JP7262594B2 - 塗布、現像装置 - Google Patents

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Description

本開示は、塗布、現像装置に関する。
従来、半導体ウエハ等の基板に対してレジストの塗布処理を行い、露光装置にて露光された後の基板に対して現像液を供給して現像処理を行う塗布、現像装置が知られている。
特開２０１０－１６０９８号公報
本開示は、洗浄処理を含む一連の塗布、現像処理を効率よく行うことができる技術を提供する。
本開示の一態様による塗布、現像装置は、搬入出ステーションと、処理ステーションと、塗布前洗浄部と、塗布後洗浄部とを備える。搬入出ステーションは、複数の基板を収納したカセットが載置されるカセット載置部を含む。処理ステーションは、基板のおもて面にレジストを塗布する塗布処理を行う塗布処理部と、露光装置にて露光された後の基板のおもて面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理部と、基板を加熱する加熱部と、を含む。塗布前洗浄部は、搬入出ステーションと露光装置との間に設けられ、塗布処理前の基板のおもて面を物理的に洗浄する。塗布後洗浄部は、処理ステーションと露光装置との間に設けられ、塗布処理後の基板の裏面を物理的に洗浄する。
本開示によれば、洗浄処理を含む一連の塗布、現像処理を効率よく行うことができる。
図１は、第１実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。 図２は、第１実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。 図３は、第１実施形態に係る処理ステーションの概略側面図である。 図４は、第１実施形態に係る搬送ブロックの概略側面図である。 図５は、第１実施形態に係るウエハの搬送フローを示す図である。 図６は、第１実施形態に係る塗布前洗浄部の概略平面図である。 図７は、第１実施形態に係る塗布前洗浄部の概略側面図である。 図８は、第１実施形態に係る塗布後洗浄部の概略平面図である。 図９は、第１実施形態に係る塗布後洗浄部の概略側面図である。 図１０は、第２実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。 図１１は、第２実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。 図１２は、第３実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。 図１３は、第３実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。
以下に、本開示による塗布、現像装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による塗布、現像装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。図２は、第１実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。図３は、第１実施形態に係る処理ステーションの概略側面図である。図４は、第１実施形態に係る搬送ブロックの概略側面図である。
図１に示すように、実施形態に係る塗布、現像装置１は、搬入出ステーションＳ１と、洗浄ステーションＳ２と、受渡ステーションＳ３と、処理ステーションＳ４と、インタフェースステーションＳ５とを備える。これらは、水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って、搬入出ステーションＳ１、洗浄ステーションＳ２、受渡ステーションＳ３、処理ステーションＳ４およびインタフェースステーションＳ５の順番に連結されている。また、塗布、現像装置１は、制御装置６を備える。
＜搬入出ステーションＳ１＞
搬入出ステーションＳ１には、カセットＣを載置可能な複数のカセット載置台１１と、カセット載置台１１から見て前方の壁面に設けられる複数の開閉部１２と、開閉部１２を介してカセットＣからウエハＷを取り出すための搬送部１３とが設けられている。
カセットＣは、複数の半導体ウエハ（以下、ウエハＷと記載する）を収容可能な容器である。搬送部１３は、第１受渡部ＴＲＳ１とカセットＣとの間でウエハＷの搬送を行う。搬送部１３は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
＜洗浄ステーションＳ２＞
洗浄ステーションＳ２は、搬入出ステーションＳ１と受渡ステーションＳ３との間に設けられる。洗浄ステーションＳ２には、ウエハＷの受け渡しが行われる第１受渡部ＴＲＳ１と、ウエハＷを搬送する搬送部２２と、ウエハＷを洗浄する塗布前洗浄部２３と、ウエハＷを検査する検査部２４とが設けられている。
第１受渡部ＴＲＳ１は、搬送部１３および搬送部２２がアクセス可能な位置に配置される。第１受渡部ＴＲＳ１は、たとえば、方形の筺体を備えており、かかる筐体の内部にウエハＷを収容可能である。第１受渡部ＴＲＳ１は、搬送部１３および搬送部２２によってアクセス可能である。なお、第１受渡部ＴＲＳ１は、ウエハＷの温度を予定した温度に調節する温調機構を備えていてもよい。
搬送部２２は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部２２は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。搬送部２２は、第１受渡部ＴＲＳ１、塗布前洗浄部２３、検査部２４および後述する棚ユニット３１間でのウエハＷの搬送を担当する。
塗布前洗浄部２３は、後述する塗布処理部によってレジスト等が塗布される前のウエハＷのおもて面を物理的に洗浄する。たとえば、塗布前洗浄部２３は、いわゆるスクラバ装置であり、ウエハＷを保持して回転させつつ、回転するウエハＷのおもて面にブラシを接触させる。これにより、塗布前洗浄部２３は、たとえばウエハＷのおもて面に付着した異物を除去したり、ウエハＷのおもて面に付いた傷を除去したりする。塗布前洗浄部２３の具体的な構成例については、後述する。なお、本明細書において、「物理的に洗浄する」とは、たとえば噴流の圧力やブラシの摩擦力などの物理力を用いてウエハＷに付いたゴミや傷等を除去することをいう。
図２に示すように、洗浄ステーションＳ２には、複数の塗布前洗浄部２３が、高さ方向に並べて配置される。ここでは、４つの塗布前洗浄部２３が積層される例を示しており、搬送部２２は、これら４つの塗布前洗浄部２３に対してアクセス可能である。なお、洗浄ステーションＳ２に設けられる塗布前洗浄部２３の数は４つに限定されるものではなく、たとえば１つであってもよい。
