送用支持手段によって支持し、
洗浄用支持手段にロードする工程と、前記洗浄用支持手
段によって前記被洗浄物を支持し、当該被洗浄物を洗浄
および乾燥する工程と、前記被洗浄物を支持していない
状態の前記搬送用支持手段を、洗浄および乾燥する工程
と、洗浄および乾燥された前記搬送用支持手段により、
前記洗浄用支持手段から前記被洗浄物をアンロードする
工程とを具備したことを特徴とする。
【0008】
【作 用】上記構成の本発明の洗浄装置および洗浄方法
では、被洗浄物を支持して洗浄を実施する洗浄用支持手
段が洗浄処理槽毎に設けられており、搬送用支持手段に
よってこれらの洗浄用支持手段に被洗浄物をロード・ア
ンロードして被洗浄物の洗浄処理を実施するので、ウエ
ハキャリア等を用いずに、半導体ウエハ等の被洗浄物を
洗浄することができる。
【0009】また、搬送用支持手段は、洗浄液等によっ
て濡れた半導体ウエハ等の被洗浄物を支持するため、洗
浄液等が付着するが、この搬送用支持手段を洗浄および
乾燥する洗浄・乾燥手段を具備しているので、例えば洗
浄および乾燥後の半導体ウエハ等が洗浄液等の付着した
搬送用支持手段によって汚染されることを防止すること
ができる。
【0010】したがって、従来に較べて良好な洗浄処理
を実施することができる。
【0011】
【実施例】以下、本発明を半導体ウエハの洗浄処理を行
う洗浄装置に適用した一実施例を図面を参照して説明す
る。
【0012】図1に示すように、本実施例の洗浄装置1
は、直線上に配列された3 つの洗浄処理ユニット2、
3、4を組み合わせて構成されており、搬入側の洗浄処
理ユニット2にはローダ5が、搬出側の洗浄処理ユニッ
ト4にはアンローダ6がそれぞれ設けられている。ま
た、洗浄処理ユニット2と洗浄処理ユニット3との間、
および洗浄処理ユニット3と洗浄処理ユニット4との間
には、これらのいずれかのユニットに含まれる水中ロー
ダ7、8が設けられている。
【0013】搬入側の洗浄処理ユニット2には、中心位
置に被洗浄物(半導体ウエハ)を搬送するための回転搬
送アーム9が設けられており、回転搬送アーム9の周囲
(図中上側と右側)には、洗浄処理槽10、11が設け
られている。本実施例では、洗浄処理槽11はアンモニ
ア処理を行う薬品処理槽として用いられ、洗浄処理槽1
0は水洗処理を行うクイック・ダンプ・リンス(QD
R)処理槽として用いられる。
【0014】中央の洗浄処理ユニット3には、中心位置
に回転搬送アーム12が設けられており、回転搬送アー
ム12の周囲(図中右側と左側)には、洗浄処理槽1
3、14が設けられている。本実施例では、洗浄処理槽
13はフッ酸処理を行う薬品処理槽として用いられ、洗
浄処理槽14は水洗オーバーフロー処理槽として用いら
れる。
【0015】搬出側の洗浄処理ユニット4には、中心位
置に回転搬送アーム15が設けられており、回転搬送ア
ーム15の周囲には、図中右側に回転搬送アーム15の
洗浄・乾燥を行う洗浄・乾燥機構16、図中下側にイソ
プロピルアルコールによる乾燥処理(IPA乾燥)を行
うための乾燥処理槽17が設けられている。
【0016】上記水中ローダ7、8、洗浄処理槽10、
11、13、14および乾燥処理槽17は、それぞれ図
2に示すように、ケース20に収容されている。このケ
ース20には、搬入・搬出用の開口部21が設けられて
おり、開口部21には図示しないシャッタ機構が設けら
れている。また、これらの水中ローダ7、8、洗浄処理
槽10、11、13、14および乾燥処理槽17には、
それぞれ各槽専用のウエハ支持機構として、例えば石英
等から構成されたウエハボート22が設けられている。
このウエハボート22は、図3に示すように、駆動機構
に接続されたアーム23に接続されており、上下動可能
に構成されている。また、図4〜図6に示すように、ウ
エハボート22は、半導体ウエハ24を所定位置に支持
するウエハ載置溝25を形成された3 本の平行するウエ
ハ支持棒26を有し、このウエハ支持棒26上に複数例
えば50枚の半導体ウエハ24を互いにほぼ平行する如く
支持するよう構成されている。
【0017】また、回転搬送アーム9は図7に示すよう
に、水平回転および伸縮可能な多関節アーム30の先端
に、半導体ウエハ載置用のウエハフォーク31を有し、
このウエハフォーク31上にウエハキャリアなしで複数
枚、例えば50枚の半導体ウエハ24を載置可能に構成さ
れている。すなわち、このウエハフォーク31は、図8
〜図10に示すように、半導体ウエハ24を所定位置に
支持するウエハ載置溝32を形成された2 本の平行する
ウエハ支持棒33を有し、このウエハ支持棒33上に50
枚の半導体ウエハ24を互いにほぼ平行する如く支持す
るよう構成されている。なお、ウエハ支持棒33の下側
は、水切りが良いように傾斜面を形成する如く下方に向
かって凸状に形成されている。また、回転搬送アーム1
2、15も上記回転搬送アーム9と同様に構成されてい
