WO2021033542A1 - 塗布、現像装置 - Google Patents

塗布、現像装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2021033542A1
WO2021033542A1 PCT/JP2020/029953 JP2020029953W WO2021033542A1 WO 2021033542 A1 WO2021033542 A1 WO 2021033542A1 JP 2020029953 W JP2020029953 W JP 2020029953W WO 2021033542 A1 WO2021033542 A1 WO 2021033542A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
unit
coating
processing
station
cleaning
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/029953
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
靖史 滝口
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to CN202080056483.0A priority Critical patent/CN114222948A/zh
Priority to KR1020227008467A priority patent/KR20220047346A/ko
Priority to JP2021540713A priority patent/JP7262594B2/ja
Publication of WO2021033542A1 publication Critical patent/WO2021033542A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/305—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the brushing or rubbing means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3057—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the processing units other than the developing unit, e.g. washing units
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Definitions

  • This disclosure relates to coating and developing equipment.
  • the present disclosure provides a technique capable of efficiently performing a series of coating and developing treatments including cleaning treatments.
  • the coating / developing apparatus includes a loading / unloading station, a processing station, a pre-coating cleaning unit, and a post-application cleaning unit.
  • the loading / unloading station includes a cassette mounting section on which cassettes containing a plurality of boards are mounted.
  • the processing station performs a developing process by supplying a developing solution to a coating processing unit that applies a resist to the front surface of the substrate and a developing solution to the front surface of the substrate after being exposed by an exposure apparatus. Includes a developing unit and a heating unit that heats the substrate.
  • the pre-coating cleaning unit is provided between the loading / unloading station and the exposure device, and physically cleans the front surface of the substrate before the coating process.
  • the post-coating cleaning unit is provided between the processing station and the exposure apparatus, and physically cleans the back surface of the substrate after the coating treatment.
  • a series of coating and developing processes including a cleaning process can be efficiently performed.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a coating and developing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic side view of the coating and developing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic side view of the processing station according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic side view of the transport block according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram showing a wafer transfer flow according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of the pre-coating cleaning portion according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic side view of the pre-coating cleaning portion according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of the post-coating cleaning portion according to the first embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a coating and developing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic side view of the coating and developing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic side view of the processing station according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic side view of the post-coating cleaning portion according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of the coating and developing apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic side view of the coating and developing apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a schematic plan view of the coating and developing apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic side view of the coating and developing apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a coating and developing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic side view of the coating and developing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic side view of the processing station according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic side view of the transport block according to the first embodiment.
  • the coating / developing device 1 includes a loading / unloading station S1, a cleaning station S2, a delivery station S3, a processing station S4, and an interface station S5. These are connected in the order of the loading / unloading station S1, the cleaning station S2, the delivery station S3, the processing station S4, and the interface station S5 along the horizontal direction (here, the Y-axis direction). Further, the coating / developing device 1 includes a control device 6.
  • ⁇ Import / export station S1> In the loading / unloading station S1, a plurality of cassette mounting stands 11 on which the cassette C can be placed, a plurality of opening / closing portions 12 provided on the wall surface in front of the cassette mounting stand 11, and the cassette C via the opening / closing section 12. A transport unit 13 for taking out the wafer W from the wafer W is provided.
  • Cassette C is a container capable of accommodating a plurality of semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafer W).
  • the transport unit 13 transports the wafer W between the first delivery unit TRS1 and the cassette C.
  • the transport unit 13 includes a holding unit that holds the wafer W. Further, the transport unit 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction, and can rotate around the vertical axis.
  • the cleaning station S2 is provided between the loading / unloading station S1 and the delivery station S3.
  • the cleaning station S2 includes a first delivery unit TRS1 in which the wafer W is delivered, a transport unit 22 for transporting the wafer W, a pre-coating cleaning unit 23 for cleaning the wafer W, and an inspection unit 24 for inspecting the wafer W. And are provided.
  • the first delivery unit TRS1 is arranged at a position where the transfer unit 13 and the transfer unit 22 can access.
  • the first delivery unit TRS1 includes, for example, a rectangular housing, and can accommodate the wafer W inside the housing.
  • the first delivery unit TRS1 is accessible by the transfer unit 13 and the transfer unit 22.
  • the first delivery unit TRS1 may be provided with a temperature control mechanism for adjusting the temperature of the wafer W to a predetermined temperature.
  • the transport unit 22 includes a holding unit that holds the wafer W. Further, the transport unit 22 can move in the horizontal direction and the vertical direction, and can rotate around the vertical axis. The transport unit 22 is in charge of transporting the wafer W between the first delivery unit TRS1, the pre-coating cleaning unit 23, the inspection unit 24, and the shelf unit 31 described later.
  • the pre-coating cleaning unit 23 physically cleans the front surface of the wafer W before the resist or the like is applied by the coating processing unit described later.
  • the pre-coating cleaning unit 23 is a so-called scrubber device, and while holding and rotating the wafer W, the brush is brought into contact with the front surface of the rotating wafer W.
  • the pre-coating cleaning unit 23 removes, for example, foreign matter adhering to the front surface of the wafer W and scratches on the front surface of the wafer W.
  • "physically cleaning” means removing dust, scratches, etc. attached to a wafer W by using physical force such as jet pressure and brush friction force.
  • a plurality of pre-coating cleaning portions 23 are arranged side by side in the height direction.
  • an example in which four pre-coating cleaning units 23 are laminated is shown, and the transport unit 22 is accessible to these four pre-coating cleaning units 23.
  • the number of pre-coating cleaning portions 23 provided in the cleaning station S2 is not limited to four, and may be one, for example.
  • the inspection unit 24 inspects the state of the wafer W.
  • the inspection unit 24 may measure the development line width or the like as the front surface state of the wafer W after the development process. Further, the inspection unit 24 may measure the film thickness of the resist or the like as the front surface state of the wafer W after the coating process.
  • the coating / developing device 1 does not necessarily have to include the inspection unit 24.
  • the delivery station S3 is provided between the loading / unloading station S1 and the delivery station S3.
  • the delivery station S3 is provided with a shelf unit 31, a plurality of (here, two) transport units 32, and a shelf unit 33.
  • the shelf unit 31 is arranged at a position accessible to the transport unit 22, the transport unit 32, and the transport units 41 to 46 described later.
  • the two transport units 32 are arranged at positions facing each other with the shelf unit 31 interposed therebetween.
  • the shelf unit 33 is arranged on the side opposite to the shelf unit 31 when viewed from the transport unit 32, and only one transport unit 32 can access it.
  • a plurality of processing units are arranged side by side in the height direction on the shelf unit 31.
  • a plurality of second delivery units TRS2 which are delivery locations of the wafer W, are arranged on the shelf unit 31.
  • the plurality of second delivery units TRS2 are arranged at high positions corresponding to the six processing blocks B1 to B6 included in the processing station S4.
  • the second delivery unit TRS2 is provided with, for example, a rectangular housing, and the wafer W can be accommodated inside the housing.
  • the second delivery unit TRS2 is accessible by the transfer unit 22 and the transfer unit 32. Further, the second delivery unit TRS2 can also be accessed by the transport units 41 to 46 arranged in the corresponding processing blocks B1 to B6 among the transport units 41 to 46 described later.
  • the second delivery unit TRS2 may include a temperature control mechanism that adjusts the temperature of the wafer W to a predetermined temperature.
  • the transport unit 32 includes a holding unit that holds the wafer W. Further, the transport unit 32 can move in the horizontal direction and the vertical direction, and can rotate around the vertical axis, and is located between the plurality of second delivery units TRS2 arranged in the shelf unit 31 or between the shelf unit 31 and the shelf unit. The wafer W is conveyed between 33.
  • a plurality of processing units are arranged side by side in the height direction on the shelf unit 33.
  • a plurality of adherence processing units AD are arranged on the shelf unit 33.
  • the adhesion processing unit AD performs an adhesion treatment in which the wafer W is heat-treated in a vapor atmosphere such as hexamethyldisilazane (HMDS) so that the adhesion between the wafer W and the resist film is improved.
  • HMDS hexamethyldisilazane
  • Processing station S4 Processing blocks B1 to B6> As shown in FIGS. 1 to 4, the processing station S4 includes six stacked processing blocks B1 to B6 and a transport block BM.
  • the transport block BM extends along the alignment direction (here, the Y-axis direction) of the carry-in / out station S1 to the interface station S5.
  • Each processing block B1 to B6 includes front side processing blocks B1F to B6F and back side processing blocks B1B to B6B.
  • the front side processing blocks B1F to B6F, the back side processing blocks B1B to B6B, and the transport block BM are along a direction orthogonal to the arrangement direction of the carry-in / out station S1 to the interface station S5 (here, the X-axis direction). Arranged side by side. Further, the front side processing blocks B1F to B6F and the back side processing blocks B1B to B6B are arranged at positions facing each other with the transport block BM in between.
  • the front side processing blocks B1F to B6F are arranged on the X-axis positive direction side of the transport block BM, and the back side processing blocks B1B to B6B are arranged on the X-axis negative direction side of the transport block BM.
  • the front side processing blocks B1F to B6F are laminated in this order from the bottom.
  • a plurality of (here, four) coating processing unit COTs are arranged side by side in the Y-axis direction in each of the front side processing blocks B1F to B3F.
  • the coating processing unit COT performs a coating process of applying a film-forming material such as a resist to the front surface of the wafer W.
  • the coating processing section COT includes, for example, a holding section for holding and rotating the wafer W, a cup surrounding the holding section, and the like, from a chemical solution nozzle (not shown) to the front surface of the wafer W.
  • a film is formed on the front surface of the wafer W.
  • the four coating treatment unit COTs arranged on the front side treatment block B1F which is the lowermost stage, have BARC (Bottom Anti-Reflective Coating) as a film forming material on the front surface of the wafer W. Is applied. Further, the four coating processing unit COTs arranged on the front side processing block B2F apply a resist as a film forming material to the front surface of the wafer W coated with BARC. Further, the four coating processing unit COTs arranged on the front side processing block B3F apply the top coating liquid as a film forming material to the front surface of the wafer W coated with the resist.
  • BARC Bottom Anti-Reflective Coating
  • a plurality of (here, four) development processing units DEVs are arranged side by side in the Y-axis direction in the front side processing blocks B4F to B6F.
  • the developing processing unit DEV supplies a developing solution to the front surface of the wafer W after being exposed by the exposure apparatus EXP to perform the developing process.
  • the developing processing unit DEV includes a holding unit that holds and rotates the wafer W, a cup that surrounds the holding unit, and the like, and develops a developing solution from a chemical solution nozzle (not shown) to the front surface of the wafer W. Supply.
  • the developing processing unit DEV flushes the developing liquid remaining on the front surface of the wafer W with a cleaning liquid from a cleaning liquid supply mechanism (not shown), and then rotates the wafer W at high speed using the holding unit to rotate the wafer W at high speed. To dry.
  • the back side processing blocks B1B to B6B are stacked in this order from the bottom.
  • the back side processing blocks B1B to B6B are arranged at the same height positions as the front side processing blocks B1F to B6F, respectively.
  • first heating units BK1 are arranged in the back side processing blocks B1B to B3B.
  • first heating units BK1 are arranged in the horizontal direction (Y-axis direction) and stacked in two stages in the height direction (Z-axis direction).
  • the first heating unit BK1 heats the wafer W before the exposure treatment to a preset temperature.
  • a plurality of (12 in this case) second heating units BK2 are arranged in the back side processing blocks B4B to B6B.
  • the twelve second heating portions BK2 are, for example, six arranged in the horizontal direction (Y-axis direction) and stacked in two stages in the height direction (Z-axis direction).
  • the second heating unit BK2 heats the wafer W after the exposure treatment to a preset temperature.