検査部２４は、ウエハＷの状態を検査する。たとえば、検査部２４は、現像処理後のウエハＷのおもて面状態として、現像線幅の測定等を行ってもよい。また、検査部２４は、塗布処理後のウエハＷのおもて面状態として、レジストの膜厚測定等を行ってもよい。なお、塗布、現像装置１は、必ずしも検査部２４を備えることを要しない。
＜受渡ステーションＳ３＞
受渡ステーションＳ３は、搬入出ステーションＳ１と受渡ステーションＳ３との間に設けられる。受渡ステーションＳ３には、棚ユニット３１と、複数（ここでは、２つ）の搬送部３２と、棚ユニット３３とが設けられている。棚ユニット３１は、搬送部２２、搬送部３２および後述する搬送部４１～４６がアクセス可能な位置に配置される。２つの搬送部３２は、棚ユニット３１を挟んで対向する位置に配置される。棚ユニット３３は、搬送部３２から見て棚ユニット３１と反対側に配置されており、１つの搬送部３２のみがアクセス可能である。
棚ユニット３１には、複数の処理部が高さ方向に並べて配置される。たとえば、図２に示すように、棚ユニット３１には、ウエハＷの受渡場所である複数の第２受渡部ＴＲＳ２が配置される。複数の第２受渡部ＴＲＳ２は、処理ステーションＳ４が備える６つの処理ブロックＢ１～Ｂ６に対応する高い位置にそれぞれ配置される。
第２受渡部ＴＲＳ２は、たとえば、方形の筺体を備えており、かかる筐体の内部にウエハＷを収容可能である。第２受渡部ＴＲＳ２は、搬送部２２および搬送部３２によってアクセス可能である。また、第２受渡部ＴＲＳ２は、後述する搬送部４１～４６のうち対応する処理ブロックＢ１～Ｂ６に配置された搬送部４１～４６によってもアクセス可能である。第２受渡部ＴＲＳ２は、ウエハＷの温度を予定した温度に調節する温調機構を備えていてもよい。
搬送部３２は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部３２は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、棚ユニット３１に配置される複数の第２受渡部ＴＲＳ２間または棚ユニット３１および棚ユニット３３間でウエハＷを搬送する。
棚ユニット３３には、複数の処理部が高さ方向に並べて配置される。たとえば、棚ユニット３３には、複数のアドヒージョン処理部ＡＤが配置される。アドヒージョン処理部ＡＤは、ウエハＷとレジスト膜との密着性が向上するように、たとえばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の蒸気雰囲気でウエハＷを熱処理するアドヒージョン処理を行う。
＜処理ステーションＳ４：処理ブロックＢ１～Ｂ６＞
図１～図４に示すように、処理ステーションＳ４は、積層された６つの処理ブロックＢ１～Ｂ６と、搬送ブロックＢＭとを備える。搬送ブロックＢＭは、搬入出ステーションＳ１～インタフェースステーションＳ５の並び方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って延在する。
各処理ブロックＢ１～Ｂ６は、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆと、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂとを備える。フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆと、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂと、搬送ブロックＢＭとは、搬入出ステーションＳ１～インタフェースステーションＳ５の並び方向と直交する方向（ここでは、Ｘ軸方向）に沿って並べて配置される。また、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆと、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂとは、搬送ブロックＢＭを挟んで対向する位置に配置される。具体的には、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆは、搬送ブロックＢＭのＸ軸正方向側に配置され、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂは、搬送ブロックＢＭのＸ軸負方向側に配置される。
図２に示すように、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆは、下から順にこの順番で積層される。このうち、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ３Ｆには、それぞれ複数（ここでは、４つ）の塗布処理部ＣＯＴが、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。
塗布処理部ＣＯＴは、ウエハＷのおもて面にレジスト等の成膜材料を塗布する塗布処理を行う。具体的には、塗布処理部ＣＯＴは、たとえば、ウエハＷを保持して回転させる保持部と、保持部を囲むカップなどを備えており、不図示の薬液ノズルからウエハＷのおもて面に成膜材料を供給することにより、ウエハＷのおもて面に膜を形成する。
第１実施形態において、最下段であるフロント側処理ブロックＢ１Ｆに配置された４つの塗布処理部ＣＯＴは、ウエハＷのおもて面に対し、成膜材料としてのＢＡＲＣ（Bottom Anti-Reflective Coating）を塗布する。また、フロント側処理ブロックＢ２Ｆに配置された４つの塗布処理部ＣＯＴは、ＢＡＲＣが塗布されたウエハＷのおもて面に対し、成膜材料としてのレジストを塗布する。また、フロント側処理ブロックＢ３Ｆに配置された４つの塗布処理部ＣＯＴは、レジストが塗布されたウエハＷのおもて面に対し、成膜材料としてのトップコート液を塗布する。
フロント側処理ブロックＢ４Ｆ～Ｂ６Ｆには、それぞれ複数（ここでは、４つ）の現像処理部ＤＥＶが、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。
現像処理部ＤＥＶは、露光装置ＥＸＰにて露光された後のウエハＷのおもて面に現像液を供給して現像処理を行う。具体的には、現像処理部ＤＥＶは、ウエハＷを保持して回転させる保持部と、保持部を囲むカップなどを備えており、不図示の薬液ノズルからウエハＷのおもて面に現像液を供給する。その後、現像処理部ＤＥＶは、図示しない洗浄液供給機構からの洗浄液によりウエハＷのおもて面に残存する現像液を洗い流し、つづいて保持部を用いてウエハＷを高速で回転させることによってウエハＷを乾燥させる。