る。
【0018】このように構成された回転搬送アーム9に
よって50枚の半導体ウエハ24を支持して搬送し、搬入
・搬出用の開口部21からケース20内のウエハボート
22上に位置させ、この後、ウエハボート22を上昇さ
せて回転搬送アーム9(ウエハフォーク31)からウエ
ハボート22に半導体ウエハ24を受け渡すよう構成さ
れている。そして、回転搬送アーム9を後退させ、ウエ
ハボート22を下降させて各槽内に半導体ウエハ24を
浸漬するよう構成されている。なお、半導体ウエハ24
をウエハボート22から回転搬送アーム9(ウエハフォ
ーク31)に移載する際は、上記手順と逆の手順によ
る。
【0019】さらに、洗浄・乾燥機構16は、図11に
示すように、回転搬送アーム15のウエハフォーク31
の2 本のウエハ支持棒33に沿って設けられた2 本の棒
状の洗浄・乾燥ノズル40と、反射板41を備えたIR
ヒータ42およびウエハ支持棒33の下側に設けられた
反射板43等から構成されている。この反射板43は、
例えばSiO2 上にタンタルコーティングを施した板状
部材から構成されており、IRヒータ42からの赤外線
を効率よく反射して、ウエハ支持棒33の下面を加熱す
るためのものである。なお、図中に示す洗浄ノズル40
とウエハ支持棒33との距離Aは例えば15mm、IRヒー
タ42ウエハ支持棒33との距離Bは例えば50mmに設定
されている。
【0020】そして、洗浄・乾燥ノズル40を左右に移
動や上下動させながら、ウエハ支持棒33に向かって洗
浄液例えば純水を流量例えば10リットル/分で噴出させ
洗浄した後、この洗浄・乾燥ノズル40から例えば100
℃程度に加熱したドライエアーあるいは窒素ガス等を噴
出させるとともに、IRヒータ42によって加熱し、ウ
エハフォーク31を洗浄、乾燥するよう構成されてい
る。なお、洗浄ノズルと乾燥ノズルを別々に設けてもよ
い。洗浄・乾燥ノズル40を左右に移動させる代わりに
ウエハフォーク31を左右に移動させてもよい。
【0021】上記構成のこの実施例の洗浄装置1では、
ローダ5に配設された図示しない整列機構により、この
ローダ5上の所定位置に載置された2 つのウエハキャリ
ア19内の半導体ウエハ24を、オリエンテーションフ
ラットを利用して整列させる。この後、例えば下方から
ウエハキャリア19内の半導体ウエハ24を突き上げる
こと等により、半導体ウエハ24をウエハキャリア19
内から取り出し、しかる後、回転搬送アーム9によっ
て、これら2 つのウエハキャリア19内の合計50枚の半
導体ウエハ24を受け取る。
【0022】そして、回転搬送アーム9によって、これ
らの半導体ウエハ24を、洗浄処理槽11、洗浄処理槽
10、水中ローダ7に順次搬送し、洗浄処理ユニット2
による洗浄処理を実施する。なお、最初の半導体ウエハ
24を洗浄処理槽11から洗浄処理槽10へ搬送した後
は、次の半導体ウエハ24を洗浄処理槽11に搬送する
ことにより、連続的に洗浄処理を実施する。
【0023】この後、水中ローダ7によって、半導体ウ
エハ24を洗浄処理ユニット3に移送し、回転搬送アー
ム12によって、これらの半導体ウエハ24を、洗浄処
理槽13、洗浄処理槽14、水中ローダ8に順次搬送
し、洗浄処理ユニット3による洗浄処理を実施する。
【0024】しかる後、水中ローダ8によって、半導体
ウエハ24を洗浄処理ユニット4に移送し、回転搬送ア
ーム15によって、これらの半導体ウエハ24を、乾燥
処理槽17に搬送する。そして、乾燥処理槽17におい
ては、前述した如く、イソプロピルアルコールによる半
導体ウエハ24の乾燥処理(IPA乾燥)を行う。この
時、同時に回転搬送アーム15のウエハフォーク31を
洗浄・乾燥機構16内に挿入し、前述したように、洗浄
・乾燥ノズル40およびIRヒータ42によるウエハフ
ォーク31の洗浄・乾燥を実施する。
【0025】そして、乾燥処理槽17における半導体ウ
エハ24の乾燥処理が終了すると、この洗浄・乾燥を実
施したウエハフォーク31によって、乾燥処理が終了し
た半導体ウエハ24を受け取り、アンローダ6にアンロ
ードする。
【0026】このように、本実施例の洗浄装置1では、
ウエハキャリア19を用いることなく、半導体ウエハ2
4の洗浄・乾燥を実施することができるので、洗浄液等
がウエハキャリア19によって汚染されることを防止す
ることができる。
【0027】また、少なくとも、乾燥処理槽17によっ
て乾燥処理の終了した半導体ウエハ24は、常に、洗浄
・乾燥機構16によって洗浄・乾燥を実施したウエハフ
ォーク31によってアンロードされるので、この半導体
ウエハ24に、洗浄液等が付着したり、汚染されたりす
ることを防止することができる。
【0028】したがって、従来の洗浄装置に較べて、良
好な洗浄処理を実施することができる。
【0029】なお、図11に示す洗浄・乾燥機構16