  • first heating unit BK1 and the second heating unit BK2 are not limited to the example shown in FIG. Further, the back side processing blocks B1B to B6B may be provided with processing units other than the first heating unit BK1 and the second heating unit BK2, such as a buffer unit on which the wafer W is temporarily placed. ..
  • the transport units 41 to 46 include a holding unit for holding the wafer W. Further, the transport units 41 to 46 are capable of moving in the horizontal direction and the vertical direction and turning around the vertical axis, and are in charge of transporting the wafer W in the corresponding processing blocks B1 to B6. That is, the transport unit 41 is in charge of transporting the wafer W to the coating treatment unit COT arranged in the processing block B1 and the first heating unit BK1, and the transport unit 42 is in charge of transporting the wafer W to the coating processing unit COT arranged in the processing block B1. Responsible for transporting the wafer W to the first heating unit BK1.
  • the transport unit 43 is in charge of transporting the wafer W to the coating treatment section COT and the first heating section BK1 arranged in the processing block B3, and the transport section 44 is in charge of transporting the wafer W to the coating processing section COT and the first heating section BK1.
  • the transport unit 45 is in charge of transporting the wafer W to the development processing unit DEV and the second heating unit BK2 arranged in the processing block B5, and the transport unit 46 is in charge of the development processing unit DEV and the development processing unit DEV arranged in the processing block B6.
  • the second heating unit BK2 responsible for transporting the wafer W to the second heating unit BK2.
  • the interface station S5 connects the delivery station S3 and the exposure device EXP.
  • the interface station S5 is provided with a shelf unit 51, a transport unit 52, a plurality of (here, two) transport units 53, a post-coating cleaning unit 54, and a post-exposure cleaning unit 55.
  • the shelf unit 51 is arranged at a position where the transport units 41 to 46, the transport unit 52, and the transport unit 53 can access.
  • the transport unit 52 is arranged between the shelf unit 51 and the exposure device EXP.
  • the two transport units 53 are arranged at positions facing each other with the shelf unit 51 interposed therebetween.
  • the post-coating cleaning unit 54 is arranged on the opposite side of the shelf unit 51 when viewed from one transport unit 53, and the post-exposure cleaning unit 55 is arranged on the opposite side of the shelf unit 51 when viewed from the other transport unit 53. ..
  • a plurality of processing units are arranged side by side in the height direction.
  • a plurality of third delivery units TRS3, which are delivery locations of the wafer W, are arranged on the shelf unit 51.
  • the plurality of third delivery units TRS3 are arranged at high positions corresponding to the six processing blocks B1 to B6 included in the processing station S4.
  • the third delivery unit TRS3 is provided with, for example, a rectangular housing, and the wafer W can be accommodated inside the housing.
  • the third delivery unit TRS3 is accessible by the transfer unit 22 and the transfer unit 32. Further, the third delivery unit TRS3 can also be accessed by the transfer units 41 to 46 arranged in the corresponding processing blocks B1 to B6 among the transfer units 41 to 46.
  • the third delivery unit TRS3 may include a temperature control mechanism that adjusts the temperature of the wafer W to a predetermined temperature.
  • the transport unit 52 includes a holding unit that holds the wafer W. Further, the transport unit 52 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transports the wafer W between the third delivery unit TRS3 and the exposure apparatus EXP.
  • the two transport units 53 transport the wafer W between the plurality of third delivery units TRS3 arranged in the shelf unit 51. Further, the transport unit 53 arranged between the shelf unit 51 and the post-coating cleaning unit 54 also transports the wafer W between the third delivery unit TRS3 and the post-coating cleaning unit 54. Further, the transport unit 53 arranged between the shelf unit 51 and the post-exposure cleaning unit 55 also transports the wafer W between the third delivery unit TRS3 and the post-exposure cleaning unit 55.
  • the transport unit 53 includes a holding unit that holds the wafer W. Further, the transport unit 53 can move in the horizontal direction and the vertical direction, and can rotate around the vertical axis.
  • the post-coating cleaning unit 54 physically cleans the back surface of the wafer W after the film-forming material such as resist has been applied by the coating processing unit COT.
  • the post-coating cleaning unit 54 brings a rotating brush into contact with the back surface of the wafer W.
  • the focus spot that causes defocus in the exposure process can be removed.
  • a specific configuration example of the post-coating cleaning unit 54 will be described later.
  • the post-exposure cleaning unit 55 cleans the wafer W after the exposure treatment with a cleaning liquid (for example, deionized water).
  • a cleaning liquid for example, deionized water
  • the control device 6 includes a control unit 61 and a storage unit 62.
  • the control unit 61 is, for example, a computer and has a computer-readable storage medium.
  • the storage medium stores programs that control various processes executed in the coating and developing apparatus 1.
  • the control unit 61 controls the operation of the coating / developing device 1 by reading and executing the program stored in the storage medium.
  • the program may be stored in a storage medium readable by a computer, and may be installed in the storage medium of the control unit 61 from another storage medium.
  • Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.
  • HD hard disk
  • FD flexible disk
  • CD compact disk
  • MO magnet optical disk
  • FIG. 5 is a diagram showing a wafer transfer flow according to the first embodiment.
  • the transport unit 13 takes out the wafer W from the cassette C mounted on the cassette mounting table 11, and the first delivery unit TRS1 (FIG. 5). 1).
  • the transport unit 22 takes out the wafer W from the first delivery unit TRS1 and conveys it to the pre-coating cleaning unit 23, and the pre-coating cleaning unit 23 physically cleans the front surface of the wafer W with a brush. (Cleaning treatment before application).
  • the transport unit 22 takes out the wafer W after the pre-coating cleaning process from the pre-coating cleaning unit 23 and places it on the second delivery unit TRS2 of the shelf unit 31. Subsequently, the transport unit 22 takes out the wafer W from the second delivery unit TRS2 and conveys it to the adhesion processing unit AD of the shelf unit 33, and the adhesion processing unit AD performs adhesion processing on the wafer W.
  • the transport unit 32 takes out the wafer W from the adhesion processing unit AD and places it on the second delivery unit TRS2 corresponding to the processing block B1.
  • the transport unit 41 of the processing block B1 takes out the wafer W from the second delivery unit TRS2 and conveys it to the coating processing unit COT, and the coating processing unit COT applies BARC to the front surface of the wafer W.
  • the transport unit 41 takes out the wafer W from the coating processing unit COT and conveys it to the first heating unit BK1, and the first heating unit BK1 heats the wafer W after BARC coating at a preset temperature.
  • the first heating unit BK1 heats the wafer W after BARC coating at 200 ° C.
  • the transport unit 41 takes out the wafer W from the first heating unit BK1 and places it on the second delivery unit TRS2 corresponding to the processing block B1. Then, the transport unit 32 transfers the wafer W from the second delivery unit TRS2 corresponding to the processing block B1 to the second delivery unit TRS2 corresponding to the processing block B2.
  • the transport unit 42 of the processing block B2 takes out the wafer W from the second delivery unit TRS2 and conveys it to the coating processing unit COT, and the coating processing unit COT applies the resist to the front surface of the wafer W.
  • the transport unit 41 takes out the wafer W from the coating processing unit COT and conveys it to the first heating unit BK1, and the first heating unit BK1 heats the wafer W after resist coating at a preset temperature.
  • the first heating unit BK1 heats the wafer W after resist coating at 110 ° C.
  • the transport unit 42 takes out the wafer W from the first heating unit BK1 and places it on the second delivery unit TRS2 corresponding to the processing block B2. Then, the transfer unit 32 transfers the wafer W from the second delivery unit TRS2 corresponding to the processing block B2 to the second delivery unit TRS2 corresponding to the processing block B3.
  • the transport unit 43 of the processing block B3 takes out the wafer W from the second delivery unit TRS2 and conveys it to the coating processing unit COT, and the coating processing unit COT applies the top coat liquid to the front surface of the wafer W.
  • the transport unit 41 takes out the wafer W from the coating processing unit COT and conveys it to the first heating unit BK1, and the first heating unit BK1 heats the wafer W after coating the topcoat liquid at a preset temperature.
  • the first heating unit BK1 heats the wafer W after applying the topcoat liquid at 100 ° C.
  • the transport section 43 takes out the wafer W from the first heating section BK1 and places it on the third delivery section TRS3 of the shelf unit 51, and the transport section 53 takes out the wafer W from the third delivery section TRS3 and cleans it after coating. Transport to section 54. Then, the post-coating cleaning unit 54 physically cleans the back surface of the wafer W after the coating treatment using a brush (post-coating cleaning treatment).
  • the transport unit 53 takes out the wafer W from the cleaning unit 54 after coating and places it on the third delivery unit TRS3, and then the transfer unit 52 takes out the wafer W from the third delivery unit TRS3 and conveys it to the exposure apparatus EXP. .. After that, the wafer W is exposed by the exposure apparatus EXP.
  • the transport unit 52 takes out the wafer W after the exposure process from the exposure apparatus EXP and places it on the third delivery unit TRS3 of the shelf unit 51, and then the transport unit 53 takes out the wafer W from the third delivery unit TRS3. After the exposure, it is conveyed to the cleaning unit 55. Then, the post-exposure cleaning unit 55 cleans the front surface of the wafer W after the exposure treatment with deionized water or the like.
  • the transport unit 53 takes out the wafer W from the cleaning unit 55 after exposure and places it on the third delivery unit TRS3 of the shelf unit 51. Specifically, the transport unit 53 places the wafer W on the third delivery unit TRS3 corresponding to any of the processing blocks B4 to B6. Here, it is assumed that the wafer W is placed on the processing block B4.
  • the transport unit 44 of the processing block B4 takes out the wafer W from the third delivery unit TRS3 and conveys it to the second heating unit BK2, and the second heating unit BK2 heats the wafer W after the exposure process at a preset temperature.
  • Heat For example, the second heating unit BK2 heats the wafer W after the exposure treatment at 80 ° C.
  • the transport unit 44 takes out the wafer W from the second heating unit BK2 and conveys it to the development processing unit DEV, and the development processing unit DEV develops the wafer W after the exposure processing. Subsequently, the transport unit 44 takes out the wafer W from the development processing unit DEV and conveys it to the second heating unit BK2, and the second heating unit BK2 heats the wafer W after the development processing at a preset temperature. For example, the second heating unit BK2 heats the wafer W after the development process at 110 ° C.
  • the transport section 44 takes out the wafer W from the second heating section BK2 and transports the wafer W to the second delivery section TRS2 corresponding to the processing block B4. Then, the transfer unit 32 transfers the wafer W from the second delivery unit TRS2 corresponding to the processing block B4 to the second delivery unit TRS2 accessible to the transfer unit 22. After that, the transport unit 22 takes out the wafer W from the second delivery section TRS2 and places it on the first delivery section TRS1, and the transport section 13 takes out the wafer W from the first delivery section TRS1 and stores it in the cassette C. As a result, a series of substrate processing by the coating and developing apparatus 1 is completed.
  • the transfer flow of the wafer W shown in FIG. 5 is an example.
  • the coating / developing apparatus 1 may perform the post-coating cleaning treatment by the post-coating cleaning unit 54 after performing the resist coating treatment and the subsequent heat treatment without coating the BARC and the topcoat liquid. Good. Further, the coating / developing apparatus 1 may perform a coating treatment of a film-forming material other than the resist, BARC and the topcoat liquid.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of the pre-coating cleaning unit 23 according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic side view of the pre-coating cleaning unit 23 according to the first embodiment. In FIG. 7, the liquid supply unit 105 is omitted.
  • the pre-coating cleaning unit 23 includes a chamber 101, a substrate holding unit 102, a cup unit 103, a cleaning unit 104, and a liquid supply unit 105.