図３に示すように、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂは、下から順にこの順番で積層される。バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂは、それぞれフロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆと同じ高さ位置に配置される。
バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂのうち、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ３Ｂには、複数（ここでは、１２個）の第１加熱部ＢＫ１が配置される。１２個の第１加熱部ＢＫ１は、たとえば、水平方向（Ｙ軸方向）に６つ並べられ且つ高さ方向（Ｚ軸方向）に２段に積層される。第１加熱部ＢＫ１は、露光処理前のウエハＷを予め設定された温度に加熱する。
バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂのうち、バック側処理ブロックＢ４Ｂ～Ｂ６Ｂには、複数（ここでは、１２個）の第２加熱部ＢＫ２が配置される。１２個の第２加熱部ＢＫ２は、たとえば、水平方向（Ｙ軸方向）に６つ並べられ且つ高さ方向（Ｚ軸方向）に２段に積層される。第２加熱部ＢＫ２は、露光処理後のウエハＷを予め設定された温度に加熱する。
なお、第１加熱部ＢＫ１および第２加熱部ＢＫ２の個数や配置については、図３に示した例に限定されない。また、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂには、たとえばウエハＷを一時的に載置しておくバッファ部など、第１加熱部ＢＫ１および第２加熱部ＢＫ２以外の処理部が配置されていてもよい。
＜処理ステーションＳ４：搬送ブロックＢＭ＞
搬送ブロックＢＭは、上述したフロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆとバック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂとの間に配置される。図４に示すように、搬送ブロックＢＭには、複数（ここでは、６つ）の搬送部４１～４６が、高さ方向に並べて配置される。複数の搬送部４１～４６は、それぞれ処理ブロックＢ１～Ｂ６の高さ位置に配置される。
搬送部４１～４６は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部４１～４６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、対応する処理ブロックＢ１～Ｂ６におけるウエハＷの搬送を担当する。すなわち、搬送部４１は、処理ブロックＢ１に配置された塗布処理部ＣＯＴや第１加熱部ＢＫ１に対するウエハＷの搬送を担当し、搬送部４２は、処理ブロックＢ２に配置された塗布処理部ＣＯＴや第１加熱部ＢＫ１に対するウエハＷの搬送を担当する。また、搬送部４３は、処理ブロックＢ３に配置された塗布処理部ＣＯＴや第１加熱部ＢＫ１に対するウエハＷの搬送を担当し、搬送部４４は、処理ブロックＢ４に配置された現像処理部ＤＥＶや第２加熱部ＢＫ２に対するウエハＷの搬送を担当する。また、搬送部４５は、処理ブロックＢ５に配置された現像処理部ＤＥＶや第２加熱部ＢＫ２に対するウエハＷの搬送を担当し、搬送部４６は、処理ブロックＢ６に配置された現像処理部ＤＥＶや第２加熱部ＢＫ２に対するウエハＷの搬送を担当する。
＜インタフェースステーションＳ５＞
インタフェースステーションＳ５は、受渡ステーションＳ３と露光装置ＥＸＰとを接続する。インタフェースステーションＳ５には、棚ユニット５１と、搬送部５２と、複数（ここでは、２つ）の搬送部５３と、塗布後洗浄部５４と、露光後洗浄部５５とが設けられている。
棚ユニット５１は、搬送部４１～４６、搬送部５２および搬送部５３がアクセス可能な位置に配置される。搬送部５２は、棚ユニット５１と露光装置ＥＸＰとの間に配置される。２つの搬送部５３は、棚ユニット５１を挟んで対向する位置に配置される。塗布後洗浄部５４は、一方の搬送部５３から見て棚ユニット５１と反対側に配置され、露光後洗浄部５５は、他方の搬送部５３から見て棚ユニット５１と反対側に配置される。
棚ユニット５１は、複数の処理部が高さ方向に並べて配置される。たとえば、図１に示すように、棚ユニット５１には、ウエハＷの受渡場所である複数の第３受渡部ＴＲＳ３が配置される。複数の第３受渡部ＴＲＳ３は、処理ステーションＳ４が備える６つの処理ブロックＢ１～Ｂ６に対応する高い位置にそれぞれ配置される。
第３受渡部ＴＲＳ３は、たとえば、方形の筺体を備えており、かかる筐体の内部にウエハＷを収容可能である。第３受渡部ＴＲＳ３は、搬送部２２および搬送部３２によってアクセス可能である。また、第３受渡部ＴＲＳ３は、搬送部４１～４６のうち対応する処理ブロックＢ１～Ｂ６に配置された搬送部４１～４６によってもアクセス可能である。第３受渡部ＴＲＳ３は、ウエハＷの温度を予定した温度に調節する温調機構を備えていてもよい。
搬送部５２は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部５２は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、第３受渡部ＴＲＳ３および露光装置ＥＸＰ間でウエハＷを搬送する。
２つの搬送部５３は、棚ユニット５１に配置される複数の第３受渡部ＴＲＳ３間でウエハＷを搬送する。また、棚ユニット５１と塗布後洗浄部５４との間に配置された搬送部５３は、第３受渡部ＴＲＳ３および塗布後洗浄部５４間でのウエハＷの搬送も行う。また、棚ユニット５１と露光後洗浄部５５との間に配置された搬送部５３は、第３受渡部ＴＲＳ３および露光後洗浄部５５間でのウエハＷの搬送も行う。搬送部５３は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部５３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
塗布後洗浄部５４は、塗布処理部ＣＯＴによってレジスト等の成膜材料が塗布された後のウエハＷの裏面を物理的に洗浄する。たとえば、塗布後洗浄部５４は、ウエハＷの裏面に回転するブラシを接触させる。これにより、たとえば、露光処理におけるデフォーカスの要因となるフォーカススポットを除去することができる。なお、塗布後洗浄部５４の具体的な構成例については、後述する。