は、図11に示す処理ユニット2、3の搬送アーム9お
よび12の上部にも設けることができる。また、上記実
施例において、各槽専用のウエハ支持機構としてのウエ
ハボート22は駆動機構23に設けられ、上下移動可能
に構成されているが、上記ウエハ支持機構を各処理槽内
に固定して設け、回転搬送アーム15に複数の被洗浄物
の周縁部を把持又は支持してこの被洗浄物を保持する保
持機構及び上下移動機構を設け、被洗浄物を各処理槽間
搬送するように構成し、上記保持機構を洗浄・乾燥機構
16により洗浄・乾燥するようにしてもよい。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の洗浄装置
および洗浄方法によれば、従来に較べて良好な洗浄処理
を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の洗浄装置の全体構成を示す
図である。
【図2】処理槽の構成を示す図である。
【図3】処理槽の構成を示す図である。
【図4】ウエハボートの構成を示す図である。
【図5】ウエハボートの構成を示す図である。
【図6】ウエハボートの構成を示す図である。
【図7】洗浄処理ユニット2の構成を示す図である。
【図8】ウエハフォークの構成を示す図である。
【図9】ウエハフォークの構成を示す図である。
【図10】ウエハフォークの構成を示す図である。
【図11】洗浄・乾燥機構の構成を示す図である。
【符号の説明】
1 洗浄装置 2,3,4 洗浄処理ユニット 5 ローダ 6 アンローダ 7,8 水中ローダ 9,12,15 回転搬送アーム 10,11,13,14 洗浄処理槽 16 洗浄・乾燥機構 17 乾燥処理槽 19 ウエハキャリア

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被洗浄物を支持し、洗浄用支持手段にロ
    ード・アンロードする搬送用支持手段と、 前記洗浄用支持手段によって支持された前記被洗浄物を
    洗浄および乾燥する手段と、 前記被洗浄物を支持していない状態の前記搬送用支持手
    段を、洗浄および乾燥する洗浄・乾燥手段とを具備し、 前記洗浄・乾燥手段によって洗浄および乾燥された前記
    搬送用支持手段により、前記洗浄用支持手段から洗浄お
    よび乾燥された前記被洗浄物をアンロードするよう構成
    された ことを特徴とする洗浄装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の洗浄装置において、 前記洗浄・乾燥手段が、前記搬送用支持手段に向けて洗
    浄液を供給するノズルと、このノズルを前記搬送用支持
    手段に対して移動させる手段とを具備したことを特徴と
    する洗浄装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の洗浄装置において、 前記洗浄・乾燥手段が、前記搬送用支持手段に気体を供
    給する気体供給手段と、前記搬送用支持手段を加熱する
    ための加熱手段 とを具備したことを特徴とする洗浄装
    置。
  4. 【請求項4】 請求項記載の洗浄装置において、前記搬送用支持手段は、上部に前記被洗浄物を支持する
    支持棒を具備し、当該支持棒の下側が、傾斜面を形成す
    る如く下方に向けて凸状に構成されている ことを特徴と
    する洗浄装置。
  5. 【請求項5】 被洗浄物を搬送用支持手段によって支持
    し、洗浄用支持手段にロードする工程と、 前記洗浄用支持手段によって前記被洗浄物を支持し、当
    該被洗浄物を洗浄および乾燥する工程と、 前記被洗浄物を支持していない状態の前記搬送用支持手
    段を、洗浄および乾燥する工程と、 洗浄および乾燥された前記搬送用支持手段により、前記
    洗浄用支持手段から前記被洗浄物をアンロードする工程
    とを具備したことを特徴とする洗浄方法。
JP3069808A 1991-04-02 1991-04-02 洗浄装置および洗浄方法 Expired - Fee Related JP2901098B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3069808A JP2901098B2 (ja) 1991-04-02 1991-04-02 洗浄装置および洗浄方法
US07/862,357 US5261431A (en) 1991-04-02 1992-04-02 Washing apparatus
US08/120,813 US5421905A (en) 1991-04-02 1993-10-13 Method for washing wafers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3069808A JP2901098B2 (ja) 1991-04-02 1991-04-02 洗浄装置および洗浄方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04305929A JPH04305929A (ja) 1992-10-28