  • the chamber 101 accommodates the substrate holding unit 102, the cup unit 103, the cleaning unit 104, and the liquid supply unit 105.
  • An FFU (Fun Filter Unit) 111 that forms a downflow in the chamber 101 is provided on the ceiling of the chamber 101 (see FIG. 7).
  • the substrate holding portion 102 rotates a main body portion 121 having a diameter larger than that of the wafer W, a plurality of grip portions 122 provided on the upper surface of the main body portion 121, a strut member 123 for supporting the main body portion 121, and a strut member 123.
  • a drive unit 124 for driving is provided.
  • the number of grip portions 122 is not limited to the one shown in the figure.
  • the substrate holding portion 102 holds the wafer W by gripping the peripheral edge portion of the wafer W using a plurality of gripping portions 122. As a result, the wafer W is held horizontally in a state slightly separated from the upper surface of the main body 121.
  • the substrate holding portion 102 that grips the peripheral edge portion of the wafer W by using a plurality of grip portions 122 is given as an example, but the pre-coating cleaning portion 23 replaces the substrate holding portion 102 with the wafer W. It may be configured to include a vacuum chuck that attracts and holds the back surface.
  • the cup portion 103 is arranged so as to surround the substrate holding portion 102. At the bottom of the cup portion 103, a drainage port 131 for discharging the processing liquid supplied to the wafer W to the outside of the chamber 101 and an exhaust port 132 for exhausting the atmosphere in the chamber 101 are formed. ..
  • the cleaning unit 104 includes a brush 141 and a spindle 142 extending in the vertical direction and rotatably supporting the brush 141.
  • the spindle 142 is connected to a rotation mechanism (not shown), which rotates the brush 141 about a vertical axis by rotating the spindle 142.
  • the brush 141 has, for example, a resin brush body having a cylindrical shape, and a cleaning body provided at the lower part of the brush body and pressed against the wafer W.
  • the wash body is composed of, for example, a large number of hair bundles. Further, the washed body may be made of a sponge or the like.
  • the cleaning unit 104 includes an arm 143 that extends in the horizontal direction and supports the brush 141 from above via a spindle 142, and a swivel elevating mechanism 144 that swivels and elevates the arm 143.
  • the swivel elevating mechanism 144 allows the arm 143 to move the brush 141 between a processing position above the wafer W and a standby position outside the wafer W.
  • the cleaning unit 104 is connected to the first processing liquid supply source 148 via a valve 146, a flow rate regulator (not shown), or the like.
  • the cleaning unit 104 discharges the first treatment liquid supplied from the first treatment liquid supply source 148 toward the wafer W from the hollow portion that penetrates the brush 141 vertically.
  • the first treatment liquid is, for example, DHF (dilute hydrofluoric acid).
  • the first treatment liquid is not limited to DHF, and may be another treatment liquid such as SC1 (mixed liquid of ammonia, hydrogen peroxide and water) or deionized water.
  • the liquid supply unit 105 includes a nozzle 151, a nozzle arm 152 extending in the horizontal direction and supporting the nozzle 151 from above, and a swivel elevating mechanism 153 that swivels and elevates the nozzle arm 152.
  • the nozzle 151 is connected to the second processing liquid supply source 158 via a valve 156, a flow rate regulator (not shown), or the like.
  • the liquid supply unit 105 discharges the second treatment liquid supplied from the second treatment liquid supply source 158 toward the wafer W.
  • the second treatment liquid is a rinse liquid such as deionized water.
  • the second treatment liquid is not limited to the rinsing liquid, and may be another treatment liquid.
  • the pre-coating cleaning unit 23 performs physical cleaning with the brush 141
  • a configuration may be provided in which a spray nozzle for injecting a treatment liquid onto the front surface of the wafer W is provided.
  • the pre-coating cleaning unit 23 can physically clean the front surface of the wafer W by the pressure of the processing liquid sprayed from the spray nozzle.
  • the pre-coating cleaning unit 23 physically cleans the front surface of the wafer W in addition to the front surface cleaning unit (brush 141 and spray nozzle) that physically cleans the front surface of the wafer W. It may be configured to include a portion (brush or spray nozzle). In this case, the front surface of the wafer W and the back surface of the wafer W can be physically cleaned at the same time.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of the post-coating cleaning unit 54 according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic side view of the post-coating cleaning unit 54 according to the first embodiment.
  • the post-coating cleaning unit 54 horizontally sucks and holds two suction pads 210 that horizontally suck and hold the back surface of the wafer W and the back surface of the wafer W received from the suction pads 210.
  • the spin chuck 211 is provided.
  • the post-coating cleaning unit 54 includes a housing 213 with an open upper surface and a cleaning unit 218 for physically cleaning the back surface of the wafer W.
  • the two suction pads 210 are formed in an elongated substantially rectangular shape, and are provided substantially in parallel with the spin chuck 211 sandwiched in a plan view so as to hold the peripheral edge portion on the back surface of the wafer W.
  • Each suction pad 210 is supported by a substantially rectangular support plate 214 longer than the suction pad 210. Both ends of the support plate 214 are supported by a frame body 215 that is movable in the horizontal direction (here, the Y-axis direction) and the vertical direction (Z-axis direction in FIG. 1) by a drive mechanism (not shown). ..
  • An upper cup 216 is provided on the upper surface of the frame body 215.
  • An opening having a diameter larger than the diameter of the wafer W is formed on the upper surface of the upper cup 216, and the wafer W is transferred between the conveying portion 53 and the suction pad 210 through the opening.
  • the spin chuck 211 is connected to the drive mechanism 221 via the shaft 220.
  • the spin chuck 211 is rotatable and vertically movable by the drive mechanism 221.
  • the spin chuck 211 for example, three elevating pins 222 that can be elevated by an elevating mechanism (not shown) are provided. As a result, the wafer W can be transferred between the elevating pin 222 and the conveying unit 53.
  • a drain pipe 240 for discharging the cleaning liquid and an exhaust pipe 241 for forming a downward air flow in the cleaning unit 54 after application and exhausting the air flow are provided.
  • the cleaning unit 218 includes a cleaning body 218a, a support column member 218b, and a driving unit 218c.
  • the cleaning body 218a is a member pressed against the back surface of the wafer W.
  • the washing body 218a is, for example, a brush composed of a large number of hair bundles.
  • the upper surface of the cleaning body 218a that is, the contact surface with the wafer W, has a circular shape smaller than, for example, the upper surface of the wafer W.
  • the cleaning body 218a may be a sponge.
  • a strut member 218b is provided on the back surface of the cleaning body 218a.
  • the strut member 218b extends along the vertical direction (Z-axis direction) and supports the cleaning body 218a at one end.
  • a drive unit 218c is provided at the other end of the support column member 218b.
  • the drive unit 218c rotates the support column member 218b around a vertical axis.
  • the cleaning body 218a supported by the support column member 218b can be rotated around the vertical axis.
  • the cleaning unit 218 is horizontally supported by the arm 280.
  • the arm 280 is provided with a cleaning nozzle 280a that supplies a cleaning fluid to the back surface of the wafer W held by the suction pad 210 or the spin chuck 211 adjacent to the cleaning body 218a.
  • a cleaning fluid for example, deionized water is used.
  • the arm 280 is connected to the moving unit 281.
  • the moving portion 281 horizontally moves the arm 280 along the rail 282 extending along the horizontal direction (here, the X-axis direction). Further, the moving portion 281 raises and lowers the arm 280 along the vertical direction (Z-axis direction).
  • the arm 280 expands and contracts along the horizontal direction (here, the Y-axis direction) by a drive unit (not shown). As a result, the arm 280 can move the cleaning unit 218 and the cleaning nozzle 280a along the Y-axis direction.
  • the post-coating cleaning unit 54 When performing the post-coating cleaning process, the post-coating cleaning unit 54 first moves the suction pad 210 holding the wafer W in the horizontal direction (here, the Y-axis direction) together with the support plate 214 and the upper cup 216. As a result, the spin chuck 211 is arranged at a location close to the outer peripheral portion of the wafer W, and the cleaning portion 218 is arranged at a location close to the central portion of the wafer W.
  • the cleaning body 218a is pressed against the back surface of the wafer W by raising the cleaning unit 218 using the moving unit 281.
  • the cleaning unit 218 is raised, but the back surface of the wafer W may be pressed against the cleaning body 218a by lowering the suction pad 210. Further, the suction pad 210 may be lowered while raising the cleaning unit 218.
  • the physical cleaning of the back surface of the wafer W by the cleaning unit 218 proceeds by a combination of the movement of the wafer W by the suction pad 210 and the movement of the cleaning unit 218 by the moving unit 281.
  • the suction pads 210 are reciprocated along the X-axis direction with respect to the cleaning body 218a, and when the moving direction of the cleaning body 218a is switched, the suction pads 210 are moved by a distance equal to or less than the diameter of the cleaning body 218a on the Y-axis. Move in the negative direction.
  • the central region of the wafer W including the region attracted and held by the spin chuck 211 is cleaned by the cleaning body 218a.
  • the rotation of the cleaning body 218a is stopped, and the supply of pure water from the cleaning nozzle 280a is stopped.
  • the suction pad 210 is moved to position the central portion of the wafer W above the spin chuck 211, and then the suction pad 210 releases the suction of the wafer W. Then, by raising the spin chuck 211, the wafer W is delivered from the suction pad 210 to the spin chuck 211.
  • the wafer W is rotated by rotating the spin chuck 211 using the drive mechanism 221. Subsequently, the supply of deionized water from the cleaning nozzle 280a to the back surface of the wafer W is started, and the rotation of the cleaning body 218a is started. Then, the cleaning body 218a is horizontally moved toward the outer peripheral portion of the wafer W.
  • the cleaning body 218a reaches the outer peripheral portion of the wafer W, the rotation of the cleaning body 218a is stopped, and the supply of deionized water from the cleaning nozzle 280a is stopped. Then, the cleaning body 218a is retracted from the wafer W. After that, the spin chuck 211 is rotated at high speed to shake off the deionized water adhering to the wafer W, thereby drying the wafer W.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of the coating and developing apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic side view of the coating and developing apparatus according to the second embodiment.
  • the coating / developing device 1A includes a cleaning station S2A.
  • the cleaning station S2A includes a shelf unit 21A, a transport unit 22, a plurality of pre-coating cleaning units 23, and a transport unit 25.
  • the shelf unit 21A is arranged at a position where the transport unit 13, the transport unit 22, and the transport unit 25 can access. As shown in FIG. 11, a plurality of TRS1s are arranged side by side in the height direction on the shelf unit 21A. For example, in the shelf unit 21A, four first delivery units TRS1 corresponding to the four pre-coating cleaning units 23 arranged in the height direction are arranged.
  • the plurality of pre-coating cleaning portions 23 are arranged side by side in the height direction, four each on the X-axis positive direction side and the X-axis negative direction side of the transport portion 22.
  • the transport unit 25 is arranged, for example, on the X-axis negative direction side of the shelf unit 21A.
  • the transport unit 25 includes a holding unit that holds the wafer W. Further, the transport unit 25 can move in the horizontal direction and the vertical direction. For example, the wafer W placed on the first delivery unit TRS1 is transferred to another first delivery unit TRS1.
  • the transport unit 25 takes out the wafer W placed on the first delivery unit TRS1 by the transport unit 13, and the pre-coating cleaning unit that processes the wafer W. Transfer to the first delivery unit TRS1 corresponding to 23. Then, the transport unit 22 takes out the wafer W from the first delivery unit TRS1 and carries it into the corresponding pre-coating cleaning unit 23.
  • the transfer unit 25 for transferring the wafer W between the plurality of first delivery units TRS1 and the wafer W between the first delivery unit TRS1 and the pre-coating cleaning unit 23 are transferred.
  • a transport unit 22 for performing the above may be provided. As a result, the throughput can be improved.