露光後洗浄部５５は、露光処理後のウエハＷを洗浄液（たとえば、脱イオン水）を用いて洗浄する。
＜制御装置６＞
制御装置６は、制御部６１と、記憶部６２とを備える。制御部６１は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体には、塗布、現像装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。
制御部６１は、記憶媒体に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって塗布、現像装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部６１の記憶媒体にインストールされたものであってもよい。
コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
＜塗布、現像装置１の具体的動作の一例＞
次に、塗布、現像装置１の具体的動作の一例について図５を参照して説明する。図５は、第１実施形態に係るウエハの搬送フローを示す図である。
図５に示すように、第１実施形態に係る塗布、現像装置１では、まず、搬送部１３がカセット載置台１１に載置されたカセットＣからウエハＷを取り出して第１受渡部ＴＲＳ１（図１参照）に載置する。つづいて、搬送部２２が第１受渡部ＴＲＳ１からウエハＷを取り出して塗布前洗浄部２３へ搬送し、塗布前洗浄部２３がウエハＷのおもて面をブラシを用いて物理的に洗浄する（塗布前洗浄処理）。
つづいて、搬送部２２が塗布前洗浄処理後のウエハＷを塗布前洗浄部２３から取り出して棚ユニット３１の第２受渡部ＴＲＳ２に載置する。つづいて、搬送部２２が第２受渡部ＴＲＳ２からウエハＷを取り出して棚ユニット３３のアドヒージョン処理部ＡＤへ搬送し、アドヒージョン処理部ＡＤがウエハＷに対してアドヒージョン処理を行う。
つづいて、搬送部３２がアドヒージョン処理部ＡＤからウエハＷを取り出して処理ブロックＢ１に対応する第２受渡部ＴＲＳ２に載置する。つづいて、処理ブロックＢ１の搬送部４１が第２受渡部ＴＲＳ２からウエハＷを取り出して塗布処理部ＣＯＴに搬送し、塗布処理部ＣＯＴがウエハＷのおもて面にＢＡＲＣを塗布する。その後、搬送部４１が塗布処理部ＣＯＴからウエハＷを取り出して第１加熱部ＢＫ１へ搬送し、第１加熱部ＢＫ１がＢＡＲＣ塗布後のウエハＷを予め設定された温度で加熱する。たとえば、第１加熱部ＢＫ１は、ＢＡＲＣ塗布後のウエハＷを２００℃で加熱する。
つづいて、搬送部４１が第１加熱部ＢＫ１からウエハＷを取り出して処理ブロックＢ１に対応する第２受渡部ＴＲＳ２へ載置する。そして、搬送部３２が処理ブロックＢ１に対応する第２受渡部ＴＲＳ２から処理ブロックＢ２に対応する第２受渡部ＴＲＳ２へウエハＷを移し換える。
つづいて、処理ブロックＢ２の搬送部４２が第２受渡部ＴＲＳ２からウエハＷを取り出して塗布処理部ＣＯＴに搬送し、塗布処理部ＣＯＴがウエハＷのおもて面にレジストを塗布する。その後、搬送部４１が塗布処理部ＣＯＴからウエハＷを取り出して第１加熱部ＢＫ１へ搬送し、第１加熱部ＢＫ１がレジスト塗布後のウエハＷを予め設定された温度で加熱する。たとえば、第１加熱部ＢＫ１は、レジスト塗布後のウエハＷを１１０℃で加熱する。
つづいて、搬送部４２が第１加熱部ＢＫ１からウエハＷを取り出して処理ブロックＢ２に対応する第２受渡部ＴＲＳ２へ載置する。そして、搬送部３２が処理ブロックＢ２に対応する第２受渡部ＴＲＳ２から処理ブロックＢ３に対応する第２受渡部ＴＲＳ２へウエハＷを移し換える。
つづいて、処理ブロックＢ３の搬送部４３が第２受渡部ＴＲＳ２からウエハＷを取り出して塗布処理部ＣＯＴに搬送し、塗布処理部ＣＯＴがウエハＷのおもて面にトップコート液を塗布する。その後、搬送部４１が塗布処理部ＣＯＴからウエハＷを取り出して第１加熱部ＢＫ１へ搬送し、第１加熱部ＢＫ１がトップコート液塗布後のウエハＷを予め設定された温度で加熱する。たとえば、第１加熱部ＢＫ１は、トップコート液塗布後のウエハＷを１００℃で加熱する。
つづいて、搬送部４３が第１加熱部ＢＫ１からウエハＷを取り出して棚ユニット５１の第３受渡部ＴＲＳ３へ載置し、搬送部５３が第３受渡部ＴＲＳ３からウエハＷを取り出して塗布後洗浄部５４へ搬送する。そして、塗布後洗浄部５４が塗布処理後のウエハＷの裏面をブラシを用いて物理的に洗浄する（塗布後洗浄処理）。
つづいて、搬送部５３が塗布後洗浄部５４からウエハＷを取り出して第３受渡部ＴＲＳ３へ載置した後、搬送部５２が第３受渡部ＴＲＳ３からウエハＷを取り出して露光装置ＥＸＰへ搬送する。その後、ウエハＷは、露光装置ＥＸＰによって露光処理が施される。
つづいて、搬送部５２が露光装置ＥＸＰから露光処理後のウエハＷを取り出して棚ユニット５１の第３受渡部ＴＲＳ３へ載置した後、搬送部５３が第３受渡部ＴＲＳ３からウエハＷを取り出して露光後洗浄部５５へ搬送する。そして、露光後洗浄部５５が露光処理後のウエハＷのおもて面を脱イオン水等を用いて洗浄する。
つづいて、搬送部５３が露光後洗浄部５５からウエハＷを取り出して棚ユニット５１の第３受渡部ＴＲＳ３へ載置する。具体的には、搬送部５３は、処理ブロックＢ４～Ｂ６のうち何れかに対応する第３受渡部ＴＲＳ３にウエハＷを載置する。ここでは、処理ブロックＢ４にウエハＷが載置されたものとして説明する。
つづいて、処理ブロックＢ４の搬送部４４が第３受渡部ＴＲＳ３からウエハＷを取り出して第２加熱部ＢＫ２へ搬送し、第２加熱部ＢＫ２が露光処理後のウエハＷを予め設定された温度で加熱する。たとえば、第２加熱部ＢＫ２は、露光処理後のウエハＷを８０℃で加熱する。
つづいて、搬送部４４が第２加熱部ＢＫ２からウエハＷを取り出して現像処理部ＤＥＶへ搬送し、現像処理部ＤＥＶが露光処理後のウエハＷに対して現像処理を行う。つづいて、搬送部４４が現像処理部ＤＥＶからウエハＷを取り出して第２加熱部ＢＫ２へ搬送し、第２加熱部ＢＫ２が現像処理後のウエハＷを予め設定された温度で加熱する。たとえば、第２加熱部ＢＫ２は、現像処理後のウエハＷを１１０℃で加熱する。
つづいて、搬送部４４が第２加熱部ＢＫ２からウエハＷを取り出して処理ブロックＢ４に対応する第２受渡部ＴＲＳ２へ搬送する。そして、搬送部３２が処理ブロックＢ４に対応する第２受渡部ＴＲＳ２から搬送部２２がアクセス可能な第２受渡部ＴＲＳ２へウエハＷを移し換える。その後、搬送部２２が第２受渡部ＴＲＳ２からウエハＷを取り出して第１受渡部ＴＲＳ１へ載置し、搬送部１３が第１受渡部ＴＲＳ１からウエハＷを取り出してカセットＣへ収容する。これにより、塗布、現像装置１による一連の基板処理が終了する。