JP2901098B2 true JP2901098B2 (ja) 1999-06-02

Family

ID=13413426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3069808A Expired - Fee Related JP2901098B2 (ja) 1991-04-02 1991-04-02 洗浄装置および洗浄方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US5261431A (ja)
JP (1) JP2901098B2 (ja)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5593916A (en) * 1988-08-12 1997-01-14 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Processing of glass substrates using holding container and holding container
US5379784A (en) * 1993-01-23 1995-01-10 Tokyo Electron Limited Apparatus for cleaning conveyor chuck
US6712577B2 (en) * 1994-04-28 2004-03-30 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing system
JP2609815B2 (ja) * 1994-07-22 1997-05-14 九州日本電気株式会社 ウェット処理装置
US6158446A (en) * 1994-11-14 2000-12-12 Fsi International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5958146A (en) * 1994-11-14 1999-09-28 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids
US5571337A (en) * 1994-11-14 1996-11-05 Yieldup International Method for cleaning and drying a semiconductor wafer
US5849104A (en) * 1996-09-19 1998-12-15 Yieldup International Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks
US5634978A (en) * 1994-11-14 1997-06-03 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor method
US5772784A (en) * 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
KR960043307A (ko) * 1995-05-11 1996-12-23 김광호 약액처리장치 중앙관리 시스템
JPH0936080A (ja) * 1995-07-13 1997-02-07 Toray Eng Co Ltd 加工済シリコンインゴットの洗浄方法
US6006736A (en) * 1995-07-12 1999-12-28 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for washing silicon ingot with water to remove particulate matter
JP3328481B2 (ja) * 1995-10-13 2002-09-24 東京エレクトロン株式会社 処理方法および装置
KR0179783B1 (ko) * 1995-12-19 1999-04-15 문정환 반도체 웨이퍼 세정장치
TW363903B (en) * 1996-03-11 1999-07-11 Memc Electronic Materials Spa Apparatus for use in automatically cleaning semiconductor wafers and methods for drying a semiconductor wafer in the automatic drying machine