  • FIG. 12 is a schematic plan view of the coating and developing apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic side view of the coating and developing apparatus according to the third embodiment.
  • the coating / developing device 1B does not include the cleaning stations S2 and S2A, and has a configuration in which the delivery station S3 is connected to the loading / unloading station S1.
  • the coating / developing device 1B includes a processing station S4B.
  • the processing station S4B includes a plurality of (here, five) processing blocks B1 to B5, of which a plurality of coatings are applied to the front side processing blocks B1F and B2F of the processing blocks B1 and B2.
  • a pre-cleaning unit 23 is provided. Specifically, two pre-coating cleaning portions 23 are arranged side by side in the Y-axis direction on the front side processing block B1F. Similarly, in the front side processing block B2F, two pre-coating cleaning portions 23 are arranged side by side along the Y-axis direction.
  • the coating processing unit COT and the developing processing unit DEV are arranged in the front side processing blocks B3F to B5F which are arranged above the front side processing blocks B1F and B2F.
  • a plurality of coating processing units COT are arranged on the front side processing blocks B3F and B4F, and a plurality of developing processing units DEV are arranged on the front side processing block B5F.
  • the pre-coating cleaning unit 23 may be arranged at the processing station S4B.
  • the pre-coating cleaning unit 23, the coating processing unit COT, and the developing processing unit DEV are laminated in this order from the bottom to form a flow of the wafer W from the bottom to the top of the processing blocks B1 to B5. Throughput can be improved.
  • the pre-coating cleaning unit 23 may be provided at, for example, the delivery station S3 or the interface station S5.
  • the pre-coating cleaning section 23 is provided in the interface station S5
  • the plurality of pre-coating cleaning sections 23 and the plurality of post-coating cleaning sections 54 may be arranged side by side in the height direction.
  • the interface station S5 has a cleaning unit in which the function of the pre-coating cleaning unit 23, that is, the function of physically cleaning the front surface of the wafer W (for example, the cleaning unit 104 shown in FIG. 6) is added to the post-coating cleaning unit 54. It may be provided in.
  • the coating and developing apparatus (coating and developing apparatus 1 as an example) according to the embodiment includes a loading and unloading station (as an example, loading and unloading station S1) and a processing station (as an example, processing station S4).
  • a pre-coating cleaning unit for example, a pre-application cleaning unit 23
  • a post-application cleaning unit for example, a post-application cleaning unit 54
  • the loading / unloading station includes a cassette mounting unit (cassette mounting table 11 as an example) on which a cassette (cassette C as an example) containing a plurality of substrates (wafer W as an example) is placed.
  • the processing station is after being exposed by a coating processing unit (for example, coating processing unit COT) for applying a resist to the front surface of the substrate and an exposure device (for example, an exposure device EXP).
  • a development processing unit for example, a development processing unit DEV
  • a heating unit for example, a first heating unit BK1 and a second heating unit
  • the pre-coating cleaning unit is provided between the loading / unloading station and the exposure device, and physically cleans the front surface of the substrate before the coating process.
  • the post-coating cleaning unit is provided between the processing station and the exposure apparatus, and physically cleans the back surface of the substrate after the coating treatment.
  • the coating and developing apparatus may further include a delivery station (delivery station S3 as an example) provided between the loading / unloading station and the processing station.
  • the processing station includes a plurality of stacked processing blocks (processing blocks B1 to B6 as an example), and the delivery station has a plurality of processing blocks having a board delivery location (as an example, a plurality of second delivery units TRS2).
  • the delivery station includes a shelf unit provided in multiple stages (as an example, a shelf unit 31) and a transfer unit (for example, a transfer unit 32) for transferring a substrate from one delivery place to another.
  • the pre-coating cleaning unit may be provided between the loading / unloading station and the delivery station.
  • the front surface of the substrate is provided immediately before the coating process.
  • the surface can be cleaned. Therefore, it is possible to prevent foreign matter from adhering to or scratching the front surface of the substrate between the time when the pre-coating cleaning treatment is performed and the time when the coating treatment is performed. Further, by cleaning the front surface of the substrate before entering the processing block, the cleanliness of the processing block can be maintained.
  • the coating and developing apparatus may be further provided with a cleaning station (as an example, cleaning stations S2 and S2A) provided between the loading / unloading station and the delivery station and including a pre-coating cleaning unit.
  • the cleaning station is located between the substrate mounting portion (for example, the first delivery portion TRS1) on which the substrate conveyed from the loading / unloading station is placed, the substrate mounting portion, the pre-coating cleaning portion, and the delivery location.
  • a transport unit for example, a transport unit 22 for transporting the substrate may be further included.
  • the processing station (as an example, the processing station S4B) may include a plurality of stacked processing blocks (as an example, processing blocks B1 to B5).
  • the pre-coating cleaning unit may be provided on the processing block (for example, processing blocks B1 and B2).
  • the plurality of processing blocks include a first processing block (for example, processing blocks B1 and B2) provided with a pre-coating cleaning unit and a second processing block (for example, processing blocks B3 and B4) provided with a coating processing unit.
  • a third processing block (for example, processing block B5) provided with a developing processing unit may be included.
  • the first processing block, the second processing block, and the third processing block may be arranged in the order of the first processing block, the second processing block, and the third processing block from the bottom. Throughput can be improved by forming a substrate flow from the bottom to the top of the processing block.