なお、図５に示したウエハＷの搬送フローは一例である。たとえば、塗布、現像装置１は、ＢＡＲＣおよびトップコート液の塗布を行わずに、レジストの塗布処理およびその後の加熱処理を行った後で、塗布後洗浄部５４による塗布後洗浄処理を行ってもよい。また、塗布、現像装置１は、レジスト、ＢＡＲＣおよびトップコート液以外の成膜材料の塗布処理を行ってもよい。
＜塗布前洗浄部の構成例＞
次に、塗布前洗浄部２３の具体的な構成例について図６および図７を参照して説明する。図６は、第１実施形態に係る塗布前洗浄部２３の概略平面図である。図７は、第１実施形態に係る塗布前洗浄部２３の概略側面図である。なお、図７では、液供給部１０５を省略して示している。
図６および図７に示すように、塗布前洗浄部２３は、チャンバ１０１と、基板保持部１０２と、カップ部１０３と、洗浄部１０４と、液供給部１０５とを備える。
チャンバ１０１は、基板保持部１０２、カップ部１０３、洗浄部１０４および液供給部１０５を収容する。チャンバ１０１の天井部には、チャンバ１０１内にダウンフローを形成するＦＦＵ（Fun Filter Unit）１１１が設けられる（図７参照）。
基板保持部１０２は、ウエハＷよりも大径の本体部１２１と、本体部１２１の上面に設けられた複数の把持部１２２と、本体部１２１を支持する支柱部材１２３と、支柱部材１２３を回転させる駆動部１２４とを備える。なお、把持部１２２の数は、図示のものに限定されない。
かかる基板保持部１０２は、複数の把持部１２２を用いてウエハＷの周縁部を把持することによってウエハＷを保持する。これにより、ウエハＷは、本体部１２１の上面からわずかに離間した状態で水平に保持される。
なお、ここでは、複数の把持部１２２を用いてウエハＷの周縁部を把持する基板保持部１０２を例に挙げたが、塗布前洗浄部２３は、基板保持部１０２に代えて、ウエハＷの裏面を吸着保持するバキュームチャックを備える構成であってもよい。
カップ部１０３は、基板保持部１０２を取り囲むように配置される。カップ部１０３の底部には、ウエハＷに供給された処理液をチャンバ１０１の外部へ排出するための排液口１３１と、チャンバ１０１内の雰囲気を排気するための排気口１３２とが形成される。
洗浄部１０４は、ブラシ１４１と、鉛直方向に延在し、ブラシ１４１を回転可能に支持するスピンドル１４２とを備える。スピンドル１４２は、図示しない回転機構に接続されており、回転機構は、スピンドル１４２を回転させることによって、ブラシ１４１を鉛直軸まわりに回転させる。
ブラシ１４１は、たとえば、円筒形状を有する樹脂製のブラシ本体と、ブラシ本体の下部に設けられ、ウエハＷに押し当てられる洗浄体とを有する。洗浄体は、たとえば、多数の毛束で構成される。また、洗浄体は、スポンジ等で構成されてもよい。
また、洗浄部１０４は、水平方向に延在し、スピンドル１４２を介してブラシ１４１を上方から支持するアーム１４３と、アーム１４３を旋回および昇降させる旋回昇降機構１４４とを備える。旋回昇降機構１４４により、アーム１４３は、ウエハＷの上方における処理位置とウエハＷの外方における待機位置との間でブラシ１４１を移動させることができる。
また、洗浄部１０４は、バルブ１４６や流量調整器（図示せず）等を介して第１処理液供給源１４８に接続される。洗浄部１０４は、第１処理液供給源１４８から供給される第１処理液を、ブラシ１４１を上下に貫通する中空部からウエハＷへ向けて吐出する。第１処理液は、たとえばＤＨＦ（希フッ酸）である。なお、第１処理液は、ＤＨＦに限定されず、たとえばＳＣ１（アンモニア、過酸化水素および水の混合液）や脱イオン水等の他の処理液であってもよい。
液供給部１０５は、ノズル１５１と、水平方向に延在し、ノズル１５１を上方から支持するノズルアーム１５２と、ノズルアーム１５２を旋回および昇降させる旋回昇降機構１５３とを備える。
ノズル１５１は、バルブ１５６や流量調整器（図示せず）等を介して第２処理液供給源１５８に接続される。かかる液供給部１０５は、第２処理液供給源１５８から供給される第２処理液をウエハＷへ向けて吐出する。第２処理液は、たとえば脱イオン水等のリンス液である。なお、第２処理液は、リンス液に限らず、他の処理液であってもよい。
ここでは、塗布前洗浄部２３がブラシ１４１による物理洗浄を行う場合の構成例を示したが、ウエハＷのおもて面に処理液を噴射するスプレーノズルを備える構成であってもよい。この場合、塗布前洗浄部２３は、スプレーノズルから噴射される処理液の圧力によりウエハＷのおもて面を物理的に洗浄することができる。また、塗布前洗浄部２３は、ウエハＷのおもて面を物理的に洗浄するおもて面洗浄部（ブラシ１４１やスプレーノズル）に加え、ウエハＷの裏面を物理的に洗浄する裏面洗浄部（ブラシやスプレーノズル）を備える構成であってもよい。この場合、ウエハＷのおもて面と同時にウエハＷの裏面を物理的に洗浄することができる。
＜塗布後洗浄部の構成例＞
次に、塗布後洗浄部５４の構成例について図８および図９を参照して説明する。図８は、第１実施形態に係る塗布後洗浄部５４の概略平面図である。図９は、第１実施形態に係る塗布後洗浄部５４の概略側面図である。
図８および図９に示すように、塗布後洗浄部５４は、ウエハＷの裏面を水平に吸着保持する２つの吸着パッド２１０と、この吸着パッド２１０から受け取ったウエハＷの裏面を水平に吸着保持するスピンチャック２１１とを備える。また、塗布後洗浄部５４は、上面が開口した筐体２１３と、ウエハＷの裏面の物理洗浄を行う洗浄部２１８とを備える。
２つの吸着パッド２１０は、細長の略矩形状に形成されており、ウエハＷ裏面の周縁部を保持できるように、平面視においてスピンチャック２１１を挟んで略平行に設けられている。各吸着パッド２１０は、当該吸着パッド２１０より長い略矩形状の支持板２１４によりそれぞれ支持されている。支持板２１４は、駆動機構（図示せず）により水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）および上下方向（図１のＺ軸方向）に移動自在な枠体２１５によりその両端部を支持されている。
枠体２１５の上面には、上部カップ２１６が設けられている。上部カップ２１６の上面には、ウエハＷの直径より大きな径の開口部が形成されており、この開口部を介して搬送部５３と吸着パッド２１０との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
図９に示すように、スピンチャック２１１は、シャフト２２０を介して駆動機構２２１に接続される。スピンチャック２１１は、駆動機構２２１により回転および上下動自在となっている。