DE19616402C2 (de) * 1996-04-24 2001-11-29 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
DE19655219C2 (de) * 1996-04-24 2003-11-06 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
US6240938B1 (en) 1996-05-29 2001-06-05 Steag Microtech Gmbh Device for treating substrates in a fluid container
TW310078U (en) * 1996-07-10 1997-07-01 Vanguard Int Semiconduct Corp Replacement structure of hand tools
US5778554A (en) * 1996-07-15 1998-07-14 Oliver Design, Inc. Wafer spin dryer and method of drying a wafer
DE19644779C2 (de) * 1996-10-28 2001-06-28 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere auch von Halbleiterwafern
US5791358A (en) * 1996-11-20 1998-08-11 Sandia Corporation Rinse trough with improved flow
KR100226548B1 (ko) * 1996-12-24 1999-10-15 김영환 웨이퍼 습식 처리 장치
US6736148B2 (en) 1997-05-05 2004-05-18 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing system
US5909741A (en) * 1997-06-20 1999-06-08 Ferrell; Gary W. Chemical bath apparatus
JP3320640B2 (ja) * 1997-07-23 2002-09-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JPH1154471A (ja) 1997-08-05 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
EP0898301B1 (en) 1997-08-18 2006-09-27 Tokyo Electron Limited Apparatus for cleaning both sides of a substrate
US6047717A (en) * 1998-04-29 2000-04-11 Scd Mountain View, Inc. Mandrel device and method for hard disks
US6571806B2 (en) * 1998-09-04 2003-06-03 Komag, Inc. Method for drying a substrate
US6216709B1 (en) * 1998-09-04 2001-04-17 Komag, Inc. Method for drying a substrate
US6328809B1 (en) 1998-10-09 2001-12-11 Scp Global Technologies, Inc. Vapor drying system and method
US6328814B1 (en) 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6412502B1 (en) * 1999-07-28 2002-07-02 Semitool, Inc. Wafer container cleaning system
US6192600B1 (en) 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
US6199298B1 (en) 1999-10-06 2001-03-13 Semitool, Inc. Vapor assisted rotary drying method and apparatus
US6395101B1 (en) 1999-10-08 2002-05-28 Semitool, Inc. Single semiconductor wafer processor
MY140644A (en) * 2001-04-17 2010-01-15 Komag Inc Method and apparatus for drying a substrate.