  • the coating / developing apparatus may further include an interface station (for example, interface station S5) that connects the processing station and the exposure apparatus.
  • the post-coating cleaning unit may be provided in the interface station.

Abstract

本開示による塗布、現像装置（１）は、搬入出ステーション（Ｓ１）と、処理ステーション（Ｓ４）と、塗布前洗浄部（２３）と、塗布後洗浄部（５４）とを備える。搬入出ステーションは、複数の基板（Ｗ）を収納したカセット（Ｃ）が載置されるカセット載置部（１１）を含む。処理ステーションは、基板のおもて面にレジストを塗布する塗布処理を行う塗布処理部（ＣＯＴ）と、露光装置（ＥＸＰ）にて露光された後の基板のおもて面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理部（ＤＥＶ）と、基板を加熱する加熱部（ＢＫ１，ＢＫ２）と、を含む。塗布前洗浄部は、搬入出ステーションと露光装置との間に設けられ、塗布処理前の基板のおもて面を物理的に洗浄する。塗布後洗浄部は、処理ステーションと露光装置との間に設けられ、塗布処理後の基板の裏面を物理的に洗浄する。

Description

塗布、現像装置
　本開示は、塗布、現像装置に関する。
　従来、半導体ウエハ等の基板に対してレジストの塗布処理を行い、露光装置にて露光された後の基板に対して現像液を供給して現像処理を行う塗布、現像装置が知られている。
特開２０１０－１６０９８号公報
　本開示は、洗浄処理を含む一連の塗布、現像処理を効率よく行うことができる技術を提供する。
　本開示の一態様による塗布、現像装置は、搬入出ステーションと、処理ステーションと、塗布前洗浄部と、塗布後洗浄部とを備える。搬入出ステーションは、複数の基板を収納したカセットが載置されるカセット載置部を含む。処理ステーションは、基板のおもて面にレジストを塗布する塗布処理を行う塗布処理部と、露光装置にて露光された後の基板のおもて面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理部と、基板を加熱する加熱部と、を含む。塗布前洗浄部は、搬入出ステーションと露光装置との間に設けられ、塗布処理前の基板のおもて面を物理的に洗浄する。塗布後洗浄部は、処理ステーションと露光装置との間に設けられ、塗布処理後の基板の裏面を物理的に洗浄する。
　本開示によれば、洗浄処理を含む一連の塗布、現像処理を効率よく行うことができる。
図１は、第１実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。 図２は、第１実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。 図３は、第１実施形態に係る処理ステーションの概略側面図である。 図４は、第１実施形態に係る搬送ブロックの概略側面図である。 図５は、第１実施形態に係るウエハの搬送フローを示す図である。 図６は、第１実施形態に係る塗布前洗浄部の概略平面図である。 図７は、第１実施形態に係る塗布前洗浄部の概略側面図である。 図８は、第１実施形態に係る塗布後洗浄部の概略平面図である。 図９は、第１実施形態に係る塗布後洗浄部の概略側面図である。 図１０は、第２実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。 図１１は、第２実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。 図１２は、第３実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。 図１３は、第３実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。
　以下に、本開示による塗布、現像装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による塗布、現像装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
　また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
（第１実施形態）
　図１は、第１実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。図２は、第１実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。図３は、第１実施形態に係る処理ステーションの概略側面図である。図４は、第１実施形態に係る搬送ブロックの概略側面図である。
　図１に示すように、実施形態に係る塗布、現像装置１は、搬入出ステーションＳ１と、洗浄ステーションＳ２と、受渡ステーションＳ３と、処理ステーションＳ４と、インタフェースステーションＳ５とを備える。これらは、水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って、搬入出ステーションＳ１、洗浄ステーションＳ２、受渡ステーションＳ３、処理ステーションＳ４およびインタフェースステーションＳ５の順番に連結されている。また、塗布、現像装置１は、制御装置６を備える。
＜搬入出ステーションＳ１＞
　搬入出ステーションＳ１には、カセットＣを載置可能な複数のカセット載置台１１と、カセット載置台１１から見て前方の壁面に設けられる複数の開閉部１２と、開閉部１２を介してカセットＣからウエハＷを取り出すための搬送部１３とが設けられている。
　カセットＣは、複数の半導体ウエハ（以下、ウエハＷと記載する）を収容可能な容器である。搬送部１３は、第１受渡部ＴＲＳ１とカセットＣとの間でウエハＷの搬送を行う。搬送部１３は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
＜洗浄ステーションＳ２＞
　洗浄ステーションＳ２は、搬入出ステーションＳ１と受渡ステーションＳ３との間に設けられる。洗浄ステーションＳ２には、ウエハＷの受け渡しが行われる第１受渡部ＴＲＳ１と、ウエハＷを搬送する搬送部２２と、ウエハＷを洗浄する塗布前洗浄部２３と、ウエハＷを検査する検査部２４とが設けられている。
　第１受渡部ＴＲＳ１は、搬送部１３および搬送部２２がアクセス可能な位置に配置される。第１受渡部ＴＲＳ１は、たとえば、方形の筺体を備えており、かかる筐体の内部にウエハＷを収容可能である。第１受渡部ＴＲＳ１は、搬送部１３および搬送部２２によってアクセス可能である。なお、第１受渡部ＴＲＳ１は、ウエハＷの温度を予定した温度に調節する温調機構を備えていてもよい。
　搬送部２２は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部２２は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。搬送部２２は、第１受渡部ＴＲＳ１、塗布前洗浄部２３、検査部２４および後述する棚ユニット３１間でのウエハＷの搬送を担当する。
　塗布前洗浄部２３は、後述する塗布処理部によってレジスト等が塗布される前のウエハＷのおもて面を物理的に洗浄する。たとえば、塗布前洗浄部２３は、いわゆるスクラバ装置であり、ウエハＷを保持して回転させつつ、回転するウエハＷのおもて面にブラシを接触させる。これにより、塗布前洗浄部２３は、たとえばウエハＷのおもて面に付着した異物を除去したり、ウエハＷのおもて面に付いた傷を除去したりする。塗布前洗浄部２３の具体的な構成例については、後述する。なお、本明細書において、「物理的に洗浄する」とは、たとえば噴流の圧力やブラシの摩擦力などの物理力を用いてウエハＷに付いたゴミや傷等を除去することをいう。
　図２に示すように、洗浄ステーションＳ２には、複数の塗布前洗浄部２３が、高さ方向に並べて配置される。ここでは、４つの塗布前洗浄部２３が積層される例を示しており、搬送部２２は、これら４つの塗布前洗浄部２３に対してアクセス可能である。なお、洗浄ステーションＳ２に設けられる塗布前洗浄部２３の数は４つに限定されるものではなく、たとえば１つであってもよい。
　検査部２４は、ウエハＷの状態を検査する。たとえば、検査部２４は、現像処理後のウエハＷのおもて面状態として、現像線幅の測定等を行ってもよい。また、検査部２４は、塗布処理後のウエハＷのおもて面状態として、レジストの膜厚測定等を行ってもよい。なお、塗布、現像装置１は、必ずしも検査部２４を備えることを要しない。
＜受渡ステーションＳ３＞
　受渡ステーションＳ３は、搬入出ステーションＳ１と受渡ステーションＳ３との間に設けられる。受渡ステーションＳ３には、棚ユニット３１と、複数（ここでは、２つ）の搬送部３２と、棚ユニット３３とが設けられている。棚ユニット３１は、搬送部２２、搬送部３２および後述する搬送部４１～４６がアクセス可能な位置に配置される。２つの搬送部３２は、棚ユニット３１を挟んで対向する位置に配置される。棚ユニット３３は、搬送部３２から見て棚ユニット３１と反対側に配置されており、１つの搬送部３２のみがアクセス可能である。
　棚ユニット３１には、複数の処理部が高さ方向に並べて配置される。たとえば、図２に示すように、棚ユニット３１には、ウエハＷの受渡場所である複数の第２受渡部ＴＲＳ２が配置される。複数の第２受渡部ＴＲＳ２は、処理ステーションＳ４が備える６つの処理ブロックＢ１～Ｂ６に対応する高い位置にそれぞれ配置される。
　第２受渡部ＴＲＳ２は、たとえば、方形の筺体を備えており、かかる筐体の内部にウエハＷを収容可能である。第２受渡部ＴＲＳ２は、搬送部２２および搬送部３２によってアクセス可能である。また、第２受渡部ＴＲＳ２は、後述する搬送部４１～４６のうち対応する処理ブロックＢ１～Ｂ６に配置された搬送部４１～４６によってもアクセス可能である。第２受渡部ＴＲＳ２は、ウエハＷの温度を予定した温度に調節する温調機構を備えていてもよい。
　搬送部３２は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部３２は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、棚ユニット３１に配置される複数の第２受渡部ＴＲＳ２間または棚ユニット３１および棚ユニット３３間でウエハＷを搬送する。
　棚ユニット３３には、複数の処理部が高さ方向に並べて配置される。たとえば、棚ユニット３３には、複数のアドヒージョン処理部ＡＤが配置される。アドヒージョン処理部ＡＤは、ウエハＷとレジスト膜との密着性が向上するように、たとえばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の蒸気雰囲気でウエハＷを熱処理するアドヒージョン処理を行う。
＜処理ステーションＳ４：処理ブロックＢ１～Ｂ６＞
　図１～図４に示すように、処理ステーションＳ４は、積層された６つの処理ブロックＢ１～Ｂ６と、搬送ブロックＢＭとを備える。搬送ブロックＢＭは、搬入出ステーションＳ１～インタフェースステーションＳ５の並び方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って延在する。
　各処理ブロックＢ１～Ｂ６は、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆと、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂとを備える。フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆと、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂと、搬送ブロックＢＭとは、搬入出ステーションＳ１～インタフェースステーションＳ５の並び方向と直交する方向（ここでは、Ｘ軸方向）に沿って並べて配置される。また、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆと、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂとは、搬送ブロックＢＭを挟んで対向する位置に配置される。具体的には、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆは、搬送ブロックＢＭのＸ軸正方向側に配置され、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂは、搬送ブロックＢＭのＸ軸負方向側に配置される。
　図２に示すように、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆは、下から順にこの順番で積層される。このうち、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ３Ｆには、それぞれ複数（ここでは、４つ）の塗布処理部ＣＯＴが、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。
　塗布処理部ＣＯＴは、ウエハＷのおもて面にレジスト等の成膜材料を塗布する塗布処理を行う。具体的には、塗布処理部ＣＯＴは、たとえば、ウエハＷを保持して回転させる保持部と、保持部を囲むカップなどを備えており、不図示の薬液ノズルからウエハＷのおもて面に成膜材料を供給することにより、ウエハＷのおもて面に膜を形成する。
　第１実施形態において、最下段であるフロント側処理ブロックＢ１Ｆに配置された４つの塗布処理部ＣＯＴは、ウエハＷのおもて面に対し、成膜材料としてのＢＡＲＣ（Bottom　Anti-Reflective　　Coating）を塗布する。また、フロント側処理ブロックＢ２Ｆに配置された４つの塗布処理部ＣＯＴは、ＢＡＲＣが塗布されたウエハＷのおもて面に対し、成膜材料としてのレジストを塗布する。また、フロント側処理ブロックＢ３Ｆに配置された４つの塗布処理部ＣＯＴは、レジストが塗布されたウエハＷのおもて面に対し、成膜材料としてのトップコート液を塗布する。
　フロント側処理ブロックＢ４Ｆ～Ｂ６Ｆには、それぞれ複数（ここでは、４つ）の現像処理部ＤＥＶが、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。
　現像処理部ＤＥＶは、露光装置ＥＸＰにて露光された後のウエハＷのおもて面に現像液を供給して現像処理を行う。具体的には、現像処理部ＤＥＶは、ウエハＷを保持して回転させる保持部と、保持部を囲むカップなどを備えており、不図示の薬液ノズルからウエハＷのおもて面に現像液を供給する。その後、現像処理部ＤＥＶは、図示しない洗浄液供給機構からの洗浄液によりウエハＷのおもて面に残存する現像液を洗い流し、つづいて保持部を用いてウエハＷを高速で回転させることによってウエハＷを乾燥させる。
　図３に示すように、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂは、下から順にこの順番で積層される。バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂは、それぞれフロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆと同じ高さ位置に配置される。
　バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂのうち、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ３Ｂには、複数（ここでは、１２個）の第１加熱部ＢＫ１が配置される。１２個の第１加熱部ＢＫ１は、たとえば、水平方向（Ｙ軸方向）に６つ並べられ且つ高さ方向（Ｚ軸方向）に２段に積層される。第１加熱部ＢＫ１は、露光処理前のウエハＷを予め設定された温度に加熱する。
　バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂのうち、バック側処理ブロックＢ４Ｂ～Ｂ６Ｂには、複数（ここでは、１２個）の第２加熱部ＢＫ２が配置される。１２個の第２加熱部ＢＫ２は、たとえば、水平方向（Ｙ軸方向）に６つ並べられ且つ高さ方向（Ｚ軸方向）に２段に積層される。第２加熱部ＢＫ２は、露光処理後のウエハＷを予め設定された温度に加熱する。
　なお、第１加熱部ＢＫ１および第２加熱部ＢＫ２の個数や配置については、図３に示した例に限定されない。また、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂには、たとえばウエハＷを一時的に載置しておくバッファ部など、第１加熱部ＢＫ１および第２加熱部ＢＫ２以外の処理部が配置されていてもよい。
＜処理ステーションＳ４：搬送ブロックＢＭ＞
　搬送ブロックＢＭは、上述したフロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆとバック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂとの間に配置される。図４に示すように、搬送ブロックＢＭには、複数（ここでは、６つ）の搬送部４１～４６が、高さ方向に並べて配置される。複数の搬送部４１～４６は、それぞれ処理ブロックＢ１～Ｂ６の高さ位置に配置される。
　搬送部４１～４６は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部４１～４６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、対応する処理ブロックＢ１～Ｂ６におけるウエハＷの搬送を担当する。すなわち、搬送部４１は、処理ブロックＢ１に配置された塗布処理部ＣＯＴや第１加熱部ＢＫ１に対するウエハＷの搬送を担当し、搬送部４２は、処理ブロックＢ２に配置された塗布処理部ＣＯＴや第１加熱部ＢＫ１に対するウエハＷの搬送を担当する。また、搬送部４３は、処理ブロックＢ３に配置された塗布処理部ＣＯＴや第１加熱部ＢＫ１に対するウエハＷの搬送を担当し、搬送部４４は、処理ブロックＢ４に配置された現像処理部ＤＥＶや第２加熱部ＢＫ２に対するウエハＷの搬送を担当する。また、搬送部４５は、処理ブロックＢ５に配置された現像処理部ＤＥＶや第２加熱部ＢＫ２に対するウエハＷの搬送を担当し、搬送部４６は、処理ブロックＢ６に配置された現像処理部ＤＥＶや第２加熱部ＢＫ２に対するウエハＷの搬送を担当する。
＜インタフェースステーションＳ５＞
　インタフェースステーションＳ５は、受渡ステーションＳ３と露光装置ＥＸＰとを接続する。インタフェースステーションＳ５には、棚ユニット５１と、搬送部５２と、複数（ここでは、２つ）の搬送部５３と、塗布後洗浄部５４と、露光後洗浄部５５とが設けられている。
　棚ユニット５１は、搬送部４１～４６、搬送部５２および搬送部５３がアクセス可能な位置に配置される。搬送部５２は、棚ユニット５１と露光装置ＥＸＰとの間に配置される。２つの搬送部５３は、棚ユニット５１を挟んで対向する位置に配置される。塗布後洗浄部５４は、一方の搬送部５３から見て棚ユニット５１と反対側に配置され、露光後洗浄部５５は、他方の搬送部５３から見て棚ユニット５１と反対側に配置される。
　棚ユニット５１は、複数の処理部が高さ方向に並べて配置される。たとえば、図１に示すように、棚ユニット５１には、ウエハＷの受渡場所である複数の第３受渡部ＴＲＳ３が配置される。複数の第３受渡部ＴＲＳ３は、処理ステーションＳ４が備える６つの処理ブロックＢ１～Ｂ６に対応する高い位置にそれぞれ配置される。
　第３受渡部ＴＲＳ３は、たとえば、方形の筺体を備えており、かかる筐体の内部にウエハＷを収容可能である。第３受渡部ＴＲＳ３は、搬送部２２および搬送部３２によってアクセス可能である。また、第３受渡部ＴＲＳ３は、搬送部４１～４６のうち対応する処理ブロックＢ１～Ｂ６に配置された搬送部４１～４６によってもアクセス可能である。第３受渡部ＴＲＳ３は、ウエハＷの温度を予定した温度に調節する温調機構を備えていてもよい。
　搬送部５２は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部５２は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、第３受渡部ＴＲＳ３および露光装置ＥＸＰ間でウエハＷを搬送する。
　２つの搬送部５３は、棚ユニット５１に配置される複数の第３受渡部ＴＲＳ３間でウエハＷを搬送する。また、棚ユニット５１と塗布後洗浄部５４との間に配置された搬送部５３は、第３受渡部ＴＲＳ３および塗布後洗浄部５４間でのウエハＷの搬送も行う。また、棚ユニット５１と露光後洗浄部５５との間に配置された搬送部５３は、第３受渡部ＴＲＳ３および露光後洗浄部５５間でのウエハＷの搬送も行う。搬送部５３は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部５３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
　塗布後洗浄部５４は、塗布処理部ＣＯＴによってレジスト等の成膜材料が塗布された後のウエハＷの裏面を物理的に洗浄する。たとえば、塗布後洗浄部５４は、ウエハＷの裏面に回転するブラシを接触させる。これにより、たとえば、露光処理におけるデフォーカスの要因となるフォーカススポットを除去することができる。なお、塗布後洗浄部５４の具体的な構成例については、後述する。
　露光後洗浄部５５は、露光処理後のウエハＷを洗浄液（たとえば、脱イオン水）を用いて洗浄する。
＜制御装置６＞
　制御装置６は、制御部６１と、記憶部６２とを備える。制御部６１は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体には、塗布、現像装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。
　制御部６１は、記憶媒体に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって塗布、現像装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部６１の記憶媒体にインストールされたものであってもよい。
　コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
＜塗布、現像装置１の具体的動作の一例＞
　次に、塗布、現像装置１の具体的動作の一例について図５を参照して説明する。図５は、第１実施形態に係るウエハの搬送フローを示す図である。
　図５に示すように、第１実施形態に係る塗布、現像装置１では、まず、搬送部１３がカセット載置台１１に載置されたカセットＣからウエハＷを取り出して第１受渡部ＴＲＳ１（図１参照）に載置する。つづいて、搬送部２２が第１受渡部ＴＲＳ１からウエハＷを取り出して塗布前洗浄部２３へ搬送し、塗布前洗浄部２３がウエハＷのおもて面をブラシを用いて物理的に洗浄する（塗布前洗浄処理）。
　つづいて、搬送部２２が塗布前洗浄処理後のウエハＷを塗布前洗浄部２３から取り出して棚ユニット３１の第２受渡部ＴＲＳ２に載置する。つづいて、搬送部２２が第２受渡部ＴＲＳ２からウエハＷを取り出して棚ユニット３３のアドヒージョン処理部ＡＤへ搬送し、アドヒージョン処理部ＡＤがウエハＷに対してアドヒージョン処理を行う。
　つづいて、搬送部３２がアドヒージョン処理部ＡＤからウエハＷを取り出して処理ブロックＢ１に対応する第２受渡部ＴＲＳ２に載置する。つづいて、処理ブロックＢ１の搬送部４１が第２受渡部ＴＲＳ２からウエハＷを取り出して塗布処理部ＣＯＴに搬送し、塗布処理部ＣＯＴがウエハＷのおもて面にＢＡＲＣを塗布する。その後、搬送部４１が塗布処理部ＣＯＴからウエハＷを取り出して第１加熱部ＢＫ１へ搬送し、第１加熱部ＢＫ１がＢＡＲＣ塗布後のウエハＷを予め設定された温度で加熱する。たとえば、第１加熱部ＢＫ１は、ＢＡＲＣ塗布後のウエハＷを２００℃で加熱する。
　つづいて、搬送部４１が第１加熱部ＢＫ１からウエハＷを取り出して処理ブロックＢ１に対応する第２受渡部ＴＲＳ２へ載置する。そして、搬送部３２が処理ブロックＢ１に対応する第２受渡部ＴＲＳ２から処理ブロックＢ２に対応する第２受渡部ＴＲＳ２へウエハＷを移し換える。
　つづいて、処理ブロックＢ２の搬送部４２が第２受渡部ＴＲＳ２からウエハＷを取り出して塗布処理部ＣＯＴに搬送し、塗布処理部ＣＯＴがウエハＷのおもて面にレジストを塗布する。その後、搬送部４１が塗布処理部ＣＯＴからウエハＷを取り出して第１加熱部ＢＫ１へ搬送し、第１加熱部ＢＫ１がレジスト塗布後のウエハＷを予め設定された温度で加熱する。たとえば、第１加熱部ＢＫ１は、レジスト塗布後のウエハＷを１１０℃で加熱する。
　つづいて、搬送部４２が第１加熱部ＢＫ１からウエハＷを取り出して処理ブロックＢ２に対応する第２受渡部ＴＲＳ２へ載置する。そして、搬送部３２が処理ブロックＢ２に対応する第２受渡部ＴＲＳ２から処理ブロックＢ３に対応する第２受渡部ＴＲＳ２へウエハＷを移し換える。
　つづいて、処理ブロックＢ３の搬送部４３が第２受渡部ＴＲＳ２からウエハＷを取り出して塗布処理部ＣＯＴに搬送し、塗布処理部ＣＯＴがウエハＷのおもて面にトップコート液を塗布する。その後、搬送部４１が塗布処理部ＣＯＴからウエハＷを取り出して第１加熱部ＢＫ１へ搬送し、第１加熱部ＢＫ１がトップコート液塗布後のウエハＷを予め設定された温度で加熱する。たとえば、第１加熱部ＢＫ１は、トップコート液塗布後のウエハＷを１００℃で加熱する。
　つづいて、搬送部４３が第１加熱部ＢＫ１からウエハＷを取り出して棚ユニット５１の第３受渡部ＴＲＳ３へ載置し、搬送部５３が第３受渡部ＴＲＳ３からウエハＷを取り出して塗布後洗浄部５４へ搬送する。そして、塗布後洗浄部５４が塗布処理後のウエハＷの裏面をブラシを用いて物理的に洗浄する（塗布後洗浄処理）。
　つづいて、搬送部５３が塗布後洗浄部５４からウエハＷを取り出して第３受渡部ＴＲＳ３へ載置した後、搬送部５２が第３受渡部ＴＲＳ３からウエハＷを取り出して露光装置ＥＸＰへ搬送する。その後、ウエハＷは、露光装置ＥＸＰによって露光処理が施される。
　つづいて、搬送部５２が露光装置ＥＸＰから露光処理後のウエハＷを取り出して棚ユニット５１の第３受渡部ＴＲＳ３へ載置した後、搬送部５３が第３受渡部ＴＲＳ３からウエハＷを取り出して露光後洗浄部５５へ搬送する。そして、露光後洗浄部５５が露光処理後のウエハＷのおもて面を脱イオン水等を用いて洗浄する。
　つづいて、搬送部５３が露光後洗浄部５５からウエハＷを取り出して棚ユニット５１の第３受渡部ＴＲＳ３へ載置する。具体的には、搬送部５３は、処理ブロックＢ４～Ｂ６のうち何れかに対応する第３受渡部ＴＲＳ３にウエハＷを載置する。ここでは、処理ブロックＢ４にウエハＷが載置されたものとして説明する。
　つづいて、処理ブロックＢ４の搬送部４４が第３受渡部ＴＲＳ３からウエハＷを取り出して第２加熱部ＢＫ２へ搬送し、第２加熱部ＢＫ２が露光処理後のウエハＷを予め設定された温度で加熱する。たとえば、第２加熱部ＢＫ２は、露光処理後のウエハＷを８０℃で加熱する。
　つづいて、搬送部４４が第２加熱部ＢＫ２からウエハＷを取り出して現像処理部ＤＥＶへ搬送し、現像処理部ＤＥＶが露光処理後のウエハＷに対して現像処理を行う。つづいて、搬送部４４が現像処理部ＤＥＶからウエハＷを取り出して第２加熱部ＢＫ２へ搬送し、第２加熱部ＢＫ２が現像処理後のウエハＷを予め設定された温度で加熱する。たとえば、第２加熱部ＢＫ２は、現像処理後のウエハＷを１１０℃で加熱する。
　つづいて、搬送部４４が第２加熱部ＢＫ２からウエハＷを取り出して処理ブロックＢ４に対応する第２受渡部ＴＲＳ２へ搬送する。そして、搬送部３２が処理ブロックＢ４に対応する第２受渡部ＴＲＳ２から搬送部２２がアクセス可能な第２受渡部ＴＲＳ２へウエハＷを移し換える。その後、搬送部２２が第２受渡部ＴＲＳ２からウエハＷを取り出して第１受渡部ＴＲＳ１へ載置し、搬送部１３が第１受渡部ＴＲＳ１からウエハＷを取り出してカセットＣへ収容する。これにより、塗布、現像装置１による一連の基板処理が終了する。
　なお、図５に示したウエハＷの搬送フローは一例である。たとえば、塗布、現像装置１は、ＢＡＲＣおよびトップコート液の塗布を行わずに、レジストの塗布処理およびその後の加熱処理を行った後で、塗布後洗浄部５４による塗布後洗浄処理を行ってもよい。また、塗布、現像装置１は、レジスト、ＢＡＲＣおよびトップコート液以外の成膜材料の塗布処理を行ってもよい。
＜塗布前洗浄部の構成例＞
　次に、塗布前洗浄部２３の具体的な構成例について図６および図７を参照して説明する。図６は、第１実施形態に係る塗布前洗浄部２３の概略平面図である。図７は、第１実施形態に係る塗布前洗浄部２３の概略側面図である。なお、図７では、液供給部１０５を省略して示している。
　図６および図７に示すように、塗布前洗浄部２３は、チャンバ１０１と、基板保持部１０２と、カップ部１０３と、洗浄部１０４と、液供給部１０５とを備える。
　チャンバ１０１は、基板保持部１０２、カップ部１０３、洗浄部１０４および液供給部１０５を収容する。チャンバ１０１の天井部には、チャンバ１０１内にダウンフローを形成するＦＦＵ（Fun　　Filter　　Unit）１１１が設けられる（図７参照）。
　基板保持部１０２は、ウエハＷよりも大径の本体部１２１と、本体部１２１の上面に設けられた複数の把持部１２２と、本体部１２１を支持する支柱部材１２３と、支柱部材１２３を回転させる駆動部１２４とを備える。なお、把持部１２２の数は、図示のものに限定されない。
　かかる基板保持部１０２は、複数の把持部１２２を用いてウエハＷの周縁部を把持することによってウエハＷを保持する。これにより、ウエハＷは、本体部１２１の上面からわずかに離間した状態で水平に保持される。
　なお、ここでは、複数の把持部１２２を用いてウエハＷの周縁部を把持する基板保持部１０２を例に挙げたが、塗布前洗浄部２３は、基板保持部１０２に代えて、ウエハＷの裏面を吸着保持するバキュームチャックを備える構成であってもよい。
　カップ部１０３は、基板保持部１０２を取り囲むように配置される。カップ部１０３の底部には、ウエハＷに供給された処理液をチャンバ１０１の外部へ排出するための排液口１３１と、チャンバ１０１内の雰囲気を排気するための排気口１３２とが形成される。
　洗浄部１０４は、ブラシ１４１と、鉛直方向に延在し、ブラシ１４１を回転可能に支持するスピンドル１４２とを備える。スピンドル１４２は、図示しない回転機構に接続されており、回転機構は、スピンドル１４２を回転させることによって、ブラシ１４１を鉛直軸まわりに回転させる。
　ブラシ１４１は、たとえば、円筒形状を有する樹脂製のブラシ本体と、ブラシ本体の下部に設けられ、ウエハＷに押し当てられる洗浄体とを有する。洗浄体は、たとえば、多数の毛束で構成される。また、洗浄体は、スポンジ等で構成されてもよい。
　また、洗浄部１０４は、水平方向に延在し、スピンドル１４２を介してブラシ１４１を上方から支持するアーム１４３と、アーム１４３を旋回および昇降させる旋回昇降機構１４４とを備える。旋回昇降機構１４４により、アーム１４３は、ウエハＷの上方における処理位置とウエハＷの外方における待機位置との間でブラシ１４１を移動させることができる。
　また、洗浄部１０４は、バルブ１４６や流量調整器（図示せず）等を介して第１処理液供給源１４８に接続される。洗浄部１０４は、第１処理液供給源１４８から供給される第１処理液を、ブラシ１４１を上下に貫通する中空部からウエハＷへ向けて吐出する。第１処理液は、たとえばＤＨＦ（希フッ酸）である。なお、第１処理液は、ＤＨＦに限定されず、たとえばＳＣ１（アンモニア、過酸化水素および水の混合液）や脱イオン水等の他の処理液であってもよい。
　液供給部１０５は、ノズル１５１と、水平方向に延在し、ノズル１５１を上方から支持するノズルアーム１５２と、ノズルアーム１５２を旋回および昇降させる旋回昇降機構１５３とを備える。
　ノズル１５１は、バルブ１５６や流量調整器（図示せず）等を介して第２処理液供給源１５８に接続される。かかる液供給部１０５は、第２処理液供給源１５８から供給される第２処理液をウエハＷへ向けて吐出する。第２処理液は、たとえば脱イオン水等のリンス液である。なお、第２処理液は、リンス液に限らず、他の処理液であってもよい。
　ここでは、塗布前洗浄部２３がブラシ１４１による物理洗浄を行う場合の構成例を示したが、ウエハＷのおもて面に処理液を噴射するスプレーノズルを備える構成であってもよい。この場合、塗布前洗浄部２３は、スプレーノズルから噴射される処理液の圧力によりウエハＷのおもて面を物理的に洗浄することができる。また、塗布前洗浄部２３は、ウエハＷのおもて面を物理的に洗浄するおもて面洗浄部（ブラシ１４１やスプレーノズル）に加え、ウエハＷの裏面を物理的に洗浄する裏面洗浄部（ブラシやスプレーノズル）を備える構成であってもよい。この場合、ウエハＷのおもて面と同時にウエハＷの裏面を物理的に洗浄することができる。
＜塗布後洗浄部の構成例＞
　次に、塗布後洗浄部５４の構成例について図８および図９を参照して説明する。図８は、第１実施形態に係る塗布後洗浄部５４の概略平面図である。図９は、第１実施形態に係る塗布後洗浄部５４の概略側面図である。
　図８および図９に示すように、塗布後洗浄部５４は、ウエハＷの裏面を水平に吸着保持する２つの吸着パッド２１０と、この吸着パッド２１０から受け取ったウエハＷの裏面を水平に吸着保持するスピンチャック２１１とを備える。また、塗布後洗浄部５４は、上面が開口した筐体２１３と、ウエハＷの裏面の物理洗浄を行う洗浄部２１８とを備える。
　２つの吸着パッド２１０は、細長の略矩形状に形成されており、ウエハＷ裏面の周縁部を保持できるように、平面視においてスピンチャック２１１を挟んで略平行に設けられている。各吸着パッド２１０は、当該吸着パッド２１０より長い略矩形状の支持板２１４によりそれぞれ支持されている。支持板２１４は、駆動機構（図示せず）により水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）および上下方向（図１のＺ軸方向）に移動自在な枠体２１５によりその両端部を支持されている。
　枠体２１５の上面には、上部カップ２１６が設けられている。上部カップ２１６の上面には、ウエハＷの直径より大きな径の開口部が形成されており、この開口部を介して搬送部５３と吸着パッド２１０との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
　図９に示すように、スピンチャック２１１は、シャフト２２０を介して駆動機構２２１に接続される。スピンチャック２１１は、駆動機構２２１により回転および上下動自在となっている。
　スピンチャック２１１の周囲には昇降機構（図示せず）により昇降自在な、たとえば３つの昇降ピン２２２が設けられている。これにより、昇降ピン２２２と搬送部５３との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
　筐体２１３の底部には、洗浄液を排出するドレン管２４０と、塗布後洗浄部５４内に下方向の気流を形成し、且つ当該気流を排気する排気管２４１とが設けられている。
　次に、洗浄部２１８の構成について説明する。図９に示すように、洗浄部２１８は、洗浄体２１８ａと、支柱部材２１８ｂと、駆動部２１８ｃとを備える。
　洗浄体２１８ａは、ウエハＷの裏面に押し当てられる部材である。洗浄体２１８ａは、たとえば、多数の毛束で構成されたブラシである。洗浄体２１８ａの上面すなわちウエハＷとの接触面は、たとえばウエハＷの上面よりも小さい円形状を有する。なお、洗浄体２１８ａは、スポンジであってもよい。
　洗浄体２１８ａの裏面には、支柱部材２１８ｂが設けられる。支柱部材２１８ｂは、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って延在し、一端部において洗浄体２１８ａを支持する。
　支柱部材２１８ｂの他端部には、駆動部２１８ｃが設けられる。駆動部２１８ｃは、支柱部材２１８ｂを鉛直軸まわりに回転させる。これにより、支柱部材２１８ｂに支持された洗浄体２１８ａを鉛直軸まわりに回転させることができる。
　洗浄部２１８は、アーム２８０によって水平に支持される。アーム２８０には、吸着パッド２１０またはスピンチャック２１１に保持されたウエハＷの裏面に対して洗浄用流体を供給する洗浄ノズル２８０ａが、洗浄体２１８ａに隣接して設けられている。洗浄用流体としては、たとえば脱イオン水が用いられる。
　アーム２８０は、移動部２８１に接続される。移動部２８１は、水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）に沿って延在するレール２８２に沿ってアーム２８０を水平移動させる。また、移動部２８１は、アーム２８０を鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って昇降させる。
　アーム２８０は、たとえば図示しない駆動部によって水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って伸縮する。これにより、アーム２８０は、洗浄部２１８および洗浄ノズル２８０ａをＹ軸方向に沿って移動させることができる。
　塗布後洗浄処理を行う場合、塗布後洗浄部５４は、まず、ウエハＷを保持した吸着パッド２１０を支持板２１４および上部カップ２１６とともに水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に移動させる。これにより、スピンチャック２１１がウエハＷの外周部に近い場所に配置され、洗浄部２１８がウエハＷの中央部に近い場所に配置された状態となる。
　つづいて、移動部２８１を用いて洗浄部２１８を上昇させることにより、洗浄体２１８ａをウエハＷの裏面に押し当てる。ここでは、洗浄部２１８を上昇させることとしたが、吸着パッド２１０を下降させることによってウエハＷの裏面を洗浄体２１８ａに押し当ててもよい。また、洗浄部２１８を上昇させつつ、吸着パッド２１０を下降させてもよい。
　その後、洗浄ノズル２８０ａからウエハＷの裏面への脱イオン水の供給を開始する。また、洗浄体２１８ａの回転を開始する。
　洗浄部２１８によるウエハＷの裏面の物理洗浄は、吸着パッド２１０によるウエハＷの移動と移動部２８１による洗浄部２１８の移動との組み合わせにより進行する。たとえば、洗浄体２１８ａに対して２つの吸着パッド２１０間をＸ軸方向に沿って往復移動させ、洗浄体２１８ａの移動方向が切り替わる際に洗浄体２１８ａの直径以下の距離だけ吸着パッド２１０をＹ軸負方向に移動させる。これにより、スピンチャック２１１によって吸着保持される領域を含むウエハＷの中央領域が洗浄体２１８ａによって洗浄される。その後、洗浄体２１８ａの回転を停止し、洗浄ノズル２８０ａからの純水の供給を停止する。
　つづいて、吸着パッド２１０を移動させてウエハＷの中央部をスピンチャック２１１の上方に位置させた後、吸着パッド２１０によるウエハＷの吸着を解除する。そして、スピンチャック２１１を上昇させることにより、吸着パッド２１０からスピンチャック２１１へウエハＷを受け渡す。
　つづいて、駆動機構２２１を用いてスピンチャック２１１を回転させることによってウエハＷを回転させる。つづいて、洗浄ノズル２８０ａからウエハＷの裏面への脱イオン水の供給を開始するとともに、洗浄体２１８ａの回転を開始する。そして、洗浄体２１８ａをウエハＷの外周部に向けて水平移動させる。
　つづいて、洗浄体２１８ａがウエハＷの外周部に到達すると、洗浄体２１８ａの回転を停止し、洗浄ノズル２８０ａからの脱イオン水の供給を停止する。そして、洗浄体２１８ａをウエハＷから退避させる。その後、スピンチャック２１１を高速で回転させてウエハＷに付着している脱イオン水を振り切ることによってウエハＷを乾燥させる。
（第２実施形態）
　次に、第２実施形態に係る塗布、現像装置の構成について図１０および図１１を参照して説明する。図１０は、第２実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。図１１は、第２実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。
　図１０に示すように、第２実施形態に係る塗布、現像装置１Ａは、洗浄ステーションＳ２Ａを備える。洗浄ステーションＳ２Ａは、棚ユニット２１Ａと、搬送部２２と、複数の塗布前洗浄部２３と、搬送部２５とを備える。
　棚ユニット２１Ａは、搬送部１３、搬送部２２および搬送部２５がアクセス可能な位置に配置される。図１１に示すように、棚ユニット２１Ａには、複数のＴＲＳ１が高さ方向に並べて配置される。たとえば、棚ユニット２１Ａには、高さ方向に並べられた４つの塗布前洗浄部２３に対応する４つの第１受渡部ＴＲＳ１が配置される。
　複数の塗布前洗浄部２３は、搬送部２２のＸ軸正方向側およびＸ軸負方向側にそれぞれ４つずつ、高さ方向に並べて配置される。
　搬送部２５は、たとえば棚ユニット２１ＡのＸ軸負方向側に配置される。搬送部２５は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部２５は、水平方向および鉛直方向への移動が可能であり、たとえば、ある第１受渡部ＴＲＳ１に載置されたウエハＷを別の第１受渡部ＴＲＳ１に移し換える。
　第２実施形態に係る塗布、現像装置１Ａでは、たとえば、搬送部１３によってある第１受渡部ＴＲＳ１に載置されたウエハＷを搬送部２５が取り出して、そのウエハＷを処理する塗布前洗浄部２３に対応する第１受渡部ＴＲＳ１に移し換える。そして、搬送部２２が第１受渡部ＴＲＳ１からウエハＷを取り出して対応する塗布前洗浄部２３に搬入する。
　このように、洗浄ステーションＳ２Ａには、複数の第１受渡部ＴＲＳ１間でのウエハＷの移し換えを行う搬送部２５と、第１受渡部ＴＲＳ１および塗布前洗浄部２３間でのウエハＷの搬送を行う搬送部２２とが設けられてもよい。これにより、スループットを向上させることができる。
（第３実施形態）
　次に、第３実施形態に係る塗布、現像装置の構成について図１２および図１３を参照して説明する。図１２は、第３実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。図１３は、第３実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。
　図１２および図１３に示すように、第３実施形態に係る塗布、現像装置１Ｂは、洗浄ステーションＳ２，Ｓ２Ａを備えておらず、搬入出ステーションＳ１に受渡ステーションＳ３が接続された構成を有する。
　第３実施形態に係る塗布、現像装置１Ｂは、処理ステーションＳ４Ｂを備える。図１３に示すように、処理ステーションＳ４Ｂは、複数（ここでは、５つ）の処理ブロックＢ１～Ｂ５を備えており、そのうち処理ブロックＢ１，Ｂ２のフロント側処理ブロックＢ１Ｆ，Ｂ２Ｆに、複数の塗布前洗浄部２３を備える。具体的には、フロント側処理ブロックＢ１Ｆには、２つの塗布前洗浄部２３がＹ軸方向に沿って並べて配置される。同様に、フロント側処理ブロックＢ２Ｆにも、２つの塗布前洗浄部２３がＹ軸方向に沿って並べて配置される。
　塗布処理部ＣＯＴおよび現像処理部ＤＥＶは、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ，Ｂ２Ｆよりも上方に配置されるフロント側処理ブロックＢ３Ｆ～Ｂ５Ｆに配置される。たとえば、図１３に示す例では、フロント側処理ブロックＢ３Ｆ，Ｂ４Ｆに複数の塗布処理部ＣＯＴが配置され、フロント側処理ブロックＢ５Ｆに複数の現像処理部ＤＥＶが配置される。
　このように、塗布前洗浄部２３は、処理ステーションＳ４Ｂに配置されてもよい。この場合、下から順に、塗布前洗浄部２３、塗布処理部ＣＯＴおよび現像処理部ＤＥＶの順番で積層して、処理ブロックＢ１～Ｂ５の下から上に向かうウエハＷの流れを形成することで、スループットの向上を図ることができる。
（その他の実施形態）
　上述した実施形態では、塗布前洗浄部２３が洗浄ステーションＳ２，Ｓ２Ａまたは処理ステーションＳ４Ｂに設けられる場合の例について説明した。これに限らず、塗布前洗浄部２３は、たとえば、受渡ステーションＳ３に設けられてもよいし、インタフェースステーションＳ５に設けられてもよい。塗布前洗浄部２３をインタフェースステーションＳ５に設ける場合、複数の塗布前洗浄部２３と複数の塗布後洗浄部５４とを高さ方向に並べて配置してもよい。また、塗布前洗浄部２３の機能すなわちウエハＷのおもて面を物理的に洗浄する機能（たとえば、図６に示す洗浄部１０４）を塗布後洗浄部５４に付加した洗浄部をインタフェースステーションＳ５に設けてもよい。
　上述してきたように、実施形態に係る塗布、現像装置（一例として、塗布、現像装置１）は、搬入出ステーション（一例として、搬入出ステーションＳ１）と、処理ステーション（一例として、処理ステーションＳ４）と、塗布前洗浄部（一例として、塗布前洗浄部２３）と、塗布後洗浄部（一例として、塗布後洗浄部５４）とを備える。搬入出ステーションは、複数の基板（一例として、ウエハＷ）を収納したカセット（一例として、カセットＣ）が載置されるカセット載置部（一例として、カセット載置台１１）を含む。処理ステーションは、基板のおもて面にレジストを塗布する塗布処理を行う塗布処理部（一例として、塗布処理部ＣＯＴ）と、露光装置（一例として、露光装置ＥＸＰ）にて露光された後の基板のおもて面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理部（一例として、現像処理部ＤＥＶ）と、基板を加熱する加熱部（一例として、第１加熱部ＢＫ１、第２加熱部ＢＫ２）と、を含む。塗布前洗浄部は、搬入出ステーションと露光装置との間に設けられ、塗布処理前の基板のおもて面を物理的に洗浄する。塗布後洗浄部は、処理ステーションと露光装置との間に設けられ、塗布処理後の基板の裏面を物理的に洗浄する。
　搬入出ステーションと露光装置との間に塗布前洗浄部を設け、かつ、処理ステーションと露光装置との間に塗布後洗浄部を設けることで、洗浄処理を含む一連の塗布、現像処理を効率よく行うことができる。
　実施形態に係る塗布、現像装置は、搬入出ステーションと処理ステーションとの間に設けられた受渡ステーション（一例として、受渡ステーションＳ３）をさらに備えていてもよい。処理ステーションは、積層された複数の処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ１～Ｂ６）を備え、受渡ステーションは、基板の受渡場所（一例として、複数の第２受渡部ＴＲＳ２）が複数の処理ブロックに対応して多段に設けられた棚ユニット（一例として、棚ユニット３１）と、一の受渡場所から他の受渡場所へ基板を移し換える移換部（一例として、搬送部３２）とを含む。この場合、塗布前洗浄部は、搬入出ステーションと受渡ステーションとの間に設けられてもよい。
　搬入出ステーションと受渡ステーションとの間に塗布前洗浄部を設けることで、たとえば搬入出ステーションの前段に塗布前処理部を設けた場合と比較して、塗布処理のより直前で基板のおもて面を洗浄することができる。このため、塗布前洗浄処理を行ってから塗布処理が行われるまでの間に基板のおもて面に異物が付着したり傷が付いたりすることを抑制することができる。また、処理ブロックに入る前に基板のおもて面を洗浄しておくことで、処理ブロックの清浄度を維持することができる。
　実施形態に係る塗布、現像装置は、搬入出ステーションと受渡ステーションとの間に設けられ、塗布前洗浄部を含む洗浄ステーション（一例として、洗浄ステーションＳ２，Ｓ２Ａ）をさらに備えていてもよい。この場合、洗浄ステーションは、搬入出ステーションから搬送された基板が載置される基板載置部（一例として、第１受渡部ＴＲＳ１）と、基板載置部、塗布前洗浄部および受渡場所間で基板を搬送する搬送部（一例として、搬送部２２）とをさらに含んでいてもよい。洗浄ステーションに搬送部を設けることで、受渡ステーションに設けられた移換部の処理負荷の増大を抑制することができる。
　処理ステーション（一例として、処理ステーションＳ４Ｂ）は、積層された複数の処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ１～Ｂ５）を備えていてもよい。この場合、塗布前洗浄部は、処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ１，Ｂ２）に設けられてもよい。これにより、塗布前洗浄を行ってから塗布処理が行われるまでの間に基板が汚れたり基板に傷が付いたりすることを抑制することができる。
　複数の処理ブロックは、塗布前洗浄部が設けられる第１処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ１，Ｂ２）と、塗布処理部が設けられる第２処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ３，Ｂ４）と、現像処理部が設けられる第３処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ５）とを含んでいてもよい。この場合、第１処理ブロック、第２処理ブロックおよび第３処理ブロックは、下から順に第１処理ブロック、第２処理ブロックおよび第３処理ブロックの順番で配置されてもよい。処理ブロックの下から上に向かう基板の流れを形成することで、スループットの向上を図ることができる。
　実施形態に係る塗布、現像装置は、処理ステーションと露光装置とを接続するインタフェースステーション（一例として、インタフェースステーションＳ５）をさらに備えていてもよい。この場合、塗布後洗浄部は、インタフェースステーションに設けられてもよい。これにより、露光装置に搬入されるより直前で基板の裏面を洗浄することができる。このため、塗布後洗浄処理を行ってから塗布処理が行われるまでの間に基板の裏面に異物等が付着することを抑制することができる。
　今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｃ　カセット
Ｗ　ウエハ
Ｓ１　搬入出ステーション
Ｓ２　洗浄ステーション
Ｓ３　受渡ステーション
Ｓ４　処理ステーション
Ｓ５　インタフェースステーション
ＣＯＴ　塗布処理部
ＤＥＶ　現像処理部
ＢＫ１　第１加熱部
ＢＫ２　第２加熱部
ＥＸＰ　露光装置
ＢＭ　搬送ブロック
１　塗布、現像装置
２３　塗布前洗浄部
２４　検査部

Claims (7)

  1. 　複数の基板を収納したカセットが載置されるカセット載置部を含む搬入出ステーションと、
    　前記基板のおもて面にレジストを塗布する塗布処理を行う塗布処理部と、露光装置にて露光された後の前記基板のおもて面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理部と、前記基板を加熱する加熱部と、を含む処理ステーションと、
    　前記搬入出ステーションと前記露光装置との間に設けられ、前記塗布処理前の前記基板のおもて面を物理的に洗浄する塗布前洗浄部と、
    　前記処理ステーションと前記露光装置との間に設けられ、前記塗布処理後の前記基板の裏面を物理的に洗浄する塗布後洗浄部と
    　を備える、塗布、現像装置。
  2. 　前記搬入出ステーションと前記処理ステーションとの間に設けられた受渡ステーション
    　をさらに備え、
    　前記処理ステーションは、
    　積層された複数の処理ブロック
    　を備え、
    　前記受渡ステーションは、
    　前記基板の受渡場所が前記複数の処理ブロックに対応して多段に設けられた棚ユニットと、
    　一の前記受渡場所から他の前記受渡場所へ前記基板を移し換える移換部と
    　を含み、
    　前記塗布前洗浄部は、
    　前記搬入出ステーションと前記受渡ステーションとの間に設けられる、請求項１に記載の塗布、現像装置。
  3. 　前記搬入出ステーションと前記受渡ステーションとの間に設けられ、前記塗布前洗浄部を含む洗浄ステーション
    　をさらに備え、
    　前記洗浄ステーションは、
    　前記搬入出ステーションから搬送された前記基板が載置される基板載置部と、
    　前記基板載置部、前記塗布前洗浄部および前記受渡場所間で前記基板を搬送する搬送部と
    　をさらに含む、請求項２に記載の塗布、現像装置。
  4. 　前記処理ステーションは、
    　積層された複数の処理ブロック
    　を備え、
    　前記塗布前洗浄部は、
    　前記処理ブロックに設けられる、請求項１に記載の塗布、現像装置。
  5. 　前記複数の処理ブロックは、
    　前記塗布前洗浄部が設けられる第１処理ブロックと、
    　前記塗布処理部が設けられる第２処理ブロックと、
    　前記現像処理部が設けられる第３処理ブロックと
    　を含み、
    　前記第１処理ブロック、前記第２処理ブロックおよび前記第３処理ブロックは、下から順に前記第１処理ブロック、前記第２処理ブロックおよび前記第３処理ブロックの順番で配置される、請求項４に記載の塗布、現像装置。
  6. 　前記処理ステーションと前記露光装置とを接続するインタフェースステーション
    　をさらに備え、
    　前記塗布後洗浄部は、
    　前記インタフェースステーションに設けられる、請求項１～５のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
  7. 　前記基板は、半導体ウエハである、請求項１～６のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
PCT/JP2020/029953 2019-08-19 2020-08-05 塗布、現像装置 WO2021033542A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202080056483.0A CN114222948A (zh) 2019-08-19 2020-08-05 涂敷显影装置
KR1020227008467A KR20220047346A (ko) 2019-08-19 2020-08-05 도포, 현상 장치
JP2021540713A JP7262594B2 (ja) 2019-08-19 2020-08-05 塗布、現像装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019149736 2019-08-19
JP2019-149736 2019-08-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021033542A1 true WO2021033542A1 (ja) 2021-02-25

Family

ID=74661026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/029953 WO2021033542A1 (ja) 2019-08-19 2020-08-05 塗布、現像装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7262594B2 (ja)
KR (1) KR20220047346A (ja)
CN (1) CN114222948A (ja)
TW (1) TW202111796A (ja)
WO (1) WO2021033542A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5345639A (en) * 1992-05-28 1994-09-13 Tokyo Electron Limited Device and method for scrubbing and cleaning substrate
JPH11340180A (ja) * 1998-03-23 1999-12-10 Tokyo Electron Ltd 基板の洗浄装置及び洗浄方法
JP2007294817A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Sokudo:Kk 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置
JP2009032886A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2012019130A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP2012156497A (ja) * 2011-01-05 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5058085B2 (ja) 2008-07-02 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5345639A (en) * 1992-05-28 1994-09-13 Tokyo Electron Limited Device and method for scrubbing and cleaning substrate
JPH11340180A (ja) * 1998-03-23 1999-12-10 Tokyo Electron Ltd 基板の洗浄装置及び洗浄方法
JP2007294817A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Sokudo:Kk 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置
JP2009032886A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2012019130A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP2012156497A (ja) * 2011-01-05 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
CN114222948A (zh) 2022-03-22
TW202111796A (zh) 2021-03-16
JPWO2021033542A1 (ja) 2021-02-25
KR20220047346A (ko) 2022-04-15
JP7262594B2 (ja) 2023-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101059307B1 (ko) 도포 현상 장치 및 도포 현상 방법
KR101798320B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2023155279A (ja) 基板処理システム、及び基板処理方法
WO2010147056A1 (ja) インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体
JP2014082470A (ja) 基板処理装置
JP2013038126A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP2013033925A (ja) 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム
CN111383954A (zh) 衬底处理装置及衬底搬送方法
JP2022057798A (ja) 基板処理システム、および基板搬送方法
JP2011205004A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20230129317A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JPH11163082A (ja) 基板搬送装置および基板搬送方法
US20080196658A1 (en) Substrate processing apparatus including a substrate reversing region
WO2021033542A1 (ja) 塗布、現像装置
TWI810835B (zh) 帶有整合基板對準台的乾燥系統
KR100598917B1 (ko) 매엽식 기판 세정 장치 및 방법
JP5758509B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP3766177B2 (ja) 基板処理装置および基板洗浄装置
KR102303597B1 (ko) 세정 용기 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102624574B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102661734B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
TW201825197A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US20210159293A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate transporting method
KR101968488B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
TW202248463A (zh) 預濕模組及預濕方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20854341

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021540713

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20227008467

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20854341

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1