スピンチャック２１１の周囲には昇降機構（図示せず）により昇降自在な、たとえば３つの昇降ピン２２２が設けられている。これにより、昇降ピン２２２と搬送部５３との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
筐体２１３の底部には、洗浄液を排出するドレン管２４０と、塗布後洗浄部５４内に下方向の気流を形成し、且つ当該気流を排気する排気管２４１とが設けられている。
次に、洗浄部２１８の構成について説明する。図９に示すように、洗浄部２１８は、洗浄体２１８ａと、支柱部材２１８ｂと、駆動部２１８ｃとを備える。
洗浄体２１８ａは、ウエハＷの裏面に押し当てられる部材である。洗浄体２１８ａは、たとえば、多数の毛束で構成されたブラシである。洗浄体２１８ａの上面すなわちウエハＷとの接触面は、たとえばウエハＷの上面よりも小さい円形状を有する。なお、洗浄体２１８ａは、スポンジであってもよい。
洗浄体２１８ａの裏面には、支柱部材２１８ｂが設けられる。支柱部材２１８ｂは、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って延在し、一端部において洗浄体２１８ａを支持する。
支柱部材２１８ｂの他端部には、駆動部２１８ｃが設けられる。駆動部２１８ｃは、支柱部材２１８ｂを鉛直軸まわりに回転させる。これにより、支柱部材２１８ｂに支持された洗浄体２１８ａを鉛直軸まわりに回転させることができる。
洗浄部２１８は、アーム２８０によって水平に支持される。アーム２８０には、吸着パッド２１０またはスピンチャック２１１に保持されたウエハＷの裏面に対して洗浄用流体を供給する洗浄ノズル２８０ａが、洗浄体２１８ａに隣接して設けられている。洗浄用流体としては、たとえば脱イオン水が用いられる。
アーム２８０は、移動部２８１に接続される。移動部２８１は、水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）に沿って延在するレール２８２に沿ってアーム２８０を水平移動させる。また、移動部２８１は、アーム２８０を鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って昇降させる。
アーム２８０は、たとえば図示しない駆動部によって水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って伸縮する。これにより、アーム２８０は、洗浄部２１８および洗浄ノズル２８０ａをＹ軸方向に沿って移動させることができる。
塗布後洗浄処理を行う場合、塗布後洗浄部５４は、まず、ウエハＷを保持した吸着パッド２１０を支持板２１４および上部カップ２１６とともに水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に移動させる。これにより、スピンチャック２１１がウエハＷの外周部に近い場所に配置され、洗浄部２１８がウエハＷの中央部に近い場所に配置された状態となる。
つづいて、移動部２８１を用いて洗浄部２１８を上昇させることにより、洗浄体２１８ａをウエハＷの裏面に押し当てる。ここでは、洗浄部２１８を上昇させることとしたが、吸着パッド２１０を下降させることによってウエハＷの裏面を洗浄体２１８ａに押し当ててもよい。また、洗浄部２１８を上昇させつつ、吸着パッド２１０を下降させてもよい。
その後、洗浄ノズル２８０ａからウエハＷの裏面への脱イオン水の供給を開始する。また、洗浄体２１８ａの回転を開始する。
洗浄部２１８によるウエハＷの裏面の物理洗浄は、吸着パッド２１０によるウエハＷの移動と移動部２８１による洗浄部２１８の移動との組み合わせにより進行する。たとえば、洗浄体２１８ａに対して２つの吸着パッド２１０間をＸ軸方向に沿って往復移動させ、洗浄体２１８ａの移動方向が切り替わる際に洗浄体２１８ａの直径以下の距離だけ吸着パッド２１０をＹ軸負方向に移動させる。これにより、スピンチャック２１１によって吸着保持される領域を含むウエハＷの中央領域が洗浄体２１８ａによって洗浄される。その後、洗浄体２１８ａの回転を停止し、洗浄ノズル２８０ａからの純水の供給を停止する。
つづいて、吸着パッド２１０を移動させてウエハＷの中央部をスピンチャック２１１の上方に位置させた後、吸着パッド２１０によるウエハＷの吸着を解除する。そして、スピンチャック２１１を上昇させることにより、吸着パッド２１０からスピンチャック２１１へウエハＷを受け渡す。
つづいて、駆動機構２２１を用いてスピンチャック２１１を回転させることによってウエハＷを回転させる。つづいて、洗浄ノズル２８０ａからウエハＷの裏面への脱イオン水の供給を開始するとともに、洗浄体２１８ａの回転を開始する。そして、洗浄体２１８ａをウエハＷの外周部に向けて水平移動させる。
つづいて、洗浄体２１８ａがウエハＷの外周部に到達すると、洗浄体２１８ａの回転を停止し、洗浄ノズル２８０ａからの脱イオン水の供給を停止する。そして、洗浄体２１８ａをウエハＷから退避させる。その後、スピンチャック２１１を高速で回転させてウエハＷに付着している脱イオン水を振り切ることによってウエハＷを乾燥させる。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る塗布、現像装置の構成について図１０および図１１を参照して説明する。図１０は、第２実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。図１１は、第２実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。
図１０に示すように、第２実施形態に係る塗布、現像装置１Ａは、洗浄ステーションＳ２Ａを備える。洗浄ステーションＳ２Ａは、棚ユニット２１Ａと、搬送部２２と、複数の塗布前洗浄部２３と、搬送部２５とを備える。
棚ユニット２１Ａは、搬送部１３、搬送部２２および搬送部２５がアクセス可能な位置に配置される。図１１に示すように、棚ユニット２１Ａには、複数のＴＲＳ１が高さ方向に並べて配置される。たとえば、棚ユニット２１Ａには、高さ方向に並べられた４つの塗布前洗浄部２３に対応する４つの第１受渡部ＴＲＳ１が配置される。
複数の塗布前洗浄部２３は、搬送部２２のＸ軸正方向側およびＸ軸負方向側にそれぞれ４つずつ、高さ方向に並べて配置される。
搬送部２５は、たとえば棚ユニット２１ＡのＸ軸負方向側に配置される。搬送部２５は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部２５は、水平方向および鉛直方向への移動が可能であり、たとえば、ある第１受渡部ＴＲＳ１に載置されたウエハＷを別の第１受渡部ＴＲＳ１に移し換える。
第２実施形態に係る塗布、現像装置１Ａでは、たとえば、搬送部１３によってある第１受渡部ＴＲＳ１に載置されたウエハＷを搬送部２５が取り出して、そのウエハＷを処理する塗布前洗浄部２３に対応する第１受渡部ＴＲＳ１に移し換える。そして、搬送部２２が第１受渡部ＴＲＳ１からウエハＷを取り出して対応する塗布前洗浄部２３に搬入する。
このように、洗浄ステーションＳ２Ａには、複数の第１受渡部ＴＲＳ１間でのウエハＷの移し換えを行う搬送部２５と、第１受渡部ＴＲＳ１および塗布前洗浄部２３間でのウエハＷの搬送を行う搬送部２２とが設けられてもよい。これにより、スループットを向上させることができる。
（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る塗布、現像装置の構成について図１２および図１３を参照して説明する。図１２は、第３実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。図１３は、第３実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。
図１２および図１３に示すように、第３実施形態に係る塗布、現像装置１Ｂは、洗浄ステーションＳ２，Ｓ２Ａを備えておらず、搬入出ステーションＳ１に受渡ステーションＳ３が接続された構成を有する。
第３実施形態に係る塗布、現像装置１Ｂは、処理ステーションＳ４Ｂを備える。図１３に示すように、処理ステーションＳ４Ｂは、複数（ここでは、５つ）の処理ブロックＢ１～Ｂ５を備えており、そのうち処理ブロックＢ１，Ｂ２のフロント側処理ブロックＢ１Ｆ，Ｂ２Ｆに、複数の塗布前洗浄部２３を備える。具体的には、フロント側処理ブロックＢ１Ｆには、２つの塗布前洗浄部２３がＹ軸方向に沿って並べて配置される。同様に、フロント側処理ブロックＢ２Ｆにも、２つの塗布前洗浄部２３がＹ軸方向に沿って並べて配置される。
塗布処理部ＣＯＴおよび現像処理部ＤＥＶは、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ，Ｂ２Ｆよりも上方に配置されるフロント側処理ブロックＢ３Ｆ～Ｂ５Ｆに配置される。たとえば、図１３に示す例では、フロント側処理ブロックＢ３Ｆ，Ｂ４Ｆに複数の塗布処理部ＣＯＴが配置され、フロント側処理ブロックＢ５Ｆに複数の現像処理部ＤＥＶが配置される。
このように、塗布前洗浄部２３は、処理ステーションＳ４Ｂに配置されてもよい。この場合、下から順に、塗布前洗浄部２３、塗布処理部ＣＯＴおよび現像処理部ＤＥＶの順番で積層して、処理ブロックＢ１～Ｂ５の下から上に向かうウエハＷの流れを形成することで、スループットの向上を図ることができる。
（その他の実施形態）
上述した実施形態では、塗布前洗浄部２３が洗浄ステーションＳ２，Ｓ２Ａまたは処理ステーションＳ４Ｂに設けられる場合の例について説明した。これに限らず、塗布前洗浄部２３は、たとえば、受渡ステーションＳ３に設けられてもよいし、インタフェースステーションＳ５に設けられてもよい。塗布前洗浄部２３をインタフェースステーションＳ５に設ける場合、複数の塗布前洗浄部２３と複数の塗布後洗浄部５４とを高さ方向に並べて配置してもよい。また、塗布前洗浄部２３の機能すなわちウエハＷのおもて面を物理的に洗浄する機能（たとえば、図６に示す洗浄部１０４）を塗布後洗浄部５４に付加した洗浄部をインタフェースステーションＳ５に設けてもよい。
上述してきたように、実施形態に係る塗布、現像装置（一例として、塗布、現像装置１）は、搬入出ステーション（一例として、搬入出ステーションＳ１）と、処理ステーション（一例として、処理ステーションＳ４）と、塗布前洗浄部（一例として、塗布前洗浄部２３）と、塗布後洗浄部（一例として、塗布後洗浄部５４）とを備える。搬入出ステーションは、複数の基板（一例として、ウエハＷ）を収納したカセット（一例として、カセットＣ）が載置されるカセット載置部（一例として、カセット載置台１１）を含む。処理ステーションは、基板のおもて面にレジストを塗布する塗布処理を行う塗布処理部（一例として、塗布処理部ＣＯＴ）と、露光装置（一例として、露光装置ＥＸＰ）にて露光された後の基板のおもて面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理部（一例として、現像処理部ＤＥＶ）と、基板を加熱する加熱部（一例として、第１加熱部ＢＫ１、第２加熱部ＢＫ２）と、を含む。塗布前洗浄部は、搬入出ステーションと露光装置との間に設けられ、塗布処理前の基板のおもて面を物理的に洗浄する。塗布後洗浄部は、処理ステーションと露光装置との間に設けられ、塗布処理後の基板の裏面を物理的に洗浄する。
搬入出ステーションと露光装置との間に塗布前洗浄部を設け、かつ、処理ステーションと露光装置との間に塗布後洗浄部を設けることで、洗浄処理を含む一連の塗布、現像処理を効率よく行うことができる。
実施形態に係る塗布、現像装置は、搬入出ステーションと処理ステーションとの間に設けられた受渡ステーション（一例として、受渡ステーションＳ３）をさらに備えていてもよい。処理ステーションは、積層された複数の処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ１～Ｂ６）を備え、受渡ステーションは、基板の受渡場所（一例として、複数の第２受渡部ＴＲＳ２）が複数の処理ブロックに対応して多段に設けられた棚ユニット（一例として、棚ユニット３１）と、一の受渡場所から他の受渡場所へ基板を移し換える移換部（一例として、搬送部３２）とを含む。この場合、塗布前洗浄部は、搬入出ステーションと受渡ステーションとの間に設けられてもよい。
搬入出ステーションと受渡ステーションとの間に塗布前洗浄部を設けることで、たとえば搬入出ステーションの前段に塗布前処理部を設けた場合と比較して、塗布処理のより直前で基板のおもて面を洗浄することができる。このため、塗布前洗浄処理を行ってから塗布処理が行われるまでの間に基板のおもて面に異物が付着したり傷が付いたりすることを抑制することができる。また、処理ブロックに入る前に基板のおもて面を洗浄しておくことで、処理ブロックの清浄度を維持することができる。
実施形態に係る塗布、現像装置は、搬入出ステーションと受渡ステーションとの間に設けられ、塗布前洗浄部を含む洗浄ステーション（一例として、洗浄ステーションＳ２，Ｓ２Ａ）をさらに備えていてもよい。この場合、洗浄ステーションは、搬入出ステーションから搬送された基板が載置される基板載置部（一例として、第１受渡部ＴＲＳ１）と、基板載置部、塗布前洗浄部および受渡場所間で基板を搬送する搬送部（一例として、搬送部２２）とをさらに含んでいてもよい。洗浄ステーションに搬送部を設けることで、受渡ステーションに設けられた移換部の処理負荷の増大を抑制することができる。
処理ステーション（一例として、処理ステーションＳ４Ｂ）は、積層された複数の処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ１～Ｂ５）を備えていてもよい。この場合、塗布前洗浄部は、処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ１，Ｂ２）に設けられてもよい。これにより、塗布前洗浄を行ってから塗布処理が行われるまでの間に基板が汚れたり基板に傷が付いたりすることを抑制することができる。
複数の処理ブロックは、塗布前洗浄部が設けられる第１処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ１，Ｂ２）と、塗布処理部が設けられる第２処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ３，Ｂ４）と、現像処理部が設けられる第３処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ５）とを含んでいてもよい。この場合、第１処理ブロック、第２処理ブロックおよび第３処理ブロックは、下から順に第１処理ブロック、第２処理ブロックおよび第３処理ブロックの順番で配置されてもよい。処理ブロックの下から上に向かう基板の流れを形成することで、スループットの向上を図ることができる。
実施形態に係る塗布、現像装置は、処理ステーションと露光装置とを接続するインタフェースステーション（一例として、インタフェースステーションＳ５）をさらに備えていてもよい。この場合、塗布後洗浄部は、インタフェースステーションに設けられてもよい。これにより、露光装置に搬入されるより直前で基板の裏面を洗浄することができる。このため、塗布後洗浄処理を行ってから塗布処理が行われるまでの間に基板の裏面に異物等が付着することを抑制することができる。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｃ カセット
Ｗ ウエハ
Ｓ１ 搬入出ステーション
Ｓ２ 洗浄ステーション
Ｓ３ 受渡ステーション
Ｓ４ 処理ステーション
Ｓ５ インタフェースステーション
ＣＯＴ 塗布処理部
ＤＥＶ 現像処理部
ＢＫ１ 第１加熱部
ＢＫ２ 第２加熱部
ＥＸＰ 露光装置
ＢＭ 搬送ブロック
１ 塗布、現像装置
２３ 塗布前洗浄部
２４ 検査部

Claims (7)

  1. 複数の基板を収納したカセットが載置されるカセット載置部を含む搬入出ステーションと、
    前記基板のおもて面にレジストを塗布する塗布処理を行う塗布処理部と、露光装置にて露光された後の前記基板のおもて面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理部と、前記基板を加熱する加熱部と、を含む処理ステーションと、
    前記搬入出ステーションと前記処理ステーションとの間に設けられた受渡ステーションと、
    前記搬入出ステーションと前記受渡ステーションとの間に設けられた洗浄ステーションと、
    前記洗浄ステーションに設けられ、前記塗布処理前の前記基板のおもて面を物理的に洗浄する複数の塗布前洗浄部と、
    を備え、
    前記処理ステーションは、
    積層された複数の処理ブロック
    を備え、
    前記受渡ステーションは、
    前記基板の受渡場所が前記複数の処理ブロックに対応して多段に設けられた棚ユニットと、
    一の前記受渡場所から他の前記受渡場所へ前記基板を移し換える移換部と
    を含み、
    前記洗浄ステーションは、
    前記搬入出ステーションから搬送された前記基板が載置される基板載置部と、
    前記基板載置部、前記塗布前洗浄部および前記受渡場所間で前記基板を搬送する搬送部と
    を含み、
    前記複数の塗布前洗浄部は、前記洗浄ステーションにおいて、高さ方向に並べて配置される、塗布、現像装置。
  2. 複数の基板を収納したカセットが載置されるカセット載置部を含む搬入出ステーションと、
    前記基板のおもて面にレジストを塗布する塗布処理を行う塗布処理部と、露光装置にて露光された後の前記基板のおもて面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理部と、前記基板を加熱する加熱部と、を含む処理ステーションと、
    前記搬入出ステーションと前記露光装置との間に設けられ、前記塗布処理前の前記基板のおもて面を物理的に洗浄する塗布前洗浄部と、
    を備え、
    前記処理ステーションは、
    積層された複数の処理ブロック
    を備え、
    前記複数の処理ブロックは、
    前記塗布前洗浄部が設けられる第１処理ブロックと、
    前記塗布処理部が設けられる第２処理ブロックと、
    前記現像処理部が設けられる第３処理ブロックと
    を含み、
    前記第１処理ブロック、前記第２処理ブロックおよび前記第３処理ブロックは、下から順に前記第１処理ブロック、前記第２処理ブロックおよび前記第３処理ブロックの順番で配置される、塗布、現像装置。
  3. 前記洗浄ステーションは、
    前記基板の状態を検査する検査部を含む、請求項１に記載の塗布、現像装置。
  4. 前記洗浄ステーションは、
    高さ方向に並べて配置された複数の前記基板載置部と、
    前記搬送部とは別の搬送部であって、複数の前記基板載置部のうち一の前記基板載置部に載置された前記基板を他の前記基板載置部に移し替える他の搬送部と
    を備える、請求項１または３に記載の塗布、現像装置。
  5. 前記処理ステーションと前記露光装置との間に設けられ、前記塗布処理後の前記基板の裏面を物理的に洗浄する塗布後洗浄部
    を備える、請求項１～４のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
  6. 前記処理ステーションと前記露光装置とを接続するインタフェースステーション
    をさらに備え、
    前記塗布後洗浄部は、
    前記インタフェースステーションに設けられる、請求項５に記載の塗布、現像装置。
  7. 前記基板は、半導体ウエハである、請求項１～６のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
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