US7513062B2 (en) * 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
EP1446827A2 (en) * 2001-11-02 2004-08-18 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying method
CN100411820C (zh) * 2005-01-25 2008-08-20 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 夹具
WO2007051356A1 (fr) * 2005-11-07 2007-05-10 Jianzhong Yuan Procédé de traitement d’une plaquette de silicium utilisée pour une cellule solaire
US8474468B2 (en) * 2006-09-30 2013-07-02 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for thermally processing a substrate with a heated liquid
MY146880A (en) * 2006-11-09 2012-10-15 Invenpro M Sdn Bhd Method for drying a substrate
JP4979412B2 (ja) * 2007-02-26 2012-07-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
US7479463B2 (en) * 2007-03-09 2009-01-20 Tokyo Electron Limited Method for heating a chemically amplified resist layer carried on a rotating substrate
US9383138B2 (en) * 2007-03-30 2016-07-05 Tokyo Electron Limited Methods and heat treatment apparatus for uniformly heating a substrate during a bake process
US20080241400A1 (en) * 2007-03-31 2008-10-02 Tokyo Electron Limited Vacuum assist method and system for reducing intermixing of lithography layers
US20110186088A1 (en) * 2010-01-31 2011-08-04 Miller Kenneth C Substrate nest with drip remover
ITMI20110646A1 (it) 2011-04-15 2012-10-16 St Microelectronics Srl Apparecchiatura per la lavorazione di wafer semiconduttori, in particolare per realizzare una fase di processo di rimozione di polimeri.
JP6092653B2 (ja) * 2012-02-27 2017-03-08 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び洗浄方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4282825A (en) * 1978-08-02 1981-08-11 Hitachi, Ltd. Surface treatment device
JPS5629331A (en) * 1979-08-18 1981-03-24 Mitsubishi Electric Corp Water rinsing device
US4560417A (en) * 1981-12-30 1985-12-24 Technomex Development, Ltd. Decontamination method for semiconductor wafer handling equipment
JPS605530A (ja) * 1984-04-25 1985-01-12 Hitachi Ltd 半導体ウエハ洗浄装置
US4924890A (en) * 1986-05-16 1990-05-15 Eastman Kodak Company Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers
US5177514A (en) * 1988-02-12 1993-01-05 Tokyo Electron Limited Apparatus for coating a photo-resist film and/or developing it after being exposed
KR910006087B1 (ko) * 1988-06-29 1991-08-12 삼성반도체통신 주식회사 반도체 제조용 웨이퍼 세정기
JPH0247046U (ja) * 1988-09-28 1990-03-30
JP2686132B2 (ja) * 1989-03-17 1997-12-08 富士通株式会社 キャリア乾燥装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04305929A (ja) 1992-10-28
US5421905A (en) 1995-06-06
US5261431A (en) 1993-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2901098B2 (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JPH0917761A (ja) 洗浄処理装置
JPH09115868A (ja) 処理方法および装置
KR102279006B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
KR102529592B1 (ko) 반도체 웨이퍼를 세정하기 위한 장치 및 방법
JPH053184A (ja) ウエハの洗浄方法
TW202405994A (zh) 基板處理裝置
JP2002520132A (ja) 基板をクリーニングする方法及び装置
JP3766177B2 (ja) 基板処理装置および基板洗浄装置
JPH04196531A (ja) 洗浄装置
JP3346823B2 (ja) 基板ウェット処理装置
JP3346834B2 (ja) 基板ウェット処理装置
JP3909612B2 (ja) 基板洗浄装置
JP3197539B2 (ja) 基板の洗浄装置及び洗浄方法
JP3197304B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP4050180B2 (ja) 基板処理方法
JP2996579B2 (ja) 把持装置の洗浄処理装置と洗浄処理方法及び基板の洗浄処理装置
JP4050181B2 (ja) 基板処理装置
JP7262594B2 (ja) 塗布、現像装置
JP3177706B2 (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JP2000114224A (ja) 基板洗浄装置
JP3210133B2 (ja) 基板ウェット処理装置
JP3335220B2 (ja) 基板の処理装置
JPH09148288A (ja) 基板のウェット処理装置
JP3113517B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990302

